JPH10303071A - トリマコンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステータ電極とロータ電極の間に形成される
静電容量のばらつきを防止するとともに、静電容量の経
時的変化を有効に抑えるトリマコンデンサである。 【解決手段】 ステータ電極２が形成されたセラミック
からなるステータ基板１上に、ロータ電極３２が形成さ
れた誘電体ロータ３とが回動自在に配置されたトリマコ
ンデンサである。そして、ステータ基板１は、ステータ
電極２が、ステータ端子２２と接続する導通部２１より
も厚く、しかもステータ電極２の周囲にオーバーガラス
コート層２３が配置されているため、ステータ基板１の
表面研磨を行っても、導通部２１が露出することが一切
なく、過剰研磨による研磨凹みがステータ基板１の端面
にまで通じないため、潤滑剤の流出、湿気の侵入が一切
なく、非常に安定したステータ基板１と誘電体ロータ３
との関係が経時的に安定して維持できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は微少容量を調整する
ことが可能なトリマコンデンサに関するものであり、耐
熱衝撃性に優れたステータ基板を有するトリマコンデン
サに関する。

【０００２】

【従来の技術】トリマコンデンサは、貫通孔が形成さ
れ、且つ表面にステータ電極が形成されたステータ基板
と、貫通孔が形成され、且つロータ電極を備えた円板状
誘電体ロータと、ロータ電極と導通するとともに、誘電
体ロータの貫通孔及びステータ基板の貫通孔にその一部
が挿通される調整ピンと、ステータ基板の裏面から他方
端面に延出されたロータ端子とから構成されていた。
尚、ステータ基板の一方端面には、ステータ電極に直接
接続されたステータ端子が形成されていた。

【０００３】そして、ステータ基板上に、潤滑材のシリ
コーンオイルを介在させて誘電体ロータを配置し、さら
に誘電体ロータの貫通孔、ステータ基板の貫通孔に挿通
するようにして、誘電体ロータ上に調整ピンを固定し、
ステータ基板の裏面で、調整ピンの先端とロータ端子の
一部とを加締め処理にて接合していた。尚、誘電体ロー
タのロータ電極と調整ピンとは、例えば誘電体ロータの
貫通孔内で、または誘電体ロータの表面で電気的に導通
していた。

【０００４】そして、調整ピンを所定量回動調整するこ
とによって、誘電体ロータがステータ基板上を回動し、
この結果、ロータ電極とステータ電極との対向面積が変
化に対応する所定容量特性がロータ端子とステータ端子
との間から導出される。

【０００５】従来のトリマコンデンサは、ステータ基板
が樹脂などから構成されて、ステータ電極、ステータ端
子となる金属部材とともに樹脂のモールド成型時に一体
的に形成されていた。

【０００６】このため、樹脂モールド成型時の金属部材
の保持のばらつきによっては、ステータ電極がステータ
基板の表面と同一平面とはならず、トリマコンデンサの
容量の可変範囲にバラツキを発生させていた。また、ス
テータ基板が樹脂で構成されているため、プリント配線
基板へのリフロー半田接合などによる数回の熱履歴で、
ステータ基板の形状に歪みが発生してしまい、ステータ
電極とロータ電極との位置関係が変化してしまう。

【０００７】このような問題を解決するため、ステータ
基板をセラミックで構成し、且つステータ電極を、Ａｇ
などを主成分とする導電性ペーストの印刷・焼きつけに
よる厚膜導体膜で形成することが考えられる。

【０００８】このような構造では、ステータ電極部分の
みがステータ基板表面から厚膜導体膜の厚み相当、例え
ば数十μｍの凸部が突出してしまい、ステータ基板と誘
電体ロータ間に介在させて特性の安定化を図る潤滑材
（シリコーンオイル）がステータ基板の外部に流出して
しまい、また、油膜厚みが変化して、経時的に特性が変
動してしまう。

【０００９】このため、特開平５−２６７１００号で
は、厚膜導体膜で形成したステータ電極と、それ以外の
部分との境界部に段差が生じないように、ステータ電極
の周囲にガラスやエポキシ樹脂などの絶縁体を塗布し
て、ステータ基板の表面を平坦化していた。

【００１０】具体的には、セラミックから成るステータ
基板の表面にステータ電極を導電性ペーストの印刷・焼
きつけによって形成し、次いで、ステータ基板の表面全
面にガラス、あるいはエポキシ樹脂などからなる絶縁体
を印刷し、硬化して、ステータ電極とステータ電極が形
成されていない部分との境界部の段差が２μm 以下、表
面粗さが、Ｒｔm （１０点平均粗さ）≦３μm になるよ
うに、ステータ基板の表面研磨を行い、ステータ電極を
露出させていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、絶縁体がエポ
キシなどの樹脂であれば、上述のように熱履歴により熱
分解され、変形が顕著となり、ステータ基板の表面材料
としては不向きである。

【００１２】また、構造的には、ステータ基板の端面な
どにはステータ電極と接続する導通部が必要となる。し
かも、この導通部はステータ電極と同時に形成する必要
がある。

【００１３】特開平５−２６７１００号では、ガラスの
絶縁体を表面研磨して、ステータ電極とステータ電極か
らステータ端子に延びる導通部までも露出させていた。

【００１４】また、実際の表面研磨加工においては、研
磨加工性の相違する２つの材料を研磨すると、両者の境
界部分のいずれかが過剰研磨領域による研磨凹みが発生
してしまう。例えば、Ａｇなどのステータ電極とガラス
などの絶縁体との研磨においては、当然ステータ電極側
の研磨が進行することになる。

【００１５】これにより、絶縁体の研磨を行いながら、
ステータ電極を完全に露させようとすれば、ステータ電
極と導通部とが露出して、しかも、ステータ電極及びそ
の導通部の境界部周囲に過剰研磨による研磨凹み部が発
生する。

【００１６】例えば、例えば、砥粒２０００番（人工ダ
イヤ）で固めた砥石でもって研磨を行った場合には、ス
テータ電極及び導通部の境界部周囲には、ガラスの表面
に比較して、約５μｍ深さの研磨凹みが発生し、しか
も、ステータ電極の平面部分でも、ガラスの表面に比較
して、約１〜２μｍ深さに凹んでしまう。

【００１７】尚、段差を２μｍ以下としようとしても、
ステータ電極及び導通部の境界部周囲の研磨凹みの発生
は免れない。

【００１８】このて研磨凹みは、ステータ電極からステ
ータ端子に通じる導通部の境界部分に形成されることか
ら、基板の端面にまで達してしてまうことになる。その
結果、ステータ基板と誘電体ロータとの間に介在させた
潤滑材が経時的に流出しまい、特性の安定が充分に達成
できないものであった。さらに、この凹みから湿気など
が侵入し、特性を変動させたり、ステータ電極を腐蝕さ
せてしまうという問題があった。

【００１９】本発明は上述の課題に鑑みて案出されたも
のであり、その目的は耐熱衝撃性に優れ、且つステータ
基板と誘電体ロータとの接触状態が変動せず、経時的に
特性が安定し、微小容量調整が可能なトリマコンデンサ
を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は、貫通孔が形成
され、且つ表面にステータ電極、端面に該ステータ電極
と接続するステータ端子が形成されたセラミックから成
るステータ基板と、前記ステータ基板上に配置され、貫
通孔及びロータ電極を備えた円板状の誘電体ロータと、
前記誘電体ロータ上に配置され、ロータ電極と導通する
とともに、誘電体ロータの貫通孔及びステータ基板の貫
通孔にその一部が挿通される調整ピンと、前記ステータ
基板の裏面で調整ピンの一部と導通するロータ端子とを
有するトリマコンデンサにおいて、前記ステータ基板の
表面には、上下導体層から成るステータ電極が形成され
ており、該ステータ電極の下層導体層はステータ端子と
を接続する導通部を有し、且つ上層導体層の周囲にオー
バーガラスコート層が被着されていることを特徴とする
トリマコンデンサである。

【００２１】

【作用】本発明によれば、ステータ基板が、セラミック
から構成されているため、複数回の熱処理（熱履歴）に
よっても、ステータ基板が熱変形することが一切ない。

【００２２】また、ステータ基板の表面には、オーバガ
ラスコート層が配置されているため、上述の熱処理（熱
履歴）によっても、安定した状態を維持できる。

【００２３】また、ステータ基板の表面は、多層構造の
ステータ電極が形成され、下層導体層でもってステータ
電極とステータ電極からステータ端子に接続するための
導通部とが形成され、上層側導体層でステータ電極が形
成されている。即ち、導通部の導体厚みは薄く、ステー
タ電極の導体厚みが厚くなっている。従って、ステータ
基板の表面平坦性及びステータ電極を完全に露出させる
ため、表面研磨を行っても、ステータ電極が露出して
も、導通部はオーバーガラスコート層に被覆された状態
を維持される。

【００２４】従って、研磨加工性の差異によって、ステ
ータ電極の境界部分に過剰研磨による研磨凹みが発生し
ても、この凹みはステータ電極の形状に応じて形成され
るだけであり、従来のように、導通部に沿ってステータ
基板の端面にまで延出することがない。

【００２５】これにより、ステータ基板と誘電体ロータ
との間に介在した潤滑材が、研磨凹みを伝ってステータ
基板の端面に流出することが一切なく、しかも、湿気が
侵入することが一切ないため、ステータ基板と誘電体ロ
ータとの接触状態を経時的に維持でき、微小容量の特性
調整が可能で、且つ非常に安定維持できることになる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図１は本発明の一実施例にかかるトリ
マコンデンサを示す断面図であり、図２はその分解斜視
図である。

【００２７】図において、１はステータ基板でであり、
３は誘電体ロータであり、４は調整ピンであり、５はロ
ータ端子である。

【００２８】ステータ基板１は、貫通孔１１が形成され
たセラミック基体１０からなり、その表面には、半円形
状のステータ電極２が形成され、また、セラミック基体
１０の端面にはステータ電極２と導通部２１を介して接
続されステータ端子２２が形成されている。

【００２９】このステータ電極２は、多層構造、例えば
２層構造となっている。即ち、下層側導体層２ａと上層
側導体層２ｂとからなり、何れもＡｇ系（Ａｇ単体また
はＡｇ−Ｐｄなどの合金）導電性ペーストの印刷（重ね
印刷）・焼きつけによって形成される。また、ステータ
電極２とステータ端子２２とを接続する導通部２１は、
上述の下層側導体層２ａの形成時のみに形成される。

【００３０】また、ステータ端子２２は、Ａｇ系導電性
ペーストのセラミック基体１０の端面印刷・焼きつけに
よって形成される。

【００３１】また、セラミック基体１０の表面には、ス
テータ電極２の周囲のオーバガラスコート層２３が配置
されている。そして、オーバガラスコート層２３とステ
ータ電極２とは実質的に同一平面（実際には、過剰研磨
による若干の研磨凹みが発生するが）となっている。

【００３２】誘電体ロータ３は、例えば多層構造の誘電
体セラミック層からなり、円板状となっており、その中
心部には、貫通孔３１が形成されている。また、誘電体
セラミック層間に例えば半円形状のロータ電極３２が形
成され、その一部が貫通孔３１内にまで導出されてい
る。

【００３３】調整ピン４は、ステンレスなどの金属部材
からなり、調整用ドライバが嵌合される頭部４１と頭部
４１の下面から延びるピン部４２とから構成されてい
る。そして、そのピン部４２の先端は、ステータ基板１
の裏面で加締め処理可能なように少なくとも先端部は中
空体となっている。

【００３４】ロータ端子５は、半田が濡れない金属、例
えばステンレスなどの金属部材から成り、ステータ基板
１の裏面に配置され、バネ性を有するワッシャー部５１
と該ワッシャー部５１からステータ基板の他方端面側に
延出する端子部５２とから構成されている。

【００３５】このような構成のトリマコンデンサは、先
ず、ステータ基板１の表面に、シリコーンオイルなどの
潤滑剤を介して、誘電体ロータ３を配置し、さらに誘電
体ロータ３の貫通孔３１、ステータ基板１の貫通孔１１
に調整ピン４のピン部４２が挿通するようにして、誘電
体ロータ３上に調整ピン４を固定する。この固定とは、
導電性接着剤を用いて、少なくとも誘電体ロータ３のロ
ータ電極３２の一部と調整ピン４の一部が電気的に接続
されるように接着することである。そして、ステータ基
板１の裏面に挿通した調整ピン４のピン部４２の先端に
ロータ端子５のワッシャー部５１を挿通して、調整ピン
４のピン部４２の先端を加締め処理を行う。

【００３６】これより、ステータ基板１の表面に誘電体
ロータ３が回動自在に配置され、調整ピン４の頭部４１
を所定量回動させることにより、誘電体ロータ３が共動
することになる。そして、誘電体ロータ３のロータ電極
３２とステータ基板１の表面のステータ電極２との対向
面積が変化して、この対向面積に応じた容量成分が発生
し、この容量成分が、ステータ電極２と導通部２１を介
して接続されたステータ端子２２と、ロータ電極３と調
整ピン４を介して接続されたロータ端子５の端子部５２
との間から導出されることになる。

【００３７】本発明において、ステータ基板１の表面、
即ち、セラミック基体１０の表面には、多層構造のステ
ータ電極２、ステータ電極２よりも厚みの薄い導通部２
１、ステータ電極２の周囲に、導通部２１を被覆するよ
うに形成された、オーバーガラスコート層２３が配置さ
れており、夫々が耐熱性に優れているため、トリマコン
デンサをプリント配線基板上に半田接合する際の熱衝撃
によって、いずれも変形がなく、ステータ電極２と誘電
体ロータ３との位置関係を安定化させることができる。

【００３８】また、ステータ基板１と誘電体ロータ３と
の間に介在した潤滑剤が外部に流出ることも一切なく、
ステータ基板１と誘電体ロータ３との接合状態が経時的
に安定することから微小容量特性の調整が可能となり、
しかも、経時的に安定維持されることになる。

【００３９】この潤滑剤の流出の防止については、多層
構造のステータ電極２、該ステータ電極２よりも厚みの
薄い導通部２１、この導通部２１を被覆し、且つステー
タ電極２の周囲に形成されたオーバーガラスコート層２
３によって達成される。

【００４０】即ち、ステータ基板１の表面の平滑性を向
上させるために、ステータ基板１の表面を鏡面研磨加工
を施すが、この時、ステータ電極２がオーバーガラスコ
ート層２３に囲まれているため、ステータ電極２部分の
研磨レートとオーバーガラスコート層２３の研磨レート
の相違から、ステータ電極２部分の周囲に過剰研磨によ
る研磨凹みが形成されても、この凹みがステータ基板１
の端面にまで達することがない。

【００４１】このため、ステータ基板１と誘電体ロータ
３との間の潤滑剤が流出せず、両者の接触状態が経時的
非常に安定する。

【００４２】次に、本発明のトリマコンデンサに用いら
れるステータ基板の製造方法を説明する。

【００４３】図３（ａ）〜図３（ｄ）はステータ基板１
の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。

【００４４】この例において、まず、中心に貫通孔１１
が形成されたセラミック基体１０を用意する。次に、図
３（ａ）に示すように、セラミック基体１０表面に、貫
通孔１１を取り囲み、且つステータ電極の形状を含む領
域、ステータ電極の円弧先端から基体１０の端面に延び
る導通部の形状に応じて下層導体層２ａを形成する。

【００４５】具体的には、Ａｇ系導電性ペーストの選択
的な印刷及び焼きつけによって形成する。この焼きつけ
は大気雰囲気中、８５０℃で行う。

【００４６】次に、図３（ｂ）に示すように、下層導体
層２ａ上に、平面形状半円形状のステータ電極となる上
層導体層２ｂを形成する。具体的には、Ａｇ系導電性ペ
ーストの選択的な印刷及び焼きつけによって形成する。
この焼きつけは大気雰囲気中、８５０℃で行う。

【００４７】これによって、ステータ電極２は少なくと
も２層の導体層２ａ、２ｂで構成され、導通部２１は下
層導体層２ａのみで構成されることから、ステータ電極
２と導通部２１との導体厚みが夫々相違することにな
る。

【００４８】次に、図３（ｃ）に示すようにセラミック
基体１０の表面に、すなくとも導通部２１を被い、且つ
ステータ電極２の周囲を完全に囲む、またはステータ電
極を覆うようにオーバーガラスコート層２３となるガラ
ス層２３’を被覆形成する。

【００４９】具体的には、ホウ珪酸系ガラスまたはホウ
珪酸系鉛系ガラスを主成分とするガラスペーストを用い
て、オーバーガラスコート層となるガラス層２３’を印
刷し、焼きつけを行う。この時、導通部２１上のガラス
層２３’の表面が、上層導体層２ｂの表面と同一または
それ以上になるように、印刷量の制御、重ね印刷、複数
回の印刷、焼きつけを行う。尚、この焼きつけは大気雰
囲気中、８００℃で行う。

【００５０】次に、図３（ｄ）に示すように、ガラス層
２３’の表面を研磨処理を行う。

【００５１】この研磨処理は、埋設されたステータ電極
２を露出すること、さらに、ステータ基板１の表面に鏡
面加工を行うものである。具体的には、１５００〜２０
００番の砥粒を用いて、表面研磨を行う。

【００５２】これによって、導通部２１よりも厚みが厚
いステータ電極２のみがステータ基板１の表面から露出
することになる。

【００５３】ここで、従来技術でも説明したように、オ
ーバーガラスコート層２３とＡｇを主成分とするステー
タ電極２とでは、研磨加工性が相違し、スーテタ電極２
側の研磨レートが大きい。このため、ガラス層２３’の
表面を研磨をステータ電極２の形状が露出した時点で終
了しても、図４の斜線部分に示すように、ステータ電極
２の境界部分は、過剰研磨による研磨凹み（深さ約５μ
ｍ）が発生してしまう。しかし、本発明ではステータ電
極２からステータ端子２２に接続する導通部２１は、下
層導体層２ａのみで構成されることから、ステータ電極
２の形状が露出した時点では、未だオーバガラスコート
層２３に被覆されていることになる。従って、ステータ
電極２の境界部分に発生する研磨凹みは、ステータ電極
２の形状と実質的に同一の形状となり、その凹みがステ
ータ基板１の端面にまで通じることが一切ない。

【００５４】このような構造のステータ基板１では、そ
の表面が鏡面状態（表面状態が非常に平坦化）となり、
また、シリコーンオイルなどの潤滑剤を介して誘電体ロ
ータ３を配置しても、この潤滑剤はステータ電極２部分
のみに在留し、少なくともステータ基板１の端面に流出
することが一切なくなる。

【００５５】これにより、経時的に非常に安定した特性
が維持でき、また、外部からの湿気の侵入を有効に抑
え、ステータ電極２の腐蝕なども一切発生しないことに
なる。

【００５６】図５（ａ）〜図５（ｆ）は別のステータ基
板の製造方法を示す。

【００５７】まず、中心に貫通孔１１が形成されたセラ
ミック基体１０を用意する。次に、図５（ａ）に示すよ
うに、セラミック基体１０表面に、貫通孔１１を取り囲
み、ステータ電極の形状を含む領域及びステータ電極か
ら基体１０の端面に延びる導通部となる下層導体層２ａ
を形成する。具体的には、Ａｇ系導電性ペーストの選択
的な印刷及び焼きつけによって形成する。この焼きつけ
は大気雰囲気中、８５０℃で行う。

【００５８】次に、図５（ｂ）に示すようにセラミック
基体１０の表面に、下層導体層２ａを被覆するように、
ホウ珪酸系ガラスまたはホウ珪酸系鉛系ガラスを主成分
とするガラスペーストを用いて、オーバーガラスコート
層となる下層ガラス層２３ａを印刷し、焼きつけを行
う。

【００５９】次に、図５（ｃ）に示すように、ガラス層
２３ａの表面を一次研磨処理を行う。この一次研磨処理
では、少なくともステータ電極２が露出するまで行う。
しかし実際には、同一下層導体層２ａで構成された導通
部２１までもが露出してしまうことになる。

【００６０】次に、図５（ｄ）に示すように、下層導体
層２ａ上に、平面形状半円形状のステータ電極となる上
層導体層２ｂを、Ａｇ系導電性ペーストの選択的な印刷
及び焼きつけによって形成する。

【００６１】これによって、ステータ電極２は少なくと
も２層の導体層２ａ、２ｂで構成され、導通部２１は下
層導体層２ａのみで構成され、ステータ電極２と導通部
２１との導体厚みが夫々相違することになる。

【００６２】次に、図５（ｅ）に示すようにセラミッ基
体板１０の表面、即ち、下層導体層２ａからなる導通
部、上層導体層２ａからなるステータ電極２部分が被覆
されるように、ガラスペーストを用いて、オーバーガラ
スコート層となる上層ガラス層２３ｂを印刷し、焼きつ
けを行う。

【００６３】次に、図５（ｆ）に示すように、ガラス層
２３ｂの表面を二次研磨処理を行う。この二次研磨処理
は、上層導体層２ｂで構成されたステータ電極２のみを
露出すること、さらに、ステータ基板１の表面に鏡面加
工を行うものである。

【００６４】以上のようの図５に示す製造方法によって
形成されたステータ基板１は、図３に示すステータ基板
の製造方法に比較して、オーバーコートガラス層の形成
回数、研磨の回数は増加するものの、同一の構造のステ
ータ基板が得ら、図４に示すような過剰研磨による研磨
凹みが発生する。

【００６５】このようなステータ基板１を用いたトリマ
コンデンサでは、ステータ基板をセラミック基体１０、
オーバーガラスコート層２３から形成できるため、実装
工程でリフロー半田などにより加熱された場合にもステ
ータが変形することがない。

【００６６】また、ステータ基板１の表面が鏡面状態と
なり、しかも、誘電体ロータ３との間に介在させた潤滑
剤が基板１の端面にまで流れることが一切ない。

【００６７】したがって、ステータ電極２とロータ電極
３２との間に発生される静電容量のばらつきを防止し
て、意図する大きさの静電容量を確実に抽出でき、実装
後の微小な静電容量特性の可変制御が容易に行え、しか
も、安定的に維持できる。

【００６８】

【発明の効果】本発明では、ステータ基板を介してプリ
ント配線基板への半田接合しても、熱処理による基板の
変形が一切なく、また、ステータ基板の表面が鏡面状に
仕上げされているため、ステータ基板と誘電体ロータと
が十分に密着する。しかも、その間に介在される潤滑剤
の移動などが一切なく、静電容量の経時的変化を有効に
抑えることができる。

【００６９】したがって、ステータ電極とロータ電極と
の間に形成される静電容量のばらつきが防止でき、意図
する微小静電容量を確実に調整でき、実装後の静電容量
の経時的な変化を確実に防止して、信頼性を向上させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のトリマコンデンサの断面図である。

【図２】本発明のトリマコンデンサの分解斜視図であ
る。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のトリマコンデンサ
のステータ基板の製造方法を説明する断面図である。

【図４】本発明のトリマコンデンサのステータ基板の平
面図である。

【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の別の製造方法を説
明する断面図である。

【符号の説明】

１・・・・ステータ基板 １０・・・セラミック基体 １１・・・貫通孔 ２・・・・ステータ電極 ２ａ・・・下層導体層 ２ｂ・・・上層導体層 ２１・・・・導通部 ２２・・・ステータ端子 ３・・・・誘電体ロータ ３１・・・貫通孔 ３２・・・ロータ電極 ４・・・調整ピン ５・・・ロータ端子 ５２・・・端子部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥 岳 鹿児島県国分市山下町１番１号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 貫通孔が形成され、且つ表面にステータ
   電極、端面に該ステータ電極と接続するステータ端子が
   形成されたセラミックから成るステータ基板と、 前記ステータ基板上に配置され、貫通孔及びロータ電極
   を備えた円板状の誘電体ロータと、 前記誘電体ロータ上に配置され、ロータ電極と導通する
   とともに、誘電体ロータの貫通孔及びステータ基板の貫
   通孔にその一部が挿通される調整ピンと、 前記ステータ基板の裏面で調整ピンの一部と導通するロ
   ータ端子とを有するトリマコンデンサにおいて、 前記ステータ基板の表面には、上下導体層から成るステ
   ータ電極が形成されており、該ステータ電極の下層導体
   層はステータ端子とを接続する導通部を有し、且つ上層
   導体層の周囲にオーバーガラスコート層が被着されてい
   ることを特徴とするトリマコンデンサ。