JPH1048570A - 光アイソレータとその光学部品の製造方法 - Google Patents
光アイソレータとその光学部品の製造方法Info
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- JPH1048570A JPH1048570A JP20008796A JP20008796A JPH1048570A JP H1048570 A JPH1048570 A JP H1048570A JP 20008796 A JP20008796 A JP 20008796A JP 20008796 A JP20008796 A JP 20008796A JP H1048570 A JPH1048570 A JP H1048570A
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- retardation
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- optical isolator
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 消光比が高く、偏波分散がない光アイソレー
タおよび光アイソレータ部品である１／２波長板の腐食
方法を提供する。 【解決手段】 本発明の光アイソレータは、偏光子１、
ファラデー回転子２、１／２波長板３、第２の偏光子４
を有し、１／２波長板３のリターデーションの誤差が３
ｎｍ以下である偏波無依存型光アイソレータである。こ
のような１／２波長板３は腐蝕によって製造される。
タおよび光アイソレータ部品である１／２波長板の腐食
方法を提供する。 【解決手段】 本発明の光アイソレータは、偏光子１、
ファラデー回転子２、１／２波長板３、第２の偏光子４
を有し、１／２波長板３のリターデーションの誤差が３
ｎｍ以下である偏波無依存型光アイソレータである。こ
のような１／２波長板３は腐蝕によって製造される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光通信にお
いて、光源である半導体レーザと光伝送部品との間に配
置され、光伝送部品で反射したレーザ光が半導体レーザ
に戻るのを防止する光アイソレータ、およびその光学部
品である１／２波長板の製造方法に関するものである。
いて、光源である半導体レーザと光伝送部品との間に配
置され、光伝送部品で反射したレーザ光が半導体レーザ
に戻るのを防止する光アイソレータ、およびその光学部
品である１／２波長板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信では、光源である半導体レーザか
ら発振した伝送光が伝送路内の各種光伝送部品で反射
し、その反射光が半導体レーザまで戻ることがある。反
射光は半導体レーザの発光作用を乱し、しばしばノイズ
を生じさせる。光アイソレータは、かかるノイズを防止
するために伝送路内に設けられ、伝送方向に進む光だけ
を通過させ、逆方向から進行してくる反射光を半導体レ
ーザに戻さないようにするものである。
ら発振した伝送光が伝送路内の各種光伝送部品で反射
し、その反射光が半導体レーザまで戻ることがある。反
射光は半導体レーザの発光作用を乱し、しばしばノイズ
を生じさせる。光アイソレータは、かかるノイズを防止
するために伝送路内に設けられ、伝送方向に進む光だけ
を通過させ、逆方向から進行してくる反射光を半導体レ
ーザに戻さないようにするものである。
【０００３】光通信には偏波依存性のないことが要求さ
れるので、近年では入射光の偏波面の影響を受けない偏
波無依存型光アイソレータが多く利用されている。偏波
無依存型光アイソレータに入射した光は二つに分離さ
れ、内部でそれぞれ軸移動を繰り返して進行していく。
これら二つの光は、光アイソレータ内の出射端に設置さ
れた複屈折結晶で最終的に合成されて光アイソレータか
ら出射する。逆方向からの反射光は、複屈折結晶で軸移
動していき光路から外れるので、半導体レーザに戻るこ
