JPH1032302A - 打抜性に優れたリードフレーム用板とその製造方法 - Google Patents
打抜性に優れたリードフレーム用板とその製造方法Info
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- JPH1032302A JPH1032302A JP18493296A JP18493296A JPH1032302A JP H1032302 A JPH1032302 A JP H1032302A JP 18493296 A JP18493296 A JP 18493296A JP 18493296 A JP18493296 A JP 18493296A JP H1032302 A JPH1032302 A JP H1032302A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣチップを表面に実装し、配線基板上に
接続されるＩＣ素子に使用するリードフレーム用の板に
関し、ファインピッチの微細なリードピンを可能にした
打抜性に優れたリードフレーム用板とその製造方法を提
供する。 【解決手段】Ｆｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃｒ系合金の基
板２と、この基板２の両表面に被覆したＦｅＮｉ3の薄
層４とからなる打抜性に優れたリードフレーム用板１。
上記ＦｅＮｉ3の薄層４の厚さは１〜１０μｍの範囲が
望ましい。 また、Ｆｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃｒ系合
金の基板２の両表面にＮｉの薄層３を被覆する工程と、
該Ｎｉの薄層３を被覆した基板２を７００〜１０００℃
で真空焼鈍し、表面のＮｉを拡散する工程と、該焼鈍さ
れた基板２を冷間圧延する工程と、該圧延後の基板２を
４００〜５１７℃で真空焼鈍し、表面にＦｅＮｉ3を析
出させ る工程と、を有する打抜性に優れたリードフレ
ーム用板の製造方法も提案する。
接続されるＩＣ素子に使用するリードフレーム用の板に
関し、ファインピッチの微細なリードピンを可能にした
打抜性に優れたリードフレーム用板とその製造方法を提
供する。 【解決手段】Ｆｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃｒ系合金の基
板２と、この基板２の両表面に被覆したＦｅＮｉ3の薄
層４とからなる打抜性に優れたリードフレーム用板１。
上記ＦｅＮｉ3の薄層４の厚さは１〜１０μｍの範囲が
望ましい。 また、Ｆｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃｒ系合
金の基板２の両表面にＮｉの薄層３を被覆する工程と、
該Ｎｉの薄層３を被覆した基板２を７００〜１０００℃
で真空焼鈍し、表面のＮｉを拡散する工程と、該焼鈍さ
れた基板２を冷間圧延する工程と、該圧延後の基板２を
４００〜５１７℃で真空焼鈍し、表面にＦｅＮｉ3を析
出させ る工程と、を有する打抜性に優れたリードフレ
ーム用板の製造方法も提案する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ(集積回路)チ
ップを表面の中央に実装し、且つプリント配線基板上等
に接続されるＩＣ素子に使用されるリードフレームに用
いる板と、その製造方法に関し、特に打抜性に優れたリ
ードフレーム用板に関する。
ップを表面の中央に実装し、且つプリント配線基板上等
に接続されるＩＣ素子に使用されるリードフレームに用
いる板と、その製造方法に関し、特に打抜性に優れたリ
ードフレーム用板に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】近年、各種の電子機器の高
機能化に伴い、それらの主要部品であるＩＣ素子も高機
能化して、集積度を増大させている。係る集積度の増大
は、Ｉ／Ｏ数を増やし、ＩＣ素子に内蔵されるリードフ
レームのピン数も２００ピン以上になっている。係るリ
ードフレームの多ピン化は、今後とも一層進むものと思
われ、ファインピッチの微細なリードピンを有するリー
ドフレームに対するニーズが増加する趨勢にある。係る
ファインピッチのリードフレームを実用的に生産するに
は、プレス等による打抜き加工が適している。
機能化に伴い、それらの主要部品であるＩＣ素子も高機
能化して、集積度を増大させている。係る集積度の増大
は、Ｉ／Ｏ数を増やし、ＩＣ素子に内蔵されるリードフ
レームのピン数も２００ピン以上になっている。係るリ
ードフレームの多ピン化は、今後とも一層進むものと思
われ、ファインピッチの微細なリードピンを有するリー
ドフレームに対するニーズが増加する趨勢にある。係る
ファインピッチのリードフレームを実用的に生産するに
は、プレス等による打抜き加工が適している。
【０００３】しかし、リードフレーム用板を打抜き加工
した場合、打抜き後におけるリードピンに生ずるダレや
バリが問題となる。即ち、図４において(Ａ)に示す正方
形断面のリードピン１０を得るため、リードフレーム用
板を打抜き加工した場合、同図(Ｂ)に示すように、上方
の各コーナにはダレ１２が生じ、また、下方の各コーナ
にはバリ１４が生じる。係るリードピン１０は更に定盤
上に押し付けられるため、同図(Ｃ)に示すように、上記
バリ１４は水平方向に延出する。そして、上記ダレ１２
は、追ってモールディングされるエポキシ樹脂層の対向
部分に所謂樹脂バリを生じ、隣接するリードピンとの間
で短絡を生するという問題を有する。また、上記バリ１
４も、隣接する平行なリードピン１０との間に短絡を生
じるおそれがある。一方、リードフレームは上述した多
ピン化と共に、電子機器がさまざまな環境下で、且つ過
酷な条件下でも高性能を求められるため、耐食性の更な
る向上を求められている。
した場合、打抜き後におけるリードピンに生ずるダレや
バリが問題となる。即ち、図４において(Ａ)に示す正方
形断面のリードピン１０を得るため、リードフレーム用
板を打抜き加工した場合、同図(Ｂ)に示すように、上方
の各コーナにはダレ１２が生じ、また、下方の各コーナ
にはバリ１４が生じる。係るリードピン１０は更に定盤
上に押し付けられるため、同図(Ｃ)に示すように、上記
バリ１４は水平方向に延出する。そして、上記ダレ１２
は、追ってモールディングされるエポキシ樹脂層の対向
部分に所謂樹脂バリを生じ、隣接するリードピンとの間
で短絡を生するという問題を有する。また、上記バリ１
４も、隣接する平行なリードピン１０との間に短絡を生
じるおそれがある。一方、リードフレームは上述した多
ピン化と共に、電子機器がさまざまな環境下で、且つ過
酷な条件下でも高性能を求められるため、耐食性の更な
る向上を求められている。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】即ち、本発明は前記多ピン化
と耐食性を向上させたリードフレームを得るため、これ
に用いられるリードフレーム用板もプレス等の打抜き加
工によるダレやバリを小さく、又は生じにくくし、且
つ、耐食性を向上させることを目的とする。
と耐食性を向上させたリードフレームを得るため、これ
に用いられるリードフレーム用板もプレス等の打抜き加
工によるダレやバリを小さく、又は生じにくくし、且
つ、耐食性を向上させることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、リードフレーム用板の表層部のみを硬くし
て、多ピン化を可能にすると共に、硬い表層部を化学的
に安定な金属間化合物によって構成し、耐食性をも付与
することに着想してなされたものである。即ち、本発明
のリードフレーム用板は、Ｆｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃ
ｒ系合金の基板と、この基板の両表面に被覆したＦｅＮ
ｉ3の薄層とからなる打抜性に優れたことを特徴とす
る。前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金には３０〜５０wt％のＮｉを
含むＰＢパーマロイ系等、また、前記Ｆｅ−Ｃｒ系合金
には６〜１３wt％のＣｒを含む例えば電磁ステンレス鋼
等の軟質磁性材料が用いられる。また、前記ＦｅＮｉ3
の薄層の厚さは１〜１０μｍの範囲とされる。１μｍ未
満では、脆性層が不足し剪断変形の初期にクラックが発
生しにくく、１０μｍを越えると脆性層が厚過ぎて上記
クラックが厚さ(垂直)方向以外にも発生し易くなるた
め、これらを避けるべく上記の範囲とした。
決するため、リードフレーム用板の表層部のみを硬くし
て、多ピン化を可能にすると共に、硬い表層部を化学的
に安定な金属間化合物によって構成し、耐食性をも付与
することに着想してなされたものである。即ち、本発明
のリードフレーム用板は、Ｆｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃ
ｒ系合金の基板と、この基板の両表面に被覆したＦｅＮ
ｉ3の薄層とからなる打抜性に優れたことを特徴とす
る。前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金には３０〜５０wt％のＮｉを
含むＰＢパーマロイ系等、また、前記Ｆｅ−Ｃｒ系合金
には６〜１３wt％のＣｒを含む例えば電磁ステンレス鋼
等の軟質磁性材料が用いられる。また、前記ＦｅＮｉ3
の薄層の厚さは１〜１０μｍの範囲とされる。１μｍ未
満では、脆性層が不足し剪断変形の初期にクラックが発
生しにくく、１０μｍを越えると脆性層が厚過ぎて上記
クラックが厚さ(垂直)方向以外にも発生し易くなるた
め、これらを避けるべく上記の範囲とした。
【０００６】一方、本発明は前記リードフレーム用板を
得るため、Ｆｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃｒ系合金の基板
の両表面にＮｉの薄層を被覆する工程と、このＮｉの薄
層を被覆した基板を７００〜１０００℃に加熱して真空
中等で焼鈍を施し、表面のＮｉを上記基板中に拡散する
工程と、該焼鈍された基板を冷間圧延する工程と、該圧
延後の基板を４００〜５１７℃に加熱して真空中等で焼
鈍を施し、表面にＦｅＮｉ3を析出する工程と、を有す
る打抜性に優れたことを特徴とするリードフレーム用板
の製造方法をも提案する。上記方法における最初の真空
焼鈍は、Ｎｉを基板のＦｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃｒ系
合金中に拡散させるために行われ、また、次の冷間圧延
は、基板の表層部に必要な強度と硬さ、例えばＨｖ２０
０以上を与えるために行われ、更に、該圧延後の真空焼
鈍は、基板の両表面のＮｉがリッチな層にＦｅＮｉ3の
金属間化合物を析出させるために行われる。又、各焼鈍
は不活性ガス中でも行われ得る。最初の真空焼鈍等を７
００〜１０００℃で行うのは、７００℃未満ではＮｉの
拡散が不十分になり、１０００℃を越えるとＮｉの結晶
粒が粗大化するため、これらを防ぐことによる。また、
冷間圧延後の真空焼鈍等を４００〜５１７℃で行うの
は、４００℃未満ではＦｅＮｉ3の析出が不十分にな
り、５１７℃を越えるとＦｅＮｉ3の析出物が固溶する
ため、これらを防ぐことによる。尚、上記Ｎｉの薄層を
被覆する工程は、メッキ、例えば電気Ｎｉメッキによる
他、Ｎｉ薄板(箔)を基板の両面に圧延によって圧着する
方法も含まれる。
得るため、Ｆｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃｒ系合金の基板
の両表面にＮｉの薄層を被覆する工程と、このＮｉの薄
層を被覆した基板を７００〜１０００℃に加熱して真空
中等で焼鈍を施し、表面のＮｉを上記基板中に拡散する
工程と、該焼鈍された基板を冷間圧延する工程と、該圧
延後の基板を４００〜５１７℃に加熱して真空中等で焼
鈍を施し、表面にＦｅＮｉ3を析出する工程と、を有す
る打抜性に優れたことを特徴とするリードフレーム用板
の製造方法をも提案する。上記方法における最初の真空
焼鈍は、Ｎｉを基板のＦｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃｒ系
合金中に拡散させるために行われ、また、次の冷間圧延
は、基板の表層部に必要な強度と硬さ、例えばＨｖ２０
０以上を与えるために行われ、更に、該圧延後の真空焼
鈍は、基板の両表面のＮｉがリッチな層にＦｅＮｉ3の
金属間化合物を析出させるために行われる。又、各焼鈍
は不活性ガス中でも行われ得る。最初の真空焼鈍等を７
００〜１０００℃で行うのは、７００℃未満ではＮｉの
拡散が不十分になり、１０００℃を越えるとＮｉの結晶
粒が粗大化するため、これらを防ぐことによる。また、
冷間圧延後の真空焼鈍等を４００〜５１７℃で行うの
は、４００℃未満ではＦｅＮｉ3の析出が不十分にな
り、５１７℃を越えるとＦｅＮｉ3の析出物が固溶する
ため、これらを防ぐことによる。尚、上記Ｎｉの薄層を
被覆する工程は、メッキ、例えば電気Ｎｉメッキによる
他、Ｎｉ薄板(箔)を基板の両面に圧延によって圧着する
方法も含まれる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施に好適な形態
を図面と共に説明する。図１は、本発明のリードフレー
ム用板１の部分断面図を示し、その全体の厚さは0.１５
mmである。中央の基板２は、４２wt％のＮｉを含むＦｅ
−Ｎｉ系合金からなり、その厚さは約０.１４mmであ
る。この基板２の両表面には厚さ約３.６μｍのＦｅＮ
ｉ3の金属間化合物の薄層４，４を密着して被覆してい
る。係るＦｅＮｉ3の金属間化合物の薄層４，４を基板
２の両表面に被覆したリードフレーム用板１によれば、
上記金属間化合物が脆性材料の適度な厚さの薄層４であ
るため、プレス打抜きによる剪断変形の初期にクラック
が厚さ方向に発生し易く、前述したダレやバリを小さく
することができ、且つ、これらの金属間化合物の薄層４
によって、内部の基板２を腐食から防護することもでき
る。尚、基板２には、６〜１３wt％のＣｒを含むＦｅ−
Ｃｒ系合金を用いることもできる。
を図面と共に説明する。図１は、本発明のリードフレー
ム用板１の部分断面図を示し、その全体の厚さは0.１５
mmである。中央の基板２は、４２wt％のＮｉを含むＦｅ
−Ｎｉ系合金からなり、その厚さは約０.１４mmであ
る。この基板２の両表面には厚さ約３.６μｍのＦｅＮ
ｉ3の金属間化合物の薄層４，４を密着して被覆してい
る。係るＦｅＮｉ3の金属間化合物の薄層４，４を基板
２の両表面に被覆したリードフレーム用板１によれば、
上記金属間化合物が脆性材料の適度な厚さの薄層４であ
るため、プレス打抜きによる剪断変形の初期にクラック
が厚さ方向に発生し易く、前述したダレやバリを小さく
することができ、且つ、これらの金属間化合物の薄層４
によって、内部の基板２を腐食から防護することもでき
る。尚、基板２には、６〜１３wt％のＣｒを含むＦｅ−
Ｃｒ系合金を用いることもできる。
【０００８】次に、前記リードフレーム用板１の製造方
法を図２に沿って説明する。 (製造例１)同図(Ａ)は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金からなる厚さ
０.２mmの基板２の断面を示す。該基板２のＦｅ−Ｎｉ
系合金は、Ｎｉ;４１.３wt％、Ｃ;０.００７wt％、Ｓ
ｉ;０.２３wt％、Ｍｎ;０.２７wt％、Ｐ;０.００２wt
％、Ｓ;０.００６wt％、Ｆｅ；残部の組成を有する。ま
た、上記合金を溶解、熱間鍛造、熱間圧延、冷間圧延、
及び焼鈍の各工程を経て、厚さ０．２mmの薄い基板２を
得ている。次に、基板２にメッキ浴中で電気Ｎｉメッキ
を施し、同図(Ｂ)に示すように、基板２の両表面に厚さ
５μｍのＮｉの薄層３，３を被覆する。次いで、このＮ
ｉの薄層３，３を被覆した基板２を、真空中で９００℃
に加熱し、１０分間保持する真空焼鈍を施した。この真
空焼鈍は、Ｎｉの薄層３，３のＮｉを基板２のＦｅ−Ｎ
ｉ系合金中に拡散させるために行われる。更に、この基
板２を冷間圧延(圧下率;28.6％、１パス)して、板厚を
０.１５mmとし、基板の表層部を硬さＨｖ２００以上と
して、必要な強度を与える。そして、冷間圧延後の基板
２を、真空中で５１０℃に加熱し、１０分間保持する真
空焼鈍を施した。この真空焼鈍は、図２(Ｃ)に示すよう
に、Ｎｉのリッチな前記薄層３,３においてＦｅＮｉ3の
金属間化合物の薄層４，４を生成する。
法を図２に沿って説明する。 (製造例１)同図(Ａ)は、Ｆｅ−Ｎｉ系合金からなる厚さ
０.２mmの基板２の断面を示す。該基板２のＦｅ−Ｎｉ
系合金は、Ｎｉ;４１.３wt％、Ｃ;０.００７wt％、Ｓ
ｉ;０.２３wt％、Ｍｎ;０.２７wt％、Ｐ;０.００２wt
％、Ｓ;０.００６wt％、Ｆｅ；残部の組成を有する。ま
た、上記合金を溶解、熱間鍛造、熱間圧延、冷間圧延、
及び焼鈍の各工程を経て、厚さ０．２mmの薄い基板２を
得ている。次に、基板２にメッキ浴中で電気Ｎｉメッキ
を施し、同図(Ｂ)に示すように、基板２の両表面に厚さ
５μｍのＮｉの薄層３，３を被覆する。次いで、このＮ
ｉの薄層３，３を被覆した基板２を、真空中で９００℃
に加熱し、１０分間保持する真空焼鈍を施した。この真
空焼鈍は、Ｎｉの薄層３，３のＮｉを基板２のＦｅ−Ｎ
ｉ系合金中に拡散させるために行われる。更に、この基
板２を冷間圧延(圧下率;28.6％、１パス)して、板厚を
０.１５mmとし、基板の表層部を硬さＨｖ２００以上と
して、必要な強度を与える。そして、冷間圧延後の基板
２を、真空中で５１０℃に加熱し、１０分間保持する真
空焼鈍を施した。この真空焼鈍は、図２(Ｃ)に示すよう
に、Ｎｉのリッチな前記薄層３,３においてＦｅＮｉ3の
金属間化合物の薄層４，４を生成する。
【０００９】(製造例２)また、別の形態として、基板２
にＦｅ−Ｃｒ系合金を用いたリードフレーム用板１を説
明する。尚、符号は前記製造例１と共通とした。上記Ｆ
ｅ−Ｃｒ系合金は、Ｃｒ;７.３wt％、Ｃ;０.０１３wt
％、Ｓｉ;０.２６wt％、Ｍｎ;０.２１wt％、Ｐ;０.００
１wt％、Ｓ;０.００８wt％、Ｆｅ；残部の組成を有す
る。この基板２も前記同様に製造され、その厚さも０．
２mmである。この基板２を前記同様Ｎｉメッキを施し、
その両表面に厚さ５μｍのＮｉの薄層３，３を被覆す
る。次に、該基板２を、真空中で７５０℃に加熱し、１
０分間保持する真空焼鈍を施した。この真空焼鈍は、Ｎ
ｉの薄層３，３のＮｉを基板２のＦｅ−Ｃｒ系合金中に
拡散させる。次いで、前記と同様の冷間圧延を施し、板
厚を０.１５mmとし、基板の表層部を硬さＨｖ２００以
上とし、必要な強度を与える。そして、上記圧延後の基
板２を真空中で５１０℃に加熱し、１０分間保持する真
空焼鈍を施して、前記同様にＮｉのリッチな薄層３,３
においてＦｅＮｉ3の金属間化合物の薄層４，４を析出
する。
にＦｅ−Ｃｒ系合金を用いたリードフレーム用板１を説
明する。尚、符号は前記製造例１と共通とした。上記Ｆ
ｅ−Ｃｒ系合金は、Ｃｒ;７.３wt％、Ｃ;０.０１３wt
％、Ｓｉ;０.２６wt％、Ｍｎ;０.２１wt％、Ｐ;０.００
１wt％、Ｓ;０.００８wt％、Ｆｅ；残部の組成を有す
る。この基板２も前記同様に製造され、その厚さも０．
２mmである。この基板２を前記同様Ｎｉメッキを施し、
その両表面に厚さ５μｍのＮｉの薄層３，３を被覆す
る。次に、該基板２を、真空中で７５０℃に加熱し、１
０分間保持する真空焼鈍を施した。この真空焼鈍は、Ｎ
ｉの薄層３，３のＮｉを基板２のＦｅ−Ｃｒ系合金中に
拡散させる。次いで、前記と同様の冷間圧延を施し、板
厚を０.１５mmとし、基板の表層部を硬さＨｖ２００以
上とし、必要な強度を与える。そして、上記圧延後の基
板２を真空中で５１０℃に加熱し、１０分間保持する真
空焼鈍を施して、前記同様にＮｉのリッチな薄層３,３
においてＦｅＮｉ3の金属間化合物の薄層４，４を析出
する。
【００１０】次に、前記各製造例１，２のものを、４２
Ｎｉwt％−Ｆｅ、及び、７Ｃｒwt％−Ｆｅのみからなる
各リードフレーム用板(以下、比較例１，２と称する)と
共に、打抜性試験及び耐食性試験を行って、それぞれ比
較した。先ず、打抜性試験は、板厚０.１５mmの各板を
図３(Ａ)に示すように、長さＬ;２０mm、幅Ｗ;０.５m
m、両端の半円部の半径;０.２５mmの長円形の長孔８を
プレスによって、打ち抜いた。そして、同図(Ｂ)に示す
ように、一端の半円部におけるダレ長さ；ＤＬと、上記
半円部全体(同図(Ａ)中の端部の矢印円弧内)におけるバ
リの体積;ＢＢをレーザ顕微鏡を用いて測定した。ま
た、耐食性試験は、ＪＩＳ−Ｚ２３７１に基づく塩水噴
霧試験を行った。これは、同じ形状と寸法にした各板
に、５％塩水をシャワー状に間欠的に噴霧して、２４時
間後における各板の表面全体に占める錆の面積率を測定
した。それらの結果を合金系毎に、Ｆｅ−Ｎｉ系を表１
に、Ｆｅ−Ｃｒ系を表２に示した。
Ｎｉwt％−Ｆｅ、及び、７Ｃｒwt％−Ｆｅのみからなる
各リードフレーム用板(以下、比較例１，２と称する)と
共に、打抜性試験及び耐食性試験を行って、それぞれ比
較した。先ず、打抜性試験は、板厚０.１５mmの各板を
図３(Ａ)に示すように、長さＬ;２０mm、幅Ｗ;０.５m
m、両端の半円部の半径;０.２５mmの長円形の長孔８を
プレスによって、打ち抜いた。そして、同図(Ｂ)に示す
ように、一端の半円部におけるダレ長さ；ＤＬと、上記
半円部全体(同図(Ａ)中の端部の矢印円弧内)におけるバ
リの体積;ＢＢをレーザ顕微鏡を用いて測定した。ま
た、耐食性試験は、ＪＩＳ−Ｚ２３７１に基づく塩水噴
霧試験を行った。これは、同じ形状と寸法にした各板
に、５％塩水をシャワー状に間欠的に噴霧して、２４時
間後における各板の表面全体に占める錆の面積率を測定
した。それらの結果を合金系毎に、Ｆｅ−Ｎｉ系を表１
に、Ｆｅ−Ｃｒ系を表２に示した。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１の結果、製造例１の板１は、比較例１
に対し、ダレ長さは半分以下、バリ体積は約５分の１、
錆の面積率も約２分の１であった。このことは、製造例
１の板１では、表面に存在するＦｅＮｉ3の金属間化合
物の薄層４により、プレス時の剪断変形の開始と共に、
表面にクラックが厚さ方向に発生し、ダレの発生を抑制
し、且つ、他方の表面においても、バリの発生を抑制し
たものと考えられる。また、錆が少ないことも、前記両
表面のＦｅＮｉ3の薄層４によって、基板２を保護した
ものと考えられる。
に対し、ダレ長さは半分以下、バリ体積は約５分の１、
錆の面積率も約２分の１であった。このことは、製造例
１の板１では、表面に存在するＦｅＮｉ3の金属間化合
物の薄層４により、プレス時の剪断変形の開始と共に、
表面にクラックが厚さ方向に発生し、ダレの発生を抑制
し、且つ、他方の表面においても、バリの発生を抑制し
たものと考えられる。また、錆が少ないことも、前記両
表面のＦｅＮｉ3の薄層４によって、基板２を保護した
ものと考えられる。
【００１３】
【表２】
【００１４】表２の結果、製造例２の板１は、比較例２
に対し、ダレ長さは半分以下、バリ体積は約４分の１、
錆の面積率も約２分の１であった。このことも、前記表
１と同様、製造例２の表面に存在するＦｅＮｉ3の金属
間化合物の薄層４により、ダレ、バリ、及び錆の発生を
抑制したものと考えられる。
に対し、ダレ長さは半分以下、バリ体積は約４分の１、
錆の面積率も約２分の１であった。このことも、前記表
１と同様、製造例２の表面に存在するＦｅＮｉ3の金属
間化合物の薄層４により、ダレ、バリ、及び錆の発生を
抑制したものと考えられる。
【００１５】以上の各結果から、本発明による各リード
フレーム用板１は、その両表面に存在するＦｅＮｉ3の
金属間化合物の薄層４によって、打抜き加工されてもダ
レやバリを低減でき、細くて正確な断面のリードピンを
得やすくなり、リードピン同士間の短絡も予防でき、且
つリードピン同士の間隔も狭くし得る。従って、ファイ
ンピッチのリードフレームを得ることが容易になること
も理解される。また、上記ＦｅＮｉ3の金属間化合物の
薄層４によって、内側の基板のＦｅ-Ｎｉ系、又はＦｅ
−Ｃｒ系の合金層を防護するので、耐食性も従来の板に
比べ格段に向上することも理解される。
フレーム用板１は、その両表面に存在するＦｅＮｉ3の
金属間化合物の薄層４によって、打抜き加工されてもダ
レやバリを低減でき、細くて正確な断面のリードピンを
得やすくなり、リードピン同士間の短絡も予防でき、且
つリードピン同士の間隔も狭くし得る。従って、ファイ
ンピッチのリードフレームを得ることが容易になること
も理解される。また、上記ＦｅＮｉ3の金属間化合物の
薄層４によって、内側の基板のＦｅ-Ｎｉ系、又はＦｅ
−Ｃｒ系の合金層を防護するので、耐食性も従来の板に
比べ格段に向上することも理解される。
【００１６】本発明は、以上の各形態に限定されるもの
ではない。基板の材質について、Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、
３０〜５０wt％のＮｉを含むものであれば良く、例えば
３６wt％のＮｉを含むインバ合金や、３２wt％Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金、ＰＤ，ＰＥパーマロイ等、或いは、これらにＣ
ｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ等を１〜４wt％程度添加した
合金も使用することができる。また、Ｆｅ−Ｃｒ系合金
は、６〜１３wt％のＣｒを含むものであれば良く、各種
軟質磁性材料やマルテンサイト系ステンレス鋼等を用い
ることもできる。更に、基板の表面に被覆されるＮｉの
薄層も、純Ｎｉ系の他、基板中のＦｅとの間で前記Ｆｅ
Ｎｉ3の金属間化合物の生成が可能な各種Ｎｉ合金を使
用することもできる。その被覆方法にも、溶融メッキ、
化学メッキ、溶射等を用い得る。また、各焼鈍工程は、
真空中に限らず、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気中
において行うこともできる。
ではない。基板の材質について、Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、
３０〜５０wt％のＮｉを含むものであれば良く、例えば
３６wt％のＮｉを含むインバ合金や、３２wt％Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金、ＰＤ，ＰＥパーマロイ等、或いは、これらにＣ
ｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ等を１〜４wt％程度添加した
合金も使用することができる。また、Ｆｅ−Ｃｒ系合金
は、６〜１３wt％のＣｒを含むものであれば良く、各種
軟質磁性材料やマルテンサイト系ステンレス鋼等を用い
ることもできる。更に、基板の表面に被覆されるＮｉの
薄層も、純Ｎｉ系の他、基板中のＦｅとの間で前記Ｆｅ
Ｎｉ3の金属間化合物の生成が可能な各種Ｎｉ合金を使
用することもできる。その被覆方法にも、溶融メッキ、
化学メッキ、溶射等を用い得る。また、各焼鈍工程は、
真空中に限らず、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気中
において行うこともできる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明のリードフレーム用
板によれば、基板の表面にＦｅＮｉ3の金属間化合物の
薄層を被覆したので、打抜き加工されてもダレやバリの
発生を抑制できる。従って、打抜き後のリードフレーム
において、リードピン間の短絡も生じにくく、細幅の微
細なリードピンを多数設けたファインピッチのリード部
分を容易に形成することができる。また、本発明のリー
ドフレーム用板の製造方法によれば、基板の両面にＮｉ
の薄層を被覆し、焼鈍と冷間圧延を施すだけの工程によ
って、上記性能の板を正確に量産でき、且つ安価に提供
することも可能になる。
板によれば、基板の表面にＦｅＮｉ3の金属間化合物の
薄層を被覆したので、打抜き加工されてもダレやバリの
発生を抑制できる。従って、打抜き後のリードフレーム
において、リードピン間の短絡も生じにくく、細幅の微
細なリードピンを多数設けたファインピッチのリード部
分を容易に形成することができる。また、本発明のリー
ドフレーム用板の製造方法によれば、基板の両面にＮｉ
の薄層を被覆し、焼鈍と冷間圧延を施すだけの工程によ
って、上記性能の板を正確に量産でき、且つ安価に提供
することも可能になる。
【図１】本発明のリードフレーム用板の断面図である。
【図２】(Ａ)乃至(Ｃ)は、本発明の製造方法を説明する
各工程の概略断面図である。
各工程の概略断面図である。
【図３】(Ａ)は、打抜性試験の内容を説明する部分平面
図、(Ｂ)は(Ａ)中のＢ−Ｂ断面図である。
図、(Ｂ)は(Ａ)中のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】(Ａ)は本来のリードピンの断面図、(Ｂ)及び
(Ｃ)は、従来の技術におけるリードピンの各断面図であ
る。
(Ｃ)は、従来の技術におけるリードピンの各断面図であ
る。
１……………………リードフレーム用板 ２……………………基板 ３……………………Ｎｉの薄層 ４……………………ＦｅＮｉ3の薄層
【表１】
【表２】
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｆｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃｒ系合金の
基板と、この基板の両表面に被覆したＦｅＮｉ3の薄層
とからなる打抜性に優れたことを特徴とするリードフレ
ーム用板。 - 【請求項２】 前記ＦｅＮｉ3の薄層の厚さが１〜１０
μｍであることを特徴とする請求項１に記載のリードフ
レーム用板。 - 【請求項３】 Ｆｅ−Ｎｉ系、又はＦｅ−Ｃｒ系合金の
基板の両表面にＮｉの薄層を被覆する工程と、このＮｉ
の薄層を被覆した基板を７００〜１０００℃に加熱して
真空中等で焼鈍し、表面のＮｉを上記基板中に拡散する
工程と、該焼鈍された基板を冷間圧延する工程と、該圧
延後の基板を４００〜５１７℃に加熱して真空中等で焼
鈍し、表面にＦｅＮｉ3を析出する工程と、を有する打
抜性に優れたことを特徴とするリードフレーム用板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18493296A JPH1032302A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 打抜性に優れたリードフレーム用板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18493296A JPH1032302A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 打抜性に優れたリードフレーム用板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032302A true JPH1032302A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16161875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18493296A Withdrawn JPH1032302A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 打抜性に優れたリードフレーム用板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1032302A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100729019B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-06-14 | 주식회사 케이이씨 | 반도체 디바이스용 리드프레임 및 그 제조 방법 |
-
1996
- 1996-07-15 JP JP18493296A patent/JPH1032302A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100729019B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-06-14 | 주식회사 케이이씨 | 반도체 디바이스용 리드프레임 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |