JPH10335418A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハに対してレジスト塗布や現像等を行う
装置において、液処理系領域の密閉性を高めて他の領域
から液処理系領域への塵埃等の浸入を阻止し、被処理基
板表面に異物が付着することに起因する歩留りの低下を
防止する。 【解決手段】 カセットステーション１０及び露光装置
用のインターフェース部１２との間でのウエハＷの受け
渡し、及び熱処理系を含むオーブン型処理ユニット群３
３に対するウエハＷの出し入れを行う第１の搬送ユニッ
ト３１と、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユ
ニット（ＤＥＶ）に対してウエハＷの出し入れを行う第
２の搬送ユニット３２とを互いに分離して配置し、且つ
第１の搬送ユニット３１と第２の搬送ユニット３２との
間でのウエハＷの受け渡しは熱処理系のオーブン型処理
ユニット群３３のなかのイクステンションユニット（Ｅ
ＸＴ）を通じて行うように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ基板等の被処理基板に対してレジスト塗布、
現像等の処理を行う処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
エハ（以下、「ウエハ」という）の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハ
に対して露光処理を行った後に当該ウエハに対して現像
処理を行う現像処理とが行われる。

【０００３】従来からこれらレジスト塗布処理と現像処
理は、例えば特公平２−３０１９４号公報によっても公
知なように、対応する各種処理ユニットが１つのシステ
ム内に装備された複合型の塗布現像処理システム内で、
この処理システムに接続された露光装置での露光プロセ
スを挟んで所定のシーケンスに従って行われている。近
年、このような塗布現像処理システムと露光装置との間
での被処理基板の受け渡しは、外気から閉ざされた空間
内で被処理基板の自動的な受け渡しを実現するインター
フェース装置を介して行われ、これによりクリームルー
ムを必要としない被処理基板の運搬を実現している。

【０００４】ところで、塗布現像処理システム及び露光
装置では、塵埃等の異物の浸入の防止や排出等を目的と
して、清浄化された空気をダウンフローで各ユニット内
に導入するなどして内部雰囲気圧を大気圧よりも高い状
態にしている。しかしながら、塗布現像処理システムと
露光装置との間においては、多くの場合、露光装置側が
塗布現像処理システム側に対して陽圧となっていること
から、両者を上記のインターフェース装置を介して気密
に接続した状態においては、陽圧側の露光装置から陰圧
側の塗布現像処理システムへの塵埃等の移動が発生し、
このため塗布現像処理システムにおいて、被処理基板表
面に異物が付着することに起因しての歩留りの低下が発
生する恐れがある。特に被処理基板に対するレジスト塗
布や現像時、或いはその直前直後において異物が付着し
た場合、その異物を表面に残したまま被処理基板が露光
装置に搬送される確率が高くなり、露光パターンの欠陥
が生じる。

【０００５】また、このような塗布現像処理システムに
おいては、カセットステーション、露光装置用のインタ
ーフェース部、その他のウエハ搬送機構も塵埃等の発生
源と言え、このように内部発生した塵埃等がシステム内
を浮遊して被処理基板表面に付着すると言う問題もあっ
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように被処理基板
に対してレジスト塗布や現像等を行う処理装置において
は、インターフェース部を通じて接続された露光装置等
の外部装置との内部雰囲気の差圧によって、該露光装置
等の外部装置から塵埃等の異物が浸入したり、システム
内のカセットステーション、露光装置用のインターフェ
ース部、その他のウエハ搬送機構で塵埃等が発生し、こ
れらが被処理基板表面に付着して歩留りの低下をもたら
すと言う問題があった。

【０００７】本発明はこのような課題を解決すべくなさ
れたもので、液処理系領域の密閉性を高めることで他の
領域から液処理系領域への塵埃等の異物の浸入を低減或
いは阻止し、以て被処理基板表面に異物が付着すること
に起因しての歩留りの低下を抑制することのできる処理
装置の提供を目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の処理装置は、請求項１に記載されるよう
に、被処理基板を処理する複数の第１の処理ユニット
と、被処理基板を処理する第２の処理ユニットと、前記
各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入
れを行う第１の搬送ユニットと、外部との間で被処理基
板の受け渡しを行う外部受渡部と、前記外部受渡部に対
して密閉され、且つ前記各第１の処理ユニットを挟んで
前記第１の搬送ユニットと対向する位置に設けられ、前
記各第１の処理ユニットのうちの一部及び前記第２の処
理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを行う第
２の搬送ユニットとを具備することを特徴とする。

【０００９】また、本発明の処理装置は、請求項２に記
載されるように、被処理基板を処理する複数の第１の処
理ユニットと、被処理基板を処理する第２の処理ユニッ
トと、外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受
渡部と、前記外部受渡部との間での被処理基板の受け渡
し、及び前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理
基板の出し入れを行う第１の搬送ユニットと、前記各第
１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニットと対
向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニットのう
ちの一部及び前記第２の処理ユニットに対して前記被処
理基板の出し入れを行う第２の搬送ユニットとを具備す
ることを特徴とする。

【００１０】また、本発明の処理装置は、請求項３に記
載されるように、被処理基板に対して熱処理を含む所定
の処理を行う複数の第１の処理ユニットと、被処理基板
を処理液を用いて処理する第２の処理ユニットと、前記
各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入
れを行う第１の搬送ユニットと、外部との間で被処理基
板の受け渡しを行う外部受渡部と、前記外部受渡部に対
して密閉され、且つ前記各第１の処理ユニットを挟んで
前記第１の搬送ユニットと対向する位置に設けられ、前
記各第１の処理ユニットのうちの一部及び前記第２の処
理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを行う第
２の搬送ユニットとを具備することを特徴とする。

【００１１】さらに、本発明の処理装置は、請求項４に
記載されるように、被処理基板に対して熱処理を含む所
定の処理を行う複数の第１の処理ユニットと、被処理基
板を処理液を用いて処理する第２の処理ユニットと、外
部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部と、
前記外部受渡部との間での被処理基板の受け渡し、及び
前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
し入れを行う第１の搬送ユニットと、前記各第１の処理
ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニットと対向する位
置に設けられ、前記各第１の処理ユニットのうちの一部
及び前記第２の処理ユニットに対して前記被処理基板の
出し入れを行う第２の搬送ユニットとを具備することを
特徴とする。

【００１２】すなわち、本発明の請求項１から請求項４
の処理装置では、第２の処理ユニット例えば被処理基板
を処理液を用いて処理するレジスト塗布ユニットや現像
ユニット等に対して被処理基板を出し入れする第２の搬
送ユニットが、外部との間で被処理基板の受け渡しを行
う外部受渡部に対して密閉されている、或いは、外部受
渡部と直接被処理基板の受け渡しが行われることがない
ので、外部受渡部を通じて外部から第２の搬送ユニット
内への塵埃等の浸入を低減或いは阻止することができ、
歩留りの向上を図ることが可能となる。

【００１３】さらに、本発明の処理装置は、請求項５に
記載されるように、被処理基板を収容するカセットに対
して被処理基板の出し入れを行うカセットステーション
と、露光装置と被処理基板の受け渡しを行うインターフ
ェース部と、被処理基板を処理する複数の第１の処理ユ
ニットと、被処理基板を処理する第２の処理ユニット
と、前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板
の出し入れを行う第１の搬送ユニットと、前記カセット
ステーション及び前記インターフェース部に対して密閉
され、且つ前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１
の搬送ユニットと対向する位置に設けられ、前記各第１
の処理ユニットのうちの一部及び前記各第２の処理ユニ
ットに対して前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬
送ユニットとを具備することを特徴とする。

【００１４】さらに、本発明の処理装置は、請求項６に
記載されるように、被処理基板を収容するカセットに対
して被処理基板の出し入れを行うカセットステーション
と、露光装置と被処理基板の受け渡しを行うインターフ
ェース部と、被処理基板を処理する複数の第１の処理ユ
ニットと、被処理基板を処理する第２の処理ユニット
と、前記カセットステーション及び／又は前記インター
フェース部との間での被処理基板の受け渡し、及び前記
各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入
れを行う第１の搬送ユニットと、前記各第１の処理ユニ
ットを挟んで前記第１の搬送ユニットと対向する位置に
設けられ、前記各第１の処理ユニットのうちの一部及び
前記各第２の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
し入れを行う第２の搬送ユニットとを具備することを特
徴とする。

【００１５】さらに、本発明の処理装置は、請求項７に
記載されるように、被処理基板を収容するカセットに対
して被処理基板の出し入れを行うカセットステーション
と、露光装置と被処理基板の受け渡しを行うインターフ
ェース部と、被処理基板に対して熱処理を含む所定の処
理を行う複数の第１の処理ユニットと、被処理基板を処
理液を用いて処理する第２の処理ユニットと、前記各第
１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを
行う第１の搬送ユニットと、前記カセットステーション
及び前記インターフェース部に対して密閉され、且つ前
記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニッ
トと対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニッ
トのうちの一部及び前記各第２の処理ユニットに対して
前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬送ユニットと
を具備することを特徴とする。

【００１６】さらに、本発明の処理装置は、請求項８に
記載されるように、被処理基板を収容するカセットに対
して被処理基板の出し入れを行うカセットステーション
と、露光装置と被処理基板の受け渡しを行うインターフ
ェース部と、被処理基板に対して熱処理を含む所定の処
理を行う複数の第１の処理ユニットと、被処理基板を処
理液を用いて処理する第２の処理ユニットと、前記カセ
ットステーション及び／又は前記インターフェース部と
の間での被処理基板の受け渡し、及び前記各第１の処理
ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを行う第１
の搬送ユニットと、前記各第１の処理ユニットを挟んで
前記第１の搬送ユニットと対向する位置に設けられ、前
記各第１の処理ユニットのうちの一部及び前記各第２の
処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを行う
第２の搬送ユニットとを具備することを特徴とする。

【００１７】すなわち、本発明の請求項５から請求項８
の処理装置では、第２の処理ユニット例えば被処理基板
を処理液を用いて処理するレジスト塗布ユニットや現像
ユニット等に対して被処理基板を出し入れする第２の搬
送ユニットが、カセットステーションや露光装置用のイ
ンターフェース部に対して密閉されている、或いは、カ
セットステーションや露光装置用のインターフェース部
と直接被処理基板の受け渡しが行われることがないの
で、カセットステーションや露光装置用のインターフェ
ース部を通じて外部から第２の搬送ユニット内への塵埃
等の浸入を低減或いは阻止することができ、歩留りの向
上を図ることが可能となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。

【００１９】図１乃至図３は、各々本発明の実施形態が
採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の
塗布現像処理システム１の全体構成を示しており、図１
はその平面図、図２は正面側の側面図、図３は背面側の
一部断面・側面図である。これらの図に示すように、本
実施形態の塗布現像処理システム１は、ウエハＷを複数
収容したウエハカセットＣＲを外部との間で搬入・搬出
したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷの出し入
れを行うためのカセットステーション１０と、ウエハＷ
に対して１枚ずつ所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユ
ニットを配置して構成される処理ステーション１１と、
外部の露光装置との間でウエハＷの受け渡しを行うイン
ターフェース部１２とを一体に組み合わせて構成され
る。

【００２０】カセットステーション１０内には、図１に
示すように、カセット載置台２０上に複数例えば５個ま
でのウエハカセットＣＲが各々のウエハ出入口を処理ス
テーション１１側に向けて一列に載置され、これらウエ
ハカセットＣＲに対して、Ｘ方向及びＺ方向（ウエハカ
セッ卜ＣＲ内のウエハ配列方向；垂直方向）に移動自在
に設けられたウエハ搬送体２１がウエハＷの出し入れ操
作を行うようになっている。このウエハ搬送体２１は、
θ方向に回転自在に構成され、処理ステーション１１側
の第１のウエハ搬送体２２に対してウエハＷの受け渡し
を行うことも可能である。

【００２１】処理ステーション１１内には、互いに独立
した２つの搬送ユニットである第１の搬送ユニット３１
及び第２の搬送ユニット３２と各種処理ユニット群が配
設されている。

【００２２】処理ユニットは、カップＣＰ内でウエハＷ
をスピンチャック上に載せて回転しつつ処理液を用いた
所定の処理を行うスピンナ型のもの（レジスト塗布ユニ
ット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ））と、ウエ
ハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオーブン型
のもの（熱処理系を含む処理ユニット群３３）とに大別
され、これらスピンナ型の処理ユニット（レジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ））とオ
ーブン型の処理ユニット（熱処理系を含む処理ユニット
群３３）とは、第２の搬送ユニット３２を挟んでその両
側に二分して配置されている。そして、オーブン型の処
理ユニット（熱処理系を含む処理ユニット群３３）によ
って、第１の搬送ユニット３１と第２の搬送ユニット３
２とが互いに分離されている。

【００２３】これら処理ユニットの配置構成をさらに詳
しく説明すると、図１及び図２に示すように、スピンナ
型の処理ユニットであるレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）は、第２の搬送ユニッ
ト３２に面して横一列に並置され、オーブン型の処理ユ
ニット（熱処理系を含む処理ユニット群３３）は、図１
及び図３に示すように、縦横に複数（この例では縦４段
横５列）重ねて並置されている。なお、図３は第１の搬
送ユニット３１側からオーブン型の処理ユニット（熱処
理系を含む処理ユニット群３３）の配置構成を示した一
部断面・側面図である。

【００２４】オーブン型の処理ユニットとしては、ウエ
ハＷの冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、
ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）、ウエハＷ表面に塗布されたレジスト液の定着
性を高めるための疏水化処理を行うアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）、露光処理前のウエハＷに対して加熱処理
を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、露
光処理後のウエハＷに対して加熱処理を行うポストベー
キングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）、イクステンション・
クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、第１の搬送ユニ
ット３１と第２の搬送ユニット３２との間でウエハＷの
受け渡しを行うためのイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）等がある。

【００２５】ここで、処理温度の比較的低いクーリング
ユニット（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリングユ
ニット（ＥＸＴＣＯＬ）及びイクステンションユニット
（ＥＸＴ）は例えば最下段に配置され、処理温度の比較
的高いプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及び
ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）及びアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）はクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）及びイクステンションユニット（ＥＸＴ）よりも上
段に配置されている。このように処理温度の高いユニッ
トを上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干
渉を少なくしている。

【００２６】第１の搬送ユニット３１内には、カセット
ステーション１０とインターフェース部１２との間でＹ
方向に移動自在とされ、Ｚ方向（垂直方向）に上下動で
きると共に、θ方向に回転し得るように構成された第１
のウエハ搬送体２２が設けられており、この第１のウエ
ハ搬送体２２によって、カセットステーション１０、イ
ンターフェース部１２との間でのウエハＷの受け渡し、
及び熱処理系を含む処理ユニット群３３における個々の
オーブン型処理ユニットに対するウエハＷの出し入れが
行われる。

【００２７】一方、第２の搬送ユニット３２内には、例
えば位置固定型の２つのウエハ搬送体、例えばＺ方向
（垂直方向）に上下動できると共にθ方向に回転自在に
構成された２つの搬送体（第２のウエハ搬送体２３及び
第３のウエハ搬送体２４）が設けられている。この第２
の搬送体２３によって、図１及び図４に示すように、イ
クステンションユニット（ＥＸＴ）に対するウエハＷの
出し入れや、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に対する
ウエハＷの出し入れ、さらに第３の搬送体２４との間で
のウエハＷの受け渡しが行われるものとされている。さ
らに、第３の搬送体２４は、第２の搬送体２３との間で
のウエハＷの受け渡し、及び現像ユニット（ＤＥＶ）に
対するウエハＷの出し入れを行うものである。

【００２８】図４に示すように、各処理ユニットには各
々、ウエハＷの搬入・搬出用の開口４１が設けられてお
り、これらの開口４１は図示しない駆動手段によって駆
動するシャッタ４２によって個々に開閉される。したが
って、第１の搬送ユニット３１と第２の搬送ユニット３
２との間でのウエハＷの受け渡しに供されるイクステン
ションユニット（ＥＸＴ）には、各搬送ユニット３１、
３２と対向する両面に開口４１とその開閉用のシャッタ
４２が各々設けられている。

【００２９】インターフェース部１２には、可搬型のピ
ックアップカセットＣＲ、定置型のバッファカセットＢ
Ｒ、図示しない周辺露光装置、及びウエハ搬送体２５等
が設けられている。ウエハ搬送体２５は、Ｘ方向及びＺ
方向に移動して上記両カセットＣＲ、ＢＲに対するウエ
ハＷの受け渡し動作を行う。また、ウエハ搬送体２５は
θ方向にも回転自在とされ、処理ステーション１１側の
第１のウエハ搬送体２２及び外部の露光装置側のウエハ
受渡し台（図示せず）との間でのウエハＷの受け渡しを
行うように構成されている。

【００３０】また、図３、図４、図５に示すように、カ
セットステーション１０、処理ステーション１１及びイ
ンターフェース部１２の上方にはエアー供給室１０ａ、
１１ａ1 、１１ａ2 、１２ａが設けられており、各エア
ー供給室１０ａ、１１ａ1 、１１ａ2 、１２ａの下部に
は防塵フィルタ１０ｂ、１１ｂ1 、１１ｂ2 、１２ｂが
取り付けられている。このシステムの外部には空調器３
７が設置されており、この空調器３７より配管３９を通
って空気が各エアー供給室１０ａ、１１ａ1 、１１ａ2
、１２ａに導入され、各エアー供給室のフィルタ１０
ｂ、１１ｂ1 、１１ｂ2 、１２ｂにより清浄な空気が各
部１０、１１、１２に供給されるようになっている。こ
のダウンフローの空気はシステム下部の適当な箇所に複
数設けられている通気孔４０を通って底部の排気口４２
に集められ、この排気口４２から配管４５を通って空調
器３７に回収されるようになっている。

【００３１】次に、この塗布現像処理システムによる処
理の流れを説明する。

【００３２】まずカセットステーション１０において、
ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上の処理前のウ
エハＷを収容しているカセットＣＲにアクセスして、そ
のカセットＣＲから１枚のウエハＷを取り出す。その
後、ウエハ搬送体２１は、処理ステーンション１１の第
１の搬送ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２２にウ
エハＷを受け渡す。第１のウエハ搬送体２２は、アライ
メントユニット（ＡＬＩＭ）の位置までＹ方向及びＺ方
向（垂直方向）に移動し、さらにθ方向に回転して、ア
ライメントユニット（ＡＬＩＭ）内にウエハＷを移載す
る。

【００３３】アライメントユニット（ＡＬＩＭ）にてウ
エハＷのオリフラ合わせ及びセンタリングが終了する
と、第１の搬送ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２
２は、アライメントが完了したウエハＷを受け取り、続
いてアドヒージョンユニット（ＡＤ）の位置までＹ方向
及びＺ方向（垂直方向）に移動してアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）内にウエハＷを移載する。ここでウエハＷ
の疎水化処理が行われる。

【００３４】疎水化処理を終えたウエハＷは、続いて第
１の搬送ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２２によ
って所定のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
に搬入されてベーキングされた後、所定のクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）に搬入される。このクーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定
温度例えば２３℃まで冷却される。

【００３５】ウエハＷの冷却処理が終了すると、第１の
搬送ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２２は当該ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）からウエハＷを取り出した
後、イクステンションユニット（ＥＸＴ）の位置まで移
動し、このイクステンションユニット（ＥＸＴ）内にウ
エハＷを搬入してその中の載置台ＳＰ上にウエハＷを載
置する。

【００３６】この後、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）を通じてウエハＷは第２の搬送ユニット３２内に移
送される。すなわち、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）第２の搬送ユニット３２に面している開口４１を開
閉するシャッタ４２が開き、イクステンションユニット
（ＥＸＴ）内の載置台ＳＰ上に載置されているウエハＷ
が第２の搬送ユニット３２内の第２の搬送体２３によっ
てイクステンションユニット（ＥＸＴ）内より搬出さ
れ、シャッタ４２が閉じられる。

【００３７】なお、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）の両開口４１を開閉する各シャッタ４２は、例え
ば、第２の搬送ユニット３２内の雰囲気圧を第１の搬送
ユニット３１内のそれよりも高くしておくなど、第１の
搬送ユニット３１から第２の搬送ユニット３２へのパー
ティクル等の異物浸入を阻止可能な他の手段を用いるこ
とによって排除することが可能である。

【００３８】その後、イクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）内より第２の搬送ユニット３２内に移送されたウエ
ハＷは、第２の搬送体２３によって、レジスト塗布ユニ
ット（ＣＯＴ）へ搬入され、このレジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）内でウエハＷ表面へのレジスト塗布が行われ
る。

【００３９】レジスト塗布処理が終了すると、第２の搬
送ユニット３２内の第２のウエハ搬送体２３はウエハＷ
をレジス卜塗布ユニット（ＣＯＴ）から取り出し、再び
イクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬入する。この
後、第１の搬送ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２
２によってイクステンションユニット（ＥＸＴ）内から
ウエハＷが搬出され、続いて第１のウエハ搬送体２２は
所定のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の位置ま
で第１の搬送ユニット３１内をＹ方向及びＺ方向（垂直
方向）に移動し、ウエハＷをプリベークユニット（ＰＲ
ＥＢＡＫＥ）内に搬入する。ウエハＷはここで所定温度
例えば１００℃で所定時間加熱され、以てウエハＷ上の
塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。

【００４０】この後、ウエハＷは第１のウエハ搬送体２
２によってインターフェース部１２イクステンション・
クーリングユニット（ΕΧＴＣＯＬ）へ搬入され、ここ
でウエハＷは、次工程つまりインターフェース部１２内
に設けられた周辺露光装置（図示せず）による周辺露光
処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。

【００４１】続いて第１の搬送ユニット３１内の第１の
ウエハ搬送体２２は、イクステンション・クーリングユ
ニット（ΕΧＴＣＯＬ）内からウエハＷを取り出し、イ
ンターフェース部１２のウエハ搬送体２５に受け渡す。
このインターフェース部１２のウエハ搬送体２５は当該
ウエハＷをインターフェース部１２内の図示しない周辺
露光装置へ搬入する。ここで、ウエハＷはその周縁部に
露光処理を受ける。

【００４２】周辺露光処理が終了すると、インターフェ
ース部１２のウエハ搬送体２５は、ウエハＷを周辺露光
装置から搬出し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台
（図示せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光
装置へ渡される前に、必要に応じてバッファカセットＢ
Ｒに一時的に格納されることもある。

【００４３】露光装置での全面パターン露光処理が完了
して、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻され
ると、インターフェース部１２のウエハ搬送体２５はそ
のウエハ受取り台から露光処理後のウエハＷを受け取
り、ウエハＷを再び処理ステーション１１の第１の搬送
ユニット３１内の第１のウエハ搬送体２２に受け渡す。
この場合、ウエハＷを、処理ステーション１１側へ受け
渡す前に、必要に応じてインターフェース部１２内のバ
ッファカセットＢＲに一時的に格納するようにしてもよ
い。

【００４４】この後、第１の搬送ユニット３１内の第１
のウエハ搬送体２２は、ウエハＷを所定のポストベーキ
ングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）に搬入する。このポスト
ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）においてウエハＷ
は所定時間ベーク処理される。続いて、ベーキングされ
たウエハＷは、第１の搬送ユニット３１内のウエハ搬送
体２２によっていずれかのクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬入され、このクーリングユニット（ＣＯＬ）内
でウエハＷは常温に戻される。

【００４５】続いて、ウエハＷは、イクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）内に搬入された後、前記同様に第２の
搬送ユニット３２内の第２の搬送体２３によってイクス
テンションユニット（ＥＸＴ）内から取り出され、さら
に第２の搬送ユニット３２内の第３の搬送体２４に受け
渡される。そして、この第３の搬送体２４によってウエ
ハＷは現像ユニット（ＤＥＶ）内に搬入される。

【００４６】この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエ
ハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー
方式により、ウエハＷ表面のレジストに現像液が均一に
かけられて現像が行われる。現像後は、現像ユニット
（ＤＥＶ）内にて、ウエハ表面にリンス液がかけられ、
現像液の洗い落しが行われる。

【００４７】この後、第２の搬送ユニット３２内の第３
のウエハ搬送体２４は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）から搬出した後、隣の第２の搬送体２３に受け渡
す。第２の搬送体２３は第３のウエハ搬送体２４より受
け渡されたウエハＷをイクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）内に搬入する。この後、第１の搬送ユニット３１内
の第１のウエハ搬送体２２によってイクステンションユ
ニット（ＥＸＴ）内からウエハＷが搬出され、続いて第
１のウエハ搬送体２２は所定のポストベーキングユニッ
ト（ＰＯＢＡＫΕ）へウエハＷを搬入する。このポスト
ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）において、ウエハ
Ｗは例えば１００℃で所定時間だけ加熱され、これによ
って、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向
上する。

【００４８】ポストベーキングが終了すると、第１の搬
送ユニット３１内のウエハ搬送体２２はウエハＷをポス
トベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）から搬出し、次
に所定のクーリングユニット（ＣＯＬ）へウエハＷを搬
入して冷却処理が行われる。ここでウエハＷが常温に戻
った後、第１のウエハ搬送体２２は、ウエハＷをカセッ
トステーション１０側のウエハ搬送体２１に受け渡す。
そしてウエハ搬送体２１は、受け取ったウエハＷをカセ
ット載置台２０上の処理済みウエハ収容用のカセットＣ
Ｒの所定のウエハ収容溝に入れる。

【００４９】このように本実施形態は、カセットステー
ション１０及び露光装置用のインターフェース部１２と
の間でのウエハＷの受け渡し、及び熱処理系を含むオー
ブン型処理ユニット群３３に対するウエハＷの出し入れ
を行う第１の搬送ユニット３１と、レジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）に対してウエ
ハＷの出し入れを行う第２の搬送ユニット３２とを互い
に分離して配置し、且つ第１の搬送ユニット３１と第２
の搬送ユニット３２との間でのウエハＷの受け渡しは熱
処理系のオーブン型処理ユニット群３３のなかのイクス
テンションユニット（ＥＸＴ）を通じて行うように構成
されたものである。

【００５０】したがって、第２の搬送ユニット３２の密
閉性が向上し、カセットステーション１０及び露光装置
用のインターフェース部１２から第２の搬送ユニット３
２内への塵埃等の異物の浸入を低減或いは阻止すること
ができ、レジスト塗布や現像時、或いはその直前直後に
ウエハＷ表面に異物が付着することに起因する歩留りの
低下を効果的に抑制することが可能になる。

【００５１】ところで、上記した塗布現像処理システム
における各部の配置構成は一例であり、種々の変形が可
能である。

【００５２】例えば、図６に示すように、第２の搬送ユ
ニット３２内の空間を隔壁３５によってレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）側の空間３２ａと現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）側の空間３２ｂとに二分し、個々の空間３２ａ、３
２ｂ内にウエハ搬送体２３、２４を一体ずつ設けると共
に、第１の搬送ユニット３１と第２の搬送ユニット３２
との間に配置された熱処理系を含むオーブン型処理ユニ
ット群３３の最下段の２つの処理ユニットを、上記個々
のウエハ搬送体２３、２４に対応するウエハ受け渡し用
のイクステンションユニット（ＥＸＴ）として用いるよ
うに構成してもよい。

【００５３】また、以上の実施形態では、熱処理系を含
むオーブン型処理ユニット群３３の最下段の処理ユニッ
トの中からイクステンションユニット（ＥＸＴ）を決定
したが、その他の段の処理ユニット例えば下から二段目
や三段目の処理ユニットをイクステンションユニットと
して用いても構わない。

【００５４】さらに、前記の実施形態では、処理ステー
ション１１を間に挟んでその両側にカセットステーショ
ン１０とインターフェース部１２とを配置する構成とし
たが、図７に示すように、第１の搬送ユニット３１を挟
んで熱処理系を含むオーブン型処理ユニット群３３と対
向する位置にインターフェース部１２を並設してもよ
い。この構成において、インターフェース部１２には、
例えば複数（この例では２つ）のウエハ搬送体１２５、
１２６を設けることが可能であり、これら複数のウエハ
搬送体１２５、１２６を、ウエハＷを露光装置と処理ス
テーション１１との間で受け渡す際のバッファとして利
用することができる。なお、２８は露光装置によるウエ
ハＷの全面露光が行われる前にウエハＷの周縁部に露光
を施す周辺露光装置である。

【００５５】また、以上説明した実施形態では、第２の
搬送ユニット３２内のウエハ搬送体として位置固定型の
ものを採用したが、これに代えて、例えば図８に示すよ
うに、第１の搬送ユニット３１内のウエハ搬送体２２と
同様な構造のもの、すなわちＹ方向に移動自在なウエハ
搬送体２２３を採用して本発明に係る塗布現像処理シス
テムを構成してもよい。

【００５６】以上、半導体ウエハの表面にレジスト液を
塗布し、現像する装置について説明したが、本発明はＬ
ＣＤ基板等の表面にレジスト液を塗布し、現像する装置
にも適用できることは言うまでもまい。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１か
ら請求項４の処理装置によれば、第２の処理ユニット例
えば被処理基板を処理液を用いて処理するレジスト塗布
ユニットや現像ユニット等に対して被処理基板を出し入
れする第２の搬送ユニットが、外部との間で被処理基板
の受け渡しを行う外部受渡部に対して密閉されている、
或いは、外部受渡部と直接被処理基板の受け渡しが行わ
れることがないので、外部受渡部を通じて外部から第２
の搬送ユニット内への塵埃等の浸入を低減或いは阻止す
ることができ、歩留りの向上を図ることが可能となる。

【００５８】また、本発明の請求項５から請求項８の処
理装置によれば、第２の処理ユニット例えば被処理基板
を処理液を用いて処理するレジスト塗布ユニットや現像
ユニット等に対して被処理基板を出し入れする第２の搬
送ユニットが、カセットステーションや露光装置用のイ
ンターフェース部に対して密閉されている、或いは、カ
セットステーションや露光装置用のインターフェース部
と直接被処理基板の受け渡しが行われることがないの
で、カセットステーションや露光装置用のインターフェ
ース部を通じて外部から第２の搬送ユニット内への塵埃
等の浸入を低減或いは阻止することができ、歩留りの向
上を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である半導体ウエハの塗布
現像処理システムの全体構成を示す平面図

【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面側の
側面図

【図３】図１に示した塗布現像処理システムの背面側の
一部断面・側面図

【図４】図１に示した塗布現像処理システムの断面図

【図５】図１に示した塗布現像処理システムにおける天
井部のフィルタの配置構成を示す平面図

【図６】本発明の他の実施形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成を示す平面図

【図７】本発明のさらに他の実施形態である半導体ウエ
ハの塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図

【図８】本発明のさらに他の実施形態である半導体ウエ
ハの塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図

【符号の説明】

Ｗ……半導体ウエハ １０……カセットステーション １１……処理ステーション １２……インターフェース部 ３１……第１の搬送ユニット ３２……第２の搬送ユニット ３３……熱処理系を含む処理ユニット群 ＣＯＴ……レジスト塗布ユニット ＤＥＶ……現像ユニット ＥＸＴ……ウエハ受渡し用のイクステンションユニット

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を処理する複数の第１の処理
   ユニットと、 被処理基板を処理する第２の処理ユニットと、 前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
   し入れを行う第１の搬送ユニットと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
   と、 前記外部受渡部に対して密閉され、且つ前記各第１の処
   理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニットと対向する
   位置に設けられ、前記各第１の処理ユニットのうちの一
   部及び前記第２の処理ユニットに対して前記被処理基板
   の出し入れを行う第２の搬送ユニットとを具備すること
   を特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 被処理基板を処理する複数の第１の処理
   ユニットと、 被処理基板を処理する第２の処理ユニットと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
   と、 前記外部受渡部との間での被処理基板の受け渡し、及び
   前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
   し入れを行う第１の搬送ユニットと、 前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニ
   ットと対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニ
   ットのうちの一部及び前記第２の処理ユニットに対して
   前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬送ユニットと
   を具備することを特徴とする処理装置。
3. 【請求項３】 被処理基板に対して熱処理を含む所定の
   処理を行う複数の第１の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第２の処理ユニッ
   トと、 前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
   し入れを行う第１の搬送ユニットと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
   と、 前記外部受渡部に対して密閉され、且つ前記各第１の処
   理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニットと対向する
   位置に設けられ、前記各第１の処理ユニットのうちの一
   部及び前記第２の処理ユニットに対して前記被処理基板
   の出し入れを行う第２の搬送ユニットとを具備すること
   を特徴とする処理装置。
4. 【請求項４】 被処理基板に対して熱処理を含む所定の
   処理を行う複数の第１の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第２の処理ユニッ
   トと、 外部との間で被処理基板の受け渡しを行う外部受渡部
   と、 前記外部受渡部との間での被処理基板の受け渡し、及び
   前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
   し入れを行う第１の搬送ユニットと、 前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニ
   ットと対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニ
   ットのうちの一部及び前記第２の処理ユニットに対して
   前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬送ユニットと
   を具備することを特徴とする処理装置。
5. 【請求項５】 被処理基板を収容するカセットに対して
   被処理基板の出し入れを行うカセットステーションと、 露光装置と被処理基板の受け渡しを行うインターフェー
   ス部と、 被処理基板を処理する複数の第１の処理ユニットと、 被処理基板を処理する第２の処理ユニットと、 前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
   し入れを行う第１の搬送ユニットと、 前記カセットステーション及び前記インターフェース部
   に対して密閉され、且つ前記各第１の処理ユニットを挟
   んで前記第１の搬送ユニットと対向する位置に設けら
   れ、前記各第１の処理ユニットのうちの一部及び前記各
   第２の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れ
   を行う第２の搬送ユニットとを具備することを特徴とす
   る処理装置。
6. 【請求項６】 被処理基板を収容するカセットに対して
   被処理基板の出し入れを行うカセットステーションと、 露光装置と被処理基板の受け渡しを行うインターフェー
   ス部と、 被処理基板を処理する複数の第１の処理ユニットと、 被処理基板を処理する第２の処理ユニットと、 前記カセットステーション及び／又は前記インターフェ
   ース部との間での被処理基板の受け渡し、及び前記各第
   １の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを
   行う第１の搬送ユニットと、 前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニ
   ットと対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニ
   ットのうちの一部及び前記各第２の処理ユニットに対し
   て前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬送ユニット
   とを具備することを特徴とする処理装置。
7. 【請求項７】 被処理基板を収容するカセットに対して
   被処理基板の出し入れを行うカセットステーションと、 露光装置と被処理基板の受け渡しを行うインターフェー
   ス部と、 被処理基板に対して熱処理を含む所定の処理を行う複数
   の第１の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第２の処理ユニッ
   トと、 前記各第１の処理ユニットに対して前記被処理基板の出
   し入れを行う第１の搬送ユニットと、 前記カセットステーション及び前記インターフェース部
   に対して密閉され、且つ前記各第１の処理ユニットを挟
   んで前記第１の搬送ユニットと対向する位置に設けら
   れ、前記各第１の処理ユニットのうちの一部及び前記各
   第２の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れ
   を行う第２の搬送ユニットとを具備することを特徴とす
   る処理装置。
8. 【請求項８】 被処理基板を収容するカセットに対して
   被処理基板の出し入れを行うカセットステーションと、 露光装置と被処理基板の受け渡しを行うインターフェー
   ス部と、 被処理基板に対して熱処理を含む所定の処理を行う複数
   の第１の処理ユニットと、 被処理基板を処理液を用いて処理する第２の処理ユニッ
   トと、 前記カセットステーション及び／又は前記インターフェ
   ース部との間での被処理基板の受け渡し、及び前記各第
   １の処理ユニットに対して前記被処理基板の出し入れを
   行う第１の搬送ユニットと、 前記各第１の処理ユニットを挟んで前記第１の搬送ユニ
   ットと対向する位置に設けられ、前記各第１の処理ユニ
   ットのうちの一部及び前記各第２の処理ユニットに対し
   て前記被処理基板の出し入れを行う第２の搬送ユニット
   とを具備することを特徴とする処理装置。
9. 【請求項９】 請求項１乃至８記載のいずれかの処理装
   置において、 前記第２の処理ユニットが前記第２の搬送ユニットを挟
   んで前記各第１の処理ユニットと対向する位置に配置さ
   れていることを特徴とする処理装置。