JPH10312944A - レジストノズルの受け体 - Google Patents
レジストノズルの受け体Info
- Publication number
- JPH10312944A JPH10312944A JP12187897A JP12187897A JPH10312944A JP H10312944 A JPH10312944 A JP H10312944A JP 12187897 A JP12187897 A JP 12187897A JP 12187897 A JP12187897 A JP 12187897A JP H10312944 A JPH10312944 A JP H10312944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist nozzle
- solvent
- receiver
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストノズルの吐出口における硬化物の生
成を防止して、レジストの無駄を省くと共に高品質の半
導体基板を製造することができるレジストノズルの受け
体を提供する。 【解決手段】 槽20内の溶剤Rをヒータ21で加熱し
て蒸気化し、筐体1内をレジスト蒸気R′の雰囲気にす
ることで、レジストノズル110の吐出口111内のレ
ジストRの硬化を防止する。好ましくは、吐出口111
より上に至ったレジスト蒸気R′をフィードバック回路
3の案内管31で冷却し、液化して案内管31内に導
き、ポンプ32によって槽20内に戻すようにする。
成を防止して、レジストの無駄を省くと共に高品質の半
導体基板を製造することができるレジストノズルの受け
体を提供する。 【解決手段】 槽20内の溶剤Rをヒータ21で加熱し
て蒸気化し、筐体1内をレジスト蒸気R′の雰囲気にす
ることで、レジストノズル110の吐出口111内のレ
ジストRの硬化を防止する。好ましくは、吐出口111
より上に至ったレジスト蒸気R′をフィードバック回路
3の案内管31で冷却し、液化して案内管31内に導
き、ポンプ32によって槽20内に戻すようにする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造のリ
ソグラフィ工程で用いられるレジストノズルの受け体に
関するものである。
ソグラフィ工程で用いられるレジストノズルの受け体に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】レジストノズルは半導体製造のリソグラ
フィ工程において、ウエハ表面にレジストを吐出してコ
ーティングするために用いられるものであり、非使用時
には、受け体で待機している。図3は、従来のレジスト
ノズルの受け体を示す断面図である。図3に示すよう
に、この受け体100は、箱状に形成され、その上面
に、レジストノズル110を挿入するための孔101を
有している。これにより、非使用時には、レジストノズ
ル110を受け体100の孔101に挿入させて、待機
させることができる。そして、ウエハWが送られて来た
時、レジストノズル110を二点鎖線で示すように、受
け体100から取り出して、ウエハWの上に位置させ、
吐出口111からレジストRを吐出して、ウエハWをレ
ジストコーティングする。
フィ工程において、ウエハ表面にレジストを吐出してコ
ーティングするために用いられるものであり、非使用時
には、受け体で待機している。図3は、従来のレジスト
ノズルの受け体を示す断面図である。図3に示すよう
に、この受け体100は、箱状に形成され、その上面
に、レジストノズル110を挿入するための孔101を
有している。これにより、非使用時には、レジストノズ
ル110を受け体100の孔101に挿入させて、待機
させることができる。そして、ウエハWが送られて来た
時、レジストノズル110を二点鎖線で示すように、受
け体100から取り出して、ウエハWの上に位置させ、
吐出口111からレジストRを吐出して、ウエハWをレ
ジストコーティングする。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
のレジストノズルの受け体では、次のような問題があっ
た。図3に示すように、受け体100は単に箱の上面に
孔101を穿設した構成となっているので、受け体10
0の内部に空気が充満している。このため、レジストノ
ズル110の吐出口111部分にレジストRの硬化膜が
形成される。図4は、レジストRの硬化膜形成状態を順
を追って示す断面図である。図4の(a)に示すよう
に、レジストノズル110がレジストRを吐出口111
から吐出した後、レジストRの吐出を止めると、図4の
(b)に示すように、吐出口111先端のレジストR部
分が外気と反応して硬化し、レジストRの膜を形成する
ようになる。この膜状の硬化物R1は受け体100にお
ける待機中に成長し、図4の(c)に示すように、かな
り厚くなる。この状態で、ウエハW上にレジストRを吐
出すると、硬化物R1がウエハWに付着してしまう。こ
のため、ウエハW上にレジストRを吐出するいわゆる本
吐出前にいわゆる捨て吐出を行わなければならなかっ
た。図5は、捨て吐出作業と本吐出作業とを示す断面図
である。すなわち、図5の(a)に示すように、厚い硬
化物R1の膜が吐出口111先端に形成されているレジ
ストノズル110を作動させ、レジストRを吐出させ
て、図5の(b)に示すように、硬化物R1を破る捨て
吐出作業を行う。しかる後、この状態で、レジストノズ
ル110をウエハWの上に位置させて、本吐出を行って
いた。このように、従来の受け体では、本吐出前にレジ
ストRの無駄な吐出を行わなければならなかった。しか
も、硬化物R1のうち吐出口111の内面に接触してい
る部分は、強固に付着しているので、図5の(b)に示
すように、捨て吐出作業を行っても、硬化物R1の断片
rが残ってしまう。この結果、図5の(c)に示すよう
に、本吐出を行うと、硬化物R1の断片rがウエハWに
吐出されることとなり、以後の工程に悪影響を与え、ウ
エハWの品質劣化の原因となっていた。
のレジストノズルの受け体では、次のような問題があっ
た。図3に示すように、受け体100は単に箱の上面に
孔101を穿設した構成となっているので、受け体10
0の内部に空気が充満している。このため、レジストノ
ズル110の吐出口111部分にレジストRの硬化膜が
形成される。図4は、レジストRの硬化膜形成状態を順
を追って示す断面図である。図4の(a)に示すよう
に、レジストノズル110がレジストRを吐出口111
から吐出した後、レジストRの吐出を止めると、図4の
(b)に示すように、吐出口111先端のレジストR部
分が外気と反応して硬化し、レジストRの膜を形成する
ようになる。この膜状の硬化物R1は受け体100にお
ける待機中に成長し、図4の(c)に示すように、かな
り厚くなる。この状態で、ウエハW上にレジストRを吐
出すると、硬化物R1がウエハWに付着してしまう。こ
のため、ウエハW上にレジストRを吐出するいわゆる本
吐出前にいわゆる捨て吐出を行わなければならなかっ
た。図5は、捨て吐出作業と本吐出作業とを示す断面図
である。すなわち、図5の(a)に示すように、厚い硬
化物R1の膜が吐出口111先端に形成されているレジ
ストノズル110を作動させ、レジストRを吐出させ
て、図5の(b)に示すように、硬化物R1を破る捨て
吐出作業を行う。しかる後、この状態で、レジストノズ
ル110をウエハWの上に位置させて、本吐出を行って
いた。このように、従来の受け体では、本吐出前にレジ
ストRの無駄な吐出を行わなければならなかった。しか
も、硬化物R1のうち吐出口111の内面に接触してい
る部分は、強固に付着しているので、図5の(b)に示
すように、捨て吐出作業を行っても、硬化物R1の断片
rが残ってしまう。この結果、図5の(c)に示すよう
に、本吐出を行うと、硬化物R1の断片rがウエハWに
吐出されることとなり、以後の工程に悪影響を与え、ウ
エハWの品質劣化の原因となっていた。
【0004】この発明は上述した課題を解決するために
なされたもので、レジストノズルの吐出口における硬化
物の生成を防止して、レジストの無駄を省くと共に高品
質の半導体基板を製造することができるレジストノズル
の受け体を提供することを目的としている。
なされたもので、レジストノズルの吐出口における硬化
物の生成を防止して、レジストの無駄を省くと共に高品
質の半導体基板を製造することができるレジストノズル
の受け体を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明に係るレジストノズルの受け体は、レジス
トノズルを挿入するための孔を上面に有した筐体と、レ
ジストノズルから吐出するレジストと同じ溶剤を筐体内
で蒸気化するための気化装置とを具備する構成とした。
かかる構成により、気化装置で溶剤を蒸気化して、筐体
内をレジスト蒸気の雰囲気にすることができるので、こ
の状態でレジストノズルを筐体上面の孔から挿入するこ
とにより、レジストノズル先端部内のレジストの硬化を
防止することができる。
に、この発明に係るレジストノズルの受け体は、レジス
トノズルを挿入するための孔を上面に有した筐体と、レ
ジストノズルから吐出するレジストと同じ溶剤を筐体内
で蒸気化するための気化装置とを具備する構成とした。
かかる構成により、気化装置で溶剤を蒸気化して、筐体
内をレジスト蒸気の雰囲気にすることができるので、こ
の状態でレジストノズルを筐体上面の孔から挿入するこ
とにより、レジストノズル先端部内のレジストの硬化を
防止することができる。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図1は、この発明のレジ
ストノズルの受け体を示す断面図である。この受け体
は、筐体1と気化装置2とフィードバック回路3とを具
備している。
いて図面を参照して説明する。図1は、この発明のレジ
ストノズルの受け体を示す断面図である。この受け体
は、筐体1と気化装置2とフィードバック回路3とを具
備している。
【0007】筐体1は、箱状を呈し、その上面10の中
心部には、レジストノズル110を挿入するための孔1
1を有している。孔11は、レジストノズル110の大
径部よりも若干小さめに設定されており、レジストノズ
ル110を挿入すると、その大径部が孔11に係止され
るようになっている。
心部には、レジストノズル110を挿入するための孔1
1を有している。孔11は、レジストノズル110の大
径部よりも若干小さめに設定されており、レジストノズ
ル110を挿入すると、その大径部が孔11に係止され
るようになっている。
【0008】気化装置2は、レジストの溶剤Rを筐体1
で蒸気化させるための装置であり、孔11の略真下に配
され且つ溶剤Rが収容された槽20と、槽20を介して
溶剤Rを沸点迄加熱可能なヒータ21とで構成されてい
る。
で蒸気化させるための装置であり、孔11の略真下に配
され且つ溶剤Rが収容された槽20と、槽20を介して
溶剤Rを沸点迄加熱可能なヒータ21とで構成されてい
る。
【0009】フィードバック回路3は、気化装置2で蒸
気化された溶剤Rを液化して、気化装置2の槽20に戻
す回路であり、冷却器30と案内管31とポンプ32と
フィルタ33とで構成されている。
気化された溶剤Rを液化して、気化装置2の槽20に戻
す回路であり、冷却器30と案内管31とポンプ32と
フィルタ33とで構成されている。
【0010】冷却器30は、冷却水を流通させる螺旋状
のパイプ30aとパイプ30a内の冷却水を循環させる
ポンプ30bとでなっている。パイプ30aは、筐体1
内の上部であって孔11の真下に配されており、しか
も、パイプ30a全体が吐出口111よりも上位になる
ように配されている。案内管31は、液化して筐体1の
下面12に至った溶剤Rを槽20に案内するためのもの
である。具体的には、下面12に穿設された孔13に一
方開口端が連結され、筐体1の外側を通って、他方端部
が再び筐体1内に入り込み、その開口端が槽20の内部
に連通している。ポンプ32は、案内管31の間に介設
されており、案内管31内の溶剤Rを槽20側に戻す機
能を有している。また、フィルタ33は、溶剤R内のゴ
ミ等を瀘過するためのものであり、ポンプ32の出力側
に設けられている。
のパイプ30aとパイプ30a内の冷却水を循環させる
ポンプ30bとでなっている。パイプ30aは、筐体1
内の上部であって孔11の真下に配されており、しか
も、パイプ30a全体が吐出口111よりも上位になる
ように配されている。案内管31は、液化して筐体1の
下面12に至った溶剤Rを槽20に案内するためのもの
である。具体的には、下面12に穿設された孔13に一
方開口端が連結され、筐体1の外側を通って、他方端部
が再び筐体1内に入り込み、その開口端が槽20の内部
に連通している。ポンプ32は、案内管31の間に介設
されており、案内管31内の溶剤Rを槽20側に戻す機
能を有している。また、フィルタ33は、溶剤R内のゴ
ミ等を瀘過するためのものであり、ポンプ32の出力側
に設けられている。
【0011】次に、この実施形態のレジストノズルの受
け体が示す動作に付いて説明する。ヒータ21をオンに
し、槽20内の溶剤Rを沸点迄加熱すると、溶剤Rが気
化し、レジスト蒸気R′となって上面10側に向かって
上昇していく。
け体が示す動作に付いて説明する。ヒータ21をオンに
し、槽20内の溶剤Rを沸点迄加熱すると、溶剤Rが気
化し、レジスト蒸気R′となって上面10側に向かって