とはない。
れるので、近年では入射光の偏波面の影響を受けない偏
波無依存型光アイソレータが多く利用されている。偏波
無依存型光アイソレータに入射した光は二つに分離さ
れ、内部でそれぞれ軸移動を繰り返して進行していく。
これら二つの光は、光アイソレータ内の出射端に設置さ
れた複屈折結晶で最終的に合成されて光アイソレータか
ら出射する。逆方向からの反射光は、複屈折結晶で軸移
動していき光路から外れるので、半導体レーザに戻るこ
とはない。
【０００４】特公昭61-58809号公報には、２枚のテーパ
状複屈折結晶とファラデー回転子とが組み込まれた偏波
無依存型光アイソレータが開示されている。しかしなが
らテーパ状複屈折結晶の加工が難しくて歩留まりが低い
ので、光アイソレータを安価に製造することができな
い。さらに、光アイソレータ内を進行していく二つの分
離光の光路長が異なるので、偏波分散が高くなってしま
う。特開平5-297321号公報に記載されているように、光
学素子の数を増やして光路長を等しくすることで偏波分
散をなくすことは可能である。しかし光学素子の数が増
えて光アイソレータが大型化してしまい、組立てに時間
がかかる。
状複屈折結晶とファラデー回転子とが組み込まれた偏波
無依存型光アイソレータが開示されている。しかしなが
らテーパ状複屈折結晶の加工が難しくて歩留まりが低い
ので、光アイソレータを安価に製造することができな
い。さらに、光アイソレータ内を進行していく二つの分
離光の光路長が異なるので、偏波分散が高くなってしま
う。特開平5-297321号公報に記載されているように、光
学素子の数を増やして光路長を等しくすることで偏波分
散をなくすことは可能である。しかし光学素子の数が増
えて光アイソレータが大型化してしまい、組立てに時間
がかかる。
【０００５】特公昭60-49297号公報には、２枚の複屈折
結晶、ファラデー回転子および１／２波長板が組み込ま
れた偏波無依存型光アイソレータが記載されている。複
屈折結晶をテーパ状に加工していないので、光アイソレ
ータは安価に製造される。光アイソレータ内部を進行す
る分離光の光路長も等しいので、偏波分散が発生するこ
ともない。
結晶、ファラデー回転子および１／２波長板が組み込ま
れた偏波無依存型光アイソレータが記載されている。複
屈折結晶をテーパ状に加工していないので、光アイソレ
ータは安価に製造される。光アイソレータ内部を進行す
る分離光の光路長も等しいので、偏波分散が発生するこ
ともない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】偏波無依存型光アイソ
レータの消光比としては４０ｄＢ以上が望まれている。
しかし、前記特公昭60-49297号公報に開示されている光
アイソレータを複数個製造すると、消光比４０ｄＢ以下
の光アイソレータができることがある。消光比が４０ｄ
Ｂ以下の場合には、逆方向から進行してくる反射光が半
導体レーザに戻る光量が大きいため、半導体レーザーの
発振が不能となる。
レータの消光比としては４０ｄＢ以上が望まれている。
しかし、前記特公昭60-49297号公報に開示されている光
アイソレータを複数個製造すると、消光比４０ｄＢ以下
の光アイソレータができることがある。消光比が４０ｄ
Ｂ以下の場合には、逆方向から進行してくる反射光が半
導体レーザに戻る光量が大きいため、半導体レーザーの
発振が不能となる。
【０００７】本発明は前記の課題を解決するためになさ
れたもので、消光比が高く、偏波分散がない光アイソレ
ータを提供することを目的とする。
れたもので、消光比が高く、偏波分散がない光アイソレ
ータを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の発明者等は、消
光比４０ｄＢ以下の偏波無依存型光アイソレータは１／
２波長板の消光比も４０ｄＢ以下であることに着目し、
さらに１／２波長板の消光比がリターデーションによっ
て決定することを発見した。
光比４０ｄＢ以下の偏波無依存型光アイソレータは１／
２波長板の消光比も４０ｄＢ以下であることに着目し、
さらに１／２波長板の消光比がリターデーションによっ
て決定することを発見した。
【０００９】リターデーション（Δ）とは、異方性結晶
を通る光線のうち、偏波方向を異にする二つの光線の間
の光路長の差である。異方性結晶の厚さをｄ、異方性結
晶を遅く進む振動方向に対する屈折率をｎs、異方性結
晶を速く進む振動方向に対する屈折率をｎf、波長を
λ、円周率をπとすると、下記式（１） Δ＝２π（ｎs−ｎf）ｄ／λ （１） で表される。
を通る光線のうち、偏波方向を異にする二つの光線の間
の光路長の差である。異方性結晶の厚さをｄ、異方性結
晶を遅く進む振動方向に対する屈折率をｎs、異方性結
晶を速く進む振動方向に対する屈折率をｎf、波長を
λ、円周率をπとすると、下記式（１） Δ＝２π（ｎs−ｎf）ｄ／λ （１） で表される。
【００１０】図３に示す装置で、１／２波長板の消光比
およびリターデーションを測定する場合、半導体レーザ
１４から出射した光３０は第１の偏光子１、異方性結晶
３、第２の偏光子４の各素子を通過し、パワーメーター
１５に入射する。光３０のその後の偏波状態|Ｅ|はジョ
ーンズの計算法によると、下記式（２）のようになる。
尚、θは入射偏波と光軸との角度である。
およびリターデーションを測定する場合、半導体レーザ
１４から出射した光３０は第１の偏光子１、異方性結晶
３、第２の偏光子４の各素子を通過し、パワーメーター
１５に入射する。光３０のその後の偏波状態|Ｅ|はジョ
ーンズの計算法によると、下記式（２）のようになる。
尚、θは入射偏波と光軸との角度である。
【００１１】
【数１】
【００１２】
【数２】
【００１３】透過光の波長が１５６０ｎｍのとき、入射
偏波と光軸との角度が２２．５°とすると、リターデー
ションに対する１／２波長板の消光比は図４に示される
ようになる。偏波無依存型光アイソレータに求められる
消光比は４０ｄＢ、組み立てるときに生じる光学系の角
度ずれによる消光比劣化は５ｄＢなので、１／２波長板
には４５ｄＢ以上の消光比が必要となる。消光比４５ｄ
Ｂ以上の場合には、図４からリターデーションは７８０
±３ｎｍであることがわかる。このようなリターデーシ
ョン７８０±３ｎｍの１／２波長板を組み込んだ光アイ
ソレータの消光比４０ｄＢ以上になる。
偏波と光軸との角度が２２．５°とすると、リターデー
ションに対する１／２波長板の消光比は図４に示される
ようになる。偏波無依存型光アイソレータに求められる
消光比は４０ｄＢ、組み立てるときに生じる光学系の角
度ずれによる消光比劣化は５ｄＢなので、１／２波長板
には４５ｄＢ以上の消光比が必要となる。消光比４５ｄ
Ｂ以上の場合には、図４からリターデーションは７８０
±３ｎｍであることがわかる。このようなリターデーシ
ョン７８０±３ｎｍの１／２波長板を組み込んだ光アイ
ソレータの消光比４０ｄＢ以上になる。
【００１４】すなわち、本発明の光アイソレータは、図
１に示されるように、第１の偏光子１、ファラデー回転
子２、１／２波長板３、第２の偏光子４を有する偏波無
依存型光アイソレータであって、１／２波長板３のリタ
ーデーションが１／２波長板３のリタデーションの誤差
が３ｎｍ以下であることを特徴としている。
１に示されるように、第１の偏光子１、ファラデー回転
子２、１／２波長板３、第２の偏光子４を有する偏波無
依存型光アイソレータであって、１／２波長板３のリタ
ーデーションが１／２波長板３のリタデーションの誤差
が３ｎｍ以下であることを特徴としている。
【００１５】１／２波長板３のリターデーションは、透
過光波長の１／２±３ｎｍである。透過光波長が１５６
０ｎｍでは、１／２波長板３のリターデーションは７８
０±３ｎｍであるのが好ましい。
過光波長の１／２±３ｎｍである。透過光波長が１５６
０ｎｍでは、１／２波長板３のリターデーションは７８
０±３ｎｍであるのが好ましい。
【００１６】リターデーションは（１）式に示されるよ
うに、異方性結晶からなる１／２波長板の厚さ（ｄ）の
影響を受ける。リターデーションを７８０±３ｎｍにす
るには、異方性結晶の厚さの精度を高める必要がある。
精度を高めずにリターデーションを７８０±３ｎｍにす
るには、（ｎs−ｎf）が小さい異方性結晶を使用すれば
良いことが（１）式からわかる。（ｎs−ｎf）の小さ
さ、安定性、価格を考慮すると、１／２波長板は異方性
結晶として水晶からなるものが最も望ましい。水晶を使
用すると（ｎs−ｎf）＝0.0147となり、厚さの精度が±
２０４ｎｍ内となる。しかし厚さの精度は、この程度で
は十分に緩和されているとはいえない。
うに、異方性結晶からなる１／２波長板の厚さ（ｄ）の
影響を受ける。リターデーションを７８０±３ｎｍにす
るには、異方性結晶の厚さの精度を高める必要がある。
精度を高めずにリターデーションを７８０±３ｎｍにす
るには、（ｎs−ｎf）が小さい異方性結晶を使用すれば
良いことが（１）式からわかる。（ｎs−ｎf）の小さ
さ、安定性、価格を考慮すると、１／２波長板は異方性
結晶として水晶からなるものが最も望ましい。水晶を使
用すると（ｎs−ｎf）＝0.0147となり、厚さの精度が±
２０４ｎｍ内となる。しかし厚さの精度は、この程度で
は十分に緩和されているとはいえない。
【００１７】これまで水晶の研磨は熟練作業者が行って
いたが、厚さの精度を±２０４ｎｍ内にするのは難し
い。作業者の研磨によって得られるリターデーションは
７８０±５ｎｍが限度である。リターデーションを７８
０±３ｎｍにしようとすると、水晶の歩留が著しく低下
する。さらに研磨およびリターデーションの測定を多数
繰り返すので、時間と労力が必要である。
いたが、厚さの精度を±２０４ｎｍ内にするのは難し
い。作業者の研磨によって得られるリターデーションは
７８０±５ｎｍが限度である。リターデーションを７８
０±３ｎｍにしようとすると、水晶の歩留が著しく低下
する。さらに研磨およびリターデーションの測定を多数
繰り返すので、時間と労力が必要である。
【００１８】本発明者等は１／２波長板である水晶の厚
さの精度を高めることができれば、リターデーションを
７８０±３ｎｍにすることができると考え、異方性結晶
を腐食させることを検討した。
さの精度を高めることができれば、リターデーションを
７８０±３ｎｍにすることができると考え、異方性結晶
を腐食させることを検討した。
【００１９】すなわち、１／２波長板の製造方法は、図
２に示されるように、第１の偏光子１、異方性結晶３、
第２の偏光子４の順に光３０を透過させ、その透過光量
を測定しながら、異方性結晶３を腐蝕させ、測定透過光
量が極小になったとき、腐蝕を停止するものである。
２に示されるように、第１の偏光子１、異方性結晶３、
第２の偏光子４の順に光３０を透過させ、その透過光量
を測定しながら、異方性結晶３を腐蝕させ、測定透過光
量が極小になったとき、腐蝕を停止するものである。
【００２０】腐食は異方性結晶３をイオン中に曝露する
ことによってなされ、腐蝕の停止はイオンの供給を停止
することによってなされる。
ことによってなされ、腐蝕の停止はイオンの供給を停止
することによってなされる。
【００２１】腐食は異方性結３に対し腐食性ガスを接触
させることによってなされ、腐蝕の停止は該腐食性ガス
を系外に排出してなされるものであっても良い。
させることによってなされ、腐蝕の停止は該腐食性ガス
を系外に排出してなされるものであっても良い。
【００２２】異方性結晶３を水晶、イオンをフッ素系ガ
スのイオン、腐食性ガスはフッ素系ガスとすることで実
施できる。
スのイオン、腐食性ガスはフッ素系ガスとすることで実
施できる。
【００２３】上記の腐蝕は、液相による腐蝕（例えばフ
ッ酸によるウエットエッジング）より、気相による腐
蝕、すなわち上記にような反応性ガスのイオンによるド
ライエッチングの方が好ましい。ウエットエッジングで
あると腐蝕される異方性結晶の表面に凹凸が生じてしま
うが、ドライエッチングではこのようなことはなく、等
方性エッチングのため厚み方向が均一にエッチングされ
る。
ッ酸によるウエットエッジング）より、気相による腐
蝕、すなわち上記にような反応性ガスのイオンによるド
ライエッチングの方が好ましい。ウエットエッジングで
あると腐蝕される異方性結晶の表面に凹凸が生じてしま
うが、ドライエッチングではこのようなことはなく、等
方性エッチングのため厚み方向が均一にエッチングされ
る。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を詳細に説明する。図１は、本発明を適用する偏波無依
存型光アイソレータの一実施例を示す断面図である。同
図に示されるように、第１の偏光子１、ファラデー回転
子２、異方性結晶３、第２の偏光子４が光の入射側から
この順に並べられ、円筒６内に装着されている。ファラ
デー回転子２は磁石５で囲まれており、第１の偏光子１
はホルダ７、第２の偏光子４および１／２波長板３はホ
ルダ８で固定されている。１／２波長板３は水晶からな
る１／２波長板であり、光路長を７８０±３ｎｍにする
必要がある。第１の偏光子１および第２の偏光子４は共
に複屈折結晶である。
を詳細に説明する。図１は、本発明を適用する偏波無依
存型光アイソレータの一実施例を示す断面図である。同
図に示されるように、第１の偏光子１、ファラデー回転
子２、異方性結晶３、第２の偏光子４が光の入射側から
この順に並べられ、円筒６内に装着されている。ファラ
デー回転子２は磁石５で囲まれており、第１の偏光子１
はホルダ７、第２の偏光子４および１／２波長板３はホ
ルダ８で固定されている。１／２波長板３は水晶からな
る１／２波長板であり、光路長を７８０±３ｎｍにする
必要がある。第１の偏光子１および第２の偏光子４は共
に複屈折結晶である。
【００２５】光アイソレータに入射した光は、第１の偏
光子１で常光線、異常光線の二つの光に分離する。二つ
の分離光は、ファラデー回転子２に入射して偏波面が各
々４５°回転してから、１／２波長板３に入射する。１
／２波長板３内で分離光は偏波面が４５°回転してから
第２の偏光子４に入射し、合波されてから第２の偏光子
４を透過していく。
光子１で常光線、異常光線の二つの光に分離する。二つ
の分離光は、ファラデー回転子２に入射して偏波面が各
々４５°回転してから、１／２波長板３に入射する。１
／２波長板３内で分離光は偏波面が４５°回転してから
第２の偏光子４に入射し、合波されてから第２の偏光子
４を透過していく。
【００２６】反射光は第２の偏光子４から入射し、常光
線、異常光線の二つに分離してから１／２波長板３に入
射する。分離光は、１／２波長板３内で順方向の時とは
逆向きに偏波面が回転してから、ファラデー回転子２に
入射する。その後、分離光は、ファラデー回転子２によ
って偏波面が各々４５°回転してから第１の偏光子１に
入射する。第１の偏光子１で二つの分離光の距離がさら
に拡大されるので、分離光は光源に戻ることはない。
線、異常光線の二つに分離してから１／２波長板３に入
射する。分離光は、１／２波長板３内で順方向の時とは
逆向きに偏波面が回転してから、ファラデー回転子２に
入射する。その後、分離光は、ファラデー回転子２によ
って偏波面が各々４５°回転してから第１の偏光子１に
入射する。第１の偏光子１で二つの分離光の距離がさら
に拡大されるので、分離光は光源に戻ることはない。
【００２７】図２は、リターデーション７８０±３ｎｍ
の１／２波長板を製造する装置の一実施例を示す要部断
面概略図である。光源である半導体レーザ１４とパワー
メーター１５との間に、偏光子１、真空チャンバー１
６、第２の偏光子４が半導体レーザ１４側からこの順で
並べられている。真空チャンバー１６内の下部には光透
過性の電極１７が配置される。下部電極１７には、異方
性結晶３である水晶が研磨されて載置され、高周波電源
１８が接続される。真空チャンバー１６にはガス挿入管
１９、吸引管２０、光透過用のガラス窓２５が取り付け
られている。
の１／２波長板を製造する装置の一実施例を示す要部断
面概略図である。光源である半導体レーザ１４とパワー
メーター１５との間に、偏光子１、真空チャンバー１
６、第２の偏光子４が半導体レーザ１４側からこの順で
並べられている。真空チャンバー１６内の下部には光透
過性の電極１７が配置される。下部電極１７には、異方
性結晶３である水晶が研磨されて載置され、高周波電源
１８が接続される。真空チャンバー１６にはガス挿入管
１９、吸引管２０、光透過用のガラス窓２５が取り付け
られている。
【００２８】吸引管２０に接続されているポンプ（不図
示）で真空チャンバー１６内を減圧し、ガス挿入管１９
から反応ガスをチャンバー１６内に導入する。高周波電
源１８によって下部電極１７に高周波電力を印加し、異
方性結晶３を腐食させる。半導体レーザ１４から光３０
を発振させて偏光子１、異方性結晶３、第２の偏光子４
を透過させ、パワーメーター１５で異方性結晶３の消光
比を測定した。消光比が所定の値になったら高周波電源
１８を停止し、異方性結晶３のリターデーションを測定
する。
示）で真空チャンバー１６内を減圧し、ガス挿入管１９
から反応ガスをチャンバー１６内に導入する。高周波電
源１８によって下部電極１７に高周波電力を印加し、異
方性結晶３を腐食させる。半導体レーザ１４から光３０
を発振させて偏光子１、異方性結晶３、第２の偏光子４
を透過させ、パワーメーター１５で異方性結晶３の消光
比を測定した。消光比が所定の値になったら高周波電源
１８を停止し、異方性結晶３のリターデーションを測定
する。
【００２９】上記装置で１／２波長板のリターデーショ
ンを７８０±３ｎｍにし、この１／２波長板を光学部品
とする偏波無依存型光アイソレータを製造した。その実
験例は以下のとおりである。
ンを７８０±３ｎｍにし、この１／２波長板を光学部品
とする偏波無依存型光アイソレータを製造した。その実
験例は以下のとおりである。
【００３０】実験例 １／２波長板３となる水晶を５５μｍまで粗研磨してか
ら、真空チャンバー１６内の下部電極１７上に設置し
た。吸引管２０に接続されているターボ分子ポンプおよ
び油回転ポンプで５×１０-5Ｐａまでチャンバー１６内
を排気した。その後、ガス挿入管１９からＣＦ4ガス１
０ｃｃをチャンバー１６内に導入し、自動圧力コントロ
ーラーによってチャンバー１６内を０．３Ｐａに保っ
た。高周波電力を２００Ｗに保ちながら下部電極１７に
印加し、水晶の厚みを速度１２０ｎｍ／ｍｉｎで減少さ
せた。半導体レーザ１４からの光の偏波面と光軸との角
度を２２．５°とし、石英ガラス窓２５から光３０を透
過させた。パワーメータ１５で消光比を測定しながら高
周波電力の印加を続けて水晶を研磨し、水晶の消光比が
５０ｄＢ以上となったところで高周波電力を停止した。
ら、真空チャンバー１６内の下部電極１７上に設置し
た。吸引管２０に接続されているターボ分子ポンプおよ
び油回転ポンプで５×１０-5Ｐａまでチャンバー１６内
を排気した。その後、ガス挿入管１９からＣＦ4ガス１
０ｃｃをチャンバー１６内に導入し、自動圧力コントロ
ーラーによってチャンバー１６内を０．３Ｐａに保っ
た。高周波電力を２００Ｗに保ちながら下部電極１７に
印加し、水晶の厚みを速度１２０ｎｍ／ｍｉｎで減少さ
せた。半導体レーザ１４からの光の偏波面と光軸との角
度を２２．５°とし、石英ガラス窓２５から光３０を透
過させた。パワーメータ１５で消光比を測定しながら高
周波電力の印加を続けて水晶を研磨し、水晶の消光比が
５０ｄＢ以上となったところで高周波電力を停止した。
【００３１】このような方法で１０個の水晶の厚さを調
節してそれぞれをサンプル１〜１０とし、各サンプルの
リターデーションをセナルモン法で測定した。
節してそれぞれをサンプル１〜１０とし、各サンプルの
リターデーションをセナルモン法で測定した。
【００３２】各サンプルを光学部品とする光アイソレー
タを製造し、その消光比を測定した。水晶のリターデー
ションおよび光アイソレータの消光比の測定結果を表１
に示す。
タを製造し、その消光比を測定した。水晶のリターデー
ションおよび光アイソレータの消光比の測定結果を表１
に示す。
【００３３】比較実験例 作業者による研磨およびセナルモン法で、１０個の水晶
（サンプル１１〜２０）のリターデーションを７８０ｎ
ｍ付近の値になるようにした。１０個の水晶のリターデ
ーションを測定するのにかかった時間は、実験例１の４
倍であった。各サンプルを光学部品とする光アイソレー
タを製造し、その消光比を測定した。水晶のリターデー
ションおよび光アイソレータの消光比の測定結果を表１
に示す。
（サンプル１１〜２０）のリターデーションを７８０ｎ
ｍ付近の値になるようにした。１０個の水晶のリターデ
ーションを測定するのにかかった時間は、実験例１の４
倍であった。各サンプルを光学部品とする光アイソレー
タを製造し、その消光比を測定した。水晶のリターデー
ションおよび光アイソレータの消光比の測定結果を表１
に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１に示されるように、実験例の水晶は全
てがリターデーション７８０±３ｎｍとなり、全ての光
アイソレータの消光比が４０ｄＢ以上であった。
てがリターデーション７８０±３ｎｍとなり、全ての光
アイソレータの消光比が４０ｄＢ以上であった。
【００３６】これに対し、比較実験例で７８０ｎｍ±３
ｎｍ内に入った水晶は５個だけであり、消光比が４０ｄ
Ｂ以下となる光アイソレータもあった。
ｎｍ内に入った水晶は５個だけであり、消光比が４０ｄ
Ｂ以下となる光アイソレータもあった。
【００３７】
【発明の効果】腐食性ガスや腐食性ガスイオンで１／２
波長板を腐食してリターデーションを調整しているの
で、リターデーションを正確に７８０±３ｎｍの範囲に
設定することができる。リターデーション７８０±３ｎ
ｍの１／２波長板を光アイソレータに組み込むことによ
って、偏波分散がなく、消光比４０ｄＢ以上の光アイソ
レータが得られる。この光アイソレータは、製造しやす
く、安価である。
波長板を腐食してリターデーションを調整しているの
で、リターデーションを正確に７８０±３ｎｍの範囲に
設定することができる。リターデーション７８０±３ｎ
ｍの１／２波長板を光アイソレータに組み込むことによ
って、偏波分散がなく、消光比４０ｄＢ以上の光アイソ
レータが得られる。この光アイソレータは、製造しやす
く、安価である。
【図１】本発明を適用する偏波無依存型光アイソレータ
の一実施例を示す断面図である。
の一実施例を示す断面図である。
【図２】リターデーション７８０±３ｎｍの１／２波長
板を製造する装置の一実施例を示す要部断面概略図であ
る。
板を製造する装置の一実施例を示す要部断面概略図であ
る。
【図３】１／２波長板の消光比を測定する装置の概略図
である。
である。
【図４】入射偏波を２２．５°、１／２波長板のリター
デーションを７８０ｎｍとした場合、リターデーション
に対する１／２波長板の消光比を示す図である。
デーションを７８０ｎｍとした場合、リターデーション
に対する１／２波長板の消光比を示す図である。
１は第１の偏光子、２はファラデー回転子、３は１／２
波長板、４は第２の偏光子、５は磁石、６は円筒、７、
８はホルダ、１４は半導体レーザ、１５はパワーメータ
ー、１７は下部電極、１８は高周波電源、１９はガス挿
入管、２０は吸引管、２５はガラス窓、３０は光であ
る。
波長板、４は第２の偏光子、５は磁石、６は円筒、７、
８はホルダ、１４は半導体レーザ、１５はパワーメータ
ー、１７は下部電極、１８は高周波電源、１９はガス挿
入管、２０は吸引管、２５はガラス窓、３０は光であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹野 雅行 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 流王 俊彦 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 第１の偏光子、ファラデー回転子、１／
２波長板、第２の偏光子を有する偏波無依存型光アイソ
レータにおいて、該１／２波長板のリターデーションの
誤差が３ｎｍ以下であることを特徴とする偏波無依存型
光アイソレータ。 - 【請求項２】 前記１／２波長板のリターデーション
が、透過光波長の１／２±３ｎｍであることを特徴とす
る請求項１に記載の偏波無依存型光アイソレータ。 - 【請求項３】 前記透過光波長が１５６０ｎｍで、前記
１／２波長板のリターデーションが７８０±３ｎｍであ
ることを特徴とする請求項２に記載の偏波無依存型光ア
イソレータ。 - 【請求項４】 前記１／２波長板が水晶からなることを
特徴とする請求項１に記載の偏波無依存型光アイソレー
タ。 - 【請求項５】 第１の偏光子、透過光の波長より僅かに
厚い異方性結晶、第２の偏光子の順に光を透過させ、そ
の透過光量を測定しながら、その異方性結晶を腐蝕さ
せ、前記により測定した透過光量が極小になったとき、
腐蝕を停止させることを特徴とする１／２波長板の製造
方法。 - 【請求項６】 前記腐食が該異方性結晶をイオン中に曝
露することによってなされ、前記腐蝕の停止が該イオン
の供給を停止することによってなされることを特徴とす
る請求項５に記載の１／２波長板の製造方法。 - 【請求項７】 該異方性結晶が水晶であり、前記イオン
がフッ素系ガスのイオンであることを特徴とする請求項
６に記載の１／２波長板の製造方法。 - 【請求項８】 前記腐食が該異方性結晶に対し腐食性ガ
スを接触させることによってなされ、前記腐蝕の停止が
該腐食性ガスを系外に排出してなされることを特徴とす
る請求項５に記載の１／２波長板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20008796A JPH1048570A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 光アイソレータとその光学部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20008796A JPH1048570A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 光アイソレータとその光学部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048570A true JPH1048570A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16418645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20008796A Pending JPH1048570A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 光アイソレータとその光学部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1048570A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011049842A3 (en) * | 2009-10-19 | 2011-07-28 | Ipg Photonics Corporation | Assembly for monitoring power of randomly polarized light |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20008796A patent/JPH1048570A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011049842A3 (en) * | 2009-10-19 | 2011-07-28 | Ipg Photonics Corporation | Assembly for monitoring power of randomly polarized light |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20051205 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060328 |