JPH1045471A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH1045471A JPH1045471A JP8202379A JP20237996A JPH1045471A JP H1045471 A JPH1045471 A JP H1045471A JP 8202379 A JP8202379 A JP 8202379A JP 20237996 A JP20237996 A JP 20237996A JP H1045471 A JPH1045471 A JP H1045471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- molar ratio
- value
- high frequency
- dielectric porcelain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波領域において高い誘電率および高いＱ値
をもった誘電体磁器組成物を得る。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａ，Ｚｎ，Ｎ
ｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａを含有し、これらの金属元素のモル
比による組成式をａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＮｂ2Ｏ5 ・
ｄＭｇＯ・ｅＷＯ3 ・ｆＴａ2 Ｏ5 と表した時、前記
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆが、０．４３≦ａ≦０．６８、
０．０１≦ｂ≦０．３０、０≦ｃ≦０．３０、０＜ｄ≦
０．３５、０＜ｅ≦０．３５、０＜ｆ≦０．３０、０．
５０≦（ｂ＋ｄ）／（ｃ＋ｅ＋ｆ）≦１．６０、ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１．００を満足する複合酸化物に対
し、金属元素としてＬｉ、またはＬｉ及びＢをそれぞれ
Ｌｉ2ＣＯ3 ，Ｂ2 Ｏ3 換算で０．００１重量％以上、
１重量％未満の範囲で含有する。
をもった誘電体磁器組成物を得る。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａ，Ｚｎ，Ｎ
ｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａを含有し、これらの金属元素のモル
比による組成式をａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＮｂ2Ｏ5 ・
ｄＭｇＯ・ｅＷＯ3 ・ｆＴａ2 Ｏ5 と表した時、前記
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆが、０．４３≦ａ≦０．６８、
０．０１≦ｂ≦０．３０、０≦ｃ≦０．３０、０＜ｄ≦
０．３５、０＜ｅ≦０．３５、０＜ｆ≦０．３０、０．
５０≦（ｂ＋ｄ）／（ｃ＋ｅ＋ｆ）≦１．６０、ａ＋ｂ
＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１．００を満足する複合酸化物に対
し、金属元素としてＬｉ、またはＬｉ及びＢをそれぞれ
Ｌｉ2ＣＯ3 ，Ｂ2 Ｏ3 換算で０．００１重量％以上、
１重量％未満の範囲で含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等の高周波領域において高い誘電率及び高いＱ値を有
する新規な誘電体磁器組成物であって、例えば誘電体共
振器、誘電体基板、誘電体導波線路、誘電体アンテナ、
コンデンサ等に最適な誘電体磁器組成物に関する。
波等の高周波領域において高い誘電率及び高いＱ値を有
する新規な誘電体磁器組成物であって、例えば誘電体共
振器、誘電体基板、誘電体導波線路、誘電体アンテナ、
コンデンサ等に最適な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波やミリ波等の高周波領域にお
いて、誘電体磁器は誘電体共振器やＭＩＣ用誘電体基板
等に広く利用されている。
いて、誘電体磁器は誘電体共振器やＭＩＣ用誘電体基板
等に広く利用されている。
【０００３】従来より、この種の誘電体磁器としては、
例えばＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3系材料がが知られて
いる。このような材料は、誘電率が２０程度、１ＧＨｚ
に換算したＱ値が２００００程度の特性を有している。
例えばＭｇＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3系材料がが知られて
いる。このような材料は、誘電率が２０程度、１ＧＨｚ
に換算したＱ値が２００００程度の特性を有している。
【０００４】また、例えば特公昭５９−４８４８３号公
報に開示されるように、モル比による組成式をｘＢａＯ
・ｙＺｎＯ・ｚＮｂ2 Ｏ5 と表した時、０．５０≦ｘ≦
０．７５、０．１０≦ｙ≦０．３０、０．１０≦ｚ≦
０．３０を満足するものがある。このような誘電体磁器
