JPH1032460A - Surface acoustic wave device - Google Patents
Surface acoustic wave deviceInfo
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- JPH1032460A JPH1032460A JP18946696A JP18946696A JPH1032460A JP H1032460 A JPH1032460 A JP H1032460A JP 18946696 A JP18946696 A JP 18946696A JP 18946696 A JP18946696 A JP 18946696A JP H1032460 A JPH1032460 A JP H1032460A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置に
関し、特に、ベース基板上に載置されたSAW素子がベ
ース基板と金属キャップとで構成されるパッケージ内に
封止された構造の弾性表面波装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly, to a surface acoustic wave device having a structure in which a SAW element mounted on a base substrate is sealed in a package composed of the base substrate and a metal cap. The present invention relates to a surface acoustic wave device.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、ベース基板と金属キャップとによ
りパッケージ構造を構成した弾性表面波装置として、図
1及び図2に示すようなものがある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a surface acoustic wave device in which a package structure is constituted by a base substrate and a metal cap, there is a device as shown in FIGS.
【0003】図1及び図2に示すように、この弾性表面
波装置は、アルミナ等の絶縁性セラミックスからなるベ
ース基板10上にSAW素子20が半田51によりはん
だ付けされて載置され、ベース基板10と金属キャップ
30とが半田52により接合されて、SAW素子20が
封止されている。As shown in FIGS. 1 and 2, in this surface acoustic wave device, a SAW element 20 is mounted by soldering on a base substrate 10 made of an insulating ceramic such as alumina. The SAW element 20 is sealed by joining the metal cap 10 and the metal cap 30 with solder 52.
【0004】ベース基板10の上面には、図1に示すよ
うに、金属キャップ30との接合を果たすための角環状
の接合ランド11、SAW素子20を半田付けするため
の電極ランド12a,12b及び電極ランド12a,1
2bに連接して所望の電気的接続を果たすための引出電
極13a,13bが形成されている。図示しないが、ベ
ース基板10の下面には入出力端子電極及びアース端子
電極が形成され、引出電極13aは入出力端子電極に、
引出電極13bはアース端子電極にスルーホールにより
接続されている。そして、接合ランド11と前記アース
端子電極とを同電位とするために、アース端子電極に接
続された2つの引出電極13bの一端は接合ランド11
から引出されている。[0004] As shown in FIG. 1, on the upper surface of the base substrate 10, an annular ring-shaped bonding land 11 for bonding to a metal cap 30, electrode lands 12 a and 12 b for soldering the SAW element 20, and Electrode lands 12a, 1
Lead electrodes 13a and 13b are formed to be connected to 2b to achieve desired electrical connection. Although not shown, an input / output terminal electrode and a ground terminal electrode are formed on the lower surface of the base substrate 10, and the extraction electrode 13a serves as the input / output terminal electrode.
The extraction electrode 13b is connected to the ground terminal electrode by a through hole. One end of each of the two extraction electrodes 13b connected to the ground terminal electrode is connected to the bonding land 11 so that the bonding land 11 and the ground terminal electrode have the same potential.
Has been drawn from.
【0005】SAW素子20は、下面にIDTや反射器
が形成されており、ベース基板10上にフェイスダウン
方式で取付けられている。すなわち、IDTや反射器が
形成された面が下面となるように、SAW素子20の端
子電極が半田51によりベース基板10の電極ランド1
2a,12bに接合されて、ベース基板10に支持固定
されている。The SAW element 20 has an IDT and a reflector formed on the lower surface, and is mounted on the base substrate 10 in a face-down manner. That is, the terminal electrodes of the SAW element 20 are soldered to the electrode lands 1 of the base substrate 10 such that the surface on which the IDT and the reflector are formed is the lower surface.
2a and 12b, and are supported and fixed to the base substrate 10.
【0006】金属キャップ30は、下方に開口した形状
を有し、開口部の全周にベース基板10と平行に延びる
フランジ部31が形成され、このフランジ部31が、半
田52により、ベース基板10の接合ランド11に接合
されている。The metal cap 30 has a shape opened downward, and a flange 31 extending parallel to the base substrate 10 is formed all around the opening. Are bonded to the bonding lands 11.
【0007】SAW素子20及び金属キャップ30のベ
ース基板10への接合はリフロー半田付け法により行わ
れ、SAW素子20は金属キャップ30とベース基板1
0とで封止される。この半田接合のために、金属キャッ
プの表面はメッキ処理されており、従来、半田濡れ性の
よいAgメッキやAuメッキが施されていた。The joining of the SAW element 20 and the metal cap 30 to the base substrate 10 is performed by a reflow soldering method.
It is sealed with 0. For this solder joining, the surface of the metal cap is plated, and conventionally, Ag plating or Au plating having good solder wettability has been applied.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の弾性表面波装置においては、金属キャップ30のフ
ランジ部31とベース基板10の接合ランド11との半
田接合部に微細な隙間が生じ完全な密封が得られないと
いう問題があった。そして、この原因が、金属ケース3
0に施されたAgメッキやAuメッキ等の半田濡れ性が
良すぎるために、半田接合する際に溶融状態の半田52
がフランジ部31の上面部等へ流れて半田接合部分の半
田量が少なくなる、または部分的になくなることに起因
していることがわかった。However, in the above-described conventional surface acoustic wave device, a fine gap is formed at a solder joint between the flange portion 31 of the metal cap 30 and the joint land 11 of the base substrate 10 to complete sealing. There was a problem that can not be obtained. And this cause is the metal case 3
Since the solder wettability of Ag plating, Au plating, or the like applied to the solder 52 is too good, the molten solder
Flowed to the upper surface of the flange portion 31 and the like, and the amount of solder at the solder joint portion was reduced or partially eliminated.
【0009】そこで、本発明の目的は、金属キャップと
ベース基板の密封性を大幅に向上することができる弾性
表面波装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device capable of greatly improving the sealing between a metal cap and a base substrate.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、接合ランドが形成されたベース基板と、
前記ベース基板上に載置されたSAW素子と、前記SA
W素子を封止するように前記接合ランドに半田付け接合
された金属キャップとを備えてなる弾性表面波装置にお
いて、前記金属キャップの表面がNiメッキされている
ことを特徴とするものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a base substrate having bonding lands formed thereon,
A SAW element mounted on the base substrate;
In a surface acoustic wave device comprising a metal cap soldered and bonded to the bonding land so as to seal the W element, the surface of the metal cap is Ni-plated.
【0011】上記の構成によれば、金属キャップの表面
は半田濡れ性の低いNiメッキが施されているので、金
属ケースをベース基板の接合ランドにリフロー半田付け
する際に、金属ケースの半田接合面(フランジ部の下
面)以外に溶融半田が流れ出すことが防止される。すな
わち、ベース基板の接合ランドに予備半田された半田が
接合部以外へ流れることがなく半田接合部に所定の半田
量が確保できるようになり、金属ケースとベース基板と
の密封性を大幅に向上できる。According to the above configuration, the surface of the metal cap is plated with Ni having low solder wettability. Therefore, when the metal case is reflow-soldered to the bonding land of the base substrate, the metal case is soldered. The molten solder is prevented from flowing out of the surface (the lower surface of the flange portion). In other words, the solder preliminarily soldered to the joint lands on the base board does not flow to other than the joints, and a predetermined amount of solder can be secured at the solder joints, greatly improving the sealing between the metal case and the base board. it can.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る弾性表面波装
置を説明する。全体的な構造は、従来弾性表面波装置と
同様であるため、図1及び図2を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A surface acoustic wave device according to the present invention will be described below. Since the overall structure is the same as that of the conventional surface acoustic wave device, it will be described with reference to FIGS.
【0013】すなわち、本発明に係る弾性表面波装置
は、ベース基板10上にSAW素子20が載置され、ベ
ース基板10と金属キャップ30とがリフロー半田法に
より半田52により接合されて、SAW素子20がベー
ス基板10と金属キャップ30とで構成されるパッケー
ジ内に封止されている。That is, in the surface acoustic wave device according to the present invention, the SAW element 20 is mounted on the base substrate 10, and the base substrate 10 and the metal cap 30 are joined by the solder 52 by the reflow soldering method. Reference numeral 20 is sealed in a package including the base substrate 10 and the metal cap 30.
【0014】そして、本実施例の金属キャップ30は全
表面がNiメッキ層で覆われている。つまり、従来Ag
メッキやAuメッキが施された金属ケース30を用いて
いたが、本実施例ではNiメッキされた金属ケース30
が用いられている。The entire surface of the metal cap 30 of this embodiment is covered with a Ni plating layer. That is, the conventional Ag
Although the metal case 30 plated with Au or plated with Au is used, in this embodiment, the metal case 30 plated with Ni is used.
Is used.
【0015】このようにNiメッキされた金属ケース3
0を用いたものと、AgメッキやAuメッキされた従来
の金属キャップを用いたものとを同一条件でリフロー半
田付けした後、密封性試験の比較を行った結果、本実施
例のものは、従来例のものよりも密封性が大幅に改善さ
れていることが確認された。The metal case 3 thus plated with Ni
After performing reflow soldering under the same conditions as those using the conventional metal cap plated with Ag or Au, the result of comparison of the sealing test was as follows. It was confirmed that the sealing performance was significantly improved as compared with the conventional example.
【0016】また、拡大鏡や顕微鏡での金属ケース30
のフランジ部11上面への半田52の回り込みの観察に
おいても、本実施例のものは、従来例のものに比べ、そ
の回り込み量が大幅に低減されていることが確認され
た。A metal case 30 for use with a magnifying glass or a microscope.
Observation of the wrap-around of the solder 52 on the upper surface of the flange portion 11 also confirmed that the wrap-around amount of the present embodiment was significantly reduced as compared with the conventional example.
【0017】つまり、本実施例では、金属ケースには半
田濡れ性の低いNiメッキが施されており、リフロー半
田時に金属ケースの半田接合面以外への溶融半田の流れ
出しが防止されるので、半田接合部に所定の半田量が確
保でき、金属ケースとベース基板との密封性が大幅に改
善されたものとなっている。That is, in this embodiment, the metal case is plated with Ni having low solder wettability, and the flow of the molten solder to portions other than the solder joint surface of the metal case during reflow soldering is prevented. A predetermined amount of solder can be secured at the joint, and the sealing between the metal case and the base substrate is greatly improved.
【0018】なお、上記実施例では、SAW素子20は
半田51によりベース基板10に接続固定されている
が、SAW素子20のベース基板10への接続固定はこ
れに限るものではなく、例えば、SAW素子をベース基
板に接着剤等で固定し、ワイヤボンディングによりSA
W素子とベース基板との電気的接続を得るようにした弾
性表面波装置にも本発明を適用できることは勿論であ
る。In the above-described embodiment, the SAW element 20 is connected and fixed to the base substrate 10 by the solder 51. However, the connection and fixing of the SAW element 20 to the base substrate 10 are not limited to this. The element is fixed to the base substrate with an adhesive or the like, and SA is
Needless to say, the present invention can be applied to a surface acoustic wave device in which electrical connection between the W element and the base substrate is obtained.
【0019】[0019]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る弾性
表面波装置によれば、金属キャップの表面は半田濡れ性
の低いNiメッキが施されており、金属ケースをベース
基板の接合ランドにリフロー半田付けする際に、金属ケ
ースの半田接合面以外に溶融半田が流れ出すことが防止
される。すなわち、ベース基板の接合ランドに予備半田
された半田が接合部以外へ流れることがなく半田接合部
に所定の半田量が確保できるようになり、金属ケースと
ベース基板との密封性を大幅に向上できる。As described above, according to the surface acoustic wave device of the present invention, the surface of the metal cap is plated with Ni having low solder wettability, and the metal case is attached to the joint land of the base substrate. At the time of reflow soldering, the molten solder is prevented from flowing out of the metal case other than the solder joint surface. In other words, the solder preliminarily soldered to the joint lands on the base board does not flow to other than the joints, and a predetermined amount of solder can be secured at the solder joints, greatly improving the sealing between the metal case and the base board. it can.
【0020】したがって、本発明によれば、密封性の良
好な信頼性の高い弾性表面波装置を得ることができる。Therefore, according to the present invention, a highly reliable surface acoustic wave device having good sealing performance can be obtained.
【図1】本発明及び従来の弾性表面波装置を説明するた
めの分解斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view for explaining the present invention and a conventional surface acoustic wave device.
【図2】本発明及び従来の弾性表面波装置を説明するた
めの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the present invention and a conventional surface acoustic wave device.
10 ベース基板 11 接合ランド 20 SAW素子 30 金属キャップ 31 フランジ部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base board 11 Joining land 20 SAW element 30 Metal cap 31 Flange part
Claims (1)
前記ベース基板上に載置されたSAW素子と、前記SA
W素子を封止するように前記接合ランドに半田付け接合
された金属キャップとを備えてなる弾性表面波装置にお
いて、 前記金属キャップの表面がNiメッキされていることを
特徴とする弾性表面波装置。A base substrate on which a bonding land is formed;
A SAW element mounted on the base substrate;
A surface acoustic wave device comprising: a metal cap soldered and bonded to the bonding land so as to seal a W element; wherein the surface of the metal cap is Ni-plated. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18946696A JPH1032460A (en) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18946696A JPH1032460A (en) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | Surface acoustic wave device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1032460A true JPH1032460A (en) | 1998-02-03 |
Family
ID=16241750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18946696A Pending JPH1032460A (en) | 1996-07-18 | 1996-07-18 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1032460A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003037472A (en) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Metals Ltd | Composite high-frequeny component and radio transmitter-receiver |
US6543109B1 (en) | 1999-03-02 | 2003-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave apparatus |
-
1996
- 1996-07-18 JP JP18946696A patent/JPH1032460A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6543109B1 (en) | 1999-03-02 | 2003-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave apparatus |
JP2003037472A (en) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Metals Ltd | Composite high-frequeny component and radio transmitter-receiver |
JP4737580B2 (en) * | 2001-07-23 | 2011-08-03 | 日立金属株式会社 | Composite high-frequency component and wireless transceiver using the same |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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