上昇していく。
【0012】そして、上記レジスト蒸気R′は冷却器3
0のパイプ30aに接触し、内部の冷却水によって冷却
されて液化し、溶剤Rとして下面12に落下する。落下
した溶剤Rは下面12を伝わって孔13から案内管31
内に至り、ポンプ32の作用によって案内管31内を槽
20側に向かう。このとき、溶剤R内に混在しているゴ
ミ等は、溶剤Rがフィルタ33を通過するときに瀘過さ
れる。そして、槽20側に向かった溶剤Rは、案内管3
1の開口から槽20内に再度収容される。このようにし
て、蒸気化した溶剤Rが槽20内にフィードバックされ
るので、槽20内の溶剤Rはほとんど減少せず、一定時
間後に、筐体1内がレジスト蒸気R′の雰囲気になる。
0のパイプ30aに接触し、内部の冷却水によって冷却
されて液化し、溶剤Rとして下面12に落下する。落下
した溶剤Rは下面12を伝わって孔13から案内管31
内に至り、ポンプ32の作用によって案内管31内を槽
20側に向かう。このとき、溶剤R内に混在しているゴ
ミ等は、溶剤Rがフィルタ33を通過するときに瀘過さ
れる。そして、槽20側に向かった溶剤Rは、案内管3
1の開口から槽20内に再度収容される。このようにし
て、蒸気化した溶剤Rが槽20内にフィードバックされ
るので、槽20内の溶剤Rはほとんど減少せず、一定時
間後に、筐体1内がレジスト蒸気R′の雰囲気になる。
【0013】上記のように、筐体1内がレジスト蒸気
R′の雰囲気になった後、吐出口111を下向きにして
レジストノズル110を孔11に挿入する。図2は、吐
出口111に位置する溶剤Rの非硬化状態を示す断面図
である。図2に示すように、筐体1内にあるレジストノ
ズル110の吐出口111には、コーティング用の溶剤
Rが溜まって外部にさらされている。このため、溶剤R
の露出部分R2が外気と反応して硬化しようとする。し
かしながら、この実施形態のレジストノズルの受け体で
は、筐体1内がレジスト蒸気R′の雰囲気下にあり、溶
剤Rの露出部分R2が高温のレジスト蒸気R′にさらさ
れているので、露出部分R2が液状を維持し、硬化され
ることはない。
R′の雰囲気になった後、吐出口111を下向きにして
レジストノズル110を孔11に挿入する。図2は、吐
出口111に位置する溶剤Rの非硬化状態を示す断面図
である。図2に示すように、筐体1内にあるレジストノ
ズル110の吐出口111には、コーティング用の溶剤
Rが溜まって外部にさらされている。このため、溶剤R
の露出部分R2が外気と反応して硬化しようとする。し
かしながら、この実施形態のレジストノズルの受け体で
は、筐体1内がレジスト蒸気R′の雰囲気下にあり、溶
剤Rの露出部分R2が高温のレジスト蒸気R′にさらさ
れているので、露出部分R2が液状を維持し、硬化され
ることはない。
【0014】このように、この実施形態のレジストノズ
ルの受け体によれば、レジストノズル110内の溶剤R
の硬化現象を防止するので、レジストコーティング作業
中に、レジストノズル110を筐体1に挿入して待機さ
せておくことにより、溶剤Rを無駄にする捨て吐出を行
うことなく、直ちに本吐出作業に移ることができる。ま
た、本吐出作業に溶剤Rの硬化物が半導体基板に付着す
ることもないので、高品質な半導体基板を製造すること
ができる。さらに、冷却器30のパイプ30a全体が挿
入されたレジストノズル110の吐出口111よりも上
位にあるので、レジストノズル110の吐出口111内
の溶剤Rを常に高温のレジスト蒸気R′にさらすことが
できる。
ルの受け体によれば、レジストノズル110内の溶剤R
の硬化現象を防止するので、レジストコーティング作業
中に、レジストノズル110を筐体1に挿入して待機さ
せておくことにより、溶剤Rを無駄にする捨て吐出を行
うことなく、直ちに本吐出作業に移ることができる。ま
た、本吐出作業に溶剤Rの硬化物が半導体基板に付着す
ることもないので、高品質な半導体基板を製造すること
ができる。さらに、冷却器30のパイプ30a全体が挿
入されたレジストノズル110の吐出口111よりも上
位にあるので、レジストノズル110の吐出口111内
の溶剤Rを常に高温のレジスト蒸気R′にさらすことが
できる。
【0015】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この発明の
レジストノズルの受け体によれば、レジストノズル先端
におけるレジスト硬化物の生成を防止することができる
ので、従来のようにレジストの捨て吐出を行う必要がな
く、その分レジストの無駄を無くすことができるという
優れた効果がある。また、本吐出において、半導体基板
にレジスト硬化物が付着するという事態が生じないの
で、高品質の半導体基板を製造することができる。
レジストノズルの受け体によれば、レジストノズル先端
におけるレジスト硬化物の生成を防止することができる
ので、従来のようにレジストの捨て吐出を行う必要がな
く、その分レジストの無駄を無くすことができるという
優れた効果がある。また、本吐出において、半導体基板
にレジスト硬化物が付着するという事態が生じないの
で、高品質の半導体基板を製造することができる。
【図1】この発明のレジストノズルの受け体を示す断面
図である。
図である。
【図2】吐出口に位置する溶剤の非硬化状態を示す断面
図である。
図である。
【図3】従来のレジストノズルの受け体を示す断面図で
ある。
ある。
【図4】レジストの硬化膜形成状態を順を追って示す断
面図である。
面図である。
【図5】捨て吐出作業と本吐出作業とを示す断面図であ
る。
る。
1…筐体、 2…気化装置、 3…フィードバック回
路、 20…槽、 21…ヒータ、 30…冷却器、
31…案内管、 32…ポンプ、 33…フィルタ、
R…溶剤、 R′…レジスト蒸気。
路、 20…槽、 21…ヒータ、 30…冷却器、
31…案内管、 32…ポンプ、 33…フィルタ、
R…溶剤、 R′…レジスト蒸気。
Claims (5)
- 【請求項1】 レジストノズルを挿入するための孔を上
面に有した筐体と、 上記レジストノズルから吐出するレジストと同じ溶剤を
上記筐体内で蒸気化するための気化装置と、 を具備することを特徴とするレジストノズルの受け体。 - 【請求項2】 請求項1に記載のレジストノズルの受け
体において、 上記気化装置は、上記筐体内部に配設され、上記溶剤を
収容した槽と、上記溶剤を沸点まで加熱可能なヒータと
を具備する、 ことを特徴とするレジストノズルの受け体。 - 【請求項3】 請求項2に記載のレジストノズルの受け
体において、 上記溶剤の蒸気のうち上記レジストノズルの吐出口より
上方に上った蒸気を液化して上記槽に戻すフィードバッ
ク回路を設けた、 ことを特徴とするレジストノズルの受け体。 - 【請求項4】 請求項3に記載のレジストノズルの受け
体において、 上記フィードバック回路は、上記吐出口より上位に配設
された冷却器と、この冷却器で液化された溶剤を筐体外
部を通じて上記槽内に導く案内管と、この案内管内の溶
剤を循環させるポンプとを具備する、 ことを特徴とするレジストノズルの受け体。 - 【請求項5】 請求項4に記載のレジストノズルの受け
体において、 上記ポンプの出力側にゴミ等を瀘過するフィルタを設け
た、 ことを特徴とするレジストノズルの受け体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12187897A JPH10312944A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | レジストノズルの受け体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12187897A JPH10312944A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | レジストノズルの受け体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10312944A true JPH10312944A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14822168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12187897A Pending JPH10312944A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | レジストノズルの受け体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10312944A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100691481B1 (ko) | 2006-05-02 | 2007-03-12 | 주식회사 케이씨텍 | 감광액 슬릿 노즐의 감광액 경화 방지장치 및 방법 |
JP2011091149A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | レジスト中の水分除去方法およびレジスト塗布装置 |
-
1997
- 1997-05-13 JP JP12187897A patent/JPH10312944A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100691481B1 (ko) | 2006-05-02 | 2007-03-12 | 주식회사 케이씨텍 | 감광액 슬릿 노즐의 감광액 경화 방지장치 및 방법 |
JP2011091149A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | レジスト中の水分除去方法およびレジスト塗布装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW452850B (en) | Method for depositing materials onto a substrate | |
US6269221B1 (en) | Liquid feed vaporization system and gas injection device | |
US6554507B2 (en) | Pattern formation method and apparatus | |
US7205024B2 (en) | Method of coating film, coating unit, aging unit, solvent replacement unit, and apparatus for coating film | |
US6235112B1 (en) | Apparatus and method for forming thin film | |
US5294568A (en) | Method of selective etching native oxide | |
KR100300834B1 (ko) | 고유전률박막형성용cvd장치및고유전률박막형성방법 | |
KR20020068537A (ko) | 액체 원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치 | |
US6784118B2 (en) | Method for vaporization of liquid organic feedstock and method for growth of insulation film | |
JPH09186107A (ja) | 処理ガス供給装置のクリーニング方法 | |
JP3893177B2 (ja) | 気化装置、cvd装置及び薄膜製造方法 | |
US20080064227A1 (en) | Apparatus For Chemical Vapor Deposition and Method For Cleaning Injector Included in the Apparatus | |
CN109427623B (zh) | 基板干燥方法和基板处理装置 | |
KR100520417B1 (ko) | 증기원료공급시스템 | |
JPH10312944A (ja) | レジストノズルの受け体 | |
JP4150356B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
US20070163650A1 (en) | Chemical dispensing apparatus of FOX process device | |
JP2001011634A (ja) | 気化装置 | |
TWI330107B (en) | Method and system for coating polymer solution on a substrate in a solvent saturated chamber | |
JPH07278818A (ja) | Cvd粉体原料用気化器 | |
JP2001313288A (ja) | 原料ガス供給装置 | |
JP2855517B2 (ja) | コーティング装備のフィルタハウジング | |
JP2591745Y2 (ja) | 液体吐出用ディスペンサ | |
WO2021033414A1 (ja) | 液体材料気化装置 | |
KR19980042608A (ko) | 액체원료 기화시스템 및 가스 분사 장치 |