JPH10312758A - 電子銃及びその製造方法 - Google Patents
電子銃及びその製造方法Info
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- JPH10312758A JPH10312758A JP12138197A JP12138197A JPH10312758A JP H10312758 A JPH10312758 A JP H10312758A JP 12138197 A JP12138197 A JP 12138197A JP 12138197 A JP12138197 A JP 12138197A JP H10312758 A JPH10312758 A JP H10312758A
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- electron gun
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 陰極線管の動作中に発生するグリッドエミッ
ションの発生を抑制することができる電子銃及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 第１、第２グリッド電極１１２、１１４
のグリッド孔１１２Ａ、１１４Ａ周辺部の表面に、カソ
ード材料として用いられるＢａ、ＢａＯを含むアルカリ
土類金属酸化物からなる２ｎｍ以上の厚さの皮膜１２０
を形成する。陰極線管の使用中にカソード１１０Ｃから
蒸発してくるＢａやＢａＯが新たな蒸着物１２２として
グリッド電極１１２、１１４に付着した場合、予め形成
されたＢａやＢａＯの皮膜１２０により、グリッド電極
材料中のＳｉやＭｇなどの還元性不純物が最表面に到達
することを阻止でき、グリッド電極から発生するグリッ
ドエミッションを抑制する。
ションの発生を抑制することができる電子銃及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 第１、第２グリッド電極１１２、１１４
のグリッド孔１１２Ａ、１１４Ａ周辺部の表面に、カソ
ード材料として用いられるＢａ、ＢａＯを含むアルカリ
土類金属酸化物からなる２ｎｍ以上の厚さの皮膜１２０
を形成する。陰極線管の使用中にカソード１１０Ｃから
蒸発してくるＢａやＢａＯが新たな蒸着物１２２として
グリッド電極１１２、１１４に付着した場合、予め形成
されたＢａやＢａＯの皮膜１２０により、グリッド電極
材料中のＳｉやＭｇなどの還元性不純物が最表面に到達
することを阻止でき、グリッド電極から発生するグリッ
ドエミッションを抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種の陰極線管に
設けられる電子銃及びその製造方法に関し、特にグリッ
ド電極から発生される不要電子放出を抑制できるグリッ
ド電極の改良に関する。
設けられる電子銃及びその製造方法に関し、特にグリッ
ド電極から発生される不要電子放出を抑制できるグリッ
ド電極の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種の電子銃は、電子を放
出するカソード部と、その電子放出方向に順次配置され
た第１、第２、第３、……、のグリッド電極とを有して
構成されている。各グリッド電極は、カソード部から放
出された電子を前方に導く第１グリッド電極と、この第
１グリッド電極によって導かれた電子を加速する第２グ
リッド電極とによりプリフォーカスレンズ系を構成して
いる。また、第３以降のグリッド電極により、第２グリ
ッド電極によって加速された電子をさらに加速し、電子
ビームとして収束させるメインフォーカスレンズ系を構
成している。
出するカソード部と、その電子放出方向に順次配置され
た第１、第２、第３、……、のグリッド電極とを有して
構成されている。各グリッド電極は、カソード部から放
出された電子を前方に導く第１グリッド電極と、この第
１グリッド電極によって導かれた電子を加速する第２グ
リッド電極とによりプリフォーカスレンズ系を構成して
いる。また、第３以降のグリッド電極により、第２グリ
ッド電極によって加速された電子をさらに加速し、電子
ビームとして収束させるメインフォーカスレンズ系を構
成している。
【０００３】そして、このような電子銃を設けたカラー
陰極線管では、上述したグリッド電極より出射された電
子ビームをさらに偏向コイルなどを介して偏向制御し、
陰極線管の前方に配置した蛍光面に照射するようになっ
ている。また、カソード部は、例えばヒータを内蔵する
スリーブを有し、そのスリーブの一方の開口部にカソー
ドを配置し、前記各グリッド電極のグリッド孔に臨ませ
たものである。なお、このようなスリーブを設けない構
造のカソード部も知られている。また、カソードとして
は、例えば、ＷやＭｏなどの耐熱多孔質基体に、ＢａＯ
を主体にＣａＯやＡｌ2 Ｏ3 を水素雰囲気中もしくは真
空中で加熱溶融して含浸させた含浸型カソード、あるい
は、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｓｒ０等の酸化物を用いた酸化物
カソードが使用されている。
陰極線管では、上述したグリッド電極より出射された電
子ビームをさらに偏向コイルなどを介して偏向制御し、
陰極線管の前方に配置した蛍光面に照射するようになっ
ている。また、カソード部は、例えばヒータを内蔵する
スリーブを有し、そのスリーブの一方の開口部にカソー
ドを配置し、前記各グリッド電極のグリッド孔に臨ませ
たものである。なお、このようなスリーブを設けない構
造のカソード部も知られている。また、カソードとして
は、例えば、ＷやＭｏなどの耐熱多孔質基体に、ＢａＯ
を主体にＣａＯやＡｌ2 Ｏ3 を水素雰囲気中もしくは真
空中で加熱溶融して含浸させた含浸型カソード、あるい
は、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｓｒ０等の酸化物を用いた酸化物
カソードが使用されている。
【０００４】図３は、このような従来の電子銃の要部の
構造例を示す断面図である。図示の例は、ヒータ１０Ａ
を内蔵したスリーブ１０Ｂの先端にカソード１０Ｃを配
置したカソード部１０を有し、カソード１０Ｃの前方
（図中上方）に第１グリッド電極１２、第２グリッド電
極１４を配置し、各グリッド電極１２、１４のグリッド
孔１２Ａ、１４Ａにカソード１０Ｃを臨ませたものであ
る。なお、第１、第２グリッド電極１２、１４の前方に
は、さらに第３以降のグリッド電極が配置されている
が、図では省略している。
構造例を示す断面図である。図示の例は、ヒータ１０Ａ
を内蔵したスリーブ１０Ｂの先端にカソード１０Ｃを配
置したカソード部１０を有し、カソード１０Ｃの前方
（図中上方）に第１グリッド電極１２、第２グリッド電
極１４を配置し、各グリッド電極１２、１４のグリッド
孔１２Ａ、１４Ａにカソード１０Ｃを臨ませたものであ
る。なお、第１、第２グリッド電極１２、１４の前方に
は、さらに第３以降のグリッド電極が配置されている
が、図では省略している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような構造の電子銃では、その製造工程中や実用中に、
カソードからＢａやＢａＯが蒸発して、カソード近傍の
グリッド電極の表面に付着してくる。図３は、このよう
なカソードからＢａやＢａＯの蒸着物１６が、第１、第
２グリッド電極１２、１４のグリッド孔１２Ａ、１４Ａ
の周辺に付着した状態を示している。
ような構造の電子銃では、その製造工程中や実用中に、
カソードからＢａやＢａＯが蒸発して、カソード近傍の
グリッド電極の表面に付着してくる。図３は、このよう
なカソードからＢａやＢａＯの蒸着物１６が、第１、第
２グリッド電極１２、１４のグリッド孔１２Ａ、１４Ａ
の周辺に付着した状態を示している。
【０００６】このグリッド電極表面に付着したＢａやＢ
ａＯの蒸着物は、グリッド電極中に含まれるＳｉやＭｇ
などの還元性不純物に還元され、遊離Ｂａを形成して活
性化され、著しく仕事関数を低下させるため、そのグリ
ッド電極から不要な電子放出（グリッドエミッションま
たはストレーエミッションという）を発生させるように
なる。図４は、このような従来の電子銃における不要電
子放出量の計時的変化の測定例を示す説明図である。図
示のように、初期の使用時において、ＢａやＢａＯの蒸
着によるグリッドエミッションが増大し、一定以上のＢ
ａやＢａＯの皮膜が形成された後は、グリッドエミッシ
ョンが抑制される。
ａＯの蒸着物は、グリッド電極中に含まれるＳｉやＭｇ
などの還元性不純物に還元され、遊離Ｂａを形成して活
性化され、著しく仕事関数を低下させるため、そのグリ
ッド電極から不要な電子放出（グリッドエミッションま
たはストレーエミッションという）を発生させるように
なる。図４は、このような従来の電子銃における不要電
子放出量の計時的変化の測定例を示す説明図である。図
示のように、初期の使用時において、ＢａやＢａＯの蒸
着によるグリッドエミッションが増大し、一定以上のＢ
ａやＢａＯの皮膜が形成された後は、グリッドエミッシ
ョンが抑制される。
【０００７】そして、グリッドエミッションが増大する
と、カソードから発生される真性電子ビームに対して、
浮遊電子ビームを形成することとなり、例えば受像管の
場合に画面コントラストの低下など、画面品質の低下の
原因やカットオフ電圧の調整時等に残像が生じるなどの
問題を惹起する。そこで本発明の目的は、陰極線管の動
作中に発生するグリッドエミッションの発生を抑制でき
る電子銃及びその製造方法を提供することにある。
と、カソードから発生される真性電子ビームに対して、
浮遊電子ビームを形成することとなり、例えば受像管の
場合に画面コントラストの低下など、画面品質の低下の
原因やカットオフ電圧の調整時等に残像が生じるなどの
問題を惹起する。そこで本発明の目的は、陰極線管の動
作中に発生するグリッドエミッションの発生を抑制でき
る電子銃及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、電子を放出するカソード部と、このカソード
部からの電子放出方向に配置されたグリッド電極とを有
する電子銃において、前記グリッド電極の表面の全部ま
たは一部に、前記グリッド電極内の還元性不純物による
電極表面における還元作用を阻止するための皮膜を設け
たことを特徴とする。また本発明は、電子を放出するカ
ソード部と、このカソード部からの電子放出方向に配置
されたグリッド電極とを有する電子銃の製造方法におい
て、電子銃の各部品を組み立てた後、カソード部のカソ
ードを通常使用時の電圧より大きい電圧によって加熱す
ることにより、強制的にカソード用材料を蒸発させ、こ
の蒸発したカソード用材料による皮膜を前記グリッド電
極の表面に形成するようにしたことを特徴とする。
するため、電子を放出するカソード部と、このカソード
部からの電子放出方向に配置されたグリッド電極とを有
する電子銃において、前記グリッド電極の表面の全部ま
たは一部に、前記グリッド電極内の還元性不純物による
電極表面における還元作用を阻止するための皮膜を設け
たことを特徴とする。また本発明は、電子を放出するカ
ソード部と、このカソード部からの電子放出方向に配置
されたグリッド電極とを有する電子銃の製造方法におい
て、電子銃の各部品を組み立てた後、カソード部のカソ
ードを通常使用時の電圧より大きい電圧によって加熱す
ることにより、強制的にカソード用材料を蒸発させ、こ
の蒸発したカソード用材料による皮膜を前記グリッド電
極の表面に形成するようにしたことを特徴とする。
【０００９】上述のような構成の電子銃では、その製造
工程中や実用中に、カソードの加熱によって、カソード
内のＢａやＢａＯが蒸発してグリッド電極に付着する。
これに対し、グリッド電極の表面に還元性不純物による
還元作用を阻止する皮膜を設けたことから、カソードか
ら蒸発してくるＢａやＢａＯが、グリッド電極の表面に
付着した場合、グリッド電極中に含まれるＳｉやＭｇな
どの還元性不純物の還元作用がグリッド電極の最表面に
到達するのを防止できる。このため、遊離Ｂａによる活
性化が少なく、仕事関数の低下が少なくなり、グリッド
エミッションの発生を抑制することができる。
工程中や実用中に、カソードの加熱によって、カソード
内のＢａやＢａＯが蒸発してグリッド電極に付着する。
これに対し、グリッド電極の表面に還元性不純物による
還元作用を阻止する皮膜を設けたことから、カソードか
ら蒸発してくるＢａやＢａＯが、グリッド電極の表面に
付着した場合、グリッド電極中に含まれるＳｉやＭｇな
どの還元性不純物の還元作用がグリッド電極の最表面に
到達するのを防止できる。このため、遊離Ｂａによる活
性化が少なく、仕事関数の低下が少なくなり、グリッド
エミッションの発生を抑制することができる。
【００１０】また、上述のような構成の電子銃の製造方
法では、電子銃の製品段階、あるいは電子銃を陰極線管
に組み込んだ製品段階で、通常より大きい電圧を印加す
る容易な作業によって、グリッドエミッションを抑制す
るための皮膜をグリッド電極に形成することができる。
したがって、部品段階の特別な工程を設けることなく皮
膜を形成でき、また、完成した陰極線管に追加工で皮膜
を形成することもできるため、製造工程を煩雑化するこ
となく、グリッドエミッションの抑制が可能となる。
法では、電子銃の製品段階、あるいは電子銃を陰極線管
に組み込んだ製品段階で、通常より大きい電圧を印加す
る容易な作業によって、グリッドエミッションを抑制す
るための皮膜をグリッド電極に形成することができる。
したがって、部品段階の特別な工程を設けることなく皮
膜を形成でき、また、完成した陰極線管に追加工で皮膜
を形成することもできるため、製造工程を煩雑化するこ
となく、グリッドエミッションの抑制が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による電子銃の実施
の形態例について説明する。図１は、本発明による電子
銃の要部の構造例を示す断面図である。本例の電子銃
は、ヒータ１１０Ａを内蔵したスリーブ１１０Ｂの先端
にカソード１１０Ｃを配置したカソード部１１０と、カ
ソード１１０Ｃの前方（図中上方）に配置された第１グ
リッド電極１１２および第２グリッド電極１１４とを有
する。なお、第１、第２グリッド電極１１２、１１４の
前方には、さらに第３以降のグリッド電極が配置されて
いるが、図では省略している。
の形態例について説明する。図１は、本発明による電子
銃の要部の構造例を示す断面図である。本例の電子銃
は、ヒータ１１０Ａを内蔵したスリーブ１１０Ｂの先端
にカソード１１０Ｃを配置したカソード部１１０と、カ
ソード１１０Ｃの前方（図中上方）に配置された第１グ
リッド電極１１２および第２グリッド電極１１４とを有
する。なお、第１、第２グリッド電極１１２、１１４の
前方には、さらに第３以降のグリッド電極が配置されて
いるが、図では省略している。
【００１２】カソード部１１０のカソード１１０Ｃは、
各グリッド電極１１２、１１４のグリッド孔１１２Ａ、
１１４Ａに臨む状態で配置され、スリーブ１１０Ｂを介
してヒータ１１０Ａにより加熱され、熱電子を放出す
る。また、本例のカソード１１０Ｃは、例えばＷやＭｏ
などの耐熱多孔質基体に、ＢａＯを主体にＣａＯやＡｌ
2 Ｏ3 を水素雰囲気中もしくは真空中で加熱溶融して含
浸させた含浸型カソードである。
各グリッド電極１１２、１１４のグリッド孔１１２Ａ、
１１４Ａに臨む状態で配置され、スリーブ１１０Ｂを介
してヒータ１１０Ａにより加熱され、熱電子を放出す
る。また、本例のカソード１１０Ｃは、例えばＷやＭｏ
などの耐熱多孔質基体に、ＢａＯを主体にＣａＯやＡｌ
2 Ｏ3 を水素雰囲気中もしくは真空中で加熱溶融して含
浸させた含浸型カソードである。
【００１３】そして、本例の電子銃は、第１、第２グリ
ッド電極１１２、１１４のグリッド孔１１２Ａ、１１４
Ａ周辺部の表面に、カソード材料として用いられるＢ
ａ、ＢａＯを含むアルカリ土類金属酸化物からなる皮膜
１２０を形成したものである。この皮膜１２０は、例え
ば２ｎｍ以上の充分な厚みを有している。また、この皮
膜１２０は、完成した陰極線管において、カソード部１
１０のヒータ１１０Ａを通常使用する電圧以上の電圧を
印加してカソード１１０Ｃを加熱することにより、カソ
ード１１０ＣからＢａやＢａＯが蒸発するのを促進し
て、第１、第２グリッド電極１１２、１１４に付着させ
ることによって形成することができる。すなわち、予め
電子銃部品にて準備する必要がなく、完成した陰極線管
に追加工することにより形成することができる。
ッド電極１１２、１１４のグリッド孔１１２Ａ、１１４
Ａ周辺部の表面に、カソード材料として用いられるＢ
ａ、ＢａＯを含むアルカリ土類金属酸化物からなる皮膜
１２０を形成したものである。この皮膜１２０は、例え
ば２ｎｍ以上の充分な厚みを有している。また、この皮
膜１２０は、完成した陰極線管において、カソード部１
１０のヒータ１１０Ａを通常使用する電圧以上の電圧を
印加してカソード１１０Ｃを加熱することにより、カソ
ード１１０ＣからＢａやＢａＯが蒸発するのを促進し
て、第１、第２グリッド電極１１２、１１４に付着させ
ることによって形成することができる。すなわち、予め
電子銃部品にて準備する必要がなく、完成した陰極線管
に追加工することにより形成することができる。
【００１４】このように構成された電子銃を用いること
により、陰極線管の使用中にカソード１１０Ｃから蒸発
してくるＢａやＢａＯが新たな蒸着物１２２としてグリ
ッド電極１１２、１１４に付着した場合でも、予め形成
されたＢａやＢａＯの皮膜１２０により、グリッド電極
材料中のＳｉやＭｇなどの還元性不純物が最表面に到達
することを阻止することができ、活性化されるのを少な
くできるので、仕事関数の低下を阻止することができ
る。このため、グリッド電極から発生する不要電子放出
（グリッドエミッション）を抑制することができる。
により、陰極線管の使用中にカソード１１０Ｃから蒸発
してくるＢａやＢａＯが新たな蒸着物１２２としてグリ
ッド電極１１２、１１４に付着した場合でも、予め形成
されたＢａやＢａＯの皮膜１２０により、グリッド電極
材料中のＳｉやＭｇなどの還元性不純物が最表面に到達
することを阻止することができ、活性化されるのを少な
くできるので、仕事関数の低下を阻止することができ
る。このため、グリッド電極から発生する不要電子放出
（グリッドエミッション）を抑制することができる。
【００１５】図２は、本例の電子銃における不要電子放
出量の計時的変化の測定例を示す説明図である。図４と
比較して分かるように、本例の電子銃では、初期の使用
時におけるグリッドエミッションの増大がなくなり、浮
遊電子ビームによる真性電子ビームへの悪影響を防止で
きる。
出量の計時的変化の測定例を示す説明図である。図４と
比較して分かるように、本例の電子銃では、初期の使用
時におけるグリッドエミッションの増大がなくなり、浮
遊電子ビームによる真性電子ビームへの悪影響を防止で
きる。
【００１６】なお、以上の例では、予めカソード１１０
Ｃを加熱して、ＢａやＢａＯの皮膜１２０を形成するよ
うにしたが、本発明はこのような方法に限定されるもの
ではない。例えば、予め電子銃部品の段階で、スパッタ
法や真空蒸着法等の方法を用いて形成してもよい。ま
た、以上の例では、第１、第２グリッド電極１１２、１
１４のグリッド孔１１２Ａ、１１４Ａの周辺に皮膜１２
０を設けたが、このような皮膜を設ける領域としては、
上述の例に限定されるものではなく、上述した皮膜１２
２の製法等に応じて適宜選択し得るものである。
Ｃを加熱して、ＢａやＢａＯの皮膜１２０を形成するよ
うにしたが、本発明はこのような方法に限定されるもの
ではない。例えば、予め電子銃部品の段階で、スパッタ
法や真空蒸着法等の方法を用いて形成してもよい。ま
た、以上の例では、第１、第２グリッド電極１１２、１
１４のグリッド孔１１２Ａ、１１４Ａの周辺に皮膜１２
０を設けたが、このような皮膜を設ける領域としては、
上述の例に限定されるものではなく、上述した皮膜１２
２の製法等に応じて適宜選択し得るものである。
【００１７】また、以上の例では、含浸型カソードを用
いた電子銃について説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、酸化物カソードを用いた電子銃につ
いても同様に適用し得るものである。また、以上の例で
は、ヒータを内蔵したスリーブにカソードを設けた構造
のカソード部を用いた電子銃について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えばスリーブを
もたない構造のカソード部を用いてもよい。
いた電子銃について説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、酸化物カソードを用いた電子銃につ
いても同様に適用し得るものである。また、以上の例で
は、ヒータを内蔵したスリーブにカソードを設けた構造
のカソード部を用いた電子銃について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えばスリーブを
もたない構造のカソード部を用いてもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電子銃で
は、グリッド電極の表面にグリッド電極内の還元性不純
物による電極表面における還元作用を阻止するための皮
膜を設けた。このため電子銃の製造工程中や実用中に、
カソードの加熱によってカソード中のＢａやＢａＯが蒸
発してグリッド電極に付着した場合でも、グリッド電極
中に含まれる還元性不純物の還元作用がグリッド電極の
最表面に到達するのを防止でき、グリッドエミッション
の発生を抑制することができる。よって、グリッドエミ
ッションによる真正電子ビームへの悪影響をなくすこと
ができるので、この電子銃を設けた陰極線管の画質劣化
を防止することが可能となる。
は、グリッド電極の表面にグリッド電極内の還元性不純
物による電極表面における還元作用を阻止するための皮
膜を設けた。このため電子銃の製造工程中や実用中に、
カソードの加熱によってカソード中のＢａやＢａＯが蒸
発してグリッド電極に付着した場合でも、グリッド電極
中に含まれる還元性不純物の還元作用がグリッド電極の
最表面に到達するのを防止でき、グリッドエミッション
の発生を抑制することができる。よって、グリッドエミ
ッションによる真正電子ビームへの悪影響をなくすこと
ができるので、この電子銃を設けた陰極線管の画質劣化
を防止することが可能となる。
【００１９】また、本発明の電子銃の製造方法では、電
子銃の各部品を組み立てた後、カソードを通常使用時の
電圧より大きい電圧によって加熱することにより、強制
的にカソード用材料を蒸発させ、この蒸発したカソード
用材料による皮膜を前記グリッド電極の表面に形成する
ようにした。このため、容易な作業によって、グリッド
エミッションを抑制するための皮膜をグリッド電極に形
成することができるので、部品段階の特別な工程を設け
る必要がなく、また、完成した陰極線管に追加工で皮膜
を形成することもできるため、製造工程を煩雑化するこ
となく、グリッドエミッションの抑制した電子銃を得る
ことができる。
子銃の各部品を組み立てた後、カソードを通常使用時の
電圧より大きい電圧によって加熱することにより、強制
的にカソード用材料を蒸発させ、この蒸発したカソード
用材料による皮膜を前記グリッド電極の表面に形成する
ようにした。このため、容易な作業によって、グリッド
エミッションを抑制するための皮膜をグリッド電極に形
成することができるので、部品段階の特別な工程を設け
る必要がなく、また、完成した陰極線管に追加工で皮膜
を形成することもできるため、製造工程を煩雑化するこ
となく、グリッドエミッションの抑制した電子銃を得る
ことができる。
【図１】本発明による電子銃の要部の構造例を示す断面
図である。
図である。
【図２】図１に示す電子銃における不要電子放出量の計
時的変化の測定例を示す説明図である。
時的変化の測定例を示す説明図である。
【図３】従来の電子銃の要部の構造例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】図３に示す電子銃における不要電子放出量の計
時的変化の測定例を示す説明図である。
時的変化の測定例を示す説明図である。
１１０……カソード部、１１０Ａ……ヒータ、１１０Ｂ
……スリーブ、１１０Ｃ……カソード、１１２……第１
グリッド電極、１１２Ａ……第１グリッド孔、１１４…
…第２グリッド電極、１１４Ａ……第２グリッド孔、１
２０……皮膜、１２２……蒸着物。
……スリーブ、１１０Ｃ……カソード、１１２……第１
グリッド電極、１１２Ａ……第１グリッド孔、１１４…
…第２グリッド電極、１１４Ａ……第２グリッド孔、１
２０……皮膜、１２２……蒸着物。
Claims (14)
- 【請求項１】 電子を放出するカソード部と、このカソ
ード部からの電子放出方向に配置されたグリッド電極と
を有する電子銃において、 前記グリッド電極の表面の全部または一部に、前記グリ
ッド電極内の還元性不純物による電極表面における還元
作用を阻止するための皮膜を設けた、 ことを特徴とする電子銃。 - 【請求項２】 前記皮膜は、カソード用材料により形成
されていることを特徴とする請求項１記載の電子銃。 - 【請求項３】 前記カソード用材料は、Ｂａを含むアル
カリ土類金属酸化物であることを特徴とする請求項２記
載の電子銃。 - 【請求項４】 前記皮膜は、２ｎｍ以上の厚さで形成さ
れていることを特徴とする請求項２記載の電子銃。 - 【請求項５】 前記グリッド電極は、前記カソード部の
近傍に配置される第１、第２グリッド電極によるプリフ
ォーカスレンズ系と、このプリフォーカスレンズ系の前
方に設けられる第３グリッド電極以降によるメインフォ
ーカスレンズ系とを有し、前記プリフォーカスレンズ系
の第１、第２グリッド電極に前記皮膜を設けたことを特
徴とする請求項１記載の電子銃。 - 【請求項６】 前記第１、第２グリッド電極のグリッド
孔の周辺部分に前記皮膜を設けたことを特徴とする請求
項５記載の電子銃。 - 【請求項７】 前記カソード部は、熱電子を放出するカ
ソードと、このカソードを加熱するヒータとを有するこ
とを特徴とする請求項１記載の電子銃。 - 【請求項８】 前記皮膜は、電子銃の製品段階で前記ヒ
ータによってカソードを加熱することにより、カソード
用材料を強制的に蒸発させて、前記グリッド電極の表面
に蒸着させることにより形成したことを特徴とする請求
項７記載の電子銃。 - 【請求項９】 前記皮膜は、電子銃の部品段階で各グリ
ッド電極部品に対してスパッタ法または真空蒸着法を用
いて形成したことを特徴とする請求項１記載の電子銃。 - 【請求項１０】 前記カソード部は、ヒータを内蔵した
スリーブの前端部にカソードを設けた構造であることを
特徴とする請求項７記載の電子銃。 - 【請求項１１】 前記カソードは含浸型カソードである
ことを特徴とする請求項７記載の電子銃。 - 【請求項１２】 前記カソードは酸化物カソードである
ことを特徴とする請求項７記載の電子銃。 - 【請求項１３】 電子を放出するカソード部と、このカ
ソード部からの電子放出方向に配置されたグリッド電極
とを有する電子銃の製造方法において、 電子銃の各部品を組み立てた後、カソード部のカソード
を通常使用時の電圧より大きい電圧によって加熱するこ
とにより、強制的にカソード用材料を蒸発させ、この蒸
発したカソード用材料による皮膜を前記グリッド電極の
表面に形成するようにした、 ことを特徴とする電子銃の製造方法。 - 【請求項１４】 前記皮膜の形成は、電子銃を陰極線管
内に組み込んで製品化した状態で行うことを特徴とする
請求項１３記載の電子銃の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12138197A JPH10312758A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 電子銃及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12138197A JPH10312758A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 電子銃及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312758A true JPH10312758A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14809816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12138197A Pending JPH10312758A (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 電子銃及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10312758A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109961994A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | 北京有色金属研究总院 | 一种用于栅控脉冲行波管电子枪中的栅网及其制作工艺 |
| CN110359012A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-10-22 | 北京理工大学 | 用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法 |
| CN113737134A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-12-03 | 西安交通大学 | 一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法 |
-
1997
- 1997-05-13 JP JP12138197A patent/JPH10312758A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109961994A (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-02 | 北京有色金属研究总院 | 一种用于栅控脉冲行波管电子枪中的栅网及其制作工艺 |
| CN110359012A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-10-22 | 北京理工大学 | 用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法 |
| CN113737134A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-12-03 | 西安交通大学 | 一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法 |
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