JPH10256572A - サージ吸収素子 - Google Patents
サージ吸収素子Info
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- JPH10256572A JPH10256572A JP5590197A JP5590197A JPH10256572A JP H10256572 A JPH10256572 A JP H10256572A JP 5590197 A JP5590197 A JP 5590197A JP 5590197 A JP5590197 A JP 5590197A JP H10256572 A JPH10256572 A JP H10256572A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 動作電圧及びサージ耐量がそれぞれ高く、か
つ高温環境下で動作し、素子の直径を５ｍｍ未満にして
も高いサージ耐量特性を有する。 【解決手段】 ｐｎ接合の逆方向特性を利用したツェナ
ーダイオード型の炭化珪素半導体からなるサージ吸収素
子１０であって、ｐｎ接合した炭化珪素半導体１１と、
この半導体のｐ型層１１ａ及びｎ型層１１ｂにそれぞれ
設けられた電極１２，１３とを有する。ｐ型層１１ａに
設けられた電極１２がショットキー特性を有する、Ａ
ｕ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉＮ、ＴａＮ又はその合金からなる。
つ高温環境下で動作し、素子の直径を５ｍｍ未満にして
も高いサージ耐量特性を有する。 【解決手段】 ｐｎ接合の逆方向特性を利用したツェナ
ーダイオード型の炭化珪素半導体からなるサージ吸収素
子１０であって、ｐｎ接合した炭化珪素半導体１１と、
この半導体のｐ型層１１ａ及びｎ型層１１ｂにそれぞれ
設けられた電極１２，１３とを有する。ｐ型層１１ａに
設けられた電極１２がショットキー特性を有する、Ａ
ｕ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉＮ、ＴａＮ又はその合金からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｐｎ接合の逆方向
特性を利用したツェナーダイオード型の炭化珪素半導体
（ＳｉＣ）からなるサージ吸収素子に関する。更に詳し
くはパワーツェナーダイオード型の炭化珪素半導体から
なるサージ吸収素子の電極構造に関するものである。
特性を利用したツェナーダイオード型の炭化珪素半導体
（ＳｉＣ）からなるサージ吸収素子に関する。更に詳し
くはパワーツェナーダイオード型の炭化珪素半導体から
なるサージ吸収素子の電極構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のツェナーダイオード型のサージ
吸収素子として、ｐｎ接合又はｐｎｐ接合をしたシリコ
ン半導体からなる素子が知られている。この素子の両側
の電極には、ｐ型層及びｎ型層とも、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ
等からなる抵抗性電極（ohmiccontact）が用いられてい
る。従来の上記サージ吸収素子は、サージ吸収時の発
熱により電極材料がシリコン半導体中に拡散したり、又
はｐ型層、ｎ型層の各ドーパントが相互に拡散したりし
て素子を破壊しないように、単位体積当りの発熱を低
くして高耐量の特性を得るために、サージ吸収時の素子
中に流れる電流密度を低下させる必要がある。そのた
め、直径が５ｍｍ以上のチップサイズで作られている。
近年、上記サージ吸収素子を使用する電子機器が小型化
するに従って、このサージ吸収素子を小型化する要求が
強くなってきている。
吸収素子として、ｐｎ接合又はｐｎｐ接合をしたシリコ
ン半導体からなる素子が知られている。この素子の両側
の電極には、ｐ型層及びｎ型層とも、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ
等からなる抵抗性電極（ohmiccontact）が用いられてい
る。従来の上記サージ吸収素子は、サージ吸収時の発
熱により電極材料がシリコン半導体中に拡散したり、又
はｐ型層、ｎ型層の各ドーパントが相互に拡散したりし
て素子を破壊しないように、単位体積当りの発熱を低
くして高耐量の特性を得るために、サージ吸収時の素子
中に流れる電流密度を低下させる必要がある。そのた
め、直径が５ｍｍ以上のチップサイズで作られている。
近年、上記サージ吸収素子を使用する電子機器が小型化
するに従って、このサージ吸収素子を小型化する要求が
強くなってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の上記サ
ージ吸収素子の直径を５ｍｍ未満に小型化した場合に
は、上述した及びの目的が達成されず、特に高いサ
ージ耐量のサージ吸収素子が得られない不具合があっ
た。本発明の目的は、動作電圧及びサージ耐量がそれぞ
れ高く、かつ高温環境下で動作するサージ吸収素子を提
供することにある。本発明の別の目的は、素子の直径を
５ｍｍ未満にしても高いサージ耐量特性を有するサージ
吸収素子を提供することにある。
ージ吸収素子の直径を５ｍｍ未満に小型化した場合に
は、上述した及びの目的が達成されず、特に高いサ
ージ耐量のサージ吸収素子が得られない不具合があっ
た。本発明の目的は、動作電圧及びサージ耐量がそれぞ
れ高く、かつ高温環境下で動作するサージ吸収素子を提
供することにある。本発明の別の目的は、素子の直径を
５ｍｍ未満にしても高いサージ耐量特性を有するサージ
吸収素子を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１（ａ）に示すように、ｐｎ接合した炭化珪素半導体
１１と、この半導体のｐ型層１１ａ及びｎ型層１１ｂに
それぞれ設けられた電極１２，１３とを有するサージ吸
収素子１０である。ツェナーダイオード型のサージ吸収
素子用の半導体として炭化珪素半導体を用いることによ
り、シリコン半導体と比べて降伏電界強度が約一桁高い
ため、動作電圧を高くできる。また動作電圧を同じにし
た場合、炭化珪素半導体はキャリア濃度が高くなるの
で、中性領域の抵抗が下がり、サージ吸収時の発熱量が
低くなる。更に炭化珪素半導体は電極材料との反応性が
低く、かつ不純物の拡散係数が極めて小さく、高温に耐
えるため、サージ耐量の高い素子が得られる。また耐熱
性に優れるために高温環境下でも動作するサージ吸収素
子が得られる。
図１（ａ）に示すように、ｐｎ接合した炭化珪素半導体
１１と、この半導体のｐ型層１１ａ及びｎ型層１１ｂに
それぞれ設けられた電極１２，１３とを有するサージ吸
収素子１０である。ツェナーダイオード型のサージ吸収
素子用の半導体として炭化珪素半導体を用いることによ
り、シリコン半導体と比べて降伏電界強度が約一桁高い
ため、動作電圧を高くできる。また動作電圧を同じにし
た場合、炭化珪素半導体はキャリア濃度が高くなるの
で、中性領域の抵抗が下がり、サージ吸収時の発熱量が
低くなる。更に炭化珪素半導体は電極材料との反応性が
低く、かつ不純物の拡散係数が極めて小さく、高温に耐
えるため、サージ耐量の高い素子が得られる。また耐熱
性に優れるために高温環境下でも動作するサージ吸収素
子が得られる。
【０００５】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、ｐｎ接合した炭化珪素半導体１１のｐ型層
１１ａに設けられた電極１２がショットキー特性を有す
る電極であるサージ吸収素子１０である。図１（ａ）、
図１（ｂ）及び図２に示すように、このサージ吸収素子
１０はｐｎ接合部が逆バイアスされる向きの電圧が印加
されるように、電子機器１５の前段に接続され、このｐ
ｎ接合部の降伏電圧が動作電圧となるようになってい
る。このような構成のサージ吸収素子では、図２の矢印
に示すようにサージノイズが侵入して電極間電圧が増加
し、ｐｎ接合部の両端の電圧がｐｎ接合の降伏電圧を越
えると、降伏電流が流れようとし、ｐｎ接合部の両端の
電圧は降伏電圧を維持する。このときｐ型層１１ａとシ
ョットキー特性を有する電極１２はｐｎ接合の降伏電圧
を越える電圧分で順方向にバイアスされるため、ｐ型層
１１ａと電極１２の接触抵抗率は無視できる程度（１０
-6〜１０-7Ωｃｍ2以下）に小さくなる。このため、電
極１２における電圧降下は著しく低くなり、容易に電流
が流れ、電極１２近傍での発熱は極めて少なくなる。こ
の結果、炭化珪素半導体の高耐量特性を限界まで発揮で
き、ｐｎ接合部の直径を５ｍｍ未満にしても高いサージ
耐量特性を有するようになる。請求項３に係る発明は、
請求項２に係る発明であって、ショットキー特性を有す
る電極１２がＡｕ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉＮ、ＴａＮ又はその
合金であるサージ吸収素子である。上記金属材料は炭化
珪素半導体との反応性が乏しいため、素子の信頼性及び
寿命を著しく高める。
明であって、ｐｎ接合した炭化珪素半導体１１のｐ型層
１１ａに設けられた電極１２がショットキー特性を有す
る電極であるサージ吸収素子１０である。図１（ａ）、
図１（ｂ）及び図２に示すように、このサージ吸収素子
１０はｐｎ接合部が逆バイアスされる向きの電圧が印加
されるように、電子機器１５の前段に接続され、このｐ
ｎ接合部の降伏電圧が動作電圧となるようになってい
る。このような構成のサージ吸収素子では、図２の矢印
に示すようにサージノイズが侵入して電極間電圧が増加
し、ｐｎ接合部の両端の電圧がｐｎ接合の降伏電圧を越
えると、降伏電流が流れようとし、ｐｎ接合部の両端の
電圧は降伏電圧を維持する。このときｐ型層１１ａとシ
ョットキー特性を有する電極１２はｐｎ接合の降伏電圧
を越える電圧分で順方向にバイアスされるため、ｐ型層
１１ａと電極１２の接触抵抗率は無視できる程度（１０
-6〜１０-7Ωｃｍ2以下）に小さくなる。このため、電
極１２における電圧降下は著しく低くなり、容易に電流
が流れ、電極１２近傍での発熱は極めて少なくなる。こ
の結果、炭化珪素半導体の高耐量特性を限界まで発揮で
き、ｐｎ接合部の直径を５ｍｍ未満にしても高いサージ
耐量特性を有するようになる。請求項３に係る発明は、
請求項２に係る発明であって、ショットキー特性を有す
る電極１２がＡｕ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉＮ、ＴａＮ又はその
合金であるサージ吸収素子である。上記金属材料は炭化
珪素半導体との反応性が乏しいため、素子の信頼性及び
寿命を著しく高める。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のサージ吸収素子は次の方
法により作られる。先ずＳｉＣ基板上にＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition: 化学気相堆積）法により、基板
がｎ型であれば単結晶ｎ型膜を、また基板がｐ型であれ
ば単結晶ｐ型膜を形成した後、この膜の上に単結晶ｐ型
膜又はｎ型膜を形成する。次いでフォトリソグラフィ技
術及びドライエッチング技術を用いて、成膜した表面か
らＳｉＣ基板に達するまでメサエッチングすることによ
り所定の大きさのｐｎ接合した炭化珪素半導体を基板上
に得る。次にこの炭化珪素半導体の表面及び側面並びに
基板の裏面に熱酸化膜を形成し、熱酸化膜の上にＣＶＤ
法によりシリコン窒化膜を形成する。これにより炭化珪
素半導体の表面、側面及び基板の裏面を不動態化（pass
ivate）する。
法により作られる。先ずＳｉＣ基板上にＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition: 化学気相堆積）法により、基板
がｎ型であれば単結晶ｎ型膜を、また基板がｐ型であれ
ば単結晶ｐ型膜を形成した後、この膜の上に単結晶ｐ型
膜又はｎ型膜を形成する。次いでフォトリソグラフィ技
術及びドライエッチング技術を用いて、成膜した表面か
らＳｉＣ基板に達するまでメサエッチングすることによ
り所定の大きさのｐｎ接合した炭化珪素半導体を基板上
に得る。次にこの炭化珪素半導体の表面及び側面並びに
基板の裏面に熱酸化膜を形成し、熱酸化膜の上にＣＶＤ
法によりシリコン窒化膜を形成する。これにより炭化珪
素半導体の表面、側面及び基板の裏面を不動態化（pass
ivate）する。
【０００７】基板がｎ型の場合、基板の裏面に形成され
た熱酸化膜及びシリコン窒化膜を、また基板がｐ型の場
合、ｐｎ接合した炭化珪素半導体のｎ型層表面に形成さ
れた熱酸化膜及びシリコン窒化膜を除去した後、この除
去部分にＮｉの膜を蒸着し、続いてこの基板を熱処理し
て抵抗性電極を得る。更に基板がｎ型の場合、ｐｎ接合
した炭化珪素半導体のｐ型層表面に、また基板がｐ型の
場合、基板の裏面にコンタクトホールを形成した後、Ａ
ｕ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉＮ、ＴａＮ又はその合金の膜を所定
のパターンで真空蒸着により形成する。これによりショ
ットキー特性を有する電極が形成される。最後にこのＳ
ｉＣ基板をダイシングしてチップ化した後、パッケージ
ングしてサージ吸収素子が作られる。
た熱酸化膜及びシリコン窒化膜を、また基板がｐ型の場
合、ｐｎ接合した炭化珪素半導体のｎ型層表面に形成さ
れた熱酸化膜及びシリコン窒化膜を除去した後、この除
去部分にＮｉの膜を蒸着し、続いてこの基板を熱処理し
て抵抗性電極を得る。更に基板がｎ型の場合、ｐｎ接合
した炭化珪素半導体のｐ型層表面に、また基板がｐ型の
場合、基板の裏面にコンタクトホールを形成した後、Ａ
ｕ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉＮ、ＴａＮ又はその合金の膜を所定
のパターンで真空蒸着により形成する。これによりショ
ットキー特性を有する電極が形成される。最後にこのＳ
ｉＣ基板をダイシングしてチップ化した後、パッケージ
ングしてサージ吸収素子が作られる。
【０００８】上記と異なり、仮りにｐｎ接合した炭化珪
素半導体のｐ型層に、従来のｐｎ接合したシリコン半導
体のｎ型層と同じようにＡｌ又はＴｉ／Ａｌからなる抵
抗性電極を形成した場合には、この電極のｐ型層への接
触抵抗率は１０-2〜１０-4Ωｃｍ2となって、従来のｐ
ｎ接合したシリコン半導体の電極接触抵抗と比べて数桁
大きくなる。このため、炭化珪素半導体のｐ型層に抵抗
性電極を有するサージ吸収素子を大電流を扱う用途に用
いた場合には、動作時にｐ型層の電極部があたかもｐｎ
接合に直列に接続された高抵抗素子として働き、電流密
度が十分に上がらず、また電極部の発熱が多くなる。
素半導体のｐ型層に、従来のｐｎ接合したシリコン半導
体のｎ型層と同じようにＡｌ又はＴｉ／Ａｌからなる抵
抗性電極を形成した場合には、この電極のｐ型層への接
触抵抗率は１０-2〜１０-4Ωｃｍ2となって、従来のｐ
ｎ接合したシリコン半導体の電極接触抵抗と比べて数桁
大きくなる。このため、炭化珪素半導体のｐ型層に抵抗
性電極を有するサージ吸収素子を大電流を扱う用途に用
いた場合には、動作時にｐ型層の電極部があたかもｐｎ
接合に直列に接続された高抵抗素子として働き、電流密
度が十分に上がらず、また電極部の発熱が多くなる。
【０００９】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。 ＜実施例１＞先ず６Ｈ（六方晶）の厚さ３００μｍの単
結晶ｎ型ＳｉＣ基板上にＣＶＤ法により厚さ５μｍの単
結晶ｎ型膜を形成した後、この膜の上に厚さ２μｍの単
結晶ｐ型膜を形成した。次いでフォトリソグラフィ技術
及びドライエッチング技術を用いて、成膜した表面から
ＳｉＣ基板に達するまでメサエッチングすることにより
接合径が０．２５ｍｍのｐｎ接合した炭化珪素半導体を
基板上に得た。次にこの炭化珪素半導体の表面及び側面
並びに基板の裏面に熱酸化膜を形成し、熱酸化膜の上に
ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を形成した。基板の裏面
に形成された熱酸化膜及びシリコン窒化膜を除去した
後、この除去部分に厚さ０．５μｍのＮｉ膜を蒸着し、
続いてこの基板をＡｒ雰囲気下、９５０℃で１５分間熱
処理して抵抗性電極を得た。更にｐｎ接合した炭化珪素
半導体のｐ型層表面にコンタクトホールを形成した後、
厚さ０．５μｍのＡｕ膜を真空蒸着し電極のパターン化
を行い、ショットキー特性を有する電極を形成した。最
後にこのＳｉＣ基板をダイシングしてチップ化した後、
パッケージングしてサージ吸収素子を得た。
る。 ＜実施例１＞先ず６Ｈ（六方晶）の厚さ３００μｍの単
結晶ｎ型ＳｉＣ基板上にＣＶＤ法により厚さ５μｍの単
結晶ｎ型膜を形成した後、この膜の上に厚さ２μｍの単
結晶ｐ型膜を形成した。次いでフォトリソグラフィ技術
及びドライエッチング技術を用いて、成膜した表面から
ＳｉＣ基板に達するまでメサエッチングすることにより
接合径が０．２５ｍｍのｐｎ接合した炭化珪素半導体を
基板上に得た。次にこの炭化珪素半導体の表面及び側面
並びに基板の裏面に熱酸化膜を形成し、熱酸化膜の上に
ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を形成した。基板の裏面
に形成された熱酸化膜及びシリコン窒化膜を除去した
後、この除去部分に厚さ０．５μｍのＮｉ膜を蒸着し、
続いてこの基板をＡｒ雰囲気下、９５０℃で１５分間熱
処理して抵抗性電極を得た。更にｐｎ接合した炭化珪素
半導体のｐ型層表面にコンタクトホールを形成した後、
厚さ０．５μｍのＡｕ膜を真空蒸着し電極のパターン化
を行い、ショットキー特性を有する電極を形成した。最
後にこのＳｉＣ基板をダイシングしてチップ化した後、
パッケージングしてサージ吸収素子を得た。
【００１０】＜実施例２＞ｐｎ接合した炭化珪素半導体
の接合径を０．５ｍｍにした以外は、実施例１と同様に
してサージ吸収素子を得た。 ＜実施例３＞ｐｎ接合した炭化珪素半導体の接合径を
１．０ｍｍにした以外は、実施例１と同様にしてサージ
吸収素子を得た。 ＜実施例４＞ｐｎ接合した炭化珪素半導体の接合径を
２．０ｍｍにした以外は、実施例１と同様にしてサージ
吸収素子を得た。 ＜実施例５＞ｐｎ接合した炭化珪素半導体の接合径を
４．０ｍｍにした以外は、実施例１と同様にしてサージ
吸収素子を得た。
の接合径を０．５ｍｍにした以外は、実施例１と同様に
してサージ吸収素子を得た。 ＜実施例３＞ｐｎ接合した炭化珪素半導体の接合径を
１．０ｍｍにした以外は、実施例１と同様にしてサージ
吸収素子を得た。 ＜実施例４＞ｐｎ接合した炭化珪素半導体の接合径を
２．０ｍｍにした以外は、実施例１と同様にしてサージ
吸収素子を得た。 ＜実施例５＞ｐｎ接合した炭化珪素半導体の接合径を
４．０ｍｍにした以外は、実施例１と同様にしてサージ
吸収素子を得た。
【００１１】＜比較例＞ｐ型層の電極及びｎ型層の電極
がともにＡｌからなり、接合径が５ｍｍのｐｎ接合した
シリコン半導体からなるサージ吸収素子を比較例とし
た。 ＜比較試験＞実施例１〜５のサージ吸収素子と比較例の
サージ吸収素子にそれぞれ同じサージ電圧を印加し、各
サージ耐量を計測した。比較例を１とするときの実施例
１〜５の比率を表１に示す。
がともにＡｌからなり、接合径が５ｍｍのｐｎ接合した
シリコン半導体からなるサージ吸収素子を比較例とし
た。 ＜比較試験＞実施例１〜５のサージ吸収素子と比較例の
サージ吸収素子にそれぞれ同じサージ電圧を印加し、各
サージ耐量を計測した。比較例を１とするときの実施例
１〜５の比率を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１から明らかなように、実施例３と比較
例とはほぼ同じサージ耐量を示し、実施例３より接合径
の大きいサージ吸収素子は更に高い耐量を示した。これ
らのことから実施例のサージ吸収素子は、比較例のサー
ジ吸収素子の約２５倍程度のサージ耐量を有することが
判った。
例とはほぼ同じサージ耐量を示し、実施例３より接合径
の大きいサージ吸収素子は更に高い耐量を示した。これ
らのことから実施例のサージ吸収素子は、比較例のサー
ジ吸収素子の約２５倍程度のサージ耐量を有することが
判った。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、従来のｐｎ接合した
シリコン半導体からなるサージ吸収素子と比較して、本
発明のサージ吸収素子は約２０分の１以下のチップ面積
で同程度のサージ耐量が得られる。これにより素子の実
装面積を低減することができる。また半導体に炭化珪素
半導体を用い、ｐ型層の電極にＳｉＣと反応性の低いシ
ョットキー特性を有する電極材料を用いることにより、
サージ吸収素子の信頼性及び寿命を向上させることがで
き、しかも高温環境下であっても動作可能なサージ吸収
素子が得られる。
シリコン半導体からなるサージ吸収素子と比較して、本
発明のサージ吸収素子は約２０分の１以下のチップ面積
で同程度のサージ耐量が得られる。これにより素子の実
装面積を低減することができる。また半導体に炭化珪素
半導体を用い、ｐ型層の電極にＳｉＣと反応性の低いシ
ョットキー特性を有する電極材料を用いることにより、
サージ吸収素子の信頼性及び寿命を向上させることがで
き、しかも高温環境下であっても動作可能なサージ吸収
素子が得られる。
【図１】（ａ） 本発明のサージ吸収素子の構成図。 （ｂ） その等価回路図。
【図２】本発明のサージ吸収素子の接続状況を示す図。
１０ サージ吸収素子 １１ ｐｎ接合した炭化珪素半導体 １１ａ ｐ型層 １１ｂ ｎ型層 １２ ショットキー特性を有する電極 １３ 抵抗性電極
Claims (3)
- 【請求項１】 ｐｎ接合した炭化珪素半導体(11)と、前
記半導体(11)のｐ型層(11a)及びｎ型層(11b)にそれぞれ
設けられた電極(12,13)とを有するサージ吸収素子。 - 【請求項２】 ｐｎ接合した炭化珪素半導体(11)のｐ型
層(11a)に設けられた電極(12)がショットキー特性を有
する電極である請求項１記載のサージ吸収素子。 - 【請求項３】 ショットキー特性を有する電極(12)がＡ
ｕ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉＮ、ＴａＮ又はその合金である請求
項２記載のサージ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5590197A JPH10256572A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | サージ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5590197A JPH10256572A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | サージ吸収素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256572A true JPH10256572A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13012027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5590197A Withdrawn JPH10256572A (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | サージ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256572A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2814855A1 (fr) * | 2000-10-03 | 2002-04-05 | St Microelectronics Sa | Jonction schottky a barriere stable sur carbure de silicium |
| WO2007023574A1 (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Ritz Corporation Inc. | 電子部品およびその電子部品を用いた自動車ならびに自動車の調整方法および前記電子部品を用いた音響装置 |
| JP2008277396A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 炭化珪素ツェナーダイオード |
| JP2009260278A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-03-11 JP JP5590197A patent/JPH10256572A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2814855A1 (fr) * | 2000-10-03 | 2002-04-05 | St Microelectronics Sa | Jonction schottky a barriere stable sur carbure de silicium |
| WO2007023574A1 (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Ritz Corporation Inc. | 電子部品およびその電子部品を用いた自動車ならびに自動車の調整方法および前記電子部品を用いた音響装置 |
| JP2008277396A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 炭化珪素ツェナーダイオード |
| JP2009260278A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
| US9136400B2 (en) | 2008-03-26 | 2015-09-15 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040511 |