JPH10300610A - 圧力センサのための可撓膜を備えたマイクロシステムとその製造法 - Google Patents
圧力センサのための可撓膜を備えたマイクロシステムとその製造法Info
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- JPH10300610A JPH10300610A JP10106441A JP10644198A JPH10300610A JP H10300610 A JPH10300610 A JP H10300610A JP 10106441 A JP10106441 A JP 10106441A JP 10644198 A JP10644198 A JP 10644198A JP H10300610 A JPH10300610 A JP H10300610A
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Abstract
ことができかつ小型である、圧力センサのための可撓膜
を備えたマイクロシステムとその製造法を提供する。 【解決手段】 圧力センサは、第1電極10を少なくと
も備えた基板12と、周縁の端部が前記基板に固定され
および第1電極10の少なくとも一部分のまわりに閉じ
た小室26を定めている変形可能な膜22と、前記第1
電極に面する膜22の壁の上に作成されおよびもし前記
膜に圧力が作用しないならば前記第1電極から分離され
たままに保持されている第2電極20と、を有する。
Description
の可撓膜(フレキシブル・メンブレン)を備えたマイク
ロシステムとその製造工程に関する。
ロシステムは、例えば容量測定型の圧力センサ・セルま
たは圧力によりトリガされるスイッチ・セルに関連す
る。
ッチ、可変マイクロコンデンサ、および関連する電子回
路と一緒に集積化することができるさらに一般のマイク
ロ部品、の製造に応用することができる。本発明の具体
的な1つの応用例は、指紋センサの製造である。
変形可能なシリコン膜を備えた圧力マイクロ・センサの
製造を開示している。
クロセンサをCMOS型の集積回路と一緒に製造する
時、両立性に関する困難が生ずる。通常、さらにこれら
のセンサは導電体の膜を有する。そのために、部品が小
型になる時、電気的絶縁の問題点が生ずるであろう。
サがまた知られている。例えば、この形式のセンサは本
明細書の最後に示された文献(2)に開示されている。
電子回路に付随しそして同じ基板の上に相互に隣接して
配置される、センサの製造を開示している。この形式の
設計は、大量生産の場合に特に魅力的である。
路との間の相互接続の問題点に関して多くの制限があ
る。同じ基板の上に配置されたセンサと集積回路との間
の電気的接続は、有害な寄生容量効果を生ずる。さらに
この電気的接続は厄介であり、そしてデバイスの小型化
をさらに進めることに対して障害となる。
とを別々に製造することは、製造コストが高くなるとい
う結果を生ずる。
を備えたマイクロシステムにおいて、前記で説明した制
限を有しない製造工程を提供することである。特に1つ
の目的は、同じ基板の上のMOS集積回路の製造と両立
が可能である工程により、基板の上に集積化して作成す
ることができる可撓膜を備えたマイクロシステムを提供
することである。
に付随する集積回路との寸法を大幅に小さくすることが
できる工程を得ることである。
式で配置することが可能な、例えばマトリックスの形式
で配置することが可能な、圧力センサまたは集積化され
たマイクロスイッチを提供することである。
て指紋検出器を提供することである。
イクロシステムの製造コストを大幅に低下させることで
ある。
目的は更に正確に言うと、(a) 少なくとも第1電極
を形成する少なくとも第1導電層を支持体の上に付着し
て形成する段階と、(b) 前記第1導電体層を被覆す
る少なくとも1つの犠牲材料層を付着して形成する段階
と、(c) 前記第1導電体層の上に位置する領域の中
の犠牲材料の層の上に第2電極を形成する第2導電体層
を付着して形成する段階と、(d) 犠牲材料層と前記
第2導電体層とを被覆しおよび取り囲む第1膜層を形成
する段階と、(e) 犠牲材料の層を除去する段階と、
(f) 前記第1膜層を形成する段階と、を有する、圧
力センサのためのマイクロスイッチを製造する工程を提
供することである。
た順序で実行されることが好ましい。けれども、段階
(e)と段階(f)との順序を逆にすることができる。
さらに1つの具体的な実施例では、段階(b)と段階
(c)とで説明された層を同時に作成することができ
る。
工程と多くの薄くする工程とが必要である時、それが完
全に作成されるまで、犠牲層を除去することによりそれ
を解除しないことが有用である。
状と寸法とを定めるように作成される。この際、1つの
壁が第1膜層により作成される。
マイクロシステムを作成することができ、そして特に同
じ基板の上にCMOS型の回路またはBiMOS型の回
路と一緒に集積化するのに適切な圧力センサのためのセ
ルを作成することができる。この特徴は、下記において
さらに詳細に説明されるであろう。
第1導電体層および第2導電体層が何らかの部材層によ
り分離されないことが有益である。犠牲部材の層が除去
された後、この膜層に圧力が作用していない時、可撓膜
層により、第2導電体層は第1導電体層から分離されて
保持される。
り、特に敏感なセンサ・セルを作成することができる。
を、例えば約 0.1μmないし5μmの程度のような非常
に小さな距離だけ分離することができる。この特性はま
た、敏感なセンサを作成するためにも役に立つ。例え
ば、第1層および第2層はコンデンサの接極子を構成す
ることができ、そしてこの場合、静電容量は膜層の変形
の関数として変化するであろう。
られるマイクロシステムはまた、マイクロスイッチを形
成することができるであろう。この場合には、第1導電
体層および第2導電体層はスイッチの端子を構成するこ
とができる。例えば、膜層の変形が不十分で第1導電体
層と第2導電体層とが相互に接触しない時、この形式の
スイッチは開放状態であり、そしてこれらの導電体層が
押し付けられて相互に接触する時、この形式のスイッチ
は閉じた状態になる。
ムのまた別の実施例に従い、2個の電極を分離しそして
電極を明確に定めるために導電体部材の第1層の中に溝
が作成され、そしてまたこの溝の少なくとも一部分の上
の領域の中の犠牲部材の層の上に、第2導電体層が作成
される。
クロシステムでは、膜層が変形する時、第2導電体層が
第1導電体層の中の2個の電極を電気的に接続する。し
たがって、これらの2個の電極はスイッチの端子を構成
する。
従い、犠牲部材の層の除去は、第1膜層を貫通する少な
くとも1個のエッチング・チャンネルを開口する段階
と、犠牲部材の層にエッチングを行う段階と、第1膜層
を被覆する第2膜層を作成する段階と、このエッチング
・チャンネルを閉鎖する段階と、を有することができ
る。この第2膜層はまた工程の段階(f)の期間中に作
成される。
除去する段階と、第2電極のまわりの領域の第1膜層を
薄くする段階とを有することができる。
軟度すなわち可撓度を精密に調節することができ、した
がってマイクロシステムの感度を精密に調節することが
できる。
作成された電極のまわりの領域の中で行われるが、しか
しこの電極の上の領域では行われないことが好ましい。
この特性は第2電極の領域の中の膜の硬さを増加させ、
したがって、圧力が膜に加えられる時、この電極が過剰
に変形することが防止される。
順次に付着する段階を有することが好ましい。この場
合、少なくとも1つの部分層がエッチング停止部分層を
構成する。次にエッチングを行い、そしてこのエッチン
グをエッチング停止部分層の上で停止することにより、
第1膜層が薄くすることが行われる。
く危険が生ずることを避けながら、膜層の最終的な厚さ
を非常に小さくすることができる。さらに、この厚さを
非常に正確に定めることができる。
の層の周縁部分の上に位置する第1膜層の領域の中に、
犠牲部材の層を除去するためのチャンネルを作成するこ
とができる。
に入り、そして第1導電体層の支持体の上に支持された
プラグを作成するならば、この構成体により膜の硬さを
増加させる必要を回避することができる。膜の周縁領域
の中にプラグを作成しても、それは膜の可撓度にほんの
わずかしか影響を及ぼさない。
従い、犠牲部材の層が除去される前に第1膜層の作成を
また行うことができる。この場合、膜層の作成の段階
は、犠牲部材の層にまで達する貫通する溝の形式の1個
または複数個のチャンネルをエッチングにより作成する
段階を有することができる。
することができる。
また膜層の一部分を部分的に解放することができる。膜
層の一部分の周縁部分を定めるために、これらの溝を配
置することができる。この時、犠牲部材の層の周縁部分
の上に溝を配置することが好ましい。
と同じ高さを有するように作成することができる。この
場合、第1導電体層と支持体とが同じ高さの表面を有す
るように、段階(a)において支持体の中に作成された
凹部の中に第1導電体層が作成される。
電容量を用いて測定するセンサ・セルとして用いられる
時、この形式の構成体は有益であることができる。
チとして用いられる時、少なくとも第1電極または第2
電極がその支持体の上に突き出ていることが好ましい。
の中で、犠牲部材の層の中に作成された凹部の中に第2
導電体層を作成することにより、このことを実行するこ
とができる。
(b)は第1導電体層の少なくとも一部分のまわりに犠
牲部材の第1層を作成する段階を有し、そして次に、犠
牲部材の第2層が犠牲部材の第1層と第1導電体層の前
記部分とを被覆して作成され、そして犠牲部材の第1層
と第2層とが作成される。この構成体により、犠牲部材
の第2層はその自由表面の上に凹部を有し、そしてこの
凹部は第2導電体層により充填される。したがって、犠
牲部材が除去された後には、支持体に対向して面してい
る膜層の表面の上に第2導電体層が突き出る。
基板と、基板の周縁のまわりの端部により固定され、そ
して第1電極の少なくとも一部分のまわりに閉じた小室
を定めている、変形可能な膜と、第1電極に対向して面
している変形可能な膜の上に作成され、そして圧力が膜
に作用していない時には第1電極から分離して保持され
ている、第2電極と、を有する、圧力センサ・セルに関
する。
されそして第1電極および第2電極に接続された、電子
測定回路を有することができる、または付随することが
できる。
置することが有益である。
によく集積化することができる。
式で、多数個の隣接するセンサ・セルを備えた指紋セン
サを作成することができることを意味する。この時、す
べてのセルと付随する電子回路とを同じ支持体の上に、
または同じ支持体の中に、作成することができる。
は、CMOS(相補型金属・酸化物・半導体)またはB
iCMOS(バイポーラCMOS)型の集積回路と一緒
に用いるのに特に適している。
を参照しての下記説明により明確になるであろう。この
説明は例示のためのものであって、本発明の範囲がこれ
らの例示された実施例に限定されることを意味するもの
ではない。
第1段階を示した図である。例えばチタン、窒化チタ
ン、クロムまたは他の任意の融和性の導電体のような導
電体部材で構成される第1層10が、支持体12の上に
付着される。層10は、例えば陰極噴霧法または真空蒸
着法により、 100ナノメートルから数マイクロメートル
の程度の厚さに付着される。層10はまた、電解法のよ
うな他の付着技術により作成することもできる。
スで作成された基板であることができる。支持体12
は、本発明により作成されるマイクロシステムに用いら
れる測定回路のような、1個または複数個の電子回路を
有することが好ましい。これらの回路はCMOS型また
はBiCMOS型であることが好ましいが、図では番号
14により概略的に示されている。番号16により示さ
れている部品は、電子回路14と第1導電体層10とを
接続する接続部品である。
2に示されているように、フォトリソグラフィと乾式エ
ッチングまたは化学的エッチングとにより作成される。
作成された導電体層10は、このマイクロシステムの第
1電極を構成する。この第1電極は、図面を単純にする
ために、同じ番号10で示されている。
の層18を付着しそして作成する段階である。この層の
形状と厚さは、下記で説明される可撓膜の変形を可能に
するマイクロシステムの中において小室の寸法を定め
る。犠牲層の厚さは、例えば 0.1μmと5μmの間であ
ることができる。この犠牲部材の層は、マイクロシステ
ムを作成するのに用いられる他の部材に比べて良好なエ
ッチング選択度を有する部材で作成される。この犠牲層
の中の部材はまた、与えられた位置から出発して長い距
離にわたってエッチング可能である性能に基づいて選定
される。
ニウムのような金属、または感光性の樹脂またはポリイ
ミドのような有機部材、または二酸化シリコン(S1O
2 )のような誘電体部材、または前記で示された品質を
備えた任意の部材、で作成することができる。
第2層が作成され、そしてその後、エッチングにより第
2電極が作成される。
る。第2電極は、第1電極の上に少なくとも部分的に配
置され、および第1電極が犠牲部材の層により分離され
るように配置される。導電体部材の第2層は、例えばT
i、TiNまたはCrにより100nmないし数μmの厚
さを有するように作成される。この作成は、陰極噴霧技
術、蒸着技術または電解技術を用いて行われる。
層(メンブレン・レイヤ)と呼ばれる第1層22を作成
する段階である。膜層22は第2電極20と犠牲部材の
層18とを被覆し、そして支持体12の表面の上に少な
くとも部分的に広がっている。
材の単一膜であることができる。例えば、プラズマ支援
の化学蒸着(PECVD、plasma aided
chemical vapor depositio
n)技術を用いて付着された厚さが 0.8μmのSi3 N
4 層であることができる。第1層膜22はまた、図5に
示されているように、3個の部分層(サブレイヤ)22
a、22bおよび22cを備えた薄片状(フラキー)構
造を有することができる。中間の部分層22bは、後で
第1膜層を薄くする工程の期間中に用いられるエッチン
グ停止部分層である。この薄くする工程は下記で説明さ
れる。
例えば、厚さが 0.3μmのSi3 N 4 の部分層22a
と、厚さが0.06μmのSiO2 の停止部分層22bと、
厚さが0.4μmのSi3 N4 の部分層22cとで構成さ
れることができる。エッチング停止部分層はまた、金属
層であることができる。この時、電気的に絶縁体である
部材により作成された第1部分層22aにより、エッチ
ング停止部分層が第2電極20から絶縁されることが好
ましい。
チャンネルを構成する開口部24が、膜22の中で犠牲
部材の層の周縁領域に到達するように作成される。犠牲
層は、この開口部24を通して、例えば化学的エッチン
グにより完全に除去される。犠牲部材をこのように除去
することにより、マイクロシステムの中に小室(チャン
バ)26が作成され、それにより膜層22が変形するこ
とが可能になる。第2電極20は膜層22に接合したま
ま残る。そして第2電極20は、第1電極10から分離
されたままである。
付着され、それにより開口部24が閉鎖される。このこ
とにより、小室26が閉じる。
金属の層であることが好ましい。例えば第2膜層は、プ
ラズマ支援の化学蒸着(PECVD)技術で付着された
厚さが 0.8μmのSi3 N4 の層であることができる。
中に作成された開口部24を十分に閉じることができる
ように選定される。図7において、プラグ27が生成さ
れることに注目されたい。プラグ27は、支持体12の
表面の上に保持されることができる。開口部24が周縁
領域に作成される時、この形式のプラグは1個または複
数個の膜層の可撓性を傷つけない。
第2膜層28を真空下で作成することができる。
この段階では第2電極20のまわりの領域の第2膜層2
8が除去され、そして同じ領域の中の第1膜層を薄くす
ることが行われる。
より行うことができる。このエッチングは、前記で説明
した停止部分層22bで停止する。
μmないし 0.4μmの程度である。この厚さは、小室2
6の寸法や膜層に用いられる部材の性質に応じて調整す
ることができ、そしてまた作成されるマイクロシステム
の感度の関数として調整することができる。
響を与える。けれども、第1膜層は十分に厚くされるこ
とが好ましく、それにより小室26がつぶれることが防
止され、特に小室26が真空に保たれている時につぶれ
て崩壊することが防止される。
るが第2膜層の一部分32とを、第2電極20の上に保
持することができる。それは、第2電極20が変形する
ことを防止するためである。
24とプラグ27との領域の中に保持される。
れた電気接続体17を、第2電極20と電子回路14と
の間にまた備えることができる。
の静電容量を測定する装置と一緒に、電子回路14を備
えることができる。膜に作用する圧力により膜が変形
し、そして電極間の距離が変わる。その結果、これらの
電極の間に測定される静電容量が変化する。
として用いられる時、第1電極と第2電極は接触端子を
構成することができる。
れる時、もし第1電極と第2電極の少なくとも一方がそ
れらの支持体の上に突き出しているならば、第1電極と
第2電極との間に良好な接触が得られるであろう。
される第2導電体層の形状に応じて変わり、したがって
犠牲部材層の上側表面に与えられる形状に応じて変わ
る。
材の層18が第1電極10の上に作成される。第1電極
10の表面は、支持体12の表面と同じ高さである。し
たがって、犠牲層の表面は平坦である。さらに明確に示
すために、図9ないし図14では、犠牲部材の層の厚さ
が拡大されて示されている。
層18の上側表面の中にエッチングにより作成された凹
部19を用いて、第1電極10に向かって突き出ている
導電体部材の第2層が、後の段階において作成される。
いられる。図11に示されているようにこの技術は、第
1導電体層10の少なくとも一部分9を取り囲んでいる
犠牲部材の第1層18aを最初に作成する段階を有す
る。この段階において、第1導電体層の一部分9の表面
が、犠牲部材の第1層18aの自由表面から凹んでいる
パターンに作成される。
覆されないままに残っている導電体層の一部分9の上と
に、犠牲部材の第2層18bが作成される。この時、犠
牲部材の第2層18bの表面の上に、凹部19を有する
パターンが再生される。図12に示されているこの凹部
を用いて、工程の残りの段階において、突き出た部分を
備えた第2導電体層が作成される。
作成された第1電極10がこの表面の上に突き出ている
時の犠牲部材の層18の作成を示した図である。導電体
層10により形成された突出し部分は、図13に示され
ているように、犠牲部材の層18の上側表面に存在す
る。この突出し部分は番号17で示されている。この形
式の突出し部分が原因となって、第1導電体層10の上
に位置する領域の中に、第2導電体層の凹部が形成され
るであろう。
の作成の前に、犠牲部材層18の上側表面を図14に示
されているように平坦にすることが可能である。
た別の実施例を拡大して示した図である。図の理解を容
易にするために、以前に示された部品と同じ部品または
同等な部品には、同じ番号が用いられている。したがっ
て、以前の説明はそのままあてはまる。
ムは、この基板により支持された第1電極10を有す
る。この第1電極は、溝11により分離された2個の部
品10aおよび10bを有する。したがって、絶縁体基
板12の上に作成された部品10aおよび10bは、基
板と溝11とにより電気的に分離される。溝は、マイク
ロシステムの中の小室26のほぼ中央に配置される。小
室26の側面と頂部は、可撓膜22により定められてい
る。
溝11を備えた電極10の領域のほぼ上に配置される。
れる時、電極20は第1電極10の部品10aおよび1
0bと接触し、そしてそれらを電気的に接続する。
マイクロスイッチとして用いることができる。この場合
の端子は、第1電極10の部品10aおよび10bであ
る。
オフ型の検出を行う圧力センサとしても用いることがで
きる。
は、マイクロシステムの下の基板12の中に集積された
回路14に接続される。この回路と、第1電極の部品1
0aおよび10bを回路に接続する電気接続体16、1
7とが、非常に概略的に示されている。
局所的に薄く作成されていることに注目されたい。
極と接触するのが示されている。けれども、例えば図6
に示されているように、それは基板12と直接に接触す
ることもできる。
いることができるマイクロシステムのまた別の実施例の
図である。
1電極10および第2電極20は、それぞれ、小室26
のほぼ中央のまた別の領域の中に延長されている。
1電極10から離れて保持されているが、膜22に十分
な圧力が加えられると、重なり合っている領域において
第1電極10と接触する。
イッチの端子を構成することができる。第1電極および
第2電極は、電子回路14に電気的に接続される。電子
回路14は、例えば基板12の中に配置することができ
る。
いる導電体部材の第2層は、基板12と同程度に広がっ
ていることが好ましい。
チャング(F.Chang)名の論文「直流から4GH
zまでの信号周波数の遠距離通信応用のための表面微細
加工の小型スイッチ(A Surface micro
machinedminiture switch f
or telecommunication appl
ication with signal frequ
encies from DC up to 4 GH
z)」、固体状態・センサおよびアクチュエータに関す
る国際会議(International Confe
rence on Solid State,Sens
ors and Actuators)、ストックホル
ム、スエーデン国、1995年6月25〜29日。
の工程の初期の段階を示した横断面概要図。
概要図。
概要図。
概要図。
概要図。
概要図。
概要図。
概要図。
初期の段階の横断面図。
面図。
の段階の横断面図。
断面図。
期の段階の横断面図。
断面図。
8に示されたマイクロシステムとは異なるまた別の実施
例のマイクロシステムを拡大して示した横断面概要図。
15に示された実施例のマイクロシステムとは異なるま
た別の実施例のマイクロシステムを拡大して示した横断
面概要図。
Claims (22)
- 【請求項1】 (a) 少なくとも第1電極(10)を
形成する少なくとも第1導電体層を支持体の上に付着し
て形成する段階と、(b) 前記第1導電体層を被覆す
る犠牲部材の少なくとも1つの層(18)を付着して形
成する段階と、(c) 前記第1導電体層の上に位置す
る領域の中の犠牲部材の前記層の上に、第2電極(2
0)を形成する第2導電体層を付着して形成する段階
と、(d) 犠牲部材の前記層と前記第2導電体層とを
被覆しおよび取り囲む第1膜層(22)を形成する段階
と、(e) 犠牲部材の前記層(18)を除去する段階
と、(f) 前記第1膜層を形成する段階と、を有す
る、圧力センサのためのマイクロシステムを製造する工
程。 - 【請求項2】 請求項1に記載された工程において、導
電体部材の前記第1層の中に溝(11)が作成されそれ
により導電体部材の前記第1層が2個の部分(10a、
10b)に分離されそして明確に定めれられ、および前
記溝の少なくとも一部分の上に位置する領域の中の犠牲
部材の前記層の上に第2導電体層が作成される、前記工
程。 - 【請求項3】 請求項1に記載された工程において、犠
牲部材の前記層(18)を除去する前記段階が、前記第
1膜層(22)の中に少なくとも1個のエッチング・チ
ャンネル(24)を開口する段階と、犠牲部材の前記層
にエッチングを行う段階と、前記膜層を被覆しそしてエ
ッチング・チャンネル(24)を閉塞して第2膜層(2
8)を作成する段階を有し、前記工程の段階(f)の期
間中に第2膜層がまた作成される、前記工程。 - 【請求項4】 請求項3に記載された工程において、犠
牲部材の前記層(18)の周縁の上に位置する前記第1
膜層(22)の領域の中にチャンネル(24)が作成さ
れる、前記工程。 - 【請求項5】 請求項1に記載された工程において、前
記犠牲部材層(18)が除去される前に前記第1膜層
(22)が作成され、および前記第1膜層の作成が犠牲
部材の前記層に達する貫通する溝の形式である少なくと
も1個のチャンネルをエッチングにより作成する段階を
有し、および前記チャンネルにエッチングを行うことに
より犠牲部材の前記層が除去される、前記工程。 - 【請求項6】 請求項5に記載された工程において、前
記第1膜層の一部分を除去するために犠牲部材の前記層
の周縁部分の上に溝の形状のチャンネルが作成される、
前記工程。 - 【請求項7】 請求項1に記載された工程において、第
1導電体層と前記支持体とが高さの揃った表面を有する
ように前記支持体の中に作成された凹部の中に段階
(d)の期間中に前記第1導電体層が作成される、前記
工程。 - 【請求項8】 請求項1ないし請求項7のいずれかに記
載された工程において、前記第1導電体層の上に位置す
る領域の中の犠牲部材の前記層の中に作成された凹部の
中に前記第2導電体層が作成される、前記工程。 - 【請求項9】 請求項1に記載された工程において、段
階(b)において、犠牲部材の第1層(18a)が前記
第1導電体層の少なくとも部分(9)を取り囲んで作成
され、そして次に犠牲部材の第2層(18b)が犠牲部
材の前記第1層(18a)および前記第1導電体層の前
記部分(9)を被覆して作成され、そして犠牲部材の前
記第1層および前記第2層が形成される、前記工程。 - 【請求項10】 請求項3に記載された工程において、
段階(f)が前記第2膜層を部分的に除去する段階と前
記第2電極のまわりの領域の前記第1膜層を薄くするこ
とを行う段階とを有する、前記工程。 - 【請求項11】 請求項10に記載された工程におい
て、前記第1膜層(22)を作成する段階が部材の3個
の部分層(22a、22b、22c)を順次に付着する
段階を有し、そして3個の前記部分層の中の少なくとも
1個の部分層(22b)がエッチング停止部分層であ
り、そして前記エッチング停止部分層(22b)の上で
エッチングが停止するエッチングにより前記第1膜層
(22)が薄くすることが行われる、前記工程。 - 【請求項12】 請求項1に適合した工程により作成さ
れた少なくとも1個のマイクロシステムを有する圧力セ
ンサ。 - 【請求項13】 請求項12に記載された圧力センサに
おいて、導電体部材の前記第1層と前記第2層とに接続
された電子測定回路を前記支持体が有する、前記圧力セ
ンサ。 - 【請求項14】 少なくとも第1電極(10)を有する
基板(12)と、 前記基板に対して周縁端部により固定され、そして前記
第1電極(10)の少なくとも一部分のまわりに閉じた
小室(26)を定めている、変形可能な膜(22)と、 前記第1電極に面した前記膜(22)の壁の上に作成さ
れ、そしてもし前記膜に圧力が作用しないならば前記第
1電極から分離されて保持されている、第2電極(2
0)と、を有する、圧力センサ・セル。 - 【請求項15】 請求項14に記載された圧力センサ・
セルにおいて、前記基板の中に集積されそして前記第1
電極(10)および前記第2電極(20)に接続された
電子測定回路(14)を有する、前記圧力センサ・セ
ル。 - 【請求項16】 請求項15に記載されたセルにおい
て、前記第1電極の下の前記基板の中に前記電子測定回
路(14)が配置される、前記セル。 - 【請求項17】 請求項15に記載されたセルにおい
て、集積状電子測定回路(14)がCMOS型またはB
iCMOS型である、前記セル。 - 【請求項18】 請求項14に記載されたセルにおい
て、前記膜が前記第2電極(20)の上に剛体部分を有
する、前記セル。 - 【請求項19】 請求項15に記載されたセルにおい
て、前記第1電極と前記第2電極との間の静電容量の変
化を測定する静電容量計を前記測定回路が有する、前記
セル。 - 【請求項20】 請求項14に記載されたセルにおい
て、溝(11)により分離された第1部分(11a)と
第2部分(11b)とを前記第1電極(10)が有し、
そして前記膜(22)に十分な圧力が加えられる時前記
第1部分と前記第2部分とを接触させてそれらを電気的
に接続するように前記第2電極(20)が前記溝(1
1)の上に少なくとも部分的に配置される、前記セル。 - 【請求項21】 請求項14に従う多数個の隣接するセ
ンサ・セルを有する指紋センサ。 - 【請求項22】 請求項21に記載されたセンサにおい
て、同じ基板(12)の上にすべてのセルが作成され
る、前記センサ。
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