JPH1027790A - Ｃｖｄ設備における排ガス流路内の固形物付着防止方法 - Google Patents
Ｃｖｄ設備における排ガス流路内の固形物付着防止方法Info
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- JPH1027790A JPH1027790A JP18254196A JP18254196A JPH1027790A JP H1027790 A JPH1027790 A JP H1027790A JP 18254196 A JP18254196 A JP 18254196A JP 18254196 A JP18254196 A JP 18254196A JP H1027790 A JPH1027790 A JP H1027790A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ設備における圧力調整バルブ内に塩化
アンモニウム固形物が付着するのを防止する方法を提供
する。 【解決手段】 ＣＶＤ設備１７内の圧力調整バルブ２６
にバルブ内部の温度を制御するためのヒーター３１を設
け、バルブ内部の雰囲気温度が１００〜１５０℃の範囲
となるように制御する。これにより、弁開度を小さくし
て例えば雰囲気内圧力が１００mmHg程度に低下した場合
でも、塩化アンモニウムの固化が生じることがない。
アンモニウム固形物が付着するのを防止する方法を提供
する。 【解決手段】 ＣＶＤ設備１７内の圧力調整バルブ２６
にバルブ内部の温度を制御するためのヒーター３１を設
け、バルブ内部の雰囲気温度が１００〜１５０℃の範囲
となるように制御する。これにより、弁開度を小さくし
て例えば雰囲気内圧力が１００mmHg程度に低下した場合
でも、塩化アンモニウムの固化が生じることがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ設備におけ
る排ガス流路内の固形物付着防止方法に関し、特に、シ
リコン窒化膜を成膜するＣＶＤ装置からの排ガス中に含
まれる塩化アンモニウムが固化し、流路内に付着するこ
とを防止する方法に関するものである。
る排ガス流路内の固形物付着防止方法に関し、特に、シ
リコン窒化膜を成膜するＣＶＤ装置からの排ガス中に含
まれる塩化アンモニウムが固化し、流路内に付着するこ
とを防止する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition,化
学的気相成長）は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等
の誘電体薄膜やポリシリコン等の成膜に広く用いられて
いる成膜技術である。従来、半導体製造プロセスの中で
ＣＶＤ装置は、例えば半導体基板上にシリコン窒化膜を
形成する際に用いられ、その場合、ＣＶＤ装置内を減圧
しながら反応ガスとしてジクロルシランとアンモニアガ
スを導入し、成膜を行っている。そして、この際、成膜
と同時に未反応のジクロルシランやアンモニアガス、あ
るいは反応の副生成物である塩化アンモニウムが排ガス
として装置外に排出される。この反応は下記のように表
される。 ３ＳｉＨ2Ｃｌ2＋１０ＮＨ3 → ＳｉＨ3Ｎ4＋６ＮＨ4
Ｃｌ＋６Ｈ2
学的気相成長）は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等
の誘電体薄膜やポリシリコン等の成膜に広く用いられて
いる成膜技術である。従来、半導体製造プロセスの中で
ＣＶＤ装置は、例えば半導体基板上にシリコン窒化膜を
形成する際に用いられ、その場合、ＣＶＤ装置内を減圧
しながら反応ガスとしてジクロルシランとアンモニアガ
スを導入し、成膜を行っている。そして、この際、成膜
と同時に未反応のジクロルシランやアンモニアガス、あ
るいは反応の副生成物である塩化アンモニウムが排ガス
として装置外に排出される。この反応は下記のように表
される。 ３ＳｉＨ2Ｃｌ2＋１０ＮＨ3 → ＳｉＨ3Ｎ4＋６ＮＨ4
Ｃｌ＋６Ｈ2
【０００３】 副生成物である塩化アンモニウムは、排気
系内を流れるうちに冷却されて固化し、数ｎｍから数μ
ｍ程度の大きさの粒子となる。そして、生成された塩化
アンモニウム粒子は、一部は配管に付着し、その多くは
排気用の真空ポンプ内に入り込む。すると、粒子は真空
ポンプのケーシングや回転翼に付着して摩擦やかじり等
の原因となり、真空ポンプによる真空度調整が困難とな
る。
系内を流れるうちに冷却されて固化し、数ｎｍから数μ
ｍ程度の大きさの粒子となる。そして、生成された塩化
アンモニウム粒子は、一部は配管に付着し、その多くは
排気用の真空ポンプ内に入り込む。すると、粒子は真空
ポンプのケーシングや回転翼に付着して摩擦やかじり等
の原因となり、真空ポンプによる真空度調整が困難とな
る。
【０００４】そこで、この副生成物としての塩化アンモ
ニウム粒子を除去するために、特開平７−１１１２６０
号公報には、ＣＶＤ装置と真空ポンプとの間の排気系配
管の部分で生成された粒子を吸収、固化、付着させるト
ラップを設けることにより、粒子が真空ポンプ内に入る
ことを防止する技術が開示されている。この種のＣＶＤ
設備について図４を用いて説明する。
ニウム粒子を除去するために、特開平７−１１１２６０
号公報には、ＣＶＤ装置と真空ポンプとの間の排気系配
管の部分で生成された粒子を吸収、固化、付着させるト
ラップを設けることにより、粒子が真空ポンプ内に入る
ことを防止する技術が開示されている。この種のＣＶＤ
設備について図４を用いて説明する。
【０００５】図４（ａ）はＣＶＤ設備全体の概略構成を
示す図であって、この図に示すように、ＣＶＤ装置１の
外枠は炉２で密封されており、炉２の内部にはヒーター
３とチューブ４が設置され、チューブ４内にウェハ５が
装入されるようになっている。ヒーター３はチューブ４
内の温度制御を行うもの、チューブ４は反応ガスを導入
し、ウェハ５上で反応を生じさせるためのものである。
また、ＣＶＤ装置１はその内部の圧力が真空ポンプ６に
よって制御される構成となっており、ＣＶＤ装置１と真
空ポンプ６は配管７で接続され、配管７の途中にはトラ
ップ８と圧力調整バルブ９が設置されている。トラップ
８内の管路には冷却管（図示せず）が巻回されており、
塩化アンモニウムが冷却、固化されるようになってい
る。
示す図であって、この図に示すように、ＣＶＤ装置１の
外枠は炉２で密封されており、炉２の内部にはヒーター
３とチューブ４が設置され、チューブ４内にウェハ５が
装入されるようになっている。ヒーター３はチューブ４
内の温度制御を行うもの、チューブ４は反応ガスを導入
し、ウェハ５上で反応を生じさせるためのものである。
また、ＣＶＤ装置１はその内部の圧力が真空ポンプ６に
よって制御される構成となっており、ＣＶＤ装置１と真
空ポンプ６は配管７で接続され、配管７の途中にはトラ
ップ８と圧力調整バルブ９が設置されている。トラップ
８内の管路には冷却管（図示せず）が巻回されており、
塩化アンモニウムが冷却、固化されるようになってい
る。
【０００６】図４（ｂ）、（ｃ）は圧力調整バルブ９の
断面図であるが、これらの図に示すように、圧力調整バ
ルブ９は、外管１０内で平板状のスロットルバルブ１１
が回転軸１２を中心としてモーター１３により回動する
構成となっている。図３（ａ）〜（ｄ）はスロットルバ
ルブ１１が回動する様子を示す図であるが、図３（ａ）
は、スロットルバルブ１１が排ガスの流れ１４に対して
平行で、真空ポンプ６の真空能力を最大に作用させた状
態である。この状態を弁開度１００％という。図３
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ弁開度８０％、６
０％、４０％の状態であり、スロットルバルブ１１が排
ガスの流れ１４に対して傾斜し、弁開度の低下に伴って
その傾斜は増大する。
断面図であるが、これらの図に示すように、圧力調整バ
ルブ９は、外管１０内で平板状のスロットルバルブ１１
が回転軸１２を中心としてモーター１３により回動する
構成となっている。図３（ａ）〜（ｄ）はスロットルバ
ルブ１１が回動する様子を示す図であるが、図３（ａ）
は、スロットルバルブ１１が排ガスの流れ１４に対して
平行で、真空ポンプ６の真空能力を最大に作用させた状
態である。この状態を弁開度１００％という。図３
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ弁開度８０％、６
０％、４０％の状態であり、スロットルバルブ１１が排
ガスの流れ１４に対して傾斜し、弁開度の低下に伴って
その傾斜は増大する。
【０００７】図２はＣＶＤ装置から真空ポンプに至るま
での排ガスの雰囲気温度を示すものである。図２では一
例としてＣＶＤ装置内の雰囲気温度を７００℃とした
が、通常、５００〜９００℃の温度範囲内で処理が行わ
れている。そして、ＣＶＤ装置とトラップ間の配管で
は、配管の外面が大気中に晒されているため、雰囲気温
度は２００℃程度にまで下がる。次に、トラップ内で
は、排ガスが冷却管によって冷却され、雰囲気温度は４
０℃程度にまで下がる。この部分では、通常、常温〜１
００℃未満の温度範囲までの冷却が行われる。以降、ト
ラップと圧力調整バルブ間の配管、圧力調整バルブ、真
空ポンプまでに至る排ガスの雰囲気温度は、若干下がる
可能性はあるものの、ほぼトラップ内部と同じである。
その一方、圧力調整バルブの弁開度を１００％に固定し
た場合、ＣＶＤ装置から真空ポンプまでに至る排ガスの
雰囲気内圧力（mmHg）はほぼ３００mmHgで一定である。
での排ガスの雰囲気温度を示すものである。図２では一
例としてＣＶＤ装置内の雰囲気温度を７００℃とした
が、通常、５００〜９００℃の温度範囲内で処理が行わ
れている。そして、ＣＶＤ装置とトラップ間の配管で
は、配管の外面が大気中に晒されているため、雰囲気温
度は２００℃程度にまで下がる。次に、トラップ内で
は、排ガスが冷却管によって冷却され、雰囲気温度は４
０℃程度にまで下がる。この部分では、通常、常温〜１
００℃未満の温度範囲までの冷却が行われる。以降、ト
ラップと圧力調整バルブ間の配管、圧力調整バルブ、真
空ポンプまでに至る排ガスの雰囲気温度は、若干下がる
可能性はあるものの、ほぼトラップ内部と同じである。
その一方、圧力調整バルブの弁開度を１００％に固定し
た場合、ＣＶＤ装置から真空ポンプまでに至る排ガスの
雰囲気内圧力（mmHg）はほぼ３００mmHgで一定である。
【０００８】一般に、副生成物である塩化アンモニウム
は、ＣＶＤ装置内部では高温であるために気体の状態で
ある。雰囲気内圧力が一定の場合、温度が下がるにつれ
て塩化アンモニウムが固化し、固化した粒子は周囲に付
着しやすくなる。特に、塩化アンモニウムの場合、雰囲
気内圧力３００mmHgでは１８４℃以下になると固化が始
まる。この固化が始まる温度のことを飽和温度（または
臨界温度）という。つまり、飽和温度では排ガス中にあ
る塩化アンモニウムの気体濃度は飽和状態にある。
は、ＣＶＤ装置内部では高温であるために気体の状態で
ある。雰囲気内圧力が一定の場合、温度が下がるにつれ
て塩化アンモニウムが固化し、固化した粒子は周囲に付
着しやすくなる。特に、塩化アンモニウムの場合、雰囲
気内圧力３００mmHgでは１８４℃以下になると固化が始
まる。この固化が始まる温度のことを飽和温度（または
臨界温度）という。つまり、飽和温度では排ガス中にあ
る塩化アンモニウムの気体濃度は飽和状態にある。
【０００９】そこで、ＣＶＤ装置からＣＶＤ装置〜トラ
ップ間の配管までの間では雰囲気温度が７００℃から２
００℃までにしか下がらないため、塩化アンモニウムは
固化しない。ところが、トラップ内では雰囲気温度が２
００℃から４０℃近くまで下がるため、塩化アンモニウ
ムが固化し始める。雰囲気温度が１８４℃から４０℃近
くまで下がる過程で塩化アンモニウム（気体状態）の飽
和濃度は雰囲気温度の低下につれて下がるため、雰囲気
温度が４０℃近くになるまで塩化アンモニウムの固化が
進んでいく。そして、トラップより下流側では雰囲気温
度がそれ以上下がらないため、塩化アンモニウムの固化
は起こらないはずである。
ップ間の配管までの間では雰囲気温度が７００℃から２
００℃までにしか下がらないため、塩化アンモニウムは
固化しない。ところが、トラップ内では雰囲気温度が２
００℃から４０℃近くまで下がるため、塩化アンモニウ
ムが固化し始める。雰囲気温度が１８４℃から４０℃近
くまで下がる過程で塩化アンモニウム（気体状態）の飽
和濃度は雰囲気温度の低下につれて下がるため、雰囲気
温度が４０℃近くになるまで塩化アンモニウムの固化が
進んでいく。そして、トラップより下流側では雰囲気温
度がそれ以上下がらないため、塩化アンモニウムの固化
は起こらないはずである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、圧力調整バ
ルブにおける弁開度は、固定されているわけではなく、
真空ポンプの能力やＣＶＤ処理条件の一つである装置内
の目標雰囲気内圧力の違い（１００〜５００mmHgの範
囲）等によって、０〜１００％の範囲で自在に調整され
るものである。そこで、圧力調整バルブによって排ガス
の流量を絞る方向、すなわち弁開度を８０％、６０％、
４０％と小さくする方向で圧力調整すると、圧力調整バ
ルブ内の流量断面積が縮小する。そして、流量断面積が
縮小すると圧力調整バルブ内の流速が速くなるため、こ
の部分の圧力が低下する。すると、例えば雰囲気内圧力
が３００mmHgから１００mmHgまで低下した場合、塩化ア
ンモニウムの飽和濃度も下がり、雰囲気温度が０℃近く
になるまで塩化アンモニウムの固化が進むことになる。
したがって、圧力調整バルブ内では雰囲気内圧力の低下
に伴って、雰囲気温度がたとえトラップ内と同じ４０℃
であっても、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、実際に
は塩化アンモニウムが固化し、固形物１５が内壁に付着
することになる。
ルブにおける弁開度は、固定されているわけではなく、
真空ポンプの能力やＣＶＤ処理条件の一つである装置内
の目標雰囲気内圧力の違い（１００〜５００mmHgの範
囲）等によって、０〜１００％の範囲で自在に調整され
るものである。そこで、圧力調整バルブによって排ガス
の流量を絞る方向、すなわち弁開度を８０％、６０％、
４０％と小さくする方向で圧力調整すると、圧力調整バ
ルブ内の流量断面積が縮小する。そして、流量断面積が
縮小すると圧力調整バルブ内の流速が速くなるため、こ
の部分の圧力が低下する。すると、例えば雰囲気内圧力
が３００mmHgから１００mmHgまで低下した場合、塩化ア
ンモニウムの飽和濃度も下がり、雰囲気温度が０℃近く
になるまで塩化アンモニウムの固化が進むことになる。
したがって、圧力調整バルブ内では雰囲気内圧力の低下
に伴って、雰囲気温度がたとえトラップ内と同じ４０℃
であっても、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、実際に
は塩化アンモニウムが固化し、固形物１５が内壁に付着
することになる。
【００１１】図３（ｅ）〜（ｈ）はスロットルバルブ１
１周辺での塩化アンモニウム固形物１５の付着の様子を
示す図であって、この図に示すように、弁開度が６０％
（図３（ｇ））、４０％（図３（ｈ））の場合、塩化ア
ンモニウムの固化が始まり、外管１０の内面とスロット
ルバルブ１１の表面に塩化アンモニウムの微粉１５が付
着、堆積する。特に、弁開度４０％の状態では、スロッ
トルバルブ１１表面の塩化アンモニウムの微粉１５と外
管１０内面の塩化アンモニウムの微粉１５とが一体とな
って流路を塞ぐため、ＣＶＤ装置内の圧力を適切に制御
することができなくなる。このため、ＣＶＤ設備では、
例えば１ヶ月に数回程度の割でＣＶＤ装置の運転を停止
して圧力調整バルブの交換やバルブ内のメンテナンスを
行う作業が必要となっていた。そして、この圧力調整バ
ルブの交換、メンテナンス作業がＣＶＤ設備の稼働率を
下げ、製品のスループットの低下にもつながっていた。
１周辺での塩化アンモニウム固形物１５の付着の様子を
示す図であって、この図に示すように、弁開度が６０％
（図３（ｇ））、４０％（図３（ｈ））の場合、塩化ア
ンモニウムの固化が始まり、外管１０の内面とスロット
ルバルブ１１の表面に塩化アンモニウムの微粉１５が付
着、堆積する。特に、弁開度４０％の状態では、スロッ
トルバルブ１１表面の塩化アンモニウムの微粉１５と外
管１０内面の塩化アンモニウムの微粉１５とが一体とな
って流路を塞ぐため、ＣＶＤ装置内の圧力を適切に制御
することができなくなる。このため、ＣＶＤ設備では、
例えば１ヶ月に数回程度の割でＣＶＤ装置の運転を停止
して圧力調整バルブの交換やバルブ内のメンテナンスを
行う作業が必要となっていた。そして、この圧力調整バ
ルブの交換、メンテナンス作業がＣＶＤ設備の稼働率を
下げ、製品のスループットの低下にもつながっていた。
【００１２】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、ＣＶＤ設備における排ガス流路
内、特に圧力調整バルブ内の塩化アンモニウムによる固
形物の付着を防止する方法を提供することを目的とす
る。
されたものであって、ＣＶＤ設備における排ガス流路
内、特に圧力調整バルブ内の塩化アンモニウムによる固
形物の付着を防止する方法を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のＣＶＤ設備における排ガス流路内の固形
物付着防止方法は、圧力調整バルブにバルブ内部の温度
を制御するための温度制御手段を設け、バルブ内部の温
度を１００℃以上に制御することを特徴とするものであ
る。
めに、本発明のＣＶＤ設備における排ガス流路内の固形
物付着防止方法は、圧力調整バルブにバルブ内部の温度
を制御するための温度制御手段を設け、バルブ内部の温
度を１００℃以上に制御することを特徴とするものであ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
１を参照して説明する。図１（ａ）は本実施の形態のＣ
ＶＤ設備全体の概略構成を示す図であって、本ＣＶＤ設
備１７はシリコン窒化膜を成膜するための低圧ＣＶＤ装
置本体とその周辺設備とから構成されている。
１を参照して説明する。図１（ａ）は本実施の形態のＣ
ＶＤ設備全体の概略構成を示す図であって、本ＣＶＤ設
備１７はシリコン窒化膜を成膜するための低圧ＣＶＤ装
置本体とその周辺設備とから構成されている。
【００１５】この図に示すように、ＣＶＤ装置１８の外
枠は炉１９で密封されており、炉１９の内部には高温処
理を行うためのヒーター２０と、反応ガスを内部に取り
込んで成膜処理を行うためのチューブ２１が設置されて
いる。そして、チューブ２１内には４〜８インチ径のウ
ェハ２２が装入されるようになっている。ヒーター２０
はチューブ２１内のウェハ２２に対して５００〜９００
℃の範囲で温度制御を行うもの、チューブ２１はジクロ
ルシランとアンモニアガスの混合ガスを反応ガスとして
導入し、ウェハ２２上で反応を生じさせるためのもので
ある。
枠は炉１９で密封されており、炉１９の内部には高温処
理を行うためのヒーター２０と、反応ガスを内部に取り
込んで成膜処理を行うためのチューブ２１が設置されて
いる。そして、チューブ２１内には４〜８インチ径のウ
ェハ２２が装入されるようになっている。ヒーター２０
はチューブ２１内のウェハ２２に対して５００〜９００
℃の範囲で温度制御を行うもの、チューブ２１はジクロ
ルシランとアンモニアガスの混合ガスを反応ガスとして
導入し、ウェハ２２上で反応を生じさせるためのもので
ある。
【００１６】また、ＣＶＤ装置１８はその内部が真空ポ
ンプ２３によって１００〜５００mmHg程度の低圧で圧力
制御される構成となっており、したがって、ＣＶＤ装置
１８と真空ポンプ２３は配管２４（排ガス流路）で接続
され、配管２４の途中にはトラップ２５と圧力調整バル
ブ２６が設置されている。トラップ２５内の管路は屈曲
するとともに、その内壁は表面積が大きくなっており、
管路には冷却管（図示せず）が巻回されている。これら
の構成によって、塩化アンモニウムが固化しやすく、か
つ、固化した粒子が除去しやすくなっている。
ンプ２３によって１００〜５００mmHg程度の低圧で圧力
制御される構成となっており、したがって、ＣＶＤ装置
１８と真空ポンプ２３は配管２４（排ガス流路）で接続
され、配管２４の途中にはトラップ２５と圧力調整バル
ブ２６が設置されている。トラップ２５内の管路は屈曲
するとともに、その内壁は表面積が大きくなっており、
管路には冷却管（図示せず）が巻回されている。これら
の構成によって、塩化アンモニウムが固化しやすく、か
つ、固化した粒子が除去しやすくなっている。
【００１７】図１（ｂ）は圧力調整バルブ２６の断面図
であるが、これらの図に示すように、圧力調整バルブ２
６は、外管２７の内部で平板状のスロットルバルブ２８
が回転軸を中心としてモーター２９によって回動する構
成となっている。そして、外管２７の周囲には樹脂性部
材３０とともにヒーター３１（温度制御手段）が巻回さ
れている。そして、このヒーター３１によって外管２７
内を流れる排ガスの雰囲気温度が１００〜１５０℃に制
御される構成となっている。
であるが、これらの図に示すように、圧力調整バルブ２
６は、外管２７の内部で平板状のスロットルバルブ２８
が回転軸を中心としてモーター２９によって回動する構
成となっている。そして、外管２７の周囲には樹脂性部
材３０とともにヒーター３１（温度制御手段）が巻回さ
れている。そして、このヒーター３１によって外管２７
内を流れる排ガスの雰囲気温度が１００〜１５０℃に制
御される構成となっている。
【００１８】既に述べたように、図２はＣＶＤ装置から
真空ポンプに至るまでの排ガスの雰囲気温度を示すもの
であり、従来のＣＶＤ設備においてはトラップの部分で
雰囲気温度が４０℃にまで下がった後、トラップと圧力
調整バルブ間の配管、圧力調整バルブ、真空ポンプに至
る排ガスの雰囲気温度はほぼトラップ内部と同じ温度で
推移する（破線で示す）。それに対して、本実施の形態
のＣＶＤ設備の場合、トラップの下流側における排ガス
の雰囲気温度は、圧力調整バルブの位置でヒーターの作
用によって１００〜１５０℃に上昇する（実線で示
す）。
真空ポンプに至るまでの排ガスの雰囲気温度を示すもの
であり、従来のＣＶＤ設備においてはトラップの部分で
雰囲気温度が４０℃にまで下がった後、トラップと圧力
調整バルブ間の配管、圧力調整バルブ、真空ポンプに至
る排ガスの雰囲気温度はほぼトラップ内部と同じ温度で
推移する（破線で示す）。それに対して、本実施の形態
のＣＶＤ設備の場合、トラップの下流側における排ガス
の雰囲気温度は、圧力調整バルブの位置でヒーターの作
用によって１００〜１５０℃に上昇する（実線で示
す）。
【００１９】そこで、本実施の形態のＣＶＤ設備１７に
よれば、圧力調整バルブ２６の弁開度を小さくすること
によって圧力調整バルブ２６位置での雰囲気内圧力が例
えば３００mmHgから１００mmHg程度に低下したとして
も、圧力調整バルブ２６内の雰囲気温度が４０℃から１
００〜１５０℃に上昇しているために、塩化アンモニウ
ムの固化が生じることがない。なお、圧力調整バルブ２
６内の雰囲気温度が１００℃未満では塩化アンモニウム
の固化が始まるため、温度範囲の下限を１００℃とす
る。また、１５０℃を超えると、１５０℃以下の場合に
は不要である圧力調整バルブ２６の外界に対する断熱構
造が必要となるので、断熱構造のない圧力調整バルブを
使用する限りにおいては、温度範囲の上限を１５０℃と
する。
よれば、圧力調整バルブ２６の弁開度を小さくすること
によって圧力調整バルブ２６位置での雰囲気内圧力が例
えば３００mmHgから１００mmHg程度に低下したとして
も、圧力調整バルブ２６内の雰囲気温度が４０℃から１
００〜１５０℃に上昇しているために、塩化アンモニウ
ムの固化が生じることがない。なお、圧力調整バルブ２
６内の雰囲気温度が１００℃未満では塩化アンモニウム
の固化が始まるため、温度範囲の下限を１００℃とす
る。また、１５０℃を超えると、１５０℃以下の場合に
は不要である圧力調整バルブ２６の外界に対する断熱構
造が必要となるので、断熱構造のない圧力調整バルブを
使用する限りにおいては、温度範囲の上限を１５０℃と
する。
【００２０】したがって、従来のＣＶＤ設備における圧
力調整バルブのようにスロットルバルブ周辺に塩化アン
モニウム固形物が付着、堆積することがほとんどなく、
堆積した固形物が排ガス流路を塞いでＣＶＤ装置内の圧
力の制御ができなくなる、という不具合をなくすことが
できる。その結果、従来から行っていた圧力調整バルブ
の交換、メンテナンス作業の頻度を低くすることができ
るため、ＣＶＤ設備の稼働率を上げ、製品のスループッ
トを向上させることができる。
力調整バルブのようにスロットルバルブ周辺に塩化アン
モニウム固形物が付着、堆積することがほとんどなく、
堆積した固形物が排ガス流路を塞いでＣＶＤ装置内の圧
力の制御ができなくなる、という不具合をなくすことが
できる。その結果、従来から行っていた圧力調整バルブ
の交換、メンテナンス作業の頻度を低くすることができ
るため、ＣＶＤ設備の稼働率を上げ、製品のスループッ
トを向上させることができる。
【００２１】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば本実施の形態では圧力調整バルブ内の雰囲気温度の
上限を１５０℃としたが、この値は本実施の形態のＣＶ
Ｄ設備の使用上の都合によるものであるため、雰囲気温
度の上限については必ずしも１５０℃でなくてもよい。
また、圧力調整バルブの温度制御手段であるヒーター等
の具体的な構成についても適宜変更が可能である。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば本実施の形態では圧力調整バルブ内の雰囲気温度の
上限を１５０℃としたが、この値は本実施の形態のＣＶ
Ｄ設備の使用上の都合によるものであるため、雰囲気温
度の上限については必ずしも１５０℃でなくてもよい。
また、圧力調整バルブの温度制御手段であるヒーター等
の具体的な構成についても適宜変更が可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
ＣＶＤ設備における排ガス流路内の固形物付着防止方法
によれば、圧力調整バルブにバルブ内の温度を制御する
ための温度制御手段を設け、バルブ内部の温度を１００
℃以上に制御することにより、たとえ弁開度を小さくし
て圧力調整バルブ位置での雰囲気内圧力が低下したとし
ても、塩化アンモニウムの固化が生じることがない。し
たがって、従来のＣＶＤ設備における圧力調整バルブの
ようにバルブ内に塩化アンモニウム固形物が付着、堆積
することがほとんどなく、堆積した固形物が排ガス流路
を塞いでＣＶＤ装置内の圧力の制御ができなくなる、と
いう不具合をなくすことができる。その結果、従来から
行っていた圧力調整バルブの交換、メンテナンス作業の
頻度を低くすることができるため、ＣＶＤ設備の稼働率
を上げ、製品のスループットを向上させることができ
る。
ＣＶＤ設備における排ガス流路内の固形物付着防止方法
によれば、圧力調整バルブにバルブ内の温度を制御する
ための温度制御手段を設け、バルブ内部の温度を１００
℃以上に制御することにより、たとえ弁開度を小さくし
て圧力調整バルブ位置での雰囲気内圧力が低下したとし
ても、塩化アンモニウムの固化が生じることがない。し
たがって、従来のＣＶＤ設備における圧力調整バルブの
ようにバルブ内に塩化アンモニウム固形物が付着、堆積
することがほとんどなく、堆積した固形物が排ガス流路
を塞いでＣＶＤ装置内の圧力の制御ができなくなる、と
いう不具合をなくすことができる。その結果、従来から
行っていた圧力調整バルブの交換、メンテナンス作業の
頻度を低くすることができるため、ＣＶＤ設備の稼働率
を上げ、製品のスループットを向上させることができ
る。
【図１】 本発明の一実施の形態であるＣＶＤ設備を示
す、（ａ）全体の概略構成図、（ｂ）圧力調整バルブの
断面図、である。
す、（ａ）全体の概略構成図、（ｂ）圧力調整バルブの
断面図、である。
【図２】 ＣＶＤ設備内の各部位における雰囲気温度を
示す図である。
示す図である。
【図３】 同、ＣＶＤ設備内の圧力調整バルブの各弁開
度におけるスロットルバルブの状態を示す図である
度におけるスロットルバルブの状態を示す図である
【図４】 従来のＣＶＤ設備を示す、（ａ）全体の概略
構成図、（ｂ）圧力調整バルブの断面図、（ｃ）（ｂ）
のＡ−Ａ’線に沿う断面図、である。
構成図、（ｂ）圧力調整バルブの断面図、（ｃ）（ｂ）
のＡ−Ａ’線に沿う断面図、である。
１７ ＣＶＤ設備 １８，１ ＣＶＤ装置 １９，２ 炉 ２０，３ ヒーター ２１，４ チューブ ２２，５ ウェハ ２３，６ 真空ポンプ ２４，７ 配管（排ガス流路） ２５，８ トラップ ２６，９ 圧力調整バルブ ２７，１０ 外管 ２８，１１ スロットルバルブ ２９，１３ モーター ３０ 樹脂性部材 ３１ ヒーター（温度制御手段） １４ 排ガスの流れ １５ 塩化アンモニウム固形物
Claims (1)
- 【請求項１】 ＣＶＤ装置からの排ガスを流す流路内に
前記ＣＶＤ装置内の圧力を調整するための圧力調整バル
ブが設置されたＣＶＤ設備において、前記排ガス中の成
分が固化することにより生成される固形物が前記流路内
に付着するのを防止する方法であって、 前記圧力調整バルブに該バルブ内部の温度を制御するた
めの温度制御手段を設け、バルブ内部の温度を１００℃
以上に制御することを特徴とするＣＶＤ設備における排
ガス流路内の固形物付着防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18254196A JPH1027790A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | Ｃｖｄ設備における排ガス流路内の固形物付着防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18254196A JPH1027790A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | Ｃｖｄ設備における排ガス流路内の固形物付着防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027790A true JPH1027790A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16120101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18254196A Pending JPH1027790A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | Ｃｖｄ設備における排ガス流路内の固形物付着防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027790A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352935B1 (ko) * | 2000-06-14 | 2002-09-16 | 이혁수 | 휘발유 유해가스 청정용 첨가제 |
-
1996
- 1996-07-11 JP JP18254196A patent/JPH1027790A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352935B1 (ko) * | 2000-06-14 | 2002-09-16 | 이혁수 | 휘발유 유해가스 청정용 첨가제 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040323 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |