JPH10270748A - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
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- JPH10270748A JPH10270748A JP6862797A JP6862797A JPH10270748A JP H10270748 A JPH10270748 A JP H10270748A JP 6862797 A JP6862797 A JP 6862797A JP 6862797 A JP6862797 A JP 6862797A JP H10270748 A JPH10270748 A JP H10270748A
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- optical
- microstrip line
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波信号を扱えることができるようにする
ことにより、高密度の光学記録媒体用の高出力半導体レ
ーザや光通信等に用いて好適な光学装置を提供する。 【解決手段】 発光素子ＬＤへの高周波信号の伝送線
５，１８が、所定の特性インピーダンスを有するマイク
ロストリップラインにより形成されて成り、終端Ｒでイ
ンピーダンス整合されて成る光学装置１を構成する。
ことにより、高密度の光学記録媒体用の高出力半導体レ
ーザや光通信等に用いて好適な光学装置を提供する。 【解決手段】 発光素子ＬＤへの高周波信号の伝送線
５，１８が、所定の特性インピーダンスを有するマイク
ロストリップラインにより形成されて成り、終端Ｒでイ
ンピーダンス整合されて成る光学装置１を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光学記録媒
体の記録・再生を行う光学ピックアップ装置や光通信用
途に用いて好適な光学装置に係わる。
体の記録・再生を行う光学ピックアップ装置や光通信用
途に用いて好適な光学装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】現在、光学記録媒体の記録・再生を行う
ための光学ピックアップ装置は、量産性の高さから、パ
ッケージ内に発光素子と受光素子とをハイブリッドに配
置し受光素子上にマイクロプリズムを載置した構造の、
いわゆるレーザカプラと呼ばれる光半導体素子の割合が
増加してきている。
ための光学ピックアップ装置は、量産性の高さから、パ
ッケージ内に発光素子と受光素子とをハイブリッドに配
置し受光素子上にマイクロプリズムを載置した構造の、
いわゆるレーザカプラと呼ばれる光半導体素子の割合が
増加してきている。
【０００３】レーザカプラは、その高い信頼性、低コス
ト性、組立・調整工程の簡略化が図れる等の理由から、
現在ＣＤ（コンパクトディスク）及びＣＤ−ＲＯＭの光
学ピックアップの主流になっている。
ト性、組立・調整工程の簡略化が図れる等の理由から、
現在ＣＤ（コンパクトディスク）及びＣＤ−ＲＯＭの光
学ピックアップの主流になっている。
【０００４】最近、このレーザカプラを、ＣＤ用途のみ
ならず、ＭＤ（ミニディスク）・ＭＯ（光磁気ディス
ク）・ＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク又はデジ
タルビデオディスク）等の高記録密度の光学記録媒体用
途、或いは光通信用途に生かそうとする動きが盛んであ
る。
ならず、ＭＤ（ミニディスク）・ＭＯ（光磁気ディス
ク）・ＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク又はデジ
タルビデオディスク）等の高記録密度の光学記録媒体用
途、或いは光通信用途に生かそうとする動きが盛んであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＣＤ用途では、
レーザカプラ内で高々数十ＭＨｚの周波数の信号を扱っ
ていれば充分であった。これに対して、上述のＭＤ・Ｍ
Ｏ・ＤＶＤ用途あるいは光通信用途においては、半導体
レーザＬＤのノイズ対策や使用する信号の帯域から、数
百ＭＨｚ〜数ＧＨｚと１桁ないしは２桁高い周波数帯域
の信号を扱う必要がある。
レーザカプラ内で高々数十ＭＨｚの周波数の信号を扱っ
ていれば充分であった。これに対して、上述のＭＤ・Ｍ
Ｏ・ＤＶＤ用途あるいは光通信用途においては、半導体
レーザＬＤのノイズ対策や使用する信号の帯域から、数
百ＭＨｚ〜数ＧＨｚと１桁ないしは２桁高い周波数帯域
の信号を扱う必要がある。
【０００６】即ち、ＣＤ用の光学ピックアップでは、利
得導波型の半導体レーザを用いているため、ノイズに強
い特長を有している。これに対して、ＭＤ用の光学ピッ
クアップでは、高出力を要するため、屈折率導波型等の
ＣＤ用とは異なる構造の半導体レーザにする必要があ
り、その分ノイズに対して弱くなるため、ノイズ対策が
必要となる。
得導波型の半導体レーザを用いているため、ノイズに強
い特長を有している。これに対して、ＭＤ用の光学ピッ
クアップでは、高出力を要するため、屈折率導波型等の
ＣＤ用とは異なる構造の半導体レーザにする必要があ
り、その分ノイズに対して弱くなるため、ノイズ対策が
必要となる。
【０００７】そして、特に、４倍密以上の高記録密度の
光学記録媒体用途、或いは有限光学系において、５０ｍ
Ｗ程度の高出力半導体レーザの使用を考えた場合には、
再生と書き込みの出力比から、Self-Pulsation（自励パ
ルス発振）を用いたノイズ対策が使えない可能性が高
い。
光学記録媒体用途、或いは有限光学系において、５０ｍ
Ｗ程度の高出力半導体レーザの使用を考えた場合には、
再生と書き込みの出力比から、Self-Pulsation（自励パ
ルス発振）を用いたノイズ対策が使えない可能性が高
い。
【０００８】このようなときには、いわゆる高周波重畳
法によるノイズ対策が必要である。高周波重畳法におい
ては、高周波重畳回路を用いて、レーザ出力の変調を行
うことにより、レーザ出力がノイズや外乱に強くなる。
法によるノイズ対策が必要である。高周波重畳法におい
ては、高周波重畳回路を用いて、レーザ出力の変調を行
うことにより、レーザ出力がノイズや外乱に強くなる。
【０００９】また、光通信用途、例えばプラスチック光
ファイバによるデータリンクシステムにおいては、必然
的に数百ＭＨｚの信号の送受信が要求される。
ファイバによるデータリンクシステムにおいては、必然
的に数百ＭＨｚの信号の送受信が要求される。
【００１０】上述のように、高周波重畳法によりノイズ
対策を行うときや、高周波信号の送受信を行う場合にお
いて、現在のレーザカプラパッケージや回路基板では、
高周波信号の使用について考慮がなされていないため、
高周波信号の配線中の反射が大きくなってしまう。
対策を行うときや、高周波信号の送受信を行う場合にお
いて、現在のレーザカプラパッケージや回路基板では、
高周波信号の使用について考慮がなされていないため、
高周波信号の配線中の反射が大きくなってしまう。
【００１１】従って、高周波重畳法において、半導体レ
ーザの出力への充分な重畳がかからない、或いは光通信
等において受信信号が劣化してしまう等の不具合が生じ
る。例えば重畳が矩形にはならず、なまった信号とな
り、正しい出力変調が行えないことがある。
ーザの出力への充分な重畳がかからない、或いは光通信
等において受信信号が劣化してしまう等の不具合が生じ
る。例えば重畳が矩形にはならず、なまった信号とな
り、正しい出力変調が行えないことがある。
【００１２】また、一般的に高周波の伝送には、同軸ケ
ーブルが用いられているが、同軸ケーブルは回路基板上
では使用することができない。
ーブルが用いられているが、同軸ケーブルは回路基板上
では使用することができない。
【００１３】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、反射や劣化を生じないで高周波信号を扱えるこ
とができるようにすることにより、高密度の光学記録媒
体用の高出力半導体レーザや光通信等に用いて好適な光
学装置を提供するものである。
いては、反射や劣化を生じないで高周波信号を扱えるこ
とができるようにすることにより、高密度の光学記録媒
体用の高出力半導体レーザや光通信等に用いて好適な光
学装置を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の光学装置は、発
光素子への高周波信号の伝送線が、所定の特性インピー
ダンスを有するマイクロストリップラインにより形成さ
れて成り、終端でインピーダンス整合されて成る構成で
ある。
光素子への高周波信号の伝送線が、所定の特性インピー
ダンスを有するマイクロストリップラインにより形成さ
れて成り、終端でインピーダンス整合されて成る構成で
ある。
【００１５】上述の本発明の構成によれば、発光素子へ
の高周波信号の伝送線が、所定の特性インピーダンスを
有するマイクロストリップラインにより形成されて成る
ことにより、伝送線の途中での高周波信号の反射を防止
することができる。また、終端でインピーダンス整合さ
れていることにより、終端における高周波信号の反射も
防止することができる。
の高周波信号の伝送線が、所定の特性インピーダンスを
有するマイクロストリップラインにより形成されて成る
ことにより、伝送線の途中での高周波信号の反射を防止
することができる。また、終端でインピーダンス整合さ
れていることにより、終端における高周波信号の反射も
防止することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明は、発光素子への高周波信
号の伝送線が、所定の特性インピーダンスを有するマイ
クロストリップラインにより形成されて成り、終端でイ
ンピーダンス整合されて成る光学装置である。
号の伝送線が、所定の特性インピーダンスを有するマイ
クロストリップラインにより形成されて成り、終端でイ
ンピーダンス整合されて成る光学装置である。
【００１７】また本発明は、上記光学装置において、発
光素子と一体化して形成された受光素子と、マイクロプ
リズム手段とを有し、マイクロプリズム手段が受光素子
上に載置されて成る構成である。
光素子と一体化して形成された受光素子と、マイクロプ
リズム手段とを有し、マイクロプリズム手段が受光素子
上に載置されて成る構成である。
【００１８】また本発明は、上記光学装置において、所
定の特性インピーダンスを有するマイクロストリップラ
インが、受光素子以降の伝送線にも形成された構成であ
る。
定の特性インピーダンスを有するマイクロストリップラ
インが、受光素子以降の伝送線にも形成された構成であ
る。
【００１９】以下、図面を参照して本発明の光学装置の
実施例を説明する。図１及び図２は本発明の光学装置の
実施例、本例では光学ピックアップに適用した例を示
す。図１は全体の斜視図を示す。図２Ａ及び図２Ｂは、
それぞれパッケージのレーザ光の光路に平行な面におけ
る断面図と、光路に垂直な面における断面図を示す。
実施例を説明する。図１及び図２は本発明の光学装置の
実施例、本例では光学ピックアップに適用した例を示
す。図１は全体の斜視図を示す。図２Ａ及び図２Ｂは、
それぞれパッケージのレーザ光の光路に平行な面におけ
る断面図と、光路に垂直な面における断面図を示す。
【００２０】この光学ピックアップ１は、基板材料に回
路の配線等を形成した回路基板２、例えばＰＯＰ（Plan
ar-Optical-Pick-up；プレーナ光ピックアップ）に用い
る回路基板（いわゆるＰＯＰ基板等）上に、半導体レー
ザＬＤ等の光学素子を形成したパッケージ３を配置して
成る。パッケージ３上には、レーザ光の光路の向きを変
えるためのミラー６が配置されている。
路の配線等を形成した回路基板２、例えばＰＯＰ（Plan
ar-Optical-Pick-up；プレーナ光ピックアップ）に用い
る回路基板（いわゆるＰＯＰ基板等）上に、半導体レー
ザＬＤ等の光学素子を形成したパッケージ３を配置して
成る。パッケージ３上には、レーザ光の光路の向きを変
えるためのミラー６が配置されている。
【００２１】そして、本例においては、内部の光学素子
からパッケージ３の側面に引き出した側面電極７に接続
された配線４の内、発光素子即ち半導体レーザＬＤへの
伝送線を、ある特定の特性インピーダンスのマイクロス
トリップライン５とする。この半導体レーザＬＤへの伝
送線５は、後述するように重畳を行うための高周波が通
る配線である。各配線４及びマイクロストリップライン
５と、側面電極７とは、はんだ８により電気的に接続さ
れている。
からパッケージ３の側面に引き出した側面電極７に接続
された配線４の内、発光素子即ち半導体レーザＬＤへの
伝送線を、ある特定の特性インピーダンスのマイクロス
トリップライン５とする。この半導体レーザＬＤへの伝
送線５は、後述するように重畳を行うための高周波が通
る配線である。各配線４及びマイクロストリップライン
５と、側面電極７とは、はんだ８により電気的に接続さ
れている。
【００２２】このマイクロストリップライン５は、回路
基板２の裏面の金属層と、回路基板２の表面の配線５と
によって形成した伝送線路で、配線５の幅Ｗと回路基板
２の厚みＨとを設定することにより、所定のインピーダ
ンスＺの線とすることができるものである。
基板２の裏面の金属層と、回路基板２の表面の配線５と
によって形成した伝送線路で、配線５の幅Ｗと回路基板
２の厚みＨとを設定することにより、所定のインピーダ
ンスＺの線とすることができるものである。
【００２３】本例ではマイクロストリップライン５の特
性インピーダンスは、マイクロストリップライン５の幅
Ｗや厚さで決定されると共に、回路基板２が例えばガラ
スエポキシ樹脂を用いている場合には、ガラスエポキシ
樹脂の誘電率及び厚さで決定される。尚、回路基板２の
裏面には、図示しないが例えば鉄等の金属層を形成し、
この金属層はグランド電位ＧＮＤとする。この金属層
は、上述のマイクロストリップライン５を構成する回路
基板２裏面の金属層ともなるものである。
性インピーダンスは、マイクロストリップライン５の幅
Ｗや厚さで決定されると共に、回路基板２が例えばガラ
スエポキシ樹脂を用いている場合には、ガラスエポキシ
樹脂の誘電率及び厚さで決定される。尚、回路基板２の
裏面には、図示しないが例えば鉄等の金属層を形成し、
この金属層はグランド電位ＧＮＤとする。この金属層
は、上述のマイクロストリップライン５を構成する回路
基板２裏面の金属層ともなるものである。
【００２４】そして、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、
パッケージ３の内部には、２つのフォトダイオードＰＤ
1 ，ＰＤ2 が作り込まれたフォトダイオードＩＣ（ＰＤ
ＩＣ）９上に、マイクロプリズム１０及び半導体レーザ
ＬＤが取り付けられたブロック１１が配置されており、
マイクロプリズム１０はフォトダイオードＰＤ上を覆っ
ている。これらの部品９，１０，１１，ＬＤにより、レ
ーザカプラ１５が構成される。
パッケージ３の内部には、２つのフォトダイオードＰＤ
1 ，ＰＤ2 が作り込まれたフォトダイオードＩＣ（ＰＤ
ＩＣ）９上に、マイクロプリズム１０及び半導体レーザ
ＬＤが取り付けられたブロック１１が配置されており、
マイクロプリズム１０はフォトダイオードＰＤ上を覆っ
ている。これらの部品９，１０，１１，ＬＤにより、レ
ーザカプラ１５が構成される。
【００２５】ＰＤＩＣ１２は、パッケージ３の内部の底
面に形成された、グランド電位ＧＮＤとされるグランド
メタル１２上に載置される。パッケージ３の上部には、
封止カバー１３が封止材１４によって取り付けられてい
る。
面に形成された、グランド電位ＧＮＤとされるグランド
メタル１２上に載置される。パッケージ３の上部には、
封止カバー１３が封止材１４によって取り付けられてい
る。
【００２６】そして、ＰＤＩＣ１２、ブロック１１、半
導体レーザＬＤからは、それぞれ半導体レーザＬＤやフ
ォトダイオードＰＤの端子からワイヤ１７が伸びて、パ
ッケージ３の段差部に設けたパッドＰに接続している。
このパッドＰは、パッケージ３の段差部の平面に形成さ
れ、前述の側面電極７に接続される配線金属層１６上に
設けられている。
導体レーザＬＤからは、それぞれ半導体レーザＬＤやフ
ォトダイオードＰＤの端子からワイヤ１７が伸びて、パ
ッケージ３の段差部に設けたパッドＰに接続している。
このパッドＰは、パッケージ３の段差部の平面に形成さ
れ、前述の側面電極７に接続される配線金属層１６上に
設けられている。
【００２７】本例においては、この配線金属層１６の
内、半導体レーザＬＤへの伝送線、即ち半導体レーザＬ
Ｄのアノードへの配線、図２においてはブロック１１に
接続される線を、マイクロストリップライン１８とす
る。このマイクロストリップライン１８は、図１に示し
た側面電極７を通じて、回路基板２のマイクロストリッ
プライン５に接続される。ここで、マイクロストリップ
ライン１８は、その特性インピーダンスが回路基板上の
マイクロストリップライン５と等しくなるように設計さ
れ、インピーダンス整合が取られる。
内、半導体レーザＬＤへの伝送線、即ち半導体レーザＬ
Ｄのアノードへの配線、図２においてはブロック１１に
接続される線を、マイクロストリップライン１８とす
る。このマイクロストリップライン１８は、図１に示し
た側面電極７を通じて、回路基板２のマイクロストリッ
プライン５に接続される。ここで、マイクロストリップ
ライン１８は、その特性インピーダンスが回路基板上の
マイクロストリップライン５と等しくなるように設計さ
れ、インピーダンス整合が取られる。
【００２８】そして、この光学ピックアップ１におい
て、図３Ａに示すように、半導体レーザＬＤのノイズ低
減のために設ける高周波重畳回路１９は、回路基板２上
に配置され、この高周波重畳回路１９の出力から半導体
レーザＬＤのアノードへの伝送線がマイクロストリップ
ライン５とされる。
て、図３Ａに示すように、半導体レーザＬＤのノイズ低
減のために設ける高周波重畳回路１９は、回路基板２上
に配置され、この高周波重畳回路１９の出力から半導体
レーザＬＤのアノードへの伝送線がマイクロストリップ
ライン５とされる。
【００２９】また、半導体レーザＬＤのカソード配線４
ｃは、例えば図３Ｂに示すように、グランド配線４ｇに
よってグランド電位ＧＮＤに落とされる前に、回路基板
２上に設けられたチップ抵抗（終端抵抗）Ｒによって、
終端でのインピーダンス整合がとられる。このチップ抵
抗Ｒは、はんだ８によりＬＤカソード配線４ｃ及びグラ
ンド配線４ｇに接続される。
ｃは、例えば図３Ｂに示すように、グランド配線４ｇに
よってグランド電位ＧＮＤに落とされる前に、回路基板
２上に設けられたチップ抵抗（終端抵抗）Ｒによって、
終端でのインピーダンス整合がとられる。このチップ抵
抗Ｒは、はんだ８によりＬＤカソード配線４ｃ及びグラ
ンド配線４ｇに接続される。
【００３０】このとき例えば、特性インピーダンスＺを
５０Ωに選定した場合、半導体レーザＬＤの抵抗は約５
〜１０Ω（半導体レーザＬＤの閾値以上）であるから、
チップ抵抗Ｒは約４０〜４５Ωとされる。尚、図３Ａ及
び図３Ｂに示した構成の等価回路図を図４に示す。
５０Ωに選定した場合、半導体レーザＬＤの抵抗は約５
〜１０Ω（半導体レーザＬＤの閾値以上）であるから、
チップ抵抗Ｒは約４０〜４５Ωとされる。尚、図３Ａ及
び図３Ｂに示した構成の等価回路図を図４に示す。
【００３１】上述の光学ピックアップ１によれば、半導
体レーザＬＤへの伝送線５，１８をマイクロストリップ
ラインとし、かつ終端でチップ抵抗Ｒによりインピーダ
ンス整合をとることにより、配線途中及び終端でインピ
ーダンス整合がとられるため、高周波の反射を防止する
ことができる。
体レーザＬＤへの伝送線５，１８をマイクロストリップ
ラインとし、かつ終端でチップ抵抗Ｒによりインピーダ
ンス整合をとることにより、配線途中及び終端でインピ
ーダンス整合がとられるため、高周波の反射を防止する
ことができる。
【００３２】これにより、発光素子の出力を高周波によ
り乱れがなく正確に変調することができる。従って、高
出力の半導体レーザに対しても、そのノイズ対策を高周
波重畳法によって行って、ノイズに強いレーザとするこ
とができる。
り乱れがなく正確に変調することができる。従って、高
出力の半導体レーザに対しても、そのノイズ対策を高周
波重畳法によって行って、ノイズに強いレーザとするこ
とができる。
【００３３】次に、図５に本発明の光学装置の他の実施
例の概略構成図を示す。本例の光学装置、即ち光学ピッ
クアップ２１では、回路基板２上にさらにサブ基板２２
を配し、このサブ基板２２上に図１の例と同様に２つの
フォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 を形成したＰＤＩＣが
９配置され、ＰＤＩＣ９上に、半導体レーザＬＤが取り
付けられたブロック１１及び、２つのフォトダイオード
ＰＤ1 ，ＰＤ2 を覆ってマイクロプリズム１０が取り付
けられて、レーザカプラ１５を構成してなる。
例の概略構成図を示す。本例の光学装置、即ち光学ピッ
クアップ２１では、回路基板２上にさらにサブ基板２２
を配し、このサブ基板２２上に図１の例と同様に２つの
フォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 を形成したＰＤＩＣが
９配置され、ＰＤＩＣ９上に、半導体レーザＬＤが取り
付けられたブロック１１及び、２つのフォトダイオード
ＰＤ1 ，ＰＤ2 を覆ってマイクロプリズム１０が取り付
けられて、レーザカプラ１５を構成してなる。
【００３４】このレーザカプラ１５を覆って、封止カバ
ー２４が取り付けられる。また、ＰＤＩＣ９からは、ワ
イヤ１７を介してサブ基板２２の配線２５に電気的接続
がなされている。
ー２４が取り付けられる。また、ＰＤＩＣ９からは、ワ
イヤ１７を介してサブ基板２２の配線２５に電気的接続
がなされている。
【００３５】サブ基板２２は、回路基板２に形成した穴
にはめ込まれて、その継ぎ目に接着剤２３を塗布して接
着している。サブ基板２２の配線２５と回路基板２の配
線４とは、はんだ８によって電気的に接続される。
にはめ込まれて、その継ぎ目に接着剤２３を塗布して接
着している。サブ基板２２の配線２５と回路基板２の配
線４とは、はんだ８によって電気的に接続される。
【００３６】そして、本例では、サブ基板２２の配線４
及び回路基板２の配線２５の内、半導体レーザＬＤへの
伝送線をマイクロストリップライン５により形成する。
これにより、前述の実施例と同様に、インピーダンス整
合がされて、配線５の途中での高周波の反射が発生しな
い。また、図示しないが、前述の例と同様に半導体レー
ザＬＤのカソード配線４ｃの後段に終端抵抗Ｒを設け、
終端での高周波の反射を防止する。
及び回路基板２の配線２５の内、半導体レーザＬＤへの
伝送線をマイクロストリップライン５により形成する。
これにより、前述の実施例と同様に、インピーダンス整
合がされて、配線５の途中での高周波の反射が発生しな
い。また、図示しないが、前述の例と同様に半導体レー
ザＬＤのカソード配線４ｃの後段に終端抵抗Ｒを設け、
終端での高周波の反射を防止する。
【００３７】また、本発明のさらに他の実施例の斜視図
を図６に示すように、レーザカプラを構成する代わりに
ホログラム素子を用いた光学装置の場合にも、本発明を
適用することができる。この例の光学ピックアップ３１
は、サブ基板３２（回路基板２でもよい）上にＰＤＩＣ
９を配置し、このＰＤＩＣ上にミラー６、半導体レーザ
ＬＤを取り付けたブロック１１を配置している。
を図６に示すように、レーザカプラを構成する代わりに
ホログラム素子を用いた光学装置の場合にも、本発明を
適用することができる。この例の光学ピックアップ３１
は、サブ基板３２（回路基板２でもよい）上にＰＤＩＣ
９を配置し、このＰＤＩＣ上にミラー６、半導体レーザ
ＬＤを取り付けたブロック１１を配置している。
【００３８】ＰＤＩＣ９には、ミラー６を挟んで両側の
位置に２つのフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 が作り込
まれている。また、ＰＤＩＣ９の端部からはワイヤ１７
を介して配線４が伸びており、この配線のうち半導体レ
ーザＬＤへの伝送線は前述のマイクロストリップライン
５により構成する。
位置に２つのフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 が作り込
まれている。また、ＰＤＩＣ９の端部からはワイヤ１７
を介して配線４が伸びており、この配線のうち半導体レ
ーザＬＤへの伝送線は前述のマイクロストリップライン
５により構成する。
【００３９】そして、ＰＤＩＣ９及びその上の光学部品
６，１１，ＬＤを覆って、封止カバー３３が取り付けら
れ、この封止カバー３３の上に、上面及び下面にそれぞ
れホログラム素子３４及びグレーティング３５を形成し
たブロック３６を載置する。
６，１１，ＬＤを覆って、封止カバー３３が取り付けら
れ、この封止カバー３３の上に、上面及び下面にそれぞ
れホログラム素子３４及びグレーティング３５を形成し
たブロック３６を載置する。
【００４０】図７にこの光学ピックアップ３１における
光路の概略図を示すように、半導体レーザＬＤからの光
は、ミラー６の斜面で反射してホログラム素子３４を経
由して出射される。一方、戻り光はホログラム素子３４
により２つに分離され、前述の２つのフォトダイオード
ＰＤ1 及びＰＤ2 においてそれぞれ受光される。
光路の概略図を示すように、半導体レーザＬＤからの光
は、ミラー６の斜面で反射してホログラム素子３４を経
由して出射される。一方、戻り光はホログラム素子３４
により２つに分離され、前述の２つのフォトダイオード
ＰＤ1 及びＰＤ2 においてそれぞれ受光される。
【００４１】この場合も、ＰＤＩＣ９に接続された配線
４のうち、半導体レーザＬＤへの伝送線が、前述のマイ
クロストリップライン５により構成されていることによ
り、前述の各例と同様に、高周波の反射が発生しないの
で、レーザの高出力化を図っても高周波重畳法によりノ
イズに強いレーザ出力を得ることができる。
４のうち、半導体レーザＬＤへの伝送線が、前述のマイ
クロストリップライン５により構成されていることによ
り、前述の各例と同様に、高周波の反射が発生しないの
で、レーザの高出力化を図っても高周波重畳法によりノ
イズに強いレーザ出力を得ることができる。
【００４２】上述の例では、光学記録媒体の再生や記録
を行う光学ピックアップ等の光学装置に本発明を適用し
た例であったが、光通信用の送受信を行う光学装置にお
いても、同様に本発明の光学装置を適用することができ
る。その例を次に示す。
を行う光学ピックアップ等の光学装置に本発明を適用し
た例であったが、光通信用の送受信を行う光学装置にお
いても、同様に本発明の光学装置を適用することができ
る。その例を次に示す。
【００４３】図８に示す光学装置４１は、光通信用の送
受信を行うもので、前述の光学ピックアップに用いた例
と同様に、半導体レーザＬＤとフォトダイオードＰＤ
と、マイクロプリズム１０によってレーザカプラ１５を
構成する。本例では、後述するように、回路基板４２上
に形成した半導体レーザＬＤへの配線をマイクロストリ
ップライン４４とする一方、フォトダイオードＰＤから
の配線もマイクロストリップライン４５とする。これら
のマイクロストリップライン４４，４５は、それぞれワ
イヤ４４を介して、半導体レーザＬＤを設置したブロッ
ク１１とＰＤＩＣ９に接続される。
受信を行うもので、前述の光学ピックアップに用いた例
と同様に、半導体レーザＬＤとフォトダイオードＰＤ
と、マイクロプリズム１０によってレーザカプラ１５を
構成する。本例では、後述するように、回路基板４２上
に形成した半導体レーザＬＤへの配線をマイクロストリ
ップライン４４とする一方、フォトダイオードＰＤから
の配線もマイクロストリップライン４５とする。これら
のマイクロストリップライン４４，４５は、それぞれワ
イヤ４４を介して、半導体レーザＬＤを設置したブロッ
ク１１とＰＤＩＣ９に接続される。
【００４４】そして、この光学装置４１においては。半
導体レーザＬＤからの出射光を、光通信の送信光Ｌｓと
して、プラスチック光ファイバー等からなる通信ケーブ
ル４６を介して相手側に送り、一方相手側からの受信光
Ｌｒをマイクロプリズム１０を通じてフォトダイオード
ＰＤで受信する。
導体レーザＬＤからの出射光を、光通信の送信光Ｌｓと
して、プラスチック光ファイバー等からなる通信ケーブ
ル４６を介して相手側に送り、一方相手側からの受信光
Ｌｒをマイクロプリズム１０を通じてフォトダイオード
ＰＤで受信する。
【００４５】送信側では、図９にこの場合の等価回路図
を示すように、半導体レーザＬＤの動作を制御するドラ
イブ回路４７を設ける。本例では、このドライブ回路４
７から半導体レーザＬＤに向かう変調信号が通る配線を
マイクロストリップライン４４とする。
を示すように、半導体レーザＬＤの動作を制御するドラ
イブ回路４７を設ける。本例では、このドライブ回路４
７から半導体レーザＬＤに向かう変調信号が通る配線を
マイクロストリップライン４４とする。
【００４６】また先の例と同様に、半導体レーザＬＤの
カソード端は、グランド電位ＧＮＤに落とす前に終端抵
抗Ｒを設けてインピーダンス整合される。
カソード端は、グランド電位ＧＮＤに落とす前に終端抵
抗Ｒを設けてインピーダンス整合される。
【００４７】一方受信側では、フォトダイオードＰＤで
受けた信号は、例えばＰＤＩＣ上で電流−電圧変換され
た後、マイクロストリップライン４５を通り受信回路ブ
ロック、例えば図９においてはレシーバ４８へと導かれ
る。このレシーバ４８には抵抗を内蔵させ、受信側でも
終端でインピーダンス整合が取れるようにする。
受けた信号は、例えばＰＤＩＣ上で電流−電圧変換され
た後、マイクロストリップライン４５を通り受信回路ブ
ロック、例えば図９においてはレシーバ４８へと導かれ
る。このレシーバ４８には抵抗を内蔵させ、受信側でも
終端でインピーダンス整合が取れるようにする。
【００４８】このように配線中にマイクロストリップラ
イン４４を設け、かつ終端でインピーダンス整合を取っ
て光学装置４１を構成することにより、ドライブ回路４
７と半導体レーザＬＤとの間及びフォトダイオードＰＤ
とレシーバ４８の間で、高周波の反射が生じない。従っ
て、光通信に用いる高周波の信号を正確に伝達すること
ができる。このように光通信の高周波の信号を正確に伝
達できることにより、光通信において、例えばコンピュ
ータの端末を繋ぐような、いわゆるデータリンクモジュ
ールを実現することができる。
イン４４を設け、かつ終端でインピーダンス整合を取っ
て光学装置４１を構成することにより、ドライブ回路４
７と半導体レーザＬＤとの間及びフォトダイオードＰＤ
とレシーバ４８の間で、高周波の反射が生じない。従っ
て、光通信に用いる高周波の信号を正確に伝達すること
ができる。このように光通信の高周波の信号を正確に伝
達できることにより、光通信において、例えばコンピュ
ータの端末を繋ぐような、いわゆるデータリンクモジュ
ールを実現することができる。
【００４９】本発明の光学装置は、上述の例に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその
他様々な構成が取り得る。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその
他様々な構成が取り得る。
【００５０】
【発明の効果】上述の本発明による光学装置によれば、
マイクロストリップラインを形成し、かつ終端でインピ
ーダンス整合をとることにより、配線途中及び終端での
高周波の反射を防止することができる。これにより、発
光素子の出力を高周波により乱れがなく正確に変調する
ことができ、ノイズに強くすることができる。従って本
発明により、高出力の半導体レーザに対しても、そのノ
イズ対策を高周波重畳法によって行って、ノイズに強い
レーザとすることができる。
マイクロストリップラインを形成し、かつ終端でインピ
ーダンス整合をとることにより、配線途中及び終端での
高周波の反射を防止することができる。これにより、発
光素子の出力を高周波により乱れがなく正確に変調する
ことができ、ノイズに強くすることができる。従って本
発明により、高出力の半導体レーザに対しても、そのノ
イズ対策を高周波重畳法によって行って、ノイズに強い
レーザとすることができる。
【００５１】また、本発明により、光通信において高い
周波数の信号を扱う場合にも、信号を正確に伝送するこ
とができる。従って本発明により、光通信におけるデー
タリンクモジュールを実現することができる。
周波数の信号を扱う場合にも、信号を正確に伝送するこ
とができる。従って本発明により、光通信におけるデー
タリンクモジュールを実現することができる。
【図１】本発明の光学装置の実施例の概略構成図（斜視
図）である。
図）である。
【図２】図１の光学装置の断面図である。Ａ レーザ光
の光路に平行な面による断面図である。Ｂ レーザ光の
光路に垂直な面による断面図である。
の光路に平行な面による断面図である。Ｂ レーザ光の
光路に垂直な面による断面図である。
【図３】Ａ 高周波重畳回路周辺の概略構成図（側面
図）である。Ｂ チップ抵抗周辺の概略構成図（側面
図）である。
図）である。Ｂ チップ抵抗周辺の概略構成図（側面
図）である。
【図４】図３Ａ及び図３Ｂの構成を示す等価回路図であ
る。
る。
【図５】本発明の光学装置の他の実施例の概略構成図
（斜視図）である。
（斜視図）である。
【図６】本発明の光学装置のさらに他の実施例の概略構
成図（斜視図）である。
成図（斜視図）である。
【図７】図６の光学装置における光路を示す側面図であ
る。
る。
【図８】本発明の光学装置のさらに別の実施例の概略構
成図（斜視図）である。
成図（斜視図）である。
【図９】図８の光学装置の等価回路図である。
１，２１，３１ 光学ピックアップ、２，４２ 回路基
板、３ パッケージ、４，２５ 配線、４ｃ ＬＤカソ
ード配線、４ｇ グランド配線、５，１８，４４，４５
マイクロストリップライン、６ ミラー、７ 側面電
極、８ はんだ、９ フォトダイオードＩＣ（ＰＤＩ
Ｃ）、１０ マイクロプリズム、１１，３６ブロック、
１２ グランドメタル、１３，２４，３３ 封止カバ
ー、１４ 封止材、１５ レーザカプラ、１６ 配線金
属層、１７，４３ ワイヤ、１９ 高周波重畳回路、２
２，３２ サブ基板、２３ 接着剤、３４ ホログラム
素子、３５ グレーティング、４１ 光学装置、４６
通信ケーブル、４７ ドライブ回路、４８ レシーバ、
ＬＤ 半導体レーザ、ＰＤ，ＰＤ1 ，ＰＤ2 フォトダ
イオード、Ｐ パッド、Ｒ チップ抵抗（終端抵抗）
板、３ パッケージ、４，２５ 配線、４ｃ ＬＤカソ
ード配線、４ｇ グランド配線、５，１８，４４，４５
マイクロストリップライン、６ ミラー、７ 側面電
極、８ はんだ、９ フォトダイオードＩＣ（ＰＤＩ
Ｃ）、１０ マイクロプリズム、１１，３６ブロック、
１２ グランドメタル、１３，２４，３３ 封止カバ
ー、１４ 封止材、１５ レーザカプラ、１６ 配線金
属層、１７，４３ ワイヤ、１９ 高周波重畳回路、２
２，３２ サブ基板、２３ 接着剤、３４ ホログラム
素子、３５ グレーティング、４１ 光学装置、４６
通信ケーブル、４７ ドライブ回路、４８ レシーバ、
ＬＤ 半導体レーザ、ＰＤ，ＰＤ1 ，ＰＤ2 フォトダ
イオード、Ｐ パッド、Ｒ チップ抵抗（終端抵抗）
Claims (3)
- 【請求項１】 発光素子への高周波信号の伝送線が、所
定の特性インピーダンスを有するマイクロストリップラ
インにより形成されて成り、 終端でインピーダンス整合されて成ることを特徴とする
光学装置。 - 【請求項２】 上記発光素子と一体化して形成された受
光素子と、マイクロプリズム手段とを有し、上記マイク
ロプリズム手段が上記受光素子上に載置されて成ること
を特徴とする請求項１に記載の光学装置。 - 【請求項３】 上記所定の特性インピーダンスを有する
マイクロストリップラインが、上記受光素子以降の伝送
線にも形成されたことを特徴とする請求項２に記載の光
学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6862797A JPH10270748A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6862797A JPH10270748A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270748A true JPH10270748A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13379186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6862797A Pending JPH10270748A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270748A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2386252A (en) * | 2001-12-06 | 2003-09-10 | Linear Techn Inc | Component containing light emitting and impedance elements |
| FR2867315A1 (fr) * | 2004-03-02 | 2005-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteur optique |
| US11670733B2 (en) | 2020-09-14 | 2023-06-06 | Nichia Corporation | Light emitting device |
-
1997
- 1997-03-21 JP JP6862797A patent/JPH10270748A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2386252A (en) * | 2001-12-06 | 2003-09-10 | Linear Techn Inc | Component containing light emitting and impedance elements |
| FR2837059A1 (fr) * | 2001-12-06 | 2003-09-12 | Linear Techn Inc | Circuits et procedes pour ameliorer la performance d'un element emetteur de lumiere |
| GB2386252B (en) * | 2001-12-06 | 2005-05-04 | Linear Techn Inc | Circuitry and methods for improving the performance of a light emitting element |
| FR2867315A1 (fr) * | 2004-03-02 | 2005-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteur optique |
| US11670733B2 (en) | 2020-09-14 | 2023-06-06 | Nichia Corporation | Light emitting device |
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