では，誘電率が３０〜３６、１ＧＨｚに換算したＱ値が
３６０００〜３９０００という特性を有している。
報に開示されるように、モル比による組成式をｘＢａＯ
・ｙＺｎＯ・ｚＮｂ2 Ｏ5 と表した時、０．５０≦ｘ≦
０．７５、０．１０≦ｙ≦０．３０、０．１０≦ｚ≦
０．３０を満足するものがある。このような誘電体磁器
では，誘電率が３０〜３６、１ＧＨｚに換算したＱ値が
３６０００〜３９０００という特性を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年で
は使用機器の多様化により使用周波数がより高くなり、
このような高周波領域での誘電特性、特に高Ｑ値が要求
されるようになっているが、前述したような従来の誘電
体材料では今だ実用的レベルの高Ｑ値が得られていない
のが現状であった。
は使用機器の多様化により使用周波数がより高くなり、
このような高周波領域での誘電特性、特に高Ｑ値が要求
されるようになっているが、前述したような従来の誘電
体材料では今だ実用的レベルの高Ｑ値が得られていない
のが現状であった。
【０００６】従って、本発明は高周波領域において高い
Ｑ値及び高い比誘電率を有する新規な誘電体磁器組成物
を提供することを目的とするものである。
Ｑ値及び高い比誘電率を有する新規な誘電体磁器組成物
を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用誘電体
磁器組成物は、金属元素として少なくともＢａ，Ｚｎ，
Ｎｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａを含有し、これらの金属元素のモ
ル比による組成式をａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＮｂ2 Ｏ5
・ｄＭｇＯ・ｅＷＯ3 ・ｆＴａ2 Ｏ5 と表した時、前記
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆが、 ０．４３≦ａ≦０．６８ ０．０１≦ｂ≦０．３０ ０ ≦ｃ≦０．３０ ０ ＜ｄ≦０．３５ ０ ＜ｅ≦０．３５ ０ ≦ｆ≦０．３０ ０．５０≦（ｂ＋ｄ）／（ｃ＋ｅ＋ｆ）≦１．６０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１．００ を満足する複合酸化物に対し、金属元素としてＬｉ、ま
たはＬｉ及びＢをそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 ，Ｂ2 Ｏ3 換算
で０．００１重量％以上、１重量％未満の範囲で含有す
ることを特徴とするものである。
磁器組成物は、金属元素として少なくともＢａ，Ｚｎ，
Ｎｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａを含有し、これらの金属元素のモ
ル比による組成式をａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＮｂ2 Ｏ5
・ｄＭｇＯ・ｅＷＯ3 ・ｆＴａ2 Ｏ5 と表した時、前記
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆが、 ０．４３≦ａ≦０．６８ ０．０１≦ｂ≦０．３０ ０ ≦ｃ≦０．３０ ０ ＜ｄ≦０．３５ ０ ＜ｅ≦０．３５ ０ ≦ｆ≦０．３０ ０．５０≦（ｂ＋ｄ）／（ｃ＋ｅ＋ｆ）≦１．６０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１．００ を満足する複合酸化物に対し、金属元素としてＬｉ、ま
たはＬｉ及びＢをそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 ，Ｂ2 Ｏ3 換算
で０．００１重量％以上、１重量％未満の範囲で含有す
ることを特徴とするものである。
【０００８】本発明の誘電体磁器組成物において、Ｂａ
Ｏのモル比を０．４３≦ａ≦０．６８に設定したのは、
ａが０．４３よりも小さく、０．６８よりも大きい場合
には焼結不良となるからである。特にＢａＯのモル比
は、０．５２≦ａ≦０．６２とすることが好ましい。
Ｏのモル比を０．４３≦ａ≦０．６８に設定したのは、
ａが０．４３よりも小さく、０．６８よりも大きい場合
には焼結不良となるからである。特にＢａＯのモル比
は、０．５２≦ａ≦０．６２とすることが好ましい。
【０００９】また、ＺｎＯのモル比を０．０１≦ｂ≦
０．３０としたのは、ｂが０．０１よりも小さい場合に
は、Ｑ値が低下し、０．３０よりも大きい場合には、焼
結不良となるからである。このＺｎＯのモル比は、０．
０８≦ｂ≦０．２１であることが望ましい。
０．３０としたのは、ｂが０．０１よりも小さい場合に
は、Ｑ値が低下し、０．３０よりも大きい場合には、焼
結不良となるからである。このＺｎＯのモル比は、０．
０８≦ｂ≦０．２１であることが望ましい。
【００１０】Ｎｂ2 Ｏ5 のモル比を０≦ｃ≦０．３０と
したのは、ｄが０．３０よりも大きい場合には焼結不良
となるからである。特に、Ｎｂ2 Ｏ5 のモル比は０．０
０１≦ｃ≦０．１１とすることが好ましい。
したのは、ｄが０．３０よりも大きい場合には焼結不良
となるからである。特に、Ｎｂ2 Ｏ5 のモル比は０．０
０１≦ｃ≦０．１１とすることが好ましい。
【００１１】ＭｇＯのモル比を０＜ｄ≦０．３５とした
のは、ｄが０．３５よりも大きい場合には焼結不良とな
るからであり、ｄ＝０ではＱ値や比誘電率が低下するか
らである。このＭｇＯのモル比は、特に、０．００１≦
ｄ≦０．１５０とすることが好ましい。
のは、ｄが０．３５よりも大きい場合には焼結不良とな
るからであり、ｄ＝０ではＱ値や比誘電率が低下するか
らである。このＭｇＯのモル比は、特に、０．００１≦
ｄ≦０．１５０とすることが好ましい。
【００１２】ＷＯ3 のモル比を０＜ｅ≦０．３５とした
のは、ｅが０．３５よりも大きい場合には焼結不良とな
るからであり、ｅ＝０ではＱ値や比誘電率が低下するか
らである。特にＷＯ3 のモル比は、０．００１≦ｅ≦
０．１５０とすることが好ましい。
のは、ｅが０．３５よりも大きい場合には焼結不良とな
るからであり、ｅ＝０ではＱ値や比誘電率が低下するか
らである。特にＷＯ3 のモル比は、０．００１≦ｅ≦
０．１５０とすることが好ましい。
【００１３】Ｔａ2 Ｏ5 のモル比を０＜ｆ≦０．３０と
したのは、ｆが０．３０よりも大きい場合には焼結不良
となるからであり、ｆ＝０ではＱ値や比誘電率が低下す
るからである。特にＴａ2 Ｏ5 のモル比は、０．０８≦
ｆ≦０．２０とすることが好ましい。
したのは、ｆが０．３０よりも大きい場合には焼結不良
となるからであり、ｆ＝０ではＱ値や比誘電率が低下す
るからである。特にＴａ2 Ｏ5 のモル比は、０．０８≦
ｆ≦０．２０とすることが好ましい。
【００１４】また、０．５０≦（ｂ＋ｄ）／（ｃ＋ｅ＋
ｆ）≦１．６０としたのは、この範囲外ではＱ値が低下
したり、焼結不良となるからである。
ｆ）≦１．６０としたのは、この範囲外ではＱ値が低下
したり、焼結不良となるからである。
【００１５】さらに、金属元素としてＬｉ、またはＬｉ
及びＢをそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 ，Ｂ2 Ｏ3 換算で０．０
０１重量％以上、１重量％未満の範囲で含有させたの
は、０．００１重量％未満であると焼結しにくく、１重
量％以上ではＱ値が低下するからである。特に０．０１
〜０．６重量％の範囲とすることが好ましい。なお、上
記ＬｉやＢは焼成過程で蒸発することがあるが、最終的
な焼結体における含有量が上記範囲内となっていれば良
い。
及びＢをそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 ，Ｂ2 Ｏ3 換算で０．０
０１重量％以上、１重量％未満の範囲で含有させたの
は、０．００１重量％未満であると焼結しにくく、１重
量％以上ではＱ値が低下するからである。特に０．０１
〜０．６重量％の範囲とすることが好ましい。なお、上
記ＬｉやＢは焼成過程で蒸発することがあるが、最終的
な焼結体における含有量が上記範囲内となっていれば良
い。
【００１６】したがって、本発明の高周波用誘電体磁器
組成物は、組成式をａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＮｂ2 Ｏ5
・ｄＭｇＯ・ｅＷＯ3 ・ｆＴａ2 Ｏ5 と表した時、前記
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆが、 ０．５２ ≦ａ≦０．６２ ０．０８ ≦ｂ≦０．２１ ０．００１≦ｃ≦０．１１ ０．００１≦ｄ≦０．１５０ ０．００１≦ｅ≦０．１５０ ０．０８ ≦ｆ≦０．２０ ０．５０ ≦（ｂ＋ｄ）／（ｃ＋ｅ＋ｆ）≦１．６０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１．００ を満足する複合酸化物に対し、金属元素としてＬｉ、ま
たはＬｉ及びＢをそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 ，Ｂ2 Ｏ3 換算
で０．０１〜０．６重量％含有することが望ましい。
組成物は、組成式をａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＮｂ2 Ｏ5
・ｄＭｇＯ・ｅＷＯ3 ・ｆＴａ2 Ｏ5 と表した時、前記
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆが、 ０．５２ ≦ａ≦０．６２ ０．０８ ≦ｂ≦０．２１ ０．００１≦ｃ≦０．１１ ０．００１≦ｄ≦０．１５０ ０．００１≦ｅ≦０．１５０ ０．０８ ≦ｆ≦０．２０ ０．５０ ≦（ｂ＋ｄ）／（ｃ＋ｅ＋ｆ）≦１．６０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１．００ を満足する複合酸化物に対し、金属元素としてＬｉ、ま
たはＬｉ及びＢをそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 ，Ｂ2 Ｏ3 換算
で０．０１〜０．６重量％含有することが望ましい。
【００１７】また、本発明の誘電体材料は、Ｂａ，Ｚ
ｎ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａを含有し、さらにＬｉ、又は
Ｌｉ及びＢのうち少なくとも一種を含有する複合酸化物
であり、主にペロブスカイト型結晶相からなるものであ
って、他にペロブスカイト型結晶相以外のものを含んで
も良い。このような結晶を有する材料は、それ自体焼結
体等の多結晶体或いは単結晶体のいずれかの形態でも良
い。本発明の誘電体磁器中にペロブスカイト型結晶相以
外のものを含む場合は、Ｘ線回折により同定されるペロ
ブスカイト型結晶相の主ピークに対するペロブスカイト
型結晶相以外の結晶相の主ピーク強度比は１０％以下で
あることが望ましい。
ｎ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａを含有し、さらにＬｉ、又は
Ｌｉ及びＢのうち少なくとも一種を含有する複合酸化物
であり、主にペロブスカイト型結晶相からなるものであ
って、他にペロブスカイト型結晶相以外のものを含んで
も良い。このような結晶を有する材料は、それ自体焼結
体等の多結晶体或いは単結晶体のいずれかの形態でも良
い。本発明の誘電体磁器中にペロブスカイト型結晶相以
外のものを含む場合は、Ｘ線回折により同定されるペロ
ブスカイト型結晶相の主ピークに対するペロブスカイト
型結晶相以外の結晶相の主ピーク強度比は１０％以下で
あることが望ましい。
【００１８】本発明に基づき磁器を作製する方法として
は、例えばＢａ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａの酸化物
あるいは焼成により酸化物を生成する炭酸塩、硝酸塩等
の金属塩を原料として用い、これらを前述した範囲にな
るように秤量した後、ボールミルで湿式粉砕し、脱水乾
燥する。この後、混合物を５００〜１５００℃で０．１
〜１００時間仮焼処理し、仮焼物及び前述の範囲となる
Ｌｉ、またはＬｉ及びＢの酸化物の少なくとも一種以上
をボールミルに入れ、溶媒及び有機バインダーとともに
混合粉砕し、造粒あるいは整粒する。
は、例えばＢａ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａの酸化物
あるいは焼成により酸化物を生成する炭酸塩、硝酸塩等
の金属塩を原料として用い、これらを前述した範囲にな
るように秤量した後、ボールミルで湿式粉砕し、脱水乾
燥する。この後、混合物を５００〜１５００℃で０．１
〜１００時間仮焼処理し、仮焼物及び前述の範囲となる
Ｌｉ、またはＬｉ及びＢの酸化物の少なくとも一種以上
をボールミルに入れ、溶媒及び有機バインダーとともに
混合粉砕し、造粒あるいは整粒する。
【００１９】そして、例えば、所定の圧力でプレス成形
して所定の形状に成形し、酸素を１体積％以上含有する
雰囲気中において１１００〜１７５０℃で０．１〜２０
０時間焼成することにより、本発明の誘電体磁器を得る
ことができる。なお、Ｌｉ、またはＬｉ及びＢの酸化物
のうち少なくとも一種は、仮焼前及び／又は仮焼後に添
加すれば良い。
して所定の形状に成形し、酸素を１体積％以上含有する
雰囲気中において１１００〜１７５０℃で０．１〜２０
０時間焼成することにより、本発明の誘電体磁器を得る
ことができる。なお、Ｌｉ、またはＬｉ及びＢの酸化物
のうち少なくとも一種は、仮焼前及び／又は仮焼後に添
加すれば良い。
【００２０】
【実施例】実施例１ 原料として純度９９％以上のＢａＣＯ3 ，ＺｎＯ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，ＭｇＣＯ3 ，ＷＯ3 及びＴａ2 Ｏ5 の粉末を用
いて、これらを表１〜３に示す割合に秤量し、これをゴ
ムで内張りしたボールミルに水とともに入れ、直径１０
ｍｍのＺｒＯ2ボールを用いて湿式混合した。次いで、
この混合物を脱水、乾燥した後、１２００℃で２時間仮
焼し、当該仮焼物に純度９５％以上のＬｉ、またはＬｉ
およびＢの化合物を表１〜３の含有量となるように添加
し、ボールミルに水、有機バインダーと共に入れ、湿式
粉砕した。
2 Ｏ5 ，ＭｇＣＯ3 ，ＷＯ3 及びＴａ2 Ｏ5 の粉末を用
いて、これらを表１〜３に示す割合に秤量し、これをゴ
ムで内張りしたボールミルに水とともに入れ、直径１０
ｍｍのＺｒＯ2ボールを用いて湿式混合した。次いで、
この混合物を脱水、乾燥した後、１２００℃で２時間仮
焼し、当該仮焼物に純度９５％以上のＬｉ、またはＬｉ
およびＢの化合物を表１〜３の含有量となるように添加
し、ボールミルに水、有機バインダーと共に入れ、湿式
粉砕した。
【００２１】その後、この粉砕物を乾燥した後、５０番
メッシュの網を通して造粒し、得られた粉末を１ｔｏｎ
／ｃｍ2 の圧力で１２ｍｍφ×８ｍｍの寸法からなる円
板状に成形した。さらに、この円板を大気中において１
３００〜１５５０℃で焼成して磁器試料を得た。この磁
器試料を加工して８ｍｍφ×５ｍｍの寸法からなる円柱
を得た。
メッシュの網を通して造粒し、得られた粉末を１ｔｏｎ
／ｃｍ2 の圧力で１２ｍｍφ×８ｍｍの寸法からなる円
板状に成形した。さらに、この円板を大気中において１
３００〜１５５０℃で焼成して磁器試料を得た。この磁
器試料を加工して８ｍｍφ×５ｍｍの寸法からなる円柱
を得た。
【００２２】かくして得られた磁器試料について、周波
数６〜１０ＧＨｚにおける比誘電率（εr ）、Ｑ値を誘
電体共振器法で測定し、また２５℃から８５℃までの温
度範囲における共振周波数の温度変化を測定し、共振周
波数の温度係数（τf ）を計算した。Ｑ値はマイクロ波
誘電体において一般に成立するＱ値×測定周波数ｆ＝一
定の関係から１ＧＨｚでのＱ値に換算した。それらの結
果を表１〜３に示した。
数６〜１０ＧＨｚにおける比誘電率（εr ）、Ｑ値を誘
電体共振器法で測定し、また２５℃から８５℃までの温
度範囲における共振周波数の温度変化を測定し、共振周
波数の温度係数（τf ）を計算した。Ｑ値はマイクロ波
誘電体において一般に成立するＱ値×測定周波数ｆ＝一
定の関係から１ＧＨｚでのＱ値に換算した。それらの結
果を表１〜３に示した。
【００２３】表１〜３によれば、配合組成が本発明の範
囲を逸脱する試料Ｎｏ．２７及びＮｏ．６６〜７９は焼
結不良を生じたり、比誘電率やＱ値が低くなった。
囲を逸脱する試料Ｎｏ．２７及びＮｏ．６６〜７９は焼
結不良を生じたり、比誘電率やＱ値が低くなった。
【００２４】これに対して、本発明の試料Ｎｏ．１〜２
６、２８〜６５は、比誘電率１９〜３８、Ｑ値５０００
０〜２３００００、共振周波数の温度係数τf が−４２
〜＋３０ｐｐｍ／℃が達成された。
６、２８〜６５は、比誘電率１９〜３８、Ｑ値５０００
０〜２３００００、共振周波数の温度係数τf が−４２
〜＋３０ｐｐｍ／℃が達成された。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】
【００２８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、高
周波領域において高い誘電率および高いＱ値を得ること
ができる。それにより、マイクロ波やミリ波領域におい
て使用される共振器結用材料やＭＩＣ用誘電体基板材
料、誘電体導波線路、誘電体アンテナ、その他の各種電
子部品等に充分適用することができる。
周波領域において高い誘電率および高いＱ値を得ること
ができる。それにより、マイクロ波やミリ波領域におい
て使用される共振器結用材料やＭＩＣ用誘電体基板材
料、誘電体導波線路、誘電体アンテナ、その他の各種電
子部品等に充分適用することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＢａ，Ｚｎ，Ｎ
ｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｔａを含有し、これらの金属元素のモル
比による組成式をａＢａＯ・ｂＺｎＯ・ｃＮｂ2 Ｏ5 ・
ｄＭｇＯ・ｅＷＯ3 ・ｆＴａ2 Ｏ5 と表した時、前記
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆが、 ０．４３≦ａ≦０．６８ ０．０１≦ｂ≦０．３０ ０ ≦ｃ≦０．３０ ０ ＜ｄ≦０．３５ ０ ＜ｅ≦０．３５ ０ ＜ｆ≦０．３０ ０．５０≦（ｂ＋ｄ）／（ｃ＋ｅ＋ｆ）≦１．６０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１．００ を満足する複合酸化物に対し、金属元素としてＬｉ、ま
たはＬｉ及びＢをそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 ，Ｂ2 Ｏ3 換算
で０．００１重量％以上、１重量％未満の範囲で含有す
ることを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20237996A JP3330024B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20237996A JP3330024B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1045471A true JPH1045471A (ja) | 1998-02-17 |
| JP3330024B2 JP3330024B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=16456530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20237996A Expired - Fee Related JP3330024B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3330024B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1277713A1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-01-22 | NGK Spark Plug Company Limited | Dielectric ceramic material comprising Ba, Nb, Ta and at least one of Zn and Co and and least one of K, Na and Li |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP20237996A patent/JP3330024B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1277713A1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-01-22 | NGK Spark Plug Company Limited | Dielectric ceramic material comprising Ba, Nb, Ta and at least one of Zn and Co and and least one of K, Na and Li |
| US6995106B2 (en) | 2001-07-16 | 2006-02-07 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric ceramic material |
| KR100843012B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2008-07-01 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 유전체 자기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3330024B2 (ja) | 2002-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0727789A1 (en) | Dielectric procelain composition and its manufacture | |
| JP2902923B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3330024B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3363296B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH06338221A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| US5504044A (en) | Dielectric ceramic composition for high-frequency applications | |
| JP3359427B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3330011B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3318396B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3336190B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3393757B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3329980B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP3359507B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JPH10330165A (ja) | 高周波用誘電体磁器 | |
| JP3350379B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2002087881A (ja) | 誘電体磁器及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP2842756B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3347613B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2887244B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3340019B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3340008B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP3469986B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
| JP2000203934A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 | |
| JP2835253B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体材料 | |
| JPH10101425A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |