JPH10256132A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
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- JPH10256132A JPH10256132A JP6028897A JP6028897A JPH10256132A JP H10256132 A JPH10256132 A JP H10256132A JP 6028897 A JP6028897 A JP 6028897A JP 6028897 A JP6028897 A JP 6028897A JP H10256132 A JPH10256132 A JP H10256132A
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- wafer
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 所定の精度を得ながら無駄な時間を費やすこ
となく効率的な加工が行える縮小投影露光装置を提供す
る。 【解決手段】半導体ウェハ６を載置したウェハステージ
７をＸＹ方向にステップ移動し、所定位置に停止させ静
定完了後に光源２を動作させ半導体ウェハ６に所定の縮
小投影露光を行う装置で、制御部１３の設定記憶部１４
に設定された半導体ウェハ６に対するプロセスデータを
基に、静定基準記憶部１５に予め記憶してある複数の静
定基準の中から対応する静定基準を自動的に選択し、選
択された静定基準に基づき選択判定部１６でレーザ干渉
計１０の検出したウェハステージ７の振動幅と比較して
ウェハステージ７の静定完了を判定し、判定結果に基づ
き露光制御部１７で光源２の動作を制御する。これによ
り要求される寸法精度等に対応して静定を完了させるこ
とができ、リソグラフィ工程の長時間化が防げる。
となく効率的な加工が行える縮小投影露光装置を提供す
る。 【解決手段】半導体ウェハ６を載置したウェハステージ
７をＸＹ方向にステップ移動し、所定位置に停止させ静
定完了後に光源２を動作させ半導体ウェハ６に所定の縮
小投影露光を行う装置で、制御部１３の設定記憶部１４
に設定された半導体ウェハ６に対するプロセスデータを
基に、静定基準記憶部１５に予め記憶してある複数の静
定基準の中から対応する静定基準を自動的に選択し、選
択された静定基準に基づき選択判定部１６でレーザ干渉
計１０の検出したウェハステージ７の振動幅と比較して
ウェハステージ７の静定完了を判定し、判定結果に基づ
き露光制御部１７で光源２の動作を制御する。これによ
り要求される寸法精度等に対応して静定を完了させるこ
とができ、リソグラフィ工程の長時間化が防げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハをＸＹ方向に移動するウェハステージに載置し、ステ
ップアンドリピート方式で半導体ウェハへの縮小投影露
光を行う縮小投影露光装置に関する。
ハをＸＹ方向に移動するウェハステージに載置し、ステ
ップアンドリピート方式で半導体ウェハへの縮小投影露
光を行う縮小投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知の通り、半導体装置等を製造するリ
ソグラフィ工程ではフォトマスクあるいはレチクルなど
のマスクのパターン像を、投影光学系を介してＸＹ方向
に移動可能なウェハステージに載置した半導体ウェハの
感光材料面に、縮小投影露光するステップアンドリピー
ト方式の縮小投影露光装置が使用されている。そして、
この縮小投影露光装置では半導体ウェハを載置したウェ
ハステージを所定の停止位置に移動し停止させ、ウェハ
ステージが静止してから半導体ウェハへの縮小投影露光
が行われるが、静止したか否かの判定は予め設定された
静定基準に基づいて行われる。
ソグラフィ工程ではフォトマスクあるいはレチクルなど
のマスクのパターン像を、投影光学系を介してＸＹ方向
に移動可能なウェハステージに載置した半導体ウェハの
感光材料面に、縮小投影露光するステップアンドリピー
ト方式の縮小投影露光装置が使用されている。そして、
この縮小投影露光装置では半導体ウェハを載置したウェ
ハステージを所定の停止位置に移動し停止させ、ウェハ
ステージが静止してから半導体ウェハへの縮小投影露光
が行われるが、静止したか否かの判定は予め設定された
静定基準に基づいて行われる。
【０００３】すなわち、ウェハステージは所定の停止位
置近傍まで比較的早い速度で移動し、減速した後に所定
の位置で停止する。しかし、減速と停止に伴う慣性力で
ウェハステージには図５に移動開始からの速度変動を電
圧変動で示すように、駆動停止後にも減衰振動が生じ、
ウェハステージが完全に停止するまでには時間を要し、
完全停止を確認してから縮小投影等を行っていたのでは
スループットが非常に低くなってしまう。このため予め
静定基準を設定し、ウェハステージの振動幅が所要の値
以下となった時点で静止したものと見なし（静定完
了）、縮小投影等が行われている。これにより、完全停
止までの時間より駆動停止から静定完了までの静定時間
の方が短いために、いたずらにリソグラフィ工程が長時
間化するのが防げる。
置近傍まで比較的早い速度で移動し、減速した後に所定
の位置で停止する。しかし、減速と停止に伴う慣性力で
ウェハステージには図５に移動開始からの速度変動を電
圧変動で示すように、駆動停止後にも減衰振動が生じ、
ウェハステージが完全に停止するまでには時間を要し、
完全停止を確認してから縮小投影等を行っていたのでは
スループットが非常に低くなってしまう。このため予め
静定基準を設定し、ウェハステージの振動幅が所要の値
以下となった時点で静止したものと見なし（静定完
了）、縮小投影等が行われている。これにより、完全停
止までの時間より駆動停止から静定完了までの静定時間
の方が短いために、いたずらにリソグラフィ工程が長時
間化するのが防げる。
【０００４】一方、半導体装置の微細化、高集積化が進
み、これに伴い投影露光するパターンの線幅が狭いもの
となってくると、縮小投影露光装置には自ずと最小線幅
が細く重ね合わせ精度の高いものが要求され、静定基準
はより小振動幅のものとなる。そして、静定基準が小振
動幅に設定された縮小投影露光装置では、全ての縮小投
影露光過程が固定された同一の小振動幅の静定基準で行
われる。このため、半導体ウェハ上のレジストパターン
の形成に、特に静定基準を設けなくても影響がない場合
においても静定が完了するまで次の動作が開始できず、
無駄な時間を生じることになりスループットを低いもの
としている。
み、これに伴い投影露光するパターンの線幅が狭いもの
となってくると、縮小投影露光装置には自ずと最小線幅
が細く重ね合わせ精度の高いものが要求され、静定基準
はより小振動幅のものとなる。そして、静定基準が小振
動幅に設定された縮小投影露光装置では、全ての縮小投
影露光過程が固定された同一の小振動幅の静定基準で行
われる。このため、半導体ウェハ上のレジストパターン
の形成に、特に静定基準を設けなくても影響がない場合
においても静定が完了するまで次の動作が開始できず、
無駄な時間を生じることになりスループットを低いもの
としている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、要求される寸法精度等に
対応して静定を完了させ、所定の精度を得ながら無駄な
時間を費やすことなく効率的な加工が行え、リソグラフ
ィ工程が長時間化しないようにした縮小投影露光装置を
提供することを目的とする。
みて本発明はなされたもので、要求される寸法精度等に
対応して静定を完了させ、所定の精度を得ながら無駄な
時間を費やすことなく効率的な加工が行え、リソグラフ
ィ工程が長時間化しないようにした縮小投影露光装置を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の縮小投影露光装
置は、２次元的にステップ移動可能なウェハステージに
ウェハを載置し、ウェハステージを所定位置にステップ
移動し静定完了後にウェハに所定の露光を行うようにし
た縮小投影露光装置において、ウェハステージの静定完
了を、ウェハステージに載置されたウェハに対し設定さ
れているプロセスデータを基に、予め定めておいた複数
の静定基準の中から対応する静定基準を自動的に選択
し、選択された静定基準に基づいて判断するようにした
ことを特徴とするものであり、さらに、予め定められた
複数の静定基準が、ウェハステージの振動幅が０．１５
μｍ以内の値と、０．１５μｍを越える相異なる複数の
値であることを特徴とするものであり、さらに、静定基
準を選択するためのプロセスデータが、少なくとも必要
露光時間、パターンサイズ、アライメント精度の１つで
あることを特徴とするものである。
置は、２次元的にステップ移動可能なウェハステージに
ウェハを載置し、ウェハステージを所定位置にステップ
移動し静定完了後にウェハに所定の露光を行うようにし
た縮小投影露光装置において、ウェハステージの静定完
了を、ウェハステージに載置されたウェハに対し設定さ
れているプロセスデータを基に、予め定めておいた複数
の静定基準の中から対応する静定基準を自動的に選択
し、選択された静定基準に基づいて判断するようにした
ことを特徴とするものであり、さらに、予め定められた
複数の静定基準が、ウェハステージの振動幅が０．１５
μｍ以内の値と、０．１５μｍを越える相異なる複数の
値であることを特徴とするものであり、さらに、静定基
準を選択するためのプロセスデータが、少なくとも必要
露光時間、パターンサイズ、アライメント精度の１つで
あることを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
乃至図４を参照して説明する。図１は概略の構成図であ
り、図２はウェハステージの速度変動を示すレーザ干渉
計の出力電圧変動図で、図２（ａ）は速度変動の全体を
示す出力電圧変動図、図２（ｂ）は駆動停止後の速度変
動状態を拡大して示す出力電圧変動図であり、図３はウ
ェハステージの静定基準の選択・判定過程を説明するた
めの図であり、図４は各静定基準に対する処理時間およ
び精度の関係を示す図である。
乃至図４を参照して説明する。図１は概略の構成図であ
り、図２はウェハステージの速度変動を示すレーザ干渉
計の出力電圧変動図で、図２（ａ）は速度変動の全体を
示す出力電圧変動図、図２（ｂ）は駆動停止後の速度変
動状態を拡大して示す出力電圧変動図であり、図３はウ
ェハステージの静定基準の選択・判定過程を説明するた
めの図であり、図４は各静定基準に対する処理時間およ
び精度の関係を示す図である。
【０００８】図１乃至図４において、１は縮小投影露光
装置で、照明光Ｌを射出する光源２と縮小投影レンズ等
を有する投影光学系３を備え、投影光学系３の光軸Ｚ上
の光源２側にはレチクル４を載置するレチクルステージ
５が設けられており、また光軸Ｚ上の逆側には上面に照
明光Ｌで感光する感光材料面が形成された半導体ウェハ
６を載置するウェハステージ７が設けられている。ウェ
ハステージ７は図示しないが光軸Ｚ方向に微動可能であ
ると共に、ベース８上を光軸Ｚに垂直な平面内でＸＹ方
向の２次元方向に移動するように設けられている。
装置で、照明光Ｌを射出する光源２と縮小投影レンズ等
を有する投影光学系３を備え、投影光学系３の光軸Ｚ上
の光源２側にはレチクル４を載置するレチクルステージ
５が設けられており、また光軸Ｚ上の逆側には上面に照
明光Ｌで感光する感光材料面が形成された半導体ウェハ
６を載置するウェハステージ７が設けられている。ウェ
ハステージ７は図示しないが光軸Ｚ方向に微動可能であ
ると共に、ベース８上を光軸Ｚに垂直な平面内でＸＹ方
向の２次元方向に移動するように設けられている。
【０００９】そして、Ｙ方向についてはＸ方向と同様に
構成されているため説明を省略し、Ｘ方向の構成につい
て以下に説明する。すなわち、ウェハステージ７のＸ方
向の移動は、パルス駆動される駆動モータ９によるステ
ッピング移動によって行われ、ウェハステージ７の移動
位置の検出はレーザ干渉計１０によって行われる。こう
したウェハステージ７の移動を制御するステージ制御系
１１は、レーザ干渉計１０からのウェハステージ７の現
在位置に対応する現在位置信号と、ホストコンピュータ
１２からのウェハステージ７の目標位置信号とを得、ウ
ェハステージ７を目標位置に移動させ停止させるための
駆動モータ９の制御信号を出力するように構成されてい
る。なお、ステージ制御系１１ではウェハステージ７の
ＸＹ方向の位置制御のほか、ホストコンピュータ１２か
らの信号に基づきウェハステージ７のＺ方向の位置制御
も行われる。
構成されているため説明を省略し、Ｘ方向の構成につい
て以下に説明する。すなわち、ウェハステージ７のＸ方
向の移動は、パルス駆動される駆動モータ９によるステ
ッピング移動によって行われ、ウェハステージ７の移動
位置の検出はレーザ干渉計１０によって行われる。こう
したウェハステージ７の移動を制御するステージ制御系
１１は、レーザ干渉計１０からのウェハステージ７の現
在位置に対応する現在位置信号と、ホストコンピュータ
１２からのウェハステージ７の目標位置信号とを得、ウ
ェハステージ７を目標位置に移動させ停止させるための
駆動モータ９の制御信号を出力するように構成されてい
る。なお、ステージ制御系１１ではウェハステージ７の
ＸＹ方向の位置制御のほか、ホストコンピュータ１２か
らの信号に基づきウェハステージ７のＺ方向の位置制御
も行われる。
【００１０】一方、ウェハステージ７が目標位置に移動
し停止すると、駆動が停止され静定が完了した後に、ウ
ェハステージ７上の半導体ウェハ６の感光材料面にレチ
クル４に形成されたパターンの縮小パターンが結像さ
れ、縮小投影露光が行われる。そして、このような縮小
投影露光過程の制御は制御部１３によって行われる。移
動に伴うウェハステージ７の速度変動は、レーザ干渉計
１０の出力電圧変動として得られ、図２（ａ）に示すよ
うになっている。すなわち、時間ｔ0 で駆動が開始され
て移動し、時間ｔ1 で駆動が停止されて減衰運動が生じ
る。その後、所要の静定時間を経、ウェハステージ７の
減少する振動幅と後述する選択された静定基準との比較
が行われ、ウェハステージ７の振動幅が静定基準以下と
なった時間ｔ2 で静定完了の判断がなされる。
し停止すると、駆動が停止され静定が完了した後に、ウ
ェハステージ７上の半導体ウェハ６の感光材料面にレチ
クル４に形成されたパターンの縮小パターンが結像さ
れ、縮小投影露光が行われる。そして、このような縮小
投影露光過程の制御は制御部１３によって行われる。移
動に伴うウェハステージ７の速度変動は、レーザ干渉計
１０の出力電圧変動として得られ、図２（ａ）に示すよ
うになっている。すなわち、時間ｔ0 で駆動が開始され
て移動し、時間ｔ1 で駆動が停止されて減衰運動が生じ
る。その後、所要の静定時間を経、ウェハステージ７の
減少する振動幅と後述する選択された静定基準との比較
が行われ、ウェハステージ７の振動幅が静定基準以下と
なった時間ｔ2 で静定完了の判断がなされる。
【００１１】制御部１３は、ウェハステージ７に載置さ
れている半導体ウェハ６に対し要求されるプロセスデー
タ、例えば必要露光時間、パターンサイズ、アライメン
ト精度等が予め設定され記憶されている設定記憶部１４
と、ウェハステージ７の静定完了の判断を振動幅の値で
行うための基準が複数設定記憶されている静定基準記憶
部１５と、設定記憶部１４の出力信号と静定基準記憶部
１５の各静定基準に対応する出力信号とレーザ干渉計１
０の出力信号が入力され、半導体ウェハ６に要求される
静定基準を選択すると共にウェハステージ７の振動幅が
静定基準を満足しているか否か判断し静定完了を判定す
る選択判定部１６と、選択判定部１６の出力に基づいて
所定の縮小投影露光を行うよう光源２を制御する露光制
御部１７とを備えたものとなっている。
れている半導体ウェハ６に対し要求されるプロセスデー
タ、例えば必要露光時間、パターンサイズ、アライメン
ト精度等が予め設定され記憶されている設定記憶部１４
と、ウェハステージ７の静定完了の判断を振動幅の値で
行うための基準が複数設定記憶されている静定基準記憶
部１５と、設定記憶部１４の出力信号と静定基準記憶部
１５の各静定基準に対応する出力信号とレーザ干渉計１
０の出力信号が入力され、半導体ウェハ６に要求される
静定基準を選択すると共にウェハステージ７の振動幅が
静定基準を満足しているか否か判断し静定完了を判定す
る選択判定部１６と、選択判定部１６の出力に基づいて
所定の縮小投影露光を行うよう光源２を制御する露光制
御部１７とを備えたものとなっている。
【００１２】そして、静定基準記憶部１５には、例えば
ウェハステージ７の静定完了を振動幅が、例えば０．１
２μｍ以下となった時点とする第１の静定基準
（Ｌa ）、０．１８μｍ以下となった時点とする第２の
静定基準（Ｌb ）、０．２４μｍ以下となった時点とす
る第３の静定基準（Ｌc ）がそれぞれ設定記憶されてい
る。また選択判定部１６において静定基準記憶部１５に
記憶されている３つの静定基準（Ｌa ，Ｌb ，Ｌc ）の
中で、どの基準をウェハステージ７に載置されている半
導体ウェハ６に適用するかの選択が、設定記憶部１４に
記憶されているプロセスデータを基に行われる。
ウェハステージ７の静定完了を振動幅が、例えば０．１
２μｍ以下となった時点とする第１の静定基準
（Ｌa ）、０．１８μｍ以下となった時点とする第２の
静定基準（Ｌb ）、０．２４μｍ以下となった時点とす
る第３の静定基準（Ｌc ）がそれぞれ設定記憶されてい
る。また選択判定部１６において静定基準記憶部１５に
記憶されている３つの静定基準（Ｌa ，Ｌb ，Ｌc ）の
中で、どの基準をウェハステージ７に載置されている半
導体ウェハ６に適用するかの選択が、設定記憶部１４に
記憶されているプロセスデータを基に行われる。
【００１３】なお、図２（ｂ）は、ウェハステージ７の
速度変動を示すレーザ干渉計１０の出力電圧変動の駆動
停止後の状態を拡大して示すもので、振幅Ａは第１の静
定基準（Ｌa ）における判断範囲を示し、振幅Ｂは第２
の静定基準（Ｌb ）における判断範囲を示し、振幅Ｃは
第３の静定基準（Ｌc ）における判断範囲を示す。ま
た、静定基準（Ｌa ，Ｌb ，Ｌc ）と半導体ウェハ６の
処理時間ｔ、寸法あるいはステッピングの精度Ｓの間に
は図４に示すような関係があり、寸法精度あるいはステ
ッピング精度は静定基準（Ｌa ，Ｌb ，Ｌc ）によって
精度Ｓが変わらない場合（Ｓ1 ）と、精度Ｓが悪くなる
場合（Ｓ2 ）がある。そして第１の静定基準（Ｌa ）で
は寸法精度、ステッピング精度は良好なものとすること
ができるが、処理時間ｔは長くなる。逆に第３の静定基
準（Ｌc ）では寸法精度、ステッピング精度は第１の静
定基準（Ｌa ）に比し粗くなるが、処理時間ｔは短くて
済む。また両静定基準（Ｌa ，Ｌc ）の間となる第２の
静定基準（Ｌb ）では寸法精度、ステッピング精度、処
理時間ｔは共に両基準の間のものとなる。
速度変動を示すレーザ干渉計１０の出力電圧変動の駆動
停止後の状態を拡大して示すもので、振幅Ａは第１の静
定基準（Ｌa ）における判断範囲を示し、振幅Ｂは第２
の静定基準（Ｌb ）における判断範囲を示し、振幅Ｃは
第３の静定基準（Ｌc ）における判断範囲を示す。ま
た、静定基準（Ｌa ，Ｌb ，Ｌc ）と半導体ウェハ６の
処理時間ｔ、寸法あるいはステッピングの精度Ｓの間に
は図４に示すような関係があり、寸法精度あるいはステ
ッピング精度は静定基準（Ｌa ，Ｌb ，Ｌc ）によって
精度Ｓが変わらない場合（Ｓ1 ）と、精度Ｓが悪くなる
場合（Ｓ2 ）がある。そして第１の静定基準（Ｌa ）で
は寸法精度、ステッピング精度は良好なものとすること
ができるが、処理時間ｔは長くなる。逆に第３の静定基
準（Ｌc ）では寸法精度、ステッピング精度は第１の静
定基準（Ｌa ）に比し粗くなるが、処理時間ｔは短くて
済む。また両静定基準（Ｌa ，Ｌc ）の間となる第２の
静定基準（Ｌb ）では寸法精度、ステッピング精度、処
理時間ｔは共に両基準の間のものとなる。
【００１４】その後、選択判定部１６でプロセスデータ
を基に選択された静定基準と、レーザ干渉計１０により
検出されたウェハステージ７の振動幅とを比較し、検出
した振動幅が選択された静定基準以下となっているか否
かを判断して、静定完了の判定を行う。そして選択判定
部１６の静定完了の判定に基づく露光制御部１７による
制御動作で光源２を作動させ、半導体ウェハ６への所定
の縮小投影露光を行うように構成されている。
を基に選択された静定基準と、レーザ干渉計１０により
検出されたウェハステージ７の振動幅とを比較し、検出
した振動幅が選択された静定基準以下となっているか否
かを判断して、静定完了の判定を行う。そして選択判定
部１６の静定完了の判定に基づく露光制御部１７による
制御動作で光源２を作動させ、半導体ウェハ６への所定
の縮小投影露光を行うように構成されている。
【００１５】そして、上記のように構成されたものでの
リソグラフィ工程は、レチクル４をレチクルステージ５
に載置し、半導体ウェハ６をウェハステージ７に載置す
ることによって開始される。続いて半導体ウェハ６の必
要露光時間、パターンサイズ、アライメント精度等のプ
ロセスデータを設定記憶部１４に設定記憶させる。この
設定記憶部１４に記憶されたプロセスデータに基づき選
択判定部１６では、静定基準記憶部１５に記憶されてい
る静定完了の基準の中から、例えば第２の静定基準（Ｌ
b ）が選択される。
リソグラフィ工程は、レチクル４をレチクルステージ５
に載置し、半導体ウェハ６をウェハステージ７に載置す
ることによって開始される。続いて半導体ウェハ６の必
要露光時間、パターンサイズ、アライメント精度等のプ
ロセスデータを設定記憶部１４に設定記憶させる。この
設定記憶部１４に記憶されたプロセスデータに基づき選
択判定部１６では、静定基準記憶部１５に記憶されてい
る静定完了の基準の中から、例えば第２の静定基準（Ｌ
b ）が選択される。
【００１６】その後、投影光学系３の光軸Ｚが半導体ウ
ェハ６の所定位置を通るようにウェハステージ７の移動
を行う。この移動停止にともなってウェハステージ７に
減衰振動が生じ、ウェハステージ７の減衰振動はレーザ
干渉計１０によって検出される。そしてウェハステージ
７の振動幅が０．１８μｍ以下になり、選択判定部１６
においてレーザ干渉計１０の出力信号が第２の静定基準
（Ｌb ）を満たすものとなったと判断されると、選択判
定部１６でウェハステージ７の静定が完了したものと判
定される。この静定完了の判定に基づいて半導体ウェハ
６へのレチクル４に形成されたパターンの縮小投影露光
が、露光制御部１７によって光源２の動作を制御するこ
とにより実行される。
ェハ６の所定位置を通るようにウェハステージ７の移動
を行う。この移動停止にともなってウェハステージ７に
減衰振動が生じ、ウェハステージ７の減衰振動はレーザ
干渉計１０によって検出される。そしてウェハステージ
７の振動幅が０．１８μｍ以下になり、選択判定部１６
においてレーザ干渉計１０の出力信号が第２の静定基準
（Ｌb ）を満たすものとなったと判断されると、選択判
定部１６でウェハステージ７の静定が完了したものと判
定される。この静定完了の判定に基づいて半導体ウェハ
６へのレチクル４に形成されたパターンの縮小投影露光
が、露光制御部１７によって光源２の動作を制御するこ
とにより実行される。
【００１７】また、レチクル４を交換するなどしてプロ
セスデータが異なるものとなった場合には、先と異なる
プロセスデータが設定記憶部１４に設定記憶されること
になり、これに基づき選択判定部１６では、静定基準記
憶部１５に記憶されている基準の中から新しく設定され
たプロセスデータに対応する、例えば第１の静定基準
（Ｌa ）が選択され、静定完了基準の変更が自動的に行
われる。
セスデータが異なるものとなった場合には、先と異なる
プロセスデータが設定記憶部１４に設定記憶されること
になり、これに基づき選択判定部１６では、静定基準記
憶部１５に記憶されている基準の中から新しく設定され
たプロセスデータに対応する、例えば第１の静定基準
（Ｌa ）が選択され、静定完了基準の変更が自動的に行
われる。
【００１８】そして、上記の場合と同様に、投影光学系
３の光軸Ｚが半導体ウェハ６の所定位置を通るようにウ
ェハステージ７の移動を行う。この移動停止にともなっ
てウェハステージ７に減衰振動が生じ、ウェハステージ
７の減衰振動はレーザ干渉計１０によって検出される。
そしてウェハステージ７の振動幅が０．１２μｍ以下に
なり、選択判定部１６においてレーザ干渉計１０の出力
信号が第１の静定基準（Ｌa ）を満たすものとなったと
判断されると、選択判定部１６でウェハステージ７の静
定が完了したと判定される。この静定完了の判定に基づ
いて半導体ウェハ６への交換したレチクル４に形成され
たパターンの縮小投影露光が、露光制御部１７によって
光源２の動作を制御することにより実行される。
３の光軸Ｚが半導体ウェハ６の所定位置を通るようにウ
ェハステージ７の移動を行う。この移動停止にともなっ
てウェハステージ７に減衰振動が生じ、ウェハステージ
７の減衰振動はレーザ干渉計１０によって検出される。
そしてウェハステージ７の振動幅が０．１２μｍ以下に
なり、選択判定部１６においてレーザ干渉計１０の出力
信号が第１の静定基準（Ｌa ）を満たすものとなったと
判断されると、選択判定部１６でウェハステージ７の静
定が完了したと判定される。この静定完了の判定に基づ
いて半導体ウェハ６への交換したレチクル４に形成され
たパターンの縮小投影露光が、露光制御部１７によって
光源２の動作を制御することにより実行される。
【００１９】以上のように、プロセスデータを変更する
ことによって変更データに対応する静定基準が自動的に
選択され、選択された静定基準により半導体ウェハ６の
リソグラフィ工程が実行されることになる。このため、
寸法精度Ｑが粗くてよい場合にはウェハステージ７を所
定の停止位置に移動し停止させた後、比較的早い段階で
静定完了の判断がなされ、半導体ウェハ６への縮小投影
露光が実行できることになって無駄な処理時間ｔを費や
さなくてもよくなる。その結果、リソグラフィ工程がい
たずらに長時間化するのが防げ、スループットを向上さ
せることができる。また、逆にプロセスデータが高い寸
法精度Ｑを必要とするものである場合には第１の静定基
準（Ｌa ）が選択され、十分に時間が経過しウェハステ
ージ７の振動が減衰し、ウェハステージ７の振動幅が第
１の静定基準（Ｌa ）より小さくなった時点で静定完了
の判断がなされ、半導体ウェハ６への縮小投影露光が実
行され、結果的には処理時間ｔは長くなるが装置限界性
能の高い寸法精度Ｑが確保できる。
ことによって変更データに対応する静定基準が自動的に
選択され、選択された静定基準により半導体ウェハ６の
リソグラフィ工程が実行されることになる。このため、
寸法精度Ｑが粗くてよい場合にはウェハステージ７を所
定の停止位置に移動し停止させた後、比較的早い段階で
静定完了の判断がなされ、半導体ウェハ６への縮小投影
露光が実行できることになって無駄な処理時間ｔを費や
さなくてもよくなる。その結果、リソグラフィ工程がい
たずらに長時間化するのが防げ、スループットを向上さ
せることができる。また、逆にプロセスデータが高い寸
法精度Ｑを必要とするものである場合には第１の静定基
準（Ｌa ）が選択され、十分に時間が経過しウェハステ
ージ７の振動が減衰し、ウェハステージ７の振動幅が第
１の静定基準（Ｌa ）より小さくなった時点で静定完了
の判断がなされ、半導体ウェハ６への縮小投影露光が実
行され、結果的には処理時間ｔは長くなるが装置限界性
能の高い寸法精度Ｑが確保できる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
はプロセスデータに基づき静定基準を自動的に選択し静
定を完了させるように構成することで、所定の精度を得
ながら無駄な時間を費やすことなく効率的な加工を行う
ことができ、リソグラフィ工程の長時間化を防ぐことが
できる等の効果を奏する。
はプロセスデータに基づき静定基準を自動的に選択し静
定を完了させるように構成することで、所定の精度を得
ながら無駄な時間を費やすことなく効率的な加工を行う
ことができ、リソグラフィ工程の長時間化を防ぐことが
できる等の効果を奏する。
【図１】本発明の一実施形態を示す概略の構成図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施形態に係るウェハステージの速
度変動を示すレーザ干渉計の出力電圧変動図で、図２
（ａ）は速度変動の全体を示す出力電圧変動図、図２
（ｂ）は駆動停止後の速度変動状態を拡大して示す出力
電圧変動図である。
度変動を示すレーザ干渉計の出力電圧変動図で、図２
（ａ）は速度変動の全体を示す出力電圧変動図、図２
（ｂ）は駆動停止後の速度変動状態を拡大して示す出力
電圧変動図である。
【図３】本発明の一実施形態におけるウェハステージの
静定基準の選択・判定過程を説明するための図である。
静定基準の選択・判定過程を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る各静定基準に対する
処理時間および精度の関係を示す図である。
処理時間および精度の関係を示す図である。
【図５】従来技術に係るウェハステージの移動開始から
の速度変動を電圧変動で示す図である。
の速度変動を電圧変動で示す図である。
２…光源 ３…投影光学系 ６…半導体ウェハ ７…ウェハステージ １０…レーザ干渉計 １３…制御部 １４…設定記憶部 １５…静定基準記憶部 １６…選択判定部 １７…露光制御部
Claims (3)
- 【請求項１】 ２次元的にステップ移動可能なウェハス
テージにウェハを載置し、前記ウェハステージを所定位
置にステップ移動し静定完了後に前記ウェハに所定の露
光を行うようにした縮小投影露光装置において、前記ウ
ェハステージの静定完了を、前記ウェハステージに載置
された前記ウェハに対し設定されているプロセスデータ
を基に、予め定めておいた複数の静定基準の中から対応
する静定基準を自動的に選択し、選択された前記静定基
準に基づいて判断するようにしたことを特徴とする縮小
投影露光装置。 - 【請求項２】 予め定められた複数の静定基準が、ウェ
ハステージの振動幅が０．１５μｍ以内の値と、０．１
５μｍを越える相異なる複数の値であることを特徴とす
る請求項１記載の縮小投影露光装置。 - 【請求項３】 静定基準を選択するためのプロセスデー
タが、少なくとも必要露光時間、パターンサイズ、アラ
イメント精度の１つであることを特徴とする請求項１記
載の縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6028897A JPH10256132A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6028897A JPH10256132A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256132A true JPH10256132A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13137828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6028897A Pending JPH10256132A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256132A (ja) |
-
1997
- 1997-03-14 JP JP6028897A patent/JPH10256132A/ja active Pending
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