JPH10256330A - 半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工方法、並びにその設備及び制御方法 - Google Patents
半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工方法、並びにその設備及び制御方法Info
- Publication number
- JPH10256330A JPH10256330A JP10055377A JP5537798A JPH10256330A JP H10256330 A JPH10256330 A JP H10256330A JP 10055377 A JP10055377 A JP 10055377A JP 5537798 A JP5537798 A JP 5537798A JP H10256330 A JPH10256330 A JP H10256330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- optical analysis
- semiconductor manufacturing
- droplet
- manufacturing process
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハの表面の分析や各種の化合物又は
純水を光学的に分析するための溶液に含まれた残留物を
極少量まで検出することにより、光学的分析能力の向上
した半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工方法を提
供する。 【解決手段】 本発明による半導体製造工程中の光学的
分析用液滴加工方法は、半導体ウェーハの表面の所定膜
質に含まれた不純物を分析するために所定の膜質を所定
の溶剤で溶解した後、生成される液滴を光学的分析用サ
ンプルに加工する半導体製造工程中、光学的分析用液滴
加工方法において、前記溶解された状態の液滴を所定時
間の間、乾燥させる過程を含めて前記光学的分析用サン
プルを加工することを特徴とする。
純水を光学的に分析するための溶液に含まれた残留物を
極少量まで検出することにより、光学的分析能力の向上
した半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工方法を提
供する。 【解決手段】 本発明による半導体製造工程中の光学的
分析用液滴加工方法は、半導体ウェーハの表面の所定膜
質に含まれた不純物を分析するために所定の膜質を所定
の溶剤で溶解した後、生成される液滴を光学的分析用サ
ンプルに加工する半導体製造工程中、光学的分析用液滴
加工方法において、前記溶解された状態の液滴を所定時
間の間、乾燥させる過程を含めて前記光学的分析用サン
プルを加工することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程中
の光学的分析用液滴加工方法、並びにその設備及び制御
方法に関する。より詳しくは、本発明は、光学的分析器
を利用した分析を行うための溶液を分析前に乾燥させる
ことにより、含有された不純物の濃度を分析可能な程度
に改善させる光学的分析用液滴加工方法、並びに前記乾
燥を行うための設備及びその設備の制御方法に関する。
の光学的分析用液滴加工方法、並びにその設備及び制御
方法に関する。より詳しくは、本発明は、光学的分析器
を利用した分析を行うための溶液を分析前に乾燥させる
ことにより、含有された不純物の濃度を分析可能な程度
に改善させる光学的分析用液滴加工方法、並びに前記乾
燥を行うための設備及びその設備の制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体装置は、ウェーハをもとに
していくつかの工程を経て製造される。これらの工程で
は、所定の目的によって、多様な種類の化合物や純水が
用途ごとにそれぞれ利用される。
していくつかの工程を経て製造される。これらの工程で
は、所定の目的によって、多様な種類の化合物や純水が
用途ごとにそれぞれ利用される。
【０００３】半導体装置の収率は、各工程で使用される
化合物又は純水の純度によって左右され得る。このよう
な理由から、化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ）や純水（Ｄｅ
ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ） に対する汚染度分析が半
導体製造工程中で実施される。
化合物又は純水の純度によって左右され得る。このよう
な理由から、化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ）や純水（Ｄｅ
ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ） に対する汚染度分析が半
導体製造工程中で実施される。
【０００４】一方、多段階の工程を経るウェーハのシリ
コン酸化膜（ＳiＯ2）の損傷は、汚染により発生され得
る。損傷が発見されると、その原因を確認するためにウ
ェーハの表面分析が行われる。
コン酸化膜（ＳiＯ2）の損傷は、汚染により発生され得
る。損傷が発見されると、その原因を確認するためにウ
ェーハの表面分析が行われる。
【０００５】ウェーハの表面分析により、酸化シリコン
膜質に含まれた不純物を検出及び分析して、ウェーハ損
傷の原因を糾明する。この検出及び分析は、ウェーハ表
面の酸化シリコン膜質を溶解して液滴とし、この液滴に
含まれた残留物を分析することにより行われていた。
膜質に含まれた不純物を検出及び分析して、ウェーハ損
傷の原因を糾明する。この検出及び分析は、ウェーハ表
面の酸化シリコン膜質を溶解して液滴とし、この液滴に
含まれた残留物を分析することにより行われていた。
【０００６】具体的に従来のウェーハの表面分析は、図
１０のようにフッ化水素への酸化シリコン膜質の溶解→
液滴集め→分析の順に行われる。図１０の半導体製造工
程中の光学的分析用液滴加工方法によるウェーハ上の液
滴加工過程は、図１１（Ａ）から図１１（Ｃ）に断面図
として示される。
１０のようにフッ化水素への酸化シリコン膜質の溶解→
液滴集め→分析の順に行われる。図１０の半導体製造工
程中の光学的分析用液滴加工方法によるウェーハ上の液
滴加工過程は、図１１（Ａ）から図１１（Ｃ）に断面図
として示される。
【０００７】図１０及び図１１（Ａ）〜（Ｃ）を参照し
て説明すると、表面損傷が発生したウェーハ１０上に不
純物を含む酸化シリコン膜質１２が約５Å〜１０Å程度
の厚さで図１１（Ａ）のように形成されている。この状
態で工程Ｓ２を行いウェーハ１０上に１％フッ化水素
（ＨＦ）溶液を蒸着させると、酸化シリコン膜質１２
は、蒸着されたフッ化水素溶液に溶解し除去される。こ
の結果、図１１（Ｂ）に示すように、不純物である残留
物を含む純水である液滴１４が、ウェーハの表面に残る
ことになる。
て説明すると、表面損傷が発生したウェーハ１０上に不
純物を含む酸化シリコン膜質１２が約５Å〜１０Å程度
の厚さで図１１（Ａ）のように形成されている。この状
態で工程Ｓ２を行いウェーハ１０上に１％フッ化水素
（ＨＦ）溶液を蒸着させると、酸化シリコン膜質１２
は、蒸着されたフッ化水素溶液に溶解し除去される。こ
の結果、図１１（Ｂ）に示すように、不純物である残留
物を含む純水である液滴１４が、ウェーハの表面に残る
ことになる。
【０００８】少量の液滴１４がウェーハの全面にわたっ
て散在するので、図１１（Ｃ）に示した工程Ｓ４の液滴
集めを行うと、ウェーハ上の全面にわたって分布した各
液滴１４に含まれる残留物は一つの液滴１６となる。
て散在するので、図１１（Ｃ）に示した工程Ｓ４の液滴
集めを行うと、ウェーハ上の全面にわたって分布した各
液滴１４に含まれる残留物は一つの液滴１６となる。
【０００９】液滴１４を一つにする工程Ｓ４は、真空吸
着方式によりウェーハを凹面を有するステージ上に密着
させた後、作業者がチップを用いて又は振動をウェーハ
１０に与えて、液滴１４を凹部の中心に集めることによ
り行われる。
着方式によりウェーハを凹面を有するステージ上に密着
させた後、作業者がチップを用いて又は振動をウェーハ
１０に与えて、液滴１４を凹部の中心に集めることによ
り行われる。
【００１０】前述したように図１１（Ｃ）のように残留
物を含む一つの液滴１６が加工されると、この液滴１６
をウェーハ上に分布した不純残留物を含むサンプルとし
て、光学的な分析技法である原子吸収分光分析やＸ線反
射光分析などの方法で、サンプルを測定することにより
残留物に対する分析が行われる。分析結果により不純物
成分が検出されると、その原因を追跡して解消し、ウェ
ーハの表面の損傷が発生しないようにしていた。
物を含む一つの液滴１６が加工されると、この液滴１６
をウェーハ上に分布した不純残留物を含むサンプルとし
て、光学的な分析技法である原子吸収分光分析やＸ線反
射光分析などの方法で、サンプルを測定することにより
残留物に対する分析が行われる。分析結果により不純物
成分が検出されると、その原因を追跡して解消し、ウェ
ーハの表面の損傷が発生しないようにしていた。
【００１１】一方、前述した各種の化合物や純水に対す
る不純物残留濃度などの分析も、ウェーハ表面分析の方
法と同様に液滴状態のサンプルを原子吸収分光分析やＸ
線反射光分析などの方法で行っていた。
る不純物残留濃度などの分析も、ウェーハ表面分析の方
法と同様に液滴状態のサンプルを原子吸収分光分析やＸ
線反射光分析などの方法で行っていた。
【００１２】しかし、従来の原子の吸収分光分析又はＸ
線反射光分析は、サンプルに含まれる残留物の濃度に対
する検出限界を有しており、大体その限界は１０7〜１
０8原子/ｃｍ2 であり、その値以下に対する分析は不可
能であった。
線反射光分析は、サンプルに含まれる残留物の濃度に対
する検出限界を有しており、大体その限界は１０7〜１
０8原子/ｃｍ2 であり、その値以下に対する分析は不可
能であった。
【００１３】そのため、光学的方法を利用する分析を行
うことにおいて、前記の従来の方法で一つの液滴に加工
されたサンプルは、その体積が大きいほど相対的に残留
物の濃度が低くなって、検出限界以下の水準の極微量の
残留物は前述した原子吸収分光分析やＸ線反射光分析で
測定されにくいという問題点があった。
うことにおいて、前記の従来の方法で一つの液滴に加工
されたサンプルは、その体積が大きいほど相対的に残留
物の濃度が低くなって、検出限界以下の水準の極微量の
残留物は前述した原子吸収分光分析やＸ線反射光分析で
測定されにくいという問題点があった。
【００１４】さらに、最近半導体集積技術の発達による
２５６メガ（Ｍｅｇａ）や１ギガ（Ｇｉｇａ）バイト以
上の容量のＤＲＡＭのような高集積化された半導体装置
を製造する工程で、前述した検出水準以下の不純物が深
刻な不良を誘発する原因として作用することもある。こ
のため、半導体製造工程中の液滴についての光学的な分
析は、１０7〜１０8原子/ｃｍ2以下の水準行われること
が要求されている。
２５６メガ（Ｍｅｇａ）や１ギガ（Ｇｉｇａ）バイト以
上の容量のＤＲＡＭのような高集積化された半導体装置
を製造する工程で、前述した検出水準以下の不純物が深
刻な不良を誘発する原因として作用することもある。こ
のため、半導体製造工程中の液滴についての光学的な分
析は、１０7〜１０8原子/ｃｍ2以下の水準行われること
が要求されている。
【００１５】しかし、従来の液滴を光学的に分析する方
法としては、前記の要求を満足することができず、高集
積化される半導体装置の工程を管理して収率を向上する
には相当の苦労があった。
法としては、前記の要求を満足することができず、高集
積化される半導体装置の工程を管理して収率を向上する
には相当の苦労があった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ウェ
ーハの表面の分析や各種の化合物又は純水を光学的に分
析するための溶液に含まれる残留物を極少量まで検出す
ることで、光学的分析能力を向上させた半導体製造工程
中の光学的分析用液滴加工方法を提供することにある。
ーハの表面の分析や各種の化合物又は純水を光学的に分
析するための溶液に含まれる残留物を極少量まで検出す
ることで、光学的分析能力を向上させた半導体製造工程
中の光学的分析用液滴加工方法を提供することにある。
【００１７】本発明の他の目的は、ウェーハの表面分析
や各種化合物又は純水を光学的に分析するために、溶液
に含まれる残留物の濃度を上昇させる乾燥加工過程を行
う半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備を提供
することにある。
や各種化合物又は純水を光学的に分析するために、溶液
に含まれる残留物の濃度を上昇させる乾燥加工過程を行
う半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備を提供
することにある。
【００１８】本発明のもう一つの目的は、バッファーオ
キサイドエッチャント（Ｂｕｆｆｅｒ Ｏｘｉｄｅ Ｅ
ｔｃｈａｎｔ）の結氷に対するシミュレーションツール
（Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ Ｔｏｏｌ）が利用できるよう
な半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備を提供
することにある。
キサイドエッチャント（Ｂｕｆｆｅｒ Ｏｘｉｄｅ Ｅ
ｔｃｈａｎｔ）の結氷に対するシミュレーションツール
（Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ Ｔｏｏｌ）が利用できるよう
な半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備を提供
することにある。
【００１９】本発明の他の目的は、ウェーハの表面分析
や各種化合物又は純水を光学的に分析するため、溶液に
含まれた残留物の濃度を上昇させる強制乾燥を行う半導
体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備の制御方法を
提供することにある。
や各種化合物又は純水を光学的に分析するため、溶液に
含まれた残留物の濃度を上昇させる強制乾燥を行う半導
体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備の制御方法を
提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、半導体ウェーハの表面の所定の膜質に含
まれた不純物を分析するために、前記所定の膜質を所定
の溶剤で溶解した後、生成した液滴を光学的分析用サン
プルに加工する半導体製造工程中の光学的分析用液滴加
工方法において、前記生成した液滴を所定の時間の間乾
燥させて光学的な分析用サンプルを加工することを特徴
とする半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工方法を
提供する。
に、本発明は、半導体ウェーハの表面の所定の膜質に含
まれた不純物を分析するために、前記所定の膜質を所定
の溶剤で溶解した後、生成した液滴を光学的分析用サン
プルに加工する半導体製造工程中の光学的分析用液滴加
工方法において、前記生成した液滴を所定の時間の間乾
燥させて光学的な分析用サンプルを加工することを特徴
とする半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工方法を
提供する。
【００２１】さらに、本発明は、前記乾燥は送風を利用
する強制乾燥方式で行われることを特徴とし、特に温風
を送風することを特徴とする半導体製造工程中の光学的
分析用液滴加工方法を提供する。
する強制乾燥方式で行われることを特徴とし、特に温風
を送風することを特徴とする半導体製造工程中の光学的
分析用液滴加工方法を提供する。
【００２２】さらに、本発明は、半導体製造工程で使用
される化合物や純水のような液状の物質を、液滴に加工
して含有された不純物を分析する半導体製造工程中の光
学的分析用液滴加工方法において、前記液滴を所定の時
間の間、乾燥させて光学的分析サンプルを加工すること
を特徴とする半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工
方法を提供する。
される化合物や純水のような液状の物質を、液滴に加工
して含有された不純物を分析する半導体製造工程中の光
学的分析用液滴加工方法において、前記液滴を所定の時
間の間、乾燥させて光学的分析サンプルを加工すること
を特徴とする半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工
方法を提供する。
【００２３】さらに、前記乾燥は自然乾燥方式で行われ
ることを特徴とする半導体製造工程中の光学的分析用液
滴加工方法を提供する。
ることを特徴とする半導体製造工程中の光学的分析用液
滴加工方法を提供する。
【００２４】さらに、本発明は、前記工程室の内部でウ
ェーハをローディング及びアンローディングして、前記
ウェーハにのせられた液滴を乾燥加工するとき、前記ウ
ェーハを真空吸着するウェーハの固定手段、前記ウェー
ハ固定手段のローディング及びアンローディング位置と
真空吸着の位置の間の駆動を案内するガイド、前記ウェ
ーハ固定手段に結合され前記ガイド上で前記ウェーハ固
定手段を駆動させる駆動手段、前記ウェーハが前記ウェ
ーハ固定手段に真空吸着された状態で前記ウェーハの上
部の液滴で所定時間、前記液滴の乾燥のための窒素ガス
を送風する送風手段及び内蔵されたプログラムによって
前記駆動手段の駆動と前記送風手段の送風を制御する制
御手段を備えることを特徴とする半導体製造工程中の光
学的分析用の液滴加工設備を提供する。
ェーハをローディング及びアンローディングして、前記
ウェーハにのせられた液滴を乾燥加工するとき、前記ウ
ェーハを真空吸着するウェーハの固定手段、前記ウェー
ハ固定手段のローディング及びアンローディング位置と
真空吸着の位置の間の駆動を案内するガイド、前記ウェ
ーハ固定手段に結合され前記ガイド上で前記ウェーハ固
定手段を駆動させる駆動手段、前記ウェーハが前記ウェ
ーハ固定手段に真空吸着された状態で前記ウェーハの上
部の液滴で所定時間、前記液滴の乾燥のための窒素ガス
を送風する送風手段及び内蔵されたプログラムによって
前記駆動手段の駆動と前記送風手段の送風を制御する制
御手段を備えることを特徴とする半導体製造工程中の光
学的分析用の液滴加工設備を提供する。
【００２５】さらに、本発明は、前記駆動手段は前記ウ
ェーハ固定手段にロードが結合されたピストンシリンダ
ー及び第１窒素ガス供給原からの配管を通じた窒素ガス
供給を調節する油圧調節手段を備えて行われることを特
徴とする半導体製造工程中の光学的分析用の液滴加工設
備を提供する。
ェーハ固定手段にロードが結合されたピストンシリンダ
ー及び第１窒素ガス供給原からの配管を通じた窒素ガス
供給を調節する油圧調節手段を備えて行われることを特
徴とする半導体製造工程中の光学的分析用の液滴加工設
備を提供する。
【００２６】さらに、本発明は、前記送風手段は第２窒
素ガス供給原から供給される窒素ガスを加熱する加熱手
段及び前記加熱手段で加熱された窒素ガスをバルブの開
閉で調節して送風する第１送風調節手段を備えることを
特徴とする半導体製造工程中の光学的分析用の液滴加工
設備を提供する。
素ガス供給原から供給される窒素ガスを加熱する加熱手
段及び前記加熱手段で加熱された窒素ガスをバルブの開
閉で調節して送風する第１送風調節手段を備えることを
特徴とする半導体製造工程中の光学的分析用の液滴加工
設備を提供する。
【００２７】さらに、本発明は、第３窒素ガス供給原か
ら供給される窒素ガスを冷却させる冷却手段及び前記冷
却手段で冷却された窒素ガスをバルブの開閉で調節して
送風する第２送風調節手段をさらに備えることを特徴と
する半導体製造工程中の光学的分析用の液滴加工設備を
提供する。
ら供給される窒素ガスを冷却させる冷却手段及び前記冷
却手段で冷却された窒素ガスをバルブの開閉で調節して
送風する第２送風調節手段をさらに備えることを特徴と
する半導体製造工程中の光学的分析用の液滴加工設備を
提供する。
【００２８】さらに、本発明は、前記冷却手段は前記窒
素ガスをバッファーオキサイドエッチャント（Ｂｕｆｆ
ｅｒ Ｏｘｉｄｅ Ｅｔｃｈａｎｔ）の冷却温度で冷却さ
せるように構成され得ることを特徴とする半導体製造工
程中の光学的分析用の液滴加工設備を提供する。
素ガスをバッファーオキサイドエッチャント（Ｂｕｆｆ
ｅｒ Ｏｘｉｄｅ Ｅｔｃｈａｎｔ）の冷却温度で冷却さ
せるように構成され得ることを特徴とする半導体製造工
程中の光学的分析用の液滴加工設備を提供する。
【００２９】さらに、本発明は、光学的分析のための液
滴がのせられたウェーハを真空吸着するチャックが、ド
アが構成された工程室内に設置され、前記チャックが駆
動手段によって工程位置とウェーハローディング及びア
ンローディング位置間を往復駆動されるように構成さ
れ、前記チャックの工程位置上に温風を送風する送風手
段が構成される半導体製造工程中の光学的分析用液滴加
工設備の制御方法において、パワーが供給された後、モ
ードが自動的に設定される段階、前記モード設定によっ
て前記ドアが開いて前記チャックが前記ウェーハローデ
ィングの位置に駆動される段階、前記チャック上にウェ
ーハがローディングされると前記ドアを閉じ、前記チャ
ックを前記工程位置に駆動させた後、前記ウェーハを真
空吸着する段階、前記真空吸着されたウェーハ上に前記
送風手段を制御して液滴の乾燥のための温風を所定時間
送風させる段階、前記送風完了後真空を解除して、前記
ドアを開けた後、前記チャックをウェーハアンローディ
ング位置に駆動する段階及びウェーハアンローディング
後、前記ドアとチャックを定位置にセッティングする段
階を備えることを特徴とする半導体製造工程中の光学的
分析用液滴加工設備の制御方法を提供する。
滴がのせられたウェーハを真空吸着するチャックが、ド
アが構成された工程室内に設置され、前記チャックが駆
動手段によって工程位置とウェーハローディング及びア
ンローディング位置間を往復駆動されるように構成さ
れ、前記チャックの工程位置上に温風を送風する送風手
段が構成される半導体製造工程中の光学的分析用液滴加
工設備の制御方法において、パワーが供給された後、モ
ードが自動的に設定される段階、前記モード設定によっ
て前記ドアが開いて前記チャックが前記ウェーハローデ
ィングの位置に駆動される段階、前記チャック上にウェ
ーハがローディングされると前記ドアを閉じ、前記チャ
ックを前記工程位置に駆動させた後、前記ウェーハを真
空吸着する段階、前記真空吸着されたウェーハ上に前記
送風手段を制御して液滴の乾燥のための温風を所定時間
送風させる段階、前記送風完了後真空を解除して、前記
ドアを開けた後、前記チャックをウェーハアンローディ
ング位置に駆動する段階及びウェーハアンローディング
後、前記ドアとチャックを定位置にセッティングする段
階を備えることを特徴とする半導体製造工程中の光学的
分析用液滴加工設備の制御方法を提供する。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体製造工程中にウ
ェーハの表面損傷の分析や半導体製造工程用化合物又は
純水に含有した不純物を光学的に分析するに際して、液
滴を加工してサンプルとする。これにより、乾燥過程を
経た液滴の残留物の濃度を、光学的分析器で検出が可能
な程度に上昇させる。
ェーハの表面損傷の分析や半導体製造工程用化合物又は
純水に含有した不純物を光学的に分析するに際して、液
滴を加工してサンプルとする。これにより、乾燥過程を
経た液滴の残留物の濃度を、光学的分析器で検出が可能
な程度に上昇させる。
【００３１】まず、半導体製造工程中の光学的分析用液
滴加工方法の実施例で、ウェーハの酸化膜に含まれた不
純物を分析するための液滴を加工する方法を説明する。
滴加工方法の実施例で、ウェーハの酸化膜に含まれた不
純物を分析するための液滴を加工する方法を説明する。
【００３２】ウェーハの酸化膜に含まれた不純物を分析
するための液滴加工は図１のような順で行われ、それに
よってウェーハ上の液滴は図２（Ａ）〜（Ｄ）のような
順に加工される。
するための液滴加工は図１のような順で行われ、それに
よってウェーハ上の液滴は図２（Ａ）〜（Ｄ）のような
順に加工される。
【００３３】図１を参照すると、フッ化水素溶液でウェ
ーハ１０上の５Å〜１０Å程度の厚さを有する酸化シリ
コン膜質１２を溶解する工程Ｓ１０、酸化シリコン膜質
１２が溶解された後、ウェーハ１０全面にわたって散在
した液滴１４を一つに集める工程Ｓ１２、一つになった
液滴１６を乾燥させる工程Ｓ１４及び乾燥され所定量に
減った液滴１８をサンプルとして分析する工程Ｓ１６が
順次行われることにより、所定の好ましい濃度以上の不
純物を含有した液滴が加工され、光学的分析が行われ
る。
ーハ１０上の５Å〜１０Å程度の厚さを有する酸化シリ
コン膜質１２を溶解する工程Ｓ１０、酸化シリコン膜質
１２が溶解された後、ウェーハ１０全面にわたって散在
した液滴１４を一つに集める工程Ｓ１２、一つになった
液滴１６を乾燥させる工程Ｓ１４及び乾燥され所定量に
減った液滴１８をサンプルとして分析する工程Ｓ１６が
順次行われることにより、所定の好ましい濃度以上の不
純物を含有した液滴が加工され、光学的分析が行われ
る。
【００３４】前述したように、図２（Ａ）において一定
の厚さを有するウェーハ上に形成された酸化シリコン膜
質１２が、工程Ｓ１０で蒸着される１%のフッ化水素溶
液に、溶解し除去される。その結果、図２（Ｂ）のよう
に溶解された残留物を含む純水である液滴１４が、ウェ
ーハ１０の上に相当数、散在する。
の厚さを有するウェーハ上に形成された酸化シリコン膜
質１２が、工程Ｓ１０で蒸着される１%のフッ化水素溶
液に、溶解し除去される。その結果、図２（Ｂ）のよう
に溶解された残留物を含む純水である液滴１４が、ウェ
ーハ１０の上に相当数、散在する。
【００３５】散在する各液滴１４は工程Ｓ１２におい
て、チップを利用する方法又は振動を与える方法で図２
（Ｃ）のように一つの液滴１６になるよう集められ、集
められた液滴１６は工程Ｓ１４において所定時間乾燥さ
れる。
て、チップを利用する方法又は振動を与える方法で図２
（Ｃ）のように一つの液滴１６になるよう集められ、集
められた液滴１６は工程Ｓ１４において所定時間乾燥さ
れる。
【００３６】乾燥は、自然乾燥方式又は強制乾燥方式の
中から製作者の意図によって択一されれ、強制乾燥方式
の場合には送風又は加熱のような方法が利用され得る。
中から製作者の意図によって択一されれ、強制乾燥方式
の場合には送風又は加熱のような方法が利用され得る。
【００３７】前述した乾燥工程Ｓ１４を経ると、液滴中
の所定量の純水が蒸発し、その結果、液滴に対する不純
物の濃度が上昇する。
の所定量の純水が蒸発し、その結果、液滴に対する不純
物の濃度が上昇する。
【００３８】所定の時間、乾燥工程を経ると液滴１８は
光学的分析が可能な濃度となり、その後、分析工程Ｓ１
６において、原子吸収分光計又はＸ線反射分析器により
液滴１８に含まれた不純物が分析される。
光学的分析が可能な濃度となり、その後、分析工程Ｓ１
６において、原子吸収分光計又はＸ線反射分析器により
液滴１８に含まれた不純物が分析される。
【００３９】前述したのはウェーハの表面損傷が発生し
た場合、酸化シリコン膜質に含まれた不純物を分析する
ことで損傷の原因を糾明するためのサンプルの前処理方
法である。
た場合、酸化シリコン膜質に含まれた不純物を分析する
ことで損傷の原因を糾明するためのサンプルの前処理方
法である。
【００４０】これと同様に半導体製造工程で用いられる
フッ化水素（ＨＦ）、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、硫酸（Ｈ
2ＳＯ4）、硝酸（ＨＮＯ3）又は現像液（Ｄeveloper）な
どのような化合物に含まれた不純物の分析、又は純水に
含まれた不純物の分析にも本発明が適用され得る。
フッ化水素（ＨＦ）、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、硫酸（Ｈ
2ＳＯ4）、硝酸（ＨＮＯ3）又は現像液（Ｄeveloper）な
どのような化合物に含まれた不純物の分析、又は純水に
含まれた不純物の分析にも本発明が適用され得る。
【００４１】つまり、一定量の不純物を含有した液滴
を、所定の時間乾燥させることにより体積を減らすと、
相対的に含有された不純物の濃度は、体積が小さくなる
ことに反比例して増加する。所定の時間乾燥すると、分
析が可能な不純物濃度に液滴が加工され、その液滴を分
析用サンプルとして原子吸収分光分析方法又はＸ線反射
光分析方法を利用して不純物を分析することができる。
を、所定の時間乾燥させることにより体積を減らすと、
相対的に含有された不純物の濃度は、体積が小さくなる
ことに反比例して増加する。所定の時間乾燥すると、分
析が可能な不純物濃度に液滴が加工され、その液滴を分
析用サンプルとして原子吸収分光分析方法又はＸ線反射
光分析方法を利用して不純物を分析することができる。
【００４２】一方、前述した半導体製造工程中の光学的
分析用液滴加工方法の具現のための設備の実施例の構成
が図３に示されている。
分析用液滴加工方法の具現のための設備の実施例の構成
が図３に示されている。
【００４３】本発明による半導体製造工程中の光学的分
析用液滴加工設備の実施例は、工程室２０の下部にロー
ディング室２２を備え、工程室２０とローディング室２
２の後側に配管室２４を備える。
析用液滴加工設備の実施例は、工程室２０の下部にロー
ディング室２２を備え、工程室２０とローディング室２
２の後側に配管室２４を備える。
【００４４】工程室２０の全面にはドア２６が構成され
ていて、ドア２６には内部を見るためのビューポート
（View Port）を有するウィンドー２８が構成されてい
る。そして、工程室２０内の下部中心にチャック３０が
設置される。チャック３０上部にラッパ形断部３２を有
し、一ヶ所が曲げられ、一端の断部が配管室２４に接し
た壁にネジで固定された吐出管３４が設置されている。
吐出管３４の部分切開拡大側面図が図４に示されてい
る。
ていて、ドア２６には内部を見るためのビューポート
（View Port）を有するウィンドー２８が構成されてい
る。そして、工程室２０内の下部中心にチャック３０が
設置される。チャック３０上部にラッパ形断部３２を有
し、一ヶ所が曲げられ、一端の断部が配管室２４に接し
た壁にネジで固定された吐出管３４が設置されている。
吐出管３４の部分切開拡大側面図が図４に示されてい
る。
【００４５】チャック３０はウェーハが置かれる部分に
ウェーハに相応する面積の凹面３６が形成されており、
乾燥工程において真空力でウェーハをチャック３０に密
着させてウェーハの中心部分が曲がるようにすることで
ウェーハ上の乾燥させる液滴が中心に位置するようにす
るためのものである。
ウェーハに相応する面積の凹面３６が形成されており、
乾燥工程において真空力でウェーハをチャック３０に密
着させてウェーハの中心部分が曲がるようにすることで
ウェーハ上の乾燥させる液滴が中心に位置するようにす
るためのものである。
【００４６】そして、工程室２０の下部ローディング室
２２にはドア開閉用ピストンシリンダー３８とチャック
駆動用ピストンシリンダー４０が設置されている。
２２にはドア開閉用ピストンシリンダー３８とチャック
駆動用ピストンシリンダー４０が設置されている。
【００４７】ドア開閉用ピストンシリンダー３８のロー
ド延長部４２は、ドア結合アセンブリー４４にヒンジ結
合されていて、ドア結合アセンブリー４４はドア２６の
下部に固定されている。ドア２６はドア結合アセンブリ
ー４４を回転軸にして、ドア開閉用ピストンシリンダー
３８のロード延長部４２がローディングされることによ
り開閉されるように構成されている。
ド延長部４２は、ドア結合アセンブリー４４にヒンジ結
合されていて、ドア結合アセンブリー４４はドア２６の
下部に固定されている。ドア２６はドア結合アセンブリ
ー４４を回転軸にして、ドア開閉用ピストンシリンダー
３８のロード延長部４２がローディングされることによ
り開閉されるように構成されている。
【００４８】ドア開閉用ピストンシリンダー３８の下部
はローディング室２２の底に固定され、ドア開閉用ピス
トンシリンダー３８の断部に、駆動のための窒素ガスが
供給されるように配管４６が連結され、配管４６には窒
素ガスの出入を開閉するための油圧調節バルブ４８が設
置されている。
はローディング室２２の底に固定され、ドア開閉用ピス
トンシリンダー３８の断部に、駆動のための窒素ガスが
供給されるように配管４６が連結され、配管４６には窒
素ガスの出入を開閉するための油圧調節バルブ４８が設
置されている。
【００４９】そして、チャック駆動用ピストンシリンダ
ー４０はチャック３０の駆動をガイドするためのガイド
５０のように水平にローディング室２２の上部に固定さ
れており、ガイド５０はチャック３０を固定するチャッ
ク固定アセンブリー５２に一部挿入され、チャック固定
アセンブリー５２はチャック駆動用ピストンシリンダー
４０のロード（load）と統合され、駆動されたロードと
共にガイド５０によりガイドされて往復するように構成
されており、チャック固定アセンブリー５２の往復駆動
に連動され、チャック３０が直進駆動される。
ー４０はチャック３０の駆動をガイドするためのガイド
５０のように水平にローディング室２２の上部に固定さ
れており、ガイド５０はチャック３０を固定するチャッ
ク固定アセンブリー５２に一部挿入され、チャック固定
アセンブリー５２はチャック駆動用ピストンシリンダー
４０のロード（load）と統合され、駆動されたロードと
共にガイド５０によりガイドされて往復するように構成
されており、チャック固定アセンブリー５２の往復駆動
に連動され、チャック３０が直進駆動される。
【００５０】そして、チャック駆動用ピストンシリンダ
ー４０の断部にはロード駆動をするための窒素ガスを供
給する配管５４が連結されており、配管５４には窒素ガ
スの出入を開閉する油圧調節バルブ５６が設置されてい
る。
ー４０の断部にはロード駆動をするための窒素ガスを供
給する配管５４が連結されており、配管５４には窒素ガ
スの出入を開閉する油圧調節バルブ５６が設置されてい
る。
【００５１】そして、ローディング室２２の配管室２４
に接する壁に、配管室２４を貫通する排出管５８が設置
されており、排出管５８は排出用ポンプ（図示せず）に
連結され工程室２０とローディング２２の内部の気体を
排出する通路とする。
に接する壁に、配管室２４を貫通する排出管５８が設置
されており、排出管５８は排出用ポンプ（図示せず）に
連結され工程室２０とローディング２２の内部の気体を
排出する通路とする。
【００５２】また、工程室２０とローディング室２２は
プレート６０で区分され、プレート６０平面図は図５に
示されている。これを参照すると、プレート６０には複
数個の貫通口６２が形成されており、チャック駆動用ピ
ストンシリンダー４０の駆動に連動され往復直進運動す
るチャック固定アセンブリー５２が挿入される長い孔６
４が三つ形成されており、プレート６０は辺部のネジ６
６の結合で固定されて工程室２０とローディング室２２
とを区分する。
プレート６０で区分され、プレート６０平面図は図５に
示されている。これを参照すると、プレート６０には複
数個の貫通口６２が形成されており、チャック駆動用ピ
ストンシリンダー４０の駆動に連動され往復直進運動す
るチャック固定アセンブリー５２が挿入される長い孔６
４が三つ形成されており、プレート６０は辺部のネジ６
６の結合で固定されて工程室２０とローディング室２２
とを区分する。
【００５３】そして、配管室２４には内部にクーリング
タンク６８とヒーティングタンク７０が設置される。配
管室２４は外部から窒素ガスがそれぞれお互い異なる配
管７２、７４、７６を通じて流入されるよう構成され、
配管７４はクーリングタンク６８の窒素ガス流入部分で
連結され、配管７６はヒーティングタンク７０の窒素ガ
ス流入部分に連結される。そして、クーリングタンク６
８又はヒーティングタンク７０の冷却又は加熱された窒
素ガスが排出される部分にそれぞれ配管が構成され、こ
れらの配管はＴ型開閉バルブ７８に連結され、Ｔ型開閉
バルブ７８の他の一つの端部に連結された配管は配管７
２のようにＴ型開閉バルブ８０に連結されている。そし
て、Ｔ型開閉バルブ８０の他の一つの端部は工程室２０
内部の吐出管３４の壁に連結された端部と配管に連通さ
れるように構成されている。
タンク６８とヒーティングタンク７０が設置される。配
管室２４は外部から窒素ガスがそれぞれお互い異なる配
管７２、７４、７６を通じて流入されるよう構成され、
配管７４はクーリングタンク６８の窒素ガス流入部分で
連結され、配管７６はヒーティングタンク７０の窒素ガ
ス流入部分に連結される。そして、クーリングタンク６
８又はヒーティングタンク７０の冷却又は加熱された窒
素ガスが排出される部分にそれぞれ配管が構成され、こ
れらの配管はＴ型開閉バルブ７８に連結され、Ｔ型開閉
バルブ７８の他の一つの端部に連結された配管は配管７
２のようにＴ型開閉バルブ８０に連結されている。そし
て、Ｔ型開閉バルブ８０の他の一つの端部は工程室２０
内部の吐出管３４の壁に連結された端部と配管に連通さ
れるように構成されている。
【００５４】そして、配管室２４の上部には圧力ゲージ
８２が挿入設置されている。この圧力ゲージ８２の後面
には圧力感知用配管８４が配管室２４の内部を通じて工
程室２０内部の圧力をチェックするように、配管室２４
と工程室２０の間の壁を貫通して設置される。
８２が挿入設置されている。この圧力ゲージ８２の後面
には圧力感知用配管８４が配管室２４の内部を通じて工
程室２０内部の圧力をチェックするように、配管室２４
と工程室２０の間の壁を貫通して設置される。
【００５５】これらの中で、ヒーティングタンク７０は
図６のように内部に設置されたヒーティングブロック８
６をスプリング形で巻いた配管８８が設置されて、配管
７６を通じて流入された窒素ガスが加熱された後、排出
するように構成されている。
図６のように内部に設置されたヒーティングブロック８
６をスプリング形で巻いた配管８８が設置されて、配管
７６を通じて流入された窒素ガスが加熱された後、排出
するように構成されている。
【００５６】前述したように構成された本発明による半
導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備の実施例
は、図７のように構成されるプログラマブルロジック回
路(Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｃｉｒｃｕ
ｉｔ)によって全体的な駆動が制御される。
導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備の実施例
は、図７のように構成されるプログラマブルロジック回
路(Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｃｉｒｃｕ
ｉｔ)によって全体的な駆動が制御される。
【００５７】即ち、制御のためのプログラムはシステム
制御部９０に内蔵され、システム制御部９０は操作部９
２から図８のように設定されたボタンの操作による信号
を受けるように構成される。システム制御部９０は、操
作部９２の操作信号の引加状態によって決められた動作
制御のための制御信号を、図１に示された乾燥工程を行
うためのバルブとピストンシリンダーなどを含む乾燥機
構(Ｄｒｙ−Ｕｐ Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ)９４に伝達する
ように構成されていて、これらのシステム制御部９０、
操作部９２及び乾燥機構９４で作動のために電源を供給
する電源部９６が構成されている。そして、システム制
御部９０は外部接続可能な通信機器(図示せず)、又はホ
ストコンピュータ(図示せず)との接続のための通信ポー
トを有する。
制御部９０に内蔵され、システム制御部９０は操作部９
２から図８のように設定されたボタンの操作による信号
を受けるように構成される。システム制御部９０は、操
作部９２の操作信号の引加状態によって決められた動作
制御のための制御信号を、図１に示された乾燥工程を行
うためのバルブとピストンシリンダーなどを含む乾燥機
構(Ｄｒｙ−Ｕｐ Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ)９４に伝達する
ように構成されていて、これらのシステム制御部９０、
操作部９２及び乾燥機構９４で作動のために電源を供給
する電源部９６が構成されている。そして、システム制
御部９０は外部接続可能な通信機器(図示せず)、又はホ
ストコンピュータ(図示せず)との接続のための通信ポー
トを有する。
【００５８】そして、操作部９２は図８のようなパワー
切換スイッチ９８、モード切換スイッチ１００、非常ボ
タン１０２、システム開始ボタン１０４、システム中止
ボタン１０６、ヒーターオンボタン１０８、ヒーターオ
フボタン１１０、ドアオンボタン１１２、ドアオフボタ
ン１１４、チャックローディングボタン１１６、チャッ
クアンローディングボタン１１８、温風供給ボタン１２
０、温風遮断ボタン１２２、真空オンボタン１２４、真
空オフボタン１２６、冷風供給ボタン１２８及び冷風遮
断ボタン１３がそれぞれ備えられている。
切換スイッチ９８、モード切換スイッチ１００、非常ボ
タン１０２、システム開始ボタン１０４、システム中止
ボタン１０６、ヒーターオンボタン１０８、ヒーターオ
フボタン１１０、ドアオンボタン１１２、ドアオフボタ
ン１１４、チャックローディングボタン１１６、チャッ
クアンローディングボタン１１８、温風供給ボタン１２
０、温風遮断ボタン１２２、真空オンボタン１２４、真
空オフボタン１２６、冷風供給ボタン１２８及び冷風遮
断ボタン１３がそれぞれ備えられている。
【００５９】従って、本発明による半導体製造工程中の
光学的分析用液滴加工設備は図８のスイッチ及びボタン
操作によって駆動され、ウェーハの表面の損傷が発生し
て表面分析を行うためにウェーハ上に液滴が形成されの
せられた場合に適用して設備の作動を説明する。
光学的分析用液滴加工設備は図８のスイッチ及びボタン
操作によって駆動され、ウェーハの表面の損傷が発生し
て表面分析を行うためにウェーハ上に液滴が形成されの
せられた場合に適用して設備の作動を説明する。
【００６０】これについての具体的な作動は図９の制御
流れ図を参照して説明する。
流れ図を参照して説明する。
【００６１】本発明による光学的分析用液滴加工設備は
自動モードと手動モードとに区分して作動される。自動
モードはドア２６の開閉、チャック３０の駆動、窒素ガ
スの供給などの決められた機能が順次に自動に行われ、
手動モードは使用者のボタン操作による機能のみが行わ
れる。
自動モードと手動モードとに区分して作動される。自動
モードはドア２６の開閉、チャック３０の駆動、窒素ガ
スの供給などの決められた機能が順次に自動に行われ、
手動モードは使用者のボタン操作による機能のみが行わ
れる。
【００６２】まず、設備を駆動するために段階Ｓ２０で
パワー切換スイッチ９８を切換して電源を入れると、電
源部９６は必要部分で電源を供給して、それによって段
階Ｓ２２で乾燥機構９４に含まれたヒーティングタンク
７０のヒーティングブロック８６は予熱され、設備が初
期化される。
パワー切換スイッチ９８を切換して電源を入れると、電
源部９６は必要部分で電源を供給して、それによって段
階Ｓ２２で乾燥機構９４に含まれたヒーティングタンク
７０のヒーティングブロック８６は予熱され、設備が初
期化される。
【００６３】その後、作業者によるモード切換スイッチ
１００の操作で段階Ｓ２４でモードが設定されて段階Ｓ
２６でモードが判別される。手動モードの場合は段階Ｓ
２８を行い作業者の操作による手動動作を行う。即ち、
操作部９２に備えられたボタンを作業者が押すことによ
り該当機能が行われる。
１００の操作で段階Ｓ２４でモードが設定されて段階Ｓ
２６でモードが判別される。手動モードの場合は段階Ｓ
２８を行い作業者の操作による手動動作を行う。即ち、
操作部９２に備えられたボタンを作業者が押すことによ
り該当機能が行われる。
【００６４】一方、段階Ｓ２６で現在設定されたモード
が自動モードであれば、段階Ｓ３０において各ピストン
シリンダー３８、４０の現在の位置をチェックして、段
階Ｓ３２でドア開閉用ピストンシリンダー３８の駆動に
よりドア２６が開く。ドア２６が開くと段階Ｓ３４でチ
ャック駆動用ピストンシリンダー４０の駆動で自動にチ
ャック３０が外に駆動され、乾燥工程を行う液滴がのせ
られたウェーハが作業者によってチャック３０の上にロ
ーディングされる。
が自動モードであれば、段階Ｓ３０において各ピストン
シリンダー３８、４０の現在の位置をチェックして、段
階Ｓ３２でドア開閉用ピストンシリンダー３８の駆動に
よりドア２６が開く。ドア２６が開くと段階Ｓ３４でチ
ャック駆動用ピストンシリンダー４０の駆動で自動にチ
ャック３０が外に駆動され、乾燥工程を行う液滴がのせ
られたウェーハが作業者によってチャック３０の上にロ
ーディングされる。
【００６５】チャック３０上にウェーハがローディング
されると、段階Ｓ３６において、ドア開閉用ピストンシ
リンダー３８とチャック駆動用ピストンシリンダー４０
のそれぞれの駆動でドア２６が閉じられチャック３０が
元の位置に復帰され、その後、段階Ｓ３８でチャック３
０に真空状態が供給されて、ウェーハがチャック３０に
吸着されて中心部が曲り液滴が中心部に移動される。こ
こで、チャックに真空を供給する構成は図面の構成上省
略されたが、実施例として適用されたチャック３０は公
知の真空チャックと同一な構成を有する。また、この時
チャック３０に振動を与えると効果的に液滴が中心部に
移動され、これのための構成図製作者の意図によって容
易に構成され得る。
されると、段階Ｓ３６において、ドア開閉用ピストンシ
リンダー３８とチャック駆動用ピストンシリンダー４０
のそれぞれの駆動でドア２６が閉じられチャック３０が
元の位置に復帰され、その後、段階Ｓ３８でチャック３
０に真空状態が供給されて、ウェーハがチャック３０に
吸着されて中心部が曲り液滴が中心部に移動される。こ
こで、チャックに真空を供給する構成は図面の構成上省
略されたが、実施例として適用されたチャック３０は公
知の真空チャックと同一な構成を有する。また、この時
チャック３０に振動を与えると効果的に液滴が中心部に
移動され、これのための構成図製作者の意図によって容
易に構成され得る。
【００６６】一方、チャック３０にウェーハが吸着され
た後、段階Ｓ４０において加熱された窒素ガスが温風で
供給される。この時、Ｔ型開閉バルブ７８、８０はヒー
ティングタンク７０から供給される窒素ガスを吐出管３
４に排出するように開放された状態に制御され、それに
よって吐出管３４からチャック３０に密着されたウェー
ハ上部に加熱された窒素が供給される。
た後、段階Ｓ４０において加熱された窒素ガスが温風で
供給される。この時、Ｔ型開閉バルブ７８、８０はヒー
ティングタンク７０から供給される窒素ガスを吐出管３
４に排出するように開放された状態に制御され、それに
よって吐出管３４からチャック３０に密着されたウェー
ハ上部に加熱された窒素が供給される。
【００６７】ウェーハ上の液滴に含まれた純水は、加熱
供給される窒素ガスによって時間毎に一定量蒸発されて
体積が小さくなる。加熱された窒素ガスの供給時間はす
でにシステム制御部９０にプログラミングされ制限され
て、この時間は段階Ｓ４２と段階Ｓ４４のカウント及び
確認動作によってチェックされる。
供給される窒素ガスによって時間毎に一定量蒸発されて
体積が小さくなる。加熱された窒素ガスの供給時間はす
でにシステム制御部９０にプログラミングされ制限され
て、この時間は段階Ｓ４２と段階Ｓ４４のカウント及び
確認動作によってチェックされる。
【００６８】段階Ｓ４４で制限された時間が経過された
ものとしてチェックされると、段階Ｓ４６でチャック３
０の真空状態が解除され、段階Ｓ４８で作業完了アラー
ムが発生する。アラームは通信ポートに連結される通信
機器やホストコンピュータを通じて出力され得るし、別
途のアラーム装置を付加的に構成してアラーム作動を行
うことができる。
ものとしてチェックされると、段階Ｓ４６でチャック３
０の真空状態が解除され、段階Ｓ４８で作業完了アラー
ムが発生する。アラームは通信ポートに連結される通信
機器やホストコンピュータを通じて出力され得るし、別
途のアラーム装置を付加的に構成してアラーム作動を行
うことができる。
【００６９】そして、段階Ｓ４８のアラーム作動を行っ
た後、段階Ｓ５０においてドア２６が開き、段階Ｓ５２
でチャック３０が外の方に駆動される。作業者によっ
て、乾燥工程が完了した液滴がのせられたウェーハがア
ンローディングされ、段階Ｓ５４でドア２６が閉じられ
チャック３０が定位置にセッティングされた後、自動モ
ード作動が終了される。
た後、段階Ｓ５０においてドア２６が開き、段階Ｓ５２
でチャック３０が外の方に駆動される。作業者によっ
て、乾燥工程が完了した液滴がのせられたウェーハがア
ンローディングされ、段階Ｓ５４でドア２６が閉じられ
チャック３０が定位置にセッティングされた後、自動モ
ード作動が終了される。
【００７０】前述したように、作動によって図２（Ｃ）
の状態の液滴１６は、図２（Ｄ）の状態の光学的分析器
で検出可能な程度の不純物濃度を有する液滴１８状態に
転換される。
の状態の液滴１６は、図２（Ｄ）の状態の光学的分析器
で検出可能な程度の不純物濃度を有する液滴１８状態に
転換される。
【００７１】本発明による半導体製造工程中の光学的分
析用液滴加工設備はこれらの実施例の記載にのみ限定さ
れない。また、フッ化水素、過酸化水素、硫酸、窒酸又
は現像液のような溶液を加工して光学的分析用のサンプ
ルとし、各サンプルを光学的分析器を用いて測定するこ
とにより、液滴に含有された不純物についての分析を１
０7〜１０8原子 /ｃｍ2以下の水準を行うことができ
る。
析用液滴加工設備はこれらの実施例の記載にのみ限定さ
れない。また、フッ化水素、過酸化水素、硫酸、窒酸又
は現像液のような溶液を加工して光学的分析用のサンプ
ルとし、各サンプルを光学的分析器を用いて測定するこ
とにより、液滴に含有された不純物についての分析を１
０7〜１０8原子 /ｃｍ2以下の水準を行うことができ
る。
【００７２】それだけではなく、本発明による半導体製
造工程中の光学的分析用液滴加工設備はバッファーオキ
シサイドエッチャントの結氷状態及び結氷による乾燥に
対するシミュレーションツールとして利用され得る。
造工程中の光学的分析用液滴加工設備はバッファーオキ
シサイドエッチャントの結氷状態及び結氷による乾燥に
対するシミュレーションツールとして利用され得る。
【００７３】このためには、クーリングタンク６８を通
じて、吐出管３４で冷却された状態の窒素ガスが供給さ
れ、冷却された窒素ガスに露出されたバッファーオキサ
イドエッチャントは冷却されて、光学的分析を行うこと
ができる。勿論、駆動方法は前述した制御方法の中でボ
タン１２８、１３０を操作する手動モードで行うことが
できる。
じて、吐出管３４で冷却された状態の窒素ガスが供給さ
れ、冷却された窒素ガスに露出されたバッファーオキサ
イドエッチャントは冷却されて、光学的分析を行うこと
ができる。勿論、駆動方法は前述した制御方法の中でボ
タン１２８、１３０を操作する手動モードで行うことが
できる。
【００７４】したがって、その結果所定の時間内に、冷
却されたバッファーオキサイドエッチャントの結氷状態
は光学的分析器を通じて測定される。
却されたバッファーオキサイドエッチャントの結氷状態
は光学的分析器を通じて測定される。
【００７５】
【発明の効果】従って、本発明によるとウェーハの表面
分析や各種化合物又は純水を光学的に分析するために、
溶液に含まれた残留物を極少量まで検出することができ
るので光学的分析能力が極大化されることができる効果
がある。
分析や各種化合物又は純水を光学的に分析するために、
溶液に含まれた残留物を極少量まで検出することができ
るので光学的分析能力が極大化されることができる効果
がある。
【００７６】また、バッファーオキサイドエッチャント
の結氷状態や結氷による乾燥に対するシミュレーション
ツールが提供されることによって、それについての測定
が容易になる効果がある。
の結氷状態や結氷による乾燥に対するシミュレーション
ツールが提供されることによって、それについての測定
が容易になる効果がある。
【００７７】以上からみた本発明は記載された具体例に
対してのみ詳しく説明されたが、本発明の技術思想範囲
内で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にと
って明白なことであり、このような変形及び修正が添付
された特許請求範囲に属することは当然なことである。
対してのみ詳しく説明されたが、本発明の技術思想範囲
内で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にと
って明白なことであり、このような変形及び修正が添付
された特許請求範囲に属することは当然なことである。
【図１】本発明による半導体製造工程中の光学的分析用
液滴加工方法による実施例を示す工程図である。
液滴加工方法による実施例を示す工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ） 本発明による半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工
方法によるウェーハ上の液滴加工過程を示す断面図であ
る。
方法によるウェーハ上の液滴加工過程を示す断面図であ
る。
【図３】本発明による半導体製造工程中の光学的分析用
液滴加工設備の実施例を示す側断面図である。
液滴加工設備の実施例を示す側断面図である。
【図４】図３に図示された吐出管３４を示す部分切開拡
大側面図である。
大側面図である。
【図５】図３に図示されたプレート６０を示す平面図で
ある。
ある。
【図６】図３に図示されたヒーティングタンク７０の内
部配管構成を示す断面図である。
部配管構成を示す断面図である。
【図７】図３の実施例を駆動するためのシステムを示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図８】図７の操作部の詳細配置図である。
【図９】本発明による半導体製造工程中の光学的分析用
液滴加工設備の制御方法を示す流れ図である。
液滴加工設備の制御方法を示す流れ図である。
【図１０】従来の半導体製造工程中の光学的分析用液滴
加工方法を示す工程図である。
加工方法を示す工程図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｃ） 従来の半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工方法に
よるウェーハ上の液滴加工過程を示す断面図である。
よるウェーハ上の液滴加工過程を示す断面図である。
【符号の説明】 １０ ウェーハ １２ 酸化シリコン膜質 １４〜１８ 液滴 ２０ 工程室 ２２ ローディング室 ２４ 配管室 ２６ ドア ２８ ウィンドー ３０ チャック ３２ ラッパ形断部 ３４ 吐出管 ３６ 凹面 ３８ ドア開閉用ピストンシリンダー ４０ チャック駆動用ピストンシリンダー ４２ ロード延長部 ４４ ドア結合アセンブリー ４６、５４、７２、７４、７６、８８ 配管 ４８、５６ 油圧調節バルブ ５０ ガイド ５２ チャック固定アセンブリー ５８ 排出管 ６０ プレート ６２ 貫通口 ６４ 長い孔 ６６ ネジ ６８ クーリングタンク ７０ ヒーティングタンク ７８、８０ Ｔ型開閉バルブ ８２ 圧力ゲージ ８４ 圧力感知用配管 ８６ ヒーティングブロック ９０ システム制御部 ９２ 操作部 ９４ 乾燥機構 ９６ 電源部 ９８ パワー切換スイッチ １００ モード切換スイッチ １０２ 非常ボタン １０４ システム開始ボタン １０６ システム中止ボタン １０８ ヒーターオンボタン １１０ ヒーターオフボタン １１２ ドアオンボタン １１４ ドアオフボタン １１６ チャックローディングボタン １１８ チャックアンローディングボタン １２０ 温風供給ボタン １２２ 温風遮断ボタン １２４ 真空オンボタン １２６ 真空オフボタン １２８ 冷風供給ボタン １３０ 冷風遮断ボタン
フロントページの続き (72)発明者 李 正 根 大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里山24番 地
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの表面の所定膜質に含ま
れた不純物を分析するために所定の膜質を所定の溶剤で
溶解した後、生成される液滴を光学的分析用サンプルに
加工する半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工方法
において、前記溶解された状態の液滴を所定時間の間、
乾燥させる過程を含めて前記光学的分析用サンプルを加
工することを特徴とする半導体製造工程中の光学的分析
用液滴加工方法。 - 【請求項２】 前記乾燥は送風を利用する強制乾燥方式
で行われることを特徴とする請求項１記載の半導体製造
工程中の光学的分析用液滴加工方法。 - 【請求項３】 前記乾燥は温風の送風を利用する強制乾
燥方式で行われることを特徴とする請求項１又は２記載
の半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工方法。 - 【請求項４】 半導体製造工程において利用される化合
物や純水のような液状の物質を液滴に加工して含有不純
物を分析する半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工
方法において、 前記液滴を所定の時間の間乾燥させる過程を含めて光学
的分析サンプルを加工することを特徴とする半導体製造
工程中の光学的分析用液滴加工方法。 - 【請求項５】 前記乾燥は自然乾燥方式で行われること
を特徴とする請求項４記載の半導体製造工程中の光学的
分析用液滴加工方法。 - 【請求項６】 工程室内で光学的分析のための液滴を加
工する半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備に
おいて、 前記工程室内でウェーハをローディング及びアンローデ
ィングして、前記ウェーハにのせられた液滴を乾燥加工
するとき前記ウェーハを真空吸着するウェーハ固定手
段； 前記ウェーハ固定手段のローディング及びアンロ
ーディング位置と真空吸着の位置の間の駆動を案内する
ガイド； 前記ウェーハ固定手段に結合され前記ガイド
上で前記ウェーハ固定手段を駆動させる駆動手段； 前
記ウェーハが前記ウェーハ固定手段に真空吸着された状
態で前記ウェーハ上部の液滴で所定時間前記液滴の乾燥
のための窒素ガスを送風する送風手段； 及び、内蔵さ
れたプログラムによって前記駆動手段の駆動と前記送風
手段の送風を制御する制御手段； を備えることを特徴
とする半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備。 - 【請求項７】 前記駆動手段は； 前記ウェーハ固定手
段にロードが結合されたピストンシリンダー； 及び第
１窒素ガス供給原からの配管を通した窒素ガス供給を調
節する油圧調節手段； を備えることを特徴とする請求
項６記載の半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設
備。 - 【請求項８】 前記送風手段は；第２窒素ガス供給原か
ら供給される窒素ガスを加熱する加熱手段；及び前記加
熱手段で加熱された窒素ガスをバルブの開閉で調節して
送風する第１送風調節手段；を備えることを特徴とする
請求項６記載の前記半導体製造工程中の光学的分析用液
滴加工設備。 - 【請求項９】 第３窒素ガス供給原から供給される窒素
ガスを冷却させる冷却手段； 及び前記冷却手段で冷却
された窒素ガスをバルブの開閉で調節して送風する第２
送風調節手段； をさらに備えることを特徴とする請求
項６記載の半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設
備。 - 【請求項１０】 前記冷却手段は前記窒素ガスをバッフ
ァーオキサイドエッチャント（Ｂｕｆｆｅｒ Ｏｘｉｄ
ｅ Ｅｔｃｈａｎｔ）の冷却温度で冷却させるように構
成されることを特徴とする請求項９記載の半導体製造工
程中の光学的分析用液滴加工設備。 - 【請求項１１】 光学的分析のための液滴がのせられた
ウェーハを真空吸着するチャックが、ドアが構成された
工程室内に設置され、前記チャックが駆動手段によって
工程位置とウェーハローディング及びアンローディング
の位置の間を往復駆動されるよう構成され、前記チャッ
クの工程位置上に温風を送風する送風手段が構成される
半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備の制御方
法において、パワーが供給された後モードが自動に設定
される段階；前記モード設定によって前記ドア開き前記
チャックが前記ウェーハローディング位置に駆動される
段階；前記チャック上にウェーハがローディングされる
と前記ドアを閉じ前記チャックを前記の工程位置に駆動
させた後前記ウェーハを真空吸着する段階；前記真空吸
着されたウェーハ上に前記送風手段を制御して液滴の乾
燥のための温風を所定の時間送風させる段階；前記送風
完了後真空を解除して前記ドアを開いた後前記チャック
をウェーハアンローディング位置に駆動する段階；及
び、ウェーハアンローディング後、前記ドアとチャック
を定位置にセッティングする段階；を備えることを特徴
とする半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備の
制御方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970007775A KR100256440B1 (ko) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | 반도체 제조공정 중 광학적 분석용 액적 가공방법, 그리고 그를 위한 설비 및 그의 제어 방법 |
| KR1997-7775 | 1997-03-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256330A true JPH10256330A (ja) | 1998-09-25 |
| JP2930573B2 JP2930573B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=19499119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10055377A Expired - Lifetime JP2930573B2 (ja) | 1997-03-07 | 1998-03-06 | 半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備及び制御方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6010637A (ja) |
| JP (1) | JP2930573B2 (ja) |
| KR (1) | KR100256440B1 (ja) |
| TW (1) | TW350975B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009162609A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Shimizu Corp | 表面汚染度評価方法及び表面汚染度評価装置 |
| US8014986B2 (en) | 2009-06-02 | 2011-09-06 | Seiko Epson Corporation | Finite difference algorithm for solving lubrication equations with solute diffusion |
| US8229719B2 (en) | 2009-03-26 | 2012-07-24 | Seiko Epson Corporation | Finite element algorithm for solving a fourth order nonlinear lubrication equation for droplet evaporation |
| US8255194B2 (en) | 2009-12-02 | 2012-08-28 | Seiko Epson Corporation | Judiciously retreated finite element method for solving lubrication equation |
| US8271238B2 (en) | 2010-03-23 | 2012-09-18 | Seiko Epson Corporation | Finite difference scheme for solving droplet evaporation lubrication equations on a time-dependent varying domain |
| US8285530B2 (en) | 2009-10-15 | 2012-10-09 | Seiko Epson Corporation | Upwind algorithm for solving lubrication equations |
| US8285526B2 (en) | 2009-12-02 | 2012-10-09 | Seiko Epson Corporation | Finite difference algorithm for solving slender droplet evaporation with moving contact lines |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001002108A1 (en) | 1999-07-06 | 2001-01-11 | Semitool, Inc. | Fluid heating system for processing semiconductor materials |
| US6536450B1 (en) | 1999-07-07 | 2003-03-25 | Semitool, Inc. | Fluid heating system for processing semiconductor materials |
| US6420275B1 (en) * | 1999-08-30 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | System and method for analyzing a semiconductor surface |
| TWI263531B (en) | 2005-12-30 | 2006-10-11 | Ind Tech Res Inst | Separator |
| JP4896899B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびパーティクル付着防止方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0560537A1 (en) * | 1992-03-10 | 1993-09-15 | Mds Health Group Limited | Apparatus and method for liquid sample introduction |
| US5540821A (en) * | 1993-07-16 | 1996-07-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for adjustment of spacing between wafer and PVD target during semiconductor processing |
| JP3249316B2 (ja) * | 1993-12-20 | 2002-01-21 | 株式会社東芝 | 全反射蛍光ｘ線分析が行われる被測定体の表面処理方法 |
| US5730801A (en) * | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
-
1997
- 1997-03-07 KR KR1019970007775A patent/KR100256440B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-10-07 TW TW086114635A patent/TW350975B/zh not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-03-04 US US09/034,329 patent/US6010637A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-06 JP JP10055377A patent/JP2930573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009162609A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Shimizu Corp | 表面汚染度評価方法及び表面汚染度評価装置 |
| US8229719B2 (en) | 2009-03-26 | 2012-07-24 | Seiko Epson Corporation | Finite element algorithm for solving a fourth order nonlinear lubrication equation for droplet evaporation |
| US8014986B2 (en) | 2009-06-02 | 2011-09-06 | Seiko Epson Corporation | Finite difference algorithm for solving lubrication equations with solute diffusion |
| US8285530B2 (en) | 2009-10-15 | 2012-10-09 | Seiko Epson Corporation | Upwind algorithm for solving lubrication equations |
| US8255194B2 (en) | 2009-12-02 | 2012-08-28 | Seiko Epson Corporation | Judiciously retreated finite element method for solving lubrication equation |
| US8285526B2 (en) | 2009-12-02 | 2012-10-09 | Seiko Epson Corporation | Finite difference algorithm for solving slender droplet evaporation with moving contact lines |
| US8271238B2 (en) | 2010-03-23 | 2012-09-18 | Seiko Epson Corporation | Finite difference scheme for solving droplet evaporation lubrication equations on a time-dependent varying domain |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6010637A (en) | 2000-01-04 |
| KR100256440B1 (ko) | 2000-05-15 |
| KR19980072811A (ko) | 1998-11-05 |
| TW350975B (en) | 1999-01-21 |
| JP2930573B2 (ja) | 1999-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2930573B2 (ja) | 半導体製造工程中の光学的分析用液滴加工設備及び制御方法 | |
| TWI648803B (zh) | 晶圓表面上之離子污染物之量測設備及方法 | |
| KR100959388B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 오염물질 측정장치의 ｖｐｄ유닛과 그도어개폐장치 | |
| US6378534B1 (en) | Semiconductor wafer cleaning system | |
| US5494526A (en) | Method for cleaning semiconductor wafers using liquified gases | |
| US5908509A (en) | Semiconductor wafer cleaning system | |
| US6624393B2 (en) | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement | |
| KR102391794B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| EP0565521A1 (en) | Improved drying apparatus | |
| WO1997014178A1 (en) | Method and apparatus for chemical processing semiconductor wafers | |
| US7976637B2 (en) | Substrate processing system, substrate surface processing apparatus, substrate surface inspecting apparatus, substrate surface inspecting method, and storage medium storing program for implementing the method | |
| US20080295862A1 (en) | Method of and apparatus for cleaning substrate | |
| US6053984A (en) | Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers | |
| JP3179175B2 (ja) | 分析前処理方法 | |
| JP2009253271A (ja) | 半導体ウエーハ汚染物質測定装置のスキャニングアームと、これを利用したスキャニングユニット | |
| JP2008042005A (ja) | データ収集方法，基板処理装置，基板処理システム | |
| US20220362815A1 (en) | Wafer wet cleaning system | |
| KR102349483B1 (ko) | 스캔 시스템 | |
| US6995091B2 (en) | Process for chemically mechanically polishing wafers | |
| KR102267278B1 (ko) | 운송 인클로저 내부 오염도 측정 및 운송 인클로저에 포함된 웨이퍼의 표면오염 동시 측정 시스템. | |
| JPH10339691A (ja) | 表面不純物測定方法 | |
| JPH0875756A (ja) | ノズル洗浄装置およびそれを備えた分析機器 | |
| KR20010001150A (ko) | 패턴 형성된 반도체 웨이퍼의 자동 불순물 전처리장치 및 그전처리방법 | |
| US6861619B1 (en) | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement | |
| JPH0989734A (ja) | 気中不純物捕集装置、気中不純物測定装置、および、気中不純物捕集方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110521 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110521 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120521 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120521 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 14 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |