JPH10339671A - 狭視野サーミスタボロメータ - Google Patents
狭視野サーミスタボロメータInfo
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- JPH10339671A JPH10339671A JP9152187A JP15218797A JPH10339671A JP H10339671 A JPH10339671 A JP H10339671A JP 9152187 A JP9152187 A JP 9152187A JP 15218797 A JP15218797 A JP 15218797A JP H10339671 A JPH10339671 A JP H10339671A
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- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
小型に構成でき温度ドリフトの特性が良好なこと。 【解決手段】 パッケージ１には所定径の開口部１ｂが
開口形成され、このパッケージ１内部には開口部１ｂに
対応した所定径のメインエレメント２と、開口部１ｂの
開口径より大径な内径を有する円環状のサブエレメント
３が設けられる。これらメインエレメント２，サブエレ
メント３上にはサーミスタ膜２ａ，３ａが形成され、赤
外光の入射に対応した受光レベルの信号を出力する。メ
インエレメントは平行光に対して最大の受光レベルを出
力し、サブエレメント３は入射光が所定角度を有する範
囲で対応する受光レベルを出力する。出力手段は、メイ
ンエレメント２の出力からサブエレメント３の出力の差
分を出力し、狭視野の範囲の受光レベルを出力する。
Description
を測定するもので、主に測定温度範囲に室温付近を含む
低温域用の放射温度計等に用いるサーミスタボロメータ
に係り、特に、検知エリアを狭視野とすることができる
狭視野サーミスタボロメータに関する。
サーミスタを赤外線を通す窓を設けたパッケージに封止
して構成し、入射した赤外線による温度上昇で抵抗値が
変化することに基づき赤外線量を計測でき、温度に変換
して出力することができるようになる。このようなサー
ミスタボロメータを用いた非接触の温度検出において
は、距離が離れるに従い視野が広くなるが、この温度検
出しようとする検知エリアを限定したい要望がある。こ
のように狭視野とすることでこの限定された検知エリア
内での物体温度の測定精度を向上させることができるよ
うになるとともに、物体周囲からの影響を低減化できる
ようになる。
メータの検知エリアを狭視野とするためには、このセン
サのパッケージ外部にレンズ、ミラー等による集光光学
系や、しぼりが用いられており、全体構成が大型でかつ
高価になる問題があった。
ラー、しぼりなどの構造物からの赤外線放射も受け取る
ことになり、誤差要素が多くなる。センサの受光部分と
構造物の温度が等しい場合は問題とならないが、例えば
このサーミスタボロメータを温かい室内から氷点下の冷
凍庫に持ち込んですぐに測定する場合など機器の温度変
化が激しい場合は、センサ受光部分と構造物の温度変化
に過渡的なずれが生じるため、これが誤差として出力に
現れる問題もある。
ーミスタボロメータは、物体が放射している赤外線エネ
ルギーの受光量と、センサの受光部自身が放射している
エネルギーの差し引き分の赤外線エネルギーによって受
光部分が温度変化することで、物体と受光部自身の温度
差に基づき赤外線量（温度）を出力する構成となってい
る。このため、例えば室温付近（２５℃）で体温などを
測定しようとした場合、これらの温度差が少ないため出
力が小さく、正確な温度出力を得にくくなる（温度出力
の分解能に相当）。したがって、より少ない入射エネル
ギーでも状態変化の大きい材料や受光部分の温度変化が
大きくなるよう小型化を図り十分な分解能が得られる構
成が望まれている。
れたものであり、検知エリアを狭視野にでき、これを簡
単かつ小型に構成でき温度ドリフトの特性が良好な狭視
野サーミスタボロメータを提供することを目的としてい
る。
め、本発明の狭視野サーミスタボロメータは、請求項１
記載のように、赤外線を通す所定径の窓が開口形成され
たパッケージと、前記パッケージ内部に設けられ、前記
窓に対応した形状を有し該窓を介して入射した赤外線に
よる温度上昇で抵抗値が変化するサーミスタ膜が形成さ
れ、入射角度が平行光のとき（α０）最も大きな受光レ
ベルを出力し、臨界角（α３）に至るまで入射角度に対
応する受光レベルを出力するメインエレメントと、前記
パッケージ内部に設けられ、前記メインエレメントと同
面積で前記窓の開口径より大径な内径を有する環状でサ
ーミスタ膜が形成されており、入射角度が所定角度範囲
（α０＜α＜α３）の赤外線を検出するサブエレメント
と、前記メインエレメントの出力から前記サブエレメン
トの出力の差分を出力する出力手段と、を具備したこと
を特徴としている。
エレメント及びサブエレメントのサーミスタ膜は単一の
基板の表裏にそれぞれ位置合わせして同様のものがそれ
ぞれ形成された後に該サーミスタ膜部分の基板をエッチ
ング処理で除去されることにより、互いが基板の厚さ分
の間隔で微小な架橋構造としてもよい。
部１ｂを介して検出対象からの赤外光を検出して対応す
る受光レベルの信号を出力し、入射光が平行光α０のと
き最も高い受光レベルの信号を出力する。サブエレメン
ト３は、入射光が平行光（α０）以外で臨界角α３に至
るまでの間の赤外光を検出する。出力手段７は、メイン
エレメント２の出力からサブエレメント３の出力の差分
を出力することにより、入射光が狭視野な角度のみを出
力する。
タボロメータの構成を示す図である。（ａ）は全体斜視
図、（ｂ）は側断面図である。略円筒形状のパッケージ
１内部には、メインエレメント２と、サブエレメント３
が収容されている。このパッケージ１は、必要に応じて
内部が真空あるいはガスで封止されるもので、上面１ａ
には、開口部１ｂが開口径Ｌ１で円形に開口形成され、
この開口部１ｂには窓４が設けられている。窓４には、
赤外光の表面反射防止処理、あるいは所定波長（赤外
光）のみ透過させるフィルタ処理が施されたものが用い
られる。
開口径Ｌ１程度の外径Ｌ２を有する円形に形成される。
このメインエレメント２は、単結晶シリコンなどのウェ
ハーを用いた基板表面に所定のサーミスタ膜２ａが形成
されてなる。このメインエレメント２に入射した赤外線
エネルギー量と自己輻射によって放出された赤外線エネ
ルギーの差を反映した温度変化により抵抗値が変化する
サーミスタボロメータとなる。
に十分細い梁部２ｂによってパッケージ１内のヒートシ
ンク（不図示）に支えられている。ここで、メインエレ
メント２は、パッケージ１の開口部１ｂの同軸位置上で
所定距離Ｈ１離れて配置されている。
＜Ｈ２）離れた箇所にはサブエレメント３が配置されて
いる。ここで、メインエレメント２とサブエレメント３
は所定距離Ｈ３（Ｈ２−Ｈ１）だけ離れている。このサ
ブエレメント３は、メインエレメント２と同様の製法に
より基板上にサーミスタ膜３ａを形成してなる。サブエ
レメント３は、パッケージ１の開口部１ｂの開口径Ｌ１
以上の内径Ｌ３で、所定径の外径Ｌ４を有する環状に形
成されていて、メインエレメント２の面積と等しい面積
を有している。
十分細い梁部３ｂによってパッケージ１内のヒートシン
ク（不図示）に支えられている。尚、メインエレメント
２，サブエレメント３は、３方の梁部２ｂ，３ｂで支え
られる構成とすることもできる。
メント３の形状の有効範囲を記載しておく。 サブエレメント３の内径Ｌ３＞パッケージ１の開口部
１ｂの開口径Ｌ１であること。 入射光が臨界角（後述する図７のα３）のとき、開口
部１ｂの縁と、メインエレメント２の縁と、サブエレメ
ント３の縁が同一線上に位置すること メインエレメント２とサブエレメント３の面積が同一
であること。
ント３のリードパターン２ｃ，３ｃは、それぞれ梁部２
ｂ，３ｂ部分に延出されワイヤボンドを介してリード線
５ａ，５ｂに接続され、パッケージ１外部に導出されて
いる。図２は、このメインエレメント２、及びサブエレ
メント３を示す平面図である。各エレメント２，３のサ
ーミスタ膜２ａ，３ａは、例えば図示のようにそれぞれ
交差する櫛歯状に形成されてなる。同図には、サブエレ
メント３の内径Ｌ３がパッケージ１の開口部１ｂの開口
径Ｌ１及びメインエレメント２の外径Ｌ２より大径なも
のが記載されている。
力手段７に接続されている。上記メインエレメント２と
サブエレメント３の出力である抵抗値は、出力手段７に
入力される。出力手段７は、ブリッジ回路７ａと、減算
手段７ｂで構成されている。ブリッジ回路７ａは、パッ
ケージ１内部のメインエレメント２とサブエレメント３
の各抵抗値Ｒm ，Ｒs 、及びパッケージ１外部に設けら
れるブリッジ抵抗Ｒ１，Ｒ２がブリッジ接続されてな
り、メインエレメント２の受光レベルＶ１、サブエレメ
ント３の受光レベルＶ２をそれぞれ出力する。減算手段
７ｂは、これらメインエレメント２の受光レベルＶ１
と、サブエレメント３の受光レベルＶ２とが入力され、
両者の差分（Ｖ１−Ｖ２）を出力端子Ｖout から出力す
る。この減算手段７ｂは、コンパレータを用いたり、Ｃ
ＰＵと減算処理ソフトウェア等を用いる等して構成でき
る。
て説明する。図４乃至図７は、この狭視野サーミスタボ
ロメータの視野角度別の検知状態を示す説明図である。
以下には動作原理を説明する。図４は入射光の入射角度
がα０のときの受光状態を示す図である。入射される赤
外光（入射光）の光軸となる角度を入射角αとした場
合、入射光の入射角度がα０（平行光：メインエレメン
ト２の面に対して入射光が直角に入射される状態）のと
きには、メインエレメント２は最大の受光エネルギーを
得ることになる。このとき、サブエレメント３の内径Ｌ
３は開口部１ｂの開口径Ｌ１以上であるため、平行光で
ある入射光は、開口部１ｂに遮られてこのサブエレメン
ト３には入射しない。（メインエレメント２の受光レベ
ル＝ｍａｘ，サブエレメント３の受光レベル＝０）
１＜α２）のときの受光状態を示す図である。メインエ
レメント２の面に対してやや角度を有した状態のときに
は、開口部１ｂとメインエレメント２との間の距離Ｈ１
によりメインエレメント２に入射される受光エネルギー
はやや減少する。このとき、サブエレメント３に対し入
射光は、このサブエレメント３の一部に入射する。（メ
インエレメント２の受光レベル＞サブエレメント３の受
光レベル）
２＜α３）のときの受光状態を示す図である。メインエ
レメント２の面に対して角度を有した状態のときには、
開口部１ｂによってメインエレメント２に入射される受
光エネルギーは半減する。このとき、入射光はサブエレ
メント３に対しても部分的に入射する。（メインエレメ
ント２の受光レベル≧サブエレメント３の受光レベル）
３）のときの受光状態を示す図である。メインエレメン
ト２の面に対して臨界角を有した状態のときには、入射
光は開口部１ｂによってメインエレメント２、及びサブ
エレメント３のいずれにも入射されない。（メインエレ
メント２の受光レベル＝０，サブエレメント３の受光レ
ベル＝０）
エレメント２とサブエレメント３は、それぞれ入射光の
入射角度α別に異なる受光状態となる構成とされてお
り、特に、図３に示すような入射角度α０のときにはメ
インエレメント２のみが受光状態となることに基づき、
この入射角度α０の方向に位置する物体から放射される
赤外線を限定して検出できるようになる。
図である。メインエレメント２の受光レベルは、同図
（ａ）中実線で示すように入射光の入射角度αが平行光
の状態α０（図３記載）のとき最も高く、以降角度が大
きくなりα３に至るまで次第に低くなっている。一方、
サブエレメント３の受光レベルは、（ａ）中点線で示す
ように、入射光が入射角度α０であるとき最も低く、入
射角度が大きくなるにつれ次第に高くなり入射角度α２
のとき最も高く、以降、入射角度α３に至るまで次第に
低くなっている。
ント２の出力からサブエレメント３の出力を差し引くこ
とにより、入射角度αの大きい部分の受光出力をキャン
セルすることとなり、入射角度の小さいα０の方向から
の入射光のみ限定して検出でき狭視野な検出を行えるよ
うになる（同図（ｂ）参照）。同時に、メインエレメン
ト２とサブエレメント３は、同一の材質、製法、面積で
形成されたものであるため、両エレメント２，３のノイ
ズ成分や温度変化の時間軸成分はほぼ同等と見做すこと
ができるため、上記差分演算によってこれら誤差成分を
除去することができる。
サブエレメント３がそれぞれ異なる基板上に設けられた
構成として説明したが、これに限られることはない。単
結晶シリコンなどのウェハーを用いた基板の表面（上
面）にメインエレメント２のサーミスタ膜２ａを形成
し、裏面（下面）にサブエレメント３のサーミスタ膜３
ａを形成する。ここで、基板の厚さは前記距離Ｈ３とし
ておく。サーミスタ膜の製法を説明すると、蒸着、スパ
ッタリング又はＣＶＤ等の薄膜形成法により熱伝導性の
低い酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁膜を形成
し、その上に同じく薄膜によって抵抗温度係数の大きい
サーミスタ膜と電極金属膜を形成・パターニングして微
小なサーミスタ膜２ａ，３ａを形成する。その後、サー
ミスタ膜２ａ，３ａが設けられた部分の基板を、腐食液
によるウェットエッチング法または腐食ガスによる反応
性イオンエッチング法などにより取り除いて、微小な架
橋構造とする。これにより、サーミスタ膜２ａ，３ａは
互いに距離Ｈ３だけ離れた状態で配置させることがで
き、また、両エレメント２，３は熱容量を十分に小さく
でき、また、その周囲構造との熱的な絶縁を取ることが
できるようになる。
アを狭視野とすることができ、これにより検知対象を絞
った検知を行え、また、検知対象周囲からの影響を除く
ことができる。また、本発明は、メインエレメントとサ
ブエレメントの差分を取るだけで狭視野な検知エリアの
出力が得られる構成であるため、簡単かつ小型に構成で
き、同時に温度ドリフトの特性も良好にできる。また、
ミラーやレンズを用いずとも狭いエリアの検知を行える
ようになる。
図。
１）。
２）。
３）。
４）。
ト、３…サブエレメント、４…窓、７…出力手段。
Claims (2)
- 【請求項１】 赤外線を通す所定径の窓が開口形成され
たパッケージと、 前記パッケージ内部に設けられ、前記窓に対応した形状
を有し該窓を介して入射した赤外線による温度上昇で抵
抗値が変化するサーミスタ膜が形成され、入射角度が平
行光のとき（α０）最も大きな受光レベルを出力し、臨
界角（α３）に至るまで入射角度に対応する受光レベル
を出力するメインエレメントと、 前記パッケージ内部に設けられ、前記メインエレメント
と同面積で前記窓の開口径より大径な内径を有する環状
でサーミスタ膜が形成されており、入射角度が所定角度
範囲（α０＜α＜α３）の赤外線を検出するサブエレメ
ントと、 前記メインエレメントの出力から前記サブエレメントの
出力の差分を出力する出力手段と、を具備したことを特
徴とする狭視野サーミスタボロメータ。 - 【請求項２】 前記メインエレメント及びサブエレメン
トのサーミスタ膜は単一の基板の表裏にそれぞれ位置合
わせして同様のものがそれぞれ形成された後に該サーミ
スタ膜部分の基板をエッチング処理で除去されることに
より、互いが基板の厚さ分の間隔で微小な架橋構造とさ
れた請求項１記載の狭視野サーミスタボロメータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15218797A JP3670442B2 (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 狭視野サーミスタボロメータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15218797A JP3670442B2 (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 狭視野サーミスタボロメータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10339671A true JPH10339671A (ja) | 1998-12-22 |
| JP3670442B2 JP3670442B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=15534972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15218797A Expired - Fee Related JP3670442B2 (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 狭視野サーミスタボロメータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3670442B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5621023A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-27 | Siemens Ag | Pyroelectric detector |
| JPH07151609A (ja) * | 1993-12-01 | 1995-06-16 | Nippondenso Co Ltd | 赤外線センサ |
| JPH0835879A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Terumo Corp | 赤外線センサ |
-
1997
- 1997-06-10 JP JP15218797A patent/JP3670442B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5621023A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-27 | Siemens Ag | Pyroelectric detector |
| JPH07151609A (ja) * | 1993-12-01 | 1995-06-16 | Nippondenso Co Ltd | 赤外線センサ |
| JPH0835879A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Terumo Corp | 赤外線センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3670442B2 (ja) | 2005-07-13 |
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