JPH10328559A - 排気ガス用ｈｃ浄化部材 - Google Patents
排気ガス用ｈｃ浄化部材Info
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- JPH10328559A JPH10328559A JP9145538A JP14553897A JPH10328559A JP H10328559 A JPH10328559 A JP H10328559A JP 9145538 A JP9145538 A JP 9145538A JP 14553897 A JP14553897 A JP 14553897A JP H10328559 A JPH10328559 A JP H10328559A
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/024—Multiple impregnation or coating
- B01J37/0246—Coatings comprising a zeolite
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/92—Chemical or biological purification of waste gases of engine exhaust gases
- B01D53/94—Chemical or biological purification of waste gases of engine exhaust gases by catalytic processes
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/024—Multiple impregnation or coating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 担体２上にＨＣ吸着層５を設け、そのＨＣ吸
着層５上にＨＣ酸化層６を設けた排気ガス用ＨＣ浄化部
材において、ＨＣ吸着層５の疎水性を高め、これにより
十分なＨＣ吸着・脱離浄化を行う。 【解決手段】 ＨＣ吸着能５を、Ａｌ含有量がＡｌ≦
０．０５重量％であるメタロシリケートより構成する。
着層５上にＨＣ酸化層６を設けた排気ガス用ＨＣ浄化部
材において、ＨＣ吸着層５の疎水性を高め、これにより
十分なＨＣ吸着・脱離浄化を行う。 【解決手段】 ＨＣ吸着能５を、Ａｌ含有量がＡｌ≦
０．０５重量％であるメタロシリケートより構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車等の排気系
統に用いられる排気ガス用ＨＣ（炭化水素）浄化部材、
特に、担体上にＨＣ吸着層を設け、そのＨＣ吸着層上に
ＨＣ酸化層を設けたものの改良に関する。
統に用いられる排気ガス用ＨＣ（炭化水素）浄化部材、
特に、担体上にＨＣ吸着層を設け、そのＨＣ吸着層上に
ＨＣ酸化層を設けたものの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】自動車の排気系統に配設される排気ガス
浄化用触媒としては種々の構成を有するものが知られて
いる。しかしながら、一般の排気ガス浄化用触媒は排気
ガスの温度が高い領域、例えば約１８０℃以上において
酸化による浄化能を発揮するものであるから、エンジン
始動直後の低温で、且つＨＣを高濃度に含む排気ガスに
対しては浄化能が極めて低い。
浄化用触媒としては種々の構成を有するものが知られて
いる。しかしながら、一般の排気ガス浄化用触媒は排気
ガスの温度が高い領域、例えば約１８０℃以上において
酸化による浄化能を発揮するものであるから、エンジン
始動直後の低温で、且つＨＣを高濃度に含む排気ガスに
対しては浄化能が極めて低い。
【０００３】そこで、ＨＣ浄化部材として、低温排気ガ
ス中のＨＣを捕えるべく、ＨＣ吸着層を備え、そのＨＣ
吸着層をアルミノシリケート（ゼオライト）より構成し
たものが知られている（例えば、特開平２−５６２４７
号公報参照）。
ス中のＨＣを捕えるべく、ＨＣ吸着層を備え、そのＨＣ
吸着層をアルミノシリケート（ゼオライト）より構成し
たものが知られている（例えば、特開平２−５６２４７
号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、アルミノシ
リケートは排気ガス中のＨＣと共に水分を吸着するた
め、この水分吸着に伴いＨＣに対する吸着能が減退し、
またＨＣ脱離時に吸着水分も脱離するため、その蒸発に
よる気化熱に起因してＨＣ酸化層の温度を、それが活性
化する温度まで上げにくく、その結果、従来のＨＣ浄化
部材には十分なＨＣ吸着・脱離浄化を期待することがで
きなかった。
リケートは排気ガス中のＨＣと共に水分を吸着するた
め、この水分吸着に伴いＨＣに対する吸着能が減退し、
またＨＣ脱離時に吸着水分も脱離するため、その蒸発に
よる気化熱に起因してＨＣ酸化層の温度を、それが活性
化する温度まで上げにくく、その結果、従来のＨＣ浄化
部材には十分なＨＣ吸着・脱離浄化を期待することがで
きなかった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＨＣ吸着層の
疎水性を高め、これにより十分なＨＣ吸着・脱離浄化を
行うことが可能な前記排気ガス用ＨＣ浄化部材を提供す
ることを目的とする。
疎水性を高め、これにより十分なＨＣ吸着・脱離浄化を
行うことが可能な前記排気ガス用ＨＣ浄化部材を提供す
ることを目的とする。
【０００６】前記目的を達成するため本発明によれば、
担体上にＨＣ吸着層を設け、そのＨＣ吸着層上にＨＣ酸
化層を設けた排気ガス用ＨＣ浄化部材において、前記Ｈ
Ｃ吸着層を、Ａｌ含有量がＡｌ≦０．０５重量％である
メタロシリケートより構成した排気ガス用ＨＣ浄化部材
が提供される。
担体上にＨＣ吸着層を設け、そのＨＣ吸着層上にＨＣ酸
化層を設けた排気ガス用ＨＣ浄化部材において、前記Ｈ
Ｃ吸着層を、Ａｌ含有量がＡｌ≦０．０５重量％である
メタロシリケートより構成した排気ガス用ＨＣ浄化部材
が提供される。
【０００７】前記メタロシリケートは、そのＡｌ含有量
が僅少であることから、高い疎水性を有し、したがって
水分に対する吸着性能は低い。これにより、ＨＣ吸着層
は優先的に、且つ十分にＨＣを吸着する、つまり物理吸
着が十分に発生する。一方、排気ガス温度の上昇に伴い
吸着ＨＣを脱離し、この脱離に際し、水分の脱離量は少
ないので、ＨＣ酸化層の温度上昇を妨げるようなことは
なく、したがって脱離ＨＣの浄化、つまり化学浄化が十
分に行われる。
が僅少であることから、高い疎水性を有し、したがって
水分に対する吸着性能は低い。これにより、ＨＣ吸着層
は優先的に、且つ十分にＨＣを吸着する、つまり物理吸
着が十分に発生する。一方、排気ガス温度の上昇に伴い
吸着ＨＣを脱離し、この脱離に際し、水分の脱離量は少
ないので、ＨＣ酸化層の温度上昇を妨げるようなことは
なく、したがって脱離ＨＣの浄化、つまり化学浄化が十
分に行われる。
【０００８】ただし、Ａｌ含有量がＡｌ＞０．０５重量
％ではメタロシリケートの疎水性が低下する。なお、メ
タロシリケートにおいて、その疎水性向上の観点からは
Ａｌ量はゼロであることが望ましいが、Ａｌはメタロシ
リケート合成において、その原料中に不純物として含ま
れていることからＡｌ量をゼロに抑えることは難しい。
したがって、Ａｌ含有量の下限値は、限りなくゼロに近
い値である、と言える。
％ではメタロシリケートの疎水性が低下する。なお、メ
タロシリケートにおいて、その疎水性向上の観点からは
Ａｌ量はゼロであることが望ましいが、Ａｌはメタロシ
リケート合成において、その原料中に不純物として含ま
れていることからＡｌ量をゼロに抑えることは難しい。
したがって、Ａｌ含有量の下限値は、限りなくゼロに近
い値である、と言える。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１において、ＨＣ浄化部材１
は、担体としてのコージェライト製ハニカム２と、その
ハニカム２の各セル３内面上に設けられたＨＣ浄化用積
層体４とからなる。その積層体４は、セル３内面上のＨ
Ｃ吸着層５と、ＨＣ吸着層５内面上の多孔質ＨＣ酸化層
６とを有する。
は、担体としてのコージェライト製ハニカム２と、その
ハニカム２の各セル３内面上に設けられたＨＣ浄化用積
層体４とからなる。その積層体４は、セル３内面上のＨ
Ｃ吸着層５と、ＨＣ吸着層５内面上の多孔質ＨＣ酸化層
６とを有する。
【００１０】ＨＣ吸着層５はＡｌ含有量がＡｌ≦０．０
５重量％であるメタロシリケートより構成される。この
種のメタロシリケートとしては、骨格構成元素としてＧ
ａおよびＩｎの少なくとも一方を含むＭＦＩ型メタロシ
リケートが用いられる。
５重量％であるメタロシリケートより構成される。この
種のメタロシリケートとしては、骨格構成元素としてＧ
ａおよびＩｎの少なくとも一方を含むＭＦＩ型メタロシ
リケートが用いられる。
【００１１】ＨＣ酸化層６は、触媒素子としてＰｄ、Ｐ
ｔおよびＲｈの少なくとも一種を含有し、また助触媒と
して、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｂａ等の酸化物を含んでいて
もよい。
ｔおよびＲｈの少なくとも一種を含有し、また助触媒と
して、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｂａ等の酸化物を含んでいて
もよい。
【００１２】ＨＣ吸着層５を内側、つまり担体２側に配
