JPH10282637A - Method and device to remove foreign matter from reticle - Google Patents

Method and device to remove foreign matter from reticle

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JPH10282637A
JPH10282637A JP9083797A JP9083797A JPH10282637A JP H10282637 A JPH10282637 A JP H10282637A JP 9083797 A JP9083797 A JP 9083797A JP 9083797 A JP9083797 A JP 9083797A JP H10282637 A JPH10282637 A JP H10282637A
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JP
Japan
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reticle
coating film
foreign matter
aqueous solution
alkaline aqueous
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9083797A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Iida
仁 飯田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To remove foreign matters in a submicron size depositing on a reticle and to increase safety by forming an alkali-soluble coating film on the reticle surface and dissolving and removing the coating film with an alkaline soln. SOLUTION: The reticle is provided with a reticle substrate (glass) 1 and a light-shielding film (chromium oxide) 2 on the substrate 1. A coating film 5 of an alkali-soluble material (such as a resist material) is formed on the surface of the reticle 9 where foreign matters 3, 4 deposit. When the coating film 5 is formed of a resist material, the resist material can be dissolved and removed by using an alkaline soln. developer without baking or without causing changes in the solubility of the resist material by exposure. In order to perform this method, for example, an alkaline developer 7 is sprayed through a nozzle 6 to the alkali-soluble coating film 5 while the reticle is mounted on a rotating bed 8 and rotated. After the coating film 5 is dissolved and removed, the foreign matters 3, 4 are also removed and the reticle 9 with a purified surface can be obtd.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に使用されるレチクル(フォトマスク)上に付着してい
る異物の除去方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for removing foreign matter adhering on a reticle (photomask) used for manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】レチクルは、半導体装置の製造に当たり
被処理基板に対し所定パターンの露光を行う際にフォト
マスクとして使用されるものである。従って、このレチ
クルに異物が付着している場合にはパターンの正確な露
光が行われなくなるので、その表面は清浄であることが
要求され、そのため従来より様々な洗浄方法が利用され
ている。
2. Description of the Related Art A reticle is used as a photomask when a substrate to be processed is exposed to a predetermined pattern in the manufacture of a semiconductor device. Therefore, if foreign matter adheres to the reticle, accurate exposure of the pattern cannot be performed. Therefore, the surface of the reticle is required to be clean, and various cleaning methods have been conventionally used.

【0003】従来のレチクル洗浄方法は、(1)物理的
方法と(2)電気的・化学的方法によるものに大別され
る。
[0003] Conventional reticle cleaning methods are broadly classified into (1) physical methods and (2) electrical and chemical methods.

【0004】物理的作用を利用した異物除去方法として
は、ブラシによるスクラブ洗浄が代表的である。この方
法では、ブラシとレチクルの接触によりブラシの「削
れ」に起因した異物が付着しやすい欠点がある。また、
このとき発生した静電気によりレチクルのパターンが電
気的なダメージ(静電破壊)を受ける危険性が高い。
[0004] Scrub cleaning with a brush is a typical example of a foreign matter removing method utilizing physical action. In this method, there is a disadvantage that foreign matter due to "shaving" of the brush is apt to adhere due to contact between the brush and the reticle. Also,
There is a high risk of the reticle pattern being electrically damaged (electrostatic destruction) by the static electricity generated at this time.

【0005】もう一つの物理的洗浄方法であるメガソニ
ック洗浄は、1MHz以上の超音波から発生する加速度
を利用してレチクル上から異物を引き離し、除去する。
しかし、この方法は微細なパターン内に入り込んだ微小
異物に対しては極端に除去効果が低下する欠点がある。
[0005] Megasonic cleaning, which is another physical cleaning method, uses an acceleration generated from ultrasonic waves of 1 MHz or more to separate and remove foreign matter from the reticle.
However, this method has a disadvantage in that the effect of removing extremely small foreign matter entering a fine pattern is extremely reduced.

【0006】電気的・化学的方法としては、硫酸やアン
モニア等の薬液を用いた洗浄が挙げられる。特に有機あ
るいは無機のアルカリを用いた洗浄方法は、レチクル表
面と異物との電気的な斥力を利用しており、サブミクロ
ンサイズの異物に対して比較的高い異物除去効果が得ら
れる。しかし、ますます微細化が進むパターンを形成す
るのに用いられるレチクルについては、このようなサブ
ミクロンサイズの異物の除去効果を高めることが強く求
められている。また、これらの薬液を使用することには
作業上の安全性の面で制約が多く、より安全な洗浄方法
が求められている。
[0006] Examples of the electrical and chemical methods include cleaning using a chemical solution such as sulfuric acid or ammonia. In particular, the cleaning method using an organic or inorganic alkali utilizes the electric repulsion between the reticle surface and the foreign matter, and can provide a relatively high foreign matter removing effect for submicron-sized foreign matter. However, for a reticle used to form a pattern that is increasingly miniaturized, it is strongly required to enhance the effect of removing such submicron-sized foreign matter. In addition, the use of these chemicals has many restrictions in terms of work safety, and a safer cleaning method is required.

【0007】レチクルの洗浄ではないが、半導体装置の
パターニング膜上の金属酸化物をTMAH(テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド)等の有機アルカリ
性水溶液で洗浄、除去する方法(特開平1−21791
5号公報)や、被処理基板上のレジストパターンを現像
後にコンタクトホール表面に残っている有機残留物や表
面酸化物をTMAH等を用いて除去する方法(特開昭6
3−140552号公報)等が提案されている。
Although not a reticle cleaning method, a method of cleaning and removing a metal oxide on a patterning film of a semiconductor device with an organic alkaline aqueous solution such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide) (Japanese Patent Laid-Open No. 1-21791).
No. 5) and a method of removing organic residues and surface oxides remaining on the surface of a contact hole after developing a resist pattern on a substrate to be processed using TMAH or the like (Japanese Patent Laid-Open No.
Publication No. 3-140552) has been proposed.

【0008】これらの方法に共通した点は、それぞれ配
線層の形成前、あるいはレジスト塗布前に基板表面に形
成された金属酸化膜を有機または無機のアルカリ性水溶
液によるエッチング作用により除去することである。と
ころが、一般にレチクルの遮光膜はクロムの酸化膜であ
り、アルカリには侵食されない。このため、レチクルの
場合には、クロム酸化膜のエッチングによる遮光膜上の
異物の除去(リフトオフ)効果は期待できない。
The common feature of these methods is that the metal oxide film formed on the substrate surface before the formation of the wiring layer or before the application of the resist is removed by an etching action using an organic or inorganic alkaline aqueous solution. However, the light-shielding film of the reticle is generally a chromium oxide film, and is not eroded by alkali. Therefore, in the case of a reticle, the effect of removing (lift-off) foreign substances on the light-shielding film by etching the chromium oxide film cannot be expected.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の物理的あるいは化学的手法ではレチクル表面に付着
したサブミクロンサイズの異物除去効率が低くなってし
まい、あるいは作業上の安全性の面で不利になってしま
う。本発明は、このような問題を解決するため、レチク
ル上に付着したサブミクロンサイズの異物を効果的に除
去でき、安全性の高い異物の除去方法を提供することを
目的とする。本発明の方法を実施するための装置を提供
することも、本発明の目的である。
As described above, in the conventional physical or chemical method, the efficiency of removing submicron-sized foreign matter adhering to the reticle surface is reduced, or the work safety is reduced. At a disadvantage. An object of the present invention is to provide a highly safe method for removing foreign matter having a submicron size attached to a reticle, which can effectively remove foreign matter attached to the reticle. It is also an object of the present invention to provide an apparatus for performing the method of the present invention.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明のレチクルの異物
除去方法は、レチクル表面にアルカリ可溶性の塗布膜を
形成し、この塗布膜をアルカリ性水溶液で溶解除去する
ことによりレチクル表面の異物を除去することを特徴と
する。
According to the method of the present invention for removing foreign matter from a reticle, an alkali-soluble coating film is formed on the reticle surface, and the coating film is dissolved and removed with an alkaline aqueous solution to remove foreign matter from the reticle surface. It is characterized by the following.

【0011】本発明のレチクルの異物除去装置は、レチ
クル表面に形成した塗布膜をこれを溶解可能なアルカリ
性水溶液と接触させる手段を含むことを特徴とする。
The apparatus for removing foreign matter from a reticle according to the present invention is characterized in that it includes means for bringing a coating film formed on the reticle surface into contact with an alkaline aqueous solution capable of dissolving the coating film.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明での除去の対象となる異物
には、レチクルのパターン面(一般に酸化クロムの遮光
膜が形成された面)に付着しているものはもちろん、そ
の反対側の表面に付着している異物も含まれる。すなわ
ち、本発明の方法はレチクルのパターン面に対してだけ
でなくその裏側の表面に対しても等しく適用可能であ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Foreign substances to be removed in the present invention include those adhering to a pattern surface of a reticle (generally, a surface on which a light-shielding film of chromium oxide is formed), and of course, foreign substances to be removed. Foreign matter adhering to the surface is also included. That is, the method of the present invention is equally applicable not only to the pattern surface of the reticle, but also to the back surface thereof.

【0013】レチクル表面の塗布膜は、アルカリに可溶
性の物質を使って形成することができる。本発明におい
て好適に用いることができるアルカリ可溶性の物質の代
表例は、半導体装置の製造等で広く使用されているアル
アリ現像の可能な各種のレジスト材料である。このよう
なレジスト材料はポジ型とネガ型に大別されるが、本発
明ではどちらのタイプのレジスト材料も使用可能であ
る。このほかに、アルカリ性水溶液で剥離除去できるP
VA(ポリビニルブチラール)等の材料の塗布膜を使用
してもよい。
The coating film on the reticle surface can be formed using a substance soluble in alkali. Representative examples of alkali-soluble substances that can be suitably used in the present invention are various resist materials that are widely used in the manufacture of semiconductor devices and the like, and which can be developed by Al Ali. Such a resist material is roughly classified into a positive type and a negative type. In the present invention, either type of resist material can be used. In addition, P which can be peeled off with an alkaline aqueous solution
A coating film of a material such as VA (polyvinyl butyral) may be used.

【0014】レジスト材料の塗布膜を形成するには、半
導体装置の製造等に使用される通常のスピンコータ等の
レジスト塗布装置を利用することができる。レジスト材
料を用いてレチクル表面に形成した塗布膜は、レジスト
材料の通常の用法におけるようにベーキング(乾燥)や
露光を行うことなく、そのままアルカリ性水溶液で、現
像と同じように溶解させることができる。レチクル表面
の異物は、塗布膜の溶解時にレチクル表面から効果的に
除去される。
In order to form a coating film of a resist material, an ordinary resist coating device such as a spin coater used for manufacturing a semiconductor device or the like can be used. The coating film formed on the surface of the reticle using the resist material can be dissolved in an alkaline aqueous solution as it is in the same manner as in development, without performing baking (drying) or exposure as in the usual usage of the resist material. Foreign matter on the reticle surface is effectively removed from the reticle surface when the coating film is dissolved.

【0015】このようにレチクル表面に形成した液状の
塗布膜の除去に用いるアルカリ性水溶液は、塗布膜を溶
解除去できる限りは有機あるいは無機のいずれのもので
よい。塗布膜の形成にレジスト材料を使用する場合につ
いて言えば、レジストの現像に一般に使用される現像液
を利用することができる。そのような現像液の一例を挙
げれば、濃度2〜3%程度のTMAH(テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド)水溶液である。このよ
うな有機アルカリ性水溶液のほかにも、例えば水酸化ナ
トリウムや水酸化カリウム等の無機アルカリ性水溶液を
使用してもよい。
The alkaline aqueous solution used for removing the liquid coating film formed on the reticle surface as described above may be either organic or inorganic as long as the coating film can be dissolved and removed. In the case where a resist material is used for forming a coating film, a developing solution generally used for developing a resist can be used. An example of such a developer is an aqueous solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide) having a concentration of about 2 to 3%. In addition to such an organic alkaline aqueous solution, an inorganic alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide may be used.

【0016】図1を参照して本発明の原理を説明する。
図1(a)において、1はレチクル基板(ガラス)であ
り、2は基板上の遮光膜(酸化クロム)であり、そして
3と4はそれぞれガラス上と遮光膜上に付着した異物で
ある。これらの異物は、空気中ではそれぞれ負に帯電し
ており、ガラスのレチクル基板1と酸化クロムの遮光膜
2にそれぞれ分子間力とクーロン力によって付着してい
る。
The principle of the present invention will be described with reference to FIG.
In FIG. 1A, 1 is a reticle substrate (glass), 2 is a light-shielding film (chromium oxide) on the substrate, and 3 and 4 are foreign substances adhered on the glass and the light-shielding film, respectively. These foreign substances are negatively charged in the air, and adhere to the glass reticle substrate 1 and the chromium oxide light shielding film 2 by intermolecular force and Coulomb force, respectively.

【0017】次に、異物3及び4の付着したレチクル9
の表面にアルカリ可溶性の物質(例えばレジスト材料)
の塗布膜を形成する。このためには、例えばスピンコー
タを利用して、レチクル9の表面に塗布膜形成物質を回
転塗布するような方法を用いることができる。
Next, the reticle 9 to which the foreign substances 3 and 4 adhere
Alkali-soluble substance on the surface of the surface (eg resist material)
Is formed. For this purpose, for example, a method in which a coating film forming substance is spin-coated on the surface of the reticle 9 using a spin coater can be used.

【0018】レジスト材料で塗布膜を形成した場合、通
常のようにベーキングを行うことなく、また露光による
レジスト材料の溶解性の変化を生じさせずに、アルカリ
性水溶液の現像液を用いてレジスト材料を溶解除去する
ことができる。このためには、例えば図1(b)に示し
たように、レチクルを回転台8の上に載せて回転させな
がらアルカリ可溶性の塗布膜5へノズル6からアルカリ
現像液7をスプレーすることができる。こうして塗布膜
5溶解除去すると、異物3及び4が同時に除去されて、
図1(c)に示したように表面の清浄化されたレチクル
9が得られる。
When a coating film is formed from a resist material, the resist material is formed using an alkaline aqueous solution developer without performing baking as usual and without causing a change in the solubility of the resist material due to exposure. It can be dissolved and removed. For this purpose, for example, as shown in FIG. 1B, an alkali developing solution 7 can be sprayed from a nozzle 6 onto an alkali-soluble coating film 5 while a reticle is placed on a rotating table 8 and rotated. . When the coating film 5 is dissolved and removed in this way, the foreign substances 3 and 4 are simultaneously removed,
As shown in FIG. 1C, a reticle 9 having a cleaned surface is obtained.

【0019】本発明によるレチクル表面の異物の除去の
機構を、図2を参照して更に詳しく説明することにす
る。本発明の方法は、空気中とアルカリ性水溶液中での
レチクル表面の帯電の変化を利用している。すなわち、
図2(a)に示すように、アルカリ性水溶液10中では
基板11の表面と異物12は共に負に帯電するため、レ
チクルと異物とのクーロン斥力FR により一般に異物が
基板から離れやすくなる。しかし、異物の帯電量は小さ
い異物ほど少ないため、このままではサブミクロンサイ
ズの異物に対する除去効果は十分ではない。
The mechanism for removing foreign matter from the reticle surface according to the present invention will be described in more detail with reference to FIG. The method of the present invention takes advantage of the change in charge on the reticle surface in air and alkaline aqueous solutions. That is,
As shown in FIG. 2A, in the alkaline aqueous solution 10, the surface of the substrate 11 and the foreign matter 12 are both negatively charged, so that the foreign matter generally tends to separate from the substrate due to the Coulomb repulsion F R between the reticle and the foreign matter. However, since the smaller the amount of foreign matter, the smaller the amount of foreign matter, the effect of removing foreign matter of submicron size is not sufficient.

【0020】本発明では、図2(b)に示したように、
塗布膜13がアルカリ性水溶液10に溶解するときのイ
オンの拡散現象を利用することで、これらの微小異物を
高い確率で除去することを可能としている。すなわち、
塗布膜13に接するアルカリ性水溶液10中に含まれる
正負の各イオンは、塗布膜10中を基板11の表面に向
かって拡散する。このときにはレチクル表面は正に帯電
しているので、水溶液中の負イオン(OH- イオン)の
拡散速度は正イオンのそれより大きくなる。従って、こ
れらのイオンが塗布膜中を拡散することにより、レチク
ル表面はより負に、塗布膜の上層は正に帯電するように
なる。このときレチクル上の異物は負に帯電しているこ
とから、異物は塗布膜上層に向かって、すなわちレチク
ル表面から離れる方向に力(レチクルと異物とのクーロ
ン斥力FR と異物及び塗布膜上層間の引力FA )を受け
ることになる。こうして、本発明では二つの力の相乗効
果により、サブミクロンサイズの異物をレチクル上から
効果的に除去できる。
In the present invention, as shown in FIG.
By utilizing the diffusion phenomenon of ions when the coating film 13 is dissolved in the alkaline aqueous solution 10, it is possible to remove these minute foreign substances with a high probability. That is,
Positive and negative ions contained in the alkaline aqueous solution 10 in contact with the coating film 13 diffuse through the coating film 10 toward the surface of the substrate 11. At this time, since the reticle surface is positively charged, the diffusion rate of negative ions (OH - ions) in the aqueous solution is higher than that of positive ions. Therefore, as these ions diffuse in the coating film, the reticle surface becomes more negative and the upper layer of the coating film becomes positively charged. At this time, since the foreign matter on the reticle is negatively charged, the foreign matter is directed toward the upper layer of the coating film, that is, in the direction away from the reticle surface (the Coulomb repulsive force F R between the reticle and the foreign matter and the foreign matter and the interlayer between the foreign matter and the coating film). Gravitational force F A ). Thus, in the present invention, a submicron-sized foreign substance can be effectively removed from the reticle by the synergistic effect of the two forces.

【0021】前述のように、半導体装置のパターニング
膜上の金属酸化物をTMAH等の有機アルカリ性水溶液
で洗浄、除去する技術や、被処理基板上のレジストパタ
ーンを現像後にコンタクトホール表面に残っている表面
酸化物をTMAH等を使って除去する技術は知られてい
る。それに対して本発明では、除去対象が基板表面の酸
化物ではなく、レチクル上に付着した異物(パーティク
ル)である。そしてこの異物の除去の際、前述の技術と
同じく有機あるいは無機のアルカリ性水溶液を使用して
はいるが、既に説明したように本発明によって得られる
効果については、レチクル表面のエッチングによるもの
ではなく、異物とレチクル表面との間にはたらく電気的
斥力が関与している。この点で、本発明は前述の既知の
技術と根本的に異なる。
As described above, the technique of cleaning and removing the metal oxide on the patterning film of the semiconductor device with an organic alkaline aqueous solution such as TMAH and the like, and the development of the resist pattern on the substrate to be processed remain on the contact hole surface. A technique for removing a surface oxide using TMAH or the like is known. On the other hand, in the present invention, the object to be removed is not the oxide on the substrate surface, but foreign matter (particles) attached to the reticle. When removing the foreign matter, an organic or inorganic alkaline aqueous solution is used as in the above-described technology, but the effect obtained by the present invention is not due to the etching of the reticle surface as described above. Electric repulsion acting between the foreign matter and the reticle surface is involved. In this regard, the present invention is fundamentally different from the known techniques described above.

【0022】また、前述の既知技術では基板に直接アル
カリ性水溶液が接触することにより発生する化学反応が
重要な役割を担っていると考えられる。一方、本発明で
はレチクル上に塗布された塗布膜がアルカリ性水溶液に
溶解していく際に発生する電気的作用(異物と塗布膜表
面との間にはたらく電気的引力)が本質的であり、この
効果は本発明において用いる塗布膜とアルカリ性水溶液
の組み合わせにより初めて実現されるものである。従っ
て、この点でも、本発明は前述の既知技術と明らかに異
なる。
In the above-mentioned known technique, it is considered that the chemical reaction generated by the direct contact of the alkaline aqueous solution with the substrate plays an important role. On the other hand, in the present invention, the electric action (electric attraction acting between the foreign substance and the coating film surface) generated when the coating film applied on the reticle is dissolved in the alkaline aqueous solution is essential. The effect is first realized by the combination of the coating film and the alkaline aqueous solution used in the present invention. Therefore, in this respect, the present invention is clearly different from the above-mentioned known technology.

【0023】本発明のレチクルの異物除去装置は、レチ
クル表面に形成した塗布膜をこれを溶解可能なアルカリ
性水溶液と接触させる手段を含むものである。具体的な
手段として、例えば、レチクルを載置して回転可能な手
段(例として回転台)と、回転しているレチクルの全面
にアルカリ性水溶液を供給可能な手段(例としてスプレ
ーノズル等)を挙げることができる。あるいは、塗布膜
とアルカリ性水溶液との接触手段は、アルカリ性水溶液
を入れ、そして塗布膜を形成したレチクルを浸漬可能な
容器でもよい。
The apparatus for removing foreign matter from a reticle according to the present invention includes means for bringing a coating film formed on the reticle surface into contact with an alkaline aqueous solution capable of dissolving the coating film. Specific means include, for example, means capable of mounting and rotating a reticle (eg, a rotating table) and means capable of supplying an alkaline aqueous solution to the entire surface of a rotating reticle (eg, a spray nozzle or the like). be able to. Alternatively, the means for contacting the coating film with the alkaline aqueous solution may be a container into which the alkaline aqueous solution is put and in which the reticle on which the coating film is formed can be immersed.

【0024】[0024]

【実施例】次に、実施例により本発明を更に説明する
が、本発明がこれらの実施例によりいささかも限定され
るものでないことは言うまでもない。
EXAMPLES Next, the present invention will be further described with reference to examples, but it is needless to say that the present invention is not limited to these examples.

【0025】〔実施例1〕図1を参照して先に説明した
ように、まず、レチクル基板1上にポジ型のノボラック
レジスト(東京応化社製OFPR−5000)5を約1
μmの厚さに回転塗布した。こうしてレチクル基板1上
に形成した塗布膜5のベーキングも露光も行わずに、こ
の基板1を回転台8上に載せ、アルカリ現像液7として
濃度2〜3%のTMAH水溶液7をノズル6からスプレ
ーした。約3〜4分で塗布膜5を完全に溶解除去するこ
とができた。続いて、レチクル表面に残った現像液を純
水による回転リンスにより除去した。最後に、回転台8
の高速回転によりレチクル9を乾燥させ、処理を終え
た。
[Embodiment 1] As described above with reference to FIG. 1, first, a positive type novolak resist (OFPR-5000 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.)
It was spin-coated to a thickness of μm. The substrate 1 is placed on a turntable 8 without baking or exposing the coating film 5 thus formed on the reticle substrate 1, and a 2 to 3% aqueous TMAH solution 7 is sprayed from a nozzle 6 as an alkali developing solution 7. did. The coating film 5 could be completely dissolved and removed in about 3 to 4 minutes. Subsequently, the developer remaining on the reticle surface was removed by rotary rinsing with pure water. Finally, turntable 8
The reticle 9 was dried by high-speed rotation of, and the processing was completed.

【0026】図3は、本発明により洗浄処理したレチク
ル上の異物(大きさ0.5〜1.5μm)の除去率を他
の洗浄法で処理した場合と比較した結果である。この結
果から、本発明により塗布膜の剥離除去を行うことによ
って、塗布膜を用いず単に有機アルカリ(TMAH)水
溶液で異物を洗浄・除去した場合、及び過硫酸で洗浄・
除去した場合と比較して、異物の除去効果が大幅に高ま
ることがわかる。また、本発明によるアルカリ可溶性塗
布膜形成後の処理で比較した場合、塗布膜を露光しない
(未露光)の状態で溶解除去することにより除去率が更
に高くなることがわかる。これは塗布膜(レジスト)の
溶解時間が異物除去に密接に関係しているためである。
すなわち、露光を行った場合には、露光によりポジ型レ
ジストのアルカリ性水溶液に対する溶解性が変化して塗
布膜の溶解時間が短くなることで、イオンの拡散による
帯電の変化量が減少するため、異物の受ける基板からの
斥力と塗布膜上方からの引力が共に小さくなり、結果と
して異物の除去効果が相対的に弱くなるためである。と
は言え、本発明によれば、ポジ型レジストの塗布膜の露
光を行っても従来の洗浄方法に比べて格段に向上した洗
浄効果が得られることが明らかである。
FIG. 3 shows the result of comparing the removal rate of foreign substances (size: 0.5 to 1.5 μm) on the reticle cleaned by the present invention with that by another cleaning method. From these results, it was found that by removing and removing the coating film according to the present invention, the foreign matter was simply washed / removed with an aqueous solution of organic alkali (TMAH) without using the coating film, and washed / removed with persulfuric acid.
It can be seen that the effect of removing foreign substances is greatly increased as compared with the case where the particles are removed. In addition, when compared with the treatment after the formation of the alkali-soluble coating film according to the present invention, it can be seen that the removal rate is further increased by dissolving and removing the coating film without exposing (unexposing) the coating film. This is because the dissolution time of the coating film (resist) is closely related to foreign matter removal.
That is, when the exposure is performed, the solubility of the positive resist in an alkaline aqueous solution changes due to the exposure, and the dissolution time of the coating film is shortened. This is because both the repulsive force from the substrate and the attractive force from above the coating film are reduced, and as a result, the effect of removing foreign substances is relatively weakened. However, according to the present invention, it is clear that even when the coating film of the positive resist is exposed, a significantly improved cleaning effect can be obtained as compared with the conventional cleaning method.

【0027】〔実施例2〕実施例1で塗布膜形成物質と
して使用したポジ型レジストに替えてネガ型レジスト
(シップレイ社製SAL−601)を使用して、同様の
実験を行った。この場合にも、実施例1と同様に、従来
の洗浄方法に比べ格段に向上した異物除去効果が得られ
た。
Example 2 A similar experiment was conducted using a negative resist (SAL-601 manufactured by Shipley) in place of the positive resist used as the coating film forming substance in Example 1. Also in this case, as in the first embodiment, a significantly improved foreign matter removing effect was obtained as compared with the conventional cleaning method.

【0028】これらの実施例では塗布膜の溶解除去にア
ルカリ性水溶液(現像液)をスプレーする方式を採用し
ているが、これ以外にも、例えば被処理レチクルをアル
カリ性水溶液中に浸すディップ方式等を同様に利用する
ことができる。このディップ方式を用いる場合、レチク
ルの両面(遮光膜形成面とその反対面)に塗布膜を形成
しておくことで両面の異物を同時に除去可能である。
In these embodiments, a method of spraying an alkaline aqueous solution (developer) for dissolving and removing the coating film is adopted. In addition, for example, a dipping method in which a reticle to be treated is immersed in an alkaline aqueous solution may be used. It can be used as well. When this dip method is used, foreign matter on both surfaces can be removed at the same time by forming a coating film on both surfaces of the reticle (the light-shielding film forming surface and the opposite surface).

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
異物の付着したレチクル表面に形成した塗布膜のアルカ
リ性水溶液での溶解除去中に発生する正負各イオンの拡
散現象を利用することで、レチクル表面とそこに付着し
ている異物との間に効率良く電気的斥力を発生させると
同時に、異物と塗布膜上層との間に電気的引力も発生さ
せることができる。これにより、従来の単なる有機ある
いは無機のアルカリ性水溶液を使用した洗浄では除去困
難であったレチクル上のサブミクロンサイズの異物の除
去効果が大幅に高まる。また、一旦レチクルを離れた異
物は基板表面と同符号(負)の電荷を持つため、除去後
に再びレチクル表面に付着することがない。従って、本
発明は、今後のますます微細化するパターンを持ったレ
チクルの製造工程において、レチクル製作手番の短縮と
信頼性の向上に寄与するところが大きい。
As described above, according to the present invention,
By utilizing the diffusion phenomenon of positive and negative ions generated during the dissolution and removal of the coating film formed on the reticle surface with foreign substances in an alkaline aqueous solution, the reticle surface can be efficiently placed between the reticle surface and the foreign substances adhering to it. Simultaneously with the generation of the electric repulsion, an electric attraction can be generated between the foreign matter and the upper layer of the coating film. This greatly enhances the effect of removing submicron-sized foreign matter on the reticle, which has been difficult to remove by conventional cleaning using a simple organic or inorganic alkaline aqueous solution. Further, the foreign matter that has once left the reticle has the same sign (negative) as that of the substrate surface, and therefore does not adhere to the reticle surface again after being removed. Therefore, the present invention greatly contributes to shortening the reticle manufacturing steps and improving the reliability in the manufacturing process of a reticle having a pattern that is increasingly miniaturized in the future.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の原理を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】本発明によるレチクル表面の異物除去の機構を
説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a mechanism for removing foreign matter from a reticle surface according to the present invention.

【図3】本発明の効果を示す実験結果のグラフである。FIG. 3 is a graph of an experimental result showing the effect of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…レチクル基板 2…遮光膜 3…レチクル基板上の異物 4…遮光膜上の異物 5…塗布膜 6…アルカリ性水溶液用ノズル 7…アルカリ性水溶液 8…回転台 9…レチクル 10…アルカリ性水溶液 11…基板 12…異物 13…塗布膜 REFERENCE SIGNS LIST 1 reticle substrate 2 light-shielding film 3 foreign matter on reticle substrate 4 foreign matter on light-shielding film 5 coating film 6 nozzle for alkaline aqueous solution 7 alkaline aqueous solution 8 turntable 9 reticle 10 alkaline aqueous solution 11 substrate 12 foreign matter 13 coating film

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レチクル表面にアルカリ可溶性の塗布膜
を形成し、この塗布膜をアルカリ性水溶液で溶解除去す
ることによりレチクル表面の異物を除去することを特徴
とするレチクルの異物除去方法。
1. A method for removing foreign matter on a reticle, comprising forming an alkali-soluble coating film on the reticle surface and removing the coating film by dissolving and removing the coating film with an alkaline aqueous solution.
【請求項2】 前記塗布膜をアルカリ可溶性のレジスト
材料により形成する、請求項1記載の方法。
2. The method according to claim 1, wherein said coating film is formed of an alkali-soluble resist material.
【請求項3】 前記塗布膜を前記レジスト材料のアルカ
リ性現像液で溶解除去する、請求項2記載の方法。
3. The method according to claim 2, wherein said coating film is dissolved and removed with an alkaline developer of said resist material.
【請求項4】 レチクル表面に形成した塗布膜を、これ
を溶解可能なアルカリ性水溶液と接触させる手段を含む
ことを特徴とするレチクルの異物除去装置。
4. An apparatus for removing foreign matter from a reticle, comprising means for bringing a coating film formed on the reticle surface into contact with an alkaline aqueous solution capable of dissolving the coating film.
【請求項5】 前記レチクルを載置して回転可能な手段
と、回転しているレチクルの全面に前記アルカリ性水溶
液を供給可能な手段とを含む、請求項4記載の装置。
5. The apparatus according to claim 4, further comprising means for mounting and rotating said reticle, and means for supplying said alkaline aqueous solution to the entire surface of said rotating reticle.
【請求項6】 前記塗布膜と前記アルカリ性水溶液との
接触手段が、当該アルカリ性水溶液を入れ、そして前記
塗布膜を形成したレチクルを浸漬可能な容器である、請
求項4記載の装置。
6. The apparatus according to claim 4, wherein the means for contacting the coating film with the alkaline aqueous solution is a container into which the alkaline aqueous solution can be put and in which the reticle on which the coating film is formed can be immersed.
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