JPH10270916A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
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- JPH10270916A JPH10270916A JP7338997A JP7338997A JPH10270916A JP H10270916 A JPH10270916 A JP H10270916A JP 7338997 A JP7338997 A JP 7338997A JP 7338997 A JP7338997 A JP 7338997A JP H10270916 A JPH10270916 A JP H10270916A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】共振に伴って誘電体共振子１に発生する熱を支
持台２により効率良く放熱させることにより、安定した
共振周波数ｆとＱ値が得られるようにする。 【解決手段】誘電体共振子１を金属製のケース３内に配
置する支持台２を、高熱伝導率を有する窒化アルミニウ
ムセラミックスにより形成する。
持台２により効率良く放熱させることにより、安定した
共振周波数ｆとＱ値が得られるようにする。 【解決手段】誘電体共振子１を金属製のケース３内に配
置する支持台２を、高熱伝導率を有する窒化アルミニウ
ムセラミックスにより形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体フィルタと
して用いられる誘電体共振器に関するものである。
して用いられる誘電体共振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
誘電体共振器の構造としては、図６に示すように、円筒
状をした誘電体セラミックスからなる誘電体共振子１１
を、アルミナやフォルステライトを主成分とする絶縁性
セラミックスにより形成した支持台１２を介して金属製
ケース１３の中央に配置したものがあった。そして、こ
の誘電体共振器に特定の信号を入力すると、誘電体共振
子１１の共振周波数ｆのみが出力信号として出力される
ことから、誘電体フィルタとして使用され、各種回路に
搭載されていた。
誘電体共振器の構造としては、図６に示すように、円筒
状をした誘電体セラミックスからなる誘電体共振子１１
を、アルミナやフォルステライトを主成分とする絶縁性
セラミックスにより形成した支持台１２を介して金属製
ケース１３の中央に配置したものがあった。そして、こ
の誘電体共振器に特定の信号を入力すると、誘電体共振
子１１の共振周波数ｆのみが出力信号として出力される
ことから、誘電体フィルタとして使用され、各種回路に
搭載されていた。
【０００３】ところで、誘電体共振子１１は、共振に伴
って発熱し、この発熱により誘電体共振器の特性（共振
周波数ｆ、無負荷Ｑ値）に悪影響を与えることが知られ
ており、そのために誘電体共振子１１に発生した熱は支
持台２を介して放熱するようになっていた。
って発熱し、この発熱により誘電体共振器の特性（共振
周波数ｆ、無負荷Ｑ値）に悪影響を与えることが知られ
ており、そのために誘電体共振子１１に発生した熱は支
持台２を介して放熱するようになっていた。
【０００４】しかしながら、近年、基地局などに用いら
れる誘電体共振器においては高出力化が進み、例えば、
７００ＭＨｚから高周波帯域の共振周波数ｆを得ようと
すると、誘電体共振子１１が８０〜９０℃程度にまで発
熱することから、支持台１２をアルミナやフォルステラ
イトを主成分とするセラミックスで形成したものでは熱
伝導率が低いために充分な放熱ができず、その結果、安
定した共振周波数ｆやＱ値が得られないといった課題が
あった。
れる誘電体共振器においては高出力化が進み、例えば、
７００ＭＨｚから高周波帯域の共振周波数ｆを得ようと
すると、誘電体共振子１１が８０〜９０℃程度にまで発
熱することから、支持台１２をアルミナやフォルステラ
イトを主成分とするセラミックスで形成したものでは熱
