JPH10326951A - Wiring board - Google Patents

Wiring board

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JPH10326951A
JPH10326951A JP15039097A JP15039097A JPH10326951A JP H10326951 A JPH10326951 A JP H10326951A JP 15039097 A JP15039097 A JP 15039097A JP 15039097 A JP15039097 A JP 15039097A JP H10326951 A JPH10326951 A JP H10326951A
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JP
Japan
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mark
mounting surface
chip mounting
flip
wiring board
Prior art date
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Ceased
Application number
JP15039097A
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Japanese (ja)
Inventor
Motohiko Itai
基彦 板井
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP15039097A priority Critical patent/JPH10326951A/en
Publication of JPH10326951A publication Critical patent/JPH10326951A/en
Ceased legal-status Critical Current

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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0266Marks, test patterns or identification means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0296Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298Multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means

Landscapes

  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To flatly grind a chip-loading surface for securing the coplanarity of an electrode group, without eliminating a mark for positioning or the like in a wiring board which is composed by readably providing the mark on a flip chip loading surface side. SOLUTION: A mark 121 is formed on an upper surface 112a of a ceramic layer 112 immediately below a ceramic layer 11 for forming the chip loading surface 102, so as to turn an upper surface 122 of a mark 121 to a level lower than that of a chip-loading surface 102. Then, an opening 123 is provided on the ceramic layer 111 of a highest layer, so as to read the mark 121 from the side of the flip chip loading surface 102.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、IC等の電子部品
を搭載、接続するフリップチップ搭載用の配線基板に関
し、詳しくは、電極(外部端子)を一主面に多数備えた
フリップチップ(以下、単にチップともいう)を搭載、
接続するため、セラミックや樹脂などの絶縁材を主体と
して形成されてなる配線基板(以下、単に基板ともい
う)に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flip-chip mounting wiring board for mounting and connecting electronic components such as ICs, and more particularly, to a flip-chip (hereinafter referred to as a flip-chip) having a large number of electrodes (external terminals) on one main surface. , Simply referred to as chips)
The present invention relates to a wiring board (hereinafter, also simply referred to as a substrate) formed mainly of an insulating material such as ceramic or resin for connection.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6及び図7は、フリップチップ(2点
鎖線で図示)201を接続する配線基板101の一例を
示している。このものは、それ自体は複数の絶縁材層1
11〜115から形成され、フリップチップ201を搭
載するフリップチップ搭載面(以下、チップ搭載面とも
いう)102をなすその上面には、チップ201の図示
しない電極(以下、チップ側の電極をバンプという)に
対応する多数の電極103,103を備えている。ま
た、図示のようにこの配線基板101のチップ搭載面1
02には、電極103と同材質で比較的大きめのマーク
(フィディシャルマーク或いはアライメントマークとも
いわれる)121〜121が例えば基板101の外周寄
り部位に3か所設けられている。なお、同図の1マーク
は4つの部位121a〜121aからなっている。これ
は、チップ201のアッセンブル工程でそれを正しく位
置決めして接続するためや、その後、基板101とチッ
プ201の接続面間のアンダーフィル(樹脂充填)を行
う際の位置決め(確認)などに用いられる。また、上記
のような位置決めのためのマークの他にも、配線基板の
品番や方向を示すマークなどが形成されることもある。
2. Description of the Related Art FIGS. 6 and 7 show an example of a wiring board 101 for connecting a flip chip (shown by a two-dot chain line) 201. FIG. It is itself composed of a plurality of insulating layers 1
An electrode (not shown) of the chip 201 (hereinafter, a chip-side electrode is referred to as a bump) is formed on the upper surface of a flip-chip mounting surface (hereinafter, also referred to as a chip mounting surface) 102 on which the flip chip 201 is mounted. ) Are provided. Further, as shown in FIG.
02 has relatively large marks (also referred to as fiducial marks or alignment marks) 121 to 121 made of the same material as the electrode 103, for example, at three locations near the outer periphery of the substrate 101. It should be noted that one mark in the figure is composed of four parts 121a to 121a. This is used for correctly positioning and connecting the chip 201 in an assembling process, and for positioning (confirmation) when performing an underfill (resin filling) between the connection surface of the substrate 101 and the chip 201 thereafter. . In addition to the marks for positioning as described above, marks indicating the product number and direction of the wiring board may be formed.

【0003】このような配線基板101にチップ201
を搭載、接続する際には、この3つの位置決めのための
マーク121〜121の周縁(位置)を読取り、それに
基づいて各電極103及びこの上に形成されたハンダバ
ンプ(図示せず)の位置を検出する。そして、この検出
位置にチップ201の各バンプが正対するようにチップ
201の位置を修正、位置決めし、配線基板101上に
正しく搭載し、ハンダバンプを溶融させて両者を接合し
ている。
A chip 201 is mounted on such a wiring board 101.
When mounting and connecting, the peripheries (positions) of these three positioning marks 121 to 121 are read, and the positions of the electrodes 103 and the solder bumps (not shown) formed thereon are determined based on the peripheries (positions). To detect. Then, the position of the chip 201 is corrected and positioned so that each bump of the chip 201 faces the detection position, mounted correctly on the wiring board 101, and the solder bumps are melted to join them.

【0004】ところで、上記配線基板101が例えばセ
ラミック積層構造のものである場合には従来次のように
製造されていた。すなわち、所定のセラミックグリーン
シートに電気的導通用(内部配線用)に必要なビアホー
ルをあけ、同ホール及びシート面に必要なメタライズペ
ーストをスクリーン印刷する。この際、チップ搭載面
(最上層)102をなすセラミックグリーンシートの製
造においては、マーク121の形成のためのメタライズ
ペーストをチップ接合用の電極(パッド)先端のキャッ
ピング(凹みの補填)のためのメタライズペーストの印
刷と同時にスクリーン印刷する。
When the wiring board 101 has, for example, a ceramic laminated structure, it has conventionally been manufactured as follows. That is, a via hole required for electrical conduction (for internal wiring) is formed in a predetermined ceramic green sheet, and a required metallizing paste is screen-printed on the hole and the sheet surface. At this time, in the production of the ceramic green sheet forming the chip mounting surface (uppermost layer) 102, a metallized paste for forming the mark 121 is used for capping the tip (electrode for pad) of the chip bonding electrode (pad). Perform screen printing at the same time as printing the metallizing paste.

【0005】次に、このマーク121や電極103のた
めのメタライズペーストが印刷され、チップ搭載面10
2をなすグリーンシートを最上層とし、ビアなどの内部
配線が印刷された他の複数のグリーンシートを積層、熱
圧着する。そして、基板単位に切断して焼成し、Ni
(ニッケル)メッキなどの表面処理をする。こうして製
造された配線基板101は、図7に示したように、その
チップ搭載面102において電極103とマーク121
がその厚さ分、隆起した状態で形成されることになる。
Next, a metallized paste for the mark 121 and the electrode 103 is printed, and the chip mounting surface 10 is formed.
The second green sheet is printed on the uppermost layer, and a plurality of other green sheets on which internal wiring such as vias are printed are laminated and thermocompressed. Then, the substrate is cut and baked, and Ni
Perform a surface treatment such as (nickel) plating. As shown in FIG. 7, the wiring substrate 101 manufactured in this manner has electrodes 103 and marks 121 on its chip mounting surface 102.
Is formed in a protruding state by the thickness.

【0006】このような配線基板101には、後工程で
チップ201が搭載、接続されるが、この基板101の
電極(群)103の上端面(先端面)に許容されるバラ
ツキの幅(一平面性)、すなわち、チップ搭載面102
における電極103の上端面のコーポラナリティ(co
planarity)には、チップ201のバンプの上
端面のそれに対応するよう高度のコーポラナリティが要
求される。ところが、前記のようなセラミック製の基板
の製造においては焼成時に、例えば図7中、2点鎖線で
示したような反りやウネリなどの変形が発生しがちであ
り、その場合には電極(群)103〜103の上端面の
コーポラナリティは損なわれることになる。このため、
上記の製法では、電極(群)の上端面に高いコーポラナ
リティを確保することは困難な場合があり、したがっ
て、このような要請には従来、メッキ前に再焼成を行
い、その反り等の矯正(修正)を行うことを余儀なくさ
れていた。
A chip 201 is mounted and connected to such a wiring board 101 in a later step, and the width of the variation (one end) allowed on the upper end face (tip face) of the electrode (group) 103 of the board 101 is determined. Flatness), that is, the chip mounting surface 102
At the upper end face of the electrode 103 at (co)
Planarity) requires a high degree of corporality to correspond to that of the upper end surface of the bump of the chip 201. However, in the manufacture of the ceramic substrate as described above, deformation such as warpage or undulation as shown by a two-dot chain line in FIG. 7 tends to occur during firing. The corporalities of the upper end surfaces of 103 to 103 are impaired. For this reason,
In the above-mentioned manufacturing method, it may be difficult to ensure high corporality on the upper end surface of the electrode (group). Therefore, such a request is conventionally made by re-firing before plating to correct the warpage and the like. (Fix) was forced to do.

【0007】しかし、このような矯正によって電極10
3の上端面に得られるコーポラナリティは、せいぜい2
5μm程度の範囲であり、これ以上の例えば10μm以
内といった極めて高度のコーポラナリティを得ることは
困難である。そこで、こうした要請には、焼成後、その
チップ搭載面102を平面研磨し、そのチップ搭載面1
02と電極103の上端面とを一平面とし、これによっ
てその反り等を解消しつつ、電極(群)103の上端面
について高度のコーポラナリティを得ることが考えられ
る。
[0007] However, by such correction, the electrode 10
The corporality obtained on the top face of 3 is at most 2
It is in the range of about 5 μm, and it is difficult to obtain a very high degree of coplanarity, for example, within 10 μm. Therefore, to meet such demands, after firing, the chip mounting surface 102 is polished to a flat surface and the chip mounting surface 1 is polished.
It is conceivable to obtain a high degree of coplanarity with respect to the upper end surface of the electrode (group) 103 while eliminating the warpage and the like by using the upper surface of the electrode 103 and the upper end surface of the electrode 103 as one plane.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
平面研磨によって電極103の上端面のコーポラナリテ
ィを得ようとすると、マーク121の厚さ(メタライズ
層)が通常10μm程度と極めて薄いことから、その際
同時にマーク121が削りとられて消失してしまうこと
になる。しかも、この種の配線基板101ではマーク1
21がチップ搭載面102において比較的その外周寄り
部位に形成される。したがって、焼成された基板101
が図7中、2点鎖線で示したようにチップ搭載面102
が凹となすように反っている場合には実質的なチップ搭
載面が研磨されることなくその外周寄り部位が集中的に
研磨され、マークが削りとられてしまうことになる。こ
のように上記構造の配線基板101では、平面研磨によ
ってマークを消失させることなく電極(群)の上端面の
コーポラナリティ(以下、電極のコーポラナリティとも
いう)を得ることはできない。
However, when trying to obtain a coplanarity of the upper end surface of the electrode 103 by such planar polishing, the thickness (metallized layer) of the mark 121 is extremely thin, usually about 10 μm. At this time, the mark 121 is simultaneously scraped off and disappears. Moreover, in this type of wiring board 101, the mark 1
Reference numeral 21 is formed on the chip mounting surface 102 at a position relatively near the outer periphery thereof. Therefore, the fired substrate 101
Is the chip mounting surface 102 as shown by the two-dot chain line in FIG.
Is curved so as to form a concave, the chip mounting surface is polished intensively without substantially polishing the chip mounting surface, and the mark is scraped off. As described above, in the wiring substrate 101 having the above structure, it is not possible to obtain the coplanarity of the upper end surface of the electrode (group) (hereinafter, also referred to as the coplanarity of the electrode) without erasing the mark by planar polishing.

【0009】なお、マーク用のメタライズペーストを印
刷することなく基板を焼成し、焼成による反りを研磨で
解消した後で再度位置合せを行って電極の上端面のキャ
ッピングとともに、マークのためのメタライズペースト
を印刷して再焼成する手法も考えられる。しかし、これ
では位置合せの困難さもさることながら、結局その再焼
成によって反りが発生するなどより、非効率的である上
に電極に高いコーポラナリティを確保することは困難で
ある。
Note that the substrate is fired without printing the metallizing paste for the mark, the warpage due to the firing is eliminated by polishing, the alignment is performed again, the capping of the upper end surface of the electrode is performed, and the metallizing paste for the mark is formed. Is also conceivable. However, this method is not only inefficient, but also difficult to secure a high corporate collaterality in the electrode because it is inefficient because re-firing eventually causes warpage.

【0010】本発明は、このような点に鑑みて案出され
たもので、その目的とするところは、フリップチップの
接続などにおける位置決めのためなどに用いられる各種
のマークをフリップチップ搭載面側に読取り可能に備え
てなる配線基板において、電極のコーポラナリティ確保
のため、そのマークを消失させることなく、チップ搭載
面の平面研磨を可能とした配線基板、さらにはそのマー
クを消失させることなくチップ搭載面が平面研磨されて
なる配線基板を提供することにある。
The present invention has been devised in view of the above points, and an object of the present invention is to provide various marks used for positioning in flip chip connection and the like on the flip chip mounting surface side. In order to ensure the co-polarity of the electrodes, the wiring board is provided so that the mark can be removed, and the chip mounting surface can be polished without losing the mark. An object of the present invention is to provide a wiring board having a mounting surface polished in a plane.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、フリップチップ搭載面にフリップチップ接
続用の多数の電極を備えると共に、マークをこのフリッ
プチップ搭載面側に読取り可能に備えてなる配線基板に
おいて、前記マークを該フリップチップ搭載面より下に
存在するように設けたことにある。なお、本明細書にお
いて「フリップチップ搭載面」若しくは「チップ搭載
面」とは、配線基板におけるフリップチップの搭載(接
合)される側の主面をいう。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a flip chip mounting surface provided with a large number of electrodes for flip chip connection, and a mark provided readable on the flip chip mounting surface side. In the wiring board, the mark is provided so as to be present below the flip chip mounting surface. In this specification, the “flip chip mounting surface” or the “chip mounting surface” refers to a main surface of the wiring board on which the flip chip is mounted (joined).

【0012】上記の手段により、本発明に係る配線基板
においては、マークをフリップチップ搭載面より下に存
在するように設けたことから、後工程でそのマークを消
失させることなく、フリップチップ搭載面を所定量、平
面研磨することができる。したがって、チップ搭載面に
存在する多数の電極群の上端面は、チップ搭載面と同様
に高度のコーポラナリティとなすことができる。なお上
記手段において、「マークをフリップチップ搭載面より
下に存在するように設けた」としたのは、本発明ではマ
ークの上面がフリップチップ搭載面より下にある場合に
限らず、同マークの部分がフリップチップ搭載面より上
にあっても同マークの下寄り部位がフリップチップ搭載
面より下に存在するような厚さで設けられている場合で
も、同様の効果があるからである。すなわち、この場合
でも、後工程でそのマークを消失させることなく、フリ
ップチップ搭載面を所定量、平面研磨することができる
ためである。なお、本明細書において「研磨」とは、研
磨又は研削を意味する。
According to the above-described means, in the wiring board according to the present invention, the mark is provided so as to exist below the flip-chip mounting surface. For a predetermined amount. Therefore, the upper end surfaces of a large number of electrode groups existing on the chip mounting surface can have a high degree of corporate personality, similarly to the chip mounting surface. Note that, in the above means, "the mark is provided so as to be present below the flip chip mounting surface" is not limited to the case where the upper surface of the mark is below the flip chip mounting surface in the present invention. This is because even if the portion is above the flip chip mounting surface, the same effect can be obtained even when the lower part of the mark is provided with a thickness below the flip chip mounting surface. That is, even in this case, a predetermined amount of the flip chip mounting surface can be polished without losing the mark in a later step. In this specification, “polishing” means polishing or grinding.

【0013】そして、セラミック積層構造や樹脂積層構
造などの絶縁材積層構造からなる配線基板では次の構成
(構造)とするとよい。すなわち、フリップチップ搭載
面にフリップチップ接続用の多数の電極を備えると共
に、マークをこのフリップチップ搭載面側に読取り可能
に備えてなる、絶縁材積層構造の配線基板において、前
記マークの上面が該フリップチップ搭載面より低位とな
るように、該マークを該フリップチップ搭載面を形成す
る絶縁材層よりも下の絶縁材層の上面に形成すると共
に、該マークが形成された絶縁材層より上の絶縁材層
に、該マークを露出させる開口を設けて該マークを読取
り可能に形成してなるものである。
The following configuration (structure) is preferred for a wiring board having an insulating material laminated structure such as a ceramic laminated structure or a resin laminated structure. That is, in the wiring board having the insulating material laminated structure, the flip-chip mounting surface is provided with a large number of electrodes for flip-chip connection, and the mark is readable on the flip-chip mounting surface side. The mark is formed on the upper surface of the insulating material layer below the insulating material layer forming the flip chip mounting surface so as to be lower than the flip chip mounting surface, and is formed above the insulating material layer on which the mark is formed. The mark is made readable by providing an opening for exposing the mark in the insulating material layer.

【0014】この構成においても後工程でそのマークを
消失させることなく、フリップチップ搭載面を所定量、
平面研磨することができる。すなわち、マークの上面は
チップ搭載面より低位にあるから、マークを消失させる
ことなく、チップ搭載面を形成する最上層の絶縁材層の
上面を所定量、平面研磨(研削)することができ、その
後におけるマークの読取りにも支障を招かない。したが
って、フリップチップ搭載面を形成する絶縁材層の上面
に適切な研磨代を設定することでチップ搭載面に存在す
る多数の電極群の上端面は、チップ搭載面と同様に高度
のコーポラナリティをなすことができる。これにより、
配線基板が例えばセラミック積層構造品であり、焼成に
よってそのチップ搭載面が凹となすように反っていて
も、マークを消失させることなく、チップ搭載面の平面
研磨ができる。したがって、このような基板においても
その電極の上端面に所望とするコーポラナリティをうる
ことができる。
Also in this configuration, the flip chip mounting surface can be moved by a predetermined amount without erasing the mark in a later step.
Plane polishing can be performed. That is, since the upper surface of the mark is lower than the chip mounting surface, the upper surface of the uppermost insulating material layer forming the chip mounting surface can be polished (ground) by a predetermined amount without erasing the mark, There is no hindrance to reading the mark thereafter. Therefore, by setting an appropriate polishing allowance on the upper surface of the insulating material layer that forms the flip chip mounting surface, the upper end surface of a large number of electrode groups existing on the chip mounting surface has a high degree of cooperativeness like the chip mounting surface. I can do it. This allows
Even if the wiring substrate is, for example, a ceramic laminated structure product, and the chip mounting surface is warped so as to be concave by firing, the chip mounting surface can be polished without losing the mark. Therefore, even in such a substrate, a desired coplanarity can be obtained on the upper end surface of the electrode.

【0015】なお、前記手段ではマークをチップ搭載面
を形成する絶縁材層よりも下の絶縁材層の上面に形成す
ることとしたが、基板に許容される反り等の変形の大き
さやチップ搭載面を形成する絶縁材層の厚さ、さらには
マークをなすメタライズ層の厚さ等を考慮すると、次の
ように構成するのがより好ましい。すなわち、フリップ
チップ搭載面にフリップチップ接続用の多数の電極を備
えると共に、マークをこのフリップチップ搭載面側に読
取り可能に備えてなる、絶縁材積層構造の配線基板にお
いて、前記マークの上面が該フリップチップ搭載面より
低位となるように、該マークを該フリップチップ搭載面
を形成する絶縁材層のすぐ下の絶縁材層の上面に形成す
ると共に、前記フリップチップ搭載面を形成する絶縁材
層に、該マークを露出させる開口を設けて該マークを読
取り可能に形成してなるものである。なお、本明細書に
おいて「マーク」とは、フリップチップの接続などにお
ける位置決めのマークや品番、方向を示す各種のマーク
等が挙げられるが、その用途によって限定されるもので
はない。
In the above-mentioned means, the mark is formed on the upper surface of the insulating material layer below the insulating material layer forming the chip mounting surface. In consideration of the thickness of the insulating material layer forming the surface, the thickness of the metallized layer forming the mark, and the like, the following configuration is more preferable. That is, in the wiring board having the insulating material laminated structure, the flip-chip mounting surface is provided with a large number of electrodes for flip-chip connection, and the mark is readable on the flip-chip mounting surface side. The mark is formed on the upper surface of the insulating material layer immediately below the insulating material layer forming the flip chip mounting surface so as to be lower than the flip chip mounting surface, and the insulating material layer forming the flip chip mounting surface is formed. The mark is formed to be readable by providing an opening for exposing the mark. In this specification, the “mark” includes a mark for positioning in flip-chip connection and the like, a variety of marks indicating a product number, a direction, and the like, but is not limited by its use.

【0016】例えば、セラミック積層構造の基板の主面
に許容される焼成時の変形(反り等)の大きさは、27
μm程度と微小であり、したがって、チップ搭載面のコ
ーポラナリティをうるために設定すべき研磨代は0.1
mm程度あれば略問題ない。これに対し、チップ搭載面
を形成する絶縁材層の厚さは0.3mm程度と比較的厚
くすることができ、また、マークをなすメタライズ層の
厚さは読取りを確実にするためでも10μm程度と極め
て薄くてよいからである。さらに、前記手段ではマーク
は露出されているが、このマークは読取り可能であれば
よいことから、前記各手段における開口には透明な樹脂
(例えばエポキシ樹脂)が充填されていてもよい。な
お、本明細書で透明とは、マークの読取に支障のない程
度の透明性があることをいう。
For example, the degree of deformation (warpage or the like) during firing allowed on the main surface of the substrate having the ceramic laminated structure is 27
μm, so that the polishing allowance to be set to obtain the coplanarity of the chip mounting surface is 0.1 μm.
There is almost no problem if it is about mm. On the other hand, the thickness of the insulating material layer forming the chip mounting surface can be made relatively thick as about 0.3 mm, and the thickness of the metallized layer forming the mark is about 10 μm to ensure reading. This is because it may be extremely thin. Further, although the mark is exposed in the means, the mark in the means may be readable, so that the opening in each means may be filled with a transparent resin (for example, epoxy resin). Note that in this specification, “transparent” means that there is a degree of transparency that does not hinder the reading of the mark.

【0017】そして、上記の本発明に係る配線基板にお
いて、前記マークを消失させることなく前記フリップチ
ップ搭載面が平面研磨されてなるものにおいては、チッ
プ搭載面とともに電極の上端面には極めて高度のコーポ
ラナリティが確保されており、したがって、フリップチ
ップとの接続性の向上が図られる。
In the above-mentioned wiring board according to the present invention, when the flip chip mounting surface is planarly polished without erasing the mark, an extremely high level is provided on the upper end surface of the electrode together with the chip mounting surface. Corporality is ensured, and therefore, connectivity with the flip chip is improved.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明に係る配線基板の一実施形
態例について、図1ないし図3を参照しながら詳細に説
明する。ただし、本例では多数のセラミック層からなる
積層構造の配線基板において具体化した場合を説明す
る。図中101は、本例の配線基板であって矩形平板状
をなし、詳しくは図示しないが、チップ搭載面102す
なわち基板上面(主面)102の中央寄り部位には、搭
載されるフリップチップ201のバンプ(図示せず)と
の接続用の多数の電極(群)103が、平面視(チップ
搭載面102を上から見て)、同チップ201の各バン
プと対面するように、それと同じ微細なピッチ、配置で
絶縁を確保し縦横に多数形成されている。ただし、この
電極103の上端面(以下、電極面ともいう)は、基板
101の最上層を形成するセラミック層111の上面つ
まりチップ搭載面102と略面一に形成されている。な
お、これらの電極103〜103は、各々その下に連な
るビア104を介して、各セラミック層112〜115
に形成された多数の内部配線やビアに接続され、下面1
05に形成された外部配線取り出し用の図示しない各電
極に接続されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. However, in this example, a case in which the present invention is embodied in a wiring board having a multilayer structure including many ceramic layers will be described. In the figure, reference numeral 101 denotes a wiring board of the present example, which is formed in a rectangular flat plate shape, and although not shown in detail, a flip chip 201 to be mounted is mounted on a chip mounting surface 102, that is, a portion near the center of the upper surface (main surface) 102 of the substrate. A large number of electrodes (groups) 103 for connection to bumps (not shown) of the same chip 201 as in plan view (when the chip mounting surface 102 is viewed from above) so as to face each bump of the chip 201. The insulation is ensured with a suitable pitch and arrangement, and a large number of them are formed vertically and horizontally. However, the upper end surface of the electrode 103 (hereinafter also referred to as an electrode surface) is formed substantially flush with the upper surface of the ceramic layer 111 forming the uppermost layer of the substrate 101, that is, the chip mounting surface 102. The electrodes 103 to 103 are respectively connected to the ceramic layers 112 to 115 via vias 104 extending thereunder.
Connected to a number of internal wirings and vias formed on
It is connected to each electrode (not shown) for taking out the external wiring formed at 05.

【0019】そして、基板101のチップ搭載面102
側の外周寄り部位には、電極103と同じ構成(メタラ
イズ層)からなるマーク(本例では位置決めのためのマ
ーク)121が例えば3か所、独立して形成されてい
る。ただし、各マーク121とも本例では、平面視、四
つの長方形部位121aに分割されており、チップ搭載
面102を形成する最上層のセラミック層111のすぐ
下のセラミック層112の上面112aに、所定の厚さ
Mtで形成されている。また、チップ搭載面102を形
成するセラミック層112には、平面視、そのマーク1
21に対応する部位に、このマーク121全体が露出す
るように平面視、略正方形でマーク121より大きい窓
状の開口123が設けられている。こうして、マーク1
21がチップ搭載面102側から読取られるように形成
されている。
The chip mounting surface 102 of the substrate 101
Marks (marks for positioning in this example) 121 having the same configuration (metallization layer) as the electrode 103 are formed independently at, for example, three places on the side near the outer periphery. However, in this example, each mark 121 is divided into four rectangular portions 121a in plan view, and a predetermined amount is provided on the upper surface 112a of the ceramic layer 112 immediately below the uppermost ceramic layer 111 forming the chip mounting surface 102. Of thickness Mt. The ceramic layer 112 forming the chip mounting surface 102 has the mark 1
At a position corresponding to 21, a window-like opening 123 which is substantially square and is larger than the mark 121 is provided in a plan view so that the entire mark 121 is exposed. Thus, mark 1
21 is formed so as to be read from the chip mounting surface 102 side.

【0020】なお、本例の配線基板101を形成する一
セラミック層の厚さは、0.1〜0.3mm程度であ
り、メタライズペーストが印刷されて同時焼成されてな
るマーク121の厚さMtは本例では10μmとされて
いる。したがって、本例でのマーク121は、その上面
122が最上層のセラミック層111の上面がなすチッ
プ搭載面102より、略そのセラミック層111の厚さ
分近く、低位となるように設けられている。因みに、本
例では焼成後の最上層のセラミック層111の厚さは例
えば0.25mmに設定されており、その上面側に平面
研磨代Kが、例えば0.1mm設けられている。
The thickness of one ceramic layer forming the wiring board 101 of this embodiment is about 0.1 to 0.3 mm, and the thickness Mt of the mark 121 formed by printing and simultaneously firing a metallized paste. Is 10 μm in this example. Therefore, the mark 121 in this example is provided such that the upper surface 122 thereof is lower than the chip mounting surface 102 formed by the upper surface of the uppermost ceramic layer 111 by the thickness of the ceramic layer 111 substantially. . Incidentally, in this example, the thickness of the uppermost ceramic layer 111 after firing is set to, for example, 0.25 mm, and a plane polishing allowance K, for example, of 0.1 mm is provided on the upper surface side.

【0021】このように構成された本形態の配線基板1
01は、チップ搭載面102がその研磨代(0.1m
m)K分、後工程で平面研磨できる。そして、その研磨
代K分研磨されると、電極面103もチップ搭載面10
2と同時に平面研磨され、電極103の群の上端面はそ
の研磨精度に応じた高度のコーポセラナリティでチップ
搭載面102と面一に仕上げられる。一方、このように
研磨されても、マーク121は上から2層目のセラミッ
ク層112の上面112aに10μm程度の厚さで形成
されているために消失しない。したがって、後述するよ
うに後工程で、鍍金がされ、その後のフリップチップ接
続などにおける位置決めにおいても、このマーク121
の読取りを損なわせることもない。
The wiring board 1 of the present embodiment thus configured
01 indicates that the chip mounting surface 102 has its polishing allowance (0.1 m
m) Planar polishing can be performed in a subsequent step for K minutes. When the polishing amount K is polished, the electrode surface 103 also becomes the chip mounting surface 10.
At the same time, the upper surface of the group of the electrodes 103 is finished to be flush with the chip mounting surface 102 with a high degree of co-porousity according to the polishing accuracy. On the other hand, even if the mark 121 is polished in this manner, the mark 121 does not disappear because it is formed on the upper surface 112a of the second ceramic layer 112 from the top with a thickness of about 10 μm. Therefore, as will be described later, plating is performed in a later step, and this mark 121 is also used for positioning in subsequent flip chip connection or the like.
The reading of the data is not impaired.

【0022】このように本例の配線基板101において
は、焼成後、マーク121を消失させることなくチップ
搭載面102をその研磨代K分、平面研磨することがで
きるので、電極面(群)103に所望とするコーポラナ
リティを確保できる。なお、研磨代Kは、反りなどの変
形を考慮し、チップ搭載面102がいわば一皮削りとら
れることで、電極面群の全体も同時に研磨されるよう
に、配線基板101に応じて適宜に設定すればよい。ま
た、マーク121は、本例ではその上面122が平面研
磨後においてもチップ搭載面102より低位となるよう
に薄く設けたが、平面研磨時に、上面が研磨され平面研
磨後においてチップ搭載面102と面一となるように十
分厚くしておくことも可能である。
As described above, in the wiring substrate 101 of the present embodiment, after firing, the chip mounting surface 102 can be polished by the polishing allowance K without erasing the mark 121, so that the electrode surface (group) 103 is baked. And the desired corporate collaborativeness can be secured. In addition, the polishing allowance K is appropriately determined according to the wiring board 101 so that the chip mounting surface 102 is cut off so as to take into account the deformation such as warpage, so that the entire electrode surface group is simultaneously polished. Just set it. Further, in this example, the mark 121 is provided thin so that the upper surface 122 thereof is lower than the chip mounting surface 102 even after the planar polishing, but the upper surface is polished at the time of the planar polishing, and the mark 121 is formed with the chip mounting surface 102 after the planar polishing. It is also possible to make it sufficiently thick so as to be flush.

【0023】なお、この様に平面研磨された配線基板1
01は、その後、従来と同様に電極103の上端面やマ
ーク121の表面などのメタライズ層にNi鍍金、Au
鍍金をする。すると、その鍍金厚さ分、微小ながらチッ
プ搭載面102より電極面が隆起する。こうして形成さ
れた配線基板(完成品)101は、そのチップ搭載面1
02とともに電極(群)103〜103の上端面が平面
研磨されたものであることから、例えば従来のセラミッ
ク積層構造の配線基板のように再焼成によってえられる
コーポラナリティに比べ、極めて高度のコーポラナリテ
ィの電極をもつ配線基板101となすことができる。な
お、この各電極103には場合によってはハンダバンプ
が形成される。
The wiring substrate 1 thus polished in the plane as described above.
Thereafter, Ni plating and Au are applied to the metallized layer such as the upper end surface of the electrode 103 and the surface of the mark 121 as in the conventional case.
Plating. Then, the electrode surface is slightly raised from the chip mounting surface 102 by the plating thickness. The wiring board (finished product) 101 thus formed is mounted on its chip mounting surface 1.
02, the upper end surfaces of the electrodes (groups) 103 to 103 are planar-polished, so that the coplanarity is extremely high as compared with the coplanarity obtained by refiring like a conventional wiring board having a ceramic laminated structure. Wiring board 101 having the above-mentioned electrodes. Note that solder bumps are formed on each of the electrodes 103 in some cases.

【0024】さらに、本例のようなセラミック積層構造
の配線基板101では、その最上層のグリーンシートの
製造において、従来の配線基板におけるようなビア上端
面部のキャッピングのためのメタライズペーストの印刷
工程を要しない。つまり、従来のこの種の配線基板で
は、ビアの上端面(露出先端面)の凹みを防止し、チッ
プのバンプとのハンダ接合時におけるボイドの発生を防
ぐための穴埋めとしてキャッピング工程を要していた。
しかし、本例の配線基板101ではチップ搭載面102
が平面研磨されると同時に電極103の上端面も平面研
磨されるためにキャッピングは不要となる。また、本例
の配線基板101のようにセラミック積層構造のもので
は、平面研磨されることで、メタライズペーストの印刷
不良や焼成に起因する汚れや異物が同時に除去される。
したがって、チップ搭載面102の外観不良が低減さ
れ、その分品質の向上も期待される。
Further, in the wiring substrate 101 having the ceramic laminated structure as in the present embodiment, in the production of the uppermost green sheet, a step of printing a metallized paste for capping the upper end surface of the via as in the conventional wiring substrate is performed. No need. That is, in this type of conventional wiring board, a capping process is required as a hole filling process to prevent the upper end surface (exposed front end surface) of the via from being dented and to prevent the occurrence of voids at the time of solder bonding with the bump of the chip. Was.
However, in the wiring board 101 of this example, the chip mounting surface 102
Is planarly polished and the upper end surface of the electrode 103 is also planarly polished, so that capping is not required. Further, in the case of the ceramic laminated structure like the wiring board 101 of the present example, dirt and foreign matter due to poor printing or firing of the metallized paste are simultaneously removed by planar polishing.
Therefore, the appearance defect of the chip mounting surface 102 is reduced, and the quality is expected to be improved accordingly.

【0025】さて次に前記したセラミック積層構造の配
線基板101の製法について、図4を参照して説明する
が、このものは従来公知のセラミック積層構造の配線基
板の製法と基本的に共通するため、相違点(異なる工
程)のみ説明する。すなわち、チップ搭載面102を形
成するセラミック層111のすぐ下のセラミック層11
2を形成するセラミックグリーンシートの製造におい
て、マーク121に対応するその平面的位置に、マーク
用のメタライズペースト121bとして例えば鍍金の被
着性に優れたMo(モリブデン)を主成分とするメタラ
イズペースト、或いはW(タングステン)を主成分とす
るメタライズペーストをスクリーン印刷する。
Next, a method of manufacturing the above-described wiring board 101 having a ceramic laminated structure will be described with reference to FIG. 4, but this is basically the same as a conventionally known method of manufacturing a wiring board having a ceramic laminated structure. Only the differences (different steps) will be described. That is, the ceramic layer 11 immediately below the ceramic layer 111 forming the chip mounting surface 102
In the manufacture of the ceramic green sheet for forming the metallization 2, a metallized paste mainly composed of Mo (molybdenum) excellent in plating adherence is used as a mark metallized paste 121b at a planar position corresponding to the mark 121, Alternatively, a metallized paste containing W (tungsten) as a main component is screen-printed.

【0026】また、チップ搭載面102つまり最上層の
セラミック層111を形成するセラミックグリーンシー
トについては、マーク121に対応するその平面的位置
に、マーク121が露出するように、それよりより大き
い開口123a(前例では正方形)をパンチングなどに
より穿孔する。なお、チップ搭載面102を形成するセ
ラミック層111には所定の研磨代Kが保持される厚さ
のグリーンシートを用いる。そしてこれらのグリーンシ
ートにも、ほかの所定のセラミック層113〜115を
形成するためのグリーンシートと同様に所定のビアホー
ルにはメタライズペーストを印刷、充填する。
The ceramic mounting sheet 102, that is, the ceramic green sheet forming the uppermost ceramic layer 111, has a larger opening 123a at a planar position corresponding to the mark 121 so that the mark 121 is exposed. (A square in the previous example) is punched by punching or the like. The ceramic layer 111 forming the chip mounting surface 102 is formed of a green sheet having a thickness capable of holding a predetermined polishing allowance K. Then, like these green sheets for forming the other predetermined ceramic layers 113 to 115, a predetermined via hole is also printed and filled with a metallizing paste on these green sheets.

【0027】かくては、従来の製法と同様に、最上層の
セラミック層111を形成するグリーンシートやその下
のセラミック層112を形成するグリーンシートなど、
メタライズペーストが印刷された所定のグリーンシート
を積層、圧着し、その後、裏面に例えばBGA電極用メ
タライズペーストを印刷した後、基板単位に切断する。
そして、従来同様に焼成することで、前記のマーク付き
のセラミック積層構造のフリップチップ用配線基板が製
造される。
Thus, similarly to the conventional manufacturing method, a green sheet for forming the uppermost ceramic layer 111 and a green sheet for forming the ceramic layer 112 therebelow can be used.
A predetermined green sheet on which the metallized paste is printed is laminated and pressed, and then, for example, a metallized paste for a BGA electrode is printed on the back surface, and then cut into substrate units.
Then, by sintering in the same manner as in the related art, the flip-chip wiring substrate having the above-described marked ceramic laminated structure is manufactured.

【0028】図5は、別の形態例を示すものであるが、
基本的には前例と異なる点はないので、同一の部位には
同一の符号を付し、相違点のみ説明するにとめる。すな
わち、本図のものは、前例よりさらに1層下の絶縁材層
113の上面113aにマーク121を形成し、このマ
ーク121が露出するように、その上の2層分の絶縁材
層111,112に開口123を設けてなるものであ
る。このものでは、マーク121の上面122が前例に
対し、上から2層目の絶縁材層112の厚さ分低位とな
る。
FIG. 5 shows another embodiment.
Since there is basically no difference from the previous example, the same portions are denoted by the same reference numerals, and only different points will be described. That is, in this drawing, the mark 121 is formed on the upper surface 113a of the insulating material layer 113 which is one layer lower than the previous example, and the two insulating material layers 111, 112 is provided with an opening 123. In this case, the upper surface 122 of the mark 121 is lower than the previous example by the thickness of the second insulating layer 112 from the top.

【0029】本発明においては、基板の厚さ方向におけ
るマークの位置(深さ位置)やマーク自体の厚さは、電
極面に要求されるコーポラナリティをだすため、基板ご
とに必要とされる研磨代を考慮し、その平面研磨があっ
ても消失しない範囲で適宜に設定すればよい。なお、研
磨代は、基板に与えられる反りの最大許容値を考慮つ
つ、研磨によって反りが解消されるように設定すればよ
い。
In the present invention, the position of the mark (depth position) in the thickness direction of the substrate and the thickness of the mark itself are polished for each substrate in order to obtain the required coplanarity on the electrode surface. In consideration of the cost, it may be appropriately set within a range that does not disappear even if the surface polishing is performed. The polishing allowance may be set so that the warpage is eliminated by polishing, while taking into account the maximum allowable value of the warp given to the substrate.

【0030】上記各例では、マークを露出させる開口を
略正方形としたが、この平面形状や大きさは、配線基板
ないしそのマークの平面形状に応じてその読取りに支障
がないように設定すればよい。そして、開口中には、マ
ークの読取りに支障がないかぎり、透明の樹脂が充填さ
れていてもよい。すなわち、本発明では、そのマーク
が、チップ搭載面が平面研磨された際に消失せず、例え
ばチップを接続する際などにおいて問題なく読取られる
ように、チップ搭載面より下に存在するように設けられ
ていればよいのである。
In each of the above examples, the opening for exposing the mark is substantially square. However, the planar shape and size may be set according to the planar shape of the wiring board or the mark so as not to hinder reading. Good. The opening may be filled with a transparent resin as long as the reading of the mark is not hindered. That is, in the present invention, the mark is provided so as to be present below the chip mounting surface so that the mark does not disappear when the chip mounting surface is planarly polished, and can be read without any problem, for example, when connecting the chip. It just needs to be done.

【0031】上記においては、セラミック積層構造の配
線基板で説明したが、本発明は、樹脂積層構造の配線基
板においても同様に具体化できる。樹脂積層構造の多層
配線基板でもその製造工程上、反りなどの変形が発生
し、同様の解決すべき課題があるためである。本発明
は、BGA(ボールグリッドアレイ)やPGA(ピング
リッドアレイ)などの各種のタイプのフリップチップ接
続用の配線基板において広く適用できる。
In the above description, the description has been given of the wiring board having the ceramic laminated structure. However, the present invention can be similarly embodied also in the wiring board having the resin laminated structure. This is because, even in a multilayer wiring board having a resin laminated structure, deformation such as warpage occurs in the manufacturing process, and there is a similar problem to be solved. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely applied to various types of flip-chip connection wiring boards such as BGA (ball grid array) and PGA (pin grid array).

【0032】[0032]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る配線基板によれば、後工程でマークを消失させる
ことなく、フリップチップ搭載面を所定量、平面研磨で
きる。すなわち、請求項1記載の本発明に係る配線基板
によれば、チップ搭載面に適切な研磨代を設定するとと
もに、マークをそのフリップチップ搭載面より適量下に
存在するように設けることで、マーク付でありながら、
それを消失させることなくチップ搭載面を平面研磨する
ことができる。したがって、チップ搭載面に存在する多
数の電極群の上端面は、チップ搭載面と同様に高度のコ
ーポラナリティとすることができる。
As is apparent from the above description, according to the wiring board of the present invention, the flip chip mounting surface can be polished by a predetermined amount without losing the mark in a later step. In other words, according to the wiring board of the present invention as set forth in claim 1, by setting an appropriate polishing allowance on the chip mounting surface and providing the mark so as to be present below the flip chip mounting surface by an appropriate amount, the mark is provided. While attached
The chip mounting surface can be polished flat without losing it. Therefore, the upper end surfaces of a large number of electrode groups existing on the chip mounting surface can have a high degree of corporate personality, similarly to the chip mounting surface.

【0033】また、請求項2ないし4記載の本発明に係
る配線基板においても、フリップチップ搭載面を形成す
る絶縁材層の上面に適切な研磨代を設定することで、位
置決めマーク付でありながら、それを消失させることな
くチップ搭載面を平面研磨することができる。したがっ
て、このような基板においてもチップ搭載面に存在する
多数の電極群の上端面は、チップ搭載面と同様に高度の
コーポラナリティとすることができる。
Also, in the wiring board according to the present invention as set forth in claims 2 to 4, by setting an appropriate polishing allowance on the upper surface of the insulating material layer forming the flip chip mounting surface, the wiring board can be provided with the positioning mark. The chip mounting surface can be polished flat without losing it. Therefore, even in such a substrate, the upper end surfaces of a large number of electrode groups existing on the chip mounting surface can have a high degree of coplanarity similarly to the chip mounting surface.

【0034】そして請求項5記載の本発明に係る配線基
板によれば、フリップチップ搭載面が平面研磨されたも
のであるから、フリップチップのバンプとの接合用の電
極面に高度のコーポラナリティをもつ配線基板となすこ
とができる。したがって、チップのバンプとの接続の信
頼性を高めることができる。
According to the wiring substrate of the present invention, since the flip chip mounting surface is polished flat, a high degree of coplanarity is imparted to the electrode surface for bonding with the flip chip bump. Wiring board. Therefore, the reliability of connection with the bumps of the chip can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る配線基板の実施形態例の一部破断
側面図。
FIG. 1 is a partially cutaway side view of an embodiment of a wiring board according to the present invention.

【図2】図1の要部拡大断面図。FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of FIG.

【図3】本発明に係る配線基板の実施形態例の平面図及
び部分拡大図。
FIG. 3 is a plan view and a partially enlarged view of an embodiment of a wiring board according to the present invention.

【図4】図1の配線基板の製法を説明する図。FIG. 4 is a diagram illustrating a method of manufacturing the wiring board of FIG.

【図5】別の実施形態を示す要部拡大断面図。FIG. 5 is an enlarged sectional view of a main part showing another embodiment.

【図6】従来の配線基板の平面図。FIG. 6 is a plan view of a conventional wiring board.

【図7】従来の配線基板の側面図。FIG. 7 is a side view of a conventional wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 配線基板 102 配線基板のチップ搭載面 103 電極 111〜115 セラミック層(絶縁材層) 121 マーク 122 マークの上面 123 開口 201 フリップチップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Wiring board 102 Chip mounting surface of wiring board 103 Electrode 111-115 Ceramic layer (insulating material layer) 121 Mark 122 Top surface of mark 123 Opening 201 Flip chip

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フリップチップ搭載面にフリップチップ
接続用の多数の電極を備えると共に、マークをこのフリ
ップチップ搭載面側に読取り可能に備えてなる配線基板
において、前記マークを該フリップチップ搭載面より下
に存在するように設けたことを特徴とする配線基板。
1. A wiring board comprising: a plurality of electrodes for flip-chip connection on a flip-chip mounting surface; and a mark readable on the flip-chip mounting surface. A wiring board, which is provided so as to exist below.
【請求項2】 フリップチップ搭載面にフリップチップ
接続用の多数の電極を備えると共に、マークをこのフリ
ップチップ搭載面側に読取り可能に備えてなる、絶縁材
積層構造の配線基板において、前記マークの上面が該フ
リップチップ搭載面より低位となるように、該マークを
該フリップチップ搭載面を形成する絶縁材層よりも下の
絶縁材層の上面に形成すると共に、該マークが形成され
た絶縁材層より上の絶縁材層に、該マークを露出させる
開口を設けて該マークを読取り可能に形成してなること
を特徴とする配線基板。
2. A wiring substrate having an insulating material laminated structure, comprising: a plurality of electrodes for flip-chip connection on a flip-chip mounting surface; and a mark readable on the flip-chip mounting surface. The mark is formed on the upper surface of the insulating material layer below the insulating material layer forming the flip chip mounting surface so that the upper surface is lower than the flip chip mounting surface, and the insulating material on which the mark is formed is formed. A wiring substrate, characterized in that an opening for exposing the mark is provided in the insulating material layer above the layer, and the mark is formed to be readable.
【請求項3】 フリップチップ搭載面にフリップチップ
接続用の多数の電極を備えると共に、マークをこのフリ
ップチップ搭載面側に読取り可能に備えてなる、絶縁材
積層構造の配線基板において、前記マークの上面が該フ
リップチップ搭載面より低位となるように、該マークを
該フリップチップ搭載面を形成する絶縁材層のすぐ下の
絶縁材層の上面に形成すると共に、前記フリップチップ
搭載面を形成する絶縁材層に、該マークを露出させる開
口を設けて該マークを読取り可能に形成してなることを
特徴とする配線基板。
3. A wiring board having an insulating material laminated structure, wherein a plurality of electrodes for flip-chip connection are provided on a flip-chip mounting surface and a mark is readable on the flip-chip mounting surface. The mark is formed on the upper surface of the insulating material layer immediately below the insulating layer forming the flip chip mounting surface, and the flip chip mounting surface is formed so that the upper surface is lower than the flip chip mounting surface. A wiring board, characterized in that an opening for exposing the mark is provided in the insulating material layer so that the mark can be read.
【請求項4】 請求項2又は3記載の配線基板におい
て、その開口に透明樹脂が充填されてなることを特徴と
する配線基板。
4. The wiring board according to claim 2, wherein the opening is filled with a transparent resin.
【請求項5】 請求項1、2、3又は4記載の配線基板
において、前記マークを消失させることなく前記フリッ
プチップ搭載面が平面研磨されてなることを特徴とする
配線基板。
5. The wiring board according to claim 1, wherein the flip chip mounting surface is polished flat without erasing the mark.
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