JPH10326586A - 検査装置 - Google Patents
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Abstract
ることによって、種々の試料毎の目的に応じた検査がで
きる検査装置を提供する。 【解決手段】 電子銃から出射された一次照射ビーム2
を一次光学系を介して試料に照射し、該試料4から発生
した2次電子5又は反射電子6を、「二次光学系」とし
ての二次コラム7に設けられた多数のレンズ9,10,
11,12を介して検出器8に結像させる検査装置にお
いて、前記試料4から発生した反射電子6が前記二次コ
ラム7に導入されるように設定すると共に、該二次コラ
ム7に導入された2次電子5又は反射電子6の何れかを
前記検出器8に結像させるように、前記二次コラム7の
レンズ9,10,11,12のレンズ電圧を設定可能と
した。
Description
を試料上に照射させ、この試料からのエネルギービーム
である2次電子又は反射電子による電子像を検出する検
査装置に関するものである。
とは異なり、電子ビームを一次光学系で線状あるいは矩
形状にして、試料に照射し、そこからの反射電子、2次
電子を2次元の画像として、二次光学系で拡大投影しエ
リア検出器に結像させるというシステムがある。かかる
技術は、論文に記載されているが、実用的な公知の例は
まだない。電子ビームを一次光学系でスポットに収束し
て、試料に照射し、試料からの電子の像をエリア検出器
に拡大投影するというシステムとしては、透過型電子顕
微鏡がこれに近い構成をもっている。この場合でも、二
次光学系は、試料を透過してきた電子を拡大投影するだ
けで、試料からの反射電子又は、2次電子を効率よく結
像させるという、ここでの光学系の技術的な困難さとは
相違するものである。先願発明としては、例えば、特開
平7ー181297号公報にあるような、電子光学系を
一次光学系として、欠陥検査を行うという既知の例があ
る。
ィルターを使った論文(K.Tsuno, Ultramicroscopy 55
(1994)127-140 「Simulation of a Wien filter as bea
m separator in a low energy electron microscope」)
があるが、計算結果だけで、装置として実用化されて
いない。
欠陥検出装置のような具体的な装置として、問題は検討
されていない。すなわち、電子銃から放射された電子を
コンデンサレンズ、対物レンズで試料面上の適切な位置
に集光し、これによって試料から発生した2次電子、反
射電子を別々の検出器で検出し試料の情報を得ているこ
とから、装置が複雑となる。
単一の検出系で、かつ検出する電子を選択することによ
って、種々の試料毎の目的に応じた検査ができる検査装
置を提供することを課題としている。
めに、請求項1に記載の発明は、電子銃から出射された
一次照射ビームを一次光学系を介して試料に照射し、該
試料から発生した2次電子又は反射電子を、二次光学系
に設けられた多数のレンズを介して検出器に結像させる
検査装置において、前記試料から発生した反射電子が前
記二次光学系に導入されるように設定すると共に、該二
次光学系に導入された2次電子又は反射電子の何れかを
前記検出器に結像させるように、前記二次光学系のレン
ズのレンズ電圧を設定可能とした検査装置としたことを
特徴とする。
の構成に加え、前記二次光学系には開口絞りが配設さ
れ、該開口絞りには、大きさの異なる開口孔が形成され
たことを特徴とする。
に記載の構成に加え、前記二次光学系にウイーンフィル
ターを配設すると共に、該二次光学系に前記一次光学系
を接続し、前記電子銃から出射された一次照射ビームを
前記ウイーンフィルター及びカソード部を介して試料に
照射し、該試料から発生した電子を、前記ウイーンフィ
ルター及びレンズを通して検出器に結像させるように設
定したことを特徴とする。
いて説明する。
この発明の実施の形態1を示す。
は電子銃と一次光学系を有する一次コラムで、この電子
銃から出射された一次照射ビーム2が一次光学系を介し
てステージ3上に載置された試料4に照射されるように
なっている。
及び反射電子6が発生するようになっている。そして、
この試料4の表面上から発生する二次元の画像情報を含
む2次電子5及び反射電子6は、「二次光学系」として
の二次コラム7により捕獲され、検出器8に拡大投影さ
れるようになっている。
れるように配設、つまり、一次照射ビーム2の試料4へ
の入射角θ1と等しい角度の反射角θ2の方向に沿って
配設されており、1番下側には、まず、カソードレンズ
9が設けられている。このカソードレンズ9は、図面上
詳細は省略されているが、3枚の電極で構成され、1番
下の電極は試料4側の電位との間で、正の電界を形成
し、2次電子5を効率よくレンズ9内に導くように設計
され、又、1番目、2番目の電極に電圧を印可し、3番
目の電極をゼロ電位として、レンズ作用を行うようにな
っている。その一番下の電極が「カソード部」となって
いる。従って、このカソードレンズ9によって、試料4
からの2次電子5及び反射電子6の像が、最初に結像さ
れるようになっている。
大倍率が不足するので、拡大するためのレンズ系とし
て、第2,第3,第4レンズ10,11,12が配設さ
れ、多段レンズの構成となっている。これら第2,第
3,第4レンズ10,11,12は、すべてユニポテン
シャル、又はアインツェルレンズとよばれる、3枚電極
の構成で、通常は外の2電極をゼロ電位とし、中央の電
極に印可する電圧で、レンズ作用を行わせ、制御するよ
うになっている。なお、カソードレンズ9だけで、結像
させるにはレンズ作用が強くなり収差が発生しやすいの
で、第2レンズ10と合わせて、1回の結像を行わせる
場合もある。同様に、拡大させるためのレンズ系として
も、第3、第4レンズ11,12をもち、合わせて2回
目の結像を行わせる方がよいこともある。従って、この
場合、4枚のレンズ9,10,11,12群の構成が必
要となる。
の間で、二次コラム7の光学系の瞳位置13p近傍に
は、NA絞りとしての開口絞り13が挿入・引出可能に
配設されている。この開口絞り13は、金属製(Mo
等)の薄膜で、各レンズ10,11,12の種々の収差
を抑え、資料4面上での電子ビームの開き角を決定する
と共に散乱電子が上部に届かないようにする役割を果た
している。また、この開口絞り13には、大きさの異な
る開口孔13a,13bが形成されており、これらの開
口孔13a,13bを選択することにより、必要な2次
電子5又は反射電子6だけが、後段のレンズ系(第3,
第4レンズ11,12)や検出器8に導かれるようにな
っている。更に、この開口絞り13は、電気的にレンズ
電極とは絶縁されており、スイッチ15を介して電流計
16に接続されており、光学系の調整時はビームの電流
量をその電流計16によりモニターできるようになって
いる。
ズ9…による結像点がこのコラム7内に何回か存在す
る。前述のように、1回の結像では倍率が不足するた
め、最低2回の結像条件で倍率を決め、それに従ったレ
ンズ電圧を設定する。そして、この中間の結像位置に、
ここでは、第3レンズ11の前側に視野絞りに相当する
フィールドアパーチャ14が配設されている。
ニット17により制御され、試料画像信号が取り出され
るようになっている。また、前記ステージ3はステージ
移動機構18よりXY方向に移動可能となっており、そ
の位置はレーザー干渉計ユニット19により読み取り可
能となっている。そして、CPU20からの指示によ
り、ステージ移動機構18が駆動され、その位置情報
が、レーザー干渉計ユニット19からコントロールユニッ
ト17へ伝達されて、順次試料画像がCPU20へ供給
されるようになっている。また、このCPU20は、一
次コラム1を制御する一次コラム制御ユニット21及
び、二次コラム7を制御する二次コラム制御ユニット2
2に接続されている。
ム制御ユニット22を制御して、各レンズ9…のレンズ
電圧を所定の値に設定することにより、試料4から発生
するエネルギーの異なる2次電子5又は反射電子6を任
意に選択して検出し、それぞれの像を単一の検出器8で
得ることができるように設定されている。
4に照射されると、この試料4の表面から二次元の画像
情報を含み、エネルギーが異なる2次電子5及び反射電
子6が発生する。
次照射ビーム2が反射されて生じるものであるため、そ
の一次照射ビーム2の試料4への入射角θ1と同じ反射
角θ2で反射される。そして、二次コラム7は、その反
射電子6が入射される方向に配設されているため、反射
電子6はこのコラム7に導かれる。
め、カソードレンズ9の一番下の電極(カソード部)が
正の電界に形成されていることから、この電極に引っ張
られてカソードレンズ9内に導かれる。
の値に制御することにより、エネルギーの異なる2次電
子5又は反射電子6の何れかを選択し、この一方の電子
5又は6が各レンズ9…の途中で数回結像され、所定の
倍率に拡大されて最終的に検出器8で拡大投影される。
これにより、試料4の状態によって収率の高い電子(2
次電子5又は反射電子6)を選択することで、試料4の
状態に合った検出を行うことが出来る。
成されたレンズ系の中間の結像点に、ここでは、第3レ
ンズ11の前側に視野絞りに相当するフィールドアパー
