JPH10509536A - 偏光コンバータを含む光学的集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 光学的集積回路は第１のデバイスと第２のデバイスを含み、これらデバイスは偏光コンバータによって接続されている。この偏光コンバータは光学的回路に集積化された導波路の湾曲した部分を含む。この湾曲した部分は数個の湾曲の異なるサブセクションから構成できる。変換比の一部は湾曲した部分の曲率半径のみならず、これらサブセクションの間の移行部の数によっても決定される。

Description

【発明の詳細な説明】 偏光コンバータを含む光学的集積回路 本発明は、第１の偏光状態の放射光を放出するための出力端を有する第１のデ バイスと、第２の異なる偏光状態の放射光を受けるための入力端を有する第２の デバイスと、その出力端と入力端との間に接続された偏光コンバータ（変換器） とを含む光学的集積回路に関する。 偏光コンバータは第１の偏光状態の放射光を第２の異なる偏光状態の放射光に 変換する。例えば、このコンバータはＴＥモードでガイドされる放射光をＴＭモ ードでガイドされる放射光に変換したり、またはこの逆にＴＭモードでガイドさ れる放射光をＴＥモードでガイドされる放射光に変換できる。ＴＥ（横方向電界 ）モードとはＥyが主要な電界成分となっているモードであり、ＴＭ（横方向磁 界）モードとはＨyが放射光の電磁界のうちの主要磁界成分となっているモード のことである。ここで、ｙ軸とは回路のスラブ・タイプの基板の平面内にあり、 ｚ軸に沿った放射光の伝搬方向に対して垂直な軸線のことである。変換比とは、 あるモードから他のモードに変換される放射光量の比のことである。変換比が１ とは、あるモードが完全に他のモードに変換されることを意味する。 冒頭の段落に記載した回路は、偏光ダイバーシティに基づいて動作するコヒー レントな光受光器のための光学的入力部分を開示する米国特許第5,185,828号か ら公知となっている。この第１のデバイスはＴＥ偏光の放射光を放出する局部的 放射光源である。偏光コンバータは、偏光状態をＴＥが５０％でＴＭが５０％の 偏光放射光に変換する。第２のデバイスは、変換された局部発振放射光と信号放 射光とを結合するためのミキサと検波回路とを含む。偏光コンバータは幅の異な る周期的なシーケンスの導波路部分から成る一定の幾何学的構造を有する直線状 導波路を含む。この偏光コンバータの欠点として、その長さがミリメートルの大 きさであって比較的長く、かつその長さによりバンド幅が狭くなることが挙げら れる。 本発明の課題はバンド幅が広く、比較的小型の偏光コンバータを含む光学的集 積回路を提供することにある。 この課題は、本発明により偏光コンバータが集積導波路の湾曲した部分から成 ることを特徴とする、冒頭の段落に記載の回路によって達成される。この湾曲し た部分の偏光変換比は導波路の材料および幾何学的形状に依存する。湾曲した導 波路は比較的短く製造できるのでコンバータも小型にでき、よってバンド幅を広 くできる。 半径または曲率中心位置が変化する導波路内の位置すなわち湾曲の変わる部分 の間の移行部において偏光状態の変換が生じるので、この変換比は湾曲した部分 における移行部の数が増加するにつれ増加する。１つの曲率を有する１つの部分 を含むコンバータの変換比が十分でない場合、導波路部分は導波路の湾曲の異な る、または逆のおよび／または直線状部分の数個の連結されたサブセクションを 含むことができる。これらサブセクションの間の各移行部はコンバータの変換比 を増加させる。これら湾曲したサブセクションは直線状の導波路サブセクション によって接続できる。これらサブセクションの数を増加すると、コンバータのバ ンド幅が狭くなる。湾曲したサブセクションは９０度の角度を形成でき、連続し て逆方向に湾曲した９０度のサブセクションの対を使って回路のデバイスに容易 に接続できる。これらサブセクションはＳ字形またはＵ字形を形成するように配 置してもよい。