JPH10505157A - 検温基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 温度測定精度の向上を生じさせるための検温基板(10)。この検温基板は、前記基板の表面の下方に配置されたキャビティ手段(13)と、このキャビティ内に配置され、前記基板の温度を測定するための熱電対手段(15)とを含む。キャビティ手段は、キャビティ開口、内側境界及び長さを有する。熱伝導手段は、熱電対手段とキャビティ手段の内側境界との間でキャビティ手段内に配置され、基板から熱電対手段へ熱を伝導させる。キャビティ手段は、熱電対手段が基板へ近接して置かれるように形成されていると共に、熱電対配線(14)が、キャビティ手段の内側境界に実質的に近接して位置し、且つキャビティ手段の長さに交差するように形成されていることにより、基板から熱電対手段への熱伝導効率が増大される。

Description

【発明の詳細な説明】 検温基板発明の背景 １．発明の分野 本発明は一般的に検出器技術に関し、更に詳しくは、半導体デバイス熱製作工 程のためのウェハ温度の測定及び較正に関する。 ２．従来の技術 半導体デバイスの製造工程においては、酸化、焼きなまし、化学的または物理 的真空めっきなどの様々な反応が、処理されるべき材料の表面上に起こる。この ような処理工程中に、材料表面及び表面膜（表面フィルム）の物理的特性は大き く変化してしまう。ウェハ温度は、材料表面構造または膜の物理的特性の制御に 大いに影響を及ぼすパラメータである。従って、ウェハ温度の制御及びウェハ温 度の均一性は、処理制御及び均一性の鍵となるパラメータである。 ウェハ温度制御システムは、典型的には二つのウェハ温度検出方法、即ち非接 触方法か接触方法かのいずれかを用いる。放射温度測定法または高温測定法は、 非接触温度直接測定の原理的方法であるものの、幾つかの不都合を有する。それ らの不都合のうちの主たるものは、温度、ドーピングレベル及び膜特性と共に変 化する表面光学的放射特性の信頼性である。接触法温度測定の幾つかの技術も公 知である。一つの一般的技術は、ウェハを載置するホットプレートのようなボデ ィの温度を測定する接触検出器の使用である。しかしながら、適度なまたは高真 空の環境においては、検出されるボディ（ホットプレート）とウェハとの間の温 度差は、正確なウェハ温度測定を妨げるに充分な大きさである。 他の一般的な技術は、ウェハの表面に直接に接触する検出器の使用である。こ の技術に係る誤差の主な源は、多くの場合に、ウェハと、このウェハに接触する 検出器を支持する構造との間の熱伝導が、ウェハと検出器自身との間の熱伝導よ りも大きいことである。ウェハに対する熱電対の取り付けは、接触温度測定の他 の方法である。ウェハに対する熱電対の取り付けは、伝統的にウェハの表面に対 する熱電対の接着によるか、またはウェハ中への熱電対の埋め込みによるかのい ずれかにより達成されてきている。しかしながら、製品ウェハへの熱電対の挿入 は非実際的なので、処理制御における熱電対ウェハの有用性を制限する。他方、 これら熱電対ウェハの高い精度は、熱電対ウェハを他の接触または非接触温度検 出器の較正に役立てることを可能とする。更に詳しくは、熱電対ウェハは、機器 の開発に使用され、また処理機器の証明及び再証明並びにシステム整合性におけ る処理診断に使用される。 ウェハに接着された熱電対は一般に、他の接触または非接触検出器よりも大き な精度を与えるものの、誤測定源があり、これは高い測定精度を与えるために制 御されるべきものである。熱電対接合部とウェハとの間の僅かな熱伝導は、不正 確な温度測定の原因となる。更に、熱電対及び接着剤の熱量と、接着剤の熱伝導 性の制約とは、熱的な過渡的期間中に、測定値と実際の温度との間の遅延を起こ してしまう。 熱電対を備えたウェハは、商業的な入手性の制約があるので、様々な半導体工 程及び機器技術では、熱電対をウェハへ表面接着する試みがなされている。この 試みには幾つかの制約がある。その一つの制約は、接着剤が不適当な接着特性を 有することである。その結果、無視できない量の接着剤が使用されると共に、こ れはウェハの吸収及び放射特性を変化させる。更に、接着剤の熱量は、ウェハの 過渡的な応答に対して無視できぬほどに遅れる接着剤の過渡的な応答を生じる。 付言すれば、熱電対はシリコンから適切に遮蔽されていないので、ケイ素化合物 形態に反応する。 これら熱電対ウェハの問題を解決するための他の試みが、米国特許第４，７８ ７，５５１号に開示されている。この米国特許第４，７８７，５５１号において は、シリコンボールがＣ形式熱電対のビードを包囲して形成され、このボールは 次いでシリコンウェハに電子ビーム溶接される。しかしながら、この技術には制 約があり、これは即ち、溶接側における接続部分の清潔さが不適切なことである 。更に、不十分な接着強度の結果として組み立てが脆弱となるので、低い生産歩 留まりがもたらされる。加えて、第二の接合部分がシリコンボールと熱電対配線 との間に生成され、これは熱電対の較正を減じる。これは様々な処理システムに おいて、ウェハ近傍の急峻な温度勾配の領域に起因する誤った読取りを 招く。更に、熱電対材料の選択は、タングステンとリニウムとの合金に制限され ており、これは、高温においては、他の熱電対材料は、シリコンと共にケイ素化 合物へ一層に迅速に反応し、この反応が配線を通じて伝搬して配線破断を招くた めである。 熱電対ウェハに関わるこの問題を解決するための一つの試みが、本発明の譲受 人により開発されている。この試みにおいては、熱電対は、小さな閉塞した凹部 状キャビティに埋め込まれており、且つセラミックフィルムの覆いにより、シリ コンとの反応を防止されている。この試みの制約は、主として、接着面の放射及 び吸収特性が、ウェハ面のそれとは異なることである。更に、キャビティ内部に おける熱電対の外形は、熱電対接合部への熱伝導の最大化を損なう。かくして現 在は、これらの問題を一つ残らず解決する改良が望まれている。発明の概要 従って、本発明の一つの目的は、基板（サブストレート）の温度を測定するた めの改良された方法及び装置を提供することである。 本発明の他の目的は、接着面の放射及び吸収特性と基板面の放射及び吸収特性 との間の差を規制する装置を提供することである。 本発明の更なる目的は、接着領域における熱伝導を可能とする外形に形成され た熱電対接合部を提供することである。 本発明は、向上された温度測定精度を生じさせるための検温基板(temperature calibration substrate)である。この検温基板は、この基板の表面の下方に配 置されたキャビティ手段と、このキャビティ内に配置され、前記基板の温度を測 定するための熱電対手段とを含む。熱伝導手段は、熱電対手段とキャビティ手段 の内側境界との間でキャビティ手段内に配置され、基板から熱電対手段へ熱を伝 導させる。キャビティ手段は、熱電対手段が基板へ近接して置かれると共に、熱 電対手段がキャビティ手段の内側境界に実質的に近接して位置し、且つキャビテ ィ手段の長手方向に交差するように形成されているので、基板から熱電対手段へ の熱伝導効率が増大される。 本発明とその目的及び特徴は、添付図面に関連してなされる以下の詳細な説明 と添付の請求の範囲から一層に明らかにされる。図面の簡単な説明 添付図面は本明細書の一部に組み込まれ、且つ本明細書の一部をなして本発明 の実施例が描かれ、以下の詳細な説明と共に、本発明の原理の説明を扶助する。 図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ上面図、側面図であり、本発明の第一の好適実 施例に係る検温ウェハ(temperature calibration wefer)を示す。 