チャ14が挿入され、必要な視野の電子ビームだけが、
後段のレンズ系(第3,第4レンズ11,12)や検出
器8に導かれることとなる。
絞り13により、レンズ11,12の種々の収差を抑え
ると共に、散乱電子等のよけいな電子5,6が検出器8
に入射されないようにしている。この場合、開口絞り1
3の位置は、二次コラム7のレンズ系における瞳位置1
3p近傍であり、この瞳位置13pは例えば試料4から
の光軸と平行に出た電子がレンズ系で収束される位置で
もあり、又、例えば試料4面からの主光線がテレセント
リックとなる位置でもある。なお、瞳位置13p近傍で
あるなら図に示す位置に限定されるものではない。そし
て、この開口絞り13には、大きさの異なる開口孔13
a,13bが形成されているため、検出する電子の特性
に応じて適宜その開口孔13a,13bが設定されるこ
ととなる。
ロールユニット17により取り出され、更に、この信号
がコントロールユニット17からCPU20に送られて
画像が読み取られることとなる。
構18よりXY方向に移動され、このステージ3の位置
がレーザー干渉計ユニット19により読み取られる。そ
して、CPU20からの指示により、ステージ移動機構
18が駆動され、その位置情報が、レーザー干渉計ユニ
ット19からコントロールユニット17へ伝達されて、
順次試料画像がCPU20へ供給される。
5又は反射電子6の選択を行うかについて説明する。す
なわち、得られる像のS/Nは検出器8面での電子数に
比例し、像に対して寄与の大きい色収差が電子エネルギ
ーのばらつきに依存する。したがって、測定において像
の分解能を優先させたいならば電子エネルギーのばらつ
きが小さいため色収差の少ない反射電子6を選択する。
しかし、反射電子6は2次電子5に比べ電子数が少ない
ため、開口絞り13を可動させて径の大きな開口孔13
aを選択し、検出電子を増加することでS/Nを上げる
ようにする。
のであれば、電子数が反射電子6に比べて多い2次電子
5を検出対象にする。ただし、2次電子5では電子エネ
ルギーのばらつきによる収差を無視できないため、開口
絞り13を可動させて径の小さな開口孔13bを選択
し、色収差を押さえる。
所定の値に設定すると共に、開口絞り13の径の異なる
開口孔13a,13bを適切に選択することで、単一の
検出器8によって2次電子5又は反射電子6で同程度の
S/Nの像を得ることが出来る。したがって、S/Nの
良い2次電子5を使ってレンズ条件や各コラム1,7の
測定を行い、その後、反射電子6を使って高分解能の像
を得るといった使い方が出来る。
実施の形態2を示す。
コラム7とが接続され、ウイーンフィルター25が設け
られた点で、実施の形態1と異なっている。
カソードレンズ9と第2レンズ10の間に接続されると
共に、ウイーンフィルター25が、その一次コラム1及
びカソードレンズ9の間、第2レンズ10及びカソード
レンズ9の間に配設されている。
ズムとして作用するものであり、一次コラム1から出射
された特定のエネルギーを持つ一次照射ビーム2は、こ
のウィーンフィルター25により、その加速電圧で決定
される角度で曲げられて試料4面に垂直に入射される。
この入射時には、カソードレンズ9のカソード部によ
り、一次照射ビーム2が減速されて試料4に照射され
る。また、試料4から発生した2次電子5,反射電子6
は、その各光学系1,2が上記のように配設されること
により、二次コラム7に導入されるようになっている。
一方、ウイーンフィルター25は、試料4からの電子
5,6を選別するフィルターとして作用するものであ
り、試料4からの特定のエネルギーを持つ2次電子5又
は反射電子6を通過させて、第2レンズ10側に導入さ
せることができる。
ることにより、一次照射ビーム2の照射方向と反射電子
6の反射方向とを試料4に垂直に設定することができる
ため、反射像に影が発生することなく、良質な画像が得
られる。
り、第2レンズ10側へ導入される電子を選択できるた
め、選択されなかった2次電子5又は反射電子6は、第
2レンズ10側へ導入されることがないことから、検出
器8からの画像もより良質なものとすることができる。
と二次光学系が固定式であったが、これらの一方又は両
方を可動式として、反射電子を二次光学系に入射させる
場合に可動させて、二次光学系が反射電子の反射角に沿
うように設定することもできる。
載された発明によれば、試料の状態に合わせて収率の高
い電子(2次電子、反射電子)を選択することにより、単
一検出系で検出することが出来る。
に大きさの異なる開口孔を形成することにより、例え
ば、検出電子に反射電子を選択し、適切なサイズの開口
孔を選択することで分解能の高い像を得ることが出来、
又、検出電子に2次電子を選択し、適切なサイズの開口
孔を選択することでS/Nの高い像を得ることが出来
る。
ら出射された一次照射ビームをウイーンフィルター及び
カソード部を試料に照射するようにすることにより、カ
ソード部により一次照射ビームを減速して試料に照射で
きる。また、試料への一次照射ビームの照射方向と試料
からの電子の発生方向とを、試料に垂直にできるため、
反射像に影が生じることがない、という実用上有益な効
果を発揮する。
示す概略図である。
子及び反射電子等を示す概略図である。
欠陥検査装置を示す概略図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 電子銃から出射された一次照射ビームを
一次光学系を介して試料に照射し、該試料から発生した
2次電子又は反射電子を、二次光学系に設けられた多数
のレンズを介して検出器に結像させる検査装置におい
て、 前記試料から発生した反射電子が前記二次光学系に導入
されるように設定すると共に、該二次光学系に導入され
た2次電子又は反射電子の何れかを前記検出器に結像さ
せるように、前記二次光学系のレンズのレンズ電圧を設
定可能としたことを特徴とする検査装置。 - 【請求項2】 前記二次光学系には開口絞りが配設さ
れ、該開口絞りには、大きさの異なる開口孔が形成され
たことを特徴とする請求項1に記載の検査装置。 - 【請求項3】 前記二次光学系にウイーンフィルターを
配設すると共に、該二次光学系に前記一次光学系を接続
し、前記電子銃から出射された一次照射ビームを前記ウ
イーンフィルター及びカソード部を介して試料に照射
し、該試料から発生した電子を、前記ウイーンフィルタ
ー及びレンズを通して検出器に結像させるように設定し
たことを特徴とする請求項1又は2に記載の検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10096594A JPH10326586A (ja) | 1997-03-26 | 1998-03-25 | 検査装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-91421 | 1997-03-26 | ||
JP9142197 | 1997-03-26 | ||
JP10096594A JPH10326586A (ja) | 1997-03-26 | 1998-03-25 | 検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10326586A true JPH10326586A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=26432858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10096594A Pending JPH10326586A (ja) | 1997-03-26 | 1998-03-25 | 検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10326586A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004221089A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | 電子ビーム装置及び検出装置 |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP10096594A patent/JPH10326586A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004221089A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | 電子ビーム装置及び検出装置 |
US7910887B2 (en) | 2003-01-16 | 2011-03-22 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Electron-beam device and detector system |
JP2013055073A (ja) * | 2003-01-16 | 2013-03-21 | Carl Zeiss Nts Gmbh | 電子ビーム装置 |
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