JPH10294180A - 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子

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JPH10294180A
JPH10294180A JP9102863A JP10286397A JPH10294180A JP H10294180 A JPH10294180 A JP H10294180A JP 9102863 A JP9102863 A JP 9102863A JP 10286397 A JP10286397 A JP 10286397A JP H10294180 A JPH10294180 A JP H10294180A
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organic
light emitting
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JP9102863A
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English (en)
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Michiko Tamano
美智子 玉野
Shiyunichi Onikubo
俊一 鬼久保
Satoshi Okutsu
聡 奥津
Toshio Enokida
年男 榎田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Ink Mfg Co Ltd
Original Assignee
Toyo Ink Mfg Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 高輝度・高発光効率、発光劣化が少なく信頼
性の高いエレクトロルミネッセンス素子材料、および有
機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 一般式1および2からなる有機エレクト
ロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 [R1 〜R10はアルキル基、アリール基、複素環基、又
は隣接する基が一体となって形成された単環、縮合多
環、X1 〜X12は酸素、硫黄、水素、又はアルキル基も
しくはアリール基が結合しても良い窒素、A1 は分子量
500以下の有機基を表す。] [R13〜R27はR1〜R10と同様の基、X13〜X30はX1
〜X12と同様の基、A2 はA1 と同様の基を表す。]

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はトリフェニレン構造を有
する有機エレクトロルミネッセンス素子材料に関し、該
化合物は平面光源や表示に使用される有機エレクトロル
ミネッセンス(EL)素子として利用することができ
る。
【0002】
【従来の技術】有機光導電材料は、低コスト、加工性お
よび無公害性などの利点があり、多くの化合物が提案さ
れている。例えば、オキサジアゾール誘導体(米国特許
第3,189,447号)、オキサゾール誘導体(米国
特許第3,257,203号)、ヒドラゾン誘導体(米
国特許第3,717,462号、特開昭54−59,1
43号、米国特許第4,150,978号)、トリアリ
ールピラゾリン誘導体(米国特許第3,820,989
号、特開昭51−93,224号、特開昭55−10
8,667号)、アリールアミン誘導体(米国特許第
3,180,730号、米国特許第4,232,103
号、特開昭55−144,250号、特開昭56−11
9,132号)、スチルベン誘導体(特開昭58−19
0,953号、特開昭59−195,658号)などの
有機光導電性材料が開示されている。
【0003】有機光導電性材料の正孔輸送性を利用した
技術の一つとしては、有機EL素子が挙げられる。有機
材料を使用したEL素子は、固体発光型の安価な大面積
フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの
開発が行われている。一般にELは発光層および該層を
はさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、
両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入
され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子
が発光層において正孔と再結合し、エネルギー準位が伝
導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出
する現象である。
【0004】従来の有機EL素子は、無機EL素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL
素子が報告され、関心を集めている(アプライド・フィ
ジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年
参照)。この方法は、金属キレート錯体を蛍光体層、ア
ミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発
光を得ており、6〜7Vの直流電圧で駆動可能であり、
最大発光輝度は10000(cd/m2 )、最大発光効
率は1.5(lm/W)を達成して、実用領域に近い性
能を持っている。
【0005】有機EL素子は、金属陰極層と透明陽極層
との間に、有機蛍光化合物を含有する発光層を備えた素
子である。また、低電圧で高輝度の発光を得るために、
電子注入層や正孔注入層を加えて素子化している。これ
ら有機EL素子は、陰極から注入された電子と陽極から
注入された正孔との再結合により励起子が生じ、この励
起子が放射失活する過程で光を放出している(特開昭5
9−194393号公報、特開昭63−295695号
公報)。しかしながら、直流電圧を印加して長時間にわ
たり発光し続けると、有機化合物の結晶化などが促進さ
れ、素子にリーク電流が流れ易くなり素子が破壊され
る。そのため、正孔注入層に使用する正孔注入材料とし
て、4,4’,4”−トリス(N,N’−ジフェニルア
ミノ)トリフェニルアミン、4,4’,4”−トリス
[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]
トリフェニルアミン等の化合物を使用して改良している
(特開平4−308688号公報)。これらの化合物
は、立体的な配位構造を有しているために結晶化しにく
く、薄膜形成性も優れているが、有機EL素子を構成す
る有機薄膜としては未だに充分なものではない。そのた
めに、発光時に素子が容易に劣化するという問題があっ
た。
【0006】このように、現在までの有機EL素子は、
発光輝度や繰り返し使用時の発光安定性は未だ充分では
なく、より大きな発光輝度を持ち、発光効率が高く繰り
返し使用時での安定性の優れた有機EL素子の開発のた
めに、優れた正孔注入能力を有し、耐久性のある正孔注
入材料の開発が望まれている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た正孔注入能力を有し、耐久性のある正孔注入材料を提
供することにあり、さらにこの正孔注入材料を使用する
ことにより、高い発光効率で長時間発光することの出来
る有機EL素子を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、一般式[1]もしくは一般式[2]で示される
少なくとも一種の正孔注入材料は、正孔注入能力が大き
く、これを用いて作製した有機EL素子の素子特性、発
光寿命が優れていることを見いだし本発明に至った。
【0009】すなわち、本発明は下記一般式[1]で示
される有機エレクトロルミネッセンス素子材料である。 一般式[1]
【化3】 [式中、R1 〜R10は、それぞれ独立に、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換の複素環基、又は、隣接するR
1 とR2 、R3 とR4 、R7 とR8 、R9 とR10が一体
となって形成された置換もしくは未置換の単環、置換も
しくは未置換の縮合多環を表す。X1 〜X 12は、それぞ
れ独立に、酸素原子、硫黄原子、又は、水素原子、アル
キル基もしくはアリール基が結合しても良い窒素原子を
表す。A1 は、分子量500以下の有機基を表す。]
【0010】さらに、本発明は下記一般式[2]で示さ
れる有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 一般式[2]
【化4】 [式中、R13〜R27は、それぞれ独立に、置換もしくは
未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
基、置換もしくは未置換の複素環基、又は、隣接するR
13とR14、R15とR16、R19とR20、R21とR22、R24
とR25、R26とR 27が一体となって形成された置換もし
くは未置換の単環、置換もしくは未置換の縮合多環を表
す。X13〜X30は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原
子、又は、水素原子、アルキル基もしくはアリール基が
結合しても良い窒素原子を表す。A 2 は、分子量500
以下の有機基を表す。]
【0011】更に、本発明は、一対の電極間に、発光層
または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成して
なる有機エレクトロルミネッセンス素子において、少な
くとも一層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子材
料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素
子である。
【0012】更に、本発明は、一対の電極間に、発光層
または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成して
なる有機エレクトロルミネッセンス素子において、正孔
注入層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子材料を
含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子で
ある。
【0013】更に、本発明は、一対の電極間に、発光層
または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成して
なる有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光
層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子材料を含有
する層である有機エレクトロルミネッセンス素子であ
る。
【0014】更に、本発明は、一対の電極間に、発光層
または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成して
なる有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光
層と他の少なくとも一層が上記有機エレクトロルミネッ
センス素子材料を含有する層である有機エレクトロルミ
ネッセンス素子である。
【発明の実施の形態】
【0015】一般式[1]および[2]で示される化合
物のR1 〜R27の置換もしくは未置換のアルキル基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、s
ec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、ト
リクロロメチル基、トリフロロメチル基、シクロプロピ
ル基、シクロヘキシル基、1,3−シクロヘキサジエニ
ル基、2−シクロペンテン−1−イル基、2,4−シク
ロペンタジエン−1−イリデニル基、ベンジル基、2,
2−ジメチルベンジル基等の炭素数1〜18の直鎖状、
分枝状または環状アルキル基がある。
【0016】置換もしくは未置換のアリール基として
は、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラニル
基、フェナントレニル基、フルオレニル基、アセナフチ
ル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニ
ル基、ピレニル基、ビフェニル基、4−エチルビフェニ
ル基、ターフェニル基、クオーターフェニル基、ベンズ
〔a〕アントラニル基、トリフェニレニル基、2,3−
ベンゾフルオレニル基、3,4−ベンゾピレニル基等が
ある。
【0017】置換もしくは未置換の複素環基としては、
チオニル基、チオフェニル基、フラニル基、ピロリル
基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラ
ジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリ
ル基、キノリル基、イソキノリル基、フタラジニル基、
キノキサリニル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、
アクリジニル基、フェナジニル基、フルフリル基、イソ
チアゾリル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェ
ノキサジニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾ
リル基、ベンズイミダゾリル基、2−メチルピリジル
基、3−シアノピリジル基、オキサゾリル基、チアゾリ
ル基、イミダゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジア
ゾリル基、イミダジアゾリル基等がある。上記置換基お
よび置換位置は具体的に限定されるものではない。
【0018】一般式[1]および[2]で示される化合
物のアルキル基、アリール基、複素環基に置換してもよ
い置換基の代表例としては、以下に示す置換基がある。
ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素があ
る。さらには、ニトロ基、シアノ基、カルボニル基、水
酸基、メルカプト基等がある。また、置換もしくは未置
換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフロロメ
チル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、1,3
−シクロヘキサジエニル基、2−シクロペンテン−1−
イル基、2,4−シクロペンタジエン−1−イリデニル
基等がある。置換もしくは未置換のアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブト
キシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、
ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキ
シ基、トリフロロメトキシ基等がある。置換もしくは未
置換のチオアルコキシ基としては、メチルチオ基、エチ
ルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、sec−ブ
チルチオ基、tert−ブチルチオ基、ペンチルチオ
基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基
等がある。
【0019】モノまたはジ置換アミノ基としては、メチ
ルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエ
チルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ
基、ジフェニルアミノ基、ビス(アセトオキシメチル)
アミノ基、ビス(アセトオキシエチル)アミノ基、ビス
(アセトオキシプロピル)アミノ基、ビス(アセトオキ
シブチル)アミノ基、ジベンジルアミノ基等がある。置
換もしくは未置換のアリールオキシ基としては、フェノ
キシ基、p−tert−ブチルフェノキシ基、3−フル
オロフェノキシ基等がある。置換もしくは未置換のアリ
ールチオ基としては、フェニルチオ基、3−フルオロフ
ェニルチオ基等がある。置換もしくは未置換のアリール
基としては、フェニル基、ビフェニル基、トリフェニル
基、ターフェニル基、3−ニトロフェニル基、4−メチ
ルチオフェニル基、3,5−ジシアノフェニル基、o
−,m−およびp−トリル基、キシリル基、o−,m−
およびp−クメニル基、メシチル基、ペンタレニル基、
インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニ
ル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレ
ニル基、アントリル基、アントラキノリル基、3−メチ
ルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル
基、ピレニル基、クリセニル基、2−エチル−1−クリ
セニル基、ピセニル基、ペリレニル基、6−クロロペリ
レニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラ
フェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、
ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘ
プタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、
オバレニル基等がある。
【0020】置換もしくは未置換の複素環基としては、
チオニル基、チオフェニル基、フラニル基、ピロリル
基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラ
ジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリ
ル基、キノリル基、イソキノリル基、フタラジニル基、
キノキサリニル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、
アクリジニル基、フェナジニル基、フルフリル基、イソ
チアゾリル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェ
ノキサジニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾ
リル基、ベンズイミダゾリル基、2−メチルピリジル
基、3−シアノピリジル基、オキサゾリル基、チアゾリ
ル基、イミダゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジア
ゾリル基、イミダジアゾリル基、カルバゾール基、イン
ドール基等があるが、上記置換基に具体的に限定される
ものではない。
【0021】隣接した置換基同士で環を形成した置換も
しくは未置換のシクロアルキル環としては、シクロメチ
ル環、シクロエチル環、シクロプロピル環、シクロブチ
ル環、シクロペンチル環、シクロヘキシル環、シクロヘ
プチル環、シクロオクチル環等がある。隣接した置換基
同士で環を形成した置換もしくは未置換のアリール環と
しては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、
フェナントレン環、フルオレン環、アセナフタレン環、
アズレニウム環、ヘプタレン環、ピレン環、ビフェニル
環、4−エチルビフェニル環、ターフェニル環、ベンズ
〔a〕アントラセン環、トリフェニレン環、2,3−ベ
ンゾフルオレン環、3,4−ベンゾピレン環等がある。
隣接した置換基同士で環を形成した、置換もしくは未置
換の複素環としては、12−クラウン環、15−クラウ
ン環、18−クラウン環等のクラウンエーテル環、イン
ドリル環、キノリル環、イソキノリル環、キノキサニリ
ル環、キナゾリニル環、カルバゾリニル環、フェナジニ
ル環、フルフリル環、イソチアゾリル環、ベンゾイミダ
ゾリル環、1−テトラリル環、2−テトラリル環等があ
る。
【0022】一般式[1]および[2]で示される化合
物のA1 およびA2 は分子量500以下の有機基を表わ
す。好ましくは、置換もしくは未置換のアルキレン基、
置換もしくは未置換の脂肪族環基、置換もしくは未置換
の芳香族環基等の置換または未置換の炭化水素基であ
る。置換もしくは未置換のアルキレン基としては、メチ
レン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、se
c−ブチレン基、tert−ブチレン基、ペンチレン
基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ステ
アリレン基、トリクロロメチレン基、トリフロロメチレ
ン基等がある。
【0023】置換もしくは未置換の脂肪族環基として
は、シクロプロピレン基、シクロヘキシレン基、1,3
−シクロヘキサジエニレン基、2−シクロペンテン−1
−イレン基、2,4−シクロペンタジエン−1−イリデ
ニレン基、ベンジレン基、2,2−ジメチルベンジレン
基等がある。
【0024】置換もしくは未置換の芳香族環基として
は、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、アント
ラニレン基、フェナントレニレン基、フルオレニレン
基、アセナフチレン基、アズレニレン基、ヘプタレニレ
ン基、アセナフチレニレン基、ピレニレン基、ビフェニ
レン基、4−エチルビフェニレン基、ターフェニレン
基、クオーターフェニレン基、ベンズ〔a〕アントラニ
レン基、トリフェニレニレン基、2,3−ベンゾフルオ
レニレン基、3,4−ベンゾピレニレン基等がある。上
記アルキレン基、脂肪族環基、芳香族環基は、アルキレ
ン基と芳香族環基、アルキレン基と脂肪族環基のように
異種の基が連結した基であってもよいし、酸素原子、硫
黄原子、窒素原子等を介して連結した基であっても良
い。一般式[1]および[2]で示される化合物のA1
およびA2 の置換もしくは未置換のアルキレン基、脂肪
族環基、芳香族環基には、R1 〜R27で示された基が置
換基として付加されても良い。
【0025】一般式[1]および[2]で示される化合
物の代表例を具体的に表1に例示するが、これらに限定
されるものではない。
【0026】
【表1】
【0027】
【0028】
【0029】
【0030】
【0031】
【0032】
【0033】本発明の有機EL素子材料は、同一層中で
他の正孔もしくは電子注入材料と混合して使用してもさ
しつかえない。
【0034】有機EL素子は、陽極と陰極間に一層もし
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送
させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有
しても良い。発光材料が、正孔注入性もしくは電子注入
性を有している場合もある。多層型は、(陽極/正孔注
入層/発光層/陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/
陰極)、(陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰
極)の多層構成で積層した有機EL素子がある。一般式
[1]および[2]の化合物は、どの素子構成において
も使用することが出来る。一般式[1]および[2]の
化合物は、正孔注入層もしくは発光層のいずれの層にお
いても使用できる。本発明の有機EL素子材料は、陽極
から有機層への正孔注入機能、および注入した正孔を輸
送し発光層に注入する機能を有しているので、正孔注入
層が二層以上の場合でも、いずれの正孔注入層に使用す
ることが出来る。また、発光材料としても使用すること
ができる。さらには、電子吸引性の置換基を付加して電
子注入材料として使用することも可能である。一般式
[1]および[2]の化合物により形成される薄膜は非
晶質性があるので、薄膜にした場合の長期間の保存や素
子を駆動させた場合の発光寿命等においても有利であ
る。また、一般式[1]および[2]の化合物は、IT
O等の金属電極に対する密着性も良好であり、膜膜のイ
オン化ポテンシャルも低いことから、陽極からの正孔注
入に有利であるので、正孔注入層を二層以上にした場
合、一般式[1]および[2]の化合物を金属電極(陽
極)側の正孔注入層に使用した方がさらに有利である。
【0035】発光層には、必要があれば、本発明の一般
式[1]および[2]の化合物に加えて、発光材料、ド
ーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用する
こともできる。二層構造の場合、発光層と正孔注入層を
分離している。この構造により、正孔注入層から発光層
への正孔注入効率が向上して、発光輝度や発光効率を増
加させることができる。この場合、発光のためには、発
光層に使用される発光材料自身が電子注入性であるこ
と、または発光層中に電子注入材料を添加することが望
ましい。もう一つの層構成として、発光層と電子注入層
による二層構造がある。この場合、発光材料自身が正孔
注入性であること、または発光層中に正孔注入材料を添
加することが望ましい。
【0036】また、三層構造の場合は、発光層、正孔注
入層、電子注入層を有し、発光層での正孔と電子の再結
合の効率を向上させている。このように、有機EL素子
を多層構造にすることにより、クエンチングによる輝度
や寿命の低下を防ぐことができる。このような多層構造
の素子においても、必要があれば、発光材料、ドーピン
グ材料、キャリア輸送を行う正孔注入材料や電子注入材
料を組み合わせて使用することが出来る。また、正孔注
入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上で形成
されていても良い。
【0037】有機EL素子の陽極に使用される導電性材
料としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが適
しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板
と称される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さ
らにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹
脂が用いられる。陰極に使用される導電性材料として
は、4eVより小さな仕事関数を持つものが好適であ
り、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン等およ
びそれらの合金が用いられる。合金としては、マグネシ
ウム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アル
ミニウムなどがあるが、これらに限定されるものではな
く、合金の金属比率も限定されるものではない。また、
陽極および陰極は必要があれば二層以上で形成されてい
ても良い。
【0038】有機EL素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明であることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明であれば限定されるものではない
が、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン、ポリエー
テルサルフォン、ポリプロピレン等の透明性樹脂があ
り、板状、フィルム状のいずれでも良い。
【0039】本発明に係わる有機EL素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピン
コーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの
方法を適用することもできる。膜厚は特に限定されるも
のではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要があ
る。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大き
な印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎ
るとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な
発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μ
mの範囲が適しているが、10nmから0.2μmの範
囲がさらに好ましい。
【0040】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等
の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、
その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜
においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため
適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。本発明において
使用される樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹
脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光
導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性
樹脂を挙げることができる。また、添加剤としては、酸
化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げることができ
る。
【0041】本発明の有機EL素子に使用できる発光材
料またはドーピング材料としては、アントラセン、ナフ
タレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネ
ン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリ
レン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、
ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェ
ニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダ
ジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジ
ン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキ
ノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジ
フェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカル
バゾール、トリフェニルアミン、ベンジジン型トリフェ
ニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジ
アミン型トリフェニルアミンピラン、チオピラン、ポリ
メチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシ
ノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等およびそれら
の誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
【0042】一般式[1]の有機EL素子材料と併せて
使用できる正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力
を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入
効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層また
は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の優
れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン
系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン系
化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾー
ル、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、
ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾー
ル、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
【0043】電子注入材料としては、電子を輸送する能
力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオ
キシド、オキサジアゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容材
料を、電子注入材料に電子供与性材料を添加して増感さ
せることもできる。
【0044】本発明の一般式[1]および[2]の化合
物は、いずれの層に使用することができ、一般式[1]
および[2]の化合物の他に、発光材料、ドーピング材
料、正孔注入材料および電子注入材料の少なくとも1種
が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得ら
れた有機EL素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安
定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、
シリコンオイル等を封入して素子全体を保護することも
可能である。以上のように、本発明では有機EL素子に
一般式[1]および[2]の化合物を用いたため、発光
効率と発光輝度を高くできた。また、この素子は熱や電
流に対して安定であり、さらには低い駆動電圧で実用的
に使用可能の発光輝度が得られるため、従来まで大きな
問題であった連続発光時の輝度劣化も大幅に改良するこ
とができた。本発明の有機EL素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。
【0045】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細
に説明する。DSC分析によれば、本発明の一般式
[1]および[2]で示される化合物の多くはガラス転
移点温度100℃、融点250℃以上、分解点300℃
以上であり、非結晶性正孔注入材料として従来まで使用
されている、4,4’,4”−トリス[N−(3−メチ
ルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミ
ンに比べて、ガラス転移点温度、融点、分解点が高く、
有機EL素子の正孔注入材料として、高い耐熱性を有し
ていることがわかる。また、本発明の一般式[1]およ
び[2]で示される全ての化合物は、結晶性が低く、非
結晶性化合物であるので、陽極基板や有機薄膜層との密
着性も良好であり、有機薄膜としての環境に対する耐性
や、有機EL素子を駆動した際の発光寿命および素子の
保存性についても大きな優位性がある。
【0046】実施例1 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(1)を
真空蒸着して、膜厚30nmの正孔注入層を得た。次い
で、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム
錯体を真空蒸着して膜厚50nmの発光層を作成し、そ
の上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で
膜厚150nmの電極を形成して、有機EL素子を得
た。正孔注入層および発光層は10-6Torrの真空中
で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直
流電圧5Vで発光輝度120(cd/m2 )、最大発光
輝度16000(cd/m2 )、発光効率1.8(lm
/W)の発光特性が得られた。
【0047】実施例2 正孔注入層を、クロロホルムに溶解した化合物(3)を
スピンコート法で形成する以外は、実施例1と同様の方
法で有機EL素子を作製した。この素子は、直流電圧5
Vで発光輝度150(cd/m2 )、最大発光輝度12
000(cd/m2 )、発光効率1.8(lm/W)の
発光特性が得られた。
【0048】実施例3 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(4)を
真空蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次い
で、N,N’−ジフェニル−N,N’−(3−メチルフ
ェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン
を真空蒸着して、膜厚10nmの第二正孔注入層を得
た。さらに、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アル
ミニウム錯体を真空蒸着して膜厚40nmの電子注入型
発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を10:
1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形成して、
有機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は10-6
Torrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着し
た。この素子は、直流電圧5Vで発光輝度140(cd
/m2 )、最大発光輝度21000(cd/m2 )、発
光効率2.1(lm/W)の発光特性が得られた。
【0049】実施例4 洗浄したITO電極付きガラス板上に、4、4’、4”
−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル
アミノ]トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚40
nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(3)を真空
蒸着して、膜厚10nmの第二正孔注入層を得た。さら
に、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム
錯体を真空蒸着して膜厚40nmの電子注入型発光層を
作成し、その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合
した合金で膜厚150nmの電極を形成して、有機EL
素子を得た。正孔注入層および発光層は10-6Torr
の真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素
子は、直流電圧5Vで発光輝度250(cd/m2 )、
最大発光輝度28000(cd/m2 )、発光効率2.
5(lm/W)の発光特性が得られた。
【0050】実施例5 第一正孔注入層に、4、4’、4”−トリス[N−(1
−ナフチル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミ
ンを使用する以外は、実施例4と同様の方法で有機EL
素子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで発光輝度
250(cd/m2 )、最大発光輝度22000(cd
/m2 )、発光効率2.2(lm/W)の発光特性が得
られた。
【0051】実施例6 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(17)
をクロロホルムに溶解させ、スピンコーティング法によ
り膜厚40nmの正孔注入層を得た。次いで、トリス
(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体を真空
蒸着して膜厚40nmの電子注入型発光層を作成し、そ
の上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で
膜厚100nmの電極を形成して有機EL素子を得た。
発光層は10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧5V発光輝度2
00(cd/m2 )、最大発光輝度19000(cd/
2)、発光効率1.7(lm/W)の発光特性が得ら
れた。
【0052】実施例7〜27 洗浄したITO電極付きガラス板上に、表1に示した化
合物を真空蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得
た。次いで、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ]ビフェニルを真空蒸着して、膜厚
10nmの正孔輸送層を得た。さらに、トリス(8−ヒ
ドロキシキノリナト)アルミニウム錯体を真空蒸着して
膜厚50nmの発光層を作成し、さらにビス(2−メチ
ル−8−ヒドロキシキノリナト)(1−フェノラート)
ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層
を作成し、その上に、アルミニウムとリチウムを25:
1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形成して、
有機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は10-6
Torrの真空中で、基板温度は室温の条件下で蒸着し
た。この素子は表2で示された発光特性が得られた。
【0053】
【表2】
【0054】実施例28 洗浄したITO電極付きガラス板上に、4,4’−ビス
[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェ
ニルを真空蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得
た。次いで、化合物(5)を真空蒸着して膜厚50nm
の発光層を作成し、さらにトリス(8−ヒドロキシキノ
リナト)アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚40nm
の電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を
10:1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形成
して、有機EL素子を得た。正孔注入層および発光層は
10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸
着した。この素子は、直流電圧5Vで発光輝度380
(cd/m2 )、最大発光輝度26000(cd/
2 )、発光効率2.1(lm/W)の発光特性が得ら
れた。
【0055】実施例29 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(1)を
真空蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次い
で、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェ
ニルアミノ]ビフェニルを真空蒸着して、膜厚10nm
の正孔輸送層を得た。さらに、N,N,N’,N’−
[4−(α,α’−ジメチルベンジル)フェニル]−ア
ントラニル−9,10−ジアミンを真空蒸着して膜厚5
0nmの発光層を作成し、さらにトリス(8−ヒドロキ
シキノリナト)アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚4
0nmの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウム
と銀を10:1で混合した合金で膜厚150nmの電極
を形成して、有機EL素子を得た。正孔注入層および発
光層は10-6Torrの真空中で、基板温度室温の条件
下で蒸着した。この素子は、直流電圧5Vで発光輝度1
000(cd/m2 )、最大発光輝度59000(cd
/m2 )、発光効率5.0(lm/W)の発光特性が得
られた。
【0056】実施例30 化合物(2)を真空蒸着した後に、真空加熱炉中で65
℃、3時間加熱する以外は実施例29と同様の方法で有
機EL素子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで発
光輝度1100(cd/m2 )、最大発光輝度5600
0(cd/m2)、発光効率4.9(lm/W)の発光
特性が得られた。加熱することにより、発光特性が向上
した。これは、加熱することにより、化合物(2)が正
孔の注入および輸送に有利な配向状態に変化したことが
推測される。
【0057】実施例31 洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(4)を
真空蒸着して、膜厚40nmの正孔注入層を得た。次い
で、化合物(20)とルブレンを重量比10:1で真空
蒸着して膜厚50nmの発光層を作成し、さらにトリス
(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体を真空
蒸着して膜厚40nmの電子注入層を作成し、その上
に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚
150nmの電極を形成して、有機EL素子を得た。正
孔注入層および発光層は10-6Torrの真空中で、基
板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧
5Vで発光輝度580(cd/m2 )、最大発光輝度4
2000(cd/m2 )、発光効率2.8(lm/W)
の発光特性が得られた。
【0058】実施例32 トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体
とキナクリドンを重量比20:1で蒸着して、膜厚40
nmの発光層を得る以外は実施例7と同様の方法で有機
EL素子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで発光
輝度520(cd/m2 )、最大発光輝度32000
(cd/m2 )、発光効率2.9(lm/W)の発光特
性が得られた。
【0059】実施例33 トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体
に代えて化合物(20)を蒸着して、膜厚40nmの電
子注入層を得る以外は実施例32と同様の方法で有機E
L素子を作製した。この素子は、直流電圧5Vで発光輝
度520(cd/m2 )、最大発光輝度46000(c
d/m2 )、発光効率3.4(lm/W)の発光特性が
得られた。
【0060】比較例1 化合物(1)に代えて、4,4’,4”−トリス[N−
(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフ
ェニルアミンを使用する以外は、実施例1と同様の方法
で有機EL素子を作成した。この素子は、直流電圧5V
で発光輝度約160(cd/m2 )、発光効率1.2
(lm/W)の発光特性が得られた。
【0061】比較例2 化合物(27)に代えて、4,4’,4”−トリス[N
−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリ
フェニルアミンを使用する以外は、実施例55と同様の
方法で有機EL素子を作成した。この素子は、直流電圧
5Vで発光輝度約550(cd/m2 )、発光効率3.
5(lm/W)の発光特性が得られた。
【0062】本実施例で示された全ての有機EL素子に
ついて、3(mA/cm2 )で連続発光させたところ、
1000時間以上初期輝度の50%以上の輝度を観測出
来たが、比較例1および比較例2の素子を同様の条件で
連続発光させたところ、共に200時間で初期輝度の5
0%以下になり、素子の未発光部分であるダークスポッ
トの数も増加した。以上の結果の理由としては、本発明
の化合物は非平面性化合物であるので、薄膜形成の際に
は、非結晶性薄膜を形成することが可能であること、化
合物中のトリフェニレン環のために正孔注入性が向上
し、有機EL素子の正孔注入性が良好になることが挙げ
られる。さらには、耐熱性も向上しているので、連続発
光時の発熱に対する耐性、基板からの正孔注入性、基板
との密着性も向上している。また、電子注入材料として
使用した場合も、非結晶性薄膜を形成することが可能で
あること、化合物中に多くの縮合芳香族環を有し、電子
吸引性基を有しているために電子注入性が向上し、有機
EL素子の電子注入性が良好になる。また、発光材料と
しても有効な特性を示した。
【0063】本発明の有機EL素子は、発光効率、発光
輝度の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使
用される発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電
子注入材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製
方法を限定するものではない。
【0064】
【発明の効果】本発明により、正孔、電子注入性もしく
は発光特性の優れた有機EL素子特性を有する化合物を
得ることができた。本発明が提供した化合物により、従
来に比べて高発光効率、高輝度であり、長時間の発光お
よび保存が可能な有機EL素子を得ることができた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 榎田 年男 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式[1]で示される有機エレク
    トロルミネッセンス素子材料。 一般式[1] 【化1】 [式中、R1 〜R10は、それぞれ独立に、置換もしくは
    未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
    基、置換もしくは未置換の複素環基、又は、隣接するR
    1 とR2 、R3 とR4 、R7 とR8 、R9 とR10が一体
    となって形成された置換もしくは未置換の単環、置換も
    しくは未置換の縮合多環を表す。X1 〜X 12は、それぞ
    れ独立に、酸素原子、硫黄原子、又は、水素原子、アル
    キル基もしくはアリール基が結合しても良い窒素原子を
    表す。A1 は、分子量500以下の有機基を表す。]
  2. 【請求項2】 下記一般式[2]で示される有機エレク
    トロルミネッセンス素子材料。 一般式[2] 【化2】 [式中、R13〜R27は、それぞれ独立に、置換もしくは
    未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール
    基、置換もしくは未置換の複素環基、又は、隣接するR
    13とR14、R15とR16、R19とR20、R21とR22、R24
    とR25、R26とR 27が一体となって形成された置換もし
    くは未置換の単環、置換もしくは未置換の縮合多環を表
    す。X13〜X30は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原
    子、又は、水素原子、アルキル基もしくはアリール基が
    結合しても良い窒素原子を表す。A 2 は、分子量500
    以下の有機基を表す。]
  3. 【請求項3】 一対の電極間に、発光層または発光層を
    含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレク
    トロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が請
    求項1もしくは請求項2記載の有機エレクトロルミネッ
    センス素子材料を含有する層である有機エレクトロルミ
    ネッセンス素子。
  4. 【請求項4】 一対の電極間に、発光層または発光層を
    含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレク
    トロルミネッセンス素子において、正孔注入層が請求項
    1もしくは請求項2記載の有機エレクトロルミネッセン
    ス素子材料を含有する層である有機エレクトロルミネッ
    センス素子。
  5. 【請求項5】 一対の電極間に、発光層または発光層を
    含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレク
    トロルミネッセンス素子において、発光層が請求項1も
    しくは請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素
    子材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセン
    ス素子。
  6. 【請求項6】 一対の電極間に、発光層を含む複数層の
    有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクトロルミネッ
    センス素子において、発光層と他の少なくとも一層が請
    求項1もしくは請求項2記載の有機エレクトロルミネッ
    センス素子材料を含有する層である有機エレクトロルミ
    ネッセンス素子。
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