曲折したラインを形成するように一連のサブセクションを配置す ることが好ましく、これにより偏光コンバータの占める回路内の空間を縮小し、 コンバータの入力端および出力端を直線状にすることも可能である。サブセクシ ョンによって形成される角度は９０度よりも小さく、またはこれよりも大きくす ることも可能である。 湾曲したサブセクションの曲率半径を小さくすることによりコンバータの変換 比を増加することも可能である。曲率半径は１００μｍよりも小さいことが好ま しい。この理由は、この範囲ではほとんどのタイプの光学的集積回路、例えばＩ ｎＰおよびＧａＡｓのようなＩＩＩ−Ｖ族化合物から製造された回路では変換比 が比較的大きくなるからである。 変換比を大きくするには湾曲した部分における導波路の幅を放射光の波長のほ ぼ０.８５〜１.１５倍の間とすることが好ましい。 湾曲した部分の最小曲率半径が導波路のカットオフ半径よりも大きい５〜１５ μｍの範囲内にあると、コンバータの変換比は大きくなりかつ導波路の幅の製造 公差に比較的影響されなくなる。このカットオフ半径は９０度の曲線が１ｄＢの 放射損失を有する場合の半径として定義される。 湾曲したサブセクションによりガイドされる放射光の強度分布の中心は曲率半 径から径方向に離間する方向に導波路の中心からずれる。湾曲したサブセクショ ンの形状は放射光のガイドを維持するようになっていなければならない。最適な 形状は導波路構造体の材料に応じて決まる。移行部で合流する双方のサブセクシ ョンにおける強度分布が実質的に一致するように、数個の連続するサブセクショ ンを含む湾曲した部分を設計することが好ましい。このことは、１つのサブセク ションにおけるガイドされる放射光の強度の横断面と次に続くサブセクションに おけるガイドされる放射光の強度の横断面との重なりが２つのサブセクションの 間の移行部の位置で最大となることを意味している。この結果、導波路の中心線 が移行部においてステップ状のずれを示すことがある。 強力に湾曲した導波路のサブセクションはガイドされる放射光の放射損失を示 すことがある。本発明により、導波路の湾曲した部分がディープエッチングされ た導波路構造体または選択的なエリア成長された導波路構造体を有する場合、こ れら損失はかなり低減できる。 湾曲した部分またはその一部は本発明による断熱的に増加する曲率を有するこ とができる。基本的に放射光損失を生ぜず、湾曲した部分で偏光の変換が生じな いよう曲率半径が徐々に減少する際には、曲率は断熱的に増加すると言われてい る。本発明にかかわる所望する偏光状態の変換は、曲率が断熱的に増減する部分 と、曲率の異なる導波路との間の移行部で生じる。曲率が断熱的に増減する湾曲 した部分はガイドされる斜線に対する損失が少ないという利点を有する。 本発明にかかわる回路の特別な実施例では、偏光コンバータはラムダが２を越 えるプレートとして機能する。かかるコンバータは導波路を通した放射光のガイ ドが偏光状態に依存するような回路内での使用に特に適す。コンバータは、これ らコンバータの両側における導波路の偏光状態の依存性が等しくなるように、導 波路内に対称的な位置に配置することが好ましい。 この偏光コンバータはフェーズドアレイ回路内で有利に使用できる。ラムダが ２を越えるプレートとして機能する偏光コンバータがフェーズドアレイの各導波 路の中間に配置されると、フェーズドアレイの性能は偏光状態に依存しなくなる 。フェーズドアレイ回路の第１実施例は一般に数個の入力端と１つの出力端を有 するマルチプレクサである。第２実施例は１つの入力端と数個の出力端を有する デマルチプレクサであり、第３実施例は数個の入力端と同じ数の出力端を有する ルータである。１つのルータに複数のスイッチすなわち調節自在なフェーズシフ タが設けられると、各入力端を選択された出力端に配線できる。 １９９２年のオプティクスレターズ、第１７巻第７号４９９〜５０１ページに 発表されたタカハシらによる論文から、偏光状態に依存しないフェーズドアレイ マルチプレクサが知られていることを指摘する。このフェーズドアレイはラムダ が２を越える石英プレートをアレイのうちの導波路の中間に挿入することにより フェーズドアレイを偏光状態に依存しないようにできる。しかしながら、かかる マルチプレクサは１つの基板上に集積化できない。中間に石英プレートが挟持さ れた２枚の基板が必要であり、この場合、基板と石英プレートとの間の移行部で 別の放射光損失が生じる。 本発明に係わる回路の別の有利な実施例は、電気光学的フェーズシフタにより スイッチングを実現するマッハ・ツェンダー干渉計スイッチである。ＴＥ偏光放 射光とＴＭ偏光放射光とでは電気光学的効果が異なるので、公知の干渉計スイッ チの作動が偏光状態によって変わり得る。本発明によれば、干渉計のアーム内の フェーズシフタの各々は導波路の湾曲した部分としての偏光コンバータを含む。 この湾曲した導波路の偏光状態の変換により、フェーズシフタの偏光状態の依存 性がキャンセルされ、スイッチが偏光状態に依存しないものとなる。 半導体増幅器の利得は、一般に増幅すべき放射光の偏光状態に依存する。本発 明に係わる回路内の第１のデバイスと第２のデバイスとがそれぞれ第１半導体レ ーザ増幅器および第２半導体レーザ増幅器であり、第１増幅器の出力端が偏光コ ンバータによって第２増幅器の入力端に接続されると、偏光状態に依存しない光 学的増幅回路が得られる。この結果、ＴＥモードで第１増幅器を通過する放射光 はＴＭモードで第２増幅器を通過し、この逆にＴＭモードで第１増幅器を通過す るＴＥモードで第２増幅器を通過することとなる。これら増幅器の特性が同じで あると、増幅回路全体としての利得は入力された放射光の偏光状態に依存しなく なる。 本発明に係わる偏光状態に依存しない光学的増幅回路と別の実施例は、偏光ビ ームスプリッタと半導体レーザ増幅器とを備え、ビームスプリッタの出力導波路 とレーザ増幅器の入力導波路との間に偏光コンバータが接続され、ビームスプリ ッタの別の出力導波路にレーザ増幅器の出力端が接続される。 次に添付図面を参照して実施例により本発明について説明する。 図１は、本発明に係わるフェーズドアレイ（デ）マルチプレクサを示す。 図２Ａは、図１のフェーズドアレイの導波路の横断面図を示す。 図２Ｂは、図１の偏光コンバータの導波路の横断面図を示す。 図３は、２つの湾曲したサブセクションを有する偏光コンバータを示す。 図４は、図３のコンバータの単一不連続性に対する偏光変換比を示す。 図５は、変換比が１であるコンバータを示す。 図６は、サブセクションが側方に変位されたコンバータを示す。 図７は、本発明に係わるマッハ・ツェンダー干渉計スイッチを示す。 図８および９は、本発明に係わる２つの偏光状態に依存しない光学的増幅回路 を示す。 図１は、マルチプレクサ、デマルチプレクサまたはルータとして配置できる、 本発明に係わる偏光状態に依存しないフェーズドアレイ集積回路を示す。かかる 回路は光通信の分野で特に有効である。近接した波長バンドを加えることにより 光ファイバーの伝送容量を増すためにマルチプレクサを使用できる。マルチプレ クサの動作の逆の動作、すなわち入力信号をその成分波長バンドに分解するため にデマルチプレクサを使用できる。 図１に示された回路は、単一のスラブ・タイプの基板上に集積化された２つの デバイス１および２を含む。第１のデバイス１は４つの入力端Ｉj（j＝１、２、 ３、４）を４つの出力端Ｏk（k＝１、２、３、４）に接続するためのスプリッタ ーとして作動する光学的カプラー３を有する。各入力端Ｉjには入力導波路Ｕjが 接続されている。また、各出力端Ｏkは導波路Ｗkの一端に接続されている。導波 路は光学的エネルギーを伝搬するための光学的材料から選択的に形成された領域 である。デバイス１は出力端Ｏ’kを有し、各出力端は導波路Ｗk（k＝１、２、 ３、４）の他端に接続されている。第２のデバイス２は入力端Ｉ”k（k＝１、２ 、３、４）を４つの出力端Ｏ”m（m＝１、２、３、４）に接続するための結合器 として働く光学的カプラー４を有する。デバイス２は４つの入力端Ｉ’kを有し 、 各入力端は導波路Ｗ’kの一端に接続されている。また、導波路Ｗ’kの他端は関 連する入力端Ｉ”kに接続されている。各出力端Ｏ”mは導波路Ｖmに接続されて いる。カプラーは特に欧州特許出願第0565308号から知られているような放射性 カプラーまたは国際特許出願第WO95/22070号（PHN15175）から知られるようなマ ルチモード干渉（ＭＭＩ）カプラーとすることができる。これら複数の導波路Ｗ kとＷ’kはマルチプレクサのフェーズドアレイを共に形成する。 デバイス１の各出力端Ｏ’kは偏光コンバータＰk（k＝１、２、３、４）によ ってデバイス２の対応する入力端Ｉ’kに接続されている。各偏光コンバータは 二重Ｕ字形曲がり部を備えた曲折したライン状をした導波路を含み、各曲がり部 は５０μｍの半径を有し、コンバータは約５００μｍの全長を有する。光学的回 路を小型化する際にコンバータの小さい寸法を有利に使用できる。偏光コンバー タのこのサイズは小さいのでフェーズドアレイ内にこれらコンバータを容易に集 積化できる。曲率半径およびそれに対応するビート長さはラムダが２を越える平 板として偏光コンバータが作動し、入力ＴＥ偏光状態を出力ＴＭ偏光状態に変換 し、入力ＴＭ偏光状態を出力ＴＥ偏光状態に変えるように選択されている。従っ て、ＯkにおけるＴＥ偏光放射光はＴＥ波としてフェーズドアレイの導波路Ｗkを 通過し、ＴＭ波としてフェーズドアレイの導波路Ｗ’kを通過するが、一方、Ｏk におけるＴＭ偏光放射光はＴＭ波として導波路Ｗkを通過し、ＴＥ波として導波 路Ｗ’kを通過する。導波路が複屈折性である場合、ＴＥ偏光放射光とＴＭ偏光 放射光の伝搬速度は異なる。本発明に係わるフェーズドアレイでは、入力放射光 は常にその通路の半分をＴＥ波の速度で進行し、通路の半分をＴＭ波の速度で進 行する。この結果、２つの導波路ＷkおよびＷ’kを通過する放射光の全通過時間 は出力端Ｏkにおける放射光の偏光状態と無関係となる。 図１は、４つの入力導波路Ｕjおよび４つの出力導波路Ｖmを備えた回路を示す が、１つの入力導波路と複数の出力導波路を設け、これら回路により波長デマル チプレクサを構成することも可能である。複数の入力導波路と１つの出力導波路 を備えた回路をマルチプレクサとして使用できるが、一方、１つの入力導波路と １つの出力導波路を備えた回路は櫛歯フィルタとして使用できる。 図２Ａは図１に示された回路の導波路Ｗkの横断面を示す。ＩnＰの基板１０上 にはリブ１２の外側で厚み０.５μｍとなり、リブの内側では厚み０.６μｍとな るように４元ＩnＧaＡsＰガイド層１１が成長される。リブ１２の頂部には０.３ μｍの厚みおよび１.４μｍの幅、ＩnＰの層１３が成長される。図２Ｂは偏光コ ンバータＰkのうちの１つにおける導波路の湾曲した部分の横断面を示す。この 横断面は図２Ａに示された横断面に類似するが、一部が深いエッチング状となっ ている回路に１つの付加的製造工程を加えた点が異なる。その結果、基板１０は リブ１４の形状を有し、４元層１５はその全高にわたってリブの幅を有する。図 ２Ａおよび２Ｂに示されたすべての導波路は１つの基板上に容易に製造でき、図 ２Ｂの導波路は１回の付加的エッチング工程または１つのエピタキシマスクしか それぞれ必要としない。 図３は、偏光コンバータとして使用するための導波路の湾曲部分を示す。Ｉn Ｐ基板３０は導波路が設けられ、この導波路は６００ｎｍの厚みを有するＩnＧa ＡsＰの４元層３１と３００ｎｍの厚みを有するＩnＰの頂部層３２を備え、４元 層３１の幅と頂部層３２の幅は等しくなっている。この導波路はギャップ波長が １.３μｍの材料から製造され、１.５０８μｍの波長を有する放射光に対して設 計されている。この導波路は直線状サブセクション３３と、２つの湾曲したサブ セクション３４および３５（各々は９０度の角度を形成する）と、別の直線状サ ブセクション３６とを順に有する。サブセクション３３；３４、３５および３５ 、３６との間の移行部３７、３８および３９において偏光状態の変換が生じる。 この変換は２つの逆方向に湾曲したサブセクションの間の移行部３８で最も強い 。 図４は、直線状導波路サブセクション３３から湾曲した導波路サブセクション ３４までの移行部３７における計算された変換比をサブセクション３４の曲率半 径の関数として示している。曲線４０および４１はそれぞれ１.６μｍおよび１. ４μｍの４元層３１の幅を有する湾曲した導波路における変換比を示す。図から 変換効率が明らかであろう。直線状導波路サブセクションから１.６μｍ幅の導 波路に対し半径が３０μｍのサブセクションに対する移行部では、既に０.５（ ５０％）の変換比が得られている。ＴＥ偏光の直交モードとＴＭ偏光の直交モー ドとの間のビート長さは０.５よりも大きい偏光比に対し５ｍｍ以上の大きさと なり、変換は比較的短い湾曲したサブセクションの長さからはほぼ依存しないよ うになる。約２０μｍの半径を有する導波路での放射損失は９０度の湾曲部では ０.１〜０.２ｄＢの大きさとなると測定されている。２０μｍの半径は、このよ うな特殊な導波路構造に対するカットオフ半径よりも大きく、このカットオフ半 径以下ではモードが大きく減衰することとなる。 図４は、変換比が導波路の幅に応じて決まることも示している。１.６μｍ幅 の曲げ部は曲線４０が示すように５０μｍ以下の半径ではかなりの変換を示すが 、１.４μｍ幅の曲げ部は曲線４１が示すように１００μｍ以下でかなり変換さ れることをすでに示している。この幅は湾曲した部分でガイドされる放射光の波 長の０.８５倍〜１.１５倍の範囲に選択しなければならない。従って、１.５０ ８μｍの波長では変換を比較的大きくするには半径を１.３μｍ〜１.７μｍの範 囲とすべきである。上記計算値は湾曲した導波路における測定値によって確認さ れている。 図４は、半径がカットオフ半径に接近すると、異なる幅についての曲線が近似 するようになることを示している。図３に示された導波路のカットオフ半径は約 １０μｍである。このカットオフ半径は特殊な導波路構造では実験的または数値 シミュレーションにより決定できる。カットオフ半径を越える５〜１５μｍの半 径では変換比は導波路の幅にあまり影響されない。このことは湾曲した部分の製 造公差にとって有利である。更にこの範囲ではほとんど１００％の変換比が得ら れ、放射損失は少ない。したがって、図３に示された湾曲部分の曲率半径は１５ μｍ〜２６μｍの範囲であることが好ましい。 図５は、Ｓバンドで使用するのに適しており、強力に湾曲したサブセクション ４２および４３を有する単一移行型のＴＥ-ＴＭコンバータを示す。強力に湾曲 した導波路では曲率半径が減少するにつれ主要でない電界成分（ＴＥ偏光ではＥ x、ＴＭ偏光ではＥy）が増加する傾向がある。所定の半径に対し主要成分と主要 でない成分は振幅および形状がほぼ等しくなる。このような特定の径ではＥ電界 は４５度だけ回転する。この状態はＴＥ偏光モードおよびＴＭ偏光モードの両方 に対して維持される。このような縮退した場合においては、モードは強力なハイ ブリッドの偏光状態となり、ＴＥおよびＴＭの表示は偏光コンバータの入力前の 対応する偏光状態を示す。かかる縮退導波路が、図に示すように反対の曲率を有 する同様な導波路に接続されていると、一方のモードから他方のモードへの完全 な変換が生じる。導波路の長手方向に沿うサブセクション４２の曲率を断熱的に ０から縮退値まで増加し、次にサブセクション４３への移行部で曲率を変え、曲 率を断熱的に直線状導波路まで減少させることによってコンバータを形成できる 。次の段落で説明するように、移行部において２つのサブセクションを面内でず らすようにしても良い。 図３に示された本発明の実施例では、導波路の中心ラインが連続ラインとなる ように、各直線状または湾曲導波路サブセクションが別の湾曲したまたは直線状 サブセクションに接続されている。しかしながら、この中心ラインはサブセクシ ョンの放射形状にマッチングし、放射損失を減少し、移行部における変換を最大 にするよう、２つのサブセクションにおける移行部を側方にステップ状にずらし てもよい。図７は、２つの直線状サブセクション３３’と３６’との間に２つの 湾曲したサブセクション３４’および３５’を有する本発明に係わるコンバータ を示す。各サブセクションの中心ラインは曲率点の方向に横方向にずれている。 図７は、本発明に係わるマッハ・ツェンダー干渉計スイッチを示す。出力端に ２つの導波路６２および６３が接続されたスプリッターとして作動する第１カプ ラー６１に入力導波路６０が接続されている。これら導波路は出力端６５に導波 路６６が接続された結合器として作動する第２カプラー６４に接続されている。 導波路６２と６３とは干渉計のアームを形成する。導波路６２および６３の一部 には図中に２本の太線で示された電極６７および６８がそれぞれ重ねられている 。これら導波路は各導波路におけるモードの伝搬速度を電気的に変えることを可 能にするものである。導波路の材料の屈折率を変えるのに、異なる電気光学的物 理効果を使用できる。例えばキャリア注入、キャリア空乏化、バンド充填効果、 ポッケルス効果またはカー効果を使用できる。電極およびその下の導波路の一部 はフェーズシフタとして動作し、干渉計のアーム内でガイドされる放射光を第２ カプラー６４の入り口で必要な位相に合わせ、出力端６５において積極的または 消極的干渉を得るようになっている。 電極６７および６８のそれぞれの下方にある導波路６２および６３部分は、本 発明に従い湾曲されている。ＴＥ偏光とＴＭ偏光の電気光学的効果は異なるので 、湾曲した導波路部分を有しないスイッチは偏光状態に応じて変わることとなる 。本発明に係わるスイッチでは、湾曲部分は偏光コンバータとして作動するので 、スイッチの偏光状態と無関係に作動する。別の実施例では、フェーズシフタお よび偏光コンバータは一致しないが、その代わりに２つのフェーズシフタの間に 偏光コンバータが配置されている。 図８は、本発明に係わる偏光状態に依存しない光学的増幅回路を示す。第１光 学的増幅器には入力導波路７０が接続されている。増幅器が半導体タイプのもの である時、この増幅器の利得は一般に入力放射光の偏光状態に応じて変わる。こ のような依存性は増幅器７１の出力放射光を偏光コンバータ７２および第２光学 的増幅器７３に通過させ、出力導波路７４へ送ることにより解消できる。コンバ ータは増幅器７１によって放出される放射光の偏光状態を９０度回転させる。増 幅器７３の利得は増幅器７１とほぼ同じように偏光状態に依存する。素子７０〜 ７４を含む光学的増幅回路の利得は入力放射光の偏光状態とはほぼ無関係である 。偏光コンバータ７２は本発明に係わる湾曲した部分を含むことが好ましく、１ つの集積化された回路内に２つの増幅器とコンバータとを集積化できる。 図９は、１つの光学的増幅器しか含まない、本発明に係わる偏光状態に依存し ない光学的増幅回路の別の実施例を示す。導波路７５は、偏光ビームスプリッタ ７６に接続され、１つの偏光状態、例えばＴＥ偏光の入力放射光を出力導波路７ ７に送信し、別の偏光状態、例えばＴＭ偏光状態の入力放射光を出力導波路７８ へ送信するようになっている。導波路７７と７８とは偏光コンバータ７９および 光学的増幅器８０によって接続されている。導波路７７内のＴＥ偏光した放射光 はコンバータによってＴＭ偏光した放射光に変換される。増幅器８０はＴＭ偏光 された放射光を増幅器し、この放射光はビームスプリッタ７６を通って導波路７ ５へ送られる。増幅器８０に向かって進行する導波路７８内のＴＭ偏光放射光は 増幅され、コンバータ７９によってＴＥ偏光放射光に変換され、その後、ビーム スプリッタ７６を通って導波路７５へ送られる。ＴＭ偏光状態の放射光は増幅器 ８０しか通過しないので、素子７５〜８０を含む光学的増幅回路全体の利得は入 力放射光の偏光状態に依存しない。偏光コンバータ７９は本発明に係わる湾曲し た部分を含むことが好ましく、これにより増幅器とコンバータとビームスプリッ タとを１つの光学的集積回路に集積できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＡ，ＪＰ (72)発明者 ハマヒャー，カール ミハエル ドイツ連邦共和国ベルリン、シュリーペン シュトラーセ、３ (72)発明者 シュテーンベルゲン，コルネリス アドリ アヌス マリヌス オランダ国2628、エスビー、デルフト、ボ クシートパッド、１ (72)発明者 スミート，メイント ケールト オランダ国2623、ピーエイ、デルフト、グ ルートホーフ、10 (72)発明者 ワイナート，カール ミハエル ドイツ連邦共和国ベルリン、ポツダマーシ ュトラーセ、64

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 第１の偏光状態の放射光を放出するための出力端を有する第１のデバイ スと、第２の異なる偏光状態の放射光を受けるための入力端を有する第２のデバ イスと、入力端と出力端との間に接続された偏光コンバータとを備えた光学的集 積回路において、前記偏光コンバータは、集積された導波路の湾曲した部分を有 することを特徴とする光学的集積回路。 ２． 前記湾曲した部分は、２つ以上の連続するサブセクションを有し、各サ ブセクションは導波路の湾曲の異なる部分を有することを特徴とする請求項１記 載の光学的集積回路。 ３． 前記連続するサブセクション同士の間の移行部において、連続するサブ セクションの放射光プロファイルの重なりが最大となるように、サブセクション 同士が配置されていることを特徴とする、請求項２記載の光学的集積回路。 ４． 前記湾曲した部分の最小曲率半径が１００μｍよりも小さいことを特徴 とする請求項１記載の光学的集積回路。 ５． 前記湾曲した部分は、放射光の波長の０.８５倍〜１.１５倍の間の長さ の幅を有する導波路を備えたことを特徴とする請求項１記載の光学的集積回路。 ６． 前記湾曲した部分の最小曲率半径は、導波路のカットオフ半径よりも５ μｍ〜１５μｍ大きい範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の光学的集積 回路。 ７． 前記湾曲した部分は、深くエッチングされた導波路構造体であることを 特徴とする請求項１記載の光学的集積回路。 ８． 湾曲した構造体は、選択的にエリア成長された導波路構造体であること を特徴とする請求項１記載の光学的集積回路。 ９． 前記サブセクションは、曲折したラインを形成することを特徴とする請 求項２記載の光学的集積回路。 １０． 前記湾曲した部分の少なくとも一部が断熱的に増加する曲率を有する ことを特徴とする請求項１記載の光学的集積回路。 １１． ラムダが２よりも大きいプレートとして偏光コンバータが機能するこ とを特徴とする請求項１記載の光学的集積回路。 １２． 前記第１のデバイスおよび第２のデバイスは共にフェーズドアレイ集 積回路を形成し、第１のデバイスは複数の出力端を有するスプリッタとこれらの 出力端に接続された第１の導波路とを有し、第２のデバイスは複数の第２の導波 路と複数の入力端を有する結合器とを有し、第２の導波路はこれらの入力端に接 続され、偏光コンバータは第１の導波路のうちの１つを第２の導波路のうちの１ つに接続していることを特徴とする請求項１または１１に記載の光学的集積回路 。 １３． 前記第１のデバイスおよび第２のデバイスは共に集積化されたマッハ ・ツェンダー干渉計スイッチを形成し、第１のデバイスは複数の出力端を有する スプリッタとこれらの出力端に接続された第１の導波路とを有し、第２のデバイ スは複数の第２の導波路と複数の入力端を有する結合器とを有し、第２の導波路 はこれらの入力端に接続され、偏光コンバータは、第１の導波路のうちの１つを 第２の導波路のうちの１つに接続している電気光学的なスイッチと結合している ことを特徴とする、請求項１の光学的集積回路。 １４． 前記第１のデバイスおよび第２のデバイスは、それぞれ第１の半導体 レーザ増幅器および第２の半導体レーザ増幅器であり、回路は、偏光状態に依存 しない光学的増幅器を形成していることを特徴とする請求項１記載の光学的集積 回路。 １５． 第１のデバイスは偏光ビームスプリッタを有し、第２のデバイスは半 導体レーザ増幅器を有し、ビームスプリッタの出力導波路とレーザ増幅器の入力 導波路の間に偏光コンバータが接続され、ビームスプリッタの別の出力導波路に レーザ増幅器の出力端が接続されていることを特徴とする請求項１記載の光学的 集積回路。