JPH10325876A - 放射性表面汚染検出装置 - Google Patents
放射性表面汚染検出装置Info
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- JPH10325876A JPH10325876A JP13538597A JP13538597A JPH10325876A JP H10325876 A JPH10325876 A JP H10325876A JP 13538597 A JP13538597 A JP 13538597A JP 13538597 A JP13538597 A JP 13538597A JP H10325876 A JPH10325876 A JP H10325876A
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Abstract
な放放射性表面汚染検出装置を提供する。 【解決手段】 プローブユニット10の検出面12aに
は、放射線検出用の複数の検出器が所定のパターンで配
列されている。プローブユニット10の検出面の裏側の
面には、複数の発光ダイオード18が検出器の配列パタ
ーンに対応したパターンで配列されている。各発光ダイ
オード18は、それぞれ、対応する検出器の検出パルス
によって駆動される。各発光ダイオード18の点灯の頻
度により、検出面12aの各部分での汚染の強さをそれ
ぞれ判別できる。
Description
汚染を測定する放射性表面汚染検出装置に関する。
は、器物や人間の放射性物質による表面汚染を検出する
ために放射性表面汚染検出装置が用いられる。
図7を参照して説明する。
置は、放射線を検出するプローブユニット10と、電源
や信号処理回路などを備える本体ユニット20とから構
成される。
含む検出部12と、測定者が手で持つための取手部14
とから構成される。検出部12の検出面12aには、放
射線検出器として板状の大面積シンチレータが設けられ
ている。一方、取手部14には光電子増倍管が内蔵され
ており、シンチレータの発光は検出部12内のライトガ
イドによって、その光電子増倍管に導かれる。この光電
子増倍管から出力される検出信号は、ケーブル30を経
て本体ユニット20に入力される。
り、この電源からの電力は本体ユニット20内の諸回路
のみならず、ケーブル30を介してプローブユニット1
0の光電子増倍管にも供給されている。プローブユニッ
ト10の光電子増倍管の検出信号は、本体ユニット20
内部の信号処理回路に入力される。信号処理回路は、そ
の検出信号に対し、波高弁別や計数などの処理を行い、
計数値や計数率などの測定値を求める。この測定値は、
表示部22にて表示される。また、本体ユニット20に
も、測定者が手で持つための取手部24が設けられてい
る。
0を、他方の手に本体ユニット20をそれぞれ持ち、検
出面12aを測定対象物に近づけ、表示部22を見なが
らプローブユニット10により測定対象面を走査し、汚
染の状況を検査していた。
置に対しては、従来より短時間で広い面積について表面
汚染の検査を行いたいという要望がある。この要望に応
えるには、検出面を大面積にするのがよいが、放射性表
面汚染検出装置は、検出面の大きさの程度までしか汚染
部位を絞り込むことができないので、検出面の面積を大
きくすると汚染部位の特定の精度が悪くなる。このよう
に、従来の放射性表面汚染検出装置では、作業効率(す
なわち検査の早さ)と汚染部位の特定の精度とを両立さ
せることは困難であった。
ものであり、作業効率と汚染部位特定の精度とが共に良
好な放射性表面汚染検出装置を提供することを目的とす
る。
に、本発明は、測定対象表面の放射性物質による汚染を
検出する放射性表面汚染検出装置であって、検出面に沿
って所定の配列パターンに従って配列された複数の半導
体放射線検出器を有する手持ち型のプローブユニット
と、前記半導体放射線検出器の配列パターンに対応して
配列された複数の表示セグメントからなる表示手段と、
を有し、前記各半導体放射線検出器の検出信号に基づき
前記表示手段の各表示セグメントの表示状態を制御す
る。
トの配列からなる液晶表示器や、複数の発光ダイオード
の配列などを用いることができる。
に沿って配列された個々の半導体放射線検出器(以下
「検出器」と略す)で放射線を検出し、各検出器の検出
信号を表示手段の各表示セグメントに反映させることに
より、同じ検出面の中でも表面汚染の強い部分弱い部分
が分かる。すなわち、各検出器の出力により表示を制御
することができるので、検出面を複数の小領域に分け、
各小領域ごとに汚染の程度を表示することができる。ま
た、逆の見方をすれば、この構成では、検出器の数を増
やすことにより、容易にプローブユニットの大面積化を
図ることができる。したがって、この構成によれば、検
出面を大面積にしても、その検出面の中の各小領域ごと
に汚染の程度を知ることができるので、検出面の大面積
化によって検査作業を効率化すると同時に汚染位置の特
定の精度を向上させることができる。なお、この構成に
おいて、検出器と表示セグメントの対応関係は必ずしも
一対一対応に限られず、多数の検出器の出力を1つの表
示セグメントに反映させるような対応関係も可能であ
る。
は、前記プローブユニットの前記検出面の裏側の面に設
けられる。この態様によれば、測定者がプローブユニッ
トを手で持って検出面を測定対象に当てて検査するとき
に、測定者から見て表示手段の先に検出面が来ることに
なるので、表示と測定対象面との対応が直感的につかみ
やすくなり、良好な操作性を得ることができる。
染検出装置の好適な実施の形態(以下、実施形態と略
す)を図面に基づいて説明する。
形態の放射性表面汚染検出装置のプローブユニット10
の外観を概略的に示す斜視図である。本実施形態の放射
性表面汚染検出装置は、従来と同様プローブユニット1
0と本体ユニットとから構成されているが、本体ユニッ
トの構成及び機能は従来とほぼ同様なので、以下ではプ
ローブユニット10を中心に説明する。
検出部12と取手部14から構成されている。測定者
は、取手部14を手で持ち、検出面12aを対象物表面
に近接させて表面汚染検出作業を行う。検出部12にお
いて、検出面12aの裏面には、汚染状態を表示するた
めの表示手段として、複数の発光ダイオード18が配設
されている。
2を検出面12a側から見た図である。図2に示すよう
に、検出部12には、放射線検出用の複数の検出器16
が2列に整列配列されている。検出器16は、半導体検
出器である。これら各検出器16の検出信号をまとめた
信号(すなわち各検出信号のOR信号)が、プローブユ
ニット10全体としての検出信号としてケーブル30を
介して本体ユニットに入力される。本体ユニットは、こ
の信号に基づき計数率などの算出を行い、その結果を表
示する。このように、本実施形態では、半導体検出器を
複数並べて用いることにより、大面積の放射線検出器を
構成している。
まとめられて本体ユニットに送られるだけでなく、各発
光ダイオード18の駆動のために用いられる。
構成を説明するための図である。本実施形態では、発光
ダイオード18は、1個の検出器16に対応して1個設
けられており、発光ダイオード18は、検出器16の配
列パターンに対応したパターンで配列されている。ま
た、各検出器16に対してそれぞれアンプ・波高弁別回
路17が設けられている。アンプ・波高弁別回路17
は、検出信号を増幅し、増幅された信号から所定波高以
上のパルスのみを抽出することにより、ノイズを除去し
て対象とする放射線(例えばα線)の検出パルスのみを
抽出してノイズを除去する。各検出器16の検出信号
は、それぞれ対応するアンプ・波高弁別回路17に入力
され、増幅及び波高弁別される。この結果、検査対象の
放射線の検出によるパルスのみが弁別され、このパルス
により発光ダイオード18が駆動される。すなわち、こ
の実施形態は、検出器16にて放射線が検出されるごと
に、これに対応する発光ダイオード18が発光する仕組
みになっている。したがって、発光ダイオード18の点
灯の頻度で、その発光ダイオード18に対応する位置の
汚染の程度を把握することができ、汚染が激しい位置を
検出器16の面積程度まで絞り込むことができる。
の検出面12aを有するプローブユニット10により短
時間で広い範囲の汚染を検査できると共に、各発光ダイ
オード18の点灯の頻度により検出面12aの中で汚染
が激しい部分を更に細かく特定することができる。すな
わち、この実施形態によれば、作業効率と汚染部位特定
の精度とを両立させることができる。
態について説明する。前述の実施形態1が、検出面の各
部分での放射線の検出をそのまま発光ダイオードの発光
として報知するものであったのに対し、この実施形態
は、検出面の各部分の計数率などを算出して表示するも
のである。
ット10の検出部12の上面図である。この検出部12
の検出面側には、実施形態1のプローブユニットと同
様、図2に示したように複数の検出器16が設けられて
いる。そして、検出部12の上面側には、液晶表示器4
0が設けられている。液晶表示器40は、半導体検出器
16と同数のセグメント42に分割されている。各セグ
メント42の配列パターンは、検出器16の配列パター
ンに対応している。各セグメント42は、多階調で表示
が可能となっており、各々対応する位置にある検出器1
6の検出結果、例えば計数率を階調表示する。
実現するための構成を示すブロック図である。この構成
においては、各検出器16の検出信号は、アンプ・波高
弁別回路17で増幅及び波高弁別され、検出対象の放射
線によるパルスのみが演算処理部50に入力される。演
算処理部50は、検出器16ごとにそのパルスを計数し
て計数率を求め、求めた計数率に応じた階調レベル信号
を生成して液晶表示器40の対応するセグメント42に
供給する。このような構成により、各セグメント42
は、それぞれ、対応する検出器16についての計数率に
応じた階調濃度で表示を行う。したがって、液晶表示器
40によれば、検出面内での計数率の分布を知ることが
できる。
大面積の検出面内のどの部分の汚染が激しいかを知るこ
とができる。
は、ROMなどに内蔵した処理プログラムを汎用のプロ
セッサで実行させることにより実現してもよいし、専用
のハードウエア回路として実現してもよい。また、この
演算処理部50は、プローブユニット10に設けてもよ
いし、本体ユニットに設けてもよい。後者の場合、プロ
ーブユニット10から本体ユニットへは、検出信号を検
出器ごとに独立して伝送する。また、本体ユニット側で
も計数率の分布を表示させることが可能である。
測定値を演算処理部50で求め、この分布を液晶表示器
40に表示させてもよい。
に、カラー表示可能な表示デバイスを設け、計数率など
の測定結果のレベルを色分け表示する構成とすることも
できる。
た。以上に説明した実施形態はあくまで一例であり、本
発明にはこのほかにも様々な変形例が考えられる。
して表示セグメント(発光ダイオードや液晶セグメント
など)を一対一で対応させたが、複数の検出器に対して
1個の表示セグメントを対応させる多対一の対応づけも
可能である。
れに対応する表示セグメントの配列のパターンについて
も様々な変形が可能である。例えば、図6に示すよう
に、プローブユニット10の走査方向に垂直な方向に沿
って表示セグメント44を一次元配列する構成でも、検
出面の大面積化と汚染位置の高精度の特定の両立という
本発明の目的を達成することができる。
複数の検出器の検出結果を複数の表示セグメントを有す
る表示手段にて表示することにより、検出面の大面積化
による汚染検査作業の効率化と、汚染位置の特定の高精
度化とを両立することができる。また、表示手段をプロ
ーブユニットに設けることにより、測定者の操作性を向
上させることができる。
の外観を概略的に示す斜視図である。
回路構成の概略を説明するための図である。
の表示機構を示す図である。
ための図である。
図である。
斜視図である。
面、14 取手部、16 検出器、17 アンプ・波高
弁別回路、18 発光ダイオード、20 本体ユニッ
ト、22 表示部、24 取手部、40 液晶表示器、
42 セグメント、44 表示セグメント、50 演算
処理部。
Claims (2)
- 【請求項1】 測定対象表面の放射性物質による汚染を
検出する放射性表面汚染検出装置であって、 検出面に沿って所定の配列パターンに従って配列された
複数の半導体放射線検出器を有する手持ち型のプローブ
ユニットと、 前記半導体放射線検出器の配列パターンに対応して配列
された複数の表示セグメントからなる表示手段と、 を有し、前記各半導体放射線検出器の検出信号に基づき
前記表示手段の各表示セグメントの表示状態を制御する
放射性表面汚染検出装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の装置において、 前記表示手段は、前記プローブユニットの前記検出面の
裏側の面に設けられることを特徴とする放射性表面汚染
検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13538597A JPH10325876A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 放射性表面汚染検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13538597A JPH10325876A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 放射性表面汚染検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10325876A true JPH10325876A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15150477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13538597A Pending JPH10325876A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 放射性表面汚染検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10325876A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106842274A (zh) * | 2017-03-30 | 2017-06-13 | 成都理工大学 | α/β表面污染阵列探测器及探测系统 |
WO2017158902A1 (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 株式会社日立製作所 | 放射線測定装置 |
WO2021261198A1 (ja) * | 2020-06-25 | 2021-12-30 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 | 放射線検出器 |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP13538597A patent/JPH10325876A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017158902A1 (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 株式会社日立製作所 | 放射線測定装置 |
CN106842274A (zh) * | 2017-03-30 | 2017-06-13 | 成都理工大学 | α/β表面污染阵列探测器及探测系统 |
CN106842274B (zh) * | 2017-03-30 | 2024-01-19 | 成都理工大学 | α/β表面污染阵列探测器及探测系统 |
WO2021261198A1 (ja) * | 2020-06-25 | 2021-12-30 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 | 放射線検出器 |
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A521 | Written amendment |
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