伝導率が低いために充分な放熱ができず、その結果、安
定した共振周波数ｆやＱ値が得られないといった課題が
あった。
【０００５】一方、放熱性を向上させることを目的とし
て、誘電体共振子と支持台とを同一の誘電体セラミック
スにより一体的に成形し、焼結一体化した誘電体共振器
が提案されている（実開平２−１５８０８号公報参
照）。
て、誘電体共振子と支持台とを同一の誘電体セラミック
スにより一体的に成形し、焼結一体化した誘電体共振器
が提案されている（実開平２−１５８０８号公報参
照）。
【０００６】しかしながら、誘電体共振子と支持台とを
一体的に形成したものでは、誘電体共振子により形成さ
れる電磁場の分布に悪影響を与える恐れがあるととも
に、誘電体セラミックスは一般的に熱伝導率が低いこと
から放熱性が悪く、誘電体共振器の共振周波数ｆやＱ値
を安定化することはできなかった。
一体的に形成したものでは、誘電体共振子により形成さ
れる電磁場の分布に悪影響を与える恐れがあるととも
に、誘電体セラミックスは一般的に熱伝導率が低いこと
から放熱性が悪く、誘電体共振器の共振周波数ｆやＱ値
を安定化することはできなかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、円柱状又は円筒状をした誘電体共振子を支持
台を介してケース内に配置してなる誘電体共振器におい
て、上記支持台を高熱伝導率を有する窒化アルミニウム
セラミックスにより形成したことを特徴とするものであ
る。
題に鑑み、円柱状又は円筒状をした誘電体共振子を支持
台を介してケース内に配置してなる誘電体共振器におい
て、上記支持台を高熱伝導率を有する窒化アルミニウム
セラミックスにより形成したことを特徴とするものであ
る。
【０００８】
【作用】本発明は、誘電体共振子をケース内に配置する
支持台を、絶縁性を有し、かつ高熱伝導率を有する窒化
アルミニウムセラミックスで形成したことにより、誘電
体共振子の発熱に伴う熱を効率良く放熱することができ
るため、誘電体共振器の共振周波数ｆやＱ値を安定化す
ることができる。
支持台を、絶縁性を有し、かつ高熱伝導率を有する窒化
アルミニウムセラミックスで形成したことにより、誘電
体共振子の発熱に伴う熱を効率良く放熱することができ
るため、誘電体共振器の共振周波数ｆやＱ値を安定化す
ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。図１は本発明に係る誘電体共振器の一例を示す断面
図であり、円筒状の誘電体共振子１を、該誘電体共振子
１の外径より小さな外径をもった円柱状の支持台２を介
して金属製のケース３の中央に配置したものである。具
体的には、誘電体共振子１の下面中央に凹部１ａを形成
してあり、該凹部１ａに支持台２を嵌合させ、エポキシ
系等の接着剤（不図示）でもって接合するとともに、支
持台２を一体化した誘電体共振子１をエポキシ系等の接
着剤（不図示）によりケース３に接合してある。
る。図１は本発明に係る誘電体共振器の一例を示す断面
図であり、円筒状の誘電体共振子１を、該誘電体共振子
１の外径より小さな外径をもった円柱状の支持台２を介
して金属製のケース３の中央に配置したものである。具
体的には、誘電体共振子１の下面中央に凹部１ａを形成
してあり、該凹部１ａに支持台２を嵌合させ、エポキシ
系等の接着剤（不図示）でもって接合するとともに、支
持台２を一体化した誘電体共振子１をエポキシ系等の接
着剤（不図示）によりケース３に接合してある。
【００１０】上記誘電体共振子１は、誘電体セラミック
スからなり、その組成として各種金属酸化物の単体、又
は複合酸化物（特に、ペロブスカイト構造をもったも
の）など公知のものを用いることができるが、好ましく
はＱ値が１００〜２０００００、誘電率εr が２〜１０
００ものが良い。
スからなり、その組成として各種金属酸化物の単体、又
は複合酸化物（特に、ペロブスカイト構造をもったも
の）など公知のものを用いることができるが、好ましく
はＱ値が１００〜２０００００、誘電率εr が２〜１０
００ものが良い。
【００１１】また、誘電体共振子１をケース３に配置す
る支持台２は、絶縁性が高く、高熱伝導率を有するとと
もに、吸水率が０．１％以下である窒化アルミニウムセ
ラミックスにより形成してある。
る支持台２は、絶縁性が高く、高熱伝導率を有するとと
もに、吸水率が０．１％以下である窒化アルミニウムセ
ラミックスにより形成してある。
【００１２】このように、本発明は、誘電体共振子１を
ケース３に配置するための支持台２を、高熱伝導率を有
する窒化アルミニウムセラミックスにより形成してある
ことから、誘電体共振子１が共振に伴って発熱したとし
ても、この熱を支持台２を介して効率良く放熱すること
ができるため、誘電体共振器の共振周波数ｆやＱ値に悪
影響を与えることがなく、所定の特性を安定して得るこ
とができる。
ケース３に配置するための支持台２を、高熱伝導率を有
する窒化アルミニウムセラミックスにより形成してある
ことから、誘電体共振子１が共振に伴って発熱したとし
ても、この熱を支持台２を介して効率良く放熱すること
ができるため、誘電体共振器の共振周波数ｆやＱ値に悪
影響を与えることがなく、所定の特性を安定して得るこ
とができる。
【００１３】なお、本発明において高熱伝導率とは７０
Ｗ／ｍｋ以上のことであり、好ましくは１５０Ｗ／ｍｋ
以上、さらに好ましくは１７０Ｗ／ｍｋ以上のものが良
い。
Ｗ／ｍｋ以上のことであり、好ましくは１５０Ｗ／ｍｋ
以上、さらに好ましくは１７０Ｗ／ｍｋ以上のものが良
い。
【００１４】また、誘電体共振器の共振周波数ｆやＱ値
の安定した特性を維持するためには、窒化アルミニウム
セラミックスの吸水率を０．１％以下とすることが重要
である。
の安定した特性を維持するためには、窒化アルミニウム
セラミックスの吸水率を０．１％以下とすることが重要
である。
【００１５】即ち、セラミックスからなる支持台２を製
作する場合、焼結したセラミックスを所定の寸法に研削
したあと、支持台２に付着する研摩粉や研摩液、あるい
は加工粉等を除去するために洗浄し、しかるのち乾燥さ
せるのであるが、窒化アルミニウムセラミックスの吸水
率が高く、乾燥が不充分な支持台２を用いて誘電体共振
器を製作すると、誘電体共振子１の発熱によって支持台
２が吸収した水分が蒸発し、誘電体共振器のＱ値が低下
するからである。その為、支持台２を形成する窒化アル
ミニウムセラミックスを緻密化することにより、洗浄工
程における水分の吸収を少なくできるとともに、支持台
２の表層部のみを乾燥させるだけで良いため、乾燥時間
を短くすることができる。そして、その吸水率を０．１
％以下とすることにより、安定した共振周波数ｆやＱ値
を得ることができるとともに、製造効率を向上させるこ
とができる。なお、吸水率は水銀圧入法にて測定すれば
良い。
作する場合、焼結したセラミックスを所定の寸法に研削
したあと、支持台２に付着する研摩粉や研摩液、あるい
は加工粉等を除去するために洗浄し、しかるのち乾燥さ
せるのであるが、窒化アルミニウムセラミックスの吸水
率が高く、乾燥が不充分な支持台２を用いて誘電体共振
器を製作すると、誘電体共振子１の発熱によって支持台
２が吸収した水分が蒸発し、誘電体共振器のＱ値が低下
するからである。その為、支持台２を形成する窒化アル
ミニウムセラミックスを緻密化することにより、洗浄工
程における水分の吸収を少なくできるとともに、支持台
２の表層部のみを乾燥させるだけで良いため、乾燥時間
を短くすることができる。そして、その吸水率を０．１
％以下とすることにより、安定した共振周波数ｆやＱ値
を得ることができるとともに、製造効率を向上させるこ
とができる。なお、吸水率は水銀圧入法にて測定すれば
良い。
【００１６】ところで、支持台２を形成する窒化アルミ
ニウムセラミックスとしては、実質的に窒化アルミニウ
ムのみからなる高純度窒化アルミニウムセラミックス
や、窒化アルミニウムを主成分とし、助剤としてＹ2 Ｏ
3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 などの希土類酸化物を１〜１
０重量％の範囲で含有した窒化アルミニウムセラミック
スを用いることができ、特に希土類酸化物を含有したも
のは１００Ｗ／ｍｋ以上の高熱伝導率を有することか
ら、放熱性を高めるうえで好適である。
ニウムセラミックスとしては、実質的に窒化アルミニウ
ムのみからなる高純度窒化アルミニウムセラミックス
や、窒化アルミニウムを主成分とし、助剤としてＹ2 Ｏ
3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 などの希土類酸化物を１〜１
０重量％の範囲で含有した窒化アルミニウムセラミック
スを用いることができ、特に希土類酸化物を含有したも
のは１００Ｗ／ｍｋ以上の高熱伝導率を有することか
ら、放熱性を高めるうえで好適である。
【００１７】このような支持台２を製作するには、純度
９９％以上のＡｌＮ粉末のみにバインダーと溶媒を添加
混合して泥漿を作製するか、上記ＡｌＮ粉末にＹ
2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 などの希土類酸化物を１
〜１０重量％の範囲で添加し、さらにバインダーと溶媒
を添加混合して泥漿を作製し、これらの泥漿を乾燥造粒
して形成した顆粒を、金型に充填して一軸加圧成形法や
等加圧成形法など公知の成形法にて所定形状に成形す
る。この時、成形体の相対密度は、焼結したセラミック
スを緻密化し、吸水率を０．１％以下とするために１．
５ｇ／ｃｍ3 以上とすることが必要である。
９９％以上のＡｌＮ粉末のみにバインダーと溶媒を添加
混合して泥漿を作製するか、上記ＡｌＮ粉末にＹ
2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 などの希土類酸化物を１
〜１０重量％の範囲で添加し、さらにバインダーと溶媒
を添加混合して泥漿を作製し、これらの泥漿を乾燥造粒
して形成した顆粒を、金型に充填して一軸加圧成形法や
等加圧成形法など公知の成形法にて所定形状に成形す
る。この時、成形体の相対密度は、焼結したセラミック
スを緻密化し、吸水率を０．１％以下とするために１．
５ｇ／ｃｍ3 以上とすることが必要である。
【００１８】しかるのち、成形体を焼成するのである
が、焼結したセラミックスの吸水率を０．１％以下とす
るためには焼成温度が高すぎても低すぎても良くなく、
成形体がＡｌＮ粉末のみからなる時は、窒素雰囲気中に
て１８００〜２１００℃程度の温度で１〜数時間焼結さ
せ、成形体がＡｌＮ粉末に希土類酸化物を含有させたも
のである場合、窒素雰囲気中にて１６００〜１９００℃
程度の温度で１〜数時間焼結させることにより、吸水率
が０．１％以下である高純度窒化アルミニウムセラミッ
クス、あるいは希土類酸化物を１〜１０重量％含有した
窒化アルミニウムセラミックスを得ることができる。
が、焼結したセラミックスの吸水率を０．１％以下とす
るためには焼成温度が高すぎても低すぎても良くなく、
成形体がＡｌＮ粉末のみからなる時は、窒素雰囲気中に
て１８００〜２１００℃程度の温度で１〜数時間焼結さ
せ、成形体がＡｌＮ粉末に希土類酸化物を含有させたも
のである場合、窒素雰囲気中にて１６００〜１９００℃
程度の温度で１〜数時間焼結させることにより、吸水率
が０．１％以下である高純度窒化アルミニウムセラミッ
クス、あるいは希土類酸化物を１〜１０重量％含有した
窒化アルミニウムセラミックスを得ることができる。
【００１９】そして、焼結した窒化アルミニウムセラミ
ックスに研削加工を施して所定の寸法に形成し、水で洗
浄したあと、５〜３０分程度乾燥させることで、窒化ア
ルミニウムセラミックスからなる支持台２を製作するこ
とができる。
ックスに研削加工を施して所定の寸法に形成し、水で洗
浄したあと、５〜３０分程度乾燥させることで、窒化ア
ルミニウムセラミックスからなる支持台２を製作するこ
とができる。
【００２０】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
【００２１】図２に示す誘電体共振器は、誘電体共振子
１の形状を円筒状とするとともに、支持台５の形状を、
外壁面に複数の放熱フィン５ａを形成した円柱状とした
ものであり、このように放熱フィン５ａを形成して表面
積を大きくすることで、放熱性をさらに高めることがで
きる。
１の形状を円筒状とするとともに、支持台５の形状を、
外壁面に複数の放熱フィン５ａを形成した円柱状とした
ものであり、このように放熱フィン５ａを形成して表面
積を大きくすることで、放熱性をさらに高めることがで
きる。
【００２２】図３に示す誘電体共振器は、誘電体共振子
１の形状を円柱状とするとともに、、支持台６の形状を
円筒状とし、かつその外壁面に複数の貫通孔６ａを形成
したものである。このように、貫通孔６ａを形成して支
持台６内部の空間６ｂと連通させることで、支持台６の
内外壁面より誘電体共振子１の熱を効率良く放熱するこ
とができ、図２と同様、放熱性を高めることができる。
１の形状を円柱状とするとともに、、支持台６の形状を
円筒状とし、かつその外壁面に複数の貫通孔６ａを形成
したものである。このように、貫通孔６ａを形成して支
持台６内部の空間６ｂと連通させることで、支持台６の
内外壁面より誘電体共振子１の熱を効率良く放熱するこ
とができ、図２と同様、放熱性を高めることができる。
【００２３】図４に示す誘電体共振器は、誘電体共振子
１の形状を円筒状とし、、支持台７の形状を両端部から
中央部に向かって径が小さくなるように階段状の段差を
設けた堤状とするとともに、ネジ８をケース３側から支
持台７の貫通孔７ｂに挿通し、誘電体共振子１の貫通孔
１ｂに設けたネジ部に螺合することで誘電体共振子１と
支持台７とを一体的に固定したものである。
１の形状を円筒状とし、、支持台７の形状を両端部から
中央部に向かって径が小さくなるように階段状の段差を
設けた堤状とするとともに、ネジ８をケース３側から支
持台７の貫通孔７ｂに挿通し、誘電体共振子１の貫通孔
１ｂに設けたネジ部に螺合することで誘電体共振子１と
支持台７とを一体的に固定したものである。
【００２４】このように、支持台７の外表面に階段状の
段差を設けても表面積を大きくすることができるため、
放熱性を高めることができる。また、本実施形態ではネ
ジ８により固定するようにしてあることから、誘電体共
振子１と支持台７とを強固に固定できるとともに、支持
台７と金属製のケース３とを直に接触させることができ
るため、ケース３への熱の伝達性を高め、放熱性を向上
させることができる。
段差を設けても表面積を大きくすることができるため、
放熱性を高めることができる。また、本実施形態ではネ
ジ８により固定するようにしてあることから、誘電体共
振子１と支持台７とを強固に固定できるとともに、支持
台７と金属製のケース３とを直に接触させることができ
るため、ケース３への熱の伝達性を高め、放熱性を向上
させることができる。
【００２５】図５に示す誘電体共振器は、図１と同様の
構造をしたものであるが、支持台９にネジ９ａを設け、
金属製のケース３に螺合するとともに、ケース３の外壁
面に冷却用の放熱フィン１０を設けたものである。
構造をしたものであるが、支持台９にネジ９ａを設け、
金属製のケース３に螺合するとともに、ケース３の外壁
面に冷却用の放熱フィン１０を設けたものである。
【００２６】即ち、誘電体共振子１の発熱によってケー
ス３内の空気が温められると支持台９の放熱性が低下す
るのであるが、本実施形態のようにケース３に放熱フィ
ン１０を設けることで、温められたケース３内の空気を
冷却することができるため、支持台９による放熱性を高
めることができる。
ス３内の空気が温められると支持台９の放熱性が低下す
るのであるが、本実施形態のようにケース３に放熱フィ
ン１０を設けることで、温められたケース３内の空気を
冷却することができるため、支持台９による放熱性を高
めることができる。
【００２７】なお、支持台の形状は図１乃至図５に示し
たものだけに限定されるものではなく、少なくとも支持
台を高熱伝導率を有する窒化アルミニウムセラミックス
により形成してあれば、どのような形状をしたものであ
っても構わない。
たものだけに限定されるものではなく、少なくとも支持
台を高熱伝導率を有する窒化アルミニウムセラミックス
により形成してあれば、どのような形状をしたものであ
っても構わない。
【００２８】
（実施例１）ここで、支持台２を窒化アルミニウムセラ
ミックスにより形成した図１の誘電体共振器と、比較例
として支持台２を純度９９％のアルミナセラミックス及
びフォルステライトセラミックスによりそれぞれ形成し
た図６の誘電体共振器を用意し、各誘電体共振器のＱ値
の変化について比較実験を行った。
ミックスにより形成した図１の誘電体共振器と、比較例
として支持台２を純度９９％のアルミナセラミックス及
びフォルステライトセラミックスによりそれぞれ形成し
た図６の誘電体共振器を用意し、各誘電体共振器のＱ値
の変化について比較実験を行った。
【００２９】本実験では、誘電体共振子１，１１を、誘
電率εr が４４であるＮｂ−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系の誘電
体セラミックスにより製作し、その形状を外径６２ｍ
ｍ、内径６．８ｍｍ、高さ２５ｍｍの円筒状とするとと
もに、支持台２，１２の形状を外径３５ｍｍ、高さ５０
ｍｍの円柱状とした。また、支持台２，１２を形成する
セラミックスの吸水率はいずれも０．１％のものを使用
し、本発明の支持台２を形成する窒化アルミニウムセラ
ミックスとしてＥｒ2 Ｏ3 を９重量％含有したものを使
用した。
電率εr が４４であるＮｂ−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系の誘電
体セラミックスにより製作し、その形状を外径６２ｍ
ｍ、内径６．８ｍｍ、高さ２５ｍｍの円筒状とするとと
もに、支持台２，１２の形状を外径３５ｍｍ、高さ５０
ｍｍの円柱状とした。また、支持台２，１２を形成する
セラミックスの吸水率はいずれも０．１％のものを使用
し、本発明の支持台２を形成する窒化アルミニウムセラ
ミックスとしてＥｒ2 Ｏ3 を９重量％含有したものを使
用した。
【００３０】そして、これらの誘電体共振器の室温（２
５℃）におけるＱ値を空洞共振器法にて測定したあと、
恒温槽で１００℃に加熱した時のＱ値を測定し、室温時
のＱ値に対する変化が３０％以上のものを×、３０％以
内のものを△、１０％以下のものを○とし、△及び○の
ものを優れたものとして評価した。
５℃）におけるＱ値を空洞共振器法にて測定したあと、
恒温槽で１００℃に加熱した時のＱ値を測定し、室温時
のＱ値に対する変化が３０％以上のものを×、３０％以
内のものを△、１０％以下のものを○とし、△及び○の
ものを優れたものとして評価した。
【００３１】各セラミックスの特性及び結果は表１に示
す通りである。
す通りである。
【００３２】
【表１】
【００３３】この結果、支持台１２を純度９９％のアル
ミナセラミックス及びフォルステライトセラミックスで
形成した比較例の誘電体共振器では、熱伝導率が低すぎ
ることから放熱性が悪く、その結果、いずれの誘電体共
振器もＱ値が３０％以上も低下した。
ミナセラミックス及びフォルステライトセラミックスで
形成した比較例の誘電体共振器では、熱伝導率が低すぎ
ることから放熱性が悪く、その結果、いずれの誘電体共
振器もＱ値が３０％以上も低下した。
【００３４】これに対し、支持台２を窒化アルミニウム
セラミックスで形成した本発明の誘電体共振器は、支持
台２の熱伝導率が１７０Ｗ／ｍｋと高く、放熱性に優れ
ることから、誘電体共振器を１００℃に加熱したとして
もＱ値の大きな変化は見られず、１０％以内に抑えるこ
とができた。
セラミックスで形成した本発明の誘電体共振器は、支持
台２の熱伝導率が１７０Ｗ／ｍｋと高く、放熱性に優れ
ることから、誘電体共振器を１００℃に加熱したとして
もＱ値の大きな変化は見られず、１０％以内に抑えるこ
とができた。
【００３５】（実施例２）次に、吸水率及び熱伝導率を
異ならせた窒化アルミニウムセラミックスからなる支持
台２を用意し、これらの支持台２を用いた図１の誘電体
共振器を製作して実施例１と同様の方法により誘電体共
振器のＱ値の変化について実験を行った。
異ならせた窒化アルミニウムセラミックスからなる支持
台２を用意し、これらの支持台２を用いた図１の誘電体
共振器を製作して実施例１と同様の方法により誘電体共
振器のＱ値の変化について実験を行った。
【００３６】なお、いずれの支持台２も乾燥時間は５分
程度とした。
程度とした。
【００３７】窒化アルミニウムセラミックスの特性（組
成、吸水率、熱伝導率）及び結果は表２に示す通りであ
る。
成、吸水率、熱伝導率）及び結果は表２に示す通りであ
る。
【００３８】
【表２】
【００３９】この結果、試料Ｎｏ．３，６，９，１３に
見られるように、吸水率が０．２％であると、熱伝導率
に関係なく加熱によってＱ値が３０％以上低下した。
見られるように、吸水率が０．２％であると、熱伝導率
に関係なく加熱によってＱ値が３０％以上低下した。
【００４０】これに対し、吸水率が０．１％以上である
試料Ｎｏ．１，２，４，５，７，８，１１，１２のもの
は、加熱によるＱ値の低下を３０％未満に抑えることが
できた。また、これらの中でも窒化アルミニウムセラミ
ックスの熱伝導率が１７０Ｗ／ｍｋ以上である試料Ｎ
ｏ．７，８，１１，１２のものは、Ｑ値の低下を１０％
以内に抑えることができ、特に優れていた。
試料Ｎｏ．１，２，４，５，７，８，１１，１２のもの
は、加熱によるＱ値の低下を３０％未満に抑えることが
できた。また、これらの中でも窒化アルミニウムセラミ
ックスの熱伝導率が１７０Ｗ／ｍｋ以上である試料Ｎ
ｏ．７，８，１１，１２のものは、Ｑ値の低下を１０％
以内に抑えることができ、特に優れていた。
【００４１】さらに、吸水率を０％とすれば、熱伝導率
が１５０Ｗ／ｍｋの窒化アルミニウムセラミックスでも
Ｑ値の低下を１０％以内に抑えることができた。
が１５０Ｗ／ｍｋの窒化アルミニウムセラミックスでも
Ｑ値の低下を１０％以内に抑えることができた。
【００４２】このように、窒化アルミニウムセラミック
スの吸水率を０．１％以下とすれば、誘電体共振子の発
熱に伴うＱ値の変化を大幅に抑えられることが判る。
スの吸水率を０．１％以下とすれば、誘電体共振子の発
熱に伴うＱ値の変化を大幅に抑えられることが判る。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、円柱状
又は円筒状をした誘電体共振子を支持台を介してケース
内に配置してなる誘電体共振器において、上記支持台を
高熱伝導率を有する窒化アルミニウムセラミックスによ
り形成したことにより、共振に伴って誘電体共振子が発
熱したとしても支持台が優れた放熱性を有することか
ら、誘電体共振子の発熱に伴う特性劣化を抑えることが
できる。さらに、上記窒化アルミニウムセラミックスの
吸水率を０．１％以下とすることにより、製造時の洗浄
工程においてセラミックスの内部に水分が吸収されるこ
とが殆どないため、Ｑ値の低下を防ぐことができ、安定
した共振周波数ｆやＱ値を得ることができるとともに、
支持台の製造工程における乾燥時間を短くできるため、
製造効率を向上させることができる。
又は円筒状をした誘電体共振子を支持台を介してケース
内に配置してなる誘電体共振器において、上記支持台を
高熱伝導率を有する窒化アルミニウムセラミックスによ
り形成したことにより、共振に伴って誘電体共振子が発
熱したとしても支持台が優れた放熱性を有することか
ら、誘電体共振子の発熱に伴う特性劣化を抑えることが
できる。さらに、上記窒化アルミニウムセラミックスの
吸水率を０．１％以下とすることにより、製造時の洗浄
工程においてセラミックスの内部に水分が吸収されるこ
とが殆どないため、Ｑ値の低下を防ぐことができ、安定
した共振周波数ｆやＱ値を得ることができるとともに、
支持台の製造工程における乾燥時間を短くできるため、
製造効率を向上させることができる。
【図１】本発明に係る誘電体共振器の一例を示す断面図
である。
である。
【図２】本発明に係る誘電体共振器の他の例を示す断面
図である。
図である。
【図３】本発明に係る誘電体共振器の他の例を示す断面
図である。
図である。
【図４】本発明に係る誘電体共振器の他の例を示す断面
図である。
図である。
【図５】本発明に係る誘電体共振器の他の例を示す断面
図である。
図である。
【図６】従来の誘電体共振器を示す断面図である。
１・・・誘電体共振子 ２・・・支持台 ３・・・ケース
Claims (1)
- 【請求項１】円柱状又は円筒状をした誘電体共振子を支
持台を介してケース内に配置してなる誘電体共振器にお
いて、上記支持台を高熱伝導率を有する窒化アルミニウ
ムセラミックスにより形成したことを特徴とする誘電体
共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7338997A JPH10270916A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7338997A JPH10270916A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 誘電体共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270916A true JPH10270916A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13516801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7338997A Pending JPH10270916A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270916A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005276891A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Ngk Insulators Ltd | セラミック製サセプターおよびその洗浄方法 |
| CN102656743A (zh) * | 2009-10-30 | 2012-09-05 | 阿尔卡特朗讯 | 高热效率介电谐振器支座 |
| JP2014508482A (ja) * | 2011-03-16 | 2014-04-03 | アルカテル−ルーセント | 空胴フィルタの熱放散 |
-
1997
- 1997-03-26 JP JP7338997A patent/JPH10270916A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005276891A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Ngk Insulators Ltd | セラミック製サセプターおよびその洗浄方法 |
| JP4632290B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2011-02-16 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 |
| CN102656743A (zh) * | 2009-10-30 | 2012-09-05 | 阿尔卡特朗讯 | 高热效率介电谐振器支座 |
| KR101411341B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2014-06-26 | 알까뗄 루슨트 | 열 효율적인 유전체 공진기 지지체 |
| CN102656743B (zh) * | 2009-10-30 | 2016-08-24 | 阿尔卡特朗讯 | 高热效率介电谐振器支座 |
| JP2014508482A (ja) * | 2011-03-16 | 2014-04-03 | アルカテル−ルーセント | 空胴フィルタの熱放散 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20031216 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |