JPH08144075A - Removal of foreign matter on metal and device therefor - Google Patents
Removal of foreign matter on metal and device thereforInfo
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- JPH08144075A JPH08144075A JP28489194A JP28489194A JPH08144075A JP H08144075 A JPH08144075 A JP H08144075A JP 28489194 A JP28489194 A JP 28489194A JP 28489194 A JP28489194 A JP 28489194A JP H08144075 A JPH08144075 A JP H08144075A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、メタル上の異物の除
去方法に関するものであり、より特定的には、メタル上
の異物除去性が向上し、かつ高歩留りな製品が得られる
ように改良された、メタル上の異物の除去方法に関す
る。この発明は、また、そのようなメタル上の異物の除
去方法を実現することのできる装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for removing foreign matters on a metal, and more specifically, to improve a foreign matter removing ability on a metal and to obtain a product with a high yield. To remove the foreign matter on the metal. The present invention also relates to an apparatus capable of realizing such a method of removing foreign matter on a metal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図３は、従来のＡｌ系配線の製造方法の
順序の各工程における半導体装置の断面図である。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor device in each step of the order of a conventional Al-based wiring manufacturing method.
【０００３】図３（ａ）を参照して、半導体基板１０の
上に酸化膜２が形成され、酸化膜２の上にＡｌ配線層３
１が形成されている。Ａｌ配線層３１の上に、Ａｌ配線
パターンを形成するための形状にパターニングされたレ
ジストパターン１１が設けられている。Referring to FIG. 3A, an oxide film 2 is formed on a semiconductor substrate 10, and an Al wiring layer 3 is formed on the oxide film 2.
1 is formed. A resist pattern 11 patterned into a shape for forming an Al wiring pattern is provided on the Al wiring layer 31.
【０００４】図３（ａ）と（ｂ）を参照して、レジスト
パターン１１をマスクにしてＡｌ配線層３１をパターニ
ングし、Ａｌ配線３を形成する。Referring to FIGS. 3A and 3B, the Al wiring layer 31 is patterned using the resist pattern 11 as a mask to form the Al wiring 3.
【０００５】図３（ｂ）と（ｃ）を参照して、レジスト
パターン１１を除去すると、酸化膜２の上にＡｌ配線３
が形成された、半導体装置が得られる。このとき、Ａｌ
配線の上に、異物１が残る。Referring to FIGS. 3B and 3C, when resist pattern 11 is removed, Al wiring 3 is formed on oxide film 2.
A semiconductor device in which is formed is obtained. At this time, Al
The foreign matter 1 remains on the wiring.
【０００６】従来、Ａｌ配線３の上の異物１の除去は、
純水洗浄によって行なわれていた。Conventionally, the removal of the foreign matter 1 on the Al wiring 3 is
It was performed by washing with pure water.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の、メタル上の異物の除去は、純水洗浄で行なわれてい
た。しかしながら、この方法だと、異物１の除去が完全
でなく、除去されないで残っている異物による配線ショ
ートや、断線の不具合が生じる。純水洗浄において、こ
のような問題点が生じるのは、純水は、メタルを全くエ
ッチングしないこと、および、純水は異物を溶解しない
ため、異物除去の性能が悪いことに起因する。As described above, conventional removal of foreign matter on a metal has been performed by pure water cleaning. However, with this method, the foreign matter 1 is not completely removed, and a wiring short circuit or a disconnection occurs due to the foreign matter remaining without being removed. The reason why such a problem occurs in the pure water cleaning is that the pure water does not etch the metal at all, and the pure water does not dissolve the foreign matter, and thus the performance of removing the foreign matter is poor.
【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、異物の除去を完全に行なうこと
ができるように改良された、メタル上の異物の除去方法
を提供することにある。The present invention has been made to solve the above problems, and provides an improved method for removing foreign matter on a metal so that the foreign matter can be completely removed. is there.
【０００９】この発明の他の目的は、メタルを許容され
る程度にエッチングし、異物を完全に除去できるように
改良された、メタル上の異物の除去方法を提供すること
にある。Another object of the present invention is to provide a method for removing foreign matter on a metal, which is improved so that the metal can be etched to an acceptable degree and the foreign matter can be completely removed.
【００１０】この発明のさらに他の目的は、異物を完全
に除去する方法において、メタルを極端にエッチングし
ないように改良された、メタル上の異物の除去方法を提
供することにある。Still another object of the present invention is to provide a method for completely removing foreign matter on a metal, which is improved so as not to extremely etch the metal.
【００１１】この発明のさらに他の目的は、異物を溶解
することによって、異物を完全に除去できるように改良
された、メタル上の異物の除去方法を提供することにあ
る。Still another object of the present invention is to provide a method for removing foreign matter on a metal, which is improved so that the foreign matter can be completely removed by melting the foreign matter.
【００１２】この発明のさらに他の目的は、異物を完全
に除去できるように改良された、メタル上の異物の除去
装置を提供することにある。Still another object of the present invention is to provide an apparatus for removing foreign matter on a metal, which is improved so that the foreign matter can be completely removed.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】この発明の第１の局面に
従うメタル上の異物の除去方法によれば、Ａｌ系配線が
形成されたウェハの表面を有機アルカリ系薬品を用いて
洗浄する。According to the method of removing foreign matter on metal according to the first aspect of the present invention, the surface of the wafer on which the Al-based wiring is formed is washed with an organic alkaline chemical.
【００１４】この発明の第２の局面に従う、メタル上の
異物の除去方法によれば、Ａｌ系配線が形成された基板
の表面を、Ａｌ系配線に対するエッチング速度を３００
Å／ｍｉｎ以下に制御した薬品を用いて洗浄する。According to the method of removing foreign matter on a metal according to the second aspect of the present invention, the etching rate of Al on the surface of the substrate on which Al-based wiring is formed is 300.
Clean with a chemical controlled to Å / min or less.
【００１５】この発明の第３の局面に従うメタル上の異
物の除去方法によれば、Ａｌ系配線が形成されたウェハ
の表面を温水を用いて洗浄する。According to the method of removing foreign matter on metal according to the third aspect of the present invention, the surface of the wafer on which the Al-based wiring is formed is washed with warm water.
【００１６】この発明の第４の局面に従う、メタル上の
異物の除去方法によれば、タングステン系配線が形成さ
れたウェハの表面を、希フッ化水素酸水溶液および希硝
酸からなる群より選ばれた洗浄剤を用いて洗浄する。According to the method for removing foreign matter on metal according to the fourth aspect of the present invention, the surface of the wafer on which the tungsten-based wiring is formed is selected from the group consisting of a dilute hydrofluoric acid aqueous solution and dilute nitric acid. Wash with a cleaning agent.
【００１７】この発明の第５の局面に従う、メタル上の
異物の除去装置は、ウェハを保持するウェハ保持用チャ
ックと、上記ウェハ保持用チャックを回転させる回転軸
と、上記ウェハに向けて有機系薬品を塗布する薬品塗布
ノズルと、を備える。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a device for removing foreign matter on a metal, which comprises a wafer holding chuck for holding a wafer, a rotating shaft for rotating the wafer holding chuck, and an organic system for the wafer. A chemical application nozzle for applying a chemical.
【００１８】[0018]
【作用】この発明の第１の局面に従うメタル上の異物の
除去方法によれば、Ａｌ系配線が形成されたウェハの表
面を有機アルカリ系薬品を用いて洗浄するので、異物を
溶解させることができる。また、アルミをエッチングし
て、異物を取れやすくすることができる。According to the method of removing foreign matter on a metal according to the first aspect of the present invention, since the surface of the wafer on which the Al-based wiring is formed is cleaned using an organic alkaline chemical, the foreign matter can be dissolved. it can. Further, it is possible to easily remove foreign matter by etching aluminum.
【００１９】この発明の第２の局面に従うメタル上の異
物の除去方法によれば、Ａｌ系配線が形成されたウェハ
の表面を、Ａｌ系配線に対するエッチング速度を３００
Å／分以下に制御した薬品を用いて洗浄するので、Ａｌ
配線の表面にダメージを与えない。According to the method of removing foreign matter on metal according to the second aspect of the present invention, the etching rate of Al-based wiring on the surface of the wafer on which Al-based wiring is formed is set to 300.
Since cleaning is performed using chemicals controlled to Å / min or less, Al
Does not damage the surface of the wiring.
【００２０】この発明の第３の局面に従う、メタル上の
異物の除去方法によれば、Ａｌ系配線が形成されたウェ
ハの表面を温水を用いて洗浄する。温水は、Ａｌ表面を
若干エッチングするので、異物が除去されやすくなる。According to the method of removing foreign matter on metal according to the third aspect of the present invention, the surface of the wafer on which the Al-based wiring is formed is washed with hot water. Since hot water slightly etches the Al surface, foreign matter is easily removed.
【００２１】この発明の第４の局面に従う、メタル上の
異物の除去方法によれば、タングステン系配線が形成さ
れたウェハの表面を、希フッ化水素酸水溶液および希硝
酸からなる群より選ばれた洗浄剤を用いて洗浄するの
で、異物が溶解し、かつ配線の表面を、若干エッチング
するので、異物が除去されやすくなる。According to the method for removing foreign matter on metal according to the fourth aspect of the present invention, the surface of the wafer on which the tungsten-based wiring is formed is selected from the group consisting of dilute hydrofluoric acid solution and dilute nitric acid. Since the foreign matter is dissolved and the surface of the wiring is slightly etched because the cleaning is performed using the cleaning agent, the foreign matter is easily removed.
【００２２】この発明の第５の局面に従う、メタル上の
異物の除去装置によれば、ウェハ保持用チャックを回転
させる回転軸を備えている。ウェハを回転させながら、
洗浄液をウェハに塗布するので、除去された異物が再び
ウェハに付着する可能性が小さくなる。According to the fifth aspect of the present invention, the apparatus for removing foreign matter on metal has a rotating shaft for rotating the wafer holding chuck. While rotating the wafer,
Since the cleaning liquid is applied to the wafer, it is less likely that the removed foreign matter will adhere to the wafer again.
【００２３】[0023]
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２４】実施例１ 図１は、実施例１に係る、Ａｌ系配線上の異物の除去方
法を示す、半導体装置の断面図である。半導体基板１０
の上に酸化膜２が設けられている。酸化膜２の上に、Ａ
ｌ配線３が設けられている。Ａｌ配線３とＡｌ配線３と
の間、およびＡｌ配線３の上には、異物１が付着してい
る。実施例１では、ウェハ１３が、有機アルカリ液１２
中に浸漬されている。ウェハ１３を有機アルカリ液に浸
漬することにより、異物１は有機アルカリ液１２中に溶
解する。また、有機アルカリ液は、Ａｌ配線３の表面を
エッチングして、異物１を取れやすくする。実施例１に
係る方法によって、異物１の除去性を向上させることが
できる。 Example 1 FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device showing a method for removing foreign matters on an Al-based wiring according to Example 1. As shown in FIG. Semiconductor substrate 10
An oxide film 2 is provided on the top surface. A on the oxide film 2
l wiring 3 is provided. The foreign matter 1 is attached between the Al wirings 3 and on the Al wirings 3. In the first embodiment, the wafer 13 is the organic alkaline liquid 12
It is immersed in. The foreign substance 1 is dissolved in the organic alkaline liquid 12 by immersing the wafer 13 in the organic alkaline liquid. Further, the organic alkaline liquid etches the surface of the Al wiring 3 to facilitate removal of the foreign matter 1. The method according to the first embodiment can improve the removability of the foreign matter 1.
【００２５】実施例２ 実施例１では、有機アルカリ液を用いる場合を例示した
が、本実施例では、Ａｌ配線３の表面にダメージを与え
ないように、アルミ配線３に対するエッチング速度を制
御した薬品を、有機アルカリ液１２の代わりに用いる。
本実施例で使用する薬品は、無機アルカリ、有機アルカ
リその他の薬品でもよいが、その濃度調節等を行なっ
て、アルミ配線３に対するエッチング速度が、３００Å
／分以下にしたものを用いることを特徴とする。 Example 2 In Example 1, the case where an organic alkaline solution was used was illustrated, but in this Example, a chemical agent in which the etching rate for the aluminum wiring 3 is controlled so as not to damage the surface of the Al wiring 3. Is used instead of the organic alkaline liquid 12.
The chemicals used in this embodiment may be inorganic alkalis, organic alkalis and other chemicals, but the concentration of the chemicals is adjusted so that the etching rate for the aluminum wiring 3 is 300Å.
It is characterized in that the material is used at a rate of not more than / minute.
【００２６】実施例３ 実施例２では、Ａｌ配線に対するエッチング速度が３０
０Å／分以下にした薬品を列挙した。本実施例では、具
体的に、ＴＭＡＨ（ポジ型レジスト現像液：テトラメチ
ルアンモニウムハイドロキシド）の数％水溶液を使用し
た。ＴＭＡＨの数％水溶液は、Ａｌ配線３に対するエッ
チング速度が３００Å／分以下であるので、Ａ配線３の
表面にダメージを与えない。 Example 3 In Example 2, the etching rate for Al wiring was 30.
The chemicals below 0 Å / min are listed. In this example, specifically, a several% aqueous solution of TMAH (positive resist developer: tetramethylammonium hydroxide) was used. A few% aqueous solution of TMAH does not damage the surface of the A wiring 3 because the etching rate for the Al wiring 3 is 300 Å / min or less.
【００２７】実施例４ 実施例１では、洗浄液として有機アルカリのみを使用す
る場合を例示したが、本実施例では、この有機アルカリ
薬品の中に、両性界面活性剤を混合させることを特徴と
する。両性界面活性剤の作用は、アルミ表面にこの両性
界面活性剤が吸着し、アルミ配線３のエッチングを抑制
する。また、除去された異物１の表面に界面活性剤が吸
着し、異物１がアルミ配線３の表面に再び付着するのを
防ぐという効果を奏する。 Example 4 In Example 1, the case where only the organic alkali was used as the cleaning liquid was illustrated, but in this Example, the amphoteric surfactant is mixed with the organic alkali chemical. . The action of the amphoteric surfactant is that the amphoteric surfactant is adsorbed on the aluminum surface and suppresses the etching of the aluminum wiring 3. Further, there is an effect that the surfactant is adsorbed on the surface of the removed foreign matter 1 and the foreign matter 1 is prevented from reattaching to the surface of the aluminum wiring 3.
【００２８】実施例５ 実施例１では、有機アルカリを洗浄液として用いる場合
を例示したが、本実施例では、洗浄液として温水を使用
する。温水はＡｌ配線３の表面を若干エッチングするの
で、異物１の除去を容易にする。 Example 5 In Example 1, the case where an organic alkali was used as a cleaning liquid was illustrated, but in this Example, warm water is used as the cleaning liquid. Since the hot water slightly etches the surface of the Al wiring 3, the foreign matter 1 can be easily removed.
【００２９】実施例６ 実施例１−５までの方法は、槽内に入れられた洗浄液
に、ウェハを浸漬して異物を除去する方法である。この
方法によると、ウェハ処理の枚数の増加とともに、薬品
が劣化し、また除去された異物が再び、ウェハ表面に付
着することがある。本実施例は、これを改良したもので
ある。図２は、本実施例を実現するための装置の概念図
である。洗浄装置は、ウェハ１３を保持するウェハ保持
用チャック４を備える。ウェハ保持用チャック４を、回
転軸６が回転させる。薬品塗布ノズル５が、ウェハ１３
に向けて有機系薬品を噴出する。この装置を用いると、
ウェハ１３に塗布される薬品は、ウェハごとに、同品質
のものとなる。また、ウェハ１３を回転させながら、洗
浄液を塗布するので、除去された異物が再びウェハ１３
に付着する可能性が小さくなる。 Example 6 The methods of Examples 1 to 5 are methods of removing foreign matters by immersing the wafer in the cleaning liquid placed in the bath. According to this method, as the number of wafers processed increases, the chemicals may deteriorate and the removed foreign matter may adhere to the wafer surface again. This embodiment is an improvement of this. FIG. 2 is a conceptual diagram of an apparatus for realizing this embodiment. The cleaning apparatus includes a wafer holding chuck 4 that holds the wafer 13. The rotation shaft 6 rotates the wafer holding chuck 4. The chemical coating nozzle 5 is the wafer 13
Eject organic chemicals toward. With this device,
The chemicals applied to the wafer 13 have the same quality for each wafer. Further, since the cleaning liquid is applied while the wafer 13 is rotated, the removed foreign matter is re-applied to the wafer 13 again.
Less likely to adhere to.
【００３０】実施例７ 実施例６では、塗布ノズル５から噴出させる薬品につい
て特定しなかったが、実施例１−５において用いた洗浄
液を適用しても、実施例６と同様の効果を実現する。 Example 7 In Example 6, the chemical sprayed from the coating nozzle 5 was not specified, but even if the cleaning liquid used in Examples 1-5 is applied, the same effect as that of Example 6 is realized. .
【００３１】実施例８ 実施例１では、Ａｌ系配線が形成されたウェハの表面を
洗浄する場合を例示したが、実施例８では、タングステ
ン系配線が形成されたウェハの表面を洗浄する方法に関
する。この方法では、希フッ化水素酸水溶液、希硝酸の
単一もしくは混合液で洗浄することを特徴とする。希フ
ッ化水素酸水溶液または希硝酸を用いることにより、異
物が溶解し、洗浄力が向上する。また、タングステン系
配線を少しエッチングするので、異物が除去されやすく
なる。 Example 8 In Example 1, the case of cleaning the surface of the wafer on which the Al-based wiring was formed was illustrated, but Example 8 relates to a method of cleaning the surface of the wafer on which the tungsten-based wiring is formed. . This method is characterized by cleaning with a dilute hydrofluoric acid aqueous solution or a dilute nitric acid single or mixed solution. By using dilute hydrofluoric acid aqueous solution or dilute nitric acid, foreign matters are dissolved and the cleaning power is improved. Further, since the tungsten-based wiring is slightly etched, foreign matter is easily removed.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の第１の
局面に従う、メタル上の異物の除去方法によれば、Ａｌ
系配線が形成されたウェハの表面を有機アルカリ系薬品
を用いて洗浄するので、異物が有機アルカリ系薬品中に
溶解する。また、有機アルカリ系薬品はアルミをエッチ
ングして、異物を取れやすくする。その結果、異物の除
去性を向上させるという効果を奏する。As described above, according to the method for removing foreign matter on a metal according to the first aspect of the present invention, Al
Since the surface of the wafer on which the system wiring is formed is washed with the organic alkaline chemical, foreign matters are dissolved in the organic alkaline chemical. In addition, organic alkaline chemicals etch aluminum to facilitate removal of foreign matter. As a result, there is an effect that the removability of foreign matter is improved.
【００３３】この発明の第２の局面に従う、メタル上の
異物の除去方法によれば、Ａｌ系配線が形成されたウェ
ハの表面を、Ａｌ系配線に対するエッチング速度を３０
０Å／分以下に制御した薬品を用いて洗浄するので、Ａ
ｌ配線の表面にダメージを与えないという効果を奏す
る。According to the method for removing foreign matter on a metal according to the second aspect of the present invention, the etching rate of the surface of the wafer on which the Al-based wiring is formed is 30 with respect to the Al-based wiring.
As cleaning is performed using chemicals controlled to 0Å / min or less, A
This has the effect of not damaging the surface of the l-wiring.
【００３４】この発明の第３の局面に従う、メタル上の
異物の除去方法によれば、Ａｌ系配線が形成されたウェ
ハの表面を温水を用いて洗浄する。温水は、Ａｌ表面を
若干エッチングするので、異物が除去されやすくなる。According to the method of removing foreign matter on metal according to the third aspect of the present invention, the surface of the wafer on which the Al-based wiring is formed is washed with warm water. Since hot water slightly etches the Al surface, foreign matter is easily removed.
【００３５】この発明の第４の局面に従う、メタル上の
異物の除去方法によれば、タングステン系配線が形成さ
れたウェハの表面を、希フッ化水素酸水溶液および希硝
酸からなる群より選ばれた洗浄剤を用いて洗浄する。こ
れらの薬品は、異物を溶解し、かつタングステンをわず
かにエッチングするので、異物が除去されやすくなると
いう効果を奏する。According to the method for removing foreign matter on metal according to the fourth aspect of the present invention, the surface of the wafer on which the tungsten-based wiring is formed is selected from the group consisting of dilute hydrofluoric acid solution and dilute nitric acid. Wash with a cleaning agent. These chemicals dissolve foreign matters and slightly etch tungsten, so that the foreign matters are easily removed.
【００３６】この発明の第５の局面に従う、メタル上の
異物の除去装置によれば、ウェハ保持用チャックを回転
させる回転軸を備えているので、ウェハを回転させなが
ら、洗浄液を塗布することができる。その結果、除去さ
れた異物が、再びウェハに付着する可能性が小さくなる
という効果を奏する。According to the apparatus for removing foreign matters on metal according to the fifth aspect of the present invention, since the rotary shaft for rotating the wafer holding chuck is provided, the cleaning liquid can be applied while rotating the wafer. it can. As a result, the removed foreign matter is less likely to adhere to the wafer again.
【図１】 本発明の実施例１に係る方法を示す、半導体
装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device showing a method according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 実施例６に係る方法を実現するための装置の
概略図である。2 is a schematic diagram of an apparatus for implementing the method according to Example 6. FIG.
【図３】 従来の、Ａｌ系配線を形成する方法の各工程
における半導体装置の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor device in each step of a conventional method for forming Al-based wiring.
１ 異物、２ 酸化膜、３ Ａｌ配線、１２ 有機アル
カリ液、１３ ウェハ。1 foreign material, 2 oxide film, 3 Al wiring, 12 organic alkaline solution, 13 wafers.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 Ｍ 21/308 Ｇ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01L 21/304 M 21/308 G
Claims (8)
有機アルカリ系薬品を用いて洗浄する、メタル上の異物
の除去方法。1. A method of removing foreign matter on a metal, wherein the surface of a wafer on which Al-based wiring is formed is washed with an organic alkaline chemical.
Ａｌ系配線に対するエッチングレートを３００Å／分以
下に制御した薬品を用いて洗浄する、メタル上の異物の
除去方法。2. The surface of the substrate on which the Al-based wiring is formed,
A method of removing foreign matter on a metal, which is cleaned by using a chemical whose etching rate for Al-based wiring is controlled to 300 Å / min or less.
ルアンモニウムヒドロキシドの数％水溶液を含む、請求
項１に記載の、メタル上の異物の除去方法。3. The method for removing foreign matter on a metal according to claim 1, wherein the organic alkaline chemical contains a few% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide.
性剤を添加する、請求項１に記載のメタル上の異物の除
去方法。4. The method for removing foreign matter on a metal according to claim 1, wherein an amphoteric surfactant is added to the organic alkaline chemical.
アルカリ系薬品を前記ウェハの上に塗布することによっ
て、前記洗浄を行なう、請求項１〜４に記載のメタル上
の異物の除去方法。5. The method of removing foreign matter on a metal according to claim 1, wherein the cleaning is performed by applying the organic alkaline chemical onto the wafer while rotating the wafer.
温水を用いて洗浄する、メタル上の異物の除去方法。6. A method of removing foreign matter on a metal, which comprises cleaning the surface of a wafer on which Al-based wiring is formed with hot water.
の表面を、希フッ化水素酸水溶液および希硝酸からなる
群より選ばれた洗浄剤を用いて洗浄する、メタル上の異
物の除去方法。7. A method for removing foreign matter on a metal, which comprises cleaning the surface of a wafer on which a tungsten-based wiring is formed, with a cleaning agent selected from the group consisting of dilute hydrofluoric acid aqueous solution and dilute nitric acid.
と、 前記ウェハ保持用チャックを回転させる回転軸と、 前記ウェハに向けて有機系薬品を塗布する薬品塗布ノズ
ルと、を備えた、メタル上の異物の除去装置。8. A metal holding device comprising: a wafer holding chuck for holding a wafer; a rotating shaft for rotating the wafer holding chuck; and a chemical coating nozzle for coating an organic chemical on the wafer. Foreign matter removal device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28489194A JPH08144075A (en) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | Removal of foreign matter on metal and device therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28489194A JPH08144075A (en) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | Removal of foreign matter on metal and device therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08144075A true JPH08144075A (en) | 1996-06-04 |
Family
ID=17684383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28489194A Pending JPH08144075A (en) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | Removal of foreign matter on metal and device therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08144075A (en) |
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| JP2000208466A (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Method and apparatus for treating substrate |
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1994
- 1994-11-18 JP JP28489194A patent/JPH08144075A/en active Pending
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