JPH0989734A - 気中不純物捕集装置、気中不純物測定装置、および、気中不純物捕集方法 - Google Patents

気中不純物捕集装置、気中不純物測定装置、および、気中不純物捕集方法

Info

Publication number
JPH0989734A
JPH0989734A JP24264595A JP24264595A JPH0989734A JP H0989734 A JPH0989734 A JP H0989734A JP 24264595 A JP24264595 A JP 24264595A JP 24264595 A JP24264595 A JP 24264595A JP H0989734 A JPH0989734 A JP H0989734A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pipe
stage
collecting
gas
piston
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24264595A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiro Tanaka
知浩 田中
Toshinori Nakano
俊典 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP24264595A priority Critical patent/JPH0989734A/ja
Publication of JPH0989734A publication Critical patent/JPH0989734A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 気中不純物の捕集効率を高める。 【解決手段】 ピストン32が上死点から所定位置Aま
で移動する期間に第1電磁弁35が開放され、吸気管3
3からシリンダ31内へ気体が吸入される。その後、第
1電磁弁35は閉塞し、ピストン32が下死点へいたる
までに気体は露点以下にまで断熱膨張する。ピストン3
2が下死点を通過し、上死点へと向かう際に、シリンダ
31内に生じた結露液がピストン32によって掃引され
る。ピストン32が所定位置Bから上死点へと向かう間
に、第2電磁弁36が開放され、結露液は排気管34へ
と排出される。結露液には気体中の不純物が混入してい
る。ピストン32の運動によって気体が強制的に吸引さ
れ、しかも、熱の伝達によらずに断熱膨張によって気体
全体が一気に冷却されるので、不純物の捕集の効率が高
い。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハプ
ロセスにおける雰囲気中の不純物の分析に好適な気中不
純物捕集装置および方法、並びに気中不純物測定装置に
関し、特に、捕集効率および分析作業の能率を高めるた
めの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェハプロセスでは、ウェハを取
り巻く雰囲気の中に、例えばミスト状の塩酸、フッ酸、
アンモニアなどの微量の不純物が含まれていると、この
不純物がウェハに付着することによってウェハが汚染さ
れ、その結果、ウェハに作り込まれるデバイスに悪影響
が現れることがある。
【0003】また、半導体ウェハプロセスだけでなく、
例えば化学薬品製造プロセス、腐食性ガス製造プロセス
等においても同様に、ガス中に不純物が存在すると、製
造物にこの不純物が付着し製造物の劣化が引き起こされ
る場合がある。これらの悪影響を防止するためには、ま
ず、気体中の不純物を捕集し、さらに分析することによ
って、その発生源を突き止めることが必要とされる。
【0004】図11は、この目的に使用される従来の気
中不純物捕集方法の一例を示す説明図である。この方法
は、いわゆる放置純水法として知られるもっとも単純な
方法である。すなわち、上面開放の容器101に所定量
の超純水102を蓄え、例えばクリーンルーム内におい
て、気流が容器101の開放された上面に向かうような
測定場所を選んで設置し、所定の時間放置しておく。放
置されている間に、気体中の不純物103が気流に乗っ
て超純水102の中に取り込まれるので、超純水102
の中には不純物103が徐々に蓄積される。
【0005】放置が終了した後、イオンクロマトアナラ
イザ、ICPプラズマ発光分析器、原子吸光分析器など
の分析装置に、容器101の中の超純水102を入力す
ることによって、超純水102の中の不純物103の分
析を定性的あるいは定量的に実行する。
【0006】図12は、純水バブリング法として知られ
る気中不純物捕集方法を実施するための従来装置の構成
を示す断面図である。図12において、111は容器、
112は吸気ポンプ、113は排気ポンプ、114は超
純水、115はバブラ、116は吸気管、そして、11
7は排気管である。容器111は汚染されていないこと
が必要である。
【0007】この装置を用いて気中不純物を捕集するに
は、まず、吸気ポンプ112、排気ポンプ113をとも
に起動する。そうすると、捕集すべき気体が吸気管11
6へ吸入され、バブラ115へと送出される。吸入され
た気体はバブラ115の働きによって、超純水114の
中をバブリングしつつ通過する。そして、超純水114
を抜け出た気体は、排気ポンプ113の働きによって、
排気管117を通して外部へと排出される。
【0008】バブリングの過程で、気体中に含まれる不
純物が、超純水114の中に取り込まれる。所定の時
間、装置を動作させることによって、超純水114の中
に気体中の不純物を蓄積する。その後、超純水114を
イオンクロマトアナライザなどの分析装置に入力するこ
とによって、不純物の分析を実行する。
