JPH10327424A

JPH10327424A - 電子ビーム照射位置の補正装置

Info

Publication number: JPH10327424A
Application number: JP13152397A
Authority: JP
Inventors: Susumu Shimoyanagida; 進下柳田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-05-22
Filing date: 1997-05-22
Publication date: 1998-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】陰極線管の設置場所や設置方向を変えても電
子ビームが地磁気から受ける影響を自動的に補正するこ
とができる電子ビーム照射位置の補正装置を提供する。【解決手段】陰極線管１の電子銃４から出射された電
子ビーム５による照射位置６を補正するキャンセルコイ
ル７を有する補正装置において、陰極線管１の表示面２
にほぼ垂直な方向の磁束成分を検出するＧＭＲ素子３
と、このＧＭＲ素子３によって検出される磁束成分に基
づいてキャンセルコイル７に流される電流の値と方向を
制御する制御回路８とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管（以下
「ＣＲＴ」という。）を組み込んだテレビやモニターに
おいて、地磁気等の外部磁界がＣＲＴの表示面における
電子ビームの照射位置に与える影響を自動的に軽減する
電子ビーム照射位置の補正装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１０（ａ）は、ＣＲＴの表示面２を南
に向けたときに地磁気により電子ビームに作用する力Ｆ
₁を示す（ＣＲＴの表示面２を正面から見ている）説明
図である。同図（ａ）に示されるように、ＣＲＴの表示
面２を南に向けたときには、地磁気の磁力線Ｈ₁の方向
はＣＲＴの外部から表示面２に向かう方向となり、フレ
ミングの法則により、電子ビームには、表示面２の中心
を軸とする時計方向の力Ｆ₁が作用する。

【０００３】また、図１０（ｂ）は、ＣＲＴの表示面２
を北に向けたときに地磁気により電子ビームに作用する
力Ｆ₂を示す（ＣＲＴの表示面２を正面から見ている）
説明図である。同図（ｂ）に示されるように、ＣＲＴの
表示面２を北に向けたときには、地磁気の磁力線Ｈ₁の
方向はＣＲＴの内部から表示面２に向かう方向となり、
フレミングの法則により、電子ビームには、表示面２の
中心を軸とする反時計方向の力Ｆ₂が作用する。

【０００４】従って、図１１（ａ）に示されるように、
ＣＲＴの蛍光体上（Ｒ，Ｇ，Ｂで示す。）に照射される
べき電子ビーム４０が、図１１（ｂ）に示されるよう
に、水平方向にずれ、ガードバンド４１を超えて隣の蛍
光体にまで電子ビームが照射され、色純度不良による色
再生品質の低下を招くという問題があった。

【０００５】尚、ＣＲＴの表示面２を東又は西に向けた
ときには、地磁気により電子ビームが受ける力は上又は
下向きであるので、色再生品質の低下を生じにくい。

【０００６】上記した地磁気に起因する色再生品質の劣
化の問題を解消するため、図１２の回路図に示されるよ
うな電子ビーム照射位置の補正装置が提案されている。
同図に示されるように、この補正装置においては、ＣＲ
Ｔの外周に巻かれたキャンセルコイル７に流される電流
の強さを、強度スイッチ５１を強、弱、切のいずれかに
切り替えることによって設定する。また、キャンセルコ
イル７に流される電流の方向を、方向スイッチ５２を図
１２の実線の状態又は破線の状態のいずれかにすること
によって切り替える。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の電子ビーム照射位置の補正装置においては、Ｃ
ＲＴの設置場所や設置方向を変えるたびに、使用者が、
キャンセルコイル７に流す電流の方向や強度を変更しな
ければ、色再生品質の劣化の問題を解消できなかった。

【０００８】そこで、本発明は、ＣＲＴの設置場所や設
置方向を変えても電子ビームが地磁気等の外部磁界から
受ける影響を自動的に補正することができる電子ビーム
照射位置の補正装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の電子ビーム照
射位置の補正装置は、陰極線管の電子銃から出射された
電子ビームによる照射位置を補正するキャンセルコイル
を有し、上記陰極線管の表示面にほぼ垂直な方向の磁束
成分を検出する磁気センサーと、上記磁気センサーによ
って検出される磁束成分に基づいて上記キャンセルコイ
ルに流される電流の値と方向を制御する制御回路とを有
することを特徴としている。

【００１０】また、請求項２の電子ビーム照射位置の補
正装置は、請求項１の装置において、上記磁気センサー
が上記陰極線管の外部から上記表示面に向かう方向の磁
束成分を検出したときに、上記制御回路は、上記陰極線
管の外部から上記表示面を見たときに上記表示面の中心
を軸とする反時計方向の力を上記電子ビームに付与する
ように、上記キャンセルコイルに流される電流の方向を
設定することを特徴としている。

【００１１】また、請求項３の電子ビーム照射位置の補
正装置は、請求項１又は２の装置において、上記磁気セ
ンサーが上記陰極線管の内部から上記表示面に向かう方
向の磁束成分を検出したときに、上記制御回路は、上記
陰極線管の外部から上記表示面を見たときに上記表示面
の中心を軸とする時計方向の力を上記電子ビームに付与
するように、上記キャンセルコイルに流される電流の方
向を設定することを特徴としている。

【００１２】また、請求項４の電子ビーム照射位置の補
正装置は、請求項１乃至３のいずれかの装置において、
上記磁気センサーが、検出される磁束成分の強度に応じ
て抵抗値を変える抵抗素子を有し、上記制御回路が、上
記抵抗素子に直列に接続された基準抵抗器と、直列に接
続された上記抵抗素子及び上記基準抵抗器の両端に一定
の電圧を印加する定電圧源と、上記抵抗素子と上記基準
抵抗器との接続点の電圧を増幅して上記キャンセルコイ
ルに印加する増幅回路とを有することを特徴としてい
る。

【００１３】また、請求項５の電子ビーム照射位置の補
正装置は、請求項１乃至３のいずれかの装置において、
上記磁気センサーが、検出される磁束成分の強度に応じ
て抵抗値を変える第１及び第２の抵抗素子を有し、上記
第１及び第２の抵抗素子が直列に接続されており、上記
第１及び第２の抵抗素子の一方が抵抗値を上げるとき
に、他方が抵抗値を下げるように上記第１及び第２の抵
抗素子を配置し、上記制御回路が、直列に接続された上
記第１及び第２の抵抗素子の両端に一定の電圧を印加す
る定電圧源と、上記第１及び第２の抵抗素子の接続点の
電圧を増幅して上記キャンセルコイルに印加する増幅回
路とを有することを特徴としている。

【００１４】また、請求項６の電子ビーム照射位置の補
正装置は、請求項４又は５の装置において、手動で出力
電圧を設定する電圧設定手段と、上記増幅回路の入力を
上記接続点又は上記電圧設定手段の出力端子のいずれか
に切り替える切替スイッチとを有することを特徴として
いる。

【００１５】また、請求項７の電子ビーム照射位置の補
正装置は、請求項１乃至６のいずれかの装置において、
上記陰極線管のシャドウマスクの着磁を消去する消磁コ
イルに電流が流れている間、上記キャンセルコイルに電
流を流さない消磁制御回路を有することを特徴としてい
る。

【００１６】また、請求項８の電子ビーム照射位置の補
正装置は、請求項４又は５の装置において、上記抵抗素
子が、ＧＭＲ素子であることを特徴としている。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面を参照しながら説明する。

【００１８】実施の形態１図１（ａ）は、本発明の実施の形態１による電子ビーム
照射位置の補正装置（ＣＲＴの表示面を南に向けて置い
た場合）を概略的に示す構成図であり、図１（ｂ）は、
図１（ａ）に示されるようにＣＲＴを置いたときにキャ
ンセルコイルが作る磁界により電子ビームに作用する力
を示す（ＣＲＴの表示面を正面から見ている）図であ
る。また、図２（ａ）は、実施の形態１の電子ビーム照
射位置の補正装置（表示面を北に向けて置いた場合）を
概略的に示す構成図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）
に示されるようにＣＲＴを置いたときにキャンセルコイ
ルが作る磁界により電子ビームに作用する力を示す（Ｃ
ＲＴの表示面を正面から見ている）図である。

【００１９】図１（ａ）及び図２（ａ）に示されるよう
に、実施の形態１の電子ビーム照射位置の補正装置は、
ＣＲＴ１の表示面２にほぼ垂直な方向の磁束成分を検出
するように配置された磁気センサーとしてのＧＭＲ（Ｇ
ｉａｎｔＭａｇｎｅｔｉｃＲｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素
子３と、電流を流すことにより、ＣＲＴ１の電子銃４か
ら出射された電子ビーム５による表示面２の照射位置６
を補正するキャンセルコイル７と、ＧＭＲ素子３によっ
て検出される磁束成分に基づいてキャンセルコイル７に
流される電流の値と方向を制御する制御回路８とを有す
る。

【００２０】図３は、実施の形態１の電子ビーム照射位
置の補正装置の構成を概略的に示す回路図である。図３
に示されるように、この制御回路８は、ＧＭＲ素子３の
一方の端子３ａに接続された可変抵抗器１１と、この可
変抵抗器１１に正電圧を印加する直流電源１２と、ＧＭ
Ｒ素子３の他方の端子３ｂに負電圧を印加する直流電源
１３とを有する。また、制御回路８は、ＧＭＲ素子３の
一方の端子３ａに接続された＋端子を持つオペアンプ１
４と、オペアンプ１４の出力を−端子に帰還させる帰還
抵抗１５及び帰還コンデンサ１６と、オペアンプ１４の
−端子とアースとの間に備えられた抵抗１７とを有す
る。

【００２１】図４は、図１乃至図３に示されたＧＭＲ素
子３の特性を示す図である。ＧＭＲ素子３は、０．１ガ
ウス程度以上の磁界の変化に対応して端子３ａ及び３ｂ
間の抵抗値を変える特性を持つ。図４に示されるよう
に、実施の形態１による電子ビーム照射位置の補正装置
においては、ＣＲＴ１の表示面２を南（即ち、地球のＮ
極）に向けた場合にＧＭＲ素子３の抵抗値Ｒ₃が高くな
り、表示面２を東又は西に向けた場合にＧＭＲ素子３の
抵抗値Ｒ₃が中位の値Ｒ₀となり、表示面２を北（即ち、
地球のＳ極）に向けた場合にＧＭＲ素子３の抵抗値Ｒ₃
が低くなるように、ＣＲＴ１に対するＧＭＲ素子３の取
付方向を設定する。また、図３において、可変抵抗器１
１の抵抗値は、表示面２を東又は西に向けたときに、オ
ペアンプ１４の＋端子が０［Ｖ］となるように設定す
る。

【００２２】次に、上記構成を有する実施の形態１の電
子ビーム照射位置の補正装置の動作について説明する。

【００２３】ＣＲＴ１の表示面２を南に向けた場合に
は、地磁気による磁力線は図１（ａ）にＨ₁で示すよう
に、ＣＲＴ１の外部から表示面２に向かう方向となり、
図１０（ａ）に示されるように、電子ビームには地磁気
による時計方向の力Ｆ₁が作用する。この時、ＧＭＲ素
子３は磁力線Ｈ₁で示される地磁気を検出し、検出され
た地磁気の強さに応じて抵抗値Ｒ₃を高くするので、オ
ペアンプ１４の＋端子に印加される電圧Ｖ₁は検出され
た地磁気の強さに応じた値を持つ正電圧となる。このた
め、オペアンプ１４の出力電圧Ｖ₂も検出された地磁気
の強さに応じた値を持つ正電圧となり、キャンセルコイ
ル７には、検出された地磁気の強さに応じた値を持つ電
流Ｉ₁が流れる。図１（ａ）に示されるように、キャン
セルコイル７に電流Ｉ₁が流されたときには、フレミン
グの法則により、図１（ｂ）に示されるように、表示面
２に入射する電子ビームには表示面２の中心を軸として
反時計方向の力Ｆ₃が作用し、この力Ｆ₃は検出された地
磁気の強さに応じた値を持つ。このため、図１０（ａ）
に示される地磁気により電子ビーム５に作用する力Ｆ₁
とキャンセルコイル７に流される電流Ｉ₁により電子ビ
ーム５に作用する力Ｆ₃とが互いに打ち消し合うように
制御回路８を設定することによって、地磁気が電子ビー
ムの照射位置に与える影響を自動的に打ち消すことがで
きる。

【００２４】逆に、ＣＲＴ１の表示面２を北に向けた場
合には、地磁気による磁力線は図２（ａ）にＨ₁で示す
ように、ＣＲＴ１の内部から表示面２に向かう方向とな
り、図１０（ｂ）に示されるように、電子ビーム５には
地磁気による反時計方向の力Ｆ₂が作用する。この時、
ＧＭＲ素子３は磁力線Ｈ₁で示される地磁気を検出し、
検出された地磁気の強さに応じて抵抗値Ｒ₃を低下させ
るので、オペアンプ１４の＋端子の電圧Ｖ₁は検出され
た地磁気の強さに応じた値を持つ負電圧となる。このた
め、オペアンプ１４の出力電圧Ｖ₂も検出された地磁気
の強さに応じた値を持つ負電圧となり、キャンセルコイ
ル７には、検出された地磁気の強さに応じた値を持つ電
流Ｉ₂が流れる。図２（ａ）に示されるように、キャン
セルコイル７に電流Ｉ₂が流れたときには、図２（ｂ）
に示されるように、表示面２に入射する電子ビーム５に
は表示面の中心を軸として時計方向の力Ｆ₄が作用し、
この力Ｆ₄は検出された地磁気の強さに応じた値を持
つ。このため、図１０（ｂ）に示される地磁気により電
子ビーム５に作用する力Ｆ₂とキャンセルコイル７に流
される電流Ｉ₂により電子ビーム５に作用する力Ｆ₄とが
互いに打ち消し合うように制御回路８を設定することに
よって、地磁気が電子ビームの照射位置に与える影響を
自動的に打ち消すことができる。

【００２５】同様に、ＣＲＴ１の表示面２を北西や南東
等の他の方向に向けた場合にも、ＧＭＲ素子３は表示面
２にほぼ垂直な磁束成分に応じた抵抗値Ｒ₃を示すの
で、電子ビーム照射位置を適切に補正することができ
る。

【００２６】尚、キャンセルコイル７は、図５に示され
るように、ＣＲＴ１のファンネル部に数１０回巻き付け
たものである。

【００２７】また、キャンセルコイル７の形状は、ＣＲ
Ｔ１の表示面２に交差する方向の磁界を発生させること
ができる形状であれば、他の形状であってもよい。

【００２８】さらに、磁気センサーとしてのＧＭＲ素子
３に変えて安価なＭＲ素子又はホール素子を用いてもよ
い。この場合には、帰還抵抗１５の抵抗値を大きくする
か、抵抗１７の抵抗値を小さくする等してオペアンプ１
４の増幅率を大きくすることが望ましい。

【００２９】実施の形態２図６は、実施の形態２の電子ビーム照射位置の補正装置
の構成を概略的に示す回路図である。図６に示されるよ
うに、実施の形態２の電子ビーム照射位置の補正装置
は、図３における可変抵抗器１１をＧＭＲ素子２１で置
き換え、かつ、ＧＭＲ素子３及び２１を可変式の分圧抵
抗器２２を介して接続している点が上記実施の形態１の
場合と相違する。尚、図６において、図３の構成と同一
又は対応する構成には同一の符号を付す。

【００３０】図６に示されるように、実施の形態２にお
ける制御回路２０においては、ＧＭＲ素子３の端子３ａ
及びＧＭＲ素子２１の端子２１ａが分圧抵抗器２２の両
端に接続されている。また、ＧＭＲ素子３の端子３ｂ
は、負電圧を印加する直流電源１３に接続されている。
また、ＧＭＲ素子２１の端子２１ｂは、正電圧を印加す
る直流電源１２に接続されている。さらに、制御回路２
０は、分圧抵抗器２２の出力端子に接続された＋端子を
持つオペアンプ１４と、オペアンプ１４の出力を−端子
に帰還させる帰還抵抗１５及び帰還コンデンサ１６と、
オペアンプ１４の−端子とアースとの間に備えられた抵
抗１７とを有する。

【００３１】図７は、図６に示されたＧＭＲ素子２１の
特性を示す図である。図４及び図７に示されるように、
実施の形態２による電子ビーム照射位置の補正装置にお
いては、ＣＲＴ１の表示面２を南（即ち、地球のＮ極）
に向けた場合にＧＭＲ素子３の抵抗値Ｒ₃が高くなりＧ
ＭＲ素子２１の抵抗値Ｒ₂₁が低くなり、表示面２を東又
は西に向けた場合にＧＭＲ素子３の抵抗値Ｒ₃及びＧＭ
Ｒ素子２１の抵抗値Ｒ₂ ₁がいずれも中位の値Ｒ₀とな
り、表示面２を北（即ち、地球のＳ極）に向けた場合に
ＧＭＲ素子３の抵抗値Ｒ₃が低くなり、ＧＭＲ素子２１
の抵抗値Ｒ₂₁が高くなるように、ＣＲＴ１に対するＧＭ
Ｒ素子３及びＧＭＲ素子２１の取付方向を設定する。
尚、図６において、分圧抵抗器２２は、表示面２を東又
は西に向けたときに、オペアンプ１４の＋端子が０
［Ｖ］となるように設定する。

【００３２】以上の構成を有する実施の形態２の電子ビ
ーム照射位置の補正装置においては、地磁気の検出感度
を実施の形態１の場合に比べて２倍にすることができ
る。

【００３３】尚、実施の形態２において、上記以外の点
は上記実施の形態１の場合と同一である。

【００３４】実施の形態３図８は、実施の形態３の電子ビーム照射位置の補正装置
の構成を概略的に示す回路図である。図８に示されるよ
うに、実施の形態３の電子ビーム照射位置の補正装置
は、制御回路２３に、直流電源１２に接続された可変式
の分圧抵抗器２４と、オペアンプ１４の＋端子への入力
をＧＭＲ素子３の抵抗値Ｒ₃に基づく電圧Ｖ₁にする自動
補正モードにするか、分圧抵抗器２４の調節によって決
められる電圧Ｖ₃にする手動補正モードにするかの切り
替えを行うことができる切替スイッチ２５を有する点の
みが実施の形態１の補正装置と相違する。尚、図８にお
いて、図３の構成と同一又は対応する構成には同一の符
号を付す。

【００３５】実施の形態３の補正装置によれば、使用者
が、地磁気による影響を自動的に補正するモード又は地
磁気による影響を補正しないモードのいずれかを選択す
ることができる。

【００３６】尚、実施の形態３において、上記以外の点
は、上記実施の形態１の場合と同一である。

【００３７】また、実施の形態３の構成を上記実施の形
態２に組み込むこともできる。

【００３８】実施の形態４図９は、実施の形態４の電子ビーム照射位置の補正装置
の構成を概略的に示す回路図である。図９に示されるよ
うに、実施の形態４の電子ビーム照射位置の補正装置
は、オペアンプ１４とキャンセルコイル７との間に備え
られたリレースイッチ３１と、このリレースイッチ３１
の動作を制御する消磁制御回路３２とを有する。

【００３９】また、図９において、３３は消磁コイル、
３４はポジスタ、３５はＡＣ１００Ｖの商用交流電源、
３６はスイッチを示す。ＣＲＴ１のシャドウマスク（図
示せず）が着磁したときは、消磁コイル３３に電流を流
すことによってシャドウマスク（図示せず）の着磁を消
去する。消磁制御回路３２は、消磁コイル３３に電流を
流すときに、キャンセルコイル７に電流を流さないよう
にリレースイッチ３１がオフになるように制御する。具
体的には、消磁コイル３３に電流が流れている約１０秒
間は、リレースイッチ３１の接点を開いてキャンセルコ
イル７に電流が流れないようにする。

【００４０】実施の形態４の補正装置によれば、キャン
セルコイル７に流れる電流により、消磁コイル３３によ
る消磁動作に対する悪影響をなくすることができる。

【００４１】尚、実施の形態４において、上記以外の点
は、上記実施の形態１の場合と同一である。

【００４２】また、実施の形態４の構成を上記実施の形
態２又は３に組み込むこともできる。

【００４３】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、磁気センサー
によって検出される磁束成分に基づいてキャンセルコイ
ルに流される電流の値と方向を制御するので、地磁気が
電子ビームの照射位置に与える影響を自動的に打ち消す
ことができるという効果がある。

【００４４】また、請求項２の発明によれば、陰極線管
の外部から表示面に向かう方向の磁束成分を検出したと
きに、反時計方向の力を電子ビームに付与するようにキ
ャンセルコイルに流される電流の方向を設定しているの
で、地磁気が電子ビームの照射位置に与える影響を自動
的に打ち消すことができるという効果がある。

【００４５】また、請求項３の発明によれば、陰極線管
の内部から表示面に向かう方向の磁束成分を検出したと
きに、時計方向の力を電子ビームに付与するようにキャ
ンセルコイルに流される電流の方向を設定しているの
で、地磁気が電子ビームの照射位置に与える影響を自動
的に打ち消すことができるという効果がある。

【００４６】また、請求項４の発明によれば、抵抗素子
に直列に接続された基準抵抗器と、直列に接続された抵
抗素子及び基準抵抗器の両端に一定の電圧を印加する定
電圧源と、抵抗素子と基準抵抗器との接続点の電圧を増
幅してキャンセルコイルに印加する増幅回路とからなる
簡単な回路によって、地磁気が電子ビームの照射位置に
与える影響を自動的に打ち消すことができるという効果
がある。

【００４７】また、請求項５の発明によれば、２つの抵
抗素子を直列に接続し、かつ、一方が抵抗値を上げると
きに、他方が抵抗値を下げるように配置することによっ
て、地磁気の検出感度を２倍にすることができるという
効果がある。

【００４８】また、請求項６の発明によれば、使用者の
選択により、地磁気による影響を自動的に補正するモー
ド又は地磁気による影響を補正しないモードのいずれか
を選択することができるという効果がある。

【００４９】また、請求項７の発明によれば、陰極線管
のシャドウマスクの着磁を消去する消磁コイルに電流が
流れている間、キャンセルコイルに電流を流さない消磁
制御回路を備えたので、キャンセルコイルに流れる電流
により、消磁コイルによる消磁動作に対する悪影響をな
くすることができるという効果がある。

【００５０】また、請求項８の発明によれば、抵抗素子
をＧＭＲ素子としたので、地磁気の検出感度を高くする
ことができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態１によるＣＲ
Ｔにおける電子ビーム照射位置の補正装置（表示面を南
に向けて置いた場合）を概略的に示す構成図であり、
（ｂ）は、同図（ａ）に示されるようにＣＲＴを置いた
ときにキャンセルコイルが作る磁界により電子ビームに
作用する力Ｆ₃を示す図である。

【図２】（ａ）は、実施の形態１の補正装置（表示面
を北に向けて置いた場合）を概略的に示す構成図であ
り、（ｂ）は、同図（ａ）に示されるようにＣＲＴを置
いたときにキャンセルコイルが作る磁界により電子ビー
ムに作用する力Ｆ₄を示す図である。

【図３】実施の形態１の補正装置の構成を概略的に示
す回路図である。

【図４】図１乃至図３に示されたＧＭＲ素子３の特性
を示す図である。

【図５】キャンセルコイル７の他の例を示す図であ
る。

【図６】本発明の実施の形態２の補正装置の構成を概
略的に示す回路図である。

【図７】図６に示されたＧＭＲ素子２１の特性を示す
図である。

【図８】実施の形態３の補正装置の構成を概略的に示
す回路図である。

【図９】実施の形態４の補正装置の構成を概略的に示
す回路図である。

【図１０】（ａ）は、ＣＲＴの表示面２を南に向けた
ときに地磁気により電子ビームに作用する力Ｆ₁を示す
説明図であり、（ｂ）は、ＣＲＴの表示面２を北に向け
たときに地磁気により電子ビームに作用する力Ｆ₂を示
す説明図である。

【図１１】（ａ）は、ＣＲＴの蛍光体上に正常に照射
される電子ビームを示し、（ｂ）は、電子ビームが水平
方向にずれた場合を示す説明図である。

【図１２】従来の電子ビーム照射位置の補正装置の回
路図である。

【符号の説明】

１ＣＲＴ、２表示面、３，２１ＧＭＲ素子、
４電子銃、５電子ビーム、６電子ビーム照射
位置、７キャンセルコイル、８，２０，２３制
御回路、１１可変抵抗器、１２，１３電源、
１４オペアンプ、２２，２４分圧抵抗器、２５
切替スイッチ、３１リレースイッチ、３２消
磁制御回路。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】陰極線管の電子銃から出射された電子ビ
ームによる照射位置を補正するキャンセルコイルを有す
る電子ビーム照射位置の補正装置において、上記陰極線管の表示面にほぼ垂直な方向の磁束成分を検
出する磁気センサーと、上記磁気センサーによって検出される磁束成分に基づい
て上記キャンセルコイルに流される電流の値と方向を制
御する制御回路とを有することを特徴とする電子ビーム
照射位置の補正装置。
【請求項２】上記磁気センサーが上記陰極線管の外部
から上記表示面に向かう方向の磁束成分を検出したとき
に、上記制御回路は、上記陰極線管の外部から上記表示
面を見たときに上記表示面の中心を軸とする反時計方向
の力を上記電子ビームに付与するように、上記キャンセ
ルコイルに流される電流の方向を設定することを特徴と
する請求項１記載の電子ビーム照射位置の補正装置。
【請求項３】上記磁気センサーが上記陰極線管の内部
から上記表示面に向かう方向の磁束成分を検出したとき
に、上記制御回路は、上記陰極線管の外部から上記表示
面を見たときに上記表示面の中心を軸とする時計方向の
力を上記電子ビームに付与するように、上記キャンセル
コイルに流される電流の方向を設定することを特徴とす
る請求項１又は２のいずれかに記載の電子ビーム照射位
置の補正装置。
【請求項４】上記磁気センサーが、検出される磁束成
分の強度に応じて抵抗値を変える抵抗素子を有し、上記制御回路が、上記抵抗素子に直列に接続された基準
抵抗器と、直列に接続された上記抵抗素子及び上記基準
抵抗器の両端に一定の電圧を印加する定電圧源と、上記
抵抗素子と上記基準抵抗器との接続点の電圧を増幅して
上記キャンセルコイルに印加する増幅回路とを有するこ
とを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子
ビーム照射位置の補正装置。
【請求項５】上記磁気センサーが、検出される磁束成
分の強度に応じて抵抗値を変える第１及び第２の抵抗素
子を有し、上記第１及び第２の抵抗素子が直列に接続されており、上記第１及び第２の抵抗素子の一方が抵抗値を上げると
きに、他方が抵抗値を下げるように上記第１及び第２の
抵抗素子を配置し、上記制御回路が、直列に接続された上記第１及び第２の
抵抗素子の両端に一定の電圧を印加する定電圧源と、上
記第１及び第２の抵抗素子の接続点の電圧を増幅して上
記キャンセルコイルに印加する増幅回路とを有すること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子ビ
ーム照射位置の補正装置。
【請求項６】手動で出力電圧を設定する電圧設定手段
と、上記増幅回路の入力を上記接続点又は上記電圧設定手段
の出力端子のいずれかに切り替える切替スイッチとを有
することを特徴とする請求項４又は５のいずれかに記載
の電子ビーム照射位置の補正装置。
【請求項７】上記陰極線管のシャドウマスクの着磁を
消去する消磁コイルに電流が流れている間、上記キャン
セルコイルに電流を流さない消磁制御回路を有すること
を特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子ビ
ーム照射位置の補正装置。
【請求項８】上記抵抗素子が、ＧＭＲ素子であること
を特徴とする請求項４又は５のいずれかに記載の電子ビ
ーム照射位置の補正装置。