JPH10269510A

JPH10269510A - リードアンプ回路および半導体集積回路

Info

Publication number: JPH10269510A
Application number: JP9076005A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Hirose; 豪廣瀬; Yuji Nagaya; 裕士長屋; Takashi Hashimoto; 崇橋本; Maki Yoshinaga; 眞樹吉永; Noriaki Hatanaka; 紀明畑中; Yuji Soga; 雄二曽我; Atsushi Moriya; 篤森谷; Takeo Mochizuki; 建男望月; Sadafumi Kameyama; 禎史亀山
Original assignee: Hitachi ULSI Engineering Corp; Hitachi Ltd; Hitachi Information Technology Co Ltd; Hitachi Communication Systems Inc
Current assignee: Hitachi ULSI Engineering Corp; Hitachi Ltd; Hitachi Information Technology Co Ltd
Priority date: 1997-03-27
Filing date: 1997-03-27
Publication date: 1998-10-09

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のリードアンプにおいては、広帯域化の
ためにカスコード接続用トランジスタを用いているが、
カスコード接続用トランジスタのベース抵抗によるノイ
ズが高周波帯域で大きくなるという問題があった。【解決手段】ＭＲヘッド対応のカレントバイアス・カ
レントセンス方式のリードアンプにおいてカスコード接
続用トランジスタを２段積み構成となし、各カスコード
接続用トランジスタのエミッタに少数のヘッドバイアス
用トランジスタを接続することによって、１つのカスコ
ード接続用トランジスタに接続される寄生容量を低減さ
せるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッドの駆動
回路さらには磁気抵抗ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す
る）を有する磁気データの読出し回路に適用して有効な
技術に関し、例えば磁気ディスクドライブ装置のヘッド
部に設けられるリード・ライトＩＣに利用して有効な技
術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ハードディスク記憶装置におい
て、記録媒体である磁気ディスクへのデータの書込みや
磁気ディスクからのデータの読出しは、磁気ヘッドを介
して行われる。この磁気ヘッドには、データの読み出し
（検出および増幅）を行なうためのリードアンプやデー
タの書き込みを行なうためのライトアンプと呼ばれる回
路を備えたリード・ライトＩＣ(ヘッドドライバ)が結合
される。

【０００３】本発明者等は、上記リード・ライトＩＣに
設けられるＭＲヘッド対応のリードアンプで、複数のＭ
Ｒヘッドが接続可能なリードアンプとして、図５に示す
ようなカレントバイアス・カレントセンス方式のリード
アンプについて検討した。

【０００４】なお、ＭＲヘッド対応のカレントバイアス
・カレントセンス方式のリードアンプに関する発明とし
は米国特許第５，２７０，８８２号などがある。

【０００５】図５のリードアンプは、ＭＲヘッドが接続
される複数対のヘッド端子Ｘ１，Ｙ１；Ｘ２，Ｙ２；‥
‥‥と、該ヘッド端子間にそれぞれ接続されたＭＲヘッ
ドＨMR1，ＨMR2，‥‥‥にバイアス電流を流すヘッドバ
イアス用トランジスタＱｂ１，Ｑｂ２，‥‥‥と、これ
らのトランジスタのコレクタに接続された定電流用トラ
ンジスタＱＰ１およびＭＲヘッドに流れる電流の変化を
検出して電圧の変化に変換するベース接地型のトランジ
スタ（以下、カスコード接続用トランジスタと称する）
Ｑ１と、そのコレクタ電圧を増幅するアンプＡＭＰと、
上記ヘッドバイアス用トランジスタＱｂ１，Ｑｂ２，‥
‥‥のベースに負帰還をかけるフィードバック用アンプ
ＦＢＡ等から構成されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】カレントバイアス・カ
レントセンス方式のリードアンプにおいては、広帯域化
のためにカスコード接続用トランジスタを用いている
が、カスコード接続用トランジスタのベース抵抗による
ノイズが高周波帯域で大きくなるという問題があった。
これは、カスコード接続用トランジスタＱ１のエミッタ
に寄生する容量が原因である。つまり、カスコード接続
用トランジスタＱ１のエミッタ寄生容量によって、高周
波帯域においてはＱ１のエミッタが等価的に接地された
ことになり、それによって、カスコード接続用トランジ
スタＱ１のベース抵抗のノイズが増幅されるためであ
る。

【０００７】図５の回路のように、１つの回路に複数の
チャネルのＭＲヘッドが接続されるように構成されたリ
ードアンプにおいては、カスコード接続用トランジスタ
Ｑ１のエミッタが各ヘッドチャネルの共通のインターフ
ェースになるため、チャネル数すなわちヘッド数が増加
するほどカスコード接続用トランジスタＱ１のエミッタ
に接続される寄生容量が大きくなり、その分カスコード
接続用トランジスタＱ１のベース抵抗に起因するノイズ
も大きくなってしまうという問題点がある。

【０００８】この発明の目的は、ＭＲヘッド対応のカレ
ントバイアス・カレントセンス方式のリードアンプにお
いて、カスコード接続用トランジスタのエミッタに接続
される寄生容量を小さくし、高周波帯域におけるノイズ
を低減することにある。

【０００９】この発明の前記ならびにそのほかの目的と
新規な特徴については、本明細書の記述および添附図面
から明らかになるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。

【００１１】すなわち、本発明は、ＭＲヘッドにバイア
ス電流を流すトランジスタと該トランジスタにカスコー
ド接続されたベース接地型のトランジスタとを備えたＭ
Ｒヘッド対応のカレントバイアス・カレントセンス方式
のリードアンプにおいてカスコード接続用トランジスタ
を複数に分割し、各カスコード接続用トランジスタのエ
ミッタに少数のヘッドバイアス用トランジスタを接続す
ることによって、１つのカスコード接続用トランジスタ
に接続されるヘッドバイアス用トランジスタの数を減ら
すようにしたものである。

【００１２】上記した手段によれば、それぞれのカスコ
ード接続用トランジスタのエミッタに接続される寄生容
量を小さくすることができるので、高周波帯域における
カスコード接続用トランジスタのベース抵抗に起因する
ノイズを低減することができる。

【００１３】さらに、上記カスコード接続用トランジス
タを２段積み構成となし、下段のカスコード接続用トラ
ンジスタのエミッタに少数のヘッドバイアス用トランジ
スタを接続することによって、１つのカスコード接続用
トランジスタに接続されるヘッドバイアス用トランジス
タの数を減らすようにしたものである。

【００１４】これによって、それぞれのカスコード接続
用トランジスタのエミッタに接続される寄生容量を小さ
くすることができるので、高周波帯域におけるカスコー
ド接続用トランジスタのベース抵抗に起因するノイズを
低減することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
面に基づいて説明する。図１には本発明が適用されたリ
ードアンプ回路の第１の実施例が示されている。

【００１６】この実施例のリードアンプ回路は、特に制
限されないが、１０個のＭＲヘッドＨMR1，ＨMR2，‥‥
‥ＨMR10が接続される１０対のヘッド端子Ｘ１，Ｙ１；
Ｘ２，Ｙ２；‥‥‥Ｘ１０，Ｙ１０が設けられ、各ヘッ
ド端子対のうち一方のヘッド端子Ｘ１，Ｘ２，‥‥‥Ｘ
１０にはそれぞれ上記各ＭＲヘッドにバイアス電流を流
すヘッドバイアス用トランジスタＱｂ１，Ｑｂ２，‥‥
‥Ｑｂ１０のエミッタが接続されている。上記ヘッドバ
イアス用トランジスタＱｂ１，Ｑｂ２，‥‥‥Ｑｂ１０
はそれぞれ２個ずつ対にされ、各対のヘッドバイアス用
トランジスタＱｂ１，Ｑｂ２；‥‥‥；Ｑｂ９，Ｑｂ１
０のコレクタ同士が結合されてカスコード接続用トラン
ジスタＱ１１，Ｑ１２‥‥‥Ｑ１５のエミッタに接続さ
れ、これらのカスコード接続用トランジスタＱ１１，Ｑ
１２‥‥‥Ｑ１５のコレクタは互いに結合されて、さら
に上段のカスコード接続用トランジスタＱ１に接続され
ている。

【００１７】上記カスコード接続用トランジスタＱ１
１，Ｑ１２‥‥‥Ｑ１５のベースには定電圧Ｖref1が共
通に印加され、またカスコード接続用トランジスタＱ１
のベースには定電圧Ｖref2が印加されてそれぞれベース
接地型トランジスタとして動作する。Ｖref2はＶref1よ
りもＶBE（ベース・エミッタ間電圧）以上高い電圧とさ
れる。また、上記各対のヘッドバイアス用トランジスタ
Ｑｂ１，Ｑｂ２；‥‥‥；Ｑｂ９，Ｑｂ１０のベース端
子と接地電位ＧＮＤとの間にはそれぞれダイオードＤと
抵抗Ｒ０とからなるベースバイアス回路が接続され、各
ヘッドバイアス用トランジスタＱｂ１，Ｑｂ２；‥‥
‥；Ｑｂ９，Ｑｂ１０のベースに所定のベース電圧を印
加するように構成されている。

【００１８】さらに、上記各対のヘッドバイアス用トラ
ンジスタＱｂ１，Ｑｂ２；‥‥‥；Ｑｂ９，Ｑｂ１０の
ベース端子および上記ベースバイアス回路のダイオード
Ｄと抵抗Ｒ０の接続ノードにはノイズを除去するための
外付け容量を接続するための外部端子（ピン）Ｔ１，Ｔ
２が接続されている。また、上記各対のヘッド端子のう
ち、カスコード接続用トランジスタと反対側のヘッド端
子Ｙ１，Ｙ２，‥‥‥Ｙ１０は接地電位ＧＮＤに接続さ
れる。

【００１９】上記下段のカスコード接続用トランジスタ
Ｑ１１，Ｑ１２‥‥‥Ｑ１５の共通コレクタと電源電圧
Ｖｃｃとの間にはｐｎｐトランジスタＱＰ１と抵抗Ｒ３
とが直列形態に接続されている。そして、トランジスタ
ＱＰ１は、電源電圧Ｖｃｃと定電流源Ｉ１との間に抵抗
Ｒ２とともに直列形態に接続されたｐｎｐトランジスタ
ＱＰ２とカレントミラー接続され、定電流源として動作
する。Ｒ４は、上記トランジスタＱＰ１，ＱＰ２のベー
スと電源電圧Ｖｃｃとの間に接続され、ＱＰ３ととも
に、トランジスタＱＰ１，ＱＰ２にベース電流を供給す
る。

【００２０】上記上段のカスコード接続用トランジスタ
Ｑ１のコレクタと電源電圧Ｖｃｃとの間には抵抗Ｒ１が
接続され、トランジスタＱ１のコレクタと抵抗Ｒ１との
接続ノードＮ１の電位が差動増幅回路からなるアンプＡ
ＭＰの一方の入力端子に、また上記抵抗Ｒ２とカレント
ミラー・トランジスタＱＰ２との接続ノードＮ２の電位
が上記アンプＡＭＰの他方の入力端子に接続されてい
る。上記ノードＮ２の電位は固定であり、アンプＡＭＰ
はこのノードＮ２の電位を基準としてヘッドに流れる電
流に応じて変動する上記ノードＮ１の電位変化を増幅す
る。

【００２１】さらに、上記ノードＮ１，Ｎ２にはその電
位差に応じて、上記ヘッドバイアス用トランジスタＱｂ
１，Ｑｂ２のベースに負帰還をかけるフィードバック用
アンプＦＢＡが接続されている。また、上記アンプＡＭ
Ｐの基準側電位を与える上記ノードＮ２にはノイズを除
去するための外付け容量を接続するための外部端子（ピ
ン）Ｔ３が設けられている。

【００２２】なお、この実施例のリードアンプ回路は、
上記各ＭＲヘッドにバイアス電流を与えるヘッドバイア
ス用トランジスタＱｂ１〜Ｑｂ１０のうちいずれか一つ
が、図示しない制御回路から供給される選択信号によっ
て択一的にバイアス状態とされる。

【００２３】次に、上記リードアンプ回路の動作を説明
する。

【００２４】この実施例のリードアンプ回路は、トラン
ジスタＱＰ１により電流源Ｉ１に流れる電流を抵抗Ｒ２
とＲ３の比に応じてコピーされた電流ｉ１と、フィード
バックアンプＦＢＡによってノードＮ１とＮ２のレベル
が同じになるときに抵抗Ｒ１によって決まる電流の和
が、ＭＲヘッドに流れる電流になる。ＭＲヘッドＨMRの
抵抗Ｒｍｒの微小変化（データ信号）ΔＲｍｒは、Ｒ１
とＲｍｒ自身によって増幅される。

【００２５】本実施例のリードアンプは、１０個のヘッ
ドチャネルをもち、１０個のヘッドのうち２つずつが、
下段のカスコード接続用トランジスタＱ１１，Ｑ１２‥
‥‥Ｑ１５のエミッタに接続される。つまり、この場
合、下段のカスコード接続用トランジスタは５つ必要に
なる。また、この５つのトランジスタのコレクタは、上
段のカスコード接続用トランジスタＱ１のエミッタに接
続される。従って、上段のカスコード接続用トランジス
タＱ１のエミッタに付く寄生容量は５×Ｃｂであり、下
段のカスコード接続用トランジスタＱ１１，Ｑ１２‥‥
‥Ｑ１５のエミッタに付く寄生容量は２×ＣAである。
従って、簡単のため、Ｑ１とＱ１１〜Ｑ１５のベース抵
抗が発生するノイズを等しくＶｎとすると、ノードＮ１
におけるこれらのノイズＶｎ（）は、次式（数１）で
与えられる。また、図５に示す従来回路の場合は、式
（数２）で与えられる。

【００２６】

【数１】

【００２７】

【数２】式（１）と式（２）とを比較すると、仮にカスコード接
続用トランジスタＱ１１〜Ｑ１５とヘッドバイアス用ト
ランジスタＱｂ１〜Ｑｂ１０のサイズが同じでエミッタ
の寄生容量ＣAとＣbが等しいとしても本実施例のリード
アンプの方がノイズが約２分の１程度小さい値となり、
ノイズ低減効果が得られることが解る。このノイズ低減
効果は、高周波帯域において顕著である。

【００２８】しかも実際のリードアンプでは、ヘッドバ
イアス用トランジスタＱｂ１はベース抵抗の小さいロー
ノイズのトランジスタを用いる必要があるため、素子の
サイズ（特にベース，エミッタサイズ）はカスコード接
続用トランジスタＱ１やＱ１１〜Ｑ１５より大きくしな
ければならない。よって、エミッタの寄生容量ＣA，Ｃb
はＣA＞＞Ｃbである。従って、式（１）と式（２）よ
り、本実施例のリードアンプのノイズの方がさらに小さ
い値となることが解る。

【００２９】図３に上記カスコード接続用トランジスタ
Ｑ１１〜Ｑ１５とヘッドバイアス用トランジスタＱｂ１
〜Ｑｂ１０を構成するトランジスタの好適な実施例を示
す。カスコード接続用トランジスタＱ１１〜Ｑ１５はヘ
ッドに流す電流によってエレクトロマイグレーションを
起こさない程度の大きさであればよいので、素子の構造
は図３（ａ）のような一般的な構造とすることができ
る。符号Ｅはエミッタ領域、Ｂはベース領域、Ｃはコレ
クタ領域である。これに対してヘッドバイアス用トラン
ジスタＱｂ１〜Ｑｂ１０は、ローノイズすなわちベース
抵抗が小さいことが望まれる。そこで、図３（ｂ）のよ
うにエミッタ領域Ｅとベース領域Ｂをそれぞれ櫛歯状に
して互いに噛合わせるように配置した構造のトランジス
タを用いることにより、ベース抵抗を減らすことができ
る。

【００３０】図３（ｂ）のようにトランジスタを構成す
ると図３（ａ）のタイプのトランジスタに比べて寄生容
量が大きくなるが、前述したように、カスコード接続用
トランジスタを縦積み構成とし、１つのカスコード接続
用トランジスタに対して２個ずつヘッドバイアス用トラ
ンジスタを接続した本実施例のリードアンプを用いるこ
とによりノイズを有効に低減することができる。

【００３１】図２に本発明に係るリードアンプの他の実
施例を示す。この実施例は、カスコード接続用トランジ
スタを分割してＱ１１〜Ｑ１５とし、各トランジスタに
対して２個ずつヘッドバイアス用トランジスタＱｂ１，
Ｑｂ２；Ｑｂ３，Ｑｂ４；‥‥‥Ｑｂ９，Ｑｂ１０を接
続するようにしたものである。すなわち、図１の実施例
における上段のカスコード接続用トランジスタＱ１を省
略したものである。このようにしても、カスコード接続
用トランジスタに接続されるヘッドバイアス用トランジ
スタのエミッタに接続される寄生容量を小さくすること
ができるため、ノイズを低減することが可能である。

【００３２】図４には、上記実施例のリードアンプを備
え磁気ヘッドを駆動するリード・ライトＩＣの構成例が
示されている。この実施例のリード・ライトＩＣは同時
に複数の磁気ディスクをアクセスすることができるよう
に、複数のリードアンプ１と複数のライトアンプ２を備
え、各アンプにそれぞれ読出し用ＭＲヘッドＭＲと書き
込み用ヘッドＩＮＤが接続可能にされるとともに、リー
ドアンプ１には後段のアンプ３が接続され検出された信
号を増幅してリードデータとして図外のマイクロプロセ
ッサ等へ出力する。

【００３３】ライトアンプ２には、マイクロプロセッサ
等から供給されるライトデータを入力バッファ４で受け
てレベル変換回路５でレベル変換された信号（実施例の
書き込みデータ信号ＷＤ，／ＷＤ）が入力されて対応す
るヘッドを駆動する。なお、図４において、６は上記複
数のＭＲヘッドのうちいずれのヘッドをバイアスさせる
か選択したり動作モードを決定し内部の制御信号を形成
する制御回路、７は上記各アンプ１，２で使用する基準
電圧を発生する基準電圧発生回路である。

【００３４】以上説明したように、上記実施例は、ヘッ
ドにバイアス電流を流すトランジスタと該トランジスタ
にカスコード接続されたベース接地型のトランジスタと
を備えたＭＲヘッド対応のカレントバイアス・カレント
センス方式のリードアンプにおいてカスコード接続用ト
ランジスタを複数に分割し、各カスコード接続用トラン
ジスタのエミッタに少数のヘッドバイアス用トランジス
タを接続するようにしたので、それぞれのカスコード接
続用トランジスタのエミッタに接続される寄生容量を小
さくすることができ、これによって高周波帯域における
カスコード接続用トランジスタのベース抵抗に起因する
ノイズを低減することができるという効果がある。

【００３５】さらに、上記カスコード接続用トランジス
タを２段積み構成となし、下段のカスコード接続用トラ
ンジスタのエミッタに少数のヘッドバイアス用トランジ
スタを接続することによって、１つのカスコード接続用
トランジスタに接続されるヘッドバイアス用トランジス
タの数を減らすようにしたので、それぞれのカスコード
接続用トランジスタのエミッタに接続される寄生容量を
小さくすることができ、高周波帯域におけるカスコード
接続用トランジスタのベース抵抗に起因するノイズをさ
らに低減することができるという効果がある。

【００３６】上記ノイズ低減効果は特に高周波帯域にお
いて顕著である。つまり、読み出し速度を速くしてもベ
ースノイズによる影響を少なくすることができる。従っ
て、将来リード・ライトＩＣが高速化されたときに極め
て有効な技術である。

【００３７】また、上記実施例のリードアンプにおいて
は、ヘッドバイアス用トランジスタのベース端子に負帰
還をかけるフィードバック用アンプを設けているので、
ベースバイアス用トランジスタの動作点が安定するとい
う効果がある。

【００３８】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば前記
実施例では、ヘッドチャネル数を１０個にした場合につ
いて説明したが、チャネル数は任意の数とすることがで
きる。また、前記実施例では、下段のカスコード接続用
トランジスタＱ１１〜Ｑ１５に対して２個ずつヘッドバ
イアス用トランジスタＱｂを接続したが、１つのカスコ
ード接続用トランジスタに対して３個あるいは４個ずつ
ヘッドバイアス用トランジスタを接続するようにしてよ
い。カスコード接続用トランジスタに対して接続するヘ
ッドバイアス用トランジスタの数は、トランジスタＱ１
のベースノイズが最も小さくなるように決定すれば良
い。

【００３９】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である磁気ヘ
ッドのリード・ライトＩＣに内蔵されるリードアンプに
適用した場合について説明したが、本発明はそれに限定
されるものでなく、リードアンプを備えた半導体集積回
路一般に利用することができる。

【００４０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。

【００４１】すなわち、ＭＲヘッド対応のカレントバイ
アス・カレントセンス方式のリードアンプにおいて、カ
スコード接続用トランジスタに接続される寄生容量を小
さくし、高周波帯域におけるノイズを低減することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るリードアンプ回路の一実施例を示
す回路図である。

【図２】本発明に係るリードアンプ回路の他の実施例を
示す回路図である。

【図３】本発明に係るリードアンプ回路を構成するカス
コード用トランジスタおよびヘッドバイアス用トランジ
スタに適用して好適な構成例をレイアウト図である。

【図４】上記実施例のリードアンプ回路を備え磁気ヘッ
ドを駆動するリード・ライトＩＣの構成例を示すブロッ
ク図である。

【図５】本発明に先立って検討したカレントバイアス・
カレントセンス方式のリードアンプ回路の一例を示す回
路図である。

【符号の説明】

ＨMRＭＲヘッド（磁気抵抗ヘッド）Ｘ，Ｙヘッド端子Ｑｂ１〜Ｑｂ１０ヘッドバイアス用トランジスタＱ１上段カスコード接続用トランジスタＱ１１〜Ｑ１５下段カスコード接続用トランジスタＡＭＰ差動増幅回路ＦＢＡフィードバック用アンプＥエミッタ領域Ｂベース領域Ｃコレクタ領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 000233468 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社東京都国分寺市東恋ケ窪三丁目１番地１ (72)発明者廣瀬豪東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者長屋裕士東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者橋本崇東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者吉永眞樹東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者畑中紀明神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者曽我雄二神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立インフォメーションテクノロジー内 (72)発明者森谷篤神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立インフォメーションテクノロジー内 (72)発明者望月建男神奈川県横浜市戸塚区戸塚町180番地日立通信システム株式会社内 (72)発明者亀山禎史東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗ヘッドが接続される複数対のヘ
ッド端子を備え、これらのヘッド端子に接続されて各ヘ
ッドにバイアス電流を流すトランジスタと、これらのト
ランジスタのコレクタ側にカスコード接続されてヘッド
に流れる電流の変化を増幅するベース接地型のトランジ
スタとを備えたリードアンプ回路において、上記カスコード接続用トランジスタを複数に分割し、各
カスコード接続用トランジスタのエミッタに上記複数の
ヘッドバイアス用トランジスタを分割して接続するよう
にしたことを特徴とするリードアンプ回路。
【請求項２】磁気抵抗ヘッドが接続される複数対のヘ
ッド端子を備え、これらのヘッド端子に接続されて各ヘ
ッドにバイアス電流を流すトランジスタと、これらのト
ランジスタのコレクタ側にカスコード接続されてヘッド
に流れる電流の変化を増幅するベース接地型のトランジ
スタとを備えたリードアンプ回路において、上記カスコード接続用トランジスタを２段積み構成とな
し、下段のカスコード接続用トランジスタのエミッタに
少数のヘッドバイアス用トランジスタを接続するように
したことを特徴とするリードアンプ回路。
【請求項３】上段のカスコード接続用トランジスタの
コレクタ端子と電源電圧端子との間に抵抗が接続され、
該抵抗による電圧降下の変化を基準電圧と比較して増幅
する差動増幅回路を備えてなることを特徴とする請求項
２に記載のリードアンプ回路。
【請求項４】上記差動増幅回路と同一の入力信号と入
力とし、上記ヘッドバイアス用トランジスタのベース端
子に負帰還をかけるフィードバック用アンプを備えてな
ることを特徴とする請求項３に記載のリードアンプ回
路。
【請求項５】上記下段の複数のカスコード接続用トラ
ンジスタのコレクタ端子には定電流用トランジスタが接
続されているとともに、この定電流用トランジスタは上
記基準電圧を発生する回路を構成するトランジスタとカ
レントミラー回路を構成していることを特徴とする請求
項３または４に記載のリードアンプ回路。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載のリード
アンプ回路と、磁気データの書き込みを行なうライトア
ンプ回路とが１つの半導体チップ上に形成されてなるこ
とを特徴とする半導体集積回路。