JPH10273393A - 六ホウ化カルシウム結晶の育成法 - Google Patents
六ホウ化カルシウム結晶の育成法Info
- Publication number
- JPH10273393A JPH10273393A JP9495097A JP9495097A JPH10273393A JP H10273393 A JPH10273393 A JP H10273393A JP 9495097 A JP9495097 A JP 9495097A JP 9495097 A JP9495097 A JP 9495097A JP H10273393 A JPH10273393 A JP H10273393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- calcium
- crystal
- calcium hexaboride
- crystals
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＦＺ法によって高純度な良質単結晶の六ホウ化
カルシウム単結晶を得ることである。 【解決手段】フローティング・ゾーン法による六ホウ化
カルシウム（ＣａＢ6）単結晶の育成法において、融帯
組成のＢ／Ｃａ原子比を９より３０に制御し、育成速度
を５ｃｍ／ｈから５０ｃｍ／ｈとして育成することを特
徴とする六ホウ化カルシウム単結晶の育成法である。
カルシウム単結晶を得ることである。 【解決手段】フローティング・ゾーン法による六ホウ化
カルシウム（ＣａＢ6）単結晶の育成法において、融帯
組成のＢ／Ｃａ原子比を９より３０に制御し、育成速度
を５ｃｍ／ｈから５０ｃｍ／ｈとして育成することを特
徴とする六ホウ化カルシウム単結晶の育成法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フローティグ・ゾ
ーン法（以下、ＦＺ法と略す）による六ホウ化カルシウ
ム（ＣａＢ6）単結晶の育成法に関する。
ーン法（以下、ＦＺ法と略す）による六ホウ化カルシウ
ム（ＣａＢ6）単結晶の育成法に関する。
【０００２】
【従来技術】六ホウ化カルシウムは融点が高く仕事関数
が低い（約２．８ｅＶ）ことから、その単結晶は長寿命
で高輝度な電子放射材料として期待される。この利用に
は、純度の高い高品質単結晶が必要である。従来、六ホ
ウ化カルシウム単結晶の育成はフラックス法により行わ
れ、２ｍｍ程度の結晶が育成されていた。高純度な六ホ
ウ化カルシウム単結晶の育成法としては、育成温度が高
く不純物が蒸発により除去されるＦＺ法が適している
が、まだその報告例がない。
が低い（約２．８ｅＶ）ことから、その単結晶は長寿命
で高輝度な電子放射材料として期待される。この利用に
は、純度の高い高品質単結晶が必要である。従来、六ホ
ウ化カルシウム単結晶の育成はフラックス法により行わ
れ、２ｍｍ程度の結晶が育成されていた。高純度な六ホ
ウ化カルシウム単結晶の育成法としては、育成温度が高
く不純物が蒸発により除去されるＦＺ法が適している
が、まだその報告例がない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、ＦＺ法
による六ホウ化カルシウム単結晶育成における問題点を
調べた結果、次のことが判明した。 （１）図１に示す相図からは、六ホウ化カルシウム焼結
棒を分解温度まで加熱すると、カルシウムが蒸発し組成
がホウ素過剰となることで融帯が形成されると予想され
るが、実際には、六ホウ化カルシウム焼結棒の加熱では
初期融帯が形成されないこと、また、 （２）育成中、蒸発が非常に激しく（たとえば、ＬａＢ
6結晶の育成に比較して２００倍から３００倍の蒸発速
度）、ＦＺ法による結晶育成を困難にしていること、従
って、本発明者らは、これらの問題点について種々検討
した結果、（１）の点については初期融帯の組成を制御
することにより、（２）の点については原料焼結棒の不
純物制御と育成速度の高速化することにより解決できる
ことを見出し、本発明を完成したもので、本発明の目的
はＦＺ法によって高純度な良質単結晶の六ホウ化カルシ
ウム単結晶を得ることである。
による六ホウ化カルシウム単結晶育成における問題点を
調べた結果、次のことが判明した。 （１）図１に示す相図からは、六ホウ化カルシウム焼結
棒を分解温度まで加熱すると、カルシウムが蒸発し組成
がホウ素過剰となることで融帯が形成されると予想され
るが、実際には、六ホウ化カルシウム焼結棒の加熱では
初期融帯が形成されないこと、また、 （２）育成中、蒸発が非常に激しく（たとえば、ＬａＢ
6結晶の育成に比較して２００倍から３００倍の蒸発速
度）、ＦＺ法による結晶育成を困難にしていること、従
って、本発明者らは、これらの問題点について種々検討
した結果、（１）の点については初期融帯の組成を制御
することにより、（２）の点については原料焼結棒の不
純物制御と育成速度の高速化することにより解決できる
ことを見出し、本発明を完成したもので、本発明の目的
はＦＺ法によって高純度な良質単結晶の六ホウ化カルシ
ウム単結晶を得ることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、フロー
ティング・ゾーン法による六ホウ化カルシウム（ＣａＢ
6）単結晶の育成法において、融帯組成のＢ／Ｃａ原子
比を９より３０に制御し、育成速度を５ｃｍ／ｈから５
０ｃｍ／ｈとして育成することを特徴とする六ホウ化カ
ルシウム単結晶の育成法である。
ティング・ゾーン法による六ホウ化カルシウム（ＣａＢ
6）単結晶の育成法において、融帯組成のＢ／Ｃａ原子
比を９より３０に制御し、育成速度を５ｃｍ／ｈから５
０ｃｍ／ｈとして育成することを特徴とする六ホウ化カ
ルシウム単結晶の育成法である。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に本発明を更に詳細に説明す
る。本発明におけるＦＺ法に使用される装置の一例を図
２に示す。図中、１と１’はそれぞれ上軸と下軸の駆動
部、２と２’はそれぞれ上軸と下軸、３と３’はホルダ
ー、４はワークコイル（３巻２段）、５は原料焼結棒、
６は融帯、７はＣａＢ6結晶、８は結晶棒である。試料
の加熱は、高周波誘導加熱により行った。ワークコイル
４に高周波電流を流すことにより、試料に誘導電流を生
じさせ、そのジュール熱により行う。このようにして、
形成された融帯６に原料棒５を上方より送り込み、下方
より単結晶７を育成する。
る。本発明におけるＦＺ法に使用される装置の一例を図
２に示す。図中、１と１’はそれぞれ上軸と下軸の駆動
部、２と２’はそれぞれ上軸と下軸、３と３’はホルダ
ー、４はワークコイル（３巻２段）、５は原料焼結棒、
６は融帯、７はＣａＢ6結晶、８は結晶棒である。試料
の加熱は、高周波誘導加熱により行った。ワークコイル
４に高周波電流を流すことにより、試料に誘導電流を生
じさせ、そのジュール熱により行う。このようにして、
形成された融帯６に原料棒５を上方より送り込み、下方
より単結晶７を育成する。
【０００６】本発明による単結晶育成法の手順を示す。
まず、水酸化カルシウム粉末とホウ素粉末を所定比（式
量比１：７）によく混合後、ラバープレス（２０００Ｋ
ｇ／ｃｍ2）により圧粉棒を作製する。この圧粉棒を真
空中又は不活性ガス中で千数百℃に加熱し、六ホウ化カ
ルシウムを合成する。得られた試料を粉砕した後、再び
ラバープレス（２０００Ｋｇ／ｃｍ2）により圧粉棒を
作製する。この圧粉棒を真空中又は不活性ガス中で千数
百℃に加熱し、原料焼結棒を作製する。
まず、水酸化カルシウム粉末とホウ素粉末を所定比（式
量比１：７）によく混合後、ラバープレス（２０００Ｋ
ｇ／ｃｍ2）により圧粉棒を作製する。この圧粉棒を真
空中又は不活性ガス中で千数百℃に加熱し、六ホウ化カ
ルシウムを合成する。得られた試料を粉砕した後、再び
ラバープレス（２０００Ｋｇ／ｃｍ2）により圧粉棒を
作製する。この圧粉棒を真空中又は不活性ガス中で千数
百℃に加熱し、原料焼結棒を作製する。
【０００７】得られた原料焼結棒５を上軸２にホルダー
３を介してセットし、下軸２’には初期融帯形成用の結
晶棒８をホルダー３’を介してセットする。それら上下
の結晶棒の間に初期融帯組成制御用のホウ素結晶体円盤
を挟む。つぎに、初期融帯形成用の焼結棒８の上端を加
熱し、ホウ素円盤および原料焼結棒の下端の温度を熱伝
導により昇温させたのち、ホウ素円盤周辺を溶融させ融
帯６を形成する。その後、上軸２と下軸２’を下方に移
動させて単結晶７を育成する。このとき、下軸２’の移
動速度、すなわち、結晶育成速度は、育成中に常に一定
に保持する。その範囲は５〜５０ｃｍ／ｈ、好ましく
は、１０ｃｍ／ｈ以上３０ｃｍ／ｈ以下である。上軸２
の移動速度、すなわち、原料棒の融帯への供給速度は、
育成中の蒸発による損失と原料棒の密度の低さ（相対密
度６０％）を補償して、原料棒とほぼ同じ直径をもつ単
結晶が育成されるように、設定する。雰囲気としては、
数気圧のヘリウムガスを用いる。これは高周波ワークコ
イル部分で発生する放電を防止するため、育成時の融帯
からの蒸発を抑制するため、および、育成の高速化を促
進するためである。
３を介してセットし、下軸２’には初期融帯形成用の結
晶棒８をホルダー３’を介してセットする。それら上下
の結晶棒の間に初期融帯組成制御用のホウ素結晶体円盤
を挟む。つぎに、初期融帯形成用の焼結棒８の上端を加
熱し、ホウ素円盤および原料焼結棒の下端の温度を熱伝
導により昇温させたのち、ホウ素円盤周辺を溶融させ融
帯６を形成する。その後、上軸２と下軸２’を下方に移
動させて単結晶７を育成する。このとき、下軸２’の移
動速度、すなわち、結晶育成速度は、育成中に常に一定
に保持する。その範囲は５〜５０ｃｍ／ｈ、好ましく
は、１０ｃｍ／ｈ以上３０ｃｍ／ｈ以下である。上軸２
の移動速度、すなわち、原料棒の融帯への供給速度は、
育成中の蒸発による損失と原料棒の密度の低さ（相対密
度６０％）を補償して、原料棒とほぼ同じ直径をもつ単
結晶が育成されるように、設定する。雰囲気としては、
数気圧のヘリウムガスを用いる。これは高周波ワークコ
イル部分で発生する放電を防止するため、育成時の融帯
からの蒸発を抑制するため、および、育成の高速化を促
進するためである。
【０００８】実際の結晶育成に際し生じた主な問題点は
次に記すように解決し、六ホウ化カルシウム結晶の育成
を行った。 １）試料加熱について：六ホウ化カルシウムは半導体で
あるために、室温状態からの高周波加熱による試料加熱
は困難である。従って、下軸にセットする焼結棒（図２
の８）に、室温の状態で電気伝導性をもたせ加熱可能な
ように、作製に際し炭素を添加した。焼結棒中に０．５
ｗｔ％以上の炭素を含有させることで、電気抵抗値が約
数オーム以下となり、室温からの高周波誘導加熱を可能
にし、初期加熱の問題は解決した。通常、０．５から
０．６ｗｔ％の炭素を含有する焼結棒を用いた。
次に記すように解決し、六ホウ化カルシウム結晶の育成
を行った。 １）試料加熱について：六ホウ化カルシウムは半導体で
あるために、室温状態からの高周波加熱による試料加熱
は困難である。従って、下軸にセットする焼結棒（図２
の８）に、室温の状態で電気伝導性をもたせ加熱可能な
ように、作製に際し炭素を添加した。焼結棒中に０．５
ｗｔ％以上の炭素を含有させることで、電気抵抗値が約
数オーム以下となり、室温からの高周波誘導加熱を可能
にし、初期加熱の問題は解決した。通常、０．５から
０．６ｗｔ％の炭素を含有する焼結棒を用いた。
【０００９】２）初期融帯の形成について：図１に示す
相図からは、六ホウ化カルシウム焼結棒を分解温度まで
加熱すると、カルシウムが蒸発により失われ組成がホウ
素過剰となることで融帯が形成されるように予測される
が、実際には、六ホウ化カルシウム焼結棒の加熱では初
期融帯の形成が不可能であつた。焼結棒の密度が低いこ
と、および、カルシウムの蒸発が固相ではそれほど促進
されないことによると思われる。この問題は、上下焼結
棒の間にホウ素焼結体円盤を挟むことで解決した。即
ち、加熱初期は下にセットした焼結棒が加熱され、その
熱でホウ素円盤及び上軸にセットした原料焼結棒（図２
の５）の下端が伝導により昇温し、加熱可能になる。さ
らに、ホウ素円盤とその部分を加熱することにより、初
期融帯が形成される。その際、ホウ素円盤の厚い場合に
は、上軸の原料焼結棒の下端が昇温せず、初期融帯の形
成が困難になる。通常、１ｃｍ程度の直径を持つ結晶を
育成する場合、０．２〜０．３ｇ程度（厚み３ｍｍ程
度）のホウ素円盤を挟み、初期融帯の組成がＢ／Ｃａ＝
９程度になるようにすると、融帯が形成する。しかして
融帯組成（Ｂ／Ｃａ）が結晶育成中９から増加し３０迄
の範囲において、良質な結晶が得られる。このときの初
期融帯の組成は９である。融帯組成が３０以上の領域で
は含有物が増加して実際的ではない。なお、ここで良質
な結晶とは基礎物性を測定するには十分な品質をもつこ
とを意味する。溶融の際、半導体である六ホウ化カルシ
ウムの電気抵抗が急激に下がり、加熱効率が急激に良く
なる。そのため、高周波電源の出力を瞬時に２／３程度
に下げる必要がある。さもないと、溶融部分が多くなり
過ぎ、融帯の落下を引き起こし、以後の結晶育成が不可
能となる。
相図からは、六ホウ化カルシウム焼結棒を分解温度まで
加熱すると、カルシウムが蒸発により失われ組成がホウ
素過剰となることで融帯が形成されるように予測される
が、実際には、六ホウ化カルシウム焼結棒の加熱では初
期融帯の形成が不可能であつた。焼結棒の密度が低いこ
と、および、カルシウムの蒸発が固相ではそれほど促進
されないことによると思われる。この問題は、上下焼結
棒の間にホウ素焼結体円盤を挟むことで解決した。即
ち、加熱初期は下にセットした焼結棒が加熱され、その
熱でホウ素円盤及び上軸にセットした原料焼結棒（図２
の５）の下端が伝導により昇温し、加熱可能になる。さ
らに、ホウ素円盤とその部分を加熱することにより、初
期融帯が形成される。その際、ホウ素円盤の厚い場合に
は、上軸の原料焼結棒の下端が昇温せず、初期融帯の形
成が困難になる。通常、１ｃｍ程度の直径を持つ結晶を
育成する場合、０．２〜０．３ｇ程度（厚み３ｍｍ程
度）のホウ素円盤を挟み、初期融帯の組成がＢ／Ｃａ＝
９程度になるようにすると、融帯が形成する。しかして
融帯組成（Ｂ／Ｃａ）が結晶育成中９から増加し３０迄
の範囲において、良質な結晶が得られる。このときの初
期融帯の組成は９である。融帯組成が３０以上の領域で
は含有物が増加して実際的ではない。なお、ここで良質
な結晶とは基礎物性を測定するには十分な品質をもつこ
とを意味する。溶融の際、半導体である六ホウ化カルシ
ウムの電気抵抗が急激に下がり、加熱効率が急激に良く
なる。そのため、高周波電源の出力を瞬時に２／３程度
に下げる必要がある。さもないと、溶融部分が多くなり
過ぎ、融帯の落下を引き起こし、以後の結晶育成が不可
能となる。
【００１０】３）育成中の蒸発について：育成中の問題
として、蒸発がある。蒸発速度は、たとえば、ＦＺ法に
より育成されるＬａＢ6結晶の場合に比較して２００倍
から３００倍激しく、このことが融帯移動を困難にす
る。蒸発物は、金属カルシウムと六ホウ化カルシウムよ
り成っている。蒸発した金属カルシウムはコイルに付着
し、コイルの一巻一巻の間を短結して、放電を引き起こ
す。従って、出発物質として水酸化カルシウムを用いる
ことにより合成したホウ化カルシウムを用いると、２ｗ
ｔ％程度の酸素不純物を含有する焼結棒が得られる。そ
れを原料焼結棒として用いることで、蒸発物中のカルシ
ウム金属が水酸化カルシウムと酸化カルシウムとなり、
金属カルシウムとしての蒸発がなくなり、放電の問題は
解決する。また、原料焼結物中の酸素不純物は、初期加
熱のため焼結棒８に添加した炭素不純物を除くのに有効
である。依然として多い蒸発物は高周波コイルに多量に
付着する。付着した蒸発物が、コイル内径を小さく、融
帯に接触することで結晶育成を不可能にする。通常より
内径の大きなコイルを用いる対策にも限度がある。なぜ
ならば、半導体試料であるので加熱効率が良くないため
である。従って、育成には内径１６〜１８ｍｍのワーク
コイルを使用して育成を行う。結局、育成速度を速くす
ることで対処する。５０ｃｍ／ｈの速度においては６ｃ
ｍ程度の長さの結晶が得られるが、結晶はインクリュウ
ジョンを含有している。３０ｃｍ／ｈの速度では得られ
る結晶はインクリュウジョンをほとんど含有せず、長さ
５ｃｍの結晶を得た。育成速度をさらに下げ、５ｃｍ／
ｈの育成速度で長さ１ｃｍ弱の結晶を得た。融帯を保持
できる時間が、せいぜい１５分から２０分であるためで
ある。したがって、結晶育成が可能な速度は、５ｃｍ／
ｈから５０ｃｍ／ｈ、好ましくは、１０ｃｍ／ｈから３
０ｃｍ／ｈである。
として、蒸発がある。蒸発速度は、たとえば、ＦＺ法に
より育成されるＬａＢ6結晶の場合に比較して２００倍
から３００倍激しく、このことが融帯移動を困難にす
る。蒸発物は、金属カルシウムと六ホウ化カルシウムよ
り成っている。蒸発した金属カルシウムはコイルに付着
し、コイルの一巻一巻の間を短結して、放電を引き起こ
す。従って、出発物質として水酸化カルシウムを用いる
ことにより合成したホウ化カルシウムを用いると、２ｗ
ｔ％程度の酸素不純物を含有する焼結棒が得られる。そ
れを原料焼結棒として用いることで、蒸発物中のカルシ
ウム金属が水酸化カルシウムと酸化カルシウムとなり、
金属カルシウムとしての蒸発がなくなり、放電の問題は
解決する。また、原料焼結物中の酸素不純物は、初期加
熱のため焼結棒８に添加した炭素不純物を除くのに有効
である。依然として多い蒸発物は高周波コイルに多量に
付着する。付着した蒸発物が、コイル内径を小さく、融
帯に接触することで結晶育成を不可能にする。通常より
内径の大きなコイルを用いる対策にも限度がある。なぜ
ならば、半導体試料であるので加熱効率が良くないため
である。従って、育成には内径１６〜１８ｍｍのワーク
コイルを使用して育成を行う。結局、育成速度を速くす
ることで対処する。５０ｃｍ／ｈの速度においては６ｃ
ｍ程度の長さの結晶が得られるが、結晶はインクリュウ
ジョンを含有している。３０ｃｍ／ｈの速度では得られ
る結晶はインクリュウジョンをほとんど含有せず、長さ
５ｃｍの結晶を得た。育成速度をさらに下げ、５ｃｍ／
ｈの育成速度で長さ１ｃｍ弱の結晶を得た。融帯を保持
できる時間が、せいぜい１５分から２０分であるためで
ある。したがって、結晶育成が可能な速度は、５ｃｍ／
ｈから５０ｃｍ／ｈ、好ましくは、１０ｃｍ／ｈから３
０ｃｍ／ｈである。
【００１１】得られた結晶棒は、直径約１ｃｍで５×３
×２０〜３０ｍｍ3程度の結晶粒よりなっていた。これ
は、高周波電源の周波数（２００ｋＨｚ）が低すぎたた
め、加熱電力が試料内部に入り、結晶成長界面が凹型と
なったためである。分析の結果、融帯組成はＢ／Ｃａ原
子比で３０、結晶組成は６．０であった。金属不純物、
酸素、窒素不純物は検出されず、炭素不純物は４０ｐｐ
ｍであった。以上の記述は、高周波加熱によるＦＺ法に
おける結晶育成であるが、他の加熱方法による六ホウ化
カルシウム結晶の育成にも融帯の保持や移動等の条件が
同じであることから、高周波加熱以外の加熱方法による
結晶育成にも適応できる。
×２０〜３０ｍｍ3程度の結晶粒よりなっていた。これ
は、高周波電源の周波数（２００ｋＨｚ）が低すぎたた
め、加熱電力が試料内部に入り、結晶成長界面が凹型と
なったためである。分析の結果、融帯組成はＢ／Ｃａ原
子比で３０、結晶組成は６．０であった。金属不純物、
酸素、窒素不純物は検出されず、炭素不純物は４０ｐｐ
ｍであった。以上の記述は、高周波加熱によるＦＺ法に
おける結晶育成であるが、他の加熱方法による六ホウ化
カルシウム結晶の育成にも融帯の保持や移動等の条件が
同じであることから、高周波加熱以外の加熱方法による
結晶育成にも適応できる。
【００１２】
実施例 水酸化カルシウム粉末とホウ素粉末を、両者の式量比
（Ｂ／Ｃａ（ＯＨ）２）が７になるように混合した後、
直径１０ｍｍのゴム袋に詰め２０００ｋｇ／ｃｍ2のラ
バープレスを行い圧粉体を得た。この圧粉体を真空中、
１７００℃で加熱し、六ホウ化カルシウムを合成した。
それを粉砕し、再び直径１０ｍｍのゴム袋に詰め円柱形
に成形した。これに２０００ｋｇ／ｃｍ2のラバープレ
スを行い圧粉体を得た。この圧粉体を真空中、１７００
℃で加熱し、直径９ｍｍ、長さ１５ｃｍ程度の焼結棒を
お得た。密度は約６０％であった。酸素不純物は２．４
ｗｔ％であった。
（Ｂ／Ｃａ（ＯＨ）２）が７になるように混合した後、
直径１０ｍｍのゴム袋に詰め２０００ｋｇ／ｃｍ2のラ
バープレスを行い圧粉体を得た。この圧粉体を真空中、
１７００℃で加熱し、六ホウ化カルシウムを合成した。
それを粉砕し、再び直径１０ｍｍのゴム袋に詰め円柱形
に成形した。これに２０００ｋｇ／ｃｍ2のラバープレ
スを行い圧粉体を得た。この圧粉体を真空中、１７００
℃で加熱し、直径９ｍｍ、長さ１５ｃｍ程度の焼結棒を
お得た。密度は約６０％であった。酸素不純物は２．４
ｗｔ％であった。
【００１３】この焼結棒を図２に示すＦＺ育成炉の上軸
にホルダーを介し固定し、下軸には六ホウ化カルシウム
焼結体（炭素不純物０．５３ｗｔ％）を固定した。上下
焼結体の間にホウ素焼結体円盤０．２５ｇをはさむ。育
成炉に６気圧のヘリウムを充填した後、高周波コイル
（内径１６ｍｍ、３巻２段）によりホウ素焼結体の周辺
部を溶かし初期融帯を形成し、３０ｃｍ／ｈの速度で下
方に移動させ、全長５ｃｍ、直径１ｃｍの単結晶を育成
した。融帯組成はＢ／Ｃａ＝３０、結晶組成はＢ／Ｃａ
＝６．０であった。結晶は、厚さ１ｍｍの多結晶の皮で
囲まれるが、良質な単結晶であった。
にホルダーを介し固定し、下軸には六ホウ化カルシウム
焼結体（炭素不純物０．５３ｗｔ％）を固定した。上下
焼結体の間にホウ素焼結体円盤０．２５ｇをはさむ。育
成炉に６気圧のヘリウムを充填した後、高周波コイル
（内径１６ｍｍ、３巻２段）によりホウ素焼結体の周辺
部を溶かし初期融帯を形成し、３０ｃｍ／ｈの速度で下
方に移動させ、全長５ｃｍ、直径１ｃｍの単結晶を育成
した。融帯組成はＢ／Ｃａ＝３０、結晶組成はＢ／Ｃａ
＝６．０であった。結晶は、厚さ１ｍｍの多結晶の皮で
囲まれるが、良質な単結晶であった。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
良質な六ホウ化カルシウム単結晶が高速に育成すること
ができる。
良質な六ホウ化カルシウム単結晶が高速に育成すること
ができる。
【図１】Ｃａ−Ｂ系相図。Ｌ１，Ｌ２−融液、Ｇ−気
体。太い実線は、安定に良質結晶が得られる融帯組成領
域を示す。
体。太い実線は、安定に良質結晶が得られる融帯組成領
域を示す。
【図２】本発明に用いられた単結晶育成装置の一例を示
す説明図である。
す説明図である。
１ 上軸駆動部 １’ 下軸駆動部 ２ 上軸
２’ 下軸 ３，３’ ホルダー ４ ワークコイル ５
原料焼結棒 ６ 融帯 ７ ＣａＢ6結晶 ８ 焼結棒
２’ 下軸 ３，３’ ホルダー ４ ワークコイル ５
原料焼結棒 ６ 融帯 ７ ＣａＢ6結晶 ８ 焼結棒
Claims (1)
- 【請求項１】 フローティング・ゾーン法による六ホウ
化カルシウム（ＣａＢ6）単結晶の育成法において、融
帯組成のＢ／Ｃａ原子比を９より３０に制御し、育成速
度を５ｃｍ／ｈから５０ｃｍ／ｈとして育成することを
特徴とする六ホウ化カルシウム単結晶の育成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9495097A JP2997762B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 六ホウ化カルシウム結晶の育成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9495097A JP2997762B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 六ホウ化カルシウム結晶の育成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10273393A true JPH10273393A (ja) | 1998-10-13 |
| JP2997762B2 JP2997762B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=14124231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9495097A Expired - Lifetime JP2997762B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 六ホウ化カルシウム結晶の育成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2997762B2 (ja) |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP9495097A patent/JP2997762B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2997762B2 (ja) | 2000-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112830492A (zh) | 一种制备碳化硅粉料的装置及方法 | |
| WO2012157293A1 (ja) | 炭化珪素粉末および炭化珪素粉末の製造方法 | |
| US4303465A (en) | Method of growing monocrystals of corundum from a melt | |
| JP6935738B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶の製造方法 | |
| JP2997762B2 (ja) | 六ホウ化カルシウム結晶の育成法 | |
| US3272591A (en) | Production of single crystals from incongruently melting material | |
| US5063986A (en) | Method for manufacturing alloy rod having giant magnetostriction | |
| CN114985737B (zh) | 一种多元六硼化物[100]单晶及其制备方法 | |
| JP3755021B2 (ja) | 六ホウ化希土類単結晶の育成法 | |
| JP7486743B2 (ja) | ＦｅＧａ合金単結晶の製造方法 | |
| JP2580523B2 (ja) | 二ホウ化チタン単結晶の育成法 | |
| JP2642882B2 (ja) | 二ホウ化タングステン単結晶の育成法 | |
| JPH1095699A (ja) | ニホウ化ジルコニウム単結晶の育成法 | |
| JP2929007B1 (ja) | Ｖａ族二ホウ化物単結晶の育成法 | |
| JP2949212B2 (ja) | 六ホウ化ランタン単結晶の育成法 | |
| JP2730674B2 (ja) | 六ホウ化希土類単結晶の育成法 | |
| JP2997760B2 (ja) | 二ホウ化ハフニウム単結晶の製造方法 | |
| JPH05319991A (ja) | 六ホウ化ランタン単結晶の育成法 | |
| Taft et al. | Zone purification of silicon | |
| JPH0524992A (ja) | 六ホウ化ランタン単結晶の育成法 | |
| JP2997761B2 (ja) | 二ホウ化レニウム単結晶の製造方法 | |
| JPS5812240B2 (ja) | 炭化ハフニウム結晶体の製造法 | |
| JPH0733594A (ja) | ホウ化ランタン系単結晶の育成法 | |
| JP2024158672A (ja) | ＦｅＧａ合金単結晶の製造方法 | |
| JPH0686358B2 (ja) | 硼化セリウム系単結晶とその育成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |