JPH10321899A - 光集積素子、及び、その光集積素子における信号検出方法、並びに、光学式情報読み取り装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】プレーナ型のレーザーカプラーを用いた光ピッ
クアップにおいて、スリービーム法によるトラッキング
制御を可能とする。 【解決手段】レーザーカプラーＢのフラットパッケージ
８の透明カバーガラス９にスポット分離用のグレーティ
ング（回折格子）１１を設け、レーザー光の往路、復路
ともこのグレーティング１１を通す。復路において更に
分離されたスリービーム法用の各スポットを、フォトダ
イオード４ａ、４ｂで検出して、信号処理により、トラ
ッキングエラー信号ＴＥ、信号ピットからの情報読み取
り信号ＲＦ等を夫々得る。 【効果】プッシュプル法のようなオフセットキャンセル
用の電気的な補正回路が不要になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、光ピック
アップ用のレーザーカプラーと呼ばれる光集積素子及び
その光集積素子における信号検出方法並びにその光集積
素子を用いた光学式情報読み取り装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＣＤ（コンパクトディスク）やＬ
ＶＤ（レーザービジョンディスク）等の光ディスク用の
光ピックアップとして、図１５及び図１６に示すような
ディスクリート型のものが一般に用いられてきた。

【０００３】即ち、図１５及び図１６に示すように、レ
ーザーダイオードで構成された発光素子１０１から出射
させたレーザー光を、回折格子（グレーティング）１０
２で主ビームと２つの副ビームに分離した後、夫々のビ
ームを、ビームスプリッター１０３によりほぼ直角方向
に反射させ、対物レンズ１０４を介して、光ディスク１
００の信号記録面に導く。夫々のビームが光ディスク１
００の信号記録面で反射した反射光は、ビームスプリッ
ター１０３を透過して、フォトダイオードからなる光検
出器１０５に導かれる。

【０００４】図１７に、光検出器１０５の検出面の構成
を示すが、この例では、後述するスリービーム法により
トラッキング制御を行うために、光検出器１０５の検出
面が３つの領域１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃに分割さ
れており、また、非点収差法によりフォーカス制御を行
うために、中央の領域１０５ｂが、更に４つの小領域に
分割されている。

【０００５】一方、近年、図１８及び図１９に示すよう
なレーザーカプラーと呼ばれる光集積素子が開発され、
実用化されている。

【０００６】図１８及び図１９に示すように、レーザー
カプラーＡは、表面領域に光検出用のフォトダイオード
２０４ａ、２０４ｂが設けられた１個のシリコンチップ
２０１上に、発光源であるレーザーダイオード２０２と
プリズム２０３が取り付けられたレーザーカプラーチッ
プ２００を、例えば、フラットパッケージ２０８内に収
容して構成されている。

【０００７】レーザーダイオード２０２は、通常、表面
領域にＰＩＮフォトダイオード２０５が設けられたシリ
コンチップ（以下、「ｐｉｎ−ＰＤチップ」と称す
る。）２０６を介してシリコンチップ２０１に取り付け
られる。このｐｉｎ−ＰＤチップ２０６に設けられたＰ
ＩＮフォトダイオード２０５は、レーザーダイオード２
０２の出力を制御する目的で、そのレーザーダイオード
２０２の後面から出射するレーザー光２０７をモニター
するためのものである。

【０００８】図１８及び図１９に示すように、レーザー
ダイオード２０２の前面から出射したレーザー光は、プ
リズム２０３の傾斜端面２０３ａでほぼ直角方向に反射
され、フラットパッケージ２０８上面の透明カバーガラ
ス２０９を通して、図２０に示すように、対物レンズ２
１０から光ディスク１００の信号記録面に導かれる。一
方、光ディスク１００の信号記録面で反射した光は、図
１８及び図１９に示すように、プリズム２０３の傾斜端
面２０３ａを透過した光がプリズム２０３内を通ってフ
ォトダイオード２０４ａ、２０４ｂにより検出される。

【０００９】図２２及び図２３を参照して、このレーザ
ーカプラーＡの組み立て方法を説明する。

【００１０】まず、図２２（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、シリコンウェハ２１１のスクライブライン２１１ａ
で囲まれ且つ光検出部であるフォトダイオード２０４
ａ、２０４ｂが形成された各チップ部分２０１に、レー
ザーダイオード２０２を搭載したｐｉｎ−ＰＤチップ２
０６とプリズム２０３を、夫々、接着等により固着す
る。この状態で、シリコンウェハ２１１をスクライブラ
イン２１１ａに沿ってダイシングし、図２２（ｃ）に示
すように、シリコンチップ２０１を個々に分離する。こ
れにより、１個のシリコンチップ２０１に、発光部であ
るレーザーダイオード２０２、プリズム２０３、及び、
光検出部であるフォトダイオード２０４ａ、２０４ｂ等
が搭載されたレーザーカプラーチップ２００が得られ
る。

【００１１】次に、図２３（ａ）に示すように、レーザ
ーカプラーチップ２００を、パッケージ基板２１２の個
々のパッケージ２０８のパッケージ穴２１３内にマウン
トし、ワイヤボンディング等により配線を接続する。更
に、パッケージ穴２１３を透明カバーガラス２０９でシ
ールした後、図２３（ｂ）に示すように、パッケージ基
板２１２を個々のパッケージ２０８に分割し、レーザー
カプラーＡを得る。

【００１２】このようなレーザーカプラーＡによれば、
光ピックアップの実質的に対物レンズ以外の光学要素を
一体化できて、光ピックアップ全体の組み立てコストを
低減できるとともに、部品点数の削減による低コスト化
及び高信頼性化が達成でき、更に、光ピックアップ全体
の小型化、薄型化及び軽量化も可能となる。

【００１３】例えば、図２３（ｂ）に示すようなフラッ
トパッケージ２０８の場合、縦横が約７．５ｍｍ×約
６．５ｍｍ、薄さ約１．８ｍｍの素子が得られる。

【００１４】図２１に、レーザーカプラーチップ２００
のシリコンチップ２０１表面に設けられたフォトダイオ
ード２０４ａ、２０４ｂのパターンを示す。

【００１５】図示の如く、フォトダイオード２０４ａ、
２０４ｂは、夫々、互いに並行配置された４つの領域
ｉ、ｊ、ｋ、ｌ、並びに、ｍ、ｎ、ｏ、ｐに分割されて
いる。

【００１６】まず、これらのフォトダイオード２０４
ａ、２０４ｂを用いたフォーカス制御の方法を説明す
る。

【００１７】図１８及び図１９に示すように、このレー
ザーカプラーチップ２００を組み込んだ光ピックアップ
は、レーザー光が光ディスクの信号記録面にジャストフ
ォーカスした時、その光ディスクの信号記録面から反射
してきた光が、プリズム２０３の傾斜端面２０３ａを透
過し、更に、プリズム２０３の下面で反射した後、プリ
ズム２０３の上面の位置で丁度焦点を結ぶように予め設
計されている。従って、この時、フォトダイオード２０
４ａ、２０４ｂで検出されるレーザー光のビームスポッ
ト２２０（図２１参照）の径は互いに等しくなる。

【００１８】これに対し、光ディスクが近すぎる場合、
光ディスクの信号記録面から反射してきて、プリズム２
０３の傾斜端面２０３ａを透過した光は、プリズム２０
３の下面で反射した後、プリズム２０３の上面で更に反
射した後、焦点を結ぶ。この結果、フォトダイオード２
０４ａで検出されるビームスポット径の方が、フォトダ
イオード２０４ｂで検出されるビームスポット径よりも
大きくなる。

【００１９】一方、光ディスクが遠すぎる場合には、光
ディスクの信号記録面から反射してきて、プリズム２０
３の傾斜端面２０３ａを透過した光は、プリズム２０３
の下面で反射した後、プリズム２０３の上面で反射され
る前に焦点を結ぶ。この結果、フォトダイオード２０４
ａで検出されるビームスポット径の方が、フォトダイオ
ード２０４ｂで検出されるビームスポット径よりも小さ
くなる。

【００２０】そこで、図２１に示すフォトダイオード２
０４ａ、２０４ｂによる検出信号（フォーカスエラー信
号）として、 ＦＥ＝｛（ｉ＋ｌ）−（ｊ＋ｋ）｝−｛（ｍ＋ｐ）−（ｎ＋ｏ）｝ …（１） を用いれば、フォトダイオード２０４ａ、２０４ｂで検
出されるビームスポット径の差を知ることができる。即
ち、このフォーカスエラー信号ＦＥが０の時がジャスト
フォーカスの状態で、フォーカスエラー信号ＦＥが正の
時は、光ディスクが近すぎる状態、フォーカスエラー信
号ＦＥが負の時は、光ディスクが遠すぎる状態である。
従って、このフォーカスエラー信号ＦＥを用いて、光ピ
ックアップのフォーカス制御を行うことができる。

【００２１】次に、トラッキング制御の方法を説明す
る。

【００２２】この従来のレーザーカプラーチップ２００
では、いわゆるプッシュプル法によるトラッキングエラ
ー検出を行う。このプッシュプル法は、光ディスクの信
号記録面に照射されるレーザービームスポットが正規の
トラックから外れると、光ディスクの信号記録面に設け
られた案内溝（プリグルーブ）や信号ピット等から反射
又は回折されて戻ってくる光の強度がレンズ瞳上で非対
称になることを利用した検出法である。

【００２３】即ち、図２１に示すフォトダイオード２０
４ａ、２０４ｂにおいて、左右の領域ｉ、ｊとｋ、ｌ並
びにｍ、ｎとｏ、ｐで夫々検出されるレーザー光のビー
ムスポット２２０の光量がいずれも等しければ、光ディ
スクの信号記録面におけるレーザービームスポットは正
規のトラックを走査しており、左右の領域ｉ、ｊとｋ、
ｌ並びにｍ、ｎとｏ、ｐの間の検出光量に差が有れば、
光ディスクの信号記録面におけるレーザービームスポッ
トは正規のトラックから外れている。

【００２４】そこで、検出信号（トラッキングエラー信
号）として、 ＴＥ＝｛（ｉ＋ｊ）−（ｋ＋ｌ）｝＋｛（ｏ＋ｐ）−（ｍ＋ｎ）｝ …（２） を用いると、このトラッキングエラー信号ＴＥが０の時
には、光ディスクの信号記録面におけるレーザービーム
スポットが正規のトラックを走査しており、一方、この
トラッキングエラー信号ＴＥが０でない時には、その符
号により、光ディスクの信号記録面におけるレーザービ
ームスポットが正規のトラックを外れた方向を知ること
ができる。従って、このトラッキングエラー信号ＴＥを
用いて、光ピックアップのトラッキング制御を行うこと
ができる。

【００２５】このプッシュプル法によれば、既述したス
リービーム法のような回折格子（グレーティング）を用
いなくてもトラッキングエラーの検出ができるという利
点が有る。

【００２６】なお、光ディスクの信号記録面に記録され
た情報を読み取るための読み取り信号ＲＦ（Radio Freq
uency)には、フォトダイオード２０４ａ、２０４ｂの全
ての検出信号を用いる。即ち、 ＲＦ＝ｉ＋ｊ＋ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ …（３） である。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のレーザーカプラーを用いた光ピックアップでは、回折
格子（グレーティング）を用いないで、プッシュプル法
によりトラッキングエラー検出を行う。

【００２８】しかし、プッシュプル法では、トラッキン
グに伴う対物レンズのレンズシフトや、スキューと呼ば
れるピックアップとディスクとの間の傾き等により、ト
ラッキングエラー信号ＴＥに大きなＤＣオフセットが発
生する。そこで、通常、電気的な補正を行って、そのレ
ンズシフトやスキュー等によるＤＣオフセットをキャン
セルしている。

【００２９】しかし、例えば、記録層の相変化を利用し
た反射率の小さいＣＤ−ＲＷ（書き換え可能なＣＤ）等
では、信号強度の違いから、通常の音楽用ＣＤやＣＤ−
ＲＯＭ用の電気的な補正回路をそのまま使うことができ
ない場合も生じ、その場合には、補正回路に設計変更が
必要であった。

【００３０】また、プッシュプル法によるトラッキング
エラー信号ＴＥは、矩形溝の場合、溝の深さｄがλ／８
（λ：レーザー光の波長）の時、最大となり、ｄ＝λ／
４の時には０になる。一方、情報の読み取り信号ＲＦ
は、通常、ピット深さがｄ＝λ／４の時に最大となる。
従って、情報読み取り用ピット列を用いてプッシュプル
法によるトラッキング制御を行う場合、情報の読み取り
信号ＲＦを大きくするために、情報読み取り用ピット列
のピット深さをｄ＝λ／４にすると、トラッキングエラ
ー信号ＴＥが得られなくなってしまうという問題が有っ
た。

【００３１】そこで、レーザーカプラーのような光集積
素子を用いた光ピックアップにおいても、既述したスリ
ービーム法によるトラッキング制御を行うことが検討さ
れている。

【００３２】しかし、スリービーム法における回折格子
（グレーティング）は、例えば、ディスク上や受光素子
上におけるサイドスポット位置と対物レンズの視野及び
倍率との関係から来る制約により、発光素子から或る程
度距離を置いた位置に設ける必要が有る。また、従来
は、信号処理の煩雑さを避けるために、レーザー光の復
路が回折格子（グレーティング）に掛からないようにす
る必要が有ると考えられていた。そして、これらの理由
から、例えば、図１８及び図１９に示すようなレーザー
カプラーでは、スリービーム法用の回折格子（グレーテ
ィング）を設けることが困難であると考えられていた。

【００３３】図２４に、スリービーム法を採用した従来
の光集積素子の例を示す。

【００３４】図２４（ａ）に示すように、この素子３０
０では、レーザーダイオード３０１から出射した光を、
通常の回折格子３０２で３スポットに分離した後、ホロ
グラム３０３を介して、図外の光ディスク面に導く。一
方、光ディスク面で反射してきた光は、ホログラム３０
３により斜め方向に導かれ、回折格子３０２を通らず
に、フォトダイオード３０４で検出される。

【００３５】この構成では、図２４（ｂ）に示すよう
に、発光方向に比較的縦長の構造とならざるを得ず、図
１８及び図１９に示すようなプレーナ型のものと比較し
て、その組み立てが面倒になる。また、部品点数も多く
なって、調整箇所が増えるので、製造歩留りが低下する
虞も有る。

【００３６】そこで、本発明の目的は、例えば、プレー
ナ型のレーザーカプラーのような光集積素子において、
スリービーム法によるトラッキング制御を可能とした光
集積素子及びその光集積素子における信号検出方法並び
にその光集積素子を用いた光学式情報読み取り装置を提
供することである。

【００３７】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
本発明の光集積素子は、少なくとも３つの領域に分割さ
れた光検出部が表面に設けられた基板と、前記基板の表
面上に取り付けられた発光素子と、前記基板の表面上に
取り付けられた、ビームスプリット面を有するビームス
プリッターと、前記発光素子及び前記ビームスプリッタ
ーを搭載した前記基板を収容するパッケージと、前記パ
ッケージのケーシングの少なくとも一部に設けられた透
明カバー部と、前記透明カバー部に設けられた回折格子
と、を夫々有する。

【００３８】また、本発明の信号検出方法では、発光素
子から出射した光を、回折格子において、少なくとも主
ビームと２つの副ビームに分離した後、それらの主ビー
ム及び副ビームを情報担体の情報記録面に導き、それら
の主ビーム及び副ビームの前記情報記録面からの反射光
を、前記回折格子を通した後、光検出部の３つの領域に
夫々導くように構成し、前記３つの領域のうちの両端の
領域における検出信号の差を、前記情報担体の前記情報
記録面における前記主ビーム及び副ビームの位置制御に
用いるとともに、前記３つの領域のうちの中央の領域に
おける検出信号から、前記両端の領域における検出信号
の和に所定の係数を掛けた値を減じた値を、前記情報記
録面からの情報読み取り信号として用いる。

【００３９】更に、本発明の光学式情報読み取り装置
は、少なくとも３つの領域に分割された光検出部が表面
に設けられた基板と、前記基板の表面上に取り付けられ
た発光素子と、前記基板の表面上に取り付けられた、ビ
ームスプリット面を有するビームスプリッターと、前記
発光素子及び前記ビームスプリッターを搭載した前記基
板を収容するパッケージと、前記パッケージのケーシン
グの少なくとも一部に設けられた透明カバー部と、前記
透明カバー部に設けられた回折格子と、を夫々有する光
集積素子を備えた光ピックアップにより、情報担体の情
報記録面に記録された情報を光学的に読み取る。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を好ましい実施の形
態に従い説明する。

【００４１】〔第１の実施の形態〕図１に、本発明の第
１の実施の形態によるレーザーカプラーを示す。

【００４２】図示の如く、この第１の実施の形態による
レーザーカプラーチップ１０では、発光源であるレーザ
ーダイオード２が、その後面から出射するレーザー光７
をモニターしてレーザーダイオード２の出力を制御する
ためのＰＩＮフォトダイオード（不図示）が表面領域に
設けられたｐｉｎ−ＰＤチップ６を介して、シリコンチ
ップ１に取り付けられている。シリコンチップ１には、
傾斜端面３ａを有するプリズム３が取り付けられてお
り、そのプリズム３の下のシリコンチップ１の表面領域
に、光検出用のフォトダイオード４ａ、４ｂが夫々設け
られている。

【００４３】レーザーカプラーチップ１０は、フラット
パッケージ８内にマウントされており、本実施の形態の
レーザーカプラーＢでは、その透明カバーガラス９の表
面領域にスポット分離用のグレーティング（回折格子）
１１が設けられている。

【００４４】この構成において、レーザーダイオード２
から出射したレーザー光は、プリズム３の傾斜端面３ａ
でほぼ直角方向に反射された光が、透明カバーガラス９
のグレーティング１１により主ビームと２つの副ビーム
に分離され、図外の光ディスクの信号記録面に導かれ
る。そして、その信号記録面で反射した各ビームの反射
光は、再び透明カバーガラス９のグレーティング１１を
通って、プリズム３の傾斜端面３ａに導かれ、その傾斜
端面３ａを透過した成分が、図示の如く、シリコンチッ
プ１表面のフォトダイオード４ａ、４ｂにより検出され
る。

【００４５】図３に、フォトダイオード４ａ、４ｂの構
成例、グレーティング１１のグレーティングの並ぶ向
き、及び、光ディスクの信号記録面におけるトラックの
向きの間の関係を示す。

【００４６】図３（ａ）に示すように、フォトダイオー
ド４ａは、その長手方向に並行した３つの領域ｉ、ｊ、
ｋに分割され、フォトダイオード４ｂは、その長手方向
において３つの領域ｌ、ｍ、ｎに分割されている。ま
た、フォトダイオード４ｂの中央の領域ｍは、フォトダ
イオード４ｂの長手方向に並行した更に３つの領域
ｍ₁、ｍ₂ 、ｍ₃ に分割されている。

【００４７】図３（ｂ）に示すように、グレーティング
１１のグレーティングの並ぶ向きは、フォトダイオード
４ａ、４ｂの長手方向と同じ方向であり、これは、図３
（ｃ）に示す光ディスクの信号トラックの方向に対し約
１度（副ビームのディスク上での位置により決まる角
度）傾けられている。

【００４８】ここで、スリービーム法によるトラッキン
グエラー検出の原理を説明すると、グレーティング１１
で分離された主ビーム（０次光）によるメインスポット
１２が正規のトラック上に有る時、２つの副ビーム（±
１次光）によるスポット１３と信号ピット１４との位置
関係は図３（ｃ）に示すようになる。即ち、２つの副ビ
ームによるスポット１３が夫々信号ピット１４に掛かる
割合が等しくなり、従って、それらのスポット１３から
得られる反射光の光量差は０になる。一方、メインスポ
ット１２が正規のトラックから、図中、上又は下にずれ
た場合には、２つの副ビームによるスポット１３が信号
ピット１４に掛かる割合が等しくなくなり、従って、そ
れらのスポット１３から得られる反射光に光量差が生じ
る。

【００４９】そこで、図３（ａ）に示すフォトダイオー
ド４ｂにおいて、２つの副ビームによるスポット１３の
反射光スポット１３′を夫々検出する領域ｌとｎの検出
信号の差をとれば、その符号により、メインスポット１
２が正規のトラックから外れた方向を知ることができ、
これに基づいてトラッキング制御を行うことができる。
なお、１２′は、メインスポット１２の反射光スポット
である。

【００５０】このスリービーム法では、レンズシフトや
ディスクスキュー（径方向）が有っても、検出信号にオ
フセットは殆ど生じない。従って、プッシュプル法のよ
うなオフセットキャンセル用の電気的な補正回路は必要
無い。

【００５１】ところで、本実施の形態によるレーザーカ
プラーＢでは、図１に示すように、レーザー光が、その
往路及び復路とも、グレーティング１１を通る。従っ
て、往路においてグレーティング１１で分離された光
が、ディスク面で反射した後、復路においてもグレーテ
ィング１１で更に分離され、それらが互いに重なってフ
ォトダイオード４ｂにより検出されることになる。

【００５２】そこで、本実施の形態では、次のようにし
て信号処理を行う。

【００５３】まず、図２に示すように、回折光の位相変
化が実質上殆ど無くて、単純にパワーの足し合わせが可
能であり、且つ、２次以上の回折光が無視できるような
グレーティング１１を考える。このグレーティング１１
により、強度Ａのレーザー光が、強度（１−２ｒ）Ａの
０次光（主ビーム）と強度ｒＡの±１次光（副ビーム）
に分離されるとすると（ｒ：正の実数）、復路におい
て、ディスク面で反射してきた強度Ｘ₀ の０次光は、グ
レーティング１１により、更に、強度ｒＸ₀ 、（１−２
ｒ）Ｘ₀ 、ｒＸ₀ の０次光及び±１次光に分離されて、
夫々、フォトダイオード４ｂの領域ｌ、ｍ、ｎに入射す
る。また、強度Ｘ_-1の−１次光は、グレーティング１１
により、強度ｒＸ_-1、（１−２ｒ）Ｘ_-1、ｒＸ_-1の０次
光及び±１次光に分離され、前２者が、フォトダイオー
ド４ｂの領域ｍ、ｎに夫々入射する。更に、強度Ｘ₊₁の
＋１次光は、グレーティング１１により、強度ｒＸ₊₁、
（１−２ｒ）Ｘ₊₁、ｒＸ₊₁の０次光及び±１次光に分離
され、後２者が、フォトダイオード４ｂの領域ｌ、ｍに
入射する。

【００５４】この結果、フォトダイオード４ｂの領域ｌ
では、ｒＸ₀ ＋（１−２ｒ）Ｘ₊₁の光が、領域ｍでは、
（１−２ｒ）Ｘ₀ ＋ｒＸ_-1＋ｒＸ₊₁の光が、領域ｎで
は、ｒＸ₀ ＋（１−２ｒ）Ｘ_-1の光が夫々検出されるこ
とになる。

【００５５】そこで、フォトダイオード４ｂの両端の領
域ｌとｎの検出信号の差をとると、 ｌ−ｎ＝（１−２ｒ）（Ｘ₊₁−Ｘ_-1） …（４） となり、副ビーム同士の差の信号が得られるので、これ
をトラッキングエラー信号ＴＥとして用いることができ
る。

【００５６】一方、情報の読み取り信号ＲＦを考える
と、フォトダイオード４ｂの中央の領域ｍの検出信号に
は、目的の信号ピット以外の信号ピットからの情報を載
せたｒＸ_-1とｒＸ₊₁の成分が含まれている。従って、こ
の中央の領域ｍの検出信号をそのまま読み取り信号ＲＦ
として用いることはできない。そこで、 ｍ−｛ｒ／（１−２ｒ）｝（ｌ＋ｎ） ＝｛１−２ｒ−ｒ² ／（１−２ｒ）｝Ｘ₀ …（５） とすると、Ｘ_-1及びＸ₊₁の成分が消去され、目的の信号
ピットからの情報のみを載せた信号が得られる。従っ
て、これを、情報の読み取り信号ＲＦとして用いること
ができる。

【００５７】以上をまとめると、本実施の形態では、３
つに分割されたフォトダイオード４ｂの両端の領域ｌと
ｎの検出信号の差をトラッキングエラー信号ＴＥとして
用い、両端の領域ｌとｎの検出信号の和に所定の係数α
＝ｒ／（１−２ｒ）を乗じた値を中央の領域ｍの検出信
号から引いたものを読み取り信号ＲＦとして用いる。即
ち、 ＴＥ＝ｌ−ｎ …（６） ＲＦ＝ｍ−α（ｌ＋ｎ） …（７） 但し、α＝ｒ／（１−２ｒ） …（８） である。

【００５８】このような信号処理を行うことにより、レ
ーザー光を、往路及び復路ともグレーティング１１を通
した場合でも、スリービーム法によるトラッキング制御
及び情報の読み取りを行うことができる。

【００５９】図３（ａ）に示すように、実際のフォトダ
イオード４ｂでは、フォーカス制御のために、中央の領
域ｍが、更に３つの領域ｍ₁ 〜ｍ₃ に分割されている。
そして、フォーカスエラー信号ＦＥは、図２１で説明し
た従来の場合と同様の原理により、フォトダイオード４
ａ、４ｂの信号を用いて、 ＦＥ＝｛（ｉ＋ｋ）−ｊ｝−｛（ｍ₁ ＋ｍ₃ ）−ｍ₂ ｝ …（９） で得られる。

【００６０】図４に、光ディスクの信号記録面における
トラック方向に対し、レーザービームスポット１２、１
３を相対的に４５度回転させた構成を示す。

【００６１】図３（ｃ）及び図４（ｃ）に示す楕円形の
スポット１２、１３は、レーザーダイオード２を正面か
ら見た図５において、レーザーダイオード２の基板面
（活性層）２ａに対し、水平な方向が長径の方向Ｌ、垂
直な方向が短径の方向Ｓに夫々対応している。これらの
楕円形のスポット１２、１３は、光ディスクの信号記録
面にジャストフォーカスした時、ほぼ円形になり、信号
記録面が近い時及び遠い時には、いずれも楕円形にな
る。但し、信号記録面が近い時と遠い時とで、楕円形の
長径の方向が互いに９０度回転した状態になる。

【００６２】このため、図３（ｃ）に示すように、楕円
形の長径の方向をトラックの方向に垂直にすると、この
状態では、副ビームのスポット１３が信号ビットに掛か
る部分と掛からない部分との差が大きくなって、大きな
検出信号を得られるが、楕円形の長径の方向が９０度回
転した状態になると、副ビームのスポット１３が信号ビ
ットに掛かる部分と掛からない部分との差が小さくなっ
て、必要な検出信号が得られなくなる虞が有る。

【００６３】そこで、図４（ｃ）に示すように、予め、
楕円形の長径の方向をトラックの方向に対し４５度傾け
ておくと、楕円形の長径の方向が９０度回転した状態に
なっても、得られる検出信号の大きさは殆ど変わらな
い。

【００６４】この図４の構成では、図４（ａ）に示すよ
うに、フォトダイオード４ｂの向き及び分割方法が多少
変わるだけで、検出の原理及び信号処理等は、図３の場
合と実質的に同じである。

【００６５】以上に説明したように、この第１の実施の
形態では、プレーナ形のレーザーカプラーＢに、グレー
ティング１１を設けて、スリービーム法によるトラッキ
ング制御を可能としている。従って、従来のプッシュプ
ル法を用いた場合のようなオフセットキャンセル用の電
気的な補正回路が必要無い。このため、例えば、通常の
ＣＤとＣＤ−ＲＷのような反射率の大きく異なるディス
クのトラッキング制御にも簡単に対応することができ
る。また、本実施の形態によるレーザーカプラーＢは、
信号ピット深さによる影響が少ないので、プッシュプル
信号が得られない可能性が有る規格の光ディスクシステ
ムにも適用が可能である。更に、本実施の形態によるレ
ーザーカプラーＢは、信号ピットを直接検出してトラッ
キング制御を行うピットディスクと、プリグルーブ等の
連続溝を検出してトラッキング制御を行うグルーブディ
スクとの両方のトラッキングエラー信号を検出すること
が可能である。

【００６６】また、本実施の形態によるレーザーカプラ
ーＢは、従来のレーザーカプラーＡと比較して、実質的
に、透明カバーガラス９の構成とフォトダイオード４ｂ
の構成を変更すれば良いだけなので、他に大きな設計変
更を必要とせず、好都合である。

【００６７】図１４に、上述した第１の実施の形態によ
るレーザーカプラーＢを用いた光ピックアップを備えた
光ディスクプレーヤーの概略構成を示す。

【００６８】この光ディスクプレーヤーは、ディスク回
転用モーター３１、光ピックアップ３２及びヘッド送り
機構３３等を備えており、更に、光ピックアップ３２で
読み取られた信号を再生するための再生回路３４や、光
ピックアップ３２のフォーカス制御、トラッキング制御
等を行うためのサーボ回路３５等を備えている。

【００６９】このような光ディスクプレーヤーで再生さ
れる光ディスク１００としては、例えば、音楽用ＣＤ、
ＭＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｉ、ＣＤ−Ｖ、ＬＶＤ、Ｄ
ＶＤ等が有り、再生回路３４で再生された信号は、その
光ディスク１００の種類に応じて、ステレオ装置３６や
テレビジョン受信機３７、ディジタルコンピュータ３８
等に送られる。

【００７０】〔第２の実施の形態〕図６に、本発明の第
２の実施の形態によるレーザーカプラーを示す。なお、
この第２の実施の形態において、上述した第１の実施の
形態に対応する部位には、上述した第１の実施の形態と
同一の符号を付す。

【００７１】図示の如く、この第２の実施の形態のレー
ザーカプラーＣでは、透明カバーガラス９に固着された
ガラス板等の他の光学素子１５上にグレーティング１１
が設けられている。これ以外の構成は、上述した第１の
実施の形態と実質的に同じである。

【００７２】この第２の実施の形態のように構成するこ
とで、グレーティング１１の位置を、発光点であるレー
ザーダイオード２から離すことができ、この結果、フォ
トダイオード４ａ、４ｂ上でのスポットの分離が大きく
なって、組み立てトレランス（公差）が大きくなる。

【００７３】また、グレーティング１１が設けられた光
学素子１５は、透明カバーガラス９上に、例えば、瞬間
接着剤やＵＶ硬化樹脂等により、簡単に且つ高精度に取
り付けが可能である。従って、上述した第１の実施の形
態のように透明カバーガラス９自体にグレーティング１
１を設ける場合と比較して、グレーティング１１の高精
度の位置合わせを簡単に行うことができる。

【００７４】更に、この第２の実施の形態の場合には、
従来のレーザーカプラーＡの透明カバーガラス９をその
まま用いることができ、また、その組み立て工程も殆ど
そのまま兼用できるので、大変好都合である。

【００７５】図７に、この第２の実施の形態によるフォ
トダイオード４ａ、４ｂの構成を示す。

【００７６】図７（ａ）は、図３（ａ）に示した第１の
実施の形態と同じ構成である。

【００７７】図７（ｂ）は、フォトダイオード４ａもフ
ォトダイオード４ｂと同じ構成にしたもので、各検出信
号は、次のようにして得られる。 ＦＥ＝｛（ｊ₁ ＋ｊ₃ ）−ｊ₂ ｝−｛（ｍ₁ ＋ｍ₃ ）−ｍ₂ ｝…（１０） ＴＥ＝（ｉ−ｋ）＋（ｌ−ｎ） …（１１） ＲＦ＝ｊ₁ ＋ｊ₂ ＋ｊ₃ ＋ｍ₁ ＋ｍ₂ ＋ｍ₃ −α（ｉ＋ｋ＋ｌ＋ｎ） …（１２） 但し、α＝ｒ／（１−２ｒ） …（８）

【００７８】このように、フォトダイオード４ａでもス
リービーム法の各スポット１２′、１３′を検出するこ
とにより、トラッキングエラー信号ＴＥの検出精度が向
上する。

【００７９】図７（ｃ）は、図７（ｂ）の構成を、図４
（ａ）に対応させて、４５度傾けた構成であり、各検出
信号は、図７（ｂ）の場合と同じである。

【００８０】〔第３の実施の形態〕図８に、本発明の第
３の実施の形態によるレーザーカプラーを示す。なお、
この第３の実施の形態において、上述した第１の実施の
形態に対応する部位には、上述した第１の実施の形態と
同一の符号を付す。

【００８１】図示の如く、この第３の実施の形態のレー
ザーカプラーＤでは、レーザーダイオード２とプリズム
３との距離を若干離し、ジャストフォーカス時、図外の
光ディスクの信号記録面から戻ってきた反射光が、プリ
ズム３の傾斜端面３ａを透過した後、丁度フォトダイオ
ード４ｂの位置で焦点を結ぶように構成している。そし
て、このフォトダイオード４ｂの更に外側位置のシリコ
ンチップ１表面に、フォーカス制御用のフォトダイオー
ド４ｃを設けている。これ以外の構成は、上述した第１
の実施の形態と実質的に同じである。

【００８２】図９に、各フォトダイオード４ａ〜４ｃの
構成を示すが、図９（ａ）に示すように、この第３の実
施の形態では、フォトダイオード４ｂでフォーカスエラ
ー信号ＦＥの検出を行わないので、その中央の領域ｍは
分割されていない。そして、その代わりに、フォトダイ
オード４ａとほぼ同じ構成のフォトダイオード４ｃが設
けられている。

【００８３】この第３の実施の形態における各検出信号
は、次のようにして得られる。 ＦＥ＝｛（ｉ＋ｋ）−ｊ｝−｛（ｏ＋ｑ）−ｐ｝ …（１３） ＴＥ＝ｌ−ｎ …（１４） ＲＦ＝ｍ−α（ｌ＋ｎ） …（１５） 但し、α＝ｒ／（１−２ｒ） …（８）

【００８４】この第３の実施の形態では、各検出ビーム
１２′、１３′が、丁度フォトダイオード４ｂの位置で
焦点を結ぶので、それらのビーム１２′、１３′の分離
が良くなり、検出精度が向上するとともに、フォトダイ
オード４ｂの各領域の配置のトレランス（公差）が大き
くなる。

【００８５】なお、図９（ｂ）は、図９（ａ）の構成
を、図４（ａ）に対応させたもので、スリービーム検出
用のフォトダイオード４ｂが、４５度傾けられている。
各検出信号は、図９（ａ）の場合と同様にして得られ
る。

【００８６】〔第４の実施の形態〕図１０に、本発明の
第４の実施の形態によるレーザーカプラーを示す。な
お、この第４の実施の形態において、上述した第１の実
施の形態に対応する部位には、上述した第１の実施の形
態と同一の符号を付す。

【００８７】図示の如く、この第４の実施の形態のレー
ザーカプラーＥでは、ビームスプリッターとして、プリ
ズム３の代わりに、シリコンチップ１の表面にほぼ垂直
な入射端面１６ｂ及び入出射端面１６ｃを持ち、内部
に、シリコンチップ１の表面に対し傾斜したビームスプ
リット（ＢＳ）面１６ａを有するビームスプリッター１
６がシリコンチップ１に取り付けられている。そして、
レーザーダイオード２から出射したレーザー光は、入射
端面１６ｂからビームスプリッター１６内に入射し、そ
のビームスプリッター１６のＢＳ面１６ａを透過した光
が、入出射端面１６ｃから、シリコンチップ１の表面に
ほぼ平行な方向に出射して、図外の光ディスクの信号記
録面に導かれる。一方、その光ディスクの信号記録面か
ら反射してきた反射光は、入出射端面１６ｃからビーム
スプリッター１６内に入射し、そのビームスプリッター
１６のＢＳ面１６ａで反射した光が、シリコンチップ１
表面のフォトダイオード４ａ、４ｂにより検出される。

【００８８】従って、このレーザーカプラーチップ１０
を収容するフラットパッケージ８は、その上面に加えて
前面側も開放された構造を有しており、断面ほぼＬ字状
の透明カバーガラス９によりその上面及び前面がシール
されている。そして、その透明カバーガラス９の前面側
に、スリービーム分離用のグレーティング１１が設けら
れている。

【００８９】各信号検出の原理及び信号処理方法は、上
述した第１の実施の形態と実質的に同じである。

【００９０】この第４の実施の形態によれば、レーザー
カプラーチップ１０のシリコンチップ１表面にほぼ平行
な方向にレーザー光を出射させることができるので、例
えば、反射ミラーを用いた光路の１回折り曲げにより、
シンプルな構造で且つ極めて薄型の光ピックアップを実
現することができる。

【００９１】〔第５の実施の形態〕図１１に、本発明の
第５の実施の形態によるレーザーカプラーチップを示
す。なお、この第５の実施の形態において、上述した第
１の実施の形態に対応する部位には、上述した第１の実
施の形態と同一の符号を付す。

【００９２】この第５の実施の形態では、上述した第１
の実施の形態のプリズム３の代わりに、ＫＴＰ（ＫＴｉ
ＯＰＯ₄ ）やＬＮ（ＬｉＮｂＯ₃ ）等の複屈折材料から
なる複屈折プリズム１７を用いて、カー効果と呼ばれる
磁気光学現象を利用した光磁気ディスクの再生を可能と
している。

【００９３】即ち、図１２に示すように、レーザーダイ
オード（ＬＤ）２から出射した偏光方向が適正に制御さ
れたレーザー光を、複屈折プリズム１７の傾斜端面１７
ａで反射させて、図外の光磁気ディスク（ＤＩＳＫ）の
信号記録面に導き、この光磁気ディスク（ＤＩＳＫ）の
信号記録面で反射して来た反射光を、複屈折プリズム１
７の傾斜端面１７ａから複屈折プリズム１７内に入射さ
せると、図示の如く、スネルの法則に従う常光とスネル
の法則に従わない異常光とに分離され、これらの２成分
の光の差から、光磁気信号を得ることができる。

【００９４】そこで、この第５の実施の形態では、図示
省略したグレーティングによりレーザー光を３スポット
化して、光磁気ディスクシステムに対してもスリービー
ム法によるトラッキング制御を可能としている。

【００９５】図１３に、この第５の実施の形態によるフ
ォトダイオード４ａ、４ｂの構成例を示す。

【００９６】この例は、トラックに対しレーザースポッ
トが４５度回転した方向になるように構成した例で、図
４に示したと同様の構成のフォトダイオード４ｂの各領
域が、更に、常光用の領域（添字Ｉで示す。）と異常光
用の領域（添字Ｊで示す。）に夫々分割されている。各
検出光は、次のようにして得られる。 ＦＥ＝｛（ｉ＋ｋ）−ｊ｝ −｛（ｍ_I1＋ｍ_I3−ｍ_I2）＋（ｍ_J1＋ｍ_J3−ｍ_J2）｝ …（１６） ＴＥ＝（ｌ_I ＋ｌ_J ）−（ｎ_I ＋ｎ_J ） …（１７） ＲＦ_pit ＝ｍ_I1＋ｍ_I3＋ｍ_I2＋ｍ_J1＋ｍ_J3＋ｍ_J2 −α（ｌ_I ＋ｌ_J ＋ｎ_I ＋ｎ_J ） …（１８） ＲＦ_MO＝（ｍ_I1＋ｍ_I3＋ｍ_I2）−（ｍ_J1＋ｍ_J3＋ｍ_J2） −α｛（ｌ_I ＋ｎ_I ）−（ｌ_J ＋ｎ_J ）｝ …（１９） 但し、α＝ｒ／（１−２ｒ） …（８）

【００９７】ここで、ＲＦ_pit は、通常の信号ピットに
よる光ディスクの読み取り信号、ＲＦ_MOが、光磁気ディ
スクの読み取り信号である。従って、この第５の実施の
形態によるレーザーカプラーを用いた光ピックアップ
は、例えば、ミニディスク（ＭＤ）システムのように、
通常のピットディスクと光磁気ディスクの両方に対応し
たシステムに適用することが可能である。

【００９８】また、この第５の実施の形態では、図１１
に示すように、レーザーダイオード２から出射して複屈
折プリズム１７の傾斜端面１７ａを透過した光を、シリ
コンチップ１表面に設けたフォトダイオード２１に導い
て検出するようにしている。

【００９９】このフォトダイオード２１による検出は、
レーザーダイオード２の出力を制御するために用いられ
る。従って、この第５の実施の形態では、レーザーダイ
オード２の後面から出射するレーザー光の検出は不要に
なる。このため、レーザーダイオード２が搭載されるｐ
ｉｎ−ＰＤチップ６は、光検出機能を備えていない単な
るシリコンチップ等で代用することも可能である。

【０１００】この第５の実施の形態のように、レーザー
ダイオード２の前面から出射するレーザー光をモニター
して、その出力を制御するようにすると、信号検出に用
いるレーザー光を実質的に直接モニターすることになる
ので、より正確且つ精密な制御が可能となる。また、光
磁気ディスクの書き込み用にも用いる高出力レーザー等
でリアの反射率が極端に大きいために後面からのレーザ
ー出力が殆ど無いようなレーザーダイオード２を用いる
場合には、この第５の実施の形態のようなレーザーダイ
オード２の前面からのレーザー光をモニターする構成が
極めて有効である。

【０１０１】以上、本発明を、光磁気ディスクを含む光
ディスク用の光ピックアップに用いるレーザーカプラー
に適用した実施の形態を説明したが、本発明は、例え
ば、光テープや光カードのようなディスク以外の情報担
体から光学的に情報を読み取るための光集積素子、信号
検出方法及び光学式情報読み取り装置にも適用が可能で
ある。

【０１０２】

【発明の効果】本発明の光集積素子では、少なくとも３
つの領域に分割された光検出部が表面に設けられた基板
と、前記基板の前記表面上に取り付けられた発光素子
と、前記基板の前記表面上に取り付けられた、ビームス
プリット面を有するビームスプリッターと、前記発光素
子及び前記ビームスプリッターを搭載した前記基板を収
容するパッケージと、前記パッケージのケーシングの少
なくとも一部に設けられた透明カバー部と、前記透明カ
バー部に設けられた回折格子とを夫々設けて、例えば、
前記発光素子から出射した光が、前記ビームスプリッタ
ーの前記ビームスプリット面で分離された後、その一方
の光が前記透明カバー部の前記回折格子に導かれ、その
光が、前記回折格子において、少なくとも主ビームと２
つの副ビームに分離された後、それらの主ビーム及び副
ビームが情報担体の情報記録面に導かれ、それらの主ビ
ーム及び副ビームの前記情報記録面からの反射光が前記
回折格子を通して前記ビームスプリッターの前記ビーム
スプリット面に導かれ、そのビームスプリット面で分離
された前記主ビーム及び副ビームの夫々の成分が、前記
光検出部の前記３つの領域に導かれるように構成してい
る。

【０１０３】また、本発明の信号検出方法では、発光素
子から出射した光を、回折格子において、少なくとも主
ビームと２つの副ビームに分離した後、それらの主ビー
ム及び副ビームを情報担体の情報記録面に導き、それら
の主ビーム及び副ビームの前記情報記録面からの反射光
を、前記回折格子を通した後、光検出部の３つの領域に
夫々導くように構成し、前記３つの領域のうちの両端の
領域における検出信号の差を、前記情報担体の前記情報
記録面における前記主ビーム及び副ビームの位置制御に
用いるとともに、前記３つの領域のうちの中央の領域に
おける検出信号から、前記両端の領域における検出信号
の和に所定の係数を掛けた値を減じた値を、前記情報記
録面からの情報読み取り信号として用いる。

【０１０４】従って、例えば、プレーナ形のレーザーカ
プラーを用いた光ピックアップにおいて、スリービーム
法によるトラッキング制御を行うことが可能となり、プ
ッシュプル法のようなオフセットキャンセル用の電気的
な補正回路が不要となる。この結果、例えば、反射率の
大きく異なる光ディスクのトラッキング制御にも容易に
対応することができ、また、ピット深さに対する依存性
が少ないので、プッシュプル信号が得られないような規
格の光ディスクシステムにも適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態によるレーザーカプ
ラーの構成を示す概略断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態によるレーザーカプ
ラーの信号検出の原理を示す概念図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態によるレーザーカプ
ラーの光検出部、グレーティングの並ぶ向き、及び、デ
ィスクのトラックの向きの間の関係を示す概略図であ
る。

【図４】本発明の第１の実施の形態によるレーザーカプ
ラーの光検出部、グレーティングの並ぶ向き、及び、デ
ィスクのトラックの向きの間の別の関係を示す概略図で
ある。

【図５】本発明の第１の実施の形態によるレーザーカプ
ラーのレーザーダイオードと出射光のスポット形状との
関係を示す概略図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態によるレーザーカプ
ラーの構成を示す概略断面図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態によるレーザーカプ
ラーの光検出部の構成を示す概略平面図である。

【図８】本発明の第３の実施の形態によるレーザーカプ
ラーの構成を示す概略断面図である。

【図９】本発明の第３の実施の形態によるレーザーカプ
ラーの光検出部の構成を示す概略平面図である。

【図１０】本発明の第４の実施の形態によるレーザーカ
プラーの構成を示す概略断面図である。

【図１１】本発明の第５の実施の形態によるレーザーカ
プラーチップの構成を示す概略斜視図である。

【図１２】本発明の第５の実施の形態のレーザーカプラ
ーによる光磁気信号の読み取りの原理を示す概念図であ
る。

【図１３】本発明の第５の実施の形態によるレーザーカ
プラーの光検出部の構成を示す概略平面図である。

【図１４】本発明のレーザーカプラーを用いた光ディス
クプレーヤーの主要構成を示す概略図である。

【図１５】従来のディスクリート型の光ピックアップの
主要構成を示す概略図である。

【図１６】従来のディスクリート型の光ピックアップの
光路を示す概略図である。

【図１７】従来のディスクリート型の光ピックアップの
光検出部の構成を示す概略平面図である。

【図１８】従来のレーザーカプラーの構成を示す概略断
面図である。

【図１９】従来のレーザーカプラーチップの概略斜視図
である。

【図２０】従来のレーザーカプラーを用いた光ピックア
ップの光路を示す概略図である。

【図２１】従来のレーザーカプラーの光検出部の構成を
示す概略平面図である。

【図２２】従来のレーザーカプラーの製造方法を示す概
略斜視図である。

【図２３】従来のレーザーカプラーの製造方法を示す概
略斜視図である。

【図２４】従来のスリービーム法を用いた光集積素子の
構成を示す概略断面図及び斜視図である。

【符号の説明】

１…シリコンチップ、２…レーザーダイオード、３…プ
リズム、３ａ…傾斜端面、４ａ、４ｂ、４ｃ…フォトダ
イオード（光検出部）、６…ｐｉｎ−ＰＤチップ、８…
フラットパッケージ、９…透明カバーガラス、１０…レ
ーザーカプラーチップ、１１…グレーティング（回折格
子）、１４…信号ピット、１５…光学素子（ガラス
板）、１６…ビームスプリッター、１６ａ…ビームスプ
リット（ＢＳ）面、１７…複屈折プリズム、１７ａ…傾
斜端面、２０…レーザーカプラーチップ、２１…フォト
ダイオード（光検出部）、１００…光ディスク、Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ…レーザーカプラー

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも３つの領域に分割された光検
   出部が表面に設けられた基板と、 前記基板の表面上に取り付けられた発光素子と、 前記基板の表面上に取り付けられた、ビームスプリット
   面を有するビームスプリッターと、 前記発光素子及び前記ビームスプリッターを搭載した前
   記基板を収容するパッケージと、 前記パッケージのケーシングの少なくとも一部に設けら
   れた透明カバー部と、 前記透明カバー部に設けられた回折格子と、を夫々有す
   る、光集積素子。
2. 【請求項２】 前記ビームスプリッターが、前記ビーム
   スプリット面として傾斜端面を有するプリズムで構成さ
   れていて、前記レーザーダイオードから出射した光のう
   ち前記傾斜端面で反射した光が前記回折格子に導かれ、
   前記回折格子からの光のうち前記傾斜端面を透過した成
   分が前記光検出部に導かれる、請求項１に記載の光集積
   素子。
3. 【請求項３】 前記ビームスプリット面が、前記ビーム
   スプリッターの内部に前記基板表面に対し傾斜して設け
   られていて、前記レーザーダイオードから出射した光の
   うち前記ビームスプリット面を透過した光が前記回折格
   子に導かれ、前記回折格子からの光のうち前記ビームス
   プリット面で反射した成分が前記光検出部に導かれる、
   請求項１に記載の光集積素子。
4. 【請求項４】 前記回折格子が、前記透明カバー部の表
   面領域に設けられている、請求項１に記載の光集積素
   子。
5. 【請求項５】 前記回折格子が、前記透明カバー部に固
   着された光学素子に設けられている、請求項１に記載の
   光集積素子。
6. 【請求項６】 前記ビームスプリッターが複屈折材料で
   構成されている、請求項１に記載の光集積素子。
7. 【請求項７】 前記光検出部の前記３つの領域のうちの
   両端の領域における検出信号が、情報担体の情報記録面
   におけるトラッキング制御に用いられる、請求項１に記
   載の光集積素子。
8. 【請求項８】 前記光検出部が、前記少なくとも３つの
   領域に分割された第１の光検出部を含む複数の光検出部
   で構成されている、請求項１に記載の光集積素子。
9. 【請求項９】 前記複数の光検出部における検出信号
   が、情報担体の情報記録面に対するフォーカス制御に用
   いられる、請求項８に記載の光集積素子。
10. 【請求項１０】 前記第１の光検出部が、情報担体の情
    報記録面からの反射光が焦点を結ぶ位置に設けられてい
    る、請求項８に記載の光集積素子。
11. 【請求項１１】 発光素子から出射した光を、回折格子
    において、少なくとも主ビームと２つの副ビームに分離
    した後、それらの主ビーム及び副ビームを情報担体の情
    報記録面に導き、それらの主ビーム及び副ビームの前記
    情報記録面からの反射光を、前記回折格子を通した後、
    光検出部の３つの領域に夫々導くように構成し、 前記３つの領域のうちの両端の領域における検出信号の
    差を、前記情報担体の前記情報記録面における前記主ビ
    ーム及び副ビームの位置制御に用いるとともに、 前記３つの領域のうちの中央の領域における検出信号か
    ら、前記両端の領域における検出信号の和に所定の係数
    を掛けた値を減じた値を、前記情報記録面からの情報読
    み取り信号として用いる、信号検出方法。
12. 【請求項１２】 強度Ａの光が、前記回折格子により、
    強度（１−２ｒ）Ａの主ビームと、強度ｒＡの２つの副
    ビームに分離される時（但し、ｒ：正の実数）、前記係
    数として、ｒ／（１−２ｒ）を用いる、請求項１１に記
    載の信号検出方法。
13. 【請求項１３】 少なくとも３つの領域に分割された光
    検出部が表面に設けられた基板と、前記基板の表面上に
    取り付けられた発光素子と、前記基板の表面上に取り付
    けられた、ビームスプリット面を有するビームスプリッ
    ターと、前記発光素子及び前記ビームスプリッターを搭
    載した前記基板を収容するパッケージと、前記パッケー
    ジのケーシングの少なくとも一部に設けられた透明カバ
    ー部と、前記透明カバー部に設けられた回折格子と、を
    夫々有する光集積素子を備えた光ピックアップにより、
    情報担体の情報記録面に記録された情報を光学的に読み
    取る、光学式情報読み取り装置。
14. 【請求項１４】 前記ビームスプリッターが、前記ビー
    ムスプリット面として傾斜端面を有するプリズムで構成
    されていて、前記レーザーダイオードから出射した光の
    うち前記傾斜端面で反射した光が前記回折格子に導か
    れ、前記回折格子からの光のうち前記傾斜端面を透過し
    た成分が前記光検出部に導かれる、請求項１３に記載の
    光学式情報読み取り装置。
15. 【請求項１５】 前記ビームスプリット面が、前記ビー
    ムスプリッターの内部に前記基板表面に対し傾斜して設
    けられていて、前記レーザーダイオードから出射した光
    のうち前記ビームスプリット面を透過した光が前記回折
    格子に導かれ、前記回折格子からの光のうち前記ビーム
    スプリット面で反射した成分が前記光検出部に導かれ
    る、請求項１３に記載の光学式情報読み取り装置。
16. 【請求項１６】 前記回折格子が、前記透明カバー部の
    表面領域に設けられている、請求項１３に記載の光学式
    情報読み取り装置。
17. 【請求項１７】 前記回折格子が、前記透明カバー部に
    固着された光学素子に設けられている、請求項１３に記
    載の光学式情報読み取り装置。
18. 【請求項１８】 前記ビームスプリッターが複屈折材料
    で構成されている、請求項１３に記載の光学式情報読み
    取り装置。
19. 【請求項１９】 前記３つの領域のうちの両端の領域に
    おける検出信号の差を、前記情報担体の前記情報記録面
    におけるトラッキング制御に用いるとともに、前記３つ
    の領域のうちの中央の領域における検出信号から、前記
    両端の領域における検出信号の和に所定の係数を掛けた
    値を減じた値を、前記情報記録面からの情報読み取り信
    号として用いる、請求項１３に記載の光学式情報読み取
    り装置。
20. 【請求項２０】 強度Ａの光が、前記回折格子により、
    強度（１−２ｒ）Ａの主ビームと、強度ｒＡの２つの副
    ビームに分離される時（但し、ｒ：正の実数）、前記係
    数として、ｒ／（１−２ｒ）を用いる、請求項１９に記
    載の光学式情報読み取り装置。
21. 【請求項２１】 前記光検出部が、前記少なくとも３つ
    の領域に分割された第１の光検出部を含む複数の光検出
    部で構成されている、請求項１３に記載の光学式情報読
    み取り装置。
22. 【請求項２２】 前記複数の光検出部における検出信号
    が、前記情報担体の前記情報記録面に対するフォーカス
    制御に用いられる、請求項２１に記載の光学式情報読み
    取り装置。
23. 【請求項２３】 前記第１の光検出部が、前記情報担体
    の前記情報記録面からの反射光が焦点を結ぶ位置に設け
    られている、請求項２１に記載の光学式情報読み取り装
    置。