JPH10282513A

JPH10282513A - 電極基板の製造方法及び液晶表示素子

Info

Publication number: JPH10282513A
Application number: JP8800097A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Kabe; 正章加邉; Masami Kido; 政美城戸; Hisashi Akiyama; 久秋山
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-04-07
Filing date: 1997-04-07
Publication date: 1998-10-23

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、短時間で簡素な工程により、低抵
抗電極に電気的に接触した透明電極が形成可能ように低
抵抗電極とその間の絶縁層との高さが一致した平坦面と
なる電極基板の製造方法及び液晶表示素子を提供するこ
とを目的としている。【解決手段】基板１上に複数の電極２が配置されて成
る電極基板の製造方法において、基板１上に複数の電極
２を形成した後、基板１の電極２形成面に絶縁物質を塗
布し、電極２上面をスキージ５で擦動することにより電
極２間に絶縁物質を充填する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子等に
用いられる電極基板の製造方法及び液晶表示素子に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示素子の大画面化が進んで
おり、それを構成する電極基板において、従来のＩＴＯ
透明電極のみを用いた電極としたものでは、配線抵抗が
大きくなり、印加信号の遅延や減衰などの問題が生じて
しまった。そこで、図１１に示されるような構造の電極
基板１００が提案されている。それは、基板１０１上に
金属等から成る低抵抗電極１０２とそれらの間に絶縁層
１０６を配置し、それらの上に透明電極１０８を低抵抗
電極１０２に接続するように配置した構造とすることに
より、電極の低抵抗化を図って、上記のような問題点を
解決しようとするものである（特開平２−６３０１９号
公報参照）。ところが、図１１に示されるような構造の
電極基板１００では、低抵抗電極１０２とそれらの間の
絶縁層１０６との高さが異なり、スルーホールを設けた
場合、そのスルーホール部で段差が生じてしまい、液晶
表示素子に用いたものでは液晶材料の配向状態や特性に
悪影響を及ぼした。

【０００３】そこで、図１１の構造に類似した電極基板
を改良する製造方法として、図１２に示すようなもの
が、特開平８−７６１３４号公報に記載されている。そ
れは、ガラス基板１１１上に金属層１１２ａを成膜した
後（図１２（ａ））、フォトリソグラフィ法によりパタ
ーン化して金属電極１１２を形成し（図１２（ｂ））、
その金属電極１１２形成面を平滑型１１０上に滴下され
たＵＶ硬化樹脂１１６に真空下で押圧し（図１２
（ｃ））、大気圧にて押圧した状態でガラス基板１１１
の裏面から紫外線を照射することによってＵＶ硬化樹脂
１１６を硬化させ（図１２（ｄ））、ガラス基板１１１
を分離させた後（図１２（ｅ））、金属電極１１２上に
透明電極１１７を形成するものである（図１２
（ｆ））。これは、このような製造工程とすることによ
り、金属電極１１２及びＵＶ硬化樹脂１１６により形成
される面を平滑とし、スルーホール等の形成を不要にし
ている。

【０００４】この他には、ＳｉＯ₂非晶質膜の液体析出
成膜法（Liquid Phase Depositio：ＬＰＤ法）を用いた
ものが、J.Electrochem.Soc.:SOLID-STATE SCIENCE AND
THECHNOLOGY,Vol.135,No.8,pp.2013-2016(1988)に提案
されている。これは、珪弗化水素酸溶液（Ｈ₂ＳｉＦ₆：
ＨＦ）を用い、その溶液の化学的平衡状態をＳｉＯ₂の
析出側に移動させて、ＳｉＯ₂非晶質膜を成膜するとい
うものである。図１３を用いて、具体的に説明すると、
ガラス基板１２１上に電極膜１２２を成膜し（図１３
（ａ））、その電極膜１２２をフォトリソグラフィ法に
よりパターニングしてそのとき使用したフォトレジスト
１２３を残しておき（図１３（ｂ））、上記のＬＰＤ法
により電極膜１２２のパターンの間にＳｉＯ₂１２６を
析出させた後（図１３（ｃ））、電極膜１２２上のフォ
トレジスト１２３を剥離するというものである。この製
造方法によれば、電極膜１２２と同じ高さのＳｉＯ₂膜
１２６を形成することができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では以下のような問題がある。上記の特開平８−
７６１３４号公報に記載されたものでは、金属電極１１
２が形成されたガラス基板をＵＶ硬化樹脂１１６が滴下
された平滑型１１０に押圧する工程を真空中で行うもの
であり、従って真空装置や押圧するためのプレス機等の
複雑な装置が必要となり、製造コストの増大の原因とな
る。

【０００６】また、J.Electrochem.Soc.:SOLID-STATE S
CIENCE AND THECHNOLOGY,Vol.135,No.8,pp.2013-2016(1
988)に記載されたものでは、ＬＰＤ法を用いてＳｉＯ₂
非晶質膜１２６を形成するものであるので、電極膜１２
２を成す金属材料に耐ＨＦ性が要求されるばかりでな
く、更にＳｉＯ₂非晶質膜１２６の成膜時間も非常に長
時間を要し、これもやはり製造コストの増大の原因とな
る。

【０００７】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであって、短時間で簡素な工程によ
り、低抵抗電極に電気的に接触した透明電極が形成可能
ように低抵抗電極とその間の絶縁層との高さが一致した
平坦面となる電極基板の製造方法及び液晶表示素子を提
供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１に記載の発明では、基板上に複数の電極が
配置されて成る電極基板の製造方法において、基板上に
複数の電極を形成した後、その透明基板の電極形成面に
絶縁物質を塗布し、その電極上面をスキージで擦動する
ことにより電極間に絶縁物質を充填することとしてい
る。

【０００９】請求項１に記載の発明によれば、基板上に
形成された電極間に、スキージ法を用いて絶縁物質を充
填して形成しているので、簡便な工程により電極と絶縁
物質との高さをほぼ一致させることができる。したがっ
て、この製造方法により液晶表示素子に用いる電極基板
を製造する場合には、電極と絶縁物質との高さがほぼ均
一となるので、スルーホール等を設けた場合、電極表面
と絶縁物質表面との段差がほとんどなく、液晶材料の配
向状態や特性に悪影響を及ぼすことなく良好な表示特性
を得ることができる。

【００１０】これらの上部に透明電極を形成することが
可能となる。

【００１１】すなわち、請求項１に記載の発明では、具
体的には以下のような一例の工程により、スキージ法に
よる電極間の絶縁物質を形成して、電極と絶縁物質との
高さを揃えるものである。

【００１２】まず、スパッタ法やメッキ法等により、基
板全面に金属膜を形成し、その後、基板上にフォトレジ
スト工程によって金属電極を形成する。このとき、電極
の形状は、曲線でもかまわないが、液晶表示素子に用い
る場合には直線のストライプ状が好ましい。

【００１３】その基板の電極形成面に、絶縁物質である
樹脂材料を、全面又は一部に滴下塗布した後、スキージ
によって一方向から基板を擦動する。このときのスキー
ジの擦動方向は、いずれの方向でもかまわない。また、
ここで用いるスキージの構造、形状、硬さなどは、絶縁
物質として用いる樹脂材料により適宜調整されるもので
ある。

【００１４】その後、絶縁物質である樹脂材料の種類に
応じて、紫外線硬化や熱硬化の工程を施すことにより、
電極間に電極の高さとほぼ同じ高さで絶縁層（樹脂層）
を形成することができる。

【００１５】さらに、請求項２に記載の発明では、上記
の電極基板の製造方法において、絶縁性物質が樹脂材料
から成ることとしている。

【００１６】請求項２に記載の発明によれば、絶縁物質
として樹脂材料を用いることにより、例えば紫外線硬化
性のものであれば紫外線照射により、熱硬化性のもので
あれば加熱処理によるなど、容易に電極間の絶縁層を形
成することができる。

【００１７】さらに、請求項３に記載の発明では、上記
の電極基板の製造方法において、絶縁物質が紫外感光性
樹脂材料から成り、絶縁物質の電極間への充填の後、紫
外線を用いた背面露光又はマスク露光によって電極間の
絶縁物質である樹脂のみを硬化させ、電極上の未硬化の
絶縁物質である樹脂を溶剤により除去することとしてい
る。

【００１８】請求項３に記載の発明によれば、電極間で
なく電極上に形成される余分な絶縁物質を容易に除去で
き、これにより平坦化された電極及び絶縁物質の上部に
透明電極を形成することが可能となる。

【００１９】また、請求項４に記載の発明では、上記の
電極基板の製造方法において、絶縁物質の電極間への充
填の後、前記電極上の絶縁物質を研磨工程により取り除
くこととしている。

【００２０】請求項４に記載の発明によれば、電極間で
なく電極上に形成される余分な絶縁物質を容易に除去で
き、これにより平坦化された電極及び絶縁物質の上部に
透明電極を形成することが可能となる。

【００２１】また、請求項５に記載の発明では、上記の
電極基板の製造方法において、絶縁物質の電極間への充
填の後、電極上の絶縁物質を逆スパッタ工程により取り
除くこととしている。

【００２２】請求項５に記載の発明によれば、電極間で
なく電極上に形成される余分な絶縁物質を容易に除去で
き、これにより平坦化された電極及び絶縁物質の上部に
透明電極を形成することが可能となる。

【００２３】また、請求項６に記載の発明では、上記の
電極基板の製造方法において、電極の形状がストライプ
状であることとしている。

【００２４】請求項６に記載の発明によれば、電極形状
をストライプ状とすることにより、液晶表示素子を構成
する電極基板として用いることができる。

【００２５】また、請求項７に記載の発明では、絶縁物
質の充填工程に用いるスキージの表面が、シリコンラバ
ー又はフッ素加工樹脂で覆われていることとしている。

【００２６】請求項７に記載の発明によれば、表面がシ
リコンラバー又はフッ素加工樹脂で覆われたスキージを
用いることにより、より確実に、電極と絶縁物質との高
さを同程度に形成することができる。

【００２７】また、請求項８に記載の発明では、上記の
電極基板の製造方法により製造された電極基板から構成
される液晶表示素子であって、電極が金属材料から成る
低抵抗電極であり、その電極に接続された透明電極が設
けられた電極基板から構成している。

【００２８】請求項８に記載の発明によれば、上記のよ
うにして製造された電極基板の電極形成面上に、容易に
ＩＴＯ等から成る透明電極を形成することができ、さら
に、電極材料に金属を用いることにより低抵抗電極と
し、その低抵抗電極に接続された透明電極を配置した電
極基板とすることによって、液晶表示素子を構成するこ
とができるので、液晶表示素子の大面積化を実現するこ
とが可能となる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形
態の電極基板の製造方法における電極形成工程を説明す
るための要部断面図である。

【００３０】第１の実施形態では、まず、膜厚３００Å
のＩＴＯが形成され一辺が１０ｃｍのガラス基板１上
に、スパッタ法により、厚さ２μｍのＣｕ膜２ａを形成
し（図１（ａ））した。ここで、ＩＴＯ付きのガラス基
板１を用いたのは、Ｃｕ膜２ａとの密着性を向上させる
ものである。また、このときのＣｕ膜２ａの成膜工程
は、１μｍずつ２回の成膜工程により、全体として２μ
ｍのＣｕ膜２ａを形成した。なお、このＣｕ膜２の形成
において、２回の成膜工程としたのは、１回の成膜工程
で２μｍの膜厚形成するのが困難であったためであり、
１回の工程で容易に形成できる場合は１回の成膜工程で
行っても良い。

【００３１】このＣｕ膜の上に、フォトレジスト３ａ
（東京応化株式会社製ＯＦＰＲ−８００）をスピンコー
ト法により塗布し、ストライプ状のマスク４を用いて紫
外線（ＵＶ）により露光し（図１（ｂ））、これを現像
した（図１（ｃ））。このフォトレジストパターン３を
用いて、リン酸系のエッチング溶液によりＣｕ膜２ａの
エッチングを行った後にシュウ酸によりＩＴＯのエッチ
ングを行い（図１（ｄ））、その後にフォトレジストパ
ターン３を剥離することにより（図１（ｅ））、ストラ
イプ状のＣｕ電極２を形成した。

【００３２】このようにして、ガラス基板１上に形成し
たＣｕ電極２の形状は、図２の斜視図に示すようなもの
であり、本実施形態では、Ｃｕ電極２の幅が１０μｍで
Ｃｕ電極２の間隔が１００μｍの基板を作製した。

【００３３】次に、以下のようにして、上記基板に電極
間の絶縁層の形成を行った。まず、上記のＣｕ電極２が
形成されたガラス基板１の全面に、紫外線硬化性の樹脂
（日本合成ゴム株式会社製ＳＰ１）を滴下塗布し、その
上面でスキージを擦動させて、樹脂材料の充填を行っ
た。

【００３４】ここで、本実施形態で用いたスキージにつ
いて説明する。本実施形態で用いたスキージは、その要
部断面図である図３に示すように、ウレタン材のケンス
キージ５ａの表面に被覆材５ｂが巻かれたものを使用し
た。なお、本実施形態では被覆材５ｂとして厚さ０．５
μｍのシリコンラバーを用いたが、シリコンラバーの代
わりに、フッ素加工樹脂を用いて良い。また、図３に示
したような構造のスキージ５の擦動時の移動方向は、図
４の斜視図に示すようなストライプ状のＣｕ電極２に平
行な方向と、Ｃｕ電極２に垂直な方向の２方向で行っ
た。そして、このときのスキージ５に加える圧力は６ｋ
ｇで、スキージ５の移動スピードは３００ｍｍ／ｓとし
た。

【００３５】その後の紫外線照射によるＣｕ電極間２の
樹脂の硬化について、図５を用いて説明する。上記のよ
うにしてＣｕ電極間２に充填された樹脂６ａを硬化させ
るため、図５（ａ）に示すような背面露光、又は図５
（ｂ）に示すようなマスク４’を用いて露光を行った。
このとき、基板を窒素雰囲気下に配置し、照射量５００
Ｊ／ｃｍ²の紫外線露光により、樹脂６ａの硬化を行っ
た。この紫外線露光により、Ｃｕ電極２間の樹脂のみが
硬化し、Ｃｕ電極２上の樹脂が未露光となり、この状態
で溶剤ＮＭＰにこの基板を浸すことにより、Ｃｕ電極２
上の未露光の樹脂のみが除去され、図６の要部断面図に
示すように、絶縁層６がＣｕ電極２間に平坦化されて形
成された。

【００３６】また、図５に示したような背面露光又はマ
スク露光と未露光樹脂の除去を行わず、スキージによる
電極間への樹脂の充填後にそのまま樹脂を硬化させてか
ら、電極上の樹脂を除去する以下の２つの方法によって
も、電極間に平坦化された絶縁層の形成が可能であっ
た。

【００３７】その一つは、研磨工程を用いたものであ
る。上記のようなスキージによる電極間への樹脂の充填
後、この基板を窒素雰囲気下で、照射量５００Ｊ／ｃｍ
²の紫外線露光を行い、樹脂を硬化させたところ、図７
に示すように、Ｃｕ電極２上に余分な硬化樹脂層６ｂが
２０００Åが残留した。この残留した硬化樹脂層６ｂを
除去するため、研磨工程を施すことにより、前述の図６
の要部断面図と同様に絶縁層６がＣｕ電極２間に平坦化
され、全面平坦化することができた。

【００３８】もう一つの方法は、逆スパッタ工程を用い
たものである。まず、同様に上記のようなスキージによ
る電極間への樹脂を充填して樹脂硬化を行った後に残留
した図７のようなＣｕ電極２上の余分な硬化樹脂層６ｂ
のみを露出するように、図８に示すようにレジスト３’
を形成した。このレジストの形成は、上記と同様にフォ
トレジスト塗布とマスク露光により形成したものであ
る。次に、このレジスト３’の上部から、酸素プラズマ
によって逆スパッタを行うことにより、前述の図６の要
部断面図と同様に、全面平坦化することができた。な
お、ここでは逆スパッタの際に余分な硬化樹脂層６ｂ上
にレジスト３’を形成したが、このようなレジストを形
成せずＣｕ電極２に電圧を印加することによりＣｕ電極
２上の硬化樹脂層６ｂのみを逆スパッタすることも可能
である。その際、Ｃｕ電極２印加する電圧の極性は、そ
の時に用いるプラズマの逆の極性とすれば良い。

【００３９】次に、以上のような３つの方法により全面
平坦化された電極基板上を用いて、液晶表示素子用電極
基板を作製した。すなわち、図６の要部断面図に示すよ
うな全面平坦化された電極基板上の電極形成面全面に、
ＩＴＯ膜を厚さ１０００Åとなるようにスパッタ法によ
り成膜し、その上にフォトレジストをスピンコート法に
より塗布した後、マスク露光し、現像し、更にＨＢｒに
よるエッチングをした後、ＩＴＯ膜の不要部分を剥離さ
せることにより透明電極７を形成し、図９に示すような
液晶表示素子用の電極基板を作製した。

【００４０】次いで、図９に示すような電極基板を用い
た液晶表示素子について、その概略構造を示す要部断面
図である図９を用いて説明する。まず、図９に示すよう
な電極基板上に、膜厚７００Åの絶縁膜８（日産化学株
式会社製Ａ−２０１４）を形成した。なお、本実施形態
での絶縁膜８は、絶縁膜原料溶液をスピンコート法によ
り塗布した後、プリベークをホットプレーと上で６０℃
３分間、本ベークを２００℃９０分間行うことにより形
成した。また、この絶縁層８の形成方法としては、この
他に、ロールコート法や蒸着法等を用いることができ
る。

【００４１】その後、絶縁膜８上に、Jals212-R2：ACT-
608＝１：２の比で（いずれも日本合成株式会社製）の
比率とした配向膜原料溶液をスピンコートした後、プリ
ベークをホットプレート上で８０℃３分間、本ベークを
１８０℃９０分間行うことにより、配向膜９を形成し
た。

【００４２】そして、下記の条件でラビングを行った。

【００４３】ローラーの直径：１５０ｍｍローラーの回転数：５００ｒｐｍステージの送り速度：１０ｍｍ／ｓ繰り返し回数：３回布の押し込み量：０．２ｍｍそして、上記のものと同様にして、ガラス基板１’上
に、ストライプ状のＣｕ電極２’、Ｃｕ電極２’間の絶
縁層（図示なし）、透明電極７’、絶縁膜８’、及びラ
ビング処理された配向膜９’が形成された対向基板を作
製した。これらの基板間に、１．０〜１．４μｍのスペ
ーサ１１を散布して、配向膜９及び配向膜９’のそれぞ
れのラビング方向が同一となるように、図９に示すよう
に上記の一対の基板を張り合わせて、セルを作製した。
なお、ここで、Ｃｕ電極２とＣｕ電極２’とは、図１０
に示すように、直交しているものである。また、スペー
サ１０は、ビーズ状のものの他、ポリイミドやアクリル
等から成る柱状のものでも良い。

【００４４】このように作製したセルに、ネマチック液
晶（メルク社製Ｅ８）、又は強誘電性液晶（メルク社製
ＳＣＥ８）のいずれか１種類を注入して、２種類の液晶
表示素子を作製した。

【００４５】上記の２種類のいずれの液晶表示素子にお
いても、良好な配向が得られた。さらに、透明電極のみ
で金属配線を行っていない電極基板から構成された液晶
表示素子で生じていた電極への印加信号のなまりが、本
実施形態の液晶表示素子の出力端ではほどんど発生しな
かった。

【００４６】以上のように、本実施形態によれば、電極
に接続された金属配線が設けられた電極基板を、簡素な
工程で容易に製造できることが可能となり、これを用い
て印加信号の遅延や減衰などが生じない液晶表示素子を
構成することができた。

【００４７】

【発明の効果】以上のように、本発明の電極基板の製造
方法によれば、基板上に電極を形成した後に、絶縁物質
をスキージ法という簡素な方法によって充填することに
よって、電極とその間の絶縁層との段差をなくして平坦
化することが可能となる。

【００４８】これによって、その上に透明電極を形成し
ても、容易に電極と透明電極との電気的接触をとること
ができる。すなわち、短時間で簡素な工程により、低抵
抗電極に電気的に接触した透明電極が形成可能ように低
抵抗電極とその間の絶縁材との高さが一致した平坦面と
なる電極基板を容易に製造することが可能となる。

【００４９】さらに、本発明の電極基板の製造方法によ
れば、基板上に電極を形成してから、絶縁物質である感
光性樹脂をスキージ法によって充填した後に、残留した
電極上の樹脂を、背面露光又はマスク露光の後に溶剤に
浸して除去することによって、更に電極とその間の絶縁
層との段差をなくして平坦化できる。したがって、その
上に透明電極を形成しても、容易に電極と透明電極との
電気的接触をとることができる。すなわち、低抵抗電極
に電気的に接触した透明電極が形成可能ように低抵抗電
極とその間の絶縁材との高さが一致した平坦面となる電
極基板を容易に製造することが可能となる。

【００５０】また、本発明の電極基板の製造方法によれ
ば、基板上に電極を形成してから、絶縁物質である硬化
性樹脂をスキージ法によって充填して硬化させた後に、
残留した電極上の樹脂を、研磨又は逆スパッタにより除
去することによって、更に電極とその間の絶縁層との段
差をなくして平坦化できる。したがって、その上に透明
電極を形成しても、容易に電極と透明電極との電気的接
触をとることができる。すなわち、低抵抗電極に電気的
に接触した透明電極が形成可能ように低抵抗電極とその
間の絶縁材との高さが一致した平坦面となる電極基板を
容易に製造することが可能となる。

【００５１】そして、このような製造方法により製造さ
れた電極基板から構成される本発明の液晶表示素子によ
れば、印加信号のなまり、即ち遅延や減衰などが生じな
い液晶表示素子を容易に実現することができ、液晶表示
素子の大画面化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施形態の電極基板の製造におけ
る電極形成工程を説明するための要部断面図である。

【図２】実施形態において基板上にストライプ状電極を
形成したときの概略構造を示す要部斜視図である。

【図３】実施形態において樹脂の充填に用いたスキージ
の概略構造を示す要部断面図である。

【図４】実施形態におけるスキージの擦動について説明
するための要部斜視図である。

【図５】実施形態においてスキージの擦動後にＣｕ電極
間の樹脂のみを硬化させるための露光をようすを示し、
（ａ）は背面露光のものを示し、（ｂ）はマスク露光の
ものを示す要部断面図である。

【図６】図５の露光後に不要な樹脂を溶剤により除去し
た後の電極基板の概略構造を示す要部断面図である。

【図７】実施形態においてスキージの擦動による樹脂の
充填後の概略構造を示す要部断面図である。

【図８】実施形態においてスキージの擦動後に残留した
余分な硬化樹脂層を逆スパッタにより除去するためのレ
ジストを形成したときの概略構造を示す要部断面図であ
る。

【図９】実施形態の電極基板上に透明電極を形成したと
きの概略構造を示す要部断面図である。

【図１０】図１０の電極基板を用いて液晶表示素子を製
造する過程でのセルの概略構造を示す要部断面図であ
る。

【図１１】従来の電極基板の概略構造を示す要部断面図
である。

【図１２】従来の電極基板の製造工程を説明するための
要部断面図である。

【図１３】従来の電極基板の製造工程を説明するための
要部断面図である。

【符号の説明】

１，１’ 基板２，２’ 電極３，３’ レジスト４，４’ フォトマスク５スキージ５ａケンスキージ５ｂ被覆材６絶縁層６ａ樹脂６ｂ硬化樹脂層７，７’ 透明電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に複数の電極が配置されて成る電
極基板の製造方法において、基板上に複数の電極を形成した後、該基板の電極形成面
に絶縁物質を塗布し、該電極上面をスキージで擦動する
ことにより電極間に絶縁物質を充填することを特徴とす
る電極基板の製造方法。
【請求項２】前記絶縁物質が樹脂材料から成ることを
特徴とする請求項１に記載の電極基板の製造方法。
【請求項３】前記絶縁物質が紫外感光性樹脂材料から
成り、前記絶縁物質の電極間への充填の後、紫外線を用
いた背面露光又はマスク露光によって電極間の絶縁物質
である樹脂のみを硬化させ、電極上の未硬化の絶縁物質
である樹脂を溶剤により除去することを特徴とする請求
項１又は２に記載の電極基板の製造方法。
【請求項４】前記絶縁物質の電極間への充填の後、前
記電極上の絶縁物質を研磨工程により取り除くことを特
徴とする請求項１又は２に記載の電極基板の製造方法。
【請求項５】前記絶縁物質の電極間への充填の後、前
記電極上の絶縁物質を逆スパッタ工程により取り除くこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の電極基板の製造
方法。
【請求項６】前記電極の形状がストライプ状であるこ
とを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の
極基板の製造方法。
【請求項７】前記絶縁物質の充填工程に用いるスキー
ジの表面が、シリコンラバー又はフッ素加工樹脂で覆わ
れていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１
項に記載の電極基板の製造方法。
【請求項８】請求項１から７のいずれか１項に記載の
電極基板の製造方法により製造された電極基板から構成
される液晶表示素子であって、前記電極が金属材料から成る低抵抗電極であり、該電極
に接続された透明電極が設けられた電極基板から構成さ
れることを特徴とする液晶表示素子。