JPH10256347A - Substrate treatment equipment - Google Patents

Substrate treatment equipment

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Publication number
JPH10256347A
JPH10256347A JP7899197A JP7899197A JPH10256347A JP H10256347 A JPH10256347 A JP H10256347A JP 7899197 A JP7899197 A JP 7899197A JP 7899197 A JP7899197 A JP 7899197A JP H10256347 A JPH10256347 A JP H10256347A
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JP
Japan
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substrate
unit
processing
chemical
heat treatment
Prior art date
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Abandoned
Application number
JP7899197A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masami Otani
正美 大谷
Yasuo Imanishi
保夫 今西
Masao Tsuji
雅夫 辻
Masaki Iwami
優樹 岩見
Joichi Nishimura
讓一 西村
Akihiko Morita
彰彦 森田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH10256347A publication Critical patent/JPH10256347A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment equipment, which can prevent the defective treatment by the temperature rising of the substrate or a chemical treatment unit without increasing the occupying floor area. SOLUTION: A substrate treatment equipment has a chemical treatment part 5 having spin coaters 51 and a spin developer arranged so as to surround a substrate conveyor 3 and a heat treating part 6 having a plurality of hot plates 61 and cool plates 62, which are arranged so as to surround the substrate carrier 3 at the upper side of the chamical processing part 5. The substrate carrier 3 has an approximately U-shaped cross section, which is rotated with a rotary shaft 34 as the center, and first and second substrate carrier mechanism 31 and 32, which are moved up and down mutually independently in the supporting member 35. In the first substrate carrier mechanism 31, carrier arms 1a and 1b are arranged. In the second substrate carrier mechanism 32, carrier arms 2a and 2b are arranged.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示用ガラス基板、半導体製造装置用マスク基板等
の基板に対して加熱処理、冷却処理および薬液処理を含
む一連の処理を実行するための基板処理装置に関する。
[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing a series of processes including a heating process, a cooling process, and a chemical solution process on a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display and a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の基板処理装置においては、ホッ
トプレート上に基板を載置することにより当該基板を加
熱処理する加熱処理ユニットやクールプレート上に基板
を載置することにより当該基板を冷却処理する冷却処理
ユニットを複数個配設した熱処理部や、回転する基板上
にレジストや現像液を供給することにより当該基板にレ
ジスト塗布または現像処理を行う薬液処理ユニットを複
数個配設した薬液処理部に対し、搬送アームを有する基
板搬送機構で基板の循環搬送を行うことにより、基板に
対して一連の処理を実行している。
2. Description of the Related Art In a substrate processing apparatus of this type, a substrate is placed on a hot plate, and the substrate is cooled by placing the substrate on a cool plate or a heat treatment unit for heating the substrate. A heat treatment unit having a plurality of cooling processing units for processing, or a chemical processing having a plurality of chemical processing units for applying or developing a resist on a rotating substrate by supplying a resist or a developing solution onto the substrate. A series of processing is performed on the substrate by circulating and transporting the substrate to the unit using a substrate transport mechanism having a transport arm.

【0003】このとき、レジスト塗布や現像処理を行う
薬液処理ユニットにおいては、一般的に非加熱状態で薬
液処理が行われており、また、この薬液処理時において
は、基板の温度を設定温度に厳密に管理しておくことが
要求される。このため、基板はこのような薬液処理ユニ
ットに搬送される前に、冷却処理ユニットにおいて冷却
され、設定温度になるように温度制御されている。
At this time, in a chemical processing unit for performing resist coating and development processing, the chemical processing is generally performed in a non-heated state. In this chemical processing, the substrate temperature is set to a set temperature. Strict control is required. Therefore, the substrate is cooled in the cooling processing unit before being transported to such a chemical processing unit, and the temperature is controlled so as to reach a set temperature.

【0004】一方、基板搬送機構が加熱処理ユニットに
基板を搬入し、または加熱処理ユニットから基板を搬出
した場合には、基板搬送機構の搬送アームが加熱処理ユ
ニットまたは加熱処理ユニットにより加熱された基板に
より暖められる。従って、加熱処理ユニットにアクセス
して暖められた基板搬送機構により、冷却処理ユニット
から薬液処理ユニットに基板を搬送した場合において
は、搬送アームにより搬送される基板が暖められたり、
薬液処理ユニット自体が搬送アームからの放射熱により
暖められたりすることになる。
On the other hand, when the substrate transport mechanism carries a substrate into or out of the heat processing unit, the transport arm of the substrate transport mechanism moves the substrate by the heat processing unit or the substrate heated by the heat processing unit. Warmed by. Therefore, when the substrate is transported from the cooling processing unit to the chemical processing unit by the substrate transport mechanism that has been heated by accessing the heating processing unit, the substrate transported by the transport arm is warmed,
The chemical processing unit itself is heated by radiant heat from the transfer arm.

【0005】このため、基板の温度の均一性が損なわれ
たり、薬液処理時の温度が不安定となることにより、薬
液処理部で塗布された基板の塗布膜の膜厚の均一性や、
現像処理によるパターン線幅の均一性が得られなくなる
等の処理不良を生ずる。
[0005] For this reason, the uniformity of the temperature of the substrate is impaired, and the temperature at the time of the chemical solution processing becomes unstable, so that the uniformity of the thickness of the coating film of the substrate applied at the chemical solution processing section is reduced.
Processing defects such as the inability to obtain pattern line width uniformity due to the development process occur.

【0006】このような問題を解決するため、特開平4
−262555号公報においては、基板を加熱処理ユニ
ットを含む処理ユニットに搬送するための一対の第1搬
送アームと、基板を冷却処理ユニットと薬液処理ユニッ
トとの間で搬送するため専用の第2搬送アームとを互い
に重畳した状態で配置した基板搬送機構により、基板を
搬送する基板処理装置が開示されている。
To solve such a problem, Japanese Patent Laid-Open No.
In JP-A-262555, a pair of first transfer arms for transferring a substrate to a processing unit including a heat processing unit and a second transfer dedicated for transferring a substrate between a cooling processing unit and a chemical processing unit are disclosed. A substrate processing apparatus that transports a substrate by a substrate transport mechanism in which an arm and an arm are arranged to overlap each other is disclosed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】特開平4−26255
5号公報に記載された従来の基板処理装置においては、
第1搬送アームと第2搬送アームとが近接して配置され
ていることから、第1搬送アームを介して第2搬送アー
ムが加熱され、そこに保持した基板を暖めてしまうとい
う問題が生ずる。また、第1搬送アームと第2搬送アー
ムとが一体的に移動することから、加熱処理ユニットに
おける高温の雰囲気が第1、第2搬送アームと共に移動
することになり、第2搬送アームに保持した基板や薬液
処理ユニット自体を昇温してしまうことになる。
Problems to be Solved by the Invention Japanese Patent Laid-Open No. 4-26255
In the conventional substrate processing apparatus described in Japanese Patent Publication No.
Since the first transfer arm and the second transfer arm are arranged close to each other, the second transfer arm is heated via the first transfer arm, and there is a problem that the substrate held there is heated. Further, since the first transfer arm and the second transfer arm move integrally, the high-temperature atmosphere in the heat treatment unit moves together with the first and second transfer arms, and is held by the second transfer arm. The temperature of the substrate and the chemical processing unit itself will be increased.

【0008】このような問題を解消するため、第1搬送
アームと第2搬送アームとを、平面的に離隔した別々の
搬送装置により移動させる構成とすることも考えられる
が、このような構成とした場合には、基板処理装置自身
の占有床面積が増大する。基板処理装置は通常クリーン
ルーム内に設置されることから、このような占有床面積
の増大は重大な問題点となる。
In order to solve such a problem, it is conceivable to adopt a configuration in which the first transfer arm and the second transfer arm are moved by separate transfer devices separated from each other in a plane. In this case, the floor area occupied by the substrate processing apparatus itself increases. Since the substrate processing apparatus is usually installed in a clean room, such an increase in occupied floor area becomes a serious problem.

【0009】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、占有床面積を増大させることなく、基
板あるいは薬液処理ユニットの昇温による処理不良を防
止することのできる基板処理装置を提供することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and provides a substrate processing apparatus capable of preventing a processing failure due to a temperature rise of a substrate or a chemical solution processing unit without increasing an occupied floor area. The purpose is to do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、加熱処理ユニットおよび冷却処理ユニットを有し、
当該加熱処理ユニットまたは冷却処理ユニットにより基
板に対して熱処理を行う熱処理部と、薬液処理ユニット
を有し、当該薬液処理ユニットにより基板に対して薬液
処理を行う薬液処理部とを備え、これらの加熱処理ユニ
ット、冷却処理ユニットおよび薬液処理ユニットに対し
て順次基板を搬送することにより、当該基板を処理する
基板処理装置において、前記冷却処理ユニットおよび薬
液処理ユニットに基板を搬送可能な第1基板搬送機構
と、前記第1基板搬送機構の上方または下方に配設さ
れ、前記冷却処理ユニットおよび加熱処理ユニットに基
板を搬送可能な第2基板搬送機構と、前記第1、第2基
板搬送機構を互いに独立して上下方向に移動させる移動
機構とを備えたことを特徴とする。
Means for Solving the Problems The invention according to claim 1 has a heating processing unit and a cooling processing unit,
A heat treatment unit that performs heat treatment on the substrate by the heat treatment unit or the cooling treatment unit; and a chemical treatment unit that has a chemical treatment unit and performs a chemical treatment on the substrate by the chemical treatment unit. In a substrate processing apparatus for processing a substrate by sequentially transporting a substrate to the processing unit, the cooling processing unit, and the chemical processing unit, a first substrate transport mechanism capable of transporting the substrate to the cooling processing unit and the chemical processing unit And a second substrate transport mechanism disposed above or below the first substrate transport mechanism and capable of transporting a substrate to the cooling processing unit and the heating processing unit, and the first and second substrate transport mechanisms are independent of each other. And a moving mechanism for moving in a vertical direction.

【0011】請求項2に記載の発明は、加熱処理ユニッ
トおよび冷却処理ユニットを有し、当該加熱処理ユニッ
トまたは冷却処理ユニットにより基板に対して熱処理を
行う熱処理部と、薬液処理ユニットを有し、当該薬液処
理ユニットにより基板に対して薬液処理を行う薬液処理
部とを備え、これらの加熱処理ユニット、冷却処理ユニ
ットおよび薬液処理ユニットに対して順次基板を搬送す
ることにより、当該基板を処理する基板処理装置におい
て、基板を受け渡しするための待機ユニットと、前記待
機ユニットおよび薬液処理ユニットに基板を搬送可能な
第1基板搬送機構と、前記第1基板搬送機構の上方また
は下方に配設され、前記待機ユニット、冷却処理ユニッ
トおよび加熱処理ユニットに基板を搬送可能な第2基板
搬送機構と、前記第1、第2基板搬送機構を互いに独立
して上下方向に移動させる移動機構とを備えたことを特
徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a heat treatment unit having a heat treatment unit and a cooling treatment unit, a heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate by the heat treatment unit or the cooling treatment unit, and a chemical treatment unit. A substrate for treating the substrate by sequentially transporting the substrate to the heat treatment unit, the cooling unit, and the liquid treatment unit; In the processing apparatus, a standby unit for transferring a substrate, a first substrate transport mechanism capable of transporting the substrate to the standby unit and the chemical solution processing unit, and disposed above or below the first substrate transport mechanism, A second substrate transport mechanism capable of transporting the substrate to a standby unit, a cooling processing unit, and a heating processing unit; 1, characterized by comprising a moving mechanism for moving up and down the second substrate transfer mechanism independently of each other.

【0012】請求項3に記載の発明は、請求項1または
2いずれかに記載の発明において、前記熱処理部と前記
薬液処理部とは、鉛直方向に重なるように配置されてい
る。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the heat treatment section and the chemical treatment section are arranged so as to overlap in a vertical direction.

【0013】請求項4に記載の発明は、鉛直方向に延び
る基板搬送装置と、前記基板搬送装置の外周部を取り囲
むように配置された複数の加熱処理ユニットおよび冷却
処理ユニットを有し、当該加熱処理ユニットまたは冷却
処理ユニットにより基板に対して熱処理を行う熱処理部
と、前記熱処理部と鉛直方向に重なる位置において前記
基板搬送装置の外周部を取り囲むように配置された複数
の薬液処理ユニットを有し、当該薬液処理ユニットによ
り基板に対して薬液処理を行う薬液処理部とを備えた基
板処理装置であって、前記基板搬送装置は、前記冷却処
理ユニットおよび薬液処理ユニットに基板を搬送可能な
第1基板搬送機構と、前記第1基板搬送機構の上方また
は下方に配設され、前記冷却処理ユニットおよび加熱処
理ユニットに基板を搬送可能な第2基板搬送機構と、前
記第1、第2基板搬送機構を互いに独立して上下方向に
移動させる移動機構とを有することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus extending in a vertical direction, and a plurality of heating processing units and cooling processing units arranged so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer apparatus. A heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate by the treatment unit or the cooling treatment unit, and a plurality of chemical solution treatment units disposed so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer device at a position vertically overlapping the heat treatment unit. A chemical processing section for performing chemical processing on the substrate by the chemical processing unit, wherein the substrate transport apparatus is capable of transporting the substrate to the cooling processing unit and the chemical processing unit. A substrate transport mechanism and a substrate disposed above or below the first substrate transport mechanism, wherein the cooling processing unit and the heating processing unit A second substrate transport mechanism can be conveyed, and having a first moving mechanism for moving the second substrate transfer mechanism independently of one another vertically.

【0014】請求項5に記載の発明は、鉛直方向に延び
る基板搬送装置と、前記基板搬送装置の外周部を取り囲
むように配置された複数の加熱処理ユニットおよび冷却
処理ユニットを有し、当該加熱処理ユニットまたは冷却
処理ユニットにより基板に対して熱処理を行う熱処理部
と、前記熱処理部と鉛直方向に重なる位置において前記
基板搬送装置の外周部を取り囲むように配置された複数
の薬液処理ユニットを有し、当該薬液処理ユニットによ
り基板に対して薬液処理を行う薬液処理部とを備えた基
板処理装置であって、基板を受け渡しするための待機ユ
ニットをさらに備え、前記基板搬送装置は、前記待機ユ
ニットおよび薬液処理ユニットに基板を搬送可能な第1
基板搬送機構と、前記第1基板搬送機構の上方または下
方に配設され、前記待機ユニット、冷却処理ユニットお
よび加熱処理ユニットに基板を搬送可能な第2基板搬送
機構と、前記第1、第2基板搬送機構を互いに独立して
上下方向に移動させる移動機構とを有することを特徴と
する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus extending in a vertical direction, and a plurality of heating processing units and cooling processing units arranged so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer apparatus. A heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate by the treatment unit or the cooling treatment unit, and a plurality of chemical solution treatment units disposed so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer device at a position vertically overlapping the heat treatment unit. A substrate processing apparatus comprising: a chemical processing unit that performs chemical processing on a substrate by the chemical processing unit; and a standby unit for transferring the substrate, wherein the substrate transport apparatus includes the standby unit and The first that can transport substrates to the chemical processing unit
A substrate transport mechanism, a second substrate transport mechanism disposed above or below the first substrate transport mechanism and capable of transporting a substrate to the standby unit, the cooling processing unit, and the heat processing unit; and the first and second substrate transport mechanisms. A moving mechanism for vertically moving the substrate transport mechanisms independently of each other.

【0015】請求項6に記載の発明は、請求項1または
4いずれかに記載の発明において、前記第1基板搬送機
構と前記第2基板搬送機構との間の基板の受け渡しは、
前記冷却処理ユニットを介して実行される。
According to a sixth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the transfer of the substrate between the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism is performed.
This is performed via the cooling processing unit.

【0016】請求項7に記載の発明は、請求項4または
5いずれかに記載の発明において、前記第1基板搬送機
構と前記第2基板搬送機構とは、回転軸を中心に回転す
る共通の支持部材に支持されている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism share a common shaft that rotates about a rotation axis. It is supported by a support member.

【0017】請求項8に記載の発明は、請求項3乃至7
いずれかに記載の基板処理装置において、前記熱処理部
は前記薬液処理部の上方に配置されると共に、前記第2
基板搬送機構は前記第1基板搬送機構の上方に配置され
ている。
[0017] The invention described in claim 8 is the invention according to claims 3 to 7.
In the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the heat treatment unit is disposed above the chemical processing unit,
The substrate transport mechanism is disposed above the first substrate transport mechanism.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1はこの発明の第1実施形態
に係る基板処理装置の正面図であり、図2はその平面的
な配置を示す概要図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view showing a planar arrangement thereof.

【0019】この基板処理装置は、前段の処理工程から
搬入された基板(半導体ウエハ)にレジストを塗布して
後段のステッパーに搬出するとともに、ステッパーから
搬入された露光済の基板を現像処理して後段の処理工程
に搬出するものである。この基板処理装置は、インデク
サ部2と、鉛直方向に延びる基板搬送装置3と、この基
板搬送装置3を取り囲むように配置されたスピンコータ
(回転式レジスト塗布装置)51およびスピンデベロッ
パ(回転式現像装置)52を有する薬液処理部5と、こ
の薬液処理部5の上方において基板搬送装置3を取り囲
むように配置された複数のホットプレート61およびク
ールプレート62を有する熱処理部6と、インターフェ
ース部7とを備える。
This substrate processing apparatus applies a resist to a substrate (semiconductor wafer) carried in from a preceding processing step and carries it out to a subsequent stepper, and develops an exposed substrate carried in from the stepper. It is carried out to a subsequent processing step. The substrate processing apparatus includes an indexer section 2, a substrate transport apparatus 3 extending in a vertical direction, a spin coater (rotary resist coating apparatus) 51 and a spin developer (rotary developing apparatus) disposed so as to surround the substrate transport apparatus 3. ) 52, a heat treatment section 6 having a plurality of hot plates 61 and cool plates 62 disposed above the chemical processing section 5 so as to surround the substrate transfer device 3, and an interface section 7. Prepare.

【0020】なお、図1においては、インデクサ部2と
インタフェース部7との図示を省略している。また、図
2においては、鉛直方向に互いに重なる部材の位置を表
現するため、同一位置に複数の符号を付している。
In FIG. 1, illustration of the indexer unit 2 and the interface unit 7 is omitted. Further, in FIG. 2, a plurality of reference numerals are assigned to the same position in order to represent the positions of the members that overlap with each other in the vertical direction.

【0021】インデクサ部2は、図示を省略した基板搬
送用カセット内に収納された基板を基板搬送装置3の側
方に配置された載置台21に供給し、または、載置台2
1に載置された基板を基板搬送用カセット内に格納する
図示しない基板移載装置を有する。前段の処理工程より
基板搬送用カセットに収納されて搬送された基板は、イ
ンデクサ部2の基板移載装置により一枚ずつ取り出さ
れ、載置台21における支持ピン23上に載置される。
また、処理を終了して載置台21の支持ピン23上に載
置された基板は、インデクサ部2の基板移載装置により
基板搬送用カセット内に格納される。
The indexer unit 2 supplies a substrate accommodated in a substrate transfer cassette (not shown) to a mounting table 21 disposed on the side of the substrate transfer apparatus 3, or
1 has a substrate transfer device (not shown) for storing the substrate placed in the substrate transfer cassette 1 in a substrate transport cassette. The substrates stored and transported in the substrate transport cassette from the previous processing step are taken out one by one by the substrate transfer device of the indexer unit 2 and mounted on the support pins 23 of the mounting table 21.
The substrate placed on the support pins 23 of the mounting table 21 after the processing is completed is stored in the substrate transport cassette by the substrate transfer device of the indexer unit 2.

【0022】基板搬送装置3は、基板処理装置に搬入さ
れた基板を熱処理部5および薬液処理部6に順次搬送し
て処理するためのものであり、各々2個の基板搬送用の
搬送アームを有する第1、第2の基板搬送機構31、3
2を備える。なお、基板搬送装置3の構成については、
後程詳細に説明する。
The substrate transport device 3 is for transporting the substrate carried into the substrate processing device sequentially to the heat treatment section 5 and the chemical solution processing section 6 for processing. Each of the transport arms for transporting two substrates is provided. First and second substrate transport mechanisms 31, 3
2 is provided. In addition, about the structure of the board | substrate conveyance apparatus 3,
This will be described in detail later.

【0023】薬液処理部5は、基板搬送装置3の側方に
配置された一対のスピンコータ51と、このスピンコー
タ51と基板搬送装置3を挟んで配置された一対のスピ
ンデベロッパ52とを有する。スピンコータ51は、図
1に示すように、基板を保持して回転するスピンチャッ
ク53と、このスピンチャック53の周囲に配設された
内カップ54と、図示しないレジスト供給ノズルとを有
し、スピンチャック53に保持されて回転する基板の表
面にレジストを供給することにより、基板の表面にレジ
ストの薄膜を形成するものである。また、スピンデベロ
ッパ52は、スピンコータ51と同様のスピンチャック
および内カップと現像液供給ノズルとを有し、スピンチ
ャックに保持されて回転する基板の表面に現像液を供給
することにより、基板の表面における露光済レジストを
現像処理するものである。
The chemical processing section 5 has a pair of spin coaters 51 disposed on the side of the substrate transfer device 3 and a pair of spin developers 52 disposed with the spin coater 51 and the substrate transfer device 3 interposed therebetween. As shown in FIG. 1, the spin coater 51 includes a spin chuck 53 that rotates while holding a substrate, an inner cup 54 disposed around the spin chuck 53, and a resist supply nozzle (not shown). The resist is supplied to the surface of the rotating substrate held by the chuck 53, thereby forming a thin resist film on the surface of the substrate. The spin developer 52 has a spin chuck, an inner cup, and a developer supply nozzle similar to the spin coater 51, and supplies a developer to the surface of the substrate that is held by the spin chuck and rotates, so that the surface of the substrate is rotated. Is to develop the exposed resist in the above.

【0024】なお、スピンコータ51とスピンデベロッ
パ52との間には、上述した載置台21と後述する載置
台22とが配設されている。
Note that between the spin coater 51 and the spin developer 52, the mounting table 21 described above and a mounting table 22 described later are disposed.

【0025】基板搬送装置3および薬液処理部5の下方
には、レジストや現像液などの薬液を貯蔵する薬液タン
クや、処理後の廃液を回収する廃液回収ユニットを収納
するケミカルキャビネット55が配設されている。ま
た、スピンコータ51とスピンデベロッパ52の上方に
は、フィルターユニット56が配設されている。
A chemical tank for storing a chemical such as a resist and a developing solution, and a chemical cabinet 55 for storing a waste liquid collecting unit for collecting a waste liquid after processing are provided below the substrate transporting device 3 and the chemical processing section 5. Have been. A filter unit 56 is provided above the spin coater 51 and the spin developer 52.

【0026】熱処理部6は、スピンコータ51およびス
ピンデベロッパ52の上方において、基板搬送装置3を
取り囲むように配設された4個のクールプレート62
と、各クールプレート62の上方に互いに重畳する状態
で配設された12個のホットプレート61と、ホットプ
レート61および基板搬送装置3の上方に配設されたフ
ィルターユニット63とを有する。
The heat treatment section 6 includes four cool plates 62 disposed above the spin coater 51 and the spin developer 52 so as to surround the substrate transfer device 3.
And twelve hot plates 61 arranged above each cool plate 62 so as to overlap each other, and a filter unit 63 arranged above the hot plate 61 and the substrate transfer device 3.

【0027】このホットプレート61は、基板に対しレ
ジスト塗布または現像処理を実行する前後において、基
板を加熱するためのものである。また、クールプレート
61は、ホットプレート61により加熱された基板を、
スピンコータ51またはスピンデベロッパ52に搬送す
る前に予め冷却することにより、基板の温度を設定温度
まで降温させるためのものである。一般に、ホットプレ
ート61による基板の加熱処理にはクールプレート62
による基板の冷却処理よりも長い処理時間を要すること
から、基板処理装置においては、クールプレート62よ
り多数のホットプレート61が配設されている。
The hot plate 61 heats the substrate before and after the resist is applied or developed on the substrate. Further, the cool plate 61 holds the substrate heated by the hot plate 61,
The substrate is cooled in advance before being transferred to the spin coater 51 or the spin developer 52 to lower the substrate temperature to a set temperature. Generally, a cool plate 62 is used for heat treatment of a substrate by a hot plate 61.
In the substrate processing apparatus, a longer number of hot plates 61 than the cool plate 62 are provided because a longer processing time is required than the cooling process of the substrate according to the first embodiment.

【0028】インタフェース部7は、基板搬送装置3の
側方の載置台22に載置された基板を図示を省略したス
テッパーに搬入し、または、ステッパーから搬出された
基板を載置台22に載置するための図示しない基板移載
装置を有する。基板処理装置においてレジストを塗布さ
れ、載置台22の支持ピン24上に載置された基板は、
インターフェース部7の基板移載装置により後段のステ
ッパーに搬送される。また、ステッパーから搬入された
露光済の基板は、インタフェース部7の基板移載装置に
より載置台22の支持ピン24上に載置される。
The interface unit 7 loads the substrate placed on the placing table 22 on the side of the substrate transfer device 3 into a stepper (not shown), or places the substrate carried out of the stepper on the placing table 22. And a substrate transfer device, not shown. The substrate coated with the resist in the substrate processing apparatus and mounted on the support pins 24 of the mounting table 22 is
The substrate is transferred to a subsequent stepper by the substrate transfer device of the interface unit 7. The exposed substrate carried in from the stepper is mounted on the support pins 24 of the mounting table 22 by the substrate transfer device of the interface unit 7.

【0029】次に、上述した基板搬送装置3の構成につ
いて説明する。図3は基板搬送装置3の斜視図であり、
図4(a)はその平断面図、また、図4(b)はその側
面概要図である。
Next, the configuration of the above-described substrate transfer device 3 will be described. FIG. 3 is a perspective view of the substrate transfer device 3,
FIG. 4A is a plan sectional view thereof, and FIG. 4B is a schematic side view thereof.

【0030】この基板搬送装置は、モータを内蔵した回
転テーブル33の駆動により、回転軸34を中心に回転
する断面が略コの字状の支持部材35と、この支持部材
35内を互いに独立して上下方向に移動する第1、第2
の基板搬送機構31、32とを有する。
In the substrate transfer apparatus, a rotating table 33 having a built-in motor drives a support member 35 having a substantially U-shaped cross section which rotates about a rotation shaft 34, and separates the inside of the support member 35 from each other. First and second moving up and down
Substrate transport mechanisms 31 and 32.

【0031】第1、第2の基板搬送機構31、32にお
ける基台36は、支持部材35のベース37と一対のリ
ニアガイド38を介して上下移動可能に接続されてい
る。また、第1の基板搬送機構31における基台36
は、モータ39に接続する駆動プーリ45および複数の
従動プーリ46に巻回された第1の無端ベルト43に接
続されており、第2の基板搬送機構32における基台3
6は、第1の無端ベルト43と同様の構成を有する第2
の無端ベルト44と接続されている。このため、第1、
第2の基板搬送機構31、32は、第1、第2の無端ベ
ルト43、44の駆動を受け、互いに独立して上下方向
に移動する。
The bases 36 of the first and second substrate transport mechanisms 31 and 32 are connected to a base 37 of a support member 35 via a pair of linear guides 38 so as to be vertically movable. Further, the base 36 in the first substrate transfer mechanism 31
Is connected to a driving end pulley 45 connected to a motor 39 and a first endless belt 43 wound around a plurality of driven pulleys 46.
6 is a second endless belt 43 having the same configuration as the first endless belt 43.
Is connected to the endless belt 44. Therefore, the first,
The second substrate transport mechanisms 31 and 32 are driven by the first and second endless belts 43 and 44 and move vertically independently of each other.

【0032】第1の基板搬送機構31における基台36
上には、基板の端縁部を支持して搬送するための、互い
に重畳して配置された一対の搬送アーム1a、1bが配
設されている。これらの搬送アーム1a、1bは、基台
36に内蔵されたアーム駆動機構と各々接続されてお
り、互いに独立して前後方向に往復移動可能に構成され
ている。また、第2の基板搬送機構32における基台3
6上には、搬送アーム1a、1bと同様の構成を有する
一対の搬送アーム2a、2bが配設されている。なお、
図4(a)において仮想線で示す記号Wは、基板が搬送
アーム1b(または1a、2a、2b)に支持された状
態を示している。
The base 36 in the first substrate transfer mechanism 31
On the upper side, a pair of transfer arms 1a and 1b arranged to overlap each other for supporting and transferring the edge of the substrate is provided. These transfer arms 1a and 1b are respectively connected to an arm drive mechanism built in the base 36, and are configured to be able to reciprocate in the front-rear direction independently of each other. Further, the base 3 in the second substrate transport mechanism 32
A pair of transfer arms 2a and 2b having the same configuration as the transfer arms 1a and 1b are disposed on the transfer arm 6a. In addition,
A symbol W shown by a virtual line in FIG. 4A indicates a state where the substrate is supported by the transfer arm 1b (or 1a, 2a, 2b).

【0033】上述した構成により、第1、第2の基板搬
送機構31、32は、支持部材35が回転軸34を中心
に回転することにより互いに同期して回転し、無端ベル
ト43、44の駆動により互いに独立して上下移動す
る。このため、第1、第2の基板搬送機構31、32
は、基板搬送装置3の外周部を取り囲むように配設され
た複数のスピンコータ51、スピンデベロッパ52、ホ
ットプレート61またはクールプレート62のいずれか
と対向する位置まで移動することができる。
With the above-described configuration, the first and second substrate transport mechanisms 31 and 32 rotate in synchronization with each other as the support member 35 rotates about the rotation shaft 34, and drive the endless belts 43 and 44. Move up and down independently of each other. Therefore, the first and second substrate transport mechanisms 31, 32
Can move to a position facing one of a plurality of spin coaters 51, a spin developer 52, a hot plate 61 or a cool plate 62 arranged to surround the outer peripheral portion of the substrate transfer device 3.

【0034】そして、第1、第2の基板搬送機構31、
32は、スピンコータ51、スピンデベロッパ52、ホ
ットプレート61またはクールプレート62のいずれか
と対向する位置において、搬送アーム1a、1b、2
a、2bを前後方向に往復移動させるとともに第1、第
2の基板搬送機構31、32自体をわずかな距離だけ上
下移動させることにより、スピンコータ51、スピンデ
ベロッパ52、ホットプレート61またはクールプレー
ト62から基板を受け取り、または、スピンコータ5
1、スピンデベロッパ52、ホットプレート61または
クールプレート62に基板を受け渡すことができる。
Then, the first and second substrate transport mechanisms 31,
Reference numeral 32 denotes a transport arm 1a, 1b, 2 at a position facing one of the spin coater 51, the spin developer 52, the hot plate 61 and the cool plate 62.
By moving the first and second substrate transfer mechanisms 31 and 32 themselves up and down a small distance while reciprocating the a and b in the front-rear direction, the spin coater 51, the spin developer 52, the hot plate 61 or the cool plate 62 Receiving substrate or spin coater 5
1. The substrate can be delivered to the spin developer 52, the hot plate 61 or the cool plate 62.

【0035】なお、この基板搬送装置3においては、第
1、第2の基板搬送機構31、32は、断面が略コの字
状の支持部材35により囲まれた状態において昇降およ
び回転動作を行うことから、第1、第2の基板搬送機構
31、32に支持された基板に対する外気の影響を軽減
することができる。
In the substrate transfer apparatus 3, the first and second substrate transfer mechanisms 31 and 32 perform a vertical movement and a rotation operation in a state where the cross section is surrounded by a support member 35 having a substantially U-shaped cross section. Therefore, the influence of the outside air on the substrates supported by the first and second substrate transport mechanisms 31 and 32 can be reduced.

【0036】次に、上述した基板処理装置における基板
の処理手順について説明する。図5は、基板の処理手順
を示す説明図である。
Next, a procedure for processing a substrate in the above-described substrate processing apparatus will be described. FIG. 5 is an explanatory diagram showing a processing procedure of the substrate.

【0037】なお、この図において「IND」はインデ
クサ部2を、「TB21」は載置台21を、「HP」はホ
ットプレート61を、「CP」はクールプレート62
を、「SC」はスピンコータ51を、「TB22」は載置
台22を、「IF」はインタフェース部7を、また「S
D」はスピンデベロッパ52を指している。また、符号
「1a」を付した矢印は基板が第1の基板搬送機構31
における搬送アーム1aにより搬送されることを示し、
符号「1b」を付した矢印は基板が第1の基板搬送機構
31における搬送アーム1bにより搬送されることを示
す。同様に、符号「2a」を付した矢印は基板が第2の
基板搬送機構32における搬送アーム2aにより搬送さ
れることを示し、符号「2b」を付した矢印は基板が第
2の基板搬送機構32における搬送アーム2bにより搬
送されることを示す。
In this figure, "IND" indicates the indexer unit 2, "TB21" indicates the mounting table 21, "HP" indicates the hot plate 61, and "CP" indicates the cool plate 62.
"SC" indicates the spin coater 51, "TB22" indicates the mounting table 22, "IF" indicates the interface unit 7, and "S"
"D" indicates the spin developer 52. The arrow labeled “1a” indicates that the substrate is the first substrate transport mechanism 31.
Indicates that the transfer is performed by the transfer arm 1a at
The arrow labeled “1b” indicates that the substrate is transferred by the transfer arm 1b of the first substrate transfer mechanism 31. Similarly, an arrow labeled “2a” indicates that the substrate is transported by the transport arm 2a in the second substrate transport mechanism 32, and an arrow labeled “2b” indicates that the substrate is transported by the second substrate transport mechanism. 32 indicates that the sheet is transferred by the transfer arm 2b.

【0038】また、この基板処理装置により基板を処理
する場合においては、各々複数個配設されたスピンコー
タ51、スピンデベロッパ52、ホットプレート61お
よびクールプレート62を適宜利用することにより、複
数の基板に対して並行して処理が実行される。以下の説
明においては詳細な説明は省略するが、一枚の基板に対
しては、各々複数個配設されたスピンコータ51、スピ
ンデベロッパ52、ホットプレート61およびクールプ
レート62のいずれかを利用して処理が実行される。
When a substrate is processed by the substrate processing apparatus, a plurality of spin coaters 51, spin developers 52, a hot plate 61 and a cool plate 62 are appropriately used, so that a plurality of substrates can be processed. The processing is executed in parallel. Although detailed description is omitted in the following description, for one substrate, any one of a plurality of spin coaters 51, spin developers 52, hot plates 61, and cool plates 62 is used. The processing is executed.

【0039】図示しない基板移載装置によりインデクサ
部2から載置台21に搬入された基板は、第2の基板搬
送機構32の搬送アーム2aによりホットプレート61
に搬送され、加熱処理の一種である脱水ベークが施され
る。脱水ベークを完了した基板は、第2の基板搬送機構
32の搬送アーム2bによりクールプレート62に搬送
され、設定温度まで冷却される。
The substrate transferred from the indexer unit 2 to the mounting table 21 by the substrate transfer device (not shown) is transferred to the hot plate 61 by the transfer arm 2a of the second substrate transfer mechanism 32.
And subjected to a dehydration bake, which is a kind of heat treatment. The substrate on which the dehydration bake has been completed is transferred to the cool plate 62 by the transfer arm 2b of the second substrate transfer mechanism 32, and cooled to the set temperature.

【0040】なお、より詳細に説明すれば、上述した搬
送工程においては、第2の基板搬送機構32は、ホット
プレート61と対向する位置において、搬送アーム2b
により既にホットプレート61に収納されている基板を
取り出した後、搬送アーム2aに保持した基板をホット
プレート61に格納する。また、同様に、第2の基板搬
送機構は、クールプレート62と対向する位置におい
て、搬送アーム2aにより既にクールプレート62に収
納されている基板を取り出した後、搬送アーム2bによ
りホットプレート61から搬送してきた基板をクールプ
レート62に格納する。すなわち、この基板処理装置に
おいては、一対の搬送アーム2a、2b(または1a、
1b)のうち一方の搬送アームにより各種の処理ユニッ
ト内にある基板を取り出した後、他方の搬送アームによ
り保持した基板を処理ユニット内に格納することによ
り、複数の基板を各種の処理ユニットに順次搬送するよ
うに構成されている。但し、以下の説明においては、基
板をどの基板搬送機構のどの搬送アームによって搬送す
るかについてのみ記載し、交換動作に関する詳細な説明
は省略する。
More specifically, in the above-described transfer step, the second substrate transfer mechanism 32 moves the transfer arm 2 b at a position facing the hot plate 61.
After the substrate already stored in the hot plate 61 is taken out, the substrate held by the transfer arm 2a is stored in the hot plate 61. Similarly, the second substrate transport mechanism takes out the substrate already stored in the cool plate 62 by the transport arm 2a at a position facing the cool plate 62, and then transports the substrate from the hot plate 61 by the transport arm 2b. The cooled substrate is stored in the cool plate 62. That is, in this substrate processing apparatus, a pair of transfer arms 2a, 2b (or 1a,
1b), after taking out the substrates in various processing units by one transfer arm, storing the substrates held by the other transfer arm in the processing units, thereby sequentially transferring a plurality of substrates to the various processing units. It is configured to carry. However, in the following description, only the transport arm of which substrate transport mechanism transports the substrate will be described, and a detailed description of the exchange operation will be omitted.

【0041】図5にもどって、クールプレート62によ
り冷却された基板は、第1の基板搬送機構31の搬送ア
ーム1aによりスピンコータ51に搬送され、その表面
にレジストが塗布される。
Returning to FIG. 5, the substrate cooled by the cool plate 62 is transferred to the spin coater 51 by the transfer arm 1a of the first substrate transfer mechanism 31, and the surface is coated with a resist.

【0042】スピンコータ51によりレジストを塗布さ
れた基板は、第1の基板搬送機構31の搬送アーム1b
によりクールプレート62に一旦搬送された後、クール
プレート62で冷却されることなく、第2の基板搬送機
構32の搬送アーム2aによりクールプレート62から
ホットプレート61に搬送される。
The substrate coated with the resist by the spin coater 51 is transferred to the transfer arm 1b of the first substrate transfer mechanism 31.
Is transferred once to the hot plate 61 by the transfer arm 2 a of the second substrate transfer mechanism 32 without being cooled by the cool plate 62.

【0043】ここで、この基板処理装置においては、ス
ピンコータ51からホットプレート61に基板を搬送す
る際に、第1の基板搬送機構31の搬送アーム1bや第
2の基板搬送機構32の搬送アーム2aによりホットプ
レート61に直接基板を搬送するのではなく、第1の基
板搬送機構31の搬送アーム1bにより一旦クールプレ
ート62に基板を搬入した後、その基板を第2の基板搬
送機構32の搬送アーム2aによりホットプレート61
に搬送するようにしている。このため、第1の基板搬送
機構31がホットプレート61により暖められたり、ス
ピンコータ51が第2の基板搬送機構32により暖めら
れることを防止することができる。この時には、クール
プレート62は、基板を冷却する冷却処理ユニットでは
なく、基板を受け渡しするための受渡部として機能す
る。
In this substrate processing apparatus, when the substrate is transferred from the spin coater 51 to the hot plate 61, the transfer arm 1b of the first substrate transfer mechanism 31 and the transfer arm 2a of the second substrate transfer mechanism 32 are used. Instead of directly transporting the substrate to the hot plate 61, the substrate is once loaded into the cool plate 62 by the transport arm 1b of the first substrate transport mechanism 31, and then the substrate is transported by the transport arm of the second substrate transport mechanism 32. Hot plate 61 by 2a
To be transported. Therefore, it is possible to prevent the first substrate transport mechanism 31 from being heated by the hot plate 61 and the spin coater 51 from being heated by the second substrate transport mechanism 32. At this time, the cool plate 62 functions not as a cooling processing unit for cooling the substrate, but as a delivery unit for delivering the substrate.

【0044】ホットプレート61に搬送された基板に
は、加熱処理の一種であるプリベークが施される。そし
て、プリベーク後の基板は、第2の基板搬送機構32の
搬送アーム2bによりクールプレート62に搬送され
る。クールプレート62により冷却された基板は、第2
の基板搬送機構32の搬送アーム2aにより載置台22
に搬送される。なお、クールプレート62から載置台2
2への基板の搬送は、第1の基板搬送機構31を使用し
てもよい。
The substrate conveyed to the hot plate 61 is subjected to pre-bake, which is a kind of heat treatment. Then, the substrate after the pre-baking is transferred to the cool plate 62 by the transfer arm 2b of the second substrate transfer mechanism 32. The substrate cooled by the cool plate 62 is
Of the mounting table 22 by the transfer arm 2a of the substrate transfer mechanism 32 of FIG.
Transported to In addition, from the cool plate 62 to the mounting table 2
The first substrate transport mechanism 31 may be used to transport the substrate to the second substrate 2.

【0045】載置台22に載置された基板は、インタフ
ェース部7の基板移載装置によりステッパーに搬送さ
れ、所定のパターンの露光が行われる。露光済の基板
は、インタフェース部7の基板移載装置により、再度、
載置台22に載置される。
The substrate mounted on the mounting table 22 is conveyed to a stepper by the substrate transfer device of the interface unit 7, where a predetermined pattern is exposed. The exposed substrate is again processed by the substrate transfer device of the interface unit 7.
It is mounted on the mounting table 22.

【0046】載置台22上の基板は、第2の基板搬送機
構32の搬送アーム2bによりホットプレート61に搬
送され、加熱処理の一種であるポストエクスポージャー
ベーク(PEB)が施される。ポストエクスポージャー
ベークを完了した基板は、第2の基板搬送機構32の搬
送アーム2aによりクールプレート62に搬送され、設
定温度まで冷却される。
The substrate on the mounting table 22 is transferred to the hot plate 61 by the transfer arm 2b of the second substrate transfer mechanism 32, and subjected to post-exposure bake (PEB), which is a kind of heat treatment. The substrate that has completed the post-exposure bake is transferred to the cool plate 62 by the transfer arm 2a of the second substrate transfer mechanism 32, and cooled to the set temperature.

【0047】クールプレート62により冷却された基板
は、第1の基板搬送機構31の搬送アーム1aによりス
ピンデベロッパ52に搬送され、露光済のレジストを現
像処理される。
The substrate cooled by the cool plate 62 is transferred to the spin developer 52 by the transfer arm 1a of the first substrate transfer mechanism 31, and the exposed resist is developed.

【0048】スピンデベロッパ52により現像処理され
た基板は、第1の基板搬送機構31の搬送アーム1bに
よりクールプレート62に一旦搬送された後、クールプ
レート62で冷却されることなく、第2の基板搬送機構
32の搬送アーム2bによりクールプレート62からホ
ットプレート61に搬送される。この時には、上述した
場合と同様、クールプレート62は、基板を冷却する冷
却処理ユニットではなく、基板を受け渡しするための受
渡部として機能する。
The substrate developed by the spin developer 52 is once transferred to the cool plate 62 by the transfer arm 1b of the first substrate transfer mechanism 31, and is then cooled by the second plate without being cooled by the cool plate 62. The sheet is transferred from the cool plate 62 to the hot plate 61 by the transfer arm 2 b of the transfer mechanism 32. At this time, as in the case described above, the cool plate 62 functions not as a cooling processing unit for cooling the substrate but as a delivery unit for delivering the substrate.

【0049】ホットプレート61に搬送された基板に
は、加熱処理の一種であるポストベークが施される。そ
して、ポストベーク後の基板は、第2の基板搬送機構3
2の搬送アーム2aによりクールプレート62に搬送さ
れる。クールプレート62により冷却された基板は、第
2の基板搬送機構32の搬送アーム2bにより載置台2
1に搬送される。なお、クールプレート62から載置台
21への基板の搬送は、第1の基板搬送機構31を使用
してもよい。
The substrate conveyed to the hot plate 61 is subjected to post bake, which is a kind of heat treatment. Then, the substrate after the post-baking is transferred to the second substrate transport mechanism 3.
The sheet is transferred to the cool plate 62 by the second transfer arm 2a. The substrate cooled by the cool plate 62 is transferred to the mounting table 2 by the transfer arm 2 b of the second substrate transfer mechanism 32.
It is transported to 1. The transfer of the substrate from the cool plate 62 to the mounting table 21 may use the first substrate transfer mechanism 31.

【0050】載置台22に載置された基板は、インデク
サ部2の基板移載装置により基板搬送用カセット内に格
納される。
The substrate mounted on the mounting table 22 is stored in a substrate transport cassette by the substrate transfer device of the indexer unit 2.

【0051】上述した基板の処理手順から明らかなよう
に、この実施形態に係る基板処理装置においては、薬液
処理ユニットとしてのスピンコータ51およびスピンデ
ベロッパ52にアクセスする第1の基板搬送機構31
は、冷却処理ユニットとしてのクールプレート62には
アクセスするが加熱処理ユニットとしてのホットプレー
ト61にはアクセスしない。また、加熱処理ユニットと
してのホットプレート61にアクセスする第2の基板搬
送機構32は、冷却処理ユニットとしてのクールプレー
ト62にはアクセスするが薬液処理ユニットとしてのス
ピンコータ51およびスピンデベロッパ52とにはアク
セスしない。
As is clear from the above-described substrate processing procedure, in the substrate processing apparatus according to this embodiment, the first substrate transport mechanism 31 that accesses the spin coater 51 and the spin developer 52 as a chemical processing unit.
Accesses the cool plate 62 as the cooling processing unit but does not access the hot plate 61 as the heating processing unit. Further, the second substrate transport mechanism 32 that accesses the hot plate 61 as the heating processing unit accesses the cool plate 62 as the cooling processing unit but accesses the spin coater 51 and the spin developer 52 as the chemical processing unit. do not do.

【0052】このため、スピンコータ51およびスピン
デベロッパ52にアクセスする第1の基板搬送機構31
がホットプレート61により暖められたり、スピンコー
タ51およびスピンデベロッパ52がホットプレート6
1にアクセスする第2の基板搬送機構32により暖めら
れることを防止することができ、基板を精度よく処理す
ることができる。
Therefore, the first substrate transport mechanism 31 that accesses the spin coater 51 and the spin developer 52
Is heated by the hot plate 61 or the spin coater 51 and the spin developer 52 are
1 can be prevented from being heated by the second substrate transport mechanism 32, and the substrate can be processed with high precision.

【0053】また、この基板処理装置においては、第1
の基板搬送機構31と第2の基板搬送機構32とが互い
に独立して上下移動することから、従来の特開平4−2
62555号公報に記載された基板処理装置のように、
これらが近接して同時に上下移動することによる不都合
の発生を防止することができる。
In this substrate processing apparatus, the first
Since the substrate transport mechanism 31 and the second substrate transport mechanism 32 vertically move independently of each other,
As in the substrate processing apparatus described in Japanese Patent No. 62555,
It is possible to prevent the inconvenience caused by the fact that these move vertically close to each other at the same time.

【0054】なお、第1の基板搬送機構31と第2の基
板搬送機構32とが近接することにより、第1の基板搬
送機構31が第2の基板搬送機構32により暖められる
ことをより確実に防止するため、この実施の形態におい
ては、第1の基板搬送機構31は、基板の非搬送時にそ
の昇降ストロークの上端に停止し、また、第2の基板搬
送機構は、基板の非搬送時にその昇降ストロークの下端
に停止するよう構成されている。
The proximity of the first substrate transport mechanism 31 and the second substrate transport mechanism 32 ensures that the first substrate transport mechanism 31 is warmed by the second substrate transport mechanism 32. In order to prevent this, in this embodiment, the first substrate transport mechanism 31 stops at the upper end of its lifting stroke when the substrate is not transported, and the second substrate transport mechanism operates when the substrate is not transported. It is configured to stop at the lower end of the lifting stroke.

【0055】さらに、この基板処理装置においては、第
1の基板搬送機構31と第2の基板搬送機構32とを上
下方向に配置していることから、基板処理装置全体の占
有床面積を小さくすることができる。また、この基板処
理装置においては、薬液処理ユニットとしてのスピンコ
ータ51およびスピンデベロッパ52を有する薬液処理
部6と、加熱処理ユニットとしてのホットプレート61
および冷却処理ユニットとしてのクールプレート62を
有する熱処理部6とを鉛直方向に重なるように配置して
いることから、基板処理装置全体の占有床面積をさらに
小さくすることができる。
Further, in this substrate processing apparatus, since the first substrate transport mechanism 31 and the second substrate transport mechanism 32 are arranged vertically, the occupied floor area of the entire substrate processing apparatus is reduced. be able to. In this substrate processing apparatus, the chemical processing section 6 having a spin coater 51 and a spin developer 52 as a chemical processing unit, and a hot plate 61 as a heat processing unit.
Further, since the heat treatment section 6 having the cool plate 62 as the cooling processing unit is disposed so as to overlap in the vertical direction, the occupied floor area of the entire substrate processing apparatus can be further reduced.

【0056】なお、上述した実施の形態においては、ス
ピンコータ51からホットプレート61に基板を搬送す
る際に、一旦クールプレート62に基板を搬入した後、
クールプレート62からホットプレート61に基板を搬
送するようにすることにより、スピンコータ51に第2
の基板搬送機構32が進入することを防止している。ま
た、同様にスピンデベロッパ52からホットプレート6
1に基板を搬送する際にも、一旦クールプレート62に
基板を搬入した後、クールプレート62からホットプレ
ート61に基板を搬送するようにすることにより、スピ
ンデベロッパ52に第2の基板搬送機構32が進入する
ことを防止している。
In the above-described embodiment, when the substrate is transported from the spin coater 51 to the hot plate 61, the substrate is first loaded into the cool plate 62,
By transferring the substrate from the cool plate 62 to the hot plate 61, the second
Is prevented from entering. In addition, similarly, the hot plate 6
In transferring the substrate to the cool plate 62, the substrate is once transferred to the cool plate 62 and then transferred from the cool plate 62 to the hot plate 61. Is prevented from entering.

【0057】しかしながら、スピンコータ51やスピン
デベロッパ52でレジスト塗布や現像処理が終了した後
においては、ホットプレート61にアクセスする第2の
基板搬送機構32がスピンコータ51やスピンデベロッ
パ52に進入しても、処理への悪影響は小さい。このた
め、スピンコータ51からホットプレート61に第2の
基板搬送機構32によって基板を直接搬送したり、スピ
ンデベロッパ52からホットプレート61に第2の基板
搬送機構32によって基板を直接搬送するようにしても
よい。
However, after the resist coating or developing process is completed by the spin coater 51 or the spin developer 52, even if the second substrate transport mechanism 32 accessing the hot plate 61 enters the spin coater 51 or the spin developer 52, The adverse effect on processing is small. Therefore, the substrate may be directly transferred from the spin coater 51 to the hot plate 61 by the second substrate transfer mechanism 32, or the substrate may be directly transferred from the spin developer 52 to the hot plate 61 by the second substrate transfer mechanism 32. Good.

【0058】この場合においては、スピンコータ51や
スピンデベロッパ52における基板の入れ替え作業は、
第1の基板搬送機構31と第2の基板搬送機構32との
両方により行われることから、第1の基板搬送機構31
の両方の搬送アーム1a、1bを使用して基板を入れ替
えるという動作は必要なくなる。このため、第1の基板
搬送機構31においては、搬送アーム1a、1bの一方
を省略することも可能である。すなわち、このような場
合においては、第1の基板搬送機構31には少なくとも
1個の搬送アームを配設し、第2の基板搬送機構32に
は2個の搬送アームを配設することが処理効率上好まし
いことになる。
In this case, the work of exchanging substrates in the spin coater 51 or the spin developer 52 is performed as follows.
Since the process is performed by both the first substrate transport mechanism 31 and the second substrate transport mechanism 32, the first substrate transport mechanism 31
The operation of exchanging the substrates using both of the transfer arms 1a and 1b becomes unnecessary. Therefore, in the first substrate transfer mechanism 31, one of the transfer arms 1a and 1b can be omitted. That is, in such a case, at least one transfer arm is provided in the first substrate transfer mechanism 31, and two transfer arms are provided in the second substrate transfer mechanism 32. This is preferable for efficiency.

【0059】次に、この発明の他の実施の形態について
説明する。図6はこの発明の第2実施形態に係る基板処
理装置の正面図であり、図7はその平面的な配置を示す
概要図である。なお、第1実施形態に係る基板処理装置
と同様の部材については、同一の符号を付して詳細な説
明は省略する。また、第1実施形態の場合と同様、図6
においては、インデクサ部2とインタフェース部7との
図示を省略し、図7においては、鉛直方向に互いに重な
る部材の位置を表現するため、同一位置に複数の符号を
付している。
Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a front view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a schematic view showing a planar arrangement thereof. Note that the same members as those of the substrate processing apparatus according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. As in the case of the first embodiment, FIG.
In FIG. 7, the illustration of the indexer unit 2 and the interface unit 7 is omitted, and in FIG. 7, a plurality of symbols are assigned to the same position in order to represent the positions of members that overlap with each other in the vertical direction.

【0060】この第2実施形態に係る基板処理装置にお
いては、熱処理部6におけるホットプレート61を2段
(8個)とするとともに、各クールプレート62の下方
に基板を受け渡しするための待機ユニット81を配設し
ている。そして、この基板処理装置においては、第1の
基板搬送機構31は、薬液処理ユニットとしてのスピン
コータ51およびスピンデベロッパ52と、待機ユニッ
ト81とにアクセスする。また、第2の基板搬送機構3
2は、加熱処理ユニットとしてのホットプレート61
と、冷却処理ユニットとしてのクールプレート62と、
待機ユニット81とにアクセスする。
In the substrate processing apparatus according to the second embodiment, the number of hot plates 61 in the heat treatment section 6 is two (eight), and a standby unit 81 for transferring a substrate below each cool plate 62. Is arranged. Then, in this substrate processing apparatus, the first substrate transport mechanism 31 accesses the spin coater 51 and the spin developer 52 as the chemical processing unit, and the standby unit 81. Also, the second substrate transport mechanism 3
2 is a hot plate 61 as a heat treatment unit
And a cool plate 62 as a cooling processing unit;
Access the standby unit 81.

【0061】次に、上述した第2実施形態に係る基板処
理装置における基板の処理手順について説明する。図8
は、基板の処理手順を示す説明図である。
Next, a procedure for processing a substrate in the substrate processing apparatus according to the second embodiment will be described. FIG.
FIG. 4 is an explanatory view showing a processing procedure of a substrate.

【0062】なお、この図において「TR」は待機ユニ
ット81を指し、その他の符号は図5と同様の部材また
は内容を示す。
In this figure, "TR" indicates the standby unit 81, and other reference numerals indicate the same members or contents as those in FIG.

【0063】図示しない基板移載装置によりインデクサ
部2から載置台21に搬入された基板は、第2の基板搬
送機構32の搬送アーム2aによりホットプレート61
に搬送され、加熱処理の一種である脱水ベークが施され
る。脱水ベークを完了した基板は、第2の基板搬送機構
32の搬送アーム2bによりクールプレート62に搬送
され、設定温度まで冷却される。
The substrate transferred from the indexer unit 2 to the mounting table 21 by the substrate transfer device (not shown) is transferred to the hot plate 61 by the transfer arm 2a of the second substrate transfer mechanism 32.
And subjected to a dehydration bake, which is a kind of heat treatment. The substrate on which the dehydration bake has been completed is transferred to the cool plate 62 by the transfer arm 2b of the second substrate transfer mechanism 32, and cooled to the set temperature.

【0064】クールプレート62により冷却された基板
は、第2の基板搬送機構32の搬送アーム2aにより待
機ユニット81に搬送された後、第1の基板搬送機構3
1の搬送アーム1aによりスピンコータ51に搬送さ
れ、その表面にレジストが塗布される。そして、レジス
トが塗布された基板は、第1の基板搬送機構31の搬送
アーム1bにより待機ユニット81に搬送される。
The substrate cooled by the cool plate 62 is transferred to the standby unit 81 by the transfer arm 2a of the second substrate transfer mechanism 32, and then transferred to the first substrate transfer mechanism 3.
The wafer is transported to the spin coater 51 by one transport arm 1a, and the surface is coated with a resist. Then, the substrate on which the resist is applied is transported to the standby unit 81 by the transport arm 1b of the first substrate transport mechanism 31.

【0065】待機ユニット81に搬送された基板は、第
2の基板搬送機構32の搬送アーム2bによりホットプ
レート61に搬送される。ホットプレート61に搬送さ
れた基板には、加熱処理の一種であるプリベークが施さ
れる。
The substrate transferred to the standby unit 81 is transferred to the hot plate 61 by the transfer arm 2b of the second substrate transfer mechanism 32. The substrate transported to the hot plate 61 is subjected to pre-bake, which is a kind of heat treatment.

【0066】そして、プリベーク後の基板は、第2の基
板搬送機構32の搬送アーム2aによりクールプレート
62に搬送される。クールプレート62により冷却され
た基板は、第2の基板搬送機構32の搬送アーム2bに
より載置台22に搬送される。なお、クールプレート6
2から載置台22への基板の搬送は、第1の基板搬送機
構31を使用してもよい。
The prebaked substrate is transferred to the cool plate 62 by the transfer arm 2a of the second substrate transfer mechanism 32. The substrate cooled by the cool plate 62 is transferred to the mounting table 22 by the transfer arm 2b of the second substrate transfer mechanism 32. In addition, cool plate 6
The first substrate transport mechanism 31 may be used to transport the substrate from the second to the mounting table 22.

【0067】載置台22に載置された基板は、インタフ
ェース部7の基板移載装置によりステッパーに搬送さ
れ、所定のパターンの露光が行われる。露光済の基板
は、インタフェース部7の基板移載装置により、再度、
載置台22に載置される。
The substrate mounted on the mounting table 22 is conveyed to a stepper by the substrate transfer device of the interface section 7, where a predetermined pattern is exposed. The exposed substrate is again processed by the substrate transfer device of the interface unit 7.
It is mounted on the mounting table 22.

【0068】載置台22上の基板は、第2の基板搬送機
構32の搬送アーム2aによりホットプレート61に搬
送され、加熱処理の一種であるポストエクスポージャー
ベーク(PEB)が施される。ポストエクスポージャー
ベークを完了した基板は、第2の基板搬送機構32の搬
送アーム2bによりクールプレート62に搬送され、設
定温度まで冷却される。
The substrate on the mounting table 22 is transferred to the hot plate 61 by the transfer arm 2a of the second substrate transfer mechanism 32, and subjected to post-exposure bake (PEB), which is a kind of heat treatment. The substrate that has been subjected to the post-exposure bake is transferred to the cool plate 62 by the transfer arm 2b of the second substrate transfer mechanism 32, and cooled to the set temperature.

【0069】クールプレート62により冷却された基板
は、第2の基板搬送機構32の搬送アーム2aにより待
機ユニット81に搬送された後、第1の基板搬送機構3
1の搬送アーム1aによりスピンデベロッパ52に搬送
され、その表面にレジストが塗布される。そして、レジ
ストが塗布された基板は、第1の基板搬送機構31の搬
送アーム1bにより待機ユニット81に搬送される。
The substrate cooled by the cool plate 62 is transferred to the standby unit 81 by the transfer arm 2 a of the second substrate transfer mechanism 32, and then transferred to the first substrate transfer mechanism 3.
The wafer is transported to the spin developer 52 by one transport arm 1a, and the surface thereof is coated with a resist. Then, the substrate on which the resist is applied is transported to the standby unit 81 by the transport arm 1b of the first substrate transport mechanism 31.

【0070】待機ユニット81に搬送された基板は、第
1の基板搬送機構32の搬送アーム2bによりホットプ
レート61に搬送される。ホットプレート61に搬送さ
れた基板には、加熱処理の一種であるポストベークが施
される。
The substrate transported to the standby unit 81 is transported to the hot plate 61 by the transport arm 2b of the first substrate transport mechanism 32. The substrate transported to the hot plate 61 is subjected to post-bake, which is a type of heat treatment.

【0071】そして、ポストベーク後の基板は、第2の
基板搬送機構32の搬送アーム2aによりクールプレー
ト62に搬送される。クールプレート62により冷却さ
れた基板は、第2の基板搬送機構32の搬送アーム2b
により載置台21に搬送される。なお、クールプレート
62から載置台21への基板の搬送は、第1の基板搬送
機構31を使用してもよい。
The post-baked substrate is transferred to the cool plate 62 by the transfer arm 2a of the second substrate transfer mechanism 32. The substrate cooled by the cool plate 62 is transferred to the transfer arm 2b of the second substrate transfer mechanism 32.
To the mounting table 21. The transfer of the substrate from the cool plate 62 to the mounting table 21 may use the first substrate transfer mechanism 31.

【0072】載置台22に載置された基板は、インデク
サ部2の基板移載装置により基板搬送用カセット内に格
納される。
The substrate mounted on the mounting table 22 is stored in a substrate transport cassette by the substrate transfer device of the indexer unit 2.

【0073】上述した基板の処理手順から明らかなよう
に、この実施形態に係る基板処理装置においては、薬液
処理ユニットとしてのスピンコータ51およびスピンデ
ベロッパ52にアクセスする第1の基板搬送機構31
は、待機ユニット81にアクセスするが、加熱処理ユニ
ットとしてのホットプレート61は勿論、冷却処理ユニ
ットとしてのクールプレート62にもアクセスしない。
また、第2の基板搬送機構32は、加熱処理ユニットと
してのホットプレート61、冷却処理ユニットとしての
クールプレート62および待機ユニット81にアクセス
するが、薬液処理ユニットとしてのスピンコータ51お
よびスピンデベロッパ52とにはアクセスしない。
As is clear from the above-described substrate processing procedure, in the substrate processing apparatus according to this embodiment, the first substrate transport mechanism 31 that accesses the spin coater 51 and the spin developer 52 as a chemical processing unit.
Accesses the standby unit 81, but does not access the cool plate 62 as the cooling processing unit as well as the hot plate 61 as the heating processing unit.
Further, the second substrate transport mechanism 32 accesses the hot plate 61 as a heat processing unit, the cool plate 62 as a cooling processing unit, and the standby unit 81, and the spin coater 51 and the spin developer 52 as chemical liquid processing units. Does not access.

【0074】このため、スピンコータ51およびスピン
デベロッパ52にアクセスする第1の基板搬送機構31
がホットプレート61により暖められたり、スピンコー
タ51およびスピンデベロッパ52がホットプレート6
1にアクセスする第2の基板搬送機構32により暖めら
れることを防止することができ、基板を精度よく処理す
ることができる。
Therefore, the first substrate transport mechanism 31 accessing the spin coater 51 and the spin developer 52
Is heated by the hot plate 61 or the spin coater 51 and the spin developer 52 are
1 can be prevented from being heated by the second substrate transport mechanism 32, and the substrate can be processed with high precision.

【0075】また、この基板処理装置においては、第1
の基板搬送機構31と第2の基板搬送機構32とが互い
に独立して上下移動することから、従来の特開平4−2
62555号公報に記載された基板処理装置のように、
これらが近接して同時に上下移動することによる不都合
の発生を防止することができる。
In this substrate processing apparatus, the first
Since the substrate transport mechanism 31 and the second substrate transport mechanism 32 vertically move independently of each other,
As in the substrate processing apparatus described in Japanese Patent No. 62555,
It is possible to prevent the inconvenience caused by the fact that these move vertically close to each other at the same time.

【0076】なお、第1実施形態に係る基板処理装置と
同様、この実施形態においても、第1の基板搬送機構3
1と第2の基板搬送機構32とが近接することにより、
第1の基板搬送機構31が第2の基板搬送機構32によ
り暖められることをより確実に防止するため、第1の基
板搬送機構31は、基板の非搬送時にその昇降ストロー
クの上端に停止し、また、第2の基板搬送機構は、基板
の非搬送時にその昇降ストロークの下端に停止するよう
構成されている。
Incidentally, as in the substrate processing apparatus according to the first embodiment, in this embodiment, the first substrate transport mechanism 3 is also provided.
When the first and second substrate transport mechanisms 32 come close to each other,
In order to more reliably prevent the first substrate transport mechanism 31 from being warmed by the second substrate transport mechanism 32, the first substrate transport mechanism 31 stops at the upper end of its lifting stroke when the substrate is not transported, Further, the second substrate transport mechanism is configured to stop at the lower end of the vertical stroke when the substrate is not transported.

【0077】さらに、この第2実施形態に係る基板処理
装置においては、薬液処理部5と熱処理部6との間に待
機ユニット81を配設することにより、第1の基板搬送
機構31と第2の基板搬送機構32との移動領域を待機
ユニット81を境として分離することができる。このた
め、スピンコータ51およびスピンデベロッパ52に対
する熱の影響をより小さくすることが可能となる。
Further, in the substrate processing apparatus according to the second embodiment, a standby unit 81 is provided between the chemical processing section 5 and the heat treatment section 6 so that the first substrate transport mechanism 31 and the second The movement area with the substrate transport mechanism 32 can be separated by the standby unit 81 as a boundary. Therefore, the influence of heat on the spin coater 51 and the spin developer 52 can be further reduced.

【0078】また、この基板処理装置においては、第1
実施形態に係る基板処理装置と同様、第1の基板搬送機
構31と第2の基板搬送機構32とを上下方向に配置し
ていることから、基板処理装置全体の占有床面積を小さ
くすることができる。また、この基板処理装置において
も、薬液処理ユニットとしてのスピンコータ51および
スピンデベロッパ52を有する薬液処理部6と、加熱処
理ユニットとしてのホットプレート61および冷却処理
ユニットとしてのクールプレート62を有する熱処理部
6とを鉛直方向に重なるように配置していることから、
基板処理装置全体の占有床面積をさらに小さくすること
ができる。
In this substrate processing apparatus, the first
As in the substrate processing apparatus according to the embodiment, the first substrate transfer mechanism 31 and the second substrate transfer mechanism 32 are vertically arranged, so that the occupied floor area of the entire substrate processing apparatus can be reduced. it can. Also in this substrate processing apparatus, a chemical processing section 6 having a spin coater 51 and a spin developer 52 as a chemical processing unit, and a thermal processing section 6 having a hot plate 61 as a heating processing unit and a cool plate 62 as a cooling processing unit. And are arranged to overlap in the vertical direction,
The occupied floor area of the entire substrate processing apparatus can be further reduced.

【0079】次に、この発明のさらに他の実施の形態に
ついて説明する。図9はこの発明の第3実施形態に係る
基板処理装置の正面図である。なお、第1実施形態に係
る基板処理装置と同様の部材については、同一の符号を
付して詳細な説明は省略する。また、第1実施形態の場
合と同様、図9においては、インデクサ部2とインタフ
ェース部7との図示を省略する。
Next, still another embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a front view of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. Note that the same members as those of the substrate processing apparatus according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. As in the case of the first embodiment, the illustration of the indexer unit 2 and the interface unit 7 is omitted in FIG.

【0080】この第3実施形態に係る基板処理装置は、
第1実施形態に係る基板処理装置における基板搬送装置
3に換えて、下方より立設された第1の基板搬送機構9
1と上方より懸吊された第2の基板搬送機構92からな
る基板搬送装置90を使用している。
The substrate processing apparatus according to the third embodiment comprises:
A first substrate transport mechanism 9 erected from below instead of the substrate transport device 3 in the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
1 and a substrate transfer device 90 including a second substrate transfer mechanism 92 suspended from above.

【0081】第1の基板搬送機構91は、図10に示す
ように、上下一対の支持台93、94を連結する左右一
対パンタグラフリンク95を有する。そして、このパン
タグラフリンク95の一端を、モータ96およびネジ9
7の駆動で往復移動させることにより、パンタグラフリ
ンク95の屈伸動作に伴って支持台93が昇降移動する
構成となっている。
As shown in FIG. 10, the first substrate transfer mechanism 91 has a pair of left and right pantograph links 95 for connecting a pair of upper and lower supports 93 and 94. Then, one end of the pantograph link 95 is connected to the motor 96 and the screw 9.
7, the support table 93 moves up and down with the bending and extension of the pantograph link 95.

【0082】第1実施形態と同様、互いに重畳して配置
された一対の搬送アーム1a、1bを有する基台36
は、モータ99に連結する回転軸98(図9参照)を介
して支持台93に連結されている。このため、一対の搬
送アーム1a、1bは、モータ96および99の駆動で
昇降動作と回転動作とを行う。また、搬送アーム1a、
1bは、基台36に内蔵されたアーム駆動機構と各々接
続されており、互いに独立して前後方向に往復移動可能
に構成されている。
As in the first embodiment, a base 36 having a pair of transfer arms 1a and 1b arranged so as to overlap each other.
Is connected to a support 93 via a rotating shaft 98 (see FIG. 9) connected to a motor 99. For this reason, the pair of transfer arms 1a and 1b perform a lifting operation and a rotation operation by driving the motors 96 and 99. Also, the transfer arm 1a,
1b is connected to an arm drive mechanism built in the base 36, and is configured to be able to reciprocate in the front-rear direction independently of each other.

【0083】第2の基板搬送機構92は、上下方向の配
置を逆にした点以外は第1の基板搬送機構91と同様の
構成を有する。そして、第2の基板搬送機構92におけ
る搬送アーム2a、2bは、モータ96および99の駆
動で昇降動作と回転動作とを行うとともに、基台36に
内蔵されたアーム駆動機構により、互いに独立して前後
方向に往復移動する。
The second substrate transport mechanism 92 has the same configuration as the first substrate transport mechanism 91 except that the arrangement in the vertical direction is reversed. The transfer arms 2a and 2b in the second substrate transfer mechanism 92 perform an ascending / descending operation and a rotation operation by driving the motors 96 and 99, and are independent of each other by an arm driving mechanism built in the base 36. Reciprocate back and forth.

【0084】この第3実施形態に係る基板処理装置によ
れば、第1実施形態に係る基板処理装置と同様、図5に
示す処理手順に従って基板を精度よく処理することがで
きる。
According to the substrate processing apparatus of the third embodiment, similarly to the substrate processing apparatus of the first embodiment, the substrate can be processed with high precision according to the processing procedure shown in FIG.

【0085】また、この基板処理装置においても、第1
の基板搬送機構91と第2の基板搬送機構92とを上下
方向に配置していることから、基板処理装置全体の占有
床面積を小さくすることができる。さらに、この基板処
理装置においても、薬液処理ユニットとしてのスピンコ
ータ51およびスピンデベロッパ52を有する薬液処理
部6と、加熱処理ユニットとしてのホットプレート61
および冷却処理ユニットとしてのクールプレート62を
有する熱処理部6とを鉛直方向に重なるように配置して
いることから、基板処理装置全体の占有床面積をさらに
小さくすることができる。
In this substrate processing apparatus, the first
Since the substrate transfer mechanism 91 and the second substrate transfer mechanism 92 are vertically arranged, the occupied floor area of the entire substrate processing apparatus can be reduced. Further, also in this substrate processing apparatus, the chemical processing section 6 having a spin coater 51 and a spin developer 52 as a chemical processing unit, and a hot plate 61 as a heat processing unit.
Further, since the heat treatment section 6 having the cool plate 62 as the cooling processing unit is disposed so as to overlap in the vertical direction, the occupied floor area of the entire substrate processing apparatus can be further reduced.

【0086】なお、上記第3実施形態のように、第1、
第2の基板搬送機構91、92からなる基板搬送装置9
0を有する基板処理装置を使用する場合においても、前
述した第2実施形態の場合と同様、待機ユニット81を
さらに配設し、第1の基板搬送機構91がスピンコータ
51およびスピンデベロッパ52と、待機ユニット81
とにアクセスし、また、第2の基板搬送機構92がホッ
トプレート61、クールプレート62および待機ユニッ
ト81にアクセスする構成とすることにより、図8に示
す処理手順に従って基板を精度よく処理することも可能
である。
As in the third embodiment, the first,
Substrate transfer device 9 including second substrate transfer mechanisms 91 and 92
In the case of using the substrate processing apparatus having 0, the standby unit 81 is further provided as in the case of the above-described second embodiment, and the first substrate transport mechanism 91 is provided with the spin coater 51 and the spin developer 52 and the standby unit. Unit 81
In addition, the second substrate transport mechanism 92 accesses the hot plate 61, the cool plate 62, and the standby unit 81 so that the substrate can be accurately processed according to the processing procedure shown in FIG. It is possible.

【0087】上述した第1、第2、第3実施形態におい
ては、いずれも、第1、第2の基板搬送機構31、32
が互いに重畳する状態で配設された各々2個の搬送アー
ム1a、1b、2a、2bを有する場合について説明し
たが、この発明はこれに限定されるものではない。但
し、基板の搬送効率の面から見れば第1、第2の基板搬
送機構31、32が各々複数の搬送アームを有すること
が好ましい。
In the first, second and third embodiments described above, the first and second substrate transport mechanisms 31 and 32 are all provided.
Have been described in the case of having two transfer arms 1a, 1b, 2a, 2b arranged in a state of being superimposed on each other, but the present invention is not limited to this. However, from the viewpoint of substrate transfer efficiency, it is preferable that each of the first and second substrate transfer mechanisms 31, 32 has a plurality of transfer arms.

【0088】[0088]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、冷却処
理ユニットおよび薬液処理ユニットに基板を搬送可能な
第1基板搬送機構と、冷却処理ユニットおよび加熱処理
ユニットに基板を搬送可能な第2基板搬送機構と、第
1、第2基板搬送機構を互いに独立して上下方向に移動
させる移動機構とを備えていることから、薬液処理ユニ
ットにアクセスする第1の基板搬送機構が、加熱処理ユ
ニットや加熱処理ユニットにアクセスする第2の基板搬
送機構により暖められることを防止することができ、基
板に対する熱の影響を防止して基板を精度よく処理する
ことができる。このとき、第1基板搬送機構と第2基板
搬送機構とを上下方向に配置していることから、基板処
理装置全体の占有床面積を小さくすることができる。
According to the first aspect of the present invention, the first substrate transport mechanism capable of transporting the substrate to the cooling processing unit and the chemical solution processing unit, and the first substrate transport mechanism capable of transporting the substrate to the cooling processing unit and the heating processing unit. Since the two-substrate transport mechanism and the moving mechanism for vertically moving the first and second substrate transport mechanisms independently of each other are provided, the first substrate transport mechanism that accesses the chemical solution processing unit is provided with a heating process. The substrate can be prevented from being heated by the second substrate transport mechanism that accesses the unit and the heat processing unit, and the substrate can be processed with high precision by preventing the influence of heat on the substrate. At this time, since the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism are vertically arranged, the occupied floor area of the entire substrate processing apparatus can be reduced.

【0089】請求項2に記載の発明によれば、基板を受
け渡しするための待機ユニットと、待機ユニットおよび
薬液処理ユニットに基板を搬送可能な第1基板搬送機構
と、待機ユニット、冷却処理ユニットおよび加熱処理ユ
ニットに基板を搬送可能な第2基板搬送機構と、前記第
1、第2基板搬送機構を互いに独立して上下方向に移動
させる移動機構とを備えていることから、薬液処理ユニ
ットにアクセスする第1の基板搬送機構が、加熱処理ユ
ニットや加熱処理ユニットにアクセスする第2の基板搬
送機構により暖められることを防止することができ、基
板に対する熱の影響を防止して基板を精度よく処理する
ことができる。このとき、第1基板搬送機構と第2基板
搬送機構とを上下方向に配置していることから、基板処
理装置全体の占有床面積を小さくすることができる。
According to the second aspect of the present invention, the standby unit for transferring the substrate, the first substrate transport mechanism capable of transporting the substrate to the standby unit and the chemical solution processing unit, the standby unit, the cooling unit, Since the second substrate transport mechanism capable of transporting the substrate to the heat processing unit and the moving mechanism for vertically moving the first and second substrate transport mechanisms independently of each other are provided, the chemical processing unit can be accessed. The first substrate transfer mechanism to be heated can be prevented from being heated by the heat processing unit or the second substrate transfer mechanism accessing the heat processing unit, and the influence of heat on the substrate can be prevented to accurately process the substrate. can do. At this time, since the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism are vertically arranged, the occupied floor area of the entire substrate processing apparatus can be reduced.

【0090】請求項3に記載の発明によれば、熱処理部
と薬液処理部とを鉛直方向に重なるように配置している
ことから、基板処理装置全体の占有床面積をさらに小さ
くすることができる。
According to the third aspect of the present invention, since the heat treatment section and the chemical solution treatment section are arranged so as to vertically overlap each other, the occupied floor area of the entire substrate processing apparatus can be further reduced. .

【0091】請求項4に記載の発明は、鉛直方向に延び
る基板搬送装置と、基板搬送装置の外周部を取り囲むよ
うに配置された複数の加熱処理ユニットおよび冷却処理
ユニットを有し、当該加熱処理ユニットまたは冷却処理
ユニットにより基板に対して熱処理を行う熱処理部と、
熱処理部と鉛直方向に重なる位置において基板搬送装置
の外周部を取り囲むように配置された複数の薬液処理ユ
ニットを有し、当該薬液処理ユニットにより基板に対し
て薬液処理を行う薬液処理部とを備えた基板処理装置で
あって、基板搬送装置は、冷却処理ユニットおよび薬液
処理ユニットに基板を搬送可能な第1基板搬送機構と、
第1基板搬送機構の上方または下方に配設され、冷却処
理ユニットおよび加熱処理ユニットに基板を搬送可能な
第2基板搬送機構と、第1、第2基板搬送機構を互いに
独立して上下方向に移動させる移動機構とを有すること
から、薬液処理ユニットにアクセスする第1の基板搬送
機構が、加熱処理ユニットや加熱処理ユニットにアクセ
スする第2の基板搬送機構により暖められることを防止
することができ、基板に対する熱の影響を防止して基板
を精度よく処理することができる。このとき、複数の加
熱処理ユニットおよび冷却処理ユニットや薬液処理ユニ
ットは基板搬送装置を取り囲むように配置されているた
め、各処理ユニットに対して効率的に基板を搬送するこ
とができる。また、第1基板搬送機構と第2基板搬送機
構とを、また、熱処理部と薬液処理部とを、それぞれ上
下方向に配置していることから、基板処理装置全体の占
有床面積を小さくすることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer device extending in a vertical direction, and a plurality of heating processing units and cooling processing units arranged so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer device. A heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate by the unit or the cooling processing unit,
A plurality of chemical processing units disposed so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer device at a position vertically overlapping the heat treatment unit, and a chemical processing unit for performing chemical processing on the substrate by the chemical processing unit. A substrate processing apparatus, wherein the substrate transport apparatus is capable of transporting a substrate to a cooling processing unit and a chemical solution processing unit, a first substrate transport mechanism,
A second substrate transport mechanism disposed above or below the first substrate transport mechanism and capable of transporting a substrate to the cooling processing unit and the heating processing unit; and a first and second substrate transport mechanism that are vertically independent of each other. With the movement mechanism for moving, it is possible to prevent the first substrate transport mechanism accessing the chemical solution processing unit from being warmed by the heat processing unit or the second substrate transport mechanism accessing the heat processing unit. In addition, the effect of heat on the substrate can be prevented, and the substrate can be processed with high accuracy. At this time, since the plurality of heat processing units, the cooling processing units, and the chemical liquid processing units are arranged so as to surround the substrate transfer device, the substrate can be efficiently transferred to each processing unit. Further, since the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism, and the heat treatment section and the chemical processing section are respectively arranged vertically, the occupied floor area of the entire substrate processing apparatus can be reduced. Can be.

【0092】請求項5に記載の発明によれば、鉛直方向
に延びる基板搬送装置と、基板搬送装置の外周部を取り
囲むように配置された複数の加熱処理ユニットおよび冷
却処理ユニットを有し、当該加熱処理ユニットまたは冷
却処理ユニットにより基板に対して熱処理を行う熱処理
部と、熱処理部と鉛直方向に重なる位置において基板搬
送装置の外周部を取り囲むように配置された複数の薬液
処理ユニットを有し、当該薬液処理ユニットにより基板
に対して薬液処理を行う薬液処理部とを備えた基板処理
装置であって、基板を受け渡しするための待機ユニット
をさらに備え、基板搬送装置は、待機ユニットおよび薬
液処理ユニットに基板を搬送可能な第1基板搬送機構
と、第1基板搬送機構の上方または下方に配設され、待
機ユニット、冷却処理ユニットおよび加熱処理ユニット
に基板を搬送可能な第2基板搬送機構と、第1、第2基
板搬送機構を互いに独立して上下方向に移動させる移動
機構とを有することから、薬液処理ユニットにアクセス
する第1の基板搬送機構が、加熱処理ユニットや加熱処
理ユニットにアクセスする第2の基板搬送機構により暖
められることを防止することができ、基板に対する熱の
影響を防止して基板を精度よく処理することができる。
このとき、複数の加熱処理ユニットおよび冷却処理ユニ
ットや薬液処理ユニットは基板搬送装置を取り囲むよう
に配置されているため、各処理ユニットに対して効率的
に基板を搬送することができる。また、第1基板搬送機
構と第2基板搬送機構とを、また、熱処理部と薬液処理
部とを、それぞれ上下方向に配置していることから、基
板処理装置全体の占有床面積を小さくすることができ
る。
According to the fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer device extending in a vertical direction, and a plurality of heating processing units and cooling processing units arranged so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer device. A heat treatment unit that performs heat treatment on the substrate by a heat treatment unit or a cooling treatment unit, and has a plurality of chemical solution treatment units disposed so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer device at a position vertically overlapping with the heat treatment unit, A substrate processing apparatus comprising: a chemical processing section for performing a chemical processing on a substrate by the chemical processing unit; further comprising a standby unit for transferring the substrate, wherein the substrate transport apparatus includes a standby unit and a chemical processing unit. A first substrate transfer mechanism capable of transferring a substrate to the first substrate transfer mechanism, and a standby unit and a cooling unit disposed above or below the first substrate transfer mechanism. The chemical processing unit is accessed because it has a second substrate transport mechanism capable of transporting a substrate to the unit and the heat processing unit, and a moving mechanism for vertically moving the first and second substrate transport mechanisms independently of each other. The first substrate transport mechanism can be prevented from being heated by the heat processing unit or the second substrate transport mechanism accessing the heat processing unit, and the substrate can be accurately processed by preventing the influence of heat on the substrate. be able to.
At this time, since the plurality of heat processing units, the cooling processing units, and the chemical liquid processing units are arranged so as to surround the substrate transfer device, the substrate can be efficiently transferred to each processing unit. Further, since the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism, and the heat treatment section and the chemical processing section are respectively arranged vertically, the occupied floor area of the entire substrate processing apparatus can be reduced. Can be.

【0093】請求項6に記載の発明によれば、第1基板
搬送機構と第2基板搬送機構との間の基板の受け渡し
は、冷却処理ユニットを介して実行されることから、両
基板搬送機構間での基板の受け渡しに特別のスペースを
設ける必要はない。このため、基板処理装置をコンパク
トに構成することができる。
According to the sixth aspect of the present invention, the transfer of the substrate between the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism is performed via the cooling processing unit. There is no need to provide a special space for the transfer of the substrate between them. Therefore, the substrate processing apparatus can be made compact.

【0094】請求項7に記載の発明によれば、第1基板
搬送機構と第2基板搬送機構とは、回転軸を中心に回転
する共通の支持部材に支持されていることから、第1、
第2基板搬送機構を回転させるための機構を簡略化する
ことができる。
According to the seventh aspect of the present invention, since the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism are supported by the common support member which rotates about the rotation axis, the first and second substrate transport mechanisms are provided.
A mechanism for rotating the second substrate transport mechanism can be simplified.

【0095】請求項8に記載の発明によれば、熱処理部
が薬液処理部の上方に配置されると共に、第2基板搬送
機構が第1基板搬送機構の上方に配置されていることか
ら、第1、第2基板搬送機構により効率的に基板を搬送
して処理することができる。
According to the eighth aspect of the present invention, the heat treatment section is disposed above the chemical processing section, and the second substrate transport mechanism is disposed above the first substrate transport mechanism. 1. The substrate can be efficiently transported and processed by the second substrate transport mechanism.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1実施形態に係る基板処理装置の
正面図である。
FIG. 1 is a front view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1実施形態に係る基板処理装置の平面的な配
置を示す概要図である。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a planar arrangement of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.

【図3】基板搬送装置3の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of the substrate transfer device 3;

【図4】基板搬送装置3の平断面図および側面概要図で
ある。
FIG. 4 is a plan cross-sectional view and a schematic side view of the substrate transfer device 3;

【図5】基板の処理手順を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a processing procedure of a substrate.

【図6】この発明の第2実施形態に係る基板処理装置の
正面図である。
FIG. 6 is a front view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図7】第2実施形態に係る基板処理装置の平面的な配
置を示す概要図である。
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a planar arrangement of a substrate processing apparatus according to a second embodiment.

【図8】基板の処理手順を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a processing procedure of a substrate.

【図9】この発明の第3実施形態に係る基板処理装置の
正面図である。
FIG. 9 is a front view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図10】第1の基板搬送機構91の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of a first substrate transport mechanism 91.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a、1b、2a、2b 搬送アーム 3 基板搬送装置 5 薬液処理部 6 熱処理部 31、91 第1の基板搬送機構 32、92 第2の基板搬送機構 33 回転テーブル 34 回転軸 35 支持部材 39 モータ 43、44 無端ベルト 51 スピンコータ 52 スピンデベロッパ 61 ホットプレート 62 クールプレート 81 待機ユニット 95 パンタグラフリンク 96 モータ 97 ネジ 98 回転軸 99 モータ 1a, 1b, 2a, 2b Transfer arm 3 Substrate transfer device 5 Chemical processing unit 6 Heat treatment unit 31, 91 First substrate transfer mechanism 32, 92 Second substrate transfer mechanism 33 Rotary table 34 Rotary shaft 35 Support member 39 Motor 43 , 44 Endless belt 51 Spin coater 52 Spin developer 61 Hot plate 62 Cool plate 81 Standby unit 95 Pantograph link 96 Motor 97 Screw 98 Rotating shaft 99 Motor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 雅夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 讓一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 森田 彰彦 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Masao Tsuji 322 Hazukashi Furukawacho, Fushimi-ku, Kyoto Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inside the Rakusai Office (72) Inventor Yoichi Nishimura 322 Habushishi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Akihiko Morita 322 Habushishi Furukawacho Dainichi Screen Manufacturing Co., Ltd.Rakusai Office

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 加熱処理ユニットおよび冷却処理ユニッ
トを有し、当該加熱処理ユニットまたは冷却処理ユニッ
トにより基板に対して熱処理を行う熱処理部と、薬液処
理ユニットを有し、当該薬液処理ユニットにより基板に
対して薬液処理を行う薬液処理部とを備え、これらの加
熱処理ユニット、冷却処理ユニットおよび薬液処理ユニ
ットに対して順次基板を搬送することにより、当該基板
を処理する基板処理装置において、 前記冷却処理ユニットおよび薬液処理ユニットに基板を
搬送可能な第1基板搬送機構と、 前記第1基板搬送機構の上方または下方に配設され、前
記冷却処理ユニットおよび加熱処理ユニットに基板を搬
送可能な第2基板搬送機構と、 前記第1、第2基板搬送機構を互いに独立して上下方向
に移動させる移動機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
A heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate by the heat treatment unit or the cooling treatment unit; and a chemical treatment unit, wherein the substrate is treated by the chemical treatment unit. A substrate processing apparatus for processing the substrate by sequentially transporting the substrate to the heating processing unit, the cooling processing unit, and the chemical processing unit. A first substrate transport mechanism capable of transporting the substrate to the unit and the chemical processing unit; a second substrate disposed above or below the first substrate transport mechanism and capable of transporting the substrate to the cooling processing unit and the heating processing unit A transport mechanism, a moving mechanism that vertically moves the first and second substrate transport mechanisms independently of each other, The substrate processing apparatus characterized by comprising.
【請求項2】 加熱処理ユニットおよび冷却処理ユニッ
トを有し、当該加熱処理ユニットまたは冷却処理ユニッ
トにより基板に対して熱処理を行う熱処理部と、薬液処
理ユニットを有し、当該薬液処理ユニットにより基板に
対して薬液処理を行う薬液処理部とを備え、これらの加
熱処理ユニット、冷却処理ユニットおよび薬液処理ユニ
ットに対して順次基板を搬送することにより、当該基板
を処理する基板処理装置において、 基板を受け渡しするための待機ユニットと、 前記待機ユニットおよび薬液処理ユニットに基板を搬送
可能な第1基板搬送機構と、 前記第1基板搬送機構の上方または下方に配設され、前
記待機ユニット、冷却処理ユニットおよび加熱処理ユニ
ットに基板を搬送可能な第2基板搬送機構と、 前記第1、第2基板搬送機構を互いに独立して上下方向
に移動させる移動機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. A heat treatment unit having a heat treatment unit and a cooling treatment unit, a heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate by the heat treatment unit or the cooling treatment unit, and a chemical treatment unit. A substrate processing unit for processing the substrate by sequentially transporting the substrate to the heating processing unit, the cooling processing unit, and the chemical processing unit. A first substrate transport mechanism capable of transporting a substrate to the standby unit and the chemical liquid processing unit; and a standby unit, a cooling processing unit, which is disposed above or below the first substrate transport mechanism. A second substrate transport mechanism capable of transporting a substrate to a heat treatment unit; and the first and second substrate transporters The substrate processing apparatus characterized by comprising a moving mechanism for moving in the vertical direction independently of each other a.
【請求項3】 請求項1または2いずれかに記載の基板
処理装置において、 前記熱処理部と前記薬液処理部とは、鉛直方向に重なる
ように配置されている基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heat treatment section and the chemical processing section are arranged to overlap in a vertical direction.
【請求項4】 鉛直方向に延びる基板搬送装置と、前記
基板搬送装置の外周部を取り囲むように配置された複数
の加熱処理ユニットおよび冷却処理ユニットを有し、当
該加熱処理ユニットまたは冷却処理ユニットにより基板
に対して熱処理を行う熱処理部と、前記熱処理部と鉛直
方向に重なる位置において前記基板搬送装置の外周部を
取り囲むように配置された複数の薬液処理ユニットを有
し、当該薬液処理ユニットにより基板に対して薬液処理
を行う薬液処理部とを備えた基板処理装置であって、 前記基板搬送装置は、 前記冷却処理ユニットおよび薬液処理ユニットに基板を
搬送可能な第1基板搬送機構と、 前記第1基板搬送機構の上方または下方に配設され、前
記冷却処理ユニットおよび加熱処理ユニットに基板を搬
送可能な第2基板搬送機構と、 前記第1、第2基板搬送機構を互いに独立して上下方向
に移動させる移動機構と、 を有することを特徴とする基板処理装置。
4. A substrate transfer device extending in a vertical direction, and a plurality of heating processing units and cooling processing units arranged so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer device. A heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate, and a plurality of chemical treatment units arranged so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer device at a position vertically overlapping the heat treatment unit, and the substrate is processed by the chemical treatment unit. A substrate processing apparatus comprising: a chemical processing unit configured to perform a chemical processing on the substrate processing apparatus, wherein the substrate transport apparatus includes: a first substrate transport mechanism capable of transporting a substrate to the cooling processing unit and the chemical processing unit; A second substrate transporter disposed above or below one substrate transport mechanism and capable of transporting a substrate to the cooling processing unit and the heating processing unit; A substrate processing apparatus, comprising: a transport mechanism; and a moving mechanism that vertically moves the first and second substrate transport mechanisms independently of each other.
【請求項5】 鉛直方向に延びる基板搬送装置と、前記
基板搬送装置の外周部を取り囲むように配置された複数
の加熱処理ユニットおよび冷却処理ユニットを有し、当
該加熱処理ユニットまたは冷却処理ユニットにより基板
に対して熱処理を行う熱処理部と、前記熱処理部と鉛直
方向に重なる位置において前記基板搬送装置の外周部を
取り囲むように配置された複数の薬液処理ユニットを有
し、当該薬液処理ユニットにより基板に対して薬液処理
を行う薬液処理部とを備えた基板処理装置であって、 基板を受け渡しするための待機ユニットをさらに備え、 前記基板搬送装置は、 前記待機ユニットおよび薬液処理ユニットに基板を搬送
可能な第1基板搬送機構と、 前記第1基板搬送機構の上方または下方に配設され、前
記待機ユニット、冷却処理ユニットおよび加熱処理ユニ
ットに基板を搬送可能な第2基板搬送機構と、 前記第1、第2基板搬送機構を互いに独立して上下方向
に移動させる移動機構と、 を有することを特徴とする基板処理装置。
5. A semiconductor device comprising: a substrate transfer device extending in a vertical direction; and a plurality of heating processing units and cooling processing units arranged so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer device. A heat treatment unit for performing heat treatment on the substrate, and a plurality of chemical treatment units arranged so as to surround an outer peripheral portion of the substrate transfer device at a position vertically overlapping the heat treatment unit, and the substrate is processed by the chemical treatment unit. A substrate processing apparatus comprising: a chemical processing section that performs chemical processing on the substrate; and a standby unit for transferring the substrate, wherein the substrate transport apparatus transports the substrate to the standby unit and the chemical processing unit. A possible first substrate transport mechanism, disposed above or below the first substrate transport mechanism, the standby unit, A second substrate transport mechanism capable of transporting the substrate to the processing unit and the heat treatment unit; and a moving mechanism for vertically moving the first and second substrate transport mechanisms independently of each other. Processing equipment.
【請求項6】 請求項1または4いずれかに記載の基板
処理装置において、 前記第1基板搬送機構と前記第2基板搬送機構との間の
基板の受け渡しは、前記冷却処理ユニットを介して実行
される基板処理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transfer of the substrate between the first substrate transfer mechanism and the second substrate transfer mechanism is performed via the cooling processing unit. Substrate processing equipment.
【請求項7】 請求項4または5いずれかに記載の基板
処理装置において、 前記第1基板搬送機構と前記第2基板搬送機構とは、回
転軸を中心に回転する共通の支持部材に支持される基板
処理装置。
7. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the first substrate transport mechanism and the second substrate transport mechanism are supported by a common support member that rotates about a rotation axis. Substrate processing equipment.
【請求項8】 請求項3乃至7いずれかに記載の基板処
理装置において、 前記熱処理部は前記薬液処理部の上方に配置されると共
に、前記第2基板搬送機構は前記第1基板搬送機構の上
方に配置される基板処理装置。
8. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the heat treatment unit is disposed above the chemical solution processing unit, and the second substrate transfer mechanism is a part of the first substrate transfer mechanism. Substrate processing equipment arranged above.
JP7899197A 1997-03-12 1997-03-12 Substrate treatment equipment Abandoned JPH10256347A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009239085A (en) * 2008-03-27 2009-10-15 Foi:Kk Semiconductor wafer conveying device and method
JP2013009007A (en) * 2012-09-27 2013-01-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate transfer method in substrate processing apparatus

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