図１Ｃは、本発明の第一の好適実施例に係る検温ウェハを示す上面図である。 図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ上面図、側面図であり、本発明の第二の好適実 施例に係る検温ウェハを示す。 図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ上面図、側面図であり、本発明の第三の好適実 施例に係る溝形状凹部キャビティを有する検温ウェハを示す。 図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ上面図、側面図であり、本発明の第四の好適実 施例に係る検温ウェハを示す。 図４Ｃは、本発明の第四の好適実施例に係る検温ウェハの断面図である。 図４Ｄは、本発明の第四の好適実施例に係る検温ウェハのシリコンキャップ及 び溶接領域の上面図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ上面図、側面図であり、本発明の第五の好適実 施例に係る検温ウェハを示す。例示される実施例の詳細な説明 添付図面に示された例を参照して、本発明の好適実施例について説明する。本 発明は好適実施例に関連して説明されるが、本発明はこれらの実施例に限定され ることを意図するものではないことは明らかである。その一方、本発明は、添付 の請求の範囲により規定された発明の要旨及び目的の範囲に含まれ得る代替例、 変形例及び等価物を包含することを意図している。 図を参照すると、図１Ａ及び図１Ｃは本発明の第一の好適実施例の上面図であ る。図１Ａのウェハ基板(wefer substrate)１０は、図１Ｃに示されるウェハ１ の拡大された部分である。この第一実施例においては、ウェハ基板１０は、基板 材料内の内径１２の閉塞された円形状の凹部状キャビティ１３と、キャビティ開 口１６とを包含する。熱電対配線１４及び熱電対接合部１５の円形状構成は、凹 部状キャビティ１３に被包されている。閉塞された凹部状キャビティ１３の内側 境界内の熱電対配線１４及び熱電対接合部１５の被包は、熱電対接合部１５の領 域における近似的な等温状態を与える。図１Ｂはキャビティ開口１６及び接着剤 １８を通じて突出する熱電対配線１４を示す側面図である。接着剤１８はセラ ミックであり、接着剤による赤外線放射の吸収及び放射に関連した誤差を最小化 する目的で、最小の表面領域を有する。接着剤１８は、ウェハ基板１０と熱電対 配線１４との間の熱伝導手段を与える。絶縁被覆１７は、凹部状キャビティ１３ への熱電対配線１４の挿入に先だって、熱電対配線１４に形成されている。絶縁 被覆１７は、熱電対配線１４を覆い、ウェハ基板１０のシリコンから化学的に絶 縁するので、高温におけるケイ素化合物形成を防止する。熱電対接合部１５もま た絶縁被覆１７により被包され、化学的に絶縁されている。絶縁被覆１７と接着 剤１８とは、同一の材料または異なる材料としてもよい。 ここで第一の好適実施例を形成するための行程について図１Ａ及び図１Ｂを参 照して説明する。切削器具でウェハ基板１０に穴を研磨し、次いで高速カッター を用いて凹部状キャビティ１３を研磨する。熱電対配線１４は、コンデンサ放電 溶接(capacitive discharge welding)のような通常の技術による熱電対配線の二 つの合金の溶接により形成する。本発明においては、典型的にはＫ、Ｒ、Ｓ及び Ｔ形式の熱電対を製作し、利用する。次いで、熱電対接合部１５及び熱電対配線 １４を絶縁被覆１７内に被包させる。絶縁被覆１７は、熱電対配線１４及び熱電 対接合部１５へ浸漬被覆の技術により施す。 当業者には明らかなように、他の方法、例えばプラズマ溶射、化学的真空めっ き(CVD)または物理的真空めっき(PVD)を代替的に使用してもよい。付言すれば、 小さなセラミックボビンのような代替物を、熱電対配線１４及び熱電対接合部１ ５をウェハ基板１０のシリコンから絶縁するために使用してもよい。次いで熱電 対配線１４に沿った熱電対接合部１５が、ウェハ基板１０の凹部状キャビティ１ ３内へ挿入されて着座される。熱電対配線１４のリード線は、キャビティ開口１ ６を通じて突出している。次いでキャビティ開口１６は、セラミックスラリーか らなる接着剤で充填される。接着剤１８は、凹部状キャビティ１３の形状に対し て等角であり、且つ熱電対配線１４及び熱電対接合部１５をウェハ基板１０内へ 接着する。更に、接着剤１８は、ウェハ基板１０のシリコンと同様の熱膨脹係数 を持ち、典型的には二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）と酸化アルミニウム（ＡｌＯ₃）と の混合物から構成されている。 図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、本実施例及び以下の全ての実施例においては 、 熱電対配線１４の径Ｄは、説明された変化に富むキャビティを横断する経路長に 対して小さく保たねばならない。この横断経路長は、配線入口からキャビティへ の間隔（Ｌ２として示される）に、熱電対の接合部へのキャビティ内の配線距離 （Ｌ１として示される）を加えたものである。経路長Ｌ１＋Ｌ２と配線径Ｄとの アスペクト比は、１５対１よりも大きくすべきである。 図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ上面図、側面図であり、本発明の第二の好適実 施例に係る温度較正ウェハを示す。本実施例における構成要素は、熱電対１４を 除いけば第一の好適実施例で説明し、且つ図１Ａ及び図１Ｂに示したものと同様 である。図２Ａは、長い曲がりくねった経路に亘って形成された熱電対配線１４ を示し、この経路は本実施例において大きな熱伝導効率を与える。図２Ｂは、熱 電対配線１４が絶縁被覆１７により覆われ、且つ第一の好適実施例について説明 したのと同様な方式で接着剤１８を通じて突出していることを示す。 ここで第二の好適実施例を形成するための行程について図２Ａを参照して説明 する。熱電対配線１４は、凹部状キャビティ１３への挿入に先立ってリボン形状 に形成し、これにより熱電対配線１４と基板材料との間の大きな接触領域を与え る。凹部状キャビティ１３を形成して、このキャビティ内へ熱電対配線１４及び 熱電対接合部１５を第一の好適実施例について説明したのと同様な方式で接着す る。同様に、熱電対接合部１５及び絶縁被覆１７は、第一の好適実施例において 説明したように形成する。 本発明の第三の好適実施例は図３Ａ及び図３Ｂに示されている。本実施例にお いては、ウェハ基板１０は、内部境界３０を有する延伸された凹部状キャビティ ３５と、キャビティ開口３１とを基板材料内に包含する。熱電対配線３４は、図 ３Ａ及び図３Ｂに示されるように、キャビティ開口３１及び接着剤３６を通じて 突出する。熱電対接合部３８は、熱電対配線３４の二つの合金を接続する溶着部 である。熱電対配線３４及び熱電対接合部３８の双方は、絶縁被覆３２内に被包 され、この絶縁被覆は熱電対配線３４をウェハ基板１０のシリコンから化学的に 絶縁する。絶縁被覆３２は、熱電対配線３４及び熱電対接合部３８を延伸凹部状 キャビティ３５内へ配置するに先立って、熱電対配線３４及び熱電対接合部３８ 上に形成されている。延伸凹部状キャビティ３５の溝(trench)形状の機能は、長 い内部経路長を与えるので、ウェハ基板１０のシリコンと熱電対配線３４との間 の熱伝導を向上させる。 ここで第三の好適実施例を形成するための行程について図３Ａを参照して説明 する。切削器具をウェハ基板１０の領域上に置いて、ウェハ基板１０を必要な深 さに研磨する。次いで切削器具を横方向へ横断させて、ウェハ基板１０にキャビ ティ開口３１及び凹部状キャビティ３５を形成する。熱電対３４及び熱電対接合 部３８を第一の好適実施例について説明したのと同様な方式で形成し、凹部状キ ャビティ３５へ挿入する。更に、絶縁被覆３２及び接着剤３６は、第一の好適実 施例について説明したのと同様な方式で形成されて利用される。 図４Ａは本発明の第四実施例に係る検温ウェハを示す上面図である。ウェハ基 板１０は、外径４０及び内径４３を有する環状キャビティ４１を基板材料内に包 含する。熱電対配線４４及び熱電対接合部４８は環状キャビティ４１内に配置さ れている。断面図４Ｃに示されるセラミック充填材４５は、ウェハ基板１０と熱 電対接合部４８との間の改良された熱伝導を与える。絶縁被覆４２は、熱電対配 線４４及び熱電対接合部４８の双方を被包し、化学的に絶縁する。絶縁被覆４２ は、熱電対配線４４及び熱電対接合部４８を環状キャビティ４１内へ挿入するに 先立って、熱電対配線４４及び熱電対接合部４８上に形成されている。 図４Ｂ乃至図４Ｄは完成された組み立て体におけるキャップ４６の配置を示す 。図４Ｂ及び図４Ｄに示すように、キャップ４６は、この特殊な実施例に係る溶 接領域４７において基板１０へ溶接されている。キャップ４６は、環状キャビテ ィ４１の大部分を覆って、セラミック充填剤４５の放射面領域を削減する。セラ ミック充填剤４５の放射面領域の削減は、環状キャビティ４１の領域の面放射及 び面吸収特性をウェハ基板１０のそれへ一層に近似的に整合させる。これは、組 み立て体の過渡的な応答と定常状態温度測定精度を共に改良する。 ここで第四の好適実施例を形成するための行程について図４Ａ乃至図４Ｄを参 照して説明する。ウェハ基板１０をコアドリルで掘削し、図４Ａに示される環状 キャビティ４１を形成する。熱電対配線４４、熱電対接合部４８、及び絶縁被覆 ４２は全て、第一の好適実施例について説明したのと同じ方式で形成して利用す る。次いで環状キャビティ４１を、セラミックスラリーからなるセラミック充填 剤４５で充填する。 キャップ４６は、ウェハ基板１０と類似または同一の放射及び吸収特性を有し 、キャビテイ外径４０内に配置され、セラミック充填剤を覆う。キャップ４６は 、接着剤により所定位置へ保持されるか、或いは通常の技術、例えばレーザー溶 接、プラズマ溶接または電子ビーム溶接を用いて所定位置へ溶接される。図４Ｂ 及び図４Ｄに示されるように、熱電対配線４４のリード線は、セラミック充填剤 ４５及びシリコンキャップ４６を通じて上方へ突出する。 図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、本発明の第五の好適実施例の上面図及び側面 図がそれぞれ示されている。図５Ａは、円筒状穴５２を有するウェハ基板１０と 熱電対配線５０とを示す。図５Ｃは、絶縁被覆５１を示し、これは熱電対配線５ ０を被包して化学的に絶縁する。図５Ｃには更に、ウェハ基板１０の底側内室に 沿う延伸された溝キャビティ５３も示されている。熱電対配線５０は、延伸溝キ ャビティ５３の長さ方向に沿って進み、直角に曲がって円筒状穴５２を通じて上 方へ突出して、ウェハ基板１０の表面を通過する。熱電対接合部５４は、熱電対 配線５０の二つの合金を接続する溶接である。シリコンから製作された覆板５６ は、ウェハ基板１０の底側の階段状凹所５５に溶接または接着され、ウェハ基板 １０のシリコンに対して放射性及び吸収性が同様な底面を与える。この特殊な実 施例の利点は、絶縁被覆５１の放射面領域が最小化されているので、円筒状穴５ ２を包囲する領域における面放射及び面吸収が、ウェハ基板１０のそれへ近似的 に整合することである。この特殊な実施例の更なる利点は、熱電対配線５０の経 路長が伸長されたので、熱接触の改良が確立されたことである。 ここで第五の好適実施例を形成するための行程について図５Ａから図５Ｃを参 照して説明する。図５Ａ及び図５Ｃに示された円筒状穴５２を、ウェハ基板１０ の上面からウェハ基板１０の底面へ亘って円筒状切削器具により研磨する。次い で、切削器具をウェハ基板１０の底面へ移動させて、一つの円筒状穴５２内に配 置し、適切な深さにする。次に他の円筒状穴５２へ移動される。延伸溝キャビテ ィ５３はこの方式で研磨される。最後に、切削器具の位置を割り出ししてウェハ 基板１０の底面へ階段状凹所５５を研磨する。熱電対配線５０、熱電対接合部５ ４、及び絶縁被覆５１は全て、第一の好適実施例について説明したのと同じ方 式で形成して利用する。熱電対配線５０及び熱電対接合部５４は、ウェハ基板１ ０の底面から延伸溝キャビティ５３へ挿入する。熱電対配線５０の各リード線は 、図５Ｃに示すように円筒状穴５２を通じて突出させる。次いで覆板５６を階段 状凹所５５へ配置する。覆板５６をウェハ基板１０の底面へ取り付けるが、この 取り付けは接着によるか、或いは通常の溶接技術、例えばレーザー溶接、プラズ マ溶接または電子ビーム溶接を用いる。 幾つかの好適実施例について上記に詳細に説明した。本発明の目的は、これら 説明したものとは異なる実施例であっても、請求の範囲の目的の範疇内のものを 包含することは明白である。 本発明を、その特定の実施例について説明したが、様々な他の変形例及び変更 例と他の使用も可能であることは、等業者には明白である。従って、好ましくは 、本発明はここに開示されたものに限定されるべきではなく、添付の請求の範囲 により限定される。

【手続補正書】特許法第１８４条の８ 【提出日】１９９６年８月２８日 【補正内容】 英国ブリストルの「Journal of Physics & Scientific Instruments」第２０ 巻第４号（１９８７年４月）の３９５頁〜３９８頁のM.K Peck氏他の論文“Meas urement of Transient Temperatures at the Centre of Sphere”は、熱電対を ガラスビード内に配置し、ビードの中央にて温度を測定する結果、異なる点の温 度を一纏めに決定し得ることを開示している。この論文は、キャビティの内側境 界に実質的に隣接する熱電対手段の望ましい配置を開示しておらず、この論文は 、ガラスビードから熱電対へ熱を迅速に伝導させるセラミック材料のような熱伝 導手段の使用についても述べていない。 欧州特許ＥＰ−Ａ−０２８０９５２号は熱電対配線を基板の表面上に配置する ことを開示している。熱電対及びその配線はオーブンの内側に存し、ここで配線 は熱を得るかまたは熱を損失する結果、不正確な温度読取りを与える。このＥＰ −Ａ−０２８０９５２号には二つの実施例が示され、ここでは熱電対配線が基板 の表面に対して平行をなすように曲げられる（同特許公報の図４及び図５）。し かしながら、このＥＰ−Ａ−０２８０９５２号においては、配線がオーブン内の 等温線に沿うように曲げられているのであって、温度を測定すべき基板に近接す るようにはされていない。ＥＰ−Ａ−０２８０９５２号は、配線が基板の表面に 対して平行をなすにも拘らず、依然としてオーブン内の配線からの熱の獲得また は損失を被る。ＥＰ−Ａ−０２８０９５２号の図５の実施例は、絶縁鞘（例えば インコネル（商標）鞘）が熱電対を被包するために推奨されているので、オーブ ン内の熱電対が熱を損失または獲得することを示している。しかも、ＥＰ−Ａ− ０２８０９５２号は、ガラスビードから熱電対へ熱を迅速に伝導させる熱伝導手 段の使用の望ましさも開示していない。 請求の範囲 １．向上された温度測定精度を生じさせるための検温基板（１または１０）であ って、 ａ．前記基板（１または１０）の表面の下方に配置されたキャビティ手段（１ ３）であり、キャビティ開口と内側境界と長さとを有するキャビティ手段と、 ｂ．前記キャビティ内に配置され、前記基板の温度を測定するための熱電対手 段（１４、１５）であり、径を有する熱電対手段と、 ｃ．この熱電対手段と前記キャビティ手段の前記内側境界との間で前記キャビ ティ手段内に配置され、前記基板から前記熱電対手段へ熱を伝導させるための熱 伝導手段（例えばセラミック材料１８）とを備え、 前記キャビティ手段は、前記熱電対手段が前記基板へ近接して置かれるよう に形成されていると共に、前記熱電対手段が、前記キャビティ手段の前記内側境 界に実質的に近接して位置し、且つ前記キャビティ手段の前記長さに交差するよ うに形成されていることにより、前記基板から前記熱電対手段への熱伝導効率が 増大される検温基板。 ２．前記熱電対手段が径を有し、前記キャビティ手段の長さが、前記熱電対手段 の前記径よりも実質的に大きい請求項１記載の検温基板。 ３．前記熱電対手段の経路長の前記熱電対手段の径に対する比が１５対１よりも 大きい請求項２記載の検温基板。 ４．前記キャビティ開口が、前記熱電対手段を覆うためのキャップ（４６）で覆 われ、このキャップは、前記基板（１または１０）の前記表面の放射及び吸収特 性と同様な放射及び吸収特性を有する請求項１記載の検温基板。 ５．前記熱電対手段が、熱電対配線（４４）と熱電対結合部（４８）とを備え、 前記熱電対配線が、前記キャップ（４６）の表面を通じて延在する請求項４記載 の検温基板。 ６．前記熱伝導手段が、 ａ．前記熱電対手段のまわりに形成され、前記熱電対手段の前記基板との化学 的反応を防ぐための絶縁被覆手段（４２）と、 この絶縁被覆と前記基板との間に形成された接着剤（４５）であり、前記基 板と同様な熱膨張係数を有する接着剤とを含む請求項１記載の検温基板。 ７．前記キャビティ手段が、凹部状キャビティ（１３）である請求項１乃至６の いずれか一項に記載の検温基板。 ８．前記キャビティ手段が、延伸された凹部状キャビティ（３５）である請求項 ７記載の検温基板。 ９．前記キャビティ手段が、円形凹部状キャビティ（１３）である請求項８記載 の検温基板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．温度測定精度の向上を生じさせるための検温基板であって、 前記基板の表面の下方に配置されたキャビティ手段であり、キャビティ開口 と内側境界と長さとを有するキャビティ手段と、 このキャビティ内に配置され、前記基板の温度を測定するための熱電対手段 と、 この熱電対手段と前記キャビティ手段の前記内側境界との間で前記キャビテ ィ手段内に配置され、前記基板から前記熱電対手段へ熱を伝導させるための熱伝 導手段とを備え、 前記キャビティ手段は、前記熱電対手段が前記基板へ近接して置かれるよう に形成されていると共に、前記熱電対手段が、前記キャビティ手段の前記内側境 界に実質的に近接して位置し、且つ前記キャビティ手段の前記長さに交差するよ うに形成されていることにより、前記基板から前記熱電対手段への熱伝導効率が 増大される検温基板。 ２．前記熱電対手段が径を有し、前記キャビティ手段の前記長さのアスペクト比 が、前記熱電対手段の前記径よりも実質的に大きい請求項１記載の検温基板。 ３．前記キャビティ手段の前記長さの前記熱電対手段の前記径に対するアスペク ト比が、概ね１５対１である請求項２記載の検温基板。 ４．前記キャビティ開口が、前記熱電対手段を覆うためのキャップで覆われ、こ のキャップは、前記基板の前記表面の放射及び吸収特性と同様な放射及び吸収特 性を有する請求項３記載の検温基板。 ５．前記熱電対手段が、熱電対配線と熱電対接合部とを備え、前記熱電対配線が 、前記キャップの表面を通じて延在する請求項４記載の検温基板。 ６．前記熱伝導手段が、 前記熱電対手段のまわりに形成され、前記熱電対手段の前記基板との化学的 反応を防ぐための絶縁被覆手段と、 この絶縁被覆と前記基板との間に形成された接着剤であり、前記基板と同様 な熱膨張係数を有する接着剤とを含む請求項５記載の検温基板。