JP2003037067A - 半導体製造装置及び半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体製造方法Info
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- JP2003037067A JP2003037067A JP2001208191A JP2001208191A JP2003037067A JP 2003037067 A JP2003037067 A JP 2003037067A JP 2001208191 A JP2001208191 A JP 2001208191A JP 2001208191 A JP2001208191 A JP 2001208191A JP 2003037067 A JP2003037067 A JP 2003037067A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 減圧状態の処理チャンバを復圧させる際に、
処理チャンバに連結されている排気管内部の副生成物が
飛散して処理チャンバ内へ逆流することが防止できる半
導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置は被処理体が配置される
処理チャンバと、処理チャンバに連結され、処理チャン
バ内のガスを外部に排出するための排気管と、配気管に
設けられ、減圧状態の処理チャンバに復圧ガスを供給し
て処理チャンバ内の圧力を上昇させる際に復圧ガスの流
れを制御する制御バルブを備えている。この装置を用い
た半導体製造方法においては、制御バルブは減圧状態の
処理チャンバに復圧ガスを供給する際に処理チャンバに
供給された復圧ガスの一部を外部に排出する。
処理チャンバに連結されている排気管内部の副生成物が
飛散して処理チャンバ内へ逆流することが防止できる半
導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置は被処理体が配置される
処理チャンバと、処理チャンバに連結され、処理チャン
バ内のガスを外部に排出するための排気管と、配気管に
設けられ、減圧状態の処理チャンバに復圧ガスを供給し
て処理チャンバ内の圧力を上昇させる際に復圧ガスの流
れを制御する制御バルブを備えている。この装置を用い
た半導体製造方法においては、制御バルブは減圧状態の
処理チャンバに復圧ガスを供給する際に処理チャンバに
供給された復圧ガスの一部を外部に排出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエピタキシャル成長
装置等の半導体製造装置及びこれを用いたエピタキシャ
ル成長方法等の半導体製造方法に関する。
装置等の半導体製造装置及びこれを用いたエピタキシャ
ル成長方法等の半導体製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、エピタキシャル成長装置等の
半導体成長装置は、ガスが供給される給気口及びガスが
排出される排気口を有する処理チャンバと、排気口に連
結された排気管と、処理チャンバ内に配設され被処理体
であるウェハを載置するためのサセプタと、処理チャン
バ内のウェハを加熱するための加熱手段を備えている。
この半導体成長装置を用いて半導体を製造する場合、ま
ず、処理チャンバ内に残留するガス等を除去するため、
処理チャンバ内のガスを排気管から排出して減圧状態と
する。その後、処理チャンバ内の圧力をエピタキシャル
成長等の成膜を開始するのに適した圧力に調整するた
め、給気口から窒素等の復圧ガスを処理チャンバ内に供
給する。そして、加熱手段によりウェハを加熱しなが
ら、処理チャンバの給気口よりモノシラン等の反応ガス
を処理チャンバ内に供給する。この操作により、反応ガ
スがウェハの表面に沿って流れ、ウェハ表面に半導体結
晶の薄膜が成長して半導体ウェハが形成される。
半導体成長装置は、ガスが供給される給気口及びガスが
排出される排気口を有する処理チャンバと、排気口に連
結された排気管と、処理チャンバ内に配設され被処理体
であるウェハを載置するためのサセプタと、処理チャン
バ内のウェハを加熱するための加熱手段を備えている。
この半導体成長装置を用いて半導体を製造する場合、ま
ず、処理チャンバ内に残留するガス等を除去するため、
処理チャンバ内のガスを排気管から排出して減圧状態と
する。その後、処理チャンバ内の圧力をエピタキシャル
成長等の成膜を開始するのに適した圧力に調整するた
め、給気口から窒素等の復圧ガスを処理チャンバ内に供
給する。そして、加熱手段によりウェハを加熱しなが
ら、処理チャンバの給気口よりモノシラン等の反応ガス
を処理チャンバ内に供給する。この操作により、反応ガ
スがウェハの表面に沿って流れ、ウェハ表面に半導体結
晶の薄膜が成長して半導体ウェハが形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した半導
体成長装置においては、処理チャンバから排出された反
応ガスが排気管内部で結晶化して副生成物となり、ダス
ト等の異物と共に排気管内部に堆積していることがあ
る。この副生成物は、処理チャンバに復圧ガスを供給す
る際処理チャンバ及び排気管内で生じるガス流及び急激
な圧力変化により排気管内で巻き上がって飛散し、これ
が処理チャンバ内に逆流して処理チャンバを汚染する場
合がる。このように汚染された処理チャンバにより成膜
を行うと、処理チャンバ内に逆流した副生成物がウェハ
表面の半導体薄膜に混入して、半導体ウェハの性状を悪
化させる。本発明は上述した問題を解決するためになさ
れたものであり、処理チャンバに復圧ガスを供給する際
に、排気管内部における副生成物の飛散や処理チャンバ
内への逆流を防止することが可能な半導体製造装置及び
半導体製造方法を提供することを目的とする。
体成長装置においては、処理チャンバから排出された反
応ガスが排気管内部で結晶化して副生成物となり、ダス
ト等の異物と共に排気管内部に堆積していることがあ
る。この副生成物は、処理チャンバに復圧ガスを供給す
る際処理チャンバ及び排気管内で生じるガス流及び急激
な圧力変化により排気管内で巻き上がって飛散し、これ
が処理チャンバ内に逆流して処理チャンバを汚染する場
合がる。このように汚染された処理チャンバにより成膜
を行うと、処理チャンバ内に逆流した副生成物がウェハ
表面の半導体薄膜に混入して、半導体ウェハの性状を悪
化させる。本発明は上述した問題を解決するためになさ
れたものであり、処理チャンバに復圧ガスを供給する際
に、排気管内部における副生成物の飛散や処理チャンバ
内への逆流を防止することが可能な半導体製造装置及び
半導体製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体製造装置は、被処理体が配置される
処理チャンバと、前記処理チャンバに連結され、前記処
理チャンバ内のガスを外部に排出するための排気管と、
前記配気管に設けられ、減圧状態の処理チャンバに復圧
ガスを供給して前記処理チャンバ内の圧力を上昇させる
際に前記復圧ガスの流れを制御する制御バルブを備える
ように構成した。また、本発明の半導体製造方法は、被
処理体が配置される処理チャンバ内のガスを前記処理チ
ャンバに設けられた排気管から排出して前記処理チャン
バ内の圧力を低下させる減圧工程と、前記減圧工程によ
り減圧された処理チャンバ内に復圧ガスを供給すると共
に、前記復圧ガスの一部を前記排気管から排出しながら
前記処理チャンバ内の圧力を上昇させる復圧工程と、前
記復圧工程により復圧された処理チャンバ内に反応ガス
を供給し、前記被処理体の表面に半導体膜を形成する成
膜工程とを含むように構成した。
め、本発明の半導体製造装置は、被処理体が配置される
処理チャンバと、前記処理チャンバに連結され、前記処
理チャンバ内のガスを外部に排出するための排気管と、
前記配気管に設けられ、減圧状態の処理チャンバに復圧
ガスを供給して前記処理チャンバ内の圧力を上昇させる
際に前記復圧ガスの流れを制御する制御バルブを備える
ように構成した。また、本発明の半導体製造方法は、被
処理体が配置される処理チャンバ内のガスを前記処理チ
ャンバに設けられた排気管から排出して前記処理チャン
バ内の圧力を低下させる減圧工程と、前記減圧工程によ
り減圧された処理チャンバ内に復圧ガスを供給すると共
に、前記復圧ガスの一部を前記排気管から排出しながら
前記処理チャンバ内の圧力を上昇させる復圧工程と、前
記復圧工程により復圧された処理チャンバ内に反応ガス
を供給し、前記被処理体の表面に半導体膜を形成する成
膜工程とを含むように構成した。
【０００５】本発明によれば、減圧状態にある処理チャ
ンバに復圧ガスを供給して復圧させる際に、制御バルブ
を調整することにより、処理チャンバに供給された復圧
ガスの一部を排気管から外部に排出することができる。
従って、復圧時に処理チャンバから排気管を介して外部
に向かうガス流を形成することができると共に、処理チ
ャンバ及び排気管内の急激な圧力変化を避けることがで
きる。従って、排気管の内面に堆積している副生成物が
排気管内で巻き上がって飛散し、これが処理チャンバ内
に流入して処理チャンバを汚染することを防止すること
ができる。
ンバに復圧ガスを供給して復圧させる際に、制御バルブ
を調整することにより、処理チャンバに供給された復圧
ガスの一部を排気管から外部に排出することができる。
従って、復圧時に処理チャンバから排気管を介して外部
に向かうガス流を形成することができると共に、処理チ
ャンバ及び排気管内の急激な圧力変化を避けることがで
きる。従って、排気管の内面に堆積している副生成物が
排気管内で巻き上がって飛散し、これが処理チャンバ内
に流入して処理チャンバを汚染することを防止すること
ができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明に係る半導体製造装
置の一例として、被処理体であるウェハを１枚ずつ処理
する牧葉式のエピタキシャル成長装置を示す。このエピ
タキシャル成長装置１０は石英ガラス等の耐熱性材料で
形成された処理チャンバ１２を備えている。この処理チ
ャンバ１２の側壁には、処理チャンバ１２内にガスを供
給するための開閉自在な給気口１４と、処理チャンバ１
２を通過したガスを排出するための排気口１６とが対向
して形成されている。
施の形態を説明する。図１は本発明に係る半導体製造装
置の一例として、被処理体であるウェハを１枚ずつ処理
する牧葉式のエピタキシャル成長装置を示す。このエピ
タキシャル成長装置１０は石英ガラス等の耐熱性材料で
形成された処理チャンバ１２を備えている。この処理チ
ャンバ１２の側壁には、処理チャンバ１２内にガスを供
給するための開閉自在な給気口１４と、処理チャンバ１
２を通過したガスを排出するための排気口１６とが対向
して形成されている。
【０００７】処理チャンバ１２内には、ウェハWを載置
するためのサセプタ１８が設けられている。このサセプ
タ１８は、通常、炭化シリコンで被覆されたグラファイ
ト等の耐熱性材料で形成される。このサセプタ１８は処
理チャンバ１２の下部に立設された支持シャフト２０に
より裏面側から三点で水平に支持されている。この支持
シャフト２０は駆動モータ（図示せず）に連結されてお
り、これによってサセプタ１８は回転可能とされてい
る。また、処理チャンバ１２の上方及び下方には、サセ
プタ１８上に載置されたウェハＷを加熱するためのハロ
ゲンランプ等の加熱手段（図示せず）が配置されてい
る。処理チャンバ１２の排気口１６には、処理チャンバ
１２を経たガスを排出するための排気管２２が接続され
ている。この排気管２２としては、例えば、反応ガスが
接する内面にポリイミド、ポリテトラエチレン等の耐腐
食性及び耐熱性を有する樹脂が被覆された金属管等を用
いることができる。
するためのサセプタ１８が設けられている。このサセプ
タ１８は、通常、炭化シリコンで被覆されたグラファイ
ト等の耐熱性材料で形成される。このサセプタ１８は処
理チャンバ１２の下部に立設された支持シャフト２０に
より裏面側から三点で水平に支持されている。この支持
シャフト２０は駆動モータ（図示せず）に連結されてお
り、これによってサセプタ１８は回転可能とされてい
る。また、処理チャンバ１２の上方及び下方には、サセ
プタ１８上に載置されたウェハＷを加熱するためのハロ
ゲンランプ等の加熱手段（図示せず）が配置されてい
る。処理チャンバ１２の排気口１６には、処理チャンバ
１２を経たガスを排出するための排気管２２が接続され
ている。この排気管２２としては、例えば、反応ガスが
接する内面にポリイミド、ポリテトラエチレン等の耐腐
食性及び耐熱性を有する樹脂が被覆された金属管等を用
いることができる。
【０００８】この排気管２２には、排気管２２の開閉を
行う分離バルブ２４と、この分離バルブ２４の開閉制御
を行うコントローラ２６が設けられている。この分離バ
ルブは排気管２２を完全に開口又は遮断することによ
り、排気管２２内におけるガス流の形成又は遮断を行
う。また、排気管２２の分離バルブ２４のガス流方向下
流側には、処理チャンバ１２内の圧力及び排気管２２内
でのガスの流れを制御するための圧力制御バルブ２８
と、この圧力制御バルブ２８を制御するためのコントロ
ーラ３０が設けられている。この圧力制御バルブ２８
は、図２に示されるように、円筒状のハウジング部２８
ａと、外径がハウジング部２８ａの内径と同一に形成さ
れた円盤状のプレート部２８ｂとを備えている。プレー
ト部２８ｂはハウジング部２８ａの内部に設けられた回
動軸２８ｃを中心として回動可能に設けられている。こ
のプレート部２８ｂがガス流方向となす角度はコントロ
ーラー３０により任意に調節することができる。これに
よって、圧力制御バルブ２８の開口度を自由に調節する
ことが可能になる。なお、圧力制御バルブ２８としては
バルブの開口度を任意に調整することができるものであ
れば、上記以外のバルブを用いることができる。排気管
２２の圧力制御バルブ２８のガス流方向下流側には処理
チャンバ１２及び排気管２２内の気体を吸引、排出する
ためのポンプ３２が設けられている。
行う分離バルブ２４と、この分離バルブ２４の開閉制御
を行うコントローラ２６が設けられている。この分離バ
ルブは排気管２２を完全に開口又は遮断することによ
り、排気管２２内におけるガス流の形成又は遮断を行
う。また、排気管２２の分離バルブ２４のガス流方向下
流側には、処理チャンバ１２内の圧力及び排気管２２内
でのガスの流れを制御するための圧力制御バルブ２８
と、この圧力制御バルブ２８を制御するためのコントロ
ーラ３０が設けられている。この圧力制御バルブ２８
は、図２に示されるように、円筒状のハウジング部２８
ａと、外径がハウジング部２８ａの内径と同一に形成さ
れた円盤状のプレート部２８ｂとを備えている。プレー
ト部２８ｂはハウジング部２８ａの内部に設けられた回
動軸２８ｃを中心として回動可能に設けられている。こ
のプレート部２８ｂがガス流方向となす角度はコントロ
ーラー３０により任意に調節することができる。これに
よって、圧力制御バルブ２８の開口度を自由に調節する
ことが可能になる。なお、圧力制御バルブ２８としては
バルブの開口度を任意に調整することができるものであ
れば、上記以外のバルブを用いることができる。排気管
２２の圧力制御バルブ２８のガス流方向下流側には処理
チャンバ１２及び排気管２２内の気体を吸引、排出する
ためのポンプ３２が設けられている。
【０００９】以下、上記エピタキシャル成長装置１０を
用いたエピタキシャル成長方法の一例について図３を参
照して説明する。このエピタキシャル成長方法は、処理
チャンバ１２内のガスを排出して処理チャンバ１２内の
圧力を低下させる減圧工程と、減圧工程により減圧され
た処理チャンバ１２に復圧ガスを供給して処理チャンバ
１２内の圧力を上昇させる復圧工程と、復圧工程により
復圧された処理チャンバ１２に反応ガスを供給し、処理
チャンバ１２内に配置されたウェハＷの表面に半導体薄
膜を形成する成膜工程とを含んでいる。
用いたエピタキシャル成長方法の一例について図３を参
照して説明する。このエピタキシャル成長方法は、処理
チャンバ１２内のガスを排出して処理チャンバ１２内の
圧力を低下させる減圧工程と、減圧工程により減圧され
た処理チャンバ１２に復圧ガスを供給して処理チャンバ
１２内の圧力を上昇させる復圧工程と、復圧工程により
復圧された処理チャンバ１２に反応ガスを供給し、処理
チャンバ１２内に配置されたウェハＷの表面に半導体薄
膜を形成する成膜工程とを含んでいる。
【００１０】このエピタキシャル成長の操作開始前にお
いては、処理チャンバ１２内の圧力は、通常、常圧（７
８０Torr）になっており、分離バルブ２４及び圧力制御
バルブ２８は完全に閉鎖されており、ガス流は形成され
ていない。減圧工程は処理チャンバ１２の給気口１４を
閉鎖し、分離バルブ２４及び圧力制御バルブ２８を完全
に開口した状態でポンプ３２を作動して、処理チャンバ
１２内のガスを排気管２２を通じて排出することにより
行われる。この減圧工程は、例えば、処理チャンバ１２
内の圧力が１〜２Torr程度になるまで行われる。これに
よって、処理チャンバ１２内に残留するガスやダスト等
の固体成分を除去することが可能になる。
いては、処理チャンバ１２内の圧力は、通常、常圧（７
８０Torr）になっており、分離バルブ２４及び圧力制御
バルブ２８は完全に閉鎖されており、ガス流は形成され
ていない。減圧工程は処理チャンバ１２の給気口１４を
閉鎖し、分離バルブ２４及び圧力制御バルブ２８を完全
に開口した状態でポンプ３２を作動して、処理チャンバ
１２内のガスを排気管２２を通じて排出することにより
行われる。この減圧工程は、例えば、処理チャンバ１２
内の圧力が１〜２Torr程度になるまで行われる。これに
よって、処理チャンバ１２内に残留するガスやダスト等
の固体成分を除去することが可能になる。
【００１１】復圧工程は給気口１４から窒素、アルゴン
等の復圧ガスを処理チャンバ１２内に供給すると共に、
分離バルブ２４を開口し、圧力制御バルブ２８をある程
度、例えば２０〜４０％開口して処理チャンバ１２内に
供給された復圧ガスの一部を排気管２２を通じて外部に
排出することにより行われる。この復圧工程は処理チャ
ンバ１２内の圧力が成膜工程を開始するのに適した圧
力、例えば、８０Torr程度になるように行われる。本実
施形態のエピタキシャル成長方法では、復圧工程は処理
チャンバ１２に供給された復圧ガスの一部を排気管２２
を通じて外部に排出しながら行われるので、復圧工程時
に処理チャンバ１２から排気管２２を介して外部に向か
うガス流が形成されると共に、処理チャンバ１２及び排
気管２２内の急激な圧力変化を避けることができる。従
って、排気管２２の内面に堆積している副生成物等が排
気管内で巻き上がって飛散し、これが処理チャンバ１２
内に流入して処理チャンバ１２を汚染することが防止さ
れる。
等の復圧ガスを処理チャンバ１２内に供給すると共に、
分離バルブ２４を開口し、圧力制御バルブ２８をある程
度、例えば２０〜４０％開口して処理チャンバ１２内に
供給された復圧ガスの一部を排気管２２を通じて外部に
排出することにより行われる。この復圧工程は処理チャ
ンバ１２内の圧力が成膜工程を開始するのに適した圧
力、例えば、８０Torr程度になるように行われる。本実
施形態のエピタキシャル成長方法では、復圧工程は処理
チャンバ１２に供給された復圧ガスの一部を排気管２２
を通じて外部に排出しながら行われるので、復圧工程時
に処理チャンバ１２から排気管２２を介して外部に向か
うガス流が形成されると共に、処理チャンバ１２及び排
気管２２内の急激な圧力変化を避けることができる。従
って、排気管２２の内面に堆積している副生成物等が排
気管内で巻き上がって飛散し、これが処理チャンバ１２
内に流入して処理チャンバ１２を汚染することが防止さ
れる。
【００１２】成膜工程は加熱手段によりウェハを加熱し
た状態でサセプタを回転させながら、処理チャンバ１２
の給気口１４よりモノシラン（ＳｉＨ４）、トリクロロ
シラン（ＳｉＨＣｌ３）ガス等の反応ガスを処理チャン
バ１２内に供給することにより行われる。この操作によ
り、反応ガスが所定温度に加熱されたウェハＷの表面に
沿って層流状態で流れ、ウェハＷ上にシリコン単結晶が
エピタキシャル成長して薄膜が形成される。この成膜工
程は、分離バルブ２４を開口し、圧力制御バルブ２８を
ある程度、例えば２〜７％程度開口し、処理チャンバ１
２内の圧力がエピタキシャル成長に適した圧力、例え
ば、８０〜１００Torr程度となるように調整しながら行
われる。本実施形態のエピタキシャル成長方法によれ
ば、復圧工程で処理チャンバ１２内に副生成物等が流入
することがないので、成膜工程でこの副生成物が半導体
ウェハに混入することがない。従って、品質の高い半導
体ウェハを製造することが可能になる。
た状態でサセプタを回転させながら、処理チャンバ１２
の給気口１４よりモノシラン（ＳｉＨ４）、トリクロロ
シラン（ＳｉＨＣｌ３）ガス等の反応ガスを処理チャン
バ１２内に供給することにより行われる。この操作によ
り、反応ガスが所定温度に加熱されたウェハＷの表面に
沿って層流状態で流れ、ウェハＷ上にシリコン単結晶が
エピタキシャル成長して薄膜が形成される。この成膜工
程は、分離バルブ２４を開口し、圧力制御バルブ２８を
ある程度、例えば２〜７％程度開口し、処理チャンバ１
２内の圧力がエピタキシャル成長に適した圧力、例え
ば、８０〜１００Torr程度となるように調整しながら行
われる。本実施形態のエピタキシャル成長方法によれ
ば、復圧工程で処理チャンバ１２内に副生成物等が流入
することがないので、成膜工程でこの副生成物が半導体
ウェハに混入することがない。従って、品質の高い半導
体ウェハを製造することが可能になる。
【００１３】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されるものではなく、適宜変更して実施することが可能
である。例えば、上述した実施の形態においては、復圧
工程における排気管内部のガス流の制御及び成膜工程に
おける処理チャンバ内の圧力の制御は、単一の圧力制御
バルブにより行われていたが、これらは個別のバルブに
より制御されるようにしてもよい。また、本発明はエピ
タキシャル成長装置以外の半導体製造装置、例えばＣＶ
Ｄ装置やドライエッチング装置等にも適用することがで
きる。
されるものではなく、適宜変更して実施することが可能
である。例えば、上述した実施の形態においては、復圧
工程における排気管内部のガス流の制御及び成膜工程に
おける処理チャンバ内の圧力の制御は、単一の圧力制御
バルブにより行われていたが、これらは個別のバルブに
より制御されるようにしてもよい。また、本発明はエピ
タキシャル成長装置以外の半導体製造装置、例えばＣＶ
Ｄ装置やドライエッチング装置等にも適用することがで
きる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、減圧状態にある処理チャンバを復圧させる際
に処理チャンバに供給された復圧ガスの一部を排気管か
ら外部に排出することにより、処理チャンバから排気管
を介して外部に向かうガス流を形成すると共に、処理チ
ャンバ及び排気管内の急激な圧力変化を避けることがで
きる。これによって、排気管の内面に堆積している副生
成物が排気管内で巻き上がって飛散し、これが処理チャ
ンバ内に流入して処理チャンバを汚染することが防止さ
れる。従って、本発明によれば、排気管内部の副生成物
がウェハ表面の半導体薄膜に混入して半導体ウェハの性
状を悪化させることがないので、品質の優れた半導体を
製造することが可能になる。
によれば、減圧状態にある処理チャンバを復圧させる際
に処理チャンバに供給された復圧ガスの一部を排気管か
ら外部に排出することにより、処理チャンバから排気管
を介して外部に向かうガス流を形成すると共に、処理チ
ャンバ及び排気管内の急激な圧力変化を避けることがで
きる。これによって、排気管の内面に堆積している副生
成物が排気管内で巻き上がって飛散し、これが処理チャ
ンバ内に流入して処理チャンバを汚染することが防止さ
れる。従って、本発明によれば、排気管内部の副生成物
がウェハ表面の半導体薄膜に混入して半導体ウェハの性
状を悪化させることがないので、品質の優れた半導体を
製造することが可能になる。
【図１】 本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長
装置の概略を示す図である。
装置の概略を示す図である。
【図２】 圧力制御バルブの概略を示す図である。
【図３】 本発明の実施形態に係るエピタキシャル成長
方法の概略を示すタイムチャートである。
方法の概略を示すタイムチャートである。
１０ エピタキシャル成長装置
１２ 処理チャンバ
１４ 給気口
１６ 排気口
１８ サセプタ
２２ 排気管
２４ 分離バルブ
２８ 圧力制御バルブ
３２ ポンプ
Ｗ ウェハ
フロントページの続き
(72)発明者 岩間 一芳
千葉県成田市新泉14−３ 野毛平工業団地
内 アプライド マテリアルズ ジャパン
株式会社内
Ｆターム(参考） 4K030 AA06 BA29 BB02 CA04 EA11
FA10 KA08 LA15
5F045 AA06 AB02 AC01 AC05 AF03
DP04 EB12 EG02 EG06
Claims (6)
- 【請求項１】 被処理体が配置される処理チャンバと、 前記処理チャンバに連結され、前記処理チャンバ内のガ
スを外部に排出するための排気管と、 前記配気管に設けられ、減圧状態の処理チャンバに復圧
ガスを供給して前記処理チャンバ内の圧力を上昇させる
際に前記復圧ガスの流れを制御する制御バルブを備えた
半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記制御バルブの開口度は任意に調節可
能なものである請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記制御バルブは前記減圧状態の処理チ
ャンバに前記復圧ガスを供給する際に前記処理チャンバ
に供給された前記復圧ガスの一部を外部に排出するよう
に制御するものである請求項１又は２記載の半導体製造
装置。 - 【請求項４】 前記制御バルブは前記減圧状態の処理チ
ャンバに前記復圧ガスを供給する際に前記復圧ガスの流
れを制御すると共に、前記処理チャンバに反応ガスを供
給して前記被処理体の表面に半導体膜を形成する際に前
記処理チャンバ内の前記反応ガスの圧力を制御するもの
である請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体製造装
置。 - 【請求項５】 被処理体が配置される処理チャンバ内の
ガスを前記処理チャンバに設けられた排気管から排出し
て前記処理チャンバ内の圧力を低下させる減圧工程と、 前記減圧工程により減圧された処理チャンバ内に復圧ガ
スを供給すると共に、前記復圧ガスの一部を前記排気管
から排出しながら前記処理チャンバ内の圧力を上昇させ
る復圧工程と、 前記復圧工程により復圧された処理チャンバ内に反応ガ
スを供給し、前記被処理体の表面に半導体膜を形成する
成膜工程とを含む半導体製造方法。 - 【請求項６】 前記復圧工程における前記復圧ガスの流
れは前記排気管に設けられたバルブにより制御される請
求項５記載の半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001208191A JP2003037067A (ja) | 2001-07-09 | 2001-07-09 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001208191A JP2003037067A (ja) | 2001-07-09 | 2001-07-09 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003037067A true JP2003037067A (ja) | 2003-02-07 |
Family
ID=19044064
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001208191A Pending JP2003037067A (ja) | 2001-07-09 | 2001-07-09 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003037067A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111517257A (zh) * | 2019-12-21 | 2020-08-11 | 张忠恕 | 一种托盘升降轴焊件及其加工工艺 |
| JP2021177571A (ja) * | 2015-08-26 | 2021-11-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
-
2001
- 2001-07-09 JP JP2001208191A patent/JP2003037067A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021177571A (ja) * | 2015-08-26 | 2021-11-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| JP7128944B2 (ja) | 2015-08-26 | 2022-08-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| CN111517257A (zh) * | 2019-12-21 | 2020-08-11 | 张忠恕 | 一种托盘升降轴焊件及其加工工艺 |
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