置する理由は、その層５の排気ガスによる温度上昇を抑
制して、その層５にＨＣ吸着能を十分に発揮させること
にあり、一方、ＨＣ酸化層６を外側、つまり排気ガス側
に配置する理由は、その層６の排気ガスによる温度上昇
を促進してその層６にＨＣ酸化能を十分に発揮させるこ
とにある。
置する理由は、その層５の排気ガスによる温度上昇を抑
制して、その層５にＨＣ吸着能を十分に発揮させること
にあり、一方、ＨＣ酸化層６を外側、つまり排気ガス側
に配置する理由は、その層６の排気ガスによる温度上昇
を促進してその層６にＨＣ酸化能を十分に発揮させるこ
とにある。
【００１３】以下、具体例について説明する。
【００１４】Ｉ−１．ＭＦＩ型ガリウムシリケートの合
成 （１） ６．５kgの市販コロイダルシリカ（３０重量％
ＳｉＯ2 、０．４重量％Ｎａ2 Ｏ）に、０．４kgのＴＰ
Ａ−Ｂｒ（テトラプロピルアンモニウムブロマイド、テ
ンプレート剤）と、５kgの純水を加えて１１．９kgの第
１の原料を調製した。
成 （１） ６．５kgの市販コロイダルシリカ（３０重量％
ＳｉＯ2 、０．４重量％Ｎａ2 Ｏ）に、０．４kgのＴＰ
Ａ−Ｂｒ（テトラプロピルアンモニウムブロマイド、テ
ンプレート剤）と、５kgの純水を加えて１１．９kgの第
１の原料を調製した。
【００１５】（２） ０．０８kgの塩化ガリウム（Ｇａ
Ｃｌ3 、純度９９．９９９％）に、０．３kgの水酸化ナ
トリウムと、８kgの純水を加えて８．３８kgの第２の原
料を調製した。
Ｃｌ3 、純度９９．９９９％）に、０．３kgの水酸化ナ
トリウムと、８kgの純水を加えて８．３８kgの第２の原
料を調製した。
【００１６】（３） 第１の原料をステンレス製容器に
入れ、その第１の原料を攪拌しながらそれに第２の原料
を徐々に加えた。
入れ、その第１の原料を攪拌しながらそれに第２の原料
を徐々に加えた。
【００１７】（４） 第１，２の原料よりなる混合物を
３０分間攪拌して、全体に亘り均一なガリウムシリケー
トアルカリゲルを得た。このアルカリゲルの組成は次の
通りであった。ＳｉＯ2 ／Ｇａ2 Ｏ3 モル比＝７５０、
Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３３、Ｈ2 Ｏ／Ｎａ
2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／ＳｉＯ2 モル比＝
０．０５ （５） 前記アルカリゲルをオートクレーブに投入し、
攪拌しつつ１７０℃に２４時間保持して結晶化を行い、
これにより結晶スラリを得た。
３０分間攪拌して、全体に亘り均一なガリウムシリケー
トアルカリゲルを得た。このアルカリゲルの組成は次の
通りであった。ＳｉＯ2 ／Ｇａ2 Ｏ3 モル比＝７５０、
Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３３、Ｈ2 Ｏ／Ｎａ
2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／ＳｉＯ2 モル比＝
０．０５ （５） 前記アルカリゲルをオートクレーブに投入し、
攪拌しつつ１７０℃に２４時間保持して結晶化を行い、
これにより結晶スラリを得た。
【００１８】（６） 結晶スラリに固液分離処理を施し
て固体成分を得、次いで固体成分を洗浄し、その後濾過
を行ってケーキを得た。
て固体成分を得、次いで固体成分を洗浄し、その後濾過
を行ってケーキを得た。
【００１９】（７） ケーキを１１０℃にて２４時間乾
燥し、次いでケーキを、電気炉を用いて５５０℃にて１
２時間焼成し、その後焼成物を粉砕して、約１．３kgの
粉末状ＭＦＩ型ガリウムシリケートを得た。
燥し、次いでケーキを、電気炉を用いて５５０℃にて１
２時間焼成し、その後焼成物を粉砕して、約１．３kgの
粉末状ＭＦＩ型ガリウムシリケートを得た。
【００２０】このＭＦＩ型ガリウムシリケートにおける
Ｇａ含有量はＧａ＝０．４重量％、Ａｌ含有量はＡｌ＝
０．０４重量％であった。このＡｌは市販コロイダルシ
リカに混入していたものと考えられる。
Ｇａ含有量はＧａ＝０．４重量％、Ａｌ含有量はＡｌ＝
０．０４重量％であった。このＡｌは市販コロイダルシ
リカに混入していたものと考えられる。
【００２１】Ｉ−２．ＭＦＩ型インジウムシリケートの
合成 前記Ｉ−１項における塩化ガリウムの代りに塩化インジ
ウム（ＩｎＣｌ3 、純度９９．９９９％）を用い、それ
以外は前記Ｉ−１項と同様の方法で、約１．３kgの粉末
状ＭＦＩ型インジウムアルミノシリケートを得た。
合成 前記Ｉ−１項における塩化ガリウムの代りに塩化インジ
ウム（ＩｎＣｌ3 、純度９９．９９９％）を用い、それ
以外は前記Ｉ−１項と同様の方法で、約１．３kgの粉末
状ＭＦＩ型インジウムアルミノシリケートを得た。
【００２２】この場合、インジウムシリケートアルカリ
ゲルの組成は次の通りであった。ＳｉＯ2 ／Ｉｎ2 Ｏ3
モル比＝７５０、Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３
３、Ｈ2 Ｏ／Ｎａ2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／
ＳｉＯ2 モル比＝０．０５このＭＦＩ型インジウムシリ
ケートにおけるＩｎ含有量はＩｎ＝０．６重量％、Ａｌ
含有量はＡｌ＝０．０４重量％であった。
ゲルの組成は次の通りであった。ＳｉＯ2 ／Ｉｎ2 Ｏ3
モル比＝７５０、Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３
３、Ｈ2 Ｏ／Ｎａ2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／
ＳｉＯ2 モル比＝０．０５このＭＦＩ型インジウムシリ
ケートにおけるＩｎ含有量はＩｎ＝０．６重量％、Ａｌ
含有量はＡｌ＝０．０４重量％であった。
【００２３】Ｉ−３．ＭＦＩ型アルミノシリケートの合
成 前記Ｉ−１項における塩化ガリウムの代りにアルミン酸
ナトリウム（５２．７重量％Ａｌ2 Ｏ3 、４１．９重量
％Ｎａ2 Ｏ）を用いた以外は、前記Ｉ−１項と同様の方
法で、約１．３kgの粉末状ＭＦＩ型アルミノシリケート
（ＺＳＭ−５ゼオライト）を得た。
成 前記Ｉ−１項における塩化ガリウムの代りにアルミン酸
ナトリウム（５２．７重量％Ａｌ2 Ｏ3 、４１．９重量
％Ｎａ2 Ｏ）を用いた以外は、前記Ｉ−１項と同様の方
法で、約１．３kgの粉末状ＭＦＩ型アルミノシリケート
（ＺＳＭ−５ゼオライト）を得た。
【００２４】この場合、アルミノシリケートアルカリゲ
ルの組成は次の通りであった。ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 モ
ル比＝７５０、Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３
３、Ｈ 2 Ｏ／Ｎａ2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／
ＳｉＯ2 モル比＝０．０５またＭＦＩ型アルミノシリケ
ートにおけるＡｌ含有量はＡｌ＝０．２重量％であっ
た。
ルの組成は次の通りであった。ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 モ
ル比＝７５０、Ｎａ2 Ｏ／ＳｉＯ2 モル比＝０．１３
３、Ｈ 2 Ｏ／Ｎａ2 Ｏモル比＝２２６、ＴＰＡ−Ｂｒ／
ＳｉＯ2 モル比＝０．０５またＭＦＩ型アルミノシリケ
ートにおけるＡｌ含有量はＡｌ＝０．２重量％であっ
た。
【００２５】Ｉ−４．Ａｌ含有量 前記Ｉ−１項で述べたＭＦＩ型ガリウムシリケートの合
成において、そのアルカリゲルにアルミナをその添加量
を変えて混入することにより、Ａｌ含有量を異にする各
種ＭＦＩ型ガリウムシリケートを得た。
成において、そのアルカリゲルにアルミナをその添加量
を変えて混入することにより、Ａｌ含有量を異にする各
種ＭＦＩ型ガリウムシリケートを得た。
【００２６】各ＭＦＩ型ガリウムシリケートを、温度４
０℃、湿度９０％の雰囲気に７０時間放置し、その後、
各ＭＦＩ型ガリウムシリケートにおけるＡｌ含有量と吸
水率との関係を求めたところ、図２の結果を得た。図２
より、Ａｌ含有量をＡｌ≦０．０５重量％に設定する
と、ＭＦＩ型ガリウムシリケートの疎水性が大いに向上
することが判る。
０℃、湿度９０％の雰囲気に７０時間放置し、その後、
各ＭＦＩ型ガリウムシリケートにおけるＡｌ含有量と吸
水率との関係を求めたところ、図２の結果を得た。図２
より、Ａｌ含有量をＡｌ≦０．０５重量％に設定する
と、ＭＦＩ型ガリウムシリケートの疎水性が大いに向上
することが判る。
【００２７】Ｉ−５．ＨＣ脱離特性 ＭＦＩ型ガリウムシリケート、ＭＦＩ型インジウムシリ
ケートおよびＭＦＩ型アルミノシリケートに、空気中、
５００℃、５時間の条件で熱処理を施した。
ケートおよびＭＦＩ型アルミノシリケートに、空気中、
５００℃、５時間の条件で熱処理を施した。
【００２８】１００ppm Ｃ7 Ｈ14および残部Ｎ2 よりな
り、水分を含まない第１の雰囲気と、１００ppm Ｃ7 Ｈ
14、１０体積％Ｈ2 Ｏおよび残部Ｎ2 よりなり、水分を
含む第２の雰囲気を用意した。第１の雰囲気にＭＦＩ型
ガリウムシリケート、ＭＦＩ型インジウムシリケートお
よびＭＦＩ型アルミノシリケートをそれぞれ２０時間放
置して、それらシリケートに水分無しの状況下でＣ7 Ｈ
14を吸着させた。同様に第２の雰囲気に、前記三種のシ
リケートをそれぞれ２０時間放置して、それらシリケー
トに水分有りの状況下でＣ7 Ｈ14を吸着させた。
り、水分を含まない第１の雰囲気と、１００ppm Ｃ7 Ｈ
14、１０体積％Ｈ2 Ｏおよび残部Ｎ2 よりなり、水分を
含む第２の雰囲気を用意した。第１の雰囲気にＭＦＩ型
ガリウムシリケート、ＭＦＩ型インジウムシリケートお
よびＭＦＩ型アルミノシリケートをそれぞれ２０時間放
置して、それらシリケートに水分無しの状況下でＣ7 Ｈ
14を吸着させた。同様に第２の雰囲気に、前記三種のシ
リケートをそれぞれ２０時間放置して、それらシリケー
トに水分有りの状況下でＣ7 Ｈ14を吸着させた。
【００２９】その後、各シリケートについて、Ｈｅ流量
２９ml／min 、各シリケートの昇温速度５℃／min の条
件下で、ＴＰＤ（Thermo Programed Detector)分析を行
ってＨＣの脱離特性を調べたところ、図３〜５の結果を
得た。
２９ml／min 、各シリケートの昇温速度５℃／min の条
件下で、ＴＰＤ（Thermo Programed Detector)分析を行
ってＨＣの脱離特性を調べたところ、図３〜５の結果を
得た。
【００３０】図３，４から明らかなように、ＭＦＩ型ガ
リウムシリケートおよびＭＦＩ型インジウムシリケート
の場合は、それらが、Ａｌ含有量≦０．０５重量％であ
って、高い疎水性を有することから、水分有りの状況下
でＨＣ吸着を行った後のＨＣ脱離特性と、水分無しの状
況下でのそれとが略一致していて変化がない。ところ
が、図５に示すように、ＭＦＩ型アルミノシリケートの
場合は、水分の有無によってＨＣ脱離特性に比較的大き
な差異を生じる。これは、ＭＦＩ型アルミノシリケート
の疎水性が低いため、水分有りの状況下では水分無しの
状況下に比べてＨＣ吸着量が少なくなることに起因す
る。
リウムシリケートおよびＭＦＩ型インジウムシリケート
の場合は、それらが、Ａｌ含有量≦０．０５重量％であ
って、高い疎水性を有することから、水分有りの状況下
でＨＣ吸着を行った後のＨＣ脱離特性と、水分無しの状
況下でのそれとが略一致していて変化がない。ところ
が、図５に示すように、ＭＦＩ型アルミノシリケートの
場合は、水分の有無によってＨＣ脱離特性に比較的大き
な差異を生じる。これは、ＭＦＩ型アルミノシリケート
の疎水性が低いため、水分有りの状況下では水分無しの
状況下に比べてＨＣ吸着量が少なくなることに起因す
る。
【００３１】Ｉ−６．ＨＣ酸化層と水分との関係 〔Ａ〕 ＨＣ酸化層の作製 （１） γ−アルミナ、硝酸パラジウム、ＳｉＯ2 ゾル
および水を、重量比で、１０：３．３：０．７：３０の
割合となるように秤量してそれらを混合し、次いで混合
物に所定量のアルミナボールを混入し、その後ボールミ
ルにて混合粉砕を行ってパラジウムスラリを得た。
および水を、重量比で、１０：３．３：０．７：３０の
割合となるように秤量してそれらを混合し、次いで混合
物に所定量のアルミナボールを混入し、その後ボールミ
ルにて混合粉砕を行ってパラジウムスラリを得た。
【００３２】（２） パラジウムスラリ中にコージェラ
イト製ハニカムを浸漬して各セル内面上にパラジウムス
ラリを付着させた。
イト製ハニカムを浸漬して各セル内面上にパラジウムス
ラリを付着させた。
【００３３】（３） パラジウムスラリを室温にて乾燥
し、次いでハニカムを電気炉内に設置し、空気中にて、
１００℃、２００℃、３００℃、６００℃の各温度で１
時間の焼成を行ってＰｄを含むＨＣ酸化層６を得た。こ
の場合、Ｐｄ担持量は７．７ｇ／リットルであった。
し、次いでハニカムを電気炉内に設置し、空気中にて、
１００℃、２００℃、３００℃、６００℃の各温度で１
時間の焼成を行ってＰｄを含むＨＣ酸化層６を得た。こ
の場合、Ｐｄ担持量は７．７ｇ／リットルであった。
【００３４】〔Ｂ〕 ＨＣ酸化層のＨＣ浄化能 表１に示すように、水分を０、１０、２０体積％の変量
としたテスト用ガスを調製した。
としたテスト用ガスを調製した。
【００３５】
【表１】
【００３６】テスト用ガスをハニカム内に空間速度Ｓ．
Ｖ．＝５００００ｈ-1で流通させると共にテスト用ガス
の温度を常温〜３００℃まで２０℃／sec で昇温させ、
この間のＨＣ浄化率を測定したところ、図６の結果を得
た。
Ｖ．＝５００００ｈ-1で流通させると共にテスト用ガス
の温度を常温〜３００℃まで２０℃／sec で昇温させ、
この間のＨＣ浄化率を測定したところ、図６の結果を得
た。
【００３７】図６から明らかなように、テスト用ガス中
の水分量が増すと、ガス温度約１７５〜約２５０℃の範
囲で同一ガス温度におけるＨＣ浄化率が低くなる。この
ことから、ＨＣ酸化層の活性は水分の影響を受け、水分
が少ない方が高活性であることが判る。
の水分量が増すと、ガス温度約１７５〜約２５０℃の範
囲で同一ガス温度におけるＨＣ浄化率が低くなる。この
ことから、ＨＣ酸化層の活性は水分の影響を受け、水分
が少ない方が高活性であることが判る。
【００３８】II−１．ＨＣ浄化部材の調製 〔Ａ〕 実施例 （１） ＭＦＩ型ガリウムシリケート、ＳｉＯ2 ゾルお
よび水を、重量比で１０：１：１０の割合となるように
秤量してそれらを混合し、次いで混合物に所定量のアル
ミナボールを混入し、その後ボールミルにて混合粉砕を
行ってシリケートスラリを得た。
よび水を、重量比で１０：１：１０の割合となるように
秤量してそれらを混合し、次いで混合物に所定量のアル
ミナボールを混入し、その後ボールミルにて混合粉砕を
行ってシリケートスラリを得た。
【００３９】（２） シリケートスラリ中にコージェラ
イト製ハニカム２を浸漬して各セル３内面上にシリケー
トスラリを付着させた。
イト製ハニカム２を浸漬して各セル３内面上にシリケー
トスラリを付着させた。
【００４０】（３） シリケートスラリを室温にて乾燥
し、次いでハニカム２を電気炉内に設置し、空気中に
て、１００℃、２００℃、３００℃、６００℃の各温度
で１時間の焼成を行ってＨＣ吸着層５を得た。この場
合、ＨＣ吸着層５の担持量は１１０ｇ／リットルであっ
た。
し、次いでハニカム２を電気炉内に設置し、空気中に
て、１００℃、２００℃、３００℃、６００℃の各温度
で１時間の焼成を行ってＨＣ吸着層５を得た。この場
合、ＨＣ吸着層５の担持量は１１０ｇ／リットルであっ
た。
【００４１】（４） 前記Ｉ−６項で述べたものと同様
のパラジウムスラリ中に、ＨＣ吸着層５を有するハニカ
ム２を浸漬して各セル３内のＨＣ吸着層５内面上にパラ
ジウムスラリを付着させた。
のパラジウムスラリ中に、ＨＣ吸着層５を有するハニカ
ム２を浸漬して各セル３内のＨＣ吸着層５内面上にパラ
ジウムスラリを付着させた。
【００４２】（５） パラジウムスラリを室温にて乾燥
し、次いでハニカムを電気炉内に設置し、空気中にて、
１００℃、２００℃、３００℃、６００℃の各温度で１
時間の焼成を行ってＰｄを含むＨＣ酸化層６を得た。こ
の場合、ＨＣ酸化層６の担持量は５７ｇ／リットルであ
った。
し、次いでハニカムを電気炉内に設置し、空気中にて、
１００℃、２００℃、３００℃、６００℃の各温度で１
時間の焼成を行ってＰｄを含むＨＣ酸化層６を得た。こ
の場合、ＨＣ酸化層６の担持量は５７ｇ／リットルであ
った。
【００４３】〔Ｂ〕 比較例 前記〔Ａ〕項におけるＭＦＩ型ガリウムシリケートの代
わりに前記ＭＦＩ型アルミノシリケートを用いた、とい
うこと以外は前記〔Ａ〕項と同様の作業を行ってＨＣ浄
化部材１を得た。この場合、ＨＣ吸着層５の担持量は１
１０ｇ／リットルであり、またＨＣ酸化層６の担持量は
６０ｇ／リットルであった。
わりに前記ＭＦＩ型アルミノシリケートを用いた、とい
うこと以外は前記〔Ａ〕項と同様の作業を行ってＨＣ浄
化部材１を得た。この場合、ＨＣ吸着層５の担持量は１
１０ｇ／リットルであり、またＨＣ酸化層６の担持量は
６０ｇ／リットルであった。
【００４４】II−２．ＨＣ浄化能 実施例に係るＨＣ浄化部材１をエンジン（排気量２２０
０cc）の排気系統に組込んで、エンジンの始動初期にお
けるＨＣ浄化率を測定した。また比較例に係るＨＣ浄化
部材１を用いて前記同様の測定を行った。
０cc）の排気系統に組込んで、エンジンの始動初期にお
けるＨＣ浄化率を測定した。また比較例に係るＨＣ浄化
部材１を用いて前記同様の測定を行った。
【００４５】図７は、エンジン運転時間と、ＨＣ浄化率
およびＨＣ酸化層の温度との関係を示す。図７におい
て、エンジン運転時間１２sec が物理吸着と化学浄化の
分岐点となっていて、実施例および比較例のＨＣ浄化率
は最低となる。
およびＨＣ酸化層の温度との関係を示す。図７におい
て、エンジン運転時間１２sec が物理吸着と化学浄化の
分岐点となっていて、実施例および比較例のＨＣ浄化率
は最低となる。
【００４６】実施例ではＨＣ浄化率の下限値が約６０％
であり、その後はＨＣ酸化層６の温度上昇に伴いＨＣ浄
化率も急激に高くなってエンジン運転時間４０sec では
９０％以上のＨＣ浄化率を示す。
であり、その後はＨＣ酸化層６の温度上昇に伴いＨＣ浄
化率も急激に高くなってエンジン運転時間４０sec では
９０％以上のＨＣ浄化率を示す。
【００４７】比較例ではＨＣ浄化率の下限値が約３５％
と低く、またその後もＨＣ浄化率はそれ程上昇せず、エ
ンジン運転時間４０sec でもＨＣ浄化率は約８０％であ
る。
と低く、またその後もＨＣ浄化率はそれ程上昇せず、エ
ンジン運転時間４０sec でもＨＣ浄化率は約８０％であ
る。
【００４８】エンジン始動初期におけるＨＣ浄化率につ
いて、実施例と比較例との間に前記のような差異が生じ
る理由は、実施例ではＨＣ吸着層５の疎水性が高く、一
方、比較例ではＨＣ吸着層５の疎水性が低いからであ
る。
いて、実施例と比較例との間に前記のような差異が生じ
る理由は、実施例ではＨＣ吸着層５の疎水性が高く、一
方、比較例ではＨＣ吸着層５の疎水性が低いからであ
る。
【００４９】なお、ＭＦＩ型ガリウムシリケートにおい
て、そのＧａ含有量は０．０１重量％≦Ｇａ≦０．５重
量％が適当である。Ｇａ含有量がＧａ＜０．０１重量％
では結晶性が悪くなり、一方、Ｇａ＞０．５重量％では
ＳｉＯ2 ／Ｇａ2 Ｏ3 モル比が小さくなるためＨＣに対
する選択吸着性能が低下する。
て、そのＧａ含有量は０．０１重量％≦Ｇａ≦０．５重
量％が適当である。Ｇａ含有量がＧａ＜０．０１重量％
では結晶性が悪くなり、一方、Ｇａ＞０．５重量％では
ＳｉＯ2 ／Ｇａ2 Ｏ3 モル比が小さくなるためＨＣに対
する選択吸着性能が低下する。
【００５０】またＭＦＩ型インジウムシリケートにおい
て、そのＩｎ含有量は０．０１重量％≦Ｉｎ≦０．６重
量％が適当である。Ｉｎ含有量がＩｎ＜０．０１重量％
では結晶化度が低く構造が不安定であり、一方、Ｉｎ＞
０．６重量％ではＳｉＯ2 ／Ｉｎ2 Ｏ3 モル比が小さく
なるためＨＣに対する選択吸着性能が低下する。
て、そのＩｎ含有量は０．０１重量％≦Ｉｎ≦０．６重
量％が適当である。Ｉｎ含有量がＩｎ＜０．０１重量％
では結晶化度が低く構造が不安定であり、一方、Ｉｎ＞
０．６重量％ではＳｉＯ2 ／Ｉｎ2 Ｏ3 モル比が小さく
なるためＨＣに対する選択吸着性能が低下する。
【００５１】ＭＦＩ型メタロシリケートは骨格構成元素
としてＧａおよびＩｎの両方を含んでいてもよい。
としてＧａおよびＩｎの両方を含んでいてもよい。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、前記のように構成する
ことによって、十分なＨＣ吸着．脱離浄化を行うことが
可能な排気ガス用ＨＣ浄化部材を提供することができ
る。
ことによって、十分なＨＣ吸着．脱離浄化を行うことが
可能な排気ガス用ＨＣ浄化部材を提供することができ
る。
【図１】ＨＣ浄化部材の要部断面図である。
【図２】Ａｌ含有量と吸水率との関係を示すグラフであ
る。
る。
【図３】ＴＰＤ分析結果の第１例を示すグラフである。
【図４】ＴＰＤ分析結果の第２例を示すグラフである。
【図５】ＴＰＤ分析結果の第３例を示すグラフである。
【図６】ガス温度とＨＣ浄化率との関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図７】エンジン運転時間と、ＨＣ浄化率およびＨＣ酸
化層の温度との関係を示すグラフである。
化層の温度との関係を示すグラフである。
１ ＨＣ浄化部材 ２ ハニカム（担体） ５ ＨＣ吸着層 ６ ＨＣ酸化層
【手続補正書】
【提出日】平成９年１１月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
フロントページの続き (72)発明者 菊池 伸一 埼玉県和光市中央１丁目４番１号 株式会 社本田技術研究所内 (72)発明者 若林 光男 埼玉県和光市中央１丁目４番１号 株式会 社本田技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 担体（２）上にＨＣ吸着層（５）を設
け、そのＨＣ吸着層（５）上にＨＣ酸化層（６）を設け
た排気ガス用ＨＣ浄化部材において、前記ＨＣ吸着層
（５）を、Ａｌ含有量がＡｌ≦０．０５重量％であるメ
タロシリケートより構成したことを特徴とする排気ガス
用ＨＣ浄化部材。 - 【請求項２】 前記メタロシリケートは、骨格構成元素
としてＧａおよびＩｎの少なくとも一方を含むＭＦＩ型
メタロシリケートである、請求項１記載の排気ガス用Ｈ
Ｃ浄化部材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14553897A JP3382504B2 (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 排気ガス用ｈｃ浄化部材 |
| US09/041,102 US6117400A (en) | 1997-06-03 | 1998-03-12 | HC emission control member for exhaust gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14553897A JP3382504B2 (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 排気ガス用ｈｃ浄化部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10328559A true JPH10328559A (ja) | 1998-12-15 |
| JP3382504B2 JP3382504B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=15387517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14553897A Expired - Fee Related JP3382504B2 (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 排気ガス用ｈｃ浄化部材 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6117400A (ja) |
| JP (1) | JP3382504B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008000704A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 炭化水素吸着材および当該吸着材を使用した炭化水素の吸着方法 |
| JP2012526785A (ja) * | 2009-05-14 | 2012-11-01 | ビーピー ケミカルズ リミテッド | カルボニル化プロセス |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE602005009961D1 (de) * | 2004-07-26 | 2008-11-06 | Dow Global Technologies Inc | Verbesserter katalysierter russfilter |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256247A (ja) * | 1988-05-17 | 1990-02-26 | Toyota Motor Corp | 排気浄化用触媒 |
| JPH04118053A (ja) * | 1989-12-29 | 1992-04-20 | Tokyo Roki Kk | エンジンの排気ガス浄化用触媒 |
| US5125231A (en) * | 1990-06-08 | 1992-06-30 | Corning Incorporated | Dual converter engine exhaust system for reducing hydrocarbon emissions |
| JPH04371231A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-24 | N E Chemcat Corp | 排気ガス浄化用触媒 |
| EP0593898B1 (en) * | 1992-10-20 | 1997-01-29 | Corning Incorporated | Exhaust gas conversion method and apparatus using thermally stable zeolites |
| AU702870B2 (en) * | 1995-06-08 | 1999-03-11 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Process for production of (poly)alkylene glycol monoalkyl ether |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP14553897A patent/JP3382504B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-12 US US09/041,102 patent/US6117400A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008000704A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | 炭化水素吸着材および当該吸着材を使用した炭化水素の吸着方法 |
| JP2012526785A (ja) * | 2009-05-14 | 2012-11-01 | ビーピー ケミカルズ リミテッド | カルボニル化プロセス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6117400A (en) | 2000-09-12 |
| JP3382504B2 (ja) | 2003-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |