JPH10302036A - 無接点型メモリカード - Google Patents

無接点型メモリカード

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JPH10302036A
JPH10302036A JP9109099A JP10909997A JPH10302036A JP H10302036 A JPH10302036 A JP H10302036A JP 9109099 A JP9109099 A JP 9109099A JP 10909997 A JP10909997 A JP 10909997A JP H10302036 A JPH10302036 A JP H10302036A
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circuit
transmission
power supply
memory
data
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JP9109099A
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Inventor
Mitsuhiro Murata
充裕 村田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、複数種類の電源電圧系のメモリを
選択的に実装する無接点型メモリカードにおいて、通信
上の信頼性を損なうことなく、メモリの入・出力信号レ
ベルの整合をとることのできる構成を実現したものであ
る。 【解決手段】 カード内に第1、第2の定電圧回路を設
け、送信駆動回路に対しては、常に第1の定電圧回路か
ら、また対メモリ・インターフェース部を含む制御回路
とメモリに対しては、第1、第2の定電圧回路のいずれ
か一方から選択的に、電源を供給するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接点を介すること
なく電力を受けるように構成され、かつ半導体メモリよ
り成る記憶回路を内蔵した無接点型メモリカードに関す
るもので、さらに具体的には、前記記憶回路に対してア
クセスするための対メモリ・インターフェース部を少な
くとも含む制御回路と、前記記憶回路とが、カード内に
おいてそれぞれ互いに独立した別のICとして設けられ
て成る無接点型メモリカードに関する。
【0002】
【従来の技術】無接点型メモリカードは、その耐環境性
を評価されて、FA関係や屋外計測システム等の分野で
幅広く使用されているが、カード内に内蔵されている記
憶回路については、そのアプリケーション等に応じて、
メモリ容量が広い範囲に渡っており、さらにはメモリの
種類についてもS−RAM、EEP−ROM、FLAS
H−MEMORY、F−RAM等と、多種類に渡ってい
る。一方、様々な電子機器の低消費電力化の要求に伴っ
て、汎用品(標準品)として供給されている種々の記憶
回路の低電圧化の傾向も進みつつあり、従来より使用さ
れていた5V電源系のものに加えて、最近では3.3V
電源系のものも種類が増加している。
【0003】ここで無接点型メモリカードに内蔵される
記憶回路として、5V電源系のものと、3.3V電源系
のものの両方の汎用メモリが対象として考えられる場
合、該記憶回路に対してアクセスするための対メモリ・
インターフェース部(すなわちアドレス、データ、コン
トロールの各バスへのインターフェース回路部)を含む
制御回路を、前記記憶回路の電圧系の違いに対応させる
方法としては、従来においては、外部との通信インター
フェース部(受信復調回路や送信変調回路)も含む全体
回路系を丸ごと、前記記憶回路の電圧系に合わせて電源
電圧印加することにより、前記対メモリ・インターフェ
ース部の入・出力信号レベルを、前記記憶回路のそれに
強引に整合させてしまうという方法がとられていた。
【0004】図2は、従来の無接点型メモリカードの概
略構成を示すブロック図であり、図3は、従来のリーダ
/ライタと無接点型メモリカードとの間の通信回路を示
す回路図である。また図4および図5は、図3に示され
る通信回路の要部の波形図である。
【0005】図2に示される無接点型メモリカードおい
て、電力用アンテナ1とコンデンサ2は、電磁結合にて
電力を受けるための並列共振回路を構成しており、該共
振回路は整流回路3に接続されている。さらに該整流回
路3による整流電源は、定電圧回路21にてレギュレート
され、Vss系電源としてカード内の回路の各部に供給さ
れている。
【0006】一方、データ送受信用のアンテナ5とコン
デンサ6は、電磁結合にてデータ通信を行うためのLC
並列型の共振回路4を構成しており、該共振回路4は、
コントロールIC22の通信インターフェース部23に接続
されている。データ受信時には、通信インターフェース
部23の受信復調回路24で復調されたシリアル受信データ
RXは、コントロール回路22の制御回路27に入力され、
ここで受信データに応じてメモリ29へのアクセス(記憶
データの読出しや書込み)等の所定の処理が行われる。
またデータ送信時には、上記所定の処理の結果として出
力されるシリアル送信データ(メモリ29からの読み出し
データ等)SDが、通信インターフェース部23の送信変
調回路25を介して送信駆動回路26に入力され、前記共振
回路4を駆動する。なお前記メモリ29は、コントロール
IC22とは別体のICにて構成されており、制御回路27
内の対メモリ・インターフェース部(すなわちアドレ
ス、データ、コントロールの各バスへのインターフェー
ス回路部)28を介して、コントロルIC22と接続されて
いる。
【0007】前述の定電圧回路21からの出力であるVss
電源は、コントロールIC22を構成する各部およびメモ
リ29の全ての動作電源として供給されているために、例
えばメモリ29として5V電源タイプのものが組み合わさ
れる場合には、定電圧回路21として−5Vレギュレータ
を、またメモリ29として3.3Vタイプのものが組み合
わされる場合には、定電圧回路21として−3.3Vレギ
ュレータを用いれば、少なくともカード内においては、
コントロールIC22とメモリ29との間の信号レベルの整
合は取られたことになる。
【0008】次に図3には、前述の無接点型メモリカー
ド側の共振回路4および通信インターフェース部23の
他、リーダ/ライタ側通信回路30の回路構成が示されて
いる。該通信回路30のデータ送受信用のアンテナ31と、
無接点型メモリカード側のアンテナ5とは、アクセス時
には互いに対向し、電磁結合により相互にデータの授受
を行なうように構成されている。
【0009】ここで図4に示されるビット時間幅(1ビ
ットの時間長さ)Tb の調歩同期式シリアル送信データ
SDが、カード側よりリーダ/ライタ側に送信されるも
のとすると、前記送信データSDのビット・データが
“0”のときに対応して、送信変調回路25にてシングル
ショット信号より成る送信信号TXが形成され、送信駆
動回路26を構成するFETを駆動する。すなわち共振回
路4は、前記送信データSDが“0”となるごとに、シ
ングルショット駆動され、この結果、リーダ/ライタ通
信回路30のアンテナ31にも、電磁誘導による起電力が発
生する。この場合、駆動はシングルショット駆動である
が、共振回路4の共振現象により、アンテナ5の電流波
形は自由減衰波形を示し、リーダ/ライタ通信回路30の
アンテナ31に発生する誘導波形も、概略的にはそれに相
似形の自由減衰波形となる。アンテナ31に発生する前記
誘導波形は、受信復調回路32に入力されて受信復調され
るが、まずコンデンサC1および抵抗R1、R2によっ
て、直流カットおよびバイアスされてから、ウインド・
コンパレータへの入力信号(すなわち受信復調対象信
号)WPとなる。従って入力信号WPの波形は、アンテ
ナ5および31に現れる波形(図示省略)と概略的には相
似形であるが、ここで抵抗R3、R4、R5によって規
定されるウインド幅Wに対して、前記入力信号WPが外
に飛び出していると、ウインドコンパレータの出力であ
る受信復調信号RDは、“0”レベルとなるように構成
されている。また該受信復調信号RDは、そのスタート
・ビットの検出点Troを位相上の相対的基準点とする所
定のサンプリング区間Tc 内に、一瞬でも“0”レベル
に下がっていれば、リーダ/ライタ内の受信データ処理
回路にて、その区間の受信ビット・データを“0”とし
て扱かわれるように構成されている。
【0010】一方、リーダ/ライタ側よりカード側に対
して、図5に示されるように、ビット時間幅Tb の調歩
同期式シリアル送信データTDが送信される場合には、
該送信データTDのビット・データが“0”であるとき
に、所定の周波数の送信キャリア信号CYが送信変調回
路33を介して、送信駆動回路34に入力される。すなわち
送信変調回路33は、送信データTDによって送信キャリ
ア信号CYをいわゆる反転ASK変調(送信データが
“0”のときにキャリア信号を出力するように変調)す
るもので、送信データTDが“0”である間は、送信駆
動回路34のコンデンサC2とアンテナ31によって構成さ
れる直列共振回路が駆動され、さらにこれに誘導され
て、カード側の共振回路4にも共振波形RSが現れる。
この共振波形RSは、受信復調回路24に入力されて検波
されるために、基本的には、前記送信キャリア信号CY
によってアンテナ5が駆動されていて、共振波形RSが
判定基準レベルよりも大きくなっているときには、受信
復調回路24から出力される受信データRXも“0”とな
る。また該受信データRXは、そのスタート・ビットの
検出点Ts0を位相上の相対的基準点とする所定のサンプ
リング・タイミングTspごとに、シリアル受信データと
して1ビットずつ、取り込まれるように構成されてい
る。
【0011】以上のように、図2〜図5に示される従来
の無接点型メモリカード・システムにおいては、カード
側における受信は、LC共振回路を介して行なうように
構成されているが、これはリーダ/ライタ側からの送信
信号に対して、最大限の振幅にて受信応答できるため
に、カード側の受信回路の構成を簡素化する上で有効で
あり、さらにはLC共振回路の共振周波数以外の周波数
帯のノイズも入り込みにくくなるために、システムの外
部からのノイズによる通信エラーが発生しにくいという
利点がある。またカード側からの送信時には、シングル
ショット信号より成る送信信号によって、前記共振回路
を送信駆動するように構成されているが、これはカード
側からの送信に要する電力を最少限に抑えるために有効
である。しかし共振回路に特有の自由減衰のために、い
ずれの場合についても、通信上の共振信号が尾を引くと
いう現象(残響現象)が介在するが、前述のように、カ
ードに内蔵される記憶回路の電圧系の違いに対応する方
法として、外部との通信インターフェース部(受信復調
回路や送信変調回路)も含む全体回路系を丸ごと、前記
記憶回路の電圧系に合わせて電源電圧印加することによ
り、前記対メモリ・インターフェース部(すなわちアド
レス、データ、コントロールの各バスへのインターフェ
ース回路部)の入・出力電圧を、前記記憶回路のそれに
強引に揃えてしまうという方法がとられていると、通信
上の信頼性や通信速度に関しては、より大きな障害とな
ってしまう。
【0012】すなわち、まずシングルショット信号より
成る送信信号にて送信駆動する場合には、共振回路にお
ける自由減衰を考慮して、シリアル送信データSDのビ
ット時間幅Tb 内で充分に振幅が小さくなって、受信側
で通信エラーを起こさないように配慮する必要がある。
例えば図4に示されるように、時間Ts にてビット・デ
ータが“0”であって送信信号が出力され、時間Te に
て次のビット・データが“1”となって送信信号が出力
されない場合を想定すると、時間Te に対応するサンプ
リング区間Tc に至った時点での振幅が、共振回路にお
ける自由減衰によって尾を引いていて(以下、残響現象
と称する)、まだウインド幅Wを越えていると、そこで
通信エラーが発生してしまうことになる。
【0013】ここで図2において、メモリ29として例え
ば5V電源系のものが使用されている場合と、3.3V
電源系のものが使用されている場合とを比較すると、両
者間の違いに応じて通信インターフェース部23の電源電
圧も異なってしまうために、共振回路4の駆動電圧も当
然ながら異なったものとなる。この結果、例えば図4に
おける入力信号WPが5V電源系のものだとすると、
3.3V電源系の場合には入力信号WPSで示されるも
のになるというように、電磁結合による入力信号レベル
も異なってしまうために、前述のウインド幅Wとの関係
で、通信上のマージンは極めて危うい状態となる。すな
わち図4に示されるようなウインド幅Wでは、5V電源
系の場合には適性であっても、3.3V電源系の場合に
は入力信号レベルに比較して大き過ぎ、正常な受信が困
難となる。逆に3.3V電源系の場合に適性となるよう
に、ウインド幅Wを小さな値にすると、今度は5V電源
系の場合に、前述の時間Te に対応するサンプリング区
間Tc に至った時点での振幅が、まだ残響現象の影響の
ためにウインド幅Wを越えていて、受信エラーとなる危
険が高くなる。また残響現象の影響を小さくするため
に、ビット時間幅Tbを大きく確保すれば、通信速度を
下げてしまう結果となる。
【0014】一方、リーダ/ライタ側のアンテナ31から
送信される送信信号のレベルは、カード側の通信インタ
ーフェース部22の電源電圧レベルとは無関係に一定であ
るために、電磁結合にてカード側で受信される共振波形
RSの信号レベルも、当然ながらカード側の受信復調回
路24の電源電圧レベルとは無関係に一定となる。それに
対して、カード側の受信復調回路24においては、組み合
わされて使用されているメモリ29の電源電圧のタイプの
違いに応じて、受信復調回路24自身の電源電圧も一緒に
変わってしまうために、結局、復調動作にかかわる判定
基準電圧や能動素子のスレッシュホールド電圧も変わっ
てしまうということになる。すなわちカード側の受信復
調回路24においては、受信によって得られる共振波形R
Sの信号レベルが同じであるにもかかわらず、内蔵され
ているメモリ29の電源電圧系の違いによって、自身の受
信復調上の基本特性(共振波形RSに対する受信復調上
のレベル判定基準等)が変わってしまうことから、それ
だけ受信復調回路24の設計条件が悪くなり、受信復調の
信頼性も低下する。
【発明が解決しようとする課題】
【0015】以上のように、カードに内蔵される記憶回
路の電源電圧系の違いに対応する方法として、通信イン
ターフェース部も含む全体回路系を丸ごと、前記記憶回
路の電源電圧系に合わせて電源電圧印加することによ
り、対メモリ・インターフェース部の入・出力信号レベ
ルを、前記記憶回路のそれに強引に整合させてしまうと
いう構成がとられていると、上記電源電圧系の違いによ
って、送信信号のレベルや受信復調上の動作特性にも差
異が生じてしまい、リーダ/ライタとの間の通信上の信
頼性を損なう原因となる。特に受信用アンテナや送信用
アンテナ部がLC共振回路を構成しており、かつ変調方
式として振幅変調方式やシングルショット方式が採用さ
れている場合には、残響の影響によって通信エラーを起
こさないように考慮した構成とする必要があるが、上記
のように送信信号のレベルや受信復調上の動作特性にま
で差異が介在すると、通信の信頼性はさらに大きく低下
してしまうことになる。
【0016】本発明は、上記の従来技術の欠点を解消す
るもので、本発明の目的は、2種類の電源電圧系の記憶
回路のいずれかを選択的に無接点型メモリカード内に内
蔵する場合において、通信上の信頼性を損なうことな
く、対メモリ・インターフェース部の入・出力信号レベ
ルの整合もとることのできる無接点型メモリカードを提
供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、電力用アンテナを介して受信される電力
用搬送波を整流することにより、動作用電力となる直流
電源を生成する整流回路と、該整流回路からの出力に基
づいて、互いに異なる第1、第2の低電圧を生成する第
1、第2の定電圧回路と、データ受信用アンテナを介し
て受信される受信信号に基づいて受信データを復調する
受信復調回路と、該受信復調回路からの受信データに応
じて所定の処理を行う制御回路と、該制御回路からの送
信データに基づいて送信変調を行う送信変調回路と、該
送信変調回路からの出力に従って送信信号を発信するデ
ータ送信用アンテナを駆動する送信駆動回路と、前記制
御回路内に設けられた対メモリ・インターフェース部を
介してアクセスされる記憶回路とを設け、かつ少なくと
も前記第1、第2の定電圧回路、前記送信駆動回路およ
び前記制御回路は、前記記憶回路とは別体のICとして
構成された単一のコントロール用ICに内蔵して成り、
少なくとも前記送信変調回路に対しては前記第1の定電
圧回路からの出力を供給するとともに、前記制御回路お
よび前記メモリに対しては、前記第1、第2の定電圧回
路のいずれか一方の出力を選択的に供給するように構成
したことを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の形態によ
る無接点型メモリカードの構成を示すブロック図であ
る。図1においては、前述の図2と同じ番号は、同一の
要素を示している。
【0019】図1に示される無接点型メモリカードにお
いては、整流回路3は第1定電圧回路11に接続され、該
第1定電圧回路11によって−5Vにレギュレートされて
成るVs1電源は、さらに第2定電圧回路12にも供給さ
れ、ここで−3.3Vにレギュレートされる。なお第
1、第1の定電圧回路11、12は、コントールIC10に内
蔵されている。
【0020】一方、データ送受信用のアンテナ5を含む
共振回路4は、コントロールIC10の通信インターフェ
ース部13に接続されている。データ受信時には、通信イ
ンターフェース部13の受信復調回路14で復調されたシリ
アル受信データRXは、コントロール回路10の制御回路
18に入力され、ここで受信データに応じてメモリ20への
アクセス(記憶データの読出しや書込み)等の所定の処
理が行われる。またデータ送信時には、上記所定の処理
の結果として出力されるシリアル送信データ(メモリ20
からの読み出しデータ等)SDが、通信インターフェー
ス部13の送信変調回路15、レベルシフト回路16を介して
送信駆動回路17に入力され、前記共振回路4を駆動す
る。なお前記メモリ20は、コントロールIC10とは別体
のICにて構成されており、制御回路18内の対メモリ・
インターフェース部(すなわちアドレス、データ、コン
トロールの各バスへのインターフェース回路部)19を介
して、コントロルIC10と接続されている。
【0021】前述の第1定電圧回路11からの出力である
Vs1電源側は、コントロールIC10を構成する各部のう
ち、通信インターフェース部13内の受信復調回路14、レ
ベルシフト回路16の入力部、および送信駆動回路17に対
しては、常に動作用電源として供給されるように、コン
トロールIC10自体の内部の電源ラインを介して固定的
に結線されている。一方、第1、第2の定電圧回路11、
12からそれぞれ出力されるVs1電源およびVs2電源は、
外部接続用端子10a 、10b を介して、コントロールIC
10の外部に導出されるように構成されており、また送信
変調回路15、レベルシフト回路16の出力部、および制御
回路18については、コントロールIC10の内部にありな
がら、これらへの動作電源の供給は、外部接続用端子10
cを介して、コントロールIC10の外部から行うように
構成されている。
【0022】選択的電源接続部7、8、9は、メモリ20
の電源供給端子およびコントロールIC10の外部接続用
端子10cに対して、Vs1 電源とVs2電源のいずれか一方
を選択的に供給するための手段であり、具体的にはメモ
リ20の種類ごとに異なる回路基板を用意することによっ
て実現してもよいし、また種類が異なってもメモリ20の
実装上の端子配列が同じであるなら、同一の回路基板上
に設けられた選択的結線手段によって実現してもよい。
【0023】ここで図1においては、メモリ20として−
3.3V電源電圧系のものが使用されており、選択的電
源接続部7と8とが接続されている状態が示されてい
る。この状態では、メモリ20および制御回路18には、−
3.3VのVs2電源が供給され、メモリ20と対メモリ・
インターフェース部19との間の入・出力信号レベルは、
同じVs2電源系で整合がとれた状態となるが、受信復調
回路14および送信駆動回路17には、−5VのVs1電源が
供給されている。またメモリ20として、−5V電源電圧
系のものを用いる場合には、選択的電源接続部7と9と
を接続した状態にすればよく、その場合にはカード内の
全ての回路部が、Vs1電源系で動作することになる。す
なわちメモリ20の電源電圧系の違いとは無関係に、受信
復調回路14および送信駆動回路17には、常に−5VのV
s1電源が供給されることになるために、従来技術の場合
のように、送信信号のレベルや受信復調上の判定基準レ
ベルが変化して、通信上の信頼性に対して悪影響を及ぼ
すようなことはない。なおレベルシフト回路16は、送信
変調回路15から出力される送信信号TXの信号レベル
を、送信駆動回路17の信号レベルに整合させるために設
けられたものである。
【0024】なお上記の本発明による実施の形態におい
ては、カード側の送信変調回路は、シングルショット変
調を行うように構成されているが、所定の周波数の搬送
波に対する振幅変調を行うように構成してもよい。すな
わちデータ送信用アンテナが共振回路を構成している場
合には、いずれにしても残響現象による通信の信頼性へ
の影響も考慮しなければならないために、本発明の適用
は非常に有効である。
【発明の効果】
【0025】以上に述べたように本発明においては、カ
ードに実装されるメモリの電源電圧系の違いにかかわら
ず、送信駆動回路には常に第1の定電圧回路から一定の
電圧が供給されることになるために、カードからの電磁
結合上の送信信号も常に同じレベルとなり、また対メモ
リ・インターフェース部を含む制御回路には、上記メモ
リの電源電圧系に応じて、第1、第2の定電圧回路のい
ずれか適当な一方が、選択的に供給されることになるた
めに、結局、通信上の信頼性を損なうことなく、コント
ロールICとメモリとの間の信号レベルの整合もとられ
ることになる。従って本発明によれば、通信の信頼性の
低下を避けるために、カード内のメモリの電源電圧の違
いに応じて、異なる構成のコントロールICや異なる特
性のリーダ/ライタを使い分けるようにして、生産上や
取扱い上で煩雑さを招いたり、あるいは通信速度を下げ
て通信効率を損なうようなことも解消される。
【0026】またコントロールIC内には、第1、第2
の定電圧回路が内蔵されているために、メモリの電源電
圧系の違いに対応して、異なる定電圧回路を実装するよ
うな必要もなく、それだけ生産上の管理の煩雑さも解消
され、低コスト化も実現されることになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による無接点型メモリカー
ドの構成の概略を示すブロック図である。
【図2】従来技術による無接点型メモリカードの構成の
概略を示すブロック図である。
【図3】従来技術による無接点型メモリカードとリーダ
/ライタの通信回路の構成を示す回路図である。
【図4】従来技術による通信回路の要部の信号を示す波
形図である。
【図5】従来技術による通信回路の要部の信号を示す波
形図である。
【符号の説明】
1 電力用アンテナ 3 整流回路 4 共振回路 5 アンテナ 10 コントロールIC 11 第1定電圧回路 12 第2定電圧回路 13 通信インターフェース部 14 受信復調回路 15 送信変調回路 16 レベルシフト回路 17 送信駆動回路 18 制御回路 19 対メモリ・インターフェース部 20 メモリ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電力用アンテナを介して受信される電力
    用搬送波を整流することにより、動作用電力となる直流
    電源を生成する整流回路と、該整流回路からの出力に基
    づいて、互いに異なる第1、第2の定電圧を生成する第
    1、第2の定電圧回路と、データ受信用アンテナを介し
    て受信される受信信号に基づいて受信データを復調する
    受信復調回路と、該受信復調回路からの受信データに応
    じて所定の処理を行う制御回路と、該制御回路からの送
    信データに基づいて送信変調を行う送信変調回路と、該
    送信変調回路からの出力に従って、送信信号を発信する
    データ送信用アンテナを駆動する送信駆動回路と、前記
    制御回路内に設けられた対メモリ・インターフェース部
    を介してアクセスされる記憶回路とを有し、かつ少なく
    とも前記第1、第2の定電圧回路、前記送信駆動回路お
    よび前記制御回路は、前記記憶回路とは別体のICとし
    て設けられた単一のコントロール用ICに内蔵されて成
    り、少なくとも前記送信駆動回路に対しては前記第1の
    定電圧回路からの出力を供給するとともに、前記制御回
    路および前記メモリに対しては、前記第1、第2の定電
    圧回路のいずれか一方の出力を選択的に供給するように
    構成したことを特徴とする無接点型メモリカード。
  2. 【請求項2】 データ送信用アンテナがLC共振回路を
    構成しており、かつ送信変調回路による変調が、シング
    ルショット変調であることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の無接点型モリカード。
  3. 【請求項3】 受信復調回路がコントロール用IC内に
    内蔵されて成り、該受信復調回路に対して、第1の定電
    圧回路からの出力を供給するように構成したことを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の無接点型メモリカー
    ド。
  4. 【請求項4】 データ受信用アンテナがLC共振回路を
    構成しており、かつ該データ受信用アンテナを介して受
    信される受信信号が、所定の周波数の搬送波を振幅変調
    して成る信号であることを特徴とする特許請求の範囲第
    3項記載の無接点型モリカード。
  5. 【請求項5】 データ送信用アンテナがLC共振回路を
    構成しており、かつ送信変調回路による変調が、所定の
    周波数の搬送波に対する振幅変調であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の無接点型モリカード。
JP9109099A 1997-04-25 1997-04-25 無接点型メモリカード Pending JPH10302036A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003132316A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Fujitsu Ltd 情報処理装置およびカード型情報処理デバイス
CN100373392C (zh) * 2005-01-11 2008-03-05 盛群半导体股份有限公司 被动式射频辨识系统的电源处理界面

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JP2003132316A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Fujitsu Ltd 情報処理装置およびカード型情報処理デバイス
CN100373392C (zh) * 2005-01-11 2008-03-05 盛群半导体股份有限公司 被动式射频辨识系统的电源处理界面

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