【0009】図13は、気中不純物捕集方法を実施する
ための従来装置のさらに別の例を示す正面断面図であ
る。この装置は、冷却ミスト捕集器として知られるもの
である。図13において、11は捕集部材として機能す
る半導体ウェハ、12はステージ、13は捕集部材を吸
着するためにステージ12の上面に設けられた吸着溝、
14はステージ12の表面(上面)温度を測定する熱電
対、15はステージ12を冷却する熱電半導体素子、1
6は熱電半導体素子15と冷却用の乾空との間の熱伝達
を高めるためのフィン、17はフィン16に乾空を吹き
付けるための配管、18は吹き付けられた乾空を外部へ
排出するための排気管、19は半導体ウェハ11をステ
ージ12へと吸着させるために吸着溝13内を減圧する
減圧ポンプ、20は熱電対14および熱電半導体素子1
5を制御する制御装置、21は配管17に介挿され乾空
の圧力を調整する圧力調整弁、そして、22は容器であ
る。
【0010】ステージ12、熱電半導体素子15、およ
びフィン16は容器22に収納され、特にステージ12
は容器22の側壁に密着固定されている。さらに、配管
17および排気管18は容器22の側壁に連結されてい
る。
【0011】この装置は、配管17の一端に乾空を供給
する装置を接続して使用される。また、半導体ウェハ1
1には、切出しおよび研磨後でデバイスの形成前のもの
(いわゆる「ベアウェハ」)が使用される。そして、半
導体ウェハ11の表面は、鏡面状に研磨が施されてい
る。試料捕集材として半導体ウェハ11が使用されるの
は、鏡面仕上げが施された部材として容易に入手可能で
あるためである。半導体ウェハ11は、減圧ポンプ19
の働きでステージ12へと吸着保持されるので、減圧ポ
ンプ19を停止させることによって容易にステージ12
から取り外して、洗浄等を行うことが可能である。すな
わち、半導体ウェハ11は脱着自在である。
【0012】この装置を使用するには、まず、減圧ポン
プ19を作動させることによって、半導体ウェハ11を
ステージ12へと吸着保持する。つぎに、制御装置20
を作動させることによって、熱電半導体素子15に電力
を供給する。その結果、ステージ12が冷却されると同
時に、フィン16が加熱される。また、外部の乾空供給
装置を作動させることによって配管17に乾空を供給
し、この乾空をフィン16へ吹き付けることによって、
フィン16を冷却する。その結果、ステージ12の温度
が降下する。
【0013】ステージ12の表面の温度は熱電対14に
よってモニタされており、この温度が気中水分の露点以
下を維持するように、制御装置20によって熱電半導体
素子15の動作が制御される。このため、半導体ウェハ
11の表面において周囲の気体中の水分が結露する。こ
のとき、気体中の不純物が結露液に混じって半導体ウェ
ハ11の表面に付着する。
【0014】所定の時間にわたって装置を動作させた後
に、装置を停止させ、半導体ウェハ11をステージ12
から取り外して加熱する。そうして、半導体ウェハ11
の表面に付着した結露液の水分を蒸発させ、不純物だけ
を表面に残す。その後、分析装置にかけることによっ
て、表面上の不純物の分析が行われる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置および方法
は、以上のように構成され実施されるので、つぎのよう
な問題点を有していた。まず、図11の方法では、単純
であるという利点はあるものの、必要量の気中不純物の
捕集を完了するまでに、長時間を要するという問題点が
あった。また、図12の方法では、図11の方法よりは
捕集効率が良好であるが、なお数日間という長時間を要
するという問題点があった。また、図13の装置では、
半導体ウェハ11を加熱することによって結露液の水分
を蒸発させる工程を必要とするために、不純物の分析作
業の能率が悪いという問題点があった。
【0016】この発明は、従来の装置および方法におけ
る上記した問題点を解消するためになされたもので、気
中不純物の捕集効率の高い気中不純物捕集技術を得るこ
とを第1の目的としており、分析作業の能率を高め得る
気中不純物捕集技術および気中不純物測定技術を得るこ
とを第2の目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】第1の発明の気中不純物
捕集装置は、冷媒を流すための冷媒配管と、当該冷媒配
管に介挿される冷媒吸入ポンプと、前記冷媒配管の下方
に取り付けられ当該冷媒配管の表面に生じる結露液を自
然落下によって収集するための受け皿と、を備え、前記
受け皿の底部には、収集された結露液を排出する排出口
が設けられており、前記冷媒配管および前記受け皿のそ
れぞれの少なくとも表面が、フッ素樹脂から成ることを
特徴とする。
【0018】好ましくは、前記冷媒配管はコイル状に形
成されている。
【0019】第2の発明の装置は、平坦面に溝が設けら
れたステージと、前記ステージの平坦面に載置される捕
集部材と、前記ステージを冷却する冷却手段と、前記溝
を減圧することによって前記捕集部材を前記ステージに
吸着保持する減圧手段と、を備える気中不純物捕集装置
において、前記捕集部材が前記ステージに当接する主面
とは反対側にフィンを備えることを特徴とする。
【0020】第3の発明の装置は、第2の発明の気中不
純物捕集装置において、前記捕集部材の少なくとも外側
に露出する表面が、フッ素樹脂から成ることを特徴とす
る。
【0021】第4の発明の気中不純物捕集装置は、シリ
ンダと、当該シリンダ内に密着して摺動可能なピストン
と、前記シリンダに連通する吸気管および排気管と、こ
れらの吸気管および排気管にそれぞれ介挿される第1弁
および第2弁と、前記ピストンを前記シリンダ内で往復
運動させる駆動手段と、前記第1弁および前記第2弁を
それぞれ制御する制御手段とを備え、前記吸気管および
前記排気管は、いずれも、前記ピストンが上死点にある
ときを除いては当該ピストンによって閉塞されず、しか
も、前記シリンダ内に生じる結露液が前記排気管に収集
可能で前記吸気管には逆流しないような位置において前
記シリンダ内へ開口しており、前記制御手段は、前記ピ
ストンが上死点に達すると前記第1弁を開放するととも
に前記第2弁を閉塞し、前記ピストンが上死点から下死
点へと移動する過程で第1の所定位置に達したときに前
記第1弁を閉塞し、前記ピストンが下死点から上死点へ
と移動する過程で第2の所定位置に達したときに前記第
2弁を開放し、前記第1の所定位置は、前記吸気管から
前記シリンダ内に吸入される気体が、前記ピストンが下
死点に達するまでに、露点以下にまで断熱膨張可能な位
置に設定されていることを特徴とする。
【0022】第5の発明の装置は、気中不純物捕集装置
であって、水を貯留可能な水槽と、当該水槽内を通過す
るように設けられた吸気管と、当該吸気管に介挿される
吸気ポンプと、を備え、前記吸気管は、前記水槽内で下
方に湾曲した部分を有しており、前記気中不純物捕集装
置は、前記湾曲した部分の最下部に連通し前記水槽の外
部へと導かれる結露液回収管と、当該結露液回収管に介
挿される弁と、をさらに備えることを特徴とする。
【0023】第6の発明の気中不純物捕集装置は、水を
貯留可能で密閉された水槽と、当該水槽の上方部分に開
口する吸気管および脱気管と、これらの吸気管および脱
気管にそれぞれ介挿される吸気弁および脱気弁と、前記
吸気管および前記脱気管にそれぞれ介挿される吸気ポン
プおよび脱気ポンプと、を備えることを特徴とする。
【0024】第7の発明の気中不純物捕集装置は、冷却
ミスト捕集器と、当該冷却ミスト捕集器を保持する保持
台と、を備え、前記冷却ミスト捕集器は、平坦面に溝が
設けられたステージと、当該ステージの平坦面に載置さ
れる平板状の捕集部材と、前記ステージを冷却する冷却
手段と、前記溝を減圧することによって前記捕集部材を
前記ステージに吸着保持する減圧手段と、を備え、前記
保持台は、前記捕集部材の主面が傾斜するように前記冷
却ミスト捕集器を保持することを特徴とする。
【0025】好ましくは、前記保持台は固定台と可動台
とを備えており、前記冷却ミスト捕集器は前記可動台に
保持されており、当該可動台は前記固定台に鉛直方向に
摺動可能に支持されている。
【0026】第8の発明の装置は、平坦面に溝が設けら
れたステージと、当該ステージの平坦面に載置される平
板状の捕集部材と、前記ステージを冷却する冷却手段
と、前記溝を減圧することによって前記捕集部材を前記
ステージに吸着保持する減圧手段と、を備える気中不純
物捕集装置において、前記捕集部材の前記ステージに当
接する主面とは反対側の主面を掃引可能なワイパーと、
当該ワイパーを駆動する駆動手段と、前記捕集部材の周
囲に沿って設置され一部に排出口が設けられた溝と、を
さらに備える。
【0027】第9の発明の気中不純物測定装置は、第
1、第4、第5、第7または第8の発明の気中不純物捕
集装置と、液中に混入する不純物を分析可能な分析装置
と、前記気中不純物捕集装置と前記分析装置とを連結す
る配管と、当該配管に介挿されるポンプと、を備え、前
記配管は、前記気中不純物捕集装置で捕集された結露液
を前記分析装置へ入力するように連結されていることを
特徴とする。
【0028】第10の発明の方法は、気体中の不純物を
捕集する方法であって、超純水を密閉水槽内に貯留する
工程と、前記密閉水槽内を減圧することによって前記超
純水を脱気する脱気工程と、当該脱気工程後に前記気体
を前記超純水に吹き付ける工程と、を備える。
【0029】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1>図1は、実施の形態1の気中不純物捕
集装置の構成を示す正面断面図である。図1において、
1はコイル状に形成されたフッ素樹脂製の冷媒配管、2
は冷媒吸入ポンプ、3はフッ素樹脂製の受け皿、4はフ
ッ素樹脂製の捕集容器、5は冷却媒体(冷媒)、そし
て、6は気体中の不純物である。受け皿3の底部には、
排出口7が設けられている。また、この装置を使用する
際には、外部の冷媒供給装置が冷媒配管1に接続され
る。
【0030】この装置はつぎのように動作する。まず、
冷媒吸入ポンプ2を起動することによって、冷媒配管1
の中に冷媒を流す。その結果、冷媒配管1が冷却される
ので、冷媒配管1の表面には、装置の周囲の気体中の水
分が結露して得られる結露液が付着する。この結露液に
は気中の不純物が混入している。結露液は冷媒配管1の
表面からさらに受け皿3へと自然落下し、排出口7を通
過して最終的に捕集容器4へと収集される。収集された
結露液をイオンクロマトアナライザなどの分析装置へ入
力することによって、気中不純物の分析が行われる。
【0031】この装置は、以上のように構成され動作す
るので、従来の放置純水法(図11)、あるいは、純水
バブリング法(図12)に比べて捕集の効率が高いとい
う利点がある。しかも、結露液は捕集容器4へと収集さ
れるので、図13の従来装置のように加熱工程を必要と
しない。すなわち、分析作業の能率が良好であるという
利点がある。
【0032】また、装置の各部材がフッ素樹脂で構成さ
れるので、これらの部材が汚染され難いために、洗浄に
要する手間を軽減することができるという利点がある。
なお、装置の各部材の外側に露出する表面のみをフッ素
樹脂で構成しても同様の利点を得ることができる。
【0033】<実施の形態2>図2は、実施の形態2の
気中不純物捕集装置の外観斜視図である。また、図3
は、この装置の正面断面図である。これらの図におい
て、図13に示した従来装置と同一部分には同一符号を
付して、その詳細な説明を略する。この装置では、ステ
ージ12の上に、フッ素樹脂製の捕集部材23が吸着保
持される。ステージ12への吸着が良好なように捕集部
材23の底面は平坦であり、他方の上面には捕集効率を
高めるためのフィンが配列している。
【0034】以上のように、この装置では、捕集部材2
3の上面にフィンが設けられているので、短時間で多量
の結露液が捕集部材23に付着する。すなわち、図13
に示した従来装置に比べて、捕集効率が高いという利点
がある。
【0035】また、多量の結露液が短時間で得られるの
で、加熱工程によって結露液の水分を蒸発させる必要が
ない。すなわち、捕集部材23をステージ12から外し
た後に傾斜させるなどの方法によって、捕集部材23に
付着した結露液を別途準備された捕集容器に収集し、イ
オンクロマトアナライザなどの分析装置に直接入力する
ことで分析を実行することができる。すなわち、分析作
業の能率が高いという利点がある。
【0036】捕集部材23がフッ素樹脂で構成されるの
で、結露液は捕集部材23の表面から捕集容器へと円滑
に移動する。また、捕集部材23が汚染され難いので、
洗浄に要する手間を軽減することができるという利点が
ある。なお、捕集部材23の外側に露出する表面のみを
フッ素樹脂で構成しても同様の利点を得ることができ
る。
【0037】<実施の形態3>図4は、実施の形態3の
気中不純物捕集装置の構成を示す断面図である。図4に
おいて、31はシリンダ、32はシリンダ31の内壁に
密着して摺動するピストン、33はシリンダ31に連通
する吸気管、34は同じくシリンダ31に連通する排気
管、35は吸気管33を開閉する第1電磁弁、36は排
気管34を開閉する第2電磁弁、37は排気管34の端
部に設置された捕集容器、42はクランク、38はクラ
ンク42の回転をピストン32の往復運動へ転換する連
接棒、39はクランク42を回転駆動するステッピング
モータ、40はコンピュータを内蔵し電磁弁35、36
およびステッピングモータ39の動作を制御する制御装
置、そして、41は制御装置40と電磁弁35,36お
よびステッピングモータ39とを接続する配線である。
【0038】吸気管33および排気管34は、いずれも
シリンダ31の頭部(ピストン32の頭部に対向する壁
面)ないしその近傍に開口しており、しかも、シリンダ
31は水平に設置され、吸気管33はシリンダ31の頭
部の上方部分(鉛直方向に沿った上方部分)に開口し、
排気管34はシリンダ31の側壁の下方部分(鉛直方向
に沿った下方部分)に開口している。すなわち、吸気管
33および排気管34はいずれも、少なくともピストン
32が上死点にあるとき以外は、ピストン32によって
閉塞されず、しかも、シリンダ内に生じる結露液が、排
気管34に収集可能で、吸気管33には逆流しないよう
に構成されている。
【0039】この装置はつぎのように動作する。ステッ
ピングモータ39が制御装置40の指示にもとづいて回
転し、それにともなってクランク42および連接棒38
の働きによってピストン32がシリンダ31の中で往復
運動する。ステッピングモータ39が制御装置40の指
示で動作するために、制御装置40はピストン32の位
置を常時把握可能である。
【0040】ピストン32が上死点に達すると、制御装
置40は第1電磁弁35を開放し第2電磁弁36を閉塞
する。ピストン32が上死点からある程度離れた所定位
置Aに達すると、制御装置40は第1電磁弁35を閉塞
する。すなわち、ピストン32が上死点から所定位置A
の間を移動する期間に、吸気管33を通じて気体がシリ
ンダ31の内部に吸入される。そして、ピストン32が
所定位置Aに達した後、下死点へ達するまでの期間で
は、シリンダ31の内部は断熱膨張し、吸入された気体
の圧力および温度は低下してゆく。この過程のなかで、
気体の結露が引き起こされる。
【0041】ピストン32は下死点を経過した後は、シ
リンダ31の内部に生じた結露液を集めつつ、上死点へ
と向かう。そして、上死点からある程度離れた所定位置
Bに達すると、制御装置40は第2電磁弁36を開放す
る。その結果、気体とともに結露液がシリンダ31の内
部から排気管34へと排出される。そして、排出された
結露液は捕集容器37へと収集される。ピストン32の
往復動作に同期して、以上の動作が反復される。
【0042】この装置は、以上のように気体を強制的に
吸引し、しかも、熱の伝達によらずに断熱膨張によって
気体の全体が一気に冷却されることで結露が引き起こさ
れるので、従来の放置純水法(図11)、純水バブリン
グ法(図12)のみでなく、従来の冷却ミスト捕集器
(図13)に比べても捕集の効率が高いという利点があ
る。しかも、結露液は、捕集容器37へと収集されるの
で、図13の従来装置のように加熱工程を必要としな
い。すなわち、分析作業の能率が良好であるという利点
がある。
【0043】なお、クランク42を駆動する手段として
ステッピングモータ39を用いる例を示したが、ステッ
ピングモータ39に代わって通常のモータを使用し、ピ
ストンの位置を検出する位置センサを別途設置して、制
御装置40がこの位置センサの出力に応答して電磁弁3
5,36を制御するように構成してもよい。
【0044】<実施の形態4>図5は、実施の形態4の
気中不純物捕集装置の構成を示す正面断面図である。図
5において、50は気体を吸入するための吸気管、51
は吸気ポンプ、52は氷水、53は氷水を貯留する水
槽、54は結露液回収管、55はバルブコック、そし
て、56は捕集容器である。吸気管50は水槽53の内
側において、U字型に湾曲しており、しかも、結露液回
収管54は吸気管50の最下部に連結されている。
【0045】この装置はつぎのように動作する。吸気ポ
ンプ51を起動させると、吸気管50には気体が吸入さ
れる。吸入された気体は、氷水52によって露点まで冷
却され、吸気管50の内部で結露する。そして、結露液
は吸気管50の内壁を伝ってその底部へと移動する。結
露液回収管54は吸気管50の底部に連結されているの
で、底部へ移動した結露液はさらに結露液回収管54へ
と移動する。
【0046】バルブコック55は、あらかじめ閉塞され
ている。このため、結露液は結露液回収管54の内部に
蓄積される。そして、結露液が適度な量に溜まったら、
バルブコック55を開放することによって、蓄積された
結露液を捕集容器56へと収集する。収集された結露液
は、イオンクロマトアナライザなどの分析装置に入力さ
れて、気体中の不純物の分析が行われる。
【0047】この装置は、以上のように気体を強制的に
吸引し、冷却によって結露を促すので、従来の放置純水
法(図11)、純水バブリング法(図12)のみでな
く、従来の冷却ミスト捕集器(図13)に比べても捕集
の効率が高いという利点がある。しかも、結露液は、捕
集容器56へと収集されるので、図13の従来装置のよ
うに加熱工程を必要としない。すなわち、分析作業の能
率が良好であるという利点がある。
【0048】また、冷却は氷水という手軽に入手可能な
材料を用いて行われ、超純水などの高価な材料を必要と
しない。加えて、装置の構成が単純であり、容易に組立
可能であるという利点がある。
【0049】<実施の形態5>図6は、実施の形態5の
気中不純物捕集装置の構成を示す正面断面図である。図
6において、62は超純水、61は超純水62を貯留可
能な水槽、63は脱気管、64は吸気管、65は脱気ポ
ンプ、66は吸気ポンプ、67は脱気弁、そして、68
は吸気弁である。水槽61に連通する吸気管64および
脱気管63は、水槽61の上方部分において開口してい
る。
【0050】この装置はつぎのように動作する。まず、
水槽61の中に所定量の超純水62を入れておく。超純
水62の量は、水面が脱気管63および吸気管64の開
口部よりも下方に位置するように調節される。そうし
て、吸気弁68を閉塞したままで、脱気ポンプ65を起
動させ脱気弁67を開放することによって、水槽61の
内部を減圧する。そうすることによって、超純水62を
脱気する。すなわち、超純水62の中にはじめに溶け込
んでいる気体を除去する。
【0051】脱気が完了すると、吸気弁68を開放し、
吸気ポンプ66を起動することによって、気体を吸気管
64へと吸入する。吸入された気体は、吸気管64の開
口端から超純水62の水面へ向かって吹き付けられる。
超純水62は、脱気されているために、脱気された分量
の気体を容易に吸収する。気体を吸収した超純水62
は、イオンクロマトアナライザなどの分析装置に入力さ
れ、気体中の不純物の分析が行われる。
【0052】この装置では、以上のように気体を吸収す
べき超純水をあらかじめ脱気するので、相当量の気体の
吸収が円滑に進行する。すなわち、従来の放置純水法
(図11)、純水バブリング法(図12)に比べて、捕
集効率が高く、しかも、捕集に要する時間が短縮される
という利点がある。
【0053】<実施の形態6>図7は、実施の形態6の
気中不純物捕集装置の構成を示す正面図である。図7に
おいて、70は図13に示した従来の冷却ミスト捕集
器、71は冷却ミスト捕集器70を保持する保持台、そ
して、74は捕集容器である。また、保持台71は、固
定台73と可動台72とを備えており、可動台72は鉛
直方向にスライド可能に固定台73に支持されている。
そして、冷却ミスト捕集器70は、その上面に設けられ
た半導体ウェハ11が傾斜するように可動台72に固定
されている。また、捕集容器74は、傾斜する半導体ウ
ェハ11の下端の下方に位置するように設置される。
【0054】この装置はつぎのように動作する。冷却ミ
スト捕集器70を動作させると、半導体ウェハ11の表
面には、周囲の気体中の水分が結露する。そして、気体
中の不純物が、結露液に混じって半導体ウェハ11の表
面に付着する。半導体ウェハ11が傾斜しているため
に、不純物が混入する結露液は、半導体ウェハ11の表
面を伝わって、その下端から捕集容器74へと自然落下
する。このようにして、半導体ウェハ11の表面の結露
液は、捕集容器74へと蓄積される。捕集容器74に収
集された結露液は、イオンクロマトアナライザなどの分
析装置へ入力され、気体中の不純物の分析が行われる。
【0055】この装置では、以上のように、半導体ウェ
ハ11の表面に生じた結露液が捕集容器74へと収集さ
れるので、図13の従来装置のように加熱工程を必要と
しない。すなわち、分析作業の能率が良好であるという
利点がある。また、可動台72が鉛直方向にスライド可
能であるために、捕集容器74のサイズ等に合わせて、
冷却ミスト捕集器70の高さを自在に調節することが可
能である。
【0056】<実施の形態7>図8は、実施の形態7の
気中不純物捕集装置の構成を示す外観斜視図である。こ
の装置は、図13の従来の冷却ミスト捕集器70と付属
の部材とによって構成されている。すなわち、冷却ミス
ト捕集器70の容器22の外側壁にワイパー駆動モータ
81が取り付けられている。このワイパー駆動モータ8
1は、半導体ウェハ11の表面を拭うワイパー82に連
結し、ワイパー82を反復的に回動させる。
【0057】また、容器22の外側壁の上端部には、半
導体ウェハ11の外周に沿うように溝83が取り付けら
れている。そして、溝83の一部には排出口として機能
する切り込み84が設けられている。装置を使用する際
には、捕集容器85が切り込み84の直下に設置され
る。
【0058】この装置はつぎのように動作する。冷却ミ
スト捕集器70を動作させると、半導体ウェハ11の表
面には、周囲の気体中の水分が結露する。そして、気体
中の不純物が、結露液に混じって半導体ウェハ11の表
面に付着する。付着する結露液がある程度の量まで達す
ると、ワイパー駆動モータ81を起動してワイパー82
を回動させる。
【0059】その結果、半導体ウェハ11の表面に付着
した結露液はワイパー82の作用で溝83へと掃き出さ
れる。そして、掃き出された結露液は溝83を伝わっ
て、切り込み84から捕集容器85へと自然落下する。
このようにして、半導体ウェハ11の表面の結露液は、
捕集容器85へと蓄積される。捕集容器85に収集され
た結露液は、イオンクロマトアナライザなどの分析装置
へ入力され、気体中の不純物の分析が行われる。
【0060】この装置では、以上のように、半導体ウェ
ハ11の表面に生じた結露液が捕集容器85へと収集さ
れるので、図13の従来装置のように加熱工程を必要と
しない。すなわち、分析作業の能率が良好であるという
利点がある。
【0061】<実施の形態8>図9は、実施の形態8の
気中不純物測定装置の構成を示す図である。この装置
は、実施の形態6の気中不純物捕集装置91(図7)と
イオンクロマトアナライザ93とを配管92で連結する
ことによって構成されている。すなわち、気中不純物捕
集装置91に備わる捕集容器74の底部には、配管92
の一端が連結されており、配管92の他端はイオンクロ
マトアナライザ93の入力に連結されている。そして、
配管92には電動ポンプ94が介挿されている。
【0062】この装置はつぎのように動作する。気中不
純物捕集装置91を動作させると、捕集容器74に結露
液が収集される。捕集容器74にある程度の量の結露液
が蓄積されると、イオンクロマトアナライザ93と電動
ポンプ94とを起動する。すると、捕集容器74に蓄積
された結露液が、配管92を伝わってイオンクロマトア
ナライザ93へと入力される。そうして、結露液に混入
した気体中の不純物の分析が行われる。
【0063】この装置では、以上のように、気中不純物
捕集装置91によって捕集された結露液が、自動的にイ
オンクロマトアナライザ93へと送出される。このた
め、分析に要する時間および手間が短縮され、分析が能
率よく行われ得る。
【0064】<実施の形態9>図10は、実施の形態9
の気中不純物測定装置の構成を示す図である。この装置
は、実施の形態4の気中不純物捕集装置96(図5)と
イオンクロマトアナライザ93とを配管92で連結する
ことによって構成されている。すなわち、気中不純物捕
集装置96に備わる結露液回収管54には、配管92の
一端が連結されており、配管92の他端はイオンクロマ
トアナライザ93の入力に連結されている。そして、配
管92には電動ポンプ94が介挿されている。
【0065】この装置はつぎのように動作する。バルブ
コック55を閉塞して気中不純物捕集装置96を動作さ
せると、結露液回収管54等に結露液が蓄積される。あ
る程度の量の結露液が蓄積されると、イオンクロマトア
ナライザ93と電動ポンプ94とを起動するとともに、
バルブコック55を開放する。すると、蓄積された結露
液が、配管92を伝わってイオンクロマトアナライザ9
3へと入力される。そうして、結露液に混入した気体中
の不純物の分析が行われる。
【0066】この装置では、以上のように、気中不純物
捕集装置96によって捕集された結露液が、自動的にイ
オンクロマトアナライザ93へと送出される。このた
め、分析に要する時間および手間が短縮され、分析が能
率よく行われ得る。
【0067】<その他の実施の形態>実施の形態8、9
では、それぞれ、気中不純物捕集装置91、96とイオ
ンクロマトアナライザ93とを連結した例を示したが、
他の気中不純物捕集装置、例えば実施の形態3または7
の気中不純物捕集装置とイオンクロマトアナライザ93
とを連結して構成してもよい。このように構成された装
置によっても、分析に要する時間および手間が短縮さ
れ、分析が能率よく行われ得る。また、分析装置として
イオンクロマトアナライザ93を例示したが、他の分析
装置、例えば、ICPプラズマ発光分析器、原子吸光分
析器などであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態1の気中不純物捕集装置の正面断
面図である。
【図2】 実施の形態2の気中不純物捕集装置の外観斜
視図である。
【図3】 図2の装置の正面断面図である。
【図4】 実施の形態3の気中不純物捕集装置の断面図
である。
【図5】 実施の形態4の気中不純物捕集装置の正面断
面図である。
【図6】 実施の形態5の気中不純物捕集装置の正面断
面図である。
【図7】 実施の形態6の気中不純物捕集装置の正面図
である。
【図8】 実施の形態7の気中不純物捕集装置の外観斜
視図である。
【図9】 実施の形態8の気中不純物測定装置の構成を
示す図である。
【図10】 実施の形態9の気中不純物測定装置の構成
を示す図である。
【図11】 従来方法を説明する図である。
【図12】 従来装置の構成を示す断面図である。
【図13】 別の従来装置の正面断面図である。
【符号の説明】
1 冷媒配管、2 冷媒吸入ポンプ、3 受け皿、7
排出口、11 半導体ウェハ(捕集部材)、12 ステ
ージ、13 吸着溝(溝)、15 熱電半導体素子(冷
却手段)、19 減圧ポンプ(減圧手段)、23 捕集
部材、31 シリンダ、32 ピストン、33 吸気
管、34 排気管、35 第1電磁弁(第1弁)、36
第2電磁弁(第2弁)、39 ステッピングモータ
(駆動手段)、40 制御装置(制御手段)、A 所定
位置(第1の所定位置)、B 所定位置(第2の所定位
置)、50 吸気管、51 吸気ポンプ、53 水槽、
54結露液回収管、55 バルブコック(弁)、61
水槽、63 脱気管、64吸気管、65 脱気ポンプ、
66 吸気ポンプ、67 脱気弁、68 吸気弁、70
冷却ミスト捕集器、71 保持台、81 ワイパー駆
動モータ(駆動手段)、82 ワイパー、83 溝、8
4 切り込み(排出口)、91 気中不純物捕集装置、
92 配管、93 イオンクロマトアナライザ(分析装
置)、94電動ポンプ(ポンプ)、96 気中不純物捕
集装置。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 冷媒を流すための冷媒配管と、当該冷媒
    配管に介挿される冷媒吸入ポンプと、前記冷媒配管の下
    方に取り付けられ当該冷媒配管の表面に生じる結露液を
    自然落下によって収集するための受け皿と、を備え、前
    記受け皿の底部には、収集された結露液を排出する排出
    口が設けられており、前記冷媒配管および前記受け皿の
    それぞれの少なくとも表面が、フッ素樹脂から成ること
    を特徴とする気中不純物捕集装置。
  2. 【請求項2】 平坦面に溝が設けられたステージと、前
    記ステージの平坦面に載置される捕集部材と、前記ステ
    ージを冷却する冷却手段と、前記溝を減圧することによ
    って前記捕集部材を前記ステージに吸着保持する減圧手
    段と、を備える気中不純物捕集装置において、前記捕集
    部材が前記ステージに当接する主面とは反対側にフィン
    を備えることを特徴とする気中不純物捕集装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の気中不純物捕集装置に
    おいて、前記捕集部材の少なくとも外側に露出する表面
    が、フッ素樹脂から成ることを特徴とする気中不純物捕
    集装置。
  4. 【請求項4】 シリンダと、当該シリンダ内に密着して
    摺動可能なピストンと、前記シリンダに連通する吸気管
    および排気管と、これらの吸気管および排気管にそれぞ
    れ介挿される第1弁および第2弁と、前記ピストンを前
    記シリンダ内で往復運動させる駆動手段と、前記第1弁
    および前記第2弁をそれぞれ制御する制御手段とを備
    え、 前記吸気管および前記排気管は、いずれも、前記ピスト
    ンが上死点にあるときを除いては当該ピストンによって
    閉塞されず、しかも、前記シリンダ内に生じる結露液が
    前記排気管に収集可能で前記吸気管には逆流しないよう
    な位置において前記シリンダ内へ開口しており、 前記制御手段は、前記ピストンが上死点に達すると前記
    第1弁を開放するとともに前記第2弁を閉塞し、前記ピ
    ストンが上死点から下死点へと移動する過程で第1の所
    定位置に達したときに前記第1弁を閉塞し、前記ピスト
    ンが下死点から上死点へと移動する過程で第2の所定位
    置に達したときに前記第2弁を開放し、 前記第1の所定位置は、前記吸気管から前記シリンダ内
    に吸入される気体が、前記ピストンが下死点に達するま
    でに、露点以下にまで断熱膨張可能な位置に設定されて
    いることを特徴とする気中不純物捕集装置。
  5. 【請求項5】 気中不純物捕集装置であって、水を貯留
    可能な水槽と、当該水槽内を通過するように設けられた
    吸気管と、当該吸気管に介挿される吸気ポンプと、を備
    え、 前記吸気管は、前記水槽内で下方に湾曲した部分を有し
    ており、 前記気中不純物捕集装置は、前記湾曲した部分の最下部
    に連通し前記水槽の外部へと導かれる結露液回収管と、
    当該結露液回収管に介挿される弁と、をさらに備えるこ
    とを特徴とする気中不純物捕集装置。
  6. 【請求項6】 水を貯留可能で密閉された水槽と、当該
    水槽の上方部分に開口する吸気管および脱気管と、これ
    らの吸気管および脱気管にそれぞれ介挿される吸気弁お
    よび脱気弁と、前記吸気管および前記脱気管にそれぞれ
    介挿される吸気ポンプおよび脱気ポンプと、を備えるこ
    とを特徴とする気中不純物捕集装置。
  7. 【請求項7】 冷却ミスト捕集器と、当該冷却ミスト捕
    集器を保持する保持台と、を備え、 前記冷却ミスト捕集器は、平坦面に溝が設けられたステ
    ージと、当該ステージの平坦面に載置される平板状の捕
    集部材と、前記ステージを冷却する冷却手段と、前記溝
    を減圧することによって前記捕集部材を前記ステージに
    吸着保持する減圧手段と、を備え、 前記保持台は、前記捕集部材の主面が傾斜するように前
    記冷却ミスト捕集器を保持することを特徴とする気中不
    純物捕集装置。
  8. 【請求項8】 平坦面に溝が設けられたステージと、当
    該ステージの平坦面に載置される平板状の捕集部材と、
    前記ステージを冷却する冷却手段と、前記溝を減圧する
    ことによって前記捕集部材を前記ステージに吸着保持す
    る減圧手段と、を備える気中不純物捕集装置において、 前記捕集部材の前記ステージに当接する主面とは反対側
    の主面を掃引可能なワイパーと、当該ワイパーを駆動す
    る駆動手段と、前記捕集部材の周囲に沿って設置され一
    部に排出口が設けられた溝と、をさらに備える気中不純
    物捕集装置。
  9. 【請求項9】 請求項1、請求項4、請求項5、請求項
    7または請求項8に記載の気中不純物捕集装置と、液中
    に混入する不純物を分析可能な分析装置と、前記気中不
    純物捕集装置と前記分析装置とを連結する配管と、当該
    配管に介挿されるポンプと、を備え、 前記配管は、前記気中不純物捕集装置で捕集された結露
    液を前記分析装置へ入力するように連結されていること
    を特徴とする気中不純物測定装置。
  10. 【請求項10】 気体中の不純物を捕集する方法であっ
    て、超純水を密閉水槽内に貯留する工程と、前記密閉水
    槽内を減圧することによって前記超純水を脱気する脱気
    工程と、当該脱気工程後に前記気体を前記超純水に吹き
    付ける工程と、を備える気中不純物捕集方法。
JP24264595A 1995-09-21 1995-09-21 気中不純物捕集装置、気中不純物測定装置、および、気中不純物捕集方法 Pending JPH0989734A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24264595A JPH0989734A (ja) 1995-09-21 1995-09-21 気中不純物捕集装置、気中不純物測定装置、および、気中不純物捕集方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24264595A JPH0989734A (ja) 1995-09-21 1995-09-21 気中不純物捕集装置、気中不純物測定装置、および、気中不純物捕集方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0989734A true JPH0989734A (ja) 1997-04-04

Family

ID=17092136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24264595A Pending JPH0989734A (ja) 1995-09-21 1995-09-21 気中不純物捕集装置、気中不純物測定装置、および、気中不純物捕集方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0989734A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004125649A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分注装置
JP2021071311A (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 株式会社日立ハイテク 自動分析装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004125649A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分注装置
JP2021071311A (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 株式会社日立ハイテク 自動分析装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100257902B1 (ko) 청정실내의환경분석용시스템및환경분석방법
US7392689B2 (en) Sample collection apparatus for analysis of air pollution comprising moisture pretreatment means
KR101744953B1 (ko) 저노점 저온 제습 기능을 구비하는 efem
CA2246564C (en) Apparatus for and method of collecting gaseous mercury and differentiating between different mercury components
KR100383264B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 오염물질 포집장치 및 포집방법
JPH1089869A (ja) 温度傾斜型多段冷却器
JPH0989734A (ja) 気中不純物捕集装置、気中不純物測定装置、および、気中不純物捕集方法
TW208689B (ja)
US6176120B1 (en) Methods of analyzing water soluble contaminants generated during microelectronic device manufacturing processes
JPH07174676A (ja) 気中不純物捕集方法、並びに気中不純物量測定方法、並びに気中不純物捕集装置、並びに気中不純物量測定装置
WO2000026592A1 (en) Pfc type gas recovery method and device
TW200419687A (en) Ion sampling system for wafer and method thereof
JPH10104133A (ja) ガス試料採取装置
KR102168153B1 (ko) 건조액 액화회수장치 및 이를 이용한 반도체 건조시스템
JP2000028596A (ja) 半導体汚染物質の捕集装置と分析方法
JP2002168737A (ja) 通気処理器具及び通気処理機構機構並びにパージアンドトラップシステム
TW201033603A (en) Apparatus and method for analyzing out-gassing of molecular contaminants from a sample
TWM593520U (zh) 待分析氣體的除濕裝置
JP3601635B2 (ja) ガス分析装置用切換装置
CN211706370U (zh) 待分析气体的除湿装置
CN219871184U (zh) 一种吹扫装置
JP2003262625A (ja) 空気中有機物モニター装置およびモニター方法
JP2004020293A (ja) 環境監視方法およびシステム
JPH1144619A (ja) 気中不純物評価方法及びその装置
JPH06178912A (ja) 溶剤気体の吸引方法及びそれを用いた溶剤回収装置