JPH1025567A - 複合ターゲット - Google Patents
複合ターゲットInfo
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- JPH1025567A JPH1025567A JP18197096A JP18197096A JPH1025567A JP H1025567 A JPH1025567 A JP H1025567A JP 18197096 A JP18197096 A JP 18197096A JP 18197096 A JP18197096 A JP 18197096A JP H1025567 A JPH1025567 A JP H1025567A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 希酸に可溶で、導電性を有する透明導電膜を
製造するために必要なスパッタリング用ターゲットを提
供することにある。 【解決手段】 バッキングプレート上のターゲットを、
少なくとも２分割以上にしてＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2からな
るターゲット１とＩｎ−Ｚｎ、Ｉｎ−Ｍｇ、Ｉｎ−Ｇ
ａ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎの中から選ばれる二種の酸
化物からなるターゲット２を一つのターゲットとして構
成する複合ターゲットである。
製造するために必要なスパッタリング用ターゲットを提
供することにある。 【解決手段】 バッキングプレート上のターゲットを、
少なくとも２分割以上にしてＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2からな
るターゲット１とＩｎ−Ｚｎ、Ｉｎ−Ｍｇ、Ｉｎ−Ｇ
ａ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎの中から選ばれる二種の酸
化物からなるターゲット２を一つのターゲットとして構
成する複合ターゲットである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルム液晶表示
装置に用いられる導電性フィルム用のターゲットに関す
るものである。
装置に用いられる導電性フィルム用のターゲットに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶用導電性フィルムとしては、特公昭
６２−３２１０１、特公昭６３−３４０１８、特公平１
−１２６６６等に記載のポリエステル、ポリエーテルサ
ルフォン、ポリカーボネート等の高分子フィルム表面に
酸化インジウム、酸化錫、あるいは錫、インジウム合金
の酸化膜等の半導体膜や金、銀、パラジウムあるいはそ
れらの合金等の金属膜、半導体膜と金属膜を組み合わせ
て形成されたもの等が知られている。
６２−３２１０１、特公昭６３−３４０１８、特公平１
−１２６６６等に記載のポリエステル、ポリエーテルサ
ルフォン、ポリカーボネート等の高分子フィルム表面に
酸化インジウム、酸化錫、あるいは錫、インジウム合金
の酸化膜等の半導体膜や金、銀、パラジウムあるいはそ
れらの合金等の金属膜、半導体膜と金属膜を組み合わせ
て形成されたもの等が知られている。
【０００３】しかしながら、プラスチック上に上記の透
明導電膜を形成する際、基板からのガスの影響や結晶化
によりエッチングが難しい等の欠点があり、この為いく
つかの検討はされているが確立、採用された技術は未だ
無い状況で有る。一例として酸に可溶な透明導電性膜と
して特開平７−１６８１９６に於いて、Ｉｎ、Ｚｎから
成る一層のみだけによる非晶質酸化物が提案されている
が、余りにも可溶過ぎ、パタン加工ライン上でのオーバ
エッチングというロット間の安定性に欠け、設計上も困
難さを伴うという大きな問題があった。
明導電膜を形成する際、基板からのガスの影響や結晶化
によりエッチングが難しい等の欠点があり、この為いく
つかの検討はされているが確立、採用された技術は未だ
無い状況で有る。一例として酸に可溶な透明導電性膜と
して特開平７−１６８１９６に於いて、Ｉｎ、Ｚｎから
成る一層のみだけによる非晶質酸化物が提案されている
が、余りにも可溶過ぎ、パタン加工ライン上でのオーバ
エッチングというロット間の安定性に欠け、設計上も困
難さを伴うという大きな問題があった。
【０００４】一方では酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸
化スズ（ＳｎＯ2）を用い更に低抵抗にするために特開
平８−８５８６６に記載されている様に酸素雰囲気で焼
成する方法や、特開平７−３１６８０３に記載されてい
る様にアミノ酸を含ませる事で粒径を０．１μｍ以下に
する方法が提案されている。しかしながら、いずれもＩ
ｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2系の酸化物の為、エッチング性の向上
を図る事は出来なかった。
化スズ（ＳｎＯ2）を用い更に低抵抗にするために特開
平８−８５８６６に記載されている様に酸素雰囲気で焼
成する方法や、特開平７−３１６８０３に記載されてい
る様にアミノ酸を含ませる事で粒径を０．１μｍ以下に
する方法が提案されている。しかしながら、いずれもＩ
ｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2系の酸化物の為、エッチング性の向上
を図る事は出来なかった。
【０００５】更に、特開平７−５４１３５で代表される
様にＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2系の酸化物に第三添加物をドー
ピングしたターゲットが提案されているが、一般的に一
つのターゲットに三成分を含有すると焼成する際の応力
等によりクラックが入る等の問題が多く、歩留まり低下
に依る価格の上昇等により実際使用されるまでには至っ
ていなかった。又、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2から成る、いわ
ゆるＩＴＯターゲットについては、使用後材料メーカー
での再生により実質上価格の低減がなされていたが、３
〜４種から成るターゲットではＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2以外
の成分は不純物となり再生が出来ず価格低減のメリット
を得ることは出来なかった。従って四種以上の元素から
成るターゲットについてはＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2から成る
ターゲット上に他の酸化物をタブレット化した物を乗せ
てスパッタリングする方法でテストされているに過ぎ
ず、スパッタ時タブレットにパワーが集中して局部的な
温度上昇として２００〜４００℃まで上がり、生産用と
しては使用出来ず実質上存在しなかった。
様にＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2系の酸化物に第三添加物をドー
ピングしたターゲットが提案されているが、一般的に一
つのターゲットに三成分を含有すると焼成する際の応力
等によりクラックが入る等の問題が多く、歩留まり低下
に依る価格の上昇等により実際使用されるまでには至っ
ていなかった。又、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2から成る、いわ
ゆるＩＴＯターゲットについては、使用後材料メーカー
での再生により実質上価格の低減がなされていたが、３
〜４種から成るターゲットではＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2以外
の成分は不純物となり再生が出来ず価格低減のメリット
を得ることは出来なかった。従って四種以上の元素から
成るターゲットについてはＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2から成る
ターゲット上に他の酸化物をタブレット化した物を乗せ
てスパッタリングする方法でテストされているに過ぎ
ず、スパッタ時タブレットにパワーが集中して局部的な
温度上昇として２００〜４００℃まで上がり、生産用と
しては使用出来ず実質上存在しなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる現状
に鑑みなされたもので、希酸に可溶で、導電性を有する
透明導電膜を製造するために必要なスパッタリング用タ
ーゲットを提供することにある。
に鑑みなされたもので、希酸に可溶で、導電性を有する
透明導電膜を製造するために必要なスパッタリング用タ
ーゲットを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的には、導電性
より広く一般に使用されている酸化インジウム（Ｉｎ2
Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）からなるターゲットを用い
つつ、分割した他の部分に導電性を極力維持しつつエッ
チング性を向上させる第３、４の酸化物からなるターゲ
ット配置にすることにより、ガラス基板とは異なる低温
成膜に於いても良好な導電性、エッチング性を有する透
明導電膜を得ることが可能に成ったものである。
より広く一般に使用されている酸化インジウム（Ｉｎ2
Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）からなるターゲットを用い
つつ、分割した他の部分に導電性を極力維持しつつエッ
チング性を向上させる第３、４の酸化物からなるターゲ
ット配置にすることにより、ガラス基板とは異なる低温
成膜に於いても良好な導電性、エッチング性を有する透
明導電膜を得ることが可能に成ったものである。
【０００８】即ち、バッキングプレート上のターゲット
を、少なくとも２分割以上にして、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎＯ2
からなるターゲット１と二種の酸化物からなるターゲッ
ト２を一つのターゲットとして構成する複合ターゲット
であり、更に好ましい態様としては、ターゲット１とし
ては、Ｉｎ、Ｓｎからなる複合酸化物として、Ｓｎ／Ｉ
ｎ＋Ｓｎが０．０１〜０．２の原子比であり、ターゲッ
ト２としては、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｉｎ−Ｍｇ、Ｉｎ−Ｇａ、
Ｓｎ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎの中から選ばれる複合酸化物で
あり、Ｉｎ−Ｚｎの複合酸化物としては、Ｚｎ／Ｉｎ＋
Ｚｎが０．１０〜０．４０の原子比であり、Ｉｎ−Ｍｇ
の複合酸化物としては、Ｍｇ／Ｉｎ＋Ｍｇが０．１０〜
０．２０の原子比であり、Ｉｎ−Ｇａの複合酸化物とし
ては、Ｇａ／Ｉｎ＋Ｇａが０．０５〜０．１５の原子比
であり、Ｓｎ−Ｚｎの複合酸化物としては、Ｚｎ／Ｓｎ
＋Ｚｎが０．２５〜０．３５の原子比であり、Ｇａ−Ｚ
ｎの複合酸化物としては、Ｇａ／Ｚｎ＋Ｇａが０．０２
〜０．０８の原子比である複合ターゲットである。
を、少なくとも２分割以上にして、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎＯ2
からなるターゲット１と二種の酸化物からなるターゲッ
ト２を一つのターゲットとして構成する複合ターゲット
であり、更に好ましい態様としては、ターゲット１とし
ては、Ｉｎ、Ｓｎからなる複合酸化物として、Ｓｎ／Ｉ
ｎ＋Ｓｎが０．０１〜０．２の原子比であり、ターゲッ
ト２としては、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｉｎ−Ｍｇ、Ｉｎ−Ｇａ、
Ｓｎ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎの中から選ばれる複合酸化物で
あり、Ｉｎ−Ｚｎの複合酸化物としては、Ｚｎ／Ｉｎ＋
Ｚｎが０．１０〜０．４０の原子比であり、Ｉｎ−Ｍｇ
の複合酸化物としては、Ｍｇ／Ｉｎ＋Ｍｇが０．１０〜
０．２０の原子比であり、Ｉｎ−Ｇａの複合酸化物とし
ては、Ｇａ／Ｉｎ＋Ｇａが０．０５〜０．１５の原子比
であり、Ｓｎ−Ｚｎの複合酸化物としては、Ｚｎ／Ｓｎ
＋Ｚｎが０．２５〜０．３５の原子比であり、Ｇａ−Ｚ
ｎの複合酸化物としては、Ｇａ／Ｚｎ＋Ｇａが０．０２
〜０．０８の原子比である複合ターゲットである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に於ける複合ターゲットと
は、バッキングプレート上のターゲットを少なくとも２
分割以上にして、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎＯ2からなるターゲッ
ト１と二種の酸化物からなるターゲット２を一つのター
ゲットとして構成する複合ターゲットである。ターゲッ
ト１としては、Ｉｎ、Ｓｎからなる複合酸化物よりな
り、Ｓｎ／Ｉｎ＋Ｓｎが０．０１〜０．２の原子比であ
ることを特徴とする。Ｓｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．
０１未満の場合は比抵抗の増加だけでなく黄色の着色が
有る。一方、０．２を越えると比抵抗の増加並びに耐薬
品性の向上によりエッチンング性の低下の問題がある。
は、バッキングプレート上のターゲットを少なくとも２
分割以上にして、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎＯ2からなるターゲッ
ト１と二種の酸化物からなるターゲット２を一つのター
ゲットとして構成する複合ターゲットである。ターゲッ
ト１としては、Ｉｎ、Ｓｎからなる複合酸化物よりな
り、Ｓｎ／Ｉｎ＋Ｓｎが０．０１〜０．２の原子比であ
ることを特徴とする。Ｓｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．
０１未満の場合は比抵抗の増加だけでなく黄色の着色が
有る。一方、０．２を越えると比抵抗の増加並びに耐薬
品性の向上によりエッチンング性の低下の問題がある。
【００１０】ターゲット２としては、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｉｎ
−Ｍｇ、Ｉｎ−Ｇａ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎの中から
選ばれる複合酸化物である。Ｉｎ−Ｚｎの複合酸化物と
しては、Ｚｎ／Ｉｎ＋Ｚｎが０．１０〜０．４０の原子
比であり、Ｉｎ−Ｍｇの複合酸化物としては、Ｍｇ／Ｉ
ｎ＋Ｍｇが０．１０〜０．２０の原子比であり、Ｉｎ−
Ｇａの複合酸化物としては、Ｇａ／Ｉｎ＋Ｇａが０．０
５〜０．１５の原子比であり、Ｓｎ−Ｚｎの複合酸化物
としては、Ｚｎ／Ｓｎ＋Ｚｎが０．２５〜０．３５の原
子比であり、Ｇａ−Ｚｎの複合酸化物としては、Ｇａ／
Ｚｎ＋Ｇａが０．０２〜０．０８の原子比である。それ
ぞれの複合酸化物について、それぞれの原子比の割合が
前述の範囲を下回るとエッチング性の向上は認められ
ず、範囲を上回ると比抵抗の増加やオバーエッチングと
いう問題がある。
−Ｍｇ、Ｉｎ−Ｇａ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎの中から
選ばれる複合酸化物である。Ｉｎ−Ｚｎの複合酸化物と
しては、Ｚｎ／Ｉｎ＋Ｚｎが０．１０〜０．４０の原子
比であり、Ｉｎ−Ｍｇの複合酸化物としては、Ｍｇ／Ｉ
ｎ＋Ｍｇが０．１０〜０．２０の原子比であり、Ｉｎ−
Ｇａの複合酸化物としては、Ｇａ／Ｉｎ＋Ｇａが０．０
５〜０．１５の原子比であり、Ｓｎ−Ｚｎの複合酸化物
としては、Ｚｎ／Ｓｎ＋Ｚｎが０．２５〜０．３５の原
子比であり、Ｇａ−Ｚｎの複合酸化物としては、Ｇａ／
Ｚｎ＋Ｇａが０．０２〜０．０８の原子比である。それ
ぞれの複合酸化物について、それぞれの原子比の割合が
前述の範囲を下回るとエッチング性の向上は認められ
ず、範囲を上回ると比抵抗の増加やオバーエッチングと
いう問題がある。
【００１１】２分割以上にターゲツトを分割する際、タ
ーゲット上で測定される磁場の強さやターゲット自体の
導電性によりスパッタレートが異なる為、最適組成の膜
を得る為には、装置に合わせた磁場の調整や配置、占有
面積に配慮する必要がある。但し、容易に出来るターゲ
ット下に配置された同一磁石によるターゲット上での磁
場の強さを均一とした時に於いては、上記組成のターゲ
ットを用いターゲット１とターゲット２専有面積を１：
１にする事で目的の透明導電性膜を得る事が出来るが、
磁石強度を換えターゲット上の磁場強さを代えた場合は
占有面積は適宜最適値を確認する必要が有る。更に分割
ターゲット間のギャップ間距離は線膨張率に配慮して決
められるもので有るが、０．３〜０．５ｍｍであれば、
低融点ロウ材の金属Ｉｎの影響は実質上問題無い。バッ
キングプレート材についても、通常用いられる銅材を用
いれば問題は無い。
ーゲット上で測定される磁場の強さやターゲット自体の
導電性によりスパッタレートが異なる為、最適組成の膜
を得る為には、装置に合わせた磁場の調整や配置、占有
面積に配慮する必要がある。但し、容易に出来るターゲ
ット下に配置された同一磁石によるターゲット上での磁
場の強さを均一とした時に於いては、上記組成のターゲ
ットを用いターゲット１とターゲット２専有面積を１：
１にする事で目的の透明導電性膜を得る事が出来るが、
磁石強度を換えターゲット上の磁場強さを代えた場合は
占有面積は適宜最適値を確認する必要が有る。更に分割
ターゲット間のギャップ間距離は線膨張率に配慮して決
められるもので有るが、０．３〜０．５ｍｍであれば、
低融点ロウ材の金属Ｉｎの影響は実質上問題無い。バッ
キングプレート材についても、通常用いられる銅材を用
いれば問題は無い。
【００１２】又、ターゲット１とターゲット２からなる
複合ターゲットにより得られる膜としては、パタン加工
に使用するエッチャントにより適宜決めるものである
が、導電性からはターゲット１のＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2が
膜全体の８０％以上の原子比を占める事が望ましい。８
０％未満で有ると比抵抗が高く成り過ぎるからである。
更に、得られた膜についてはアニール等により原子の再
配列等を図ることでより信頼性の高い透明導電膜が得ら
れる。
複合ターゲットにより得られる膜としては、パタン加工
に使用するエッチャントにより適宜決めるものである
が、導電性からはターゲット１のＩｎ2Ｏ3とＳｎＯ2が
膜全体の８０％以上の原子比を占める事が望ましい。８
０％未満で有ると比抵抗が高く成り過ぎるからである。
更に、得られた膜についてはアニール等により原子の再
配列等を図ることでより信頼性の高い透明導電膜が得ら
れる。
【００１３】
《実施例１》平均粒径０．０８μｍの酸化インジウム粉
末（Ｉｎ2Ｏ3）に平均粒径１．１μｍの酸化スズ粉末
（ＳｎＯ2）をスズ組成の原子比が０．０８と成る様に
配合し、３．４ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダーを添加
し、湿式ボールミルで１５時間混合し、乾燥、粉砕して
平均粒径５μｍ以下の粉末を作製した。更にこの粉末を
４トン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を酸素置換した
容器炉内で１５００℃で１６時間焼成し、サイズ２３０
ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット１を６個得た。焼
結密度は９３％であった。次に、平均粒径０．０８μｍ
の酸化インジウム粉末に平均粒径１．０μｍの酸化亜鉛
粉末を亜鉛組成の原子比が０．１２と成る様に配合し、
３．０ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダーを添加し、湿式
ボールミルで１５時間混合し、乾燥、粉砕して平均粒径
５μｍ以下の粉末を作製した。更にこの粉末を３．５ト
ン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を酸素置換した容器
炉内で１５００℃で１６時間焼成し、サイズ２３０ｍｍ
×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット２を６個得た。焼結密
度は９０％であった。得られたターゲット１、６個とタ
ーゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて銅のバッキングプ
レート上に図１の様に配置して接合させた。得られた複
合ターゲットを用いて表面磁界８００ガウスのＤＣマグ
ネトロンスパッタ法によって、ポリエーテルサルホンＰ
ＥＳ２００μｍ厚みにスパッタ条件としてはＡｒガス
０．４Ｐａ、酸素分圧２．５ｖｏｌ％、基板は加熱な
し、投入電力２ｗ／ｃｍ2で１時間の連続成膜を行っ
た。複合ターゲットの異常は全く認められなかった。膜
厚は１０００Åとした。成膜後の膜特性としては、比抵
抗が３×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率（ＪＩＳ−Ｋ−
７１０５．５．５）は８０％で有った。この膜を用いレ
ジストを塗布、露光、現像し、１０ｖｏｌ％の塩酸をエ
ッチャントとして４０℃の液温でギャップ５０μｍのピ
ッチ２００μｍの回路を形成した。２０秒で残差も無く
非常にシャープな回路が作製出来た。
末（Ｉｎ2Ｏ3）に平均粒径１．１μｍの酸化スズ粉末
（ＳｎＯ2）をスズ組成の原子比が０．０８と成る様に
配合し、３．４ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダーを添加
し、湿式ボールミルで１５時間混合し、乾燥、粉砕して
平均粒径５μｍ以下の粉末を作製した。更にこの粉末を
４トン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を酸素置換した
容器炉内で１５００℃で１６時間焼成し、サイズ２３０
ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット１を６個得た。焼
結密度は９３％であった。次に、平均粒径０．０８μｍ
の酸化インジウム粉末に平均粒径１．０μｍの酸化亜鉛
粉末を亜鉛組成の原子比が０．１２と成る様に配合し、
３．０ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダーを添加し、湿式
ボールミルで１５時間混合し、乾燥、粉砕して平均粒径
５μｍ以下の粉末を作製した。更にこの粉末を３．５ト
ン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を酸素置換した容器
炉内で１５００℃で１６時間焼成し、サイズ２３０ｍｍ
×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット２を６個得た。焼結密
度は９０％であった。得られたターゲット１、６個とタ
ーゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて銅のバッキングプ
レート上に図１の様に配置して接合させた。得られた複
合ターゲットを用いて表面磁界８００ガウスのＤＣマグ
ネトロンスパッタ法によって、ポリエーテルサルホンＰ
ＥＳ２００μｍ厚みにスパッタ条件としてはＡｒガス
０．４Ｐａ、酸素分圧２．５ｖｏｌ％、基板は加熱な
し、投入電力２ｗ／ｃｍ2で１時間の連続成膜を行っ
た。複合ターゲットの異常は全く認められなかった。膜
厚は１０００Åとした。成膜後の膜特性としては、比抵
抗が３×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率（ＪＩＳ−Ｋ−
７１０５．５．５）は８０％で有った。この膜を用いレ
ジストを塗布、露光、現像し、１０ｖｏｌ％の塩酸をエ
ッチャントとして４０℃の液温でギャップ５０μｍのピ
ッチ２００μｍの回路を形成した。２０秒で残差も無く
非常にシャープな回路が作製出来た。
【００１４】《実施例２》実施例１と同一にしてサイズ
２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、焼結密度は９３％の
ターゲット１を６個得た。次に、平均粒径０．０８μｍ
の酸化インジウム粉末に平均粒径１．０μｍの酸化マグ
ネシウム粉末をマグネシウム組成の原子比が０．１５と
成る様に配合し、３．０ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダ
ーを添加し、湿式ボールミルで１５時間混合し、乾燥、
粉砕して平均粒径５μｍ以下の粉末を作製した。更にこ
の粉末を３．５トン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を
酸素置換した容器炉内で１４００℃で１６時間焼成し、
サイズ２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット２を
６個得た。焼結密度は８８％であった。得られたターゲ
ット１、６個とターゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて
銅のバッキングプレート上に図１と同様の配置して接合
させた。得られた複合ターゲットを用いて表面磁界８０
０ガウスのＤＣマグネトロンスパッタ法によって、ポリ
エーテルサルホンＰＥＳ２００μｍ厚みに実施例１と同
一なスパッタ条件で同様に１時間の連続成膜を行い膜厚
は１０００Åの複合酸化膜を得た。同じく複合ターゲッ
トの異常は全く認められなかった。成膜後の膜特性とし
ては、比抵抗が７×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率は７
８％で有った。この膜を用い実施例１と同様にギャップ
５０μｍのピッチ２００μｍの回路を形成した。３５秒
で残差も無く非常にシャープな回路が作製出来た。
２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、焼結密度は９３％の
ターゲット１を６個得た。次に、平均粒径０．０８μｍ
の酸化インジウム粉末に平均粒径１．０μｍの酸化マグ
ネシウム粉末をマグネシウム組成の原子比が０．１５と
成る様に配合し、３．０ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダ
ーを添加し、湿式ボールミルで１５時間混合し、乾燥、
粉砕して平均粒径５μｍ以下の粉末を作製した。更にこ
の粉末を３．５トン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を
酸素置換した容器炉内で１４００℃で１６時間焼成し、
サイズ２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット２を
６個得た。焼結密度は８８％であった。得られたターゲ
ット１、６個とターゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて
銅のバッキングプレート上に図１と同様の配置して接合
させた。得られた複合ターゲットを用いて表面磁界８０
０ガウスのＤＣマグネトロンスパッタ法によって、ポリ
エーテルサルホンＰＥＳ２００μｍ厚みに実施例１と同
一なスパッタ条件で同様に１時間の連続成膜を行い膜厚
は１０００Åの複合酸化膜を得た。同じく複合ターゲッ
トの異常は全く認められなかった。成膜後の膜特性とし
ては、比抵抗が７×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率は７
８％で有った。この膜を用い実施例１と同様にギャップ
５０μｍのピッチ２００μｍの回路を形成した。３５秒
で残差も無く非常にシャープな回路が作製出来た。
【００１５】《実施例３》実施例１と同一にしてサイズ
２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、焼結密度は９３％の
ターゲット１を６個得た。次に、平均粒径０．０８μｍ
の酸化インジウム粉末に平均粒径１．２μｍの酸化ガリ
ウム粉末をガリウム組成の原子比が０．１と成る様に配
合し、３．０ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダーを添加
し、湿式ボールミルで１５時間混合し、乾燥、粉砕して
平均粒径５μｍ以下の粉末を作製した。更にこの粉末を
３．０トン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を酸素置換
した容器炉内で１４００℃で１６時間焼成し、サイズ２
３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット２を６個得
た。焼結密度は８７％であった。得られたターゲット
１、６個とターゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて銅の
バッキングプレート上に図１と同様の配置して接合させ
た。得られた複合ターゲットを用いて表面磁界８００ガ
ウスのＤＣマグネトロンスパッタ法によって、ポリエー
テルサルホンＰＥＳ２００μｍ厚みに実施例１と同一な
スパッタ条件で同様に１時間の連続成膜を行い膜厚は１
０００Åの複合酸化膜を得た。同じく複合ターゲットの
異常は全く認められなかった。成膜後の膜特性として
は、比抵抗が６×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率は７９
％で有った。この膜を用い実施例１と同様にギャップ５
０μｍのピッチ２００μｍの回路を形成した。３２秒で
残差も無く非常にシャープな回路が作製出来た。
２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、焼結密度は９３％の
ターゲット１を６個得た。次に、平均粒径０．０８μｍ
の酸化インジウム粉末に平均粒径１．２μｍの酸化ガリ
ウム粉末をガリウム組成の原子比が０．１と成る様に配
合し、３．０ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダーを添加
し、湿式ボールミルで１５時間混合し、乾燥、粉砕して
平均粒径５μｍ以下の粉末を作製した。更にこの粉末を
３．０トン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を酸素置換
した容器炉内で１４００℃で１６時間焼成し、サイズ２
３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット２を６個得
た。焼結密度は８７％であった。得られたターゲット
１、６個とターゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて銅の
バッキングプレート上に図１と同様の配置して接合させ
た。得られた複合ターゲットを用いて表面磁界８００ガ
ウスのＤＣマグネトロンスパッタ法によって、ポリエー
テルサルホンＰＥＳ２００μｍ厚みに実施例１と同一な
スパッタ条件で同様に１時間の連続成膜を行い膜厚は１
０００Åの複合酸化膜を得た。同じく複合ターゲットの
異常は全く認められなかった。成膜後の膜特性として
は、比抵抗が６×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率は７９
％で有った。この膜を用い実施例１と同様にギャップ５
０μｍのピッチ２００μｍの回路を形成した。３２秒で
残差も無く非常にシャープな回路が作製出来た。
【００１６】《実施例４》実施例１と同一にしてサイズ
２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、焼結密度は９３％の
ターゲット１を６個得た。次に、平均粒径１．１μｍの
酸化スズ粉末に平均粒径１．２μｍの酸化亜鉛粉末を亜
鉛組成の原子比が０．３と成る様に配合し３．０ｗｔ％
の酢酸ビニル系バインダーを添加し、湿式ボールミルで
１５時間混合し、乾燥、粉砕して平均粒径５μｍ以下の
粉末を作製した。更にこの粉末を３．０トン／ｃｍ2で
加圧成形した。成形体を酸素置換した容器炉内で１４０
０℃で１６時間焼成し、サイズ２３０ｍｍ×１６５ｍｍ
×５ｍｍターゲット２を６個得た。焼結密度は９２％で
あった。得られたターゲット１、６個とターゲット２、
６個を金属Ｉｎを用いて銅のバッキングプレート上に図
１と同様の配置して接合させた。得られた複合ターゲッ
トを用いて表面磁界８００ガウスのＤＣマグネトロンス
パッタ法によって、ポリエーテルサルホンＰＥＳ２００
μｍ厚みに実施例１と同一なスパッタ条件で同様に１時
間の連続成膜を行い膜厚は１０００Åの複合酸化膜を得
た。同じく複合ターゲットの異常は全く認められなかっ
た。成膜後の膜特性としては、比抵抗が５×１０-4Ω−
ｃｍ、全光線透過率は７８％で有った。この膜を用い実
施例１と同様にギャップ５０μｍのピッチ２００μｍの
回路を形成した。２５秒で残差も無く非常にシャープな
回路が作製出来た。
２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、焼結密度は９３％の
ターゲット１を６個得た。次に、平均粒径１．１μｍの
酸化スズ粉末に平均粒径１．２μｍの酸化亜鉛粉末を亜
鉛組成の原子比が０．３と成る様に配合し３．０ｗｔ％
の酢酸ビニル系バインダーを添加し、湿式ボールミルで
１５時間混合し、乾燥、粉砕して平均粒径５μｍ以下の
粉末を作製した。更にこの粉末を３．０トン／ｃｍ2で
加圧成形した。成形体を酸素置換した容器炉内で１４０
０℃で１６時間焼成し、サイズ２３０ｍｍ×１６５ｍｍ
×５ｍｍターゲット２を６個得た。焼結密度は９２％で
あった。得られたターゲット１、６個とターゲット２、
６個を金属Ｉｎを用いて銅のバッキングプレート上に図
１と同様の配置して接合させた。得られた複合ターゲッ
トを用いて表面磁界８００ガウスのＤＣマグネトロンス
パッタ法によって、ポリエーテルサルホンＰＥＳ２００
μｍ厚みに実施例１と同一なスパッタ条件で同様に１時
間の連続成膜を行い膜厚は１０００Åの複合酸化膜を得
た。同じく複合ターゲットの異常は全く認められなかっ
た。成膜後の膜特性としては、比抵抗が５×１０-4Ω−
ｃｍ、全光線透過率は７８％で有った。この膜を用い実
施例１と同様にギャップ５０μｍのピッチ２００μｍの
回路を形成した。２５秒で残差も無く非常にシャープな
回路が作製出来た。
【００１７】《実施例５》実施例１と同一にしてサイズ
２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、焼結密度は９３％の
ターゲット１を６個得た。次に、平均粒径１．２μｍの
酸化ガリウム粉末に平均粒径１．１μｍの酸化亜鉛粉末
をガリウム組成の原子比が０．０６と成る様に配合し
３．０ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダーを添加し、湿式
ボールミルで１５時間混合し、乾燥、粉砕して平均粒径
５μｍ以下の粉末を作製した。更にこの粉末を３．０ト
ン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を酸素置換した容器
炉内で１４００℃で１６時間焼成し、サイズ２３０ｍｍ
×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット２を６個得た。焼結密
度は８８％であった。得られたターゲット１、６個とタ
ーゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて銅のバッキングプ
レート上に図１と同様の配置して接合させた。得られた
複合ターゲットを用いて表面磁界８００ガウスのＤＣマ
グネトロンスパッタ法によって、ポリエーテルサルホン
ＰＥＳ２００μｍ厚みに実施例１と同一なスパッタ条件
で同様に１時間の連続成膜を行い膜厚は１０００Åの複
合酸化膜を得た。同じく複合ターゲットの異常は全く認
められなかった。成膜後の膜特性としては、比抵抗が２
×１０-3Ω−ｃｍ、全光線透過率は７６％で有った。こ
の膜を用い実施例１と同様にギャップ５０μｍのピッチ
２００μｍの回路を形成した。３０秒で残差も無く非常
にシャープな回路が作製出来た。
２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、焼結密度は９３％の
ターゲット１を６個得た。次に、平均粒径１．２μｍの
酸化ガリウム粉末に平均粒径１．１μｍの酸化亜鉛粉末
をガリウム組成の原子比が０．０６と成る様に配合し
３．０ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダーを添加し、湿式
ボールミルで１５時間混合し、乾燥、粉砕して平均粒径
５μｍ以下の粉末を作製した。更にこの粉末を３．０ト
ン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を酸素置換した容器
炉内で１４００℃で１６時間焼成し、サイズ２３０ｍｍ
×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット２を６個得た。焼結密
度は８８％であった。得られたターゲット１、６個とタ
ーゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて銅のバッキングプ
レート上に図１と同様の配置して接合させた。得られた
複合ターゲットを用いて表面磁界８００ガウスのＤＣマ
グネトロンスパッタ法によって、ポリエーテルサルホン
ＰＥＳ２００μｍ厚みに実施例１と同一なスパッタ条件
で同様に１時間の連続成膜を行い膜厚は１０００Åの複
合酸化膜を得た。同じく複合ターゲットの異常は全く認
められなかった。成膜後の膜特性としては、比抵抗が２
×１０-3Ω−ｃｍ、全光線透過率は７６％で有った。こ
の膜を用い実施例１と同様にギャップ５０μｍのピッチ
２００μｍの回路を形成した。３０秒で残差も無く非常
にシャープな回路が作製出来た。
【００１８】《実施例６》実施例１と同一にしてターゲ
ット１、２をサイズ２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、
でそれぞれ各６個得た。得られたターゲット１、６個と
ターゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて銅のバッキング
プレート上に図２の様に配置して接合させた。得られた
複合ターゲットを用いて表面磁界８００ガウスのＤＣマ
グネトロンスパッタ法によって、ポリエーテルサルホン
ＰＥＳ２００μｍ厚みに実施例１と同一なスパッタ条件
で同様に１時間の連続成膜を行い膜厚は１０００Åの複
合酸化膜を得た。同じく複合ターゲットの異常は全く認
められなかった。成膜後の膜特性としては、比抵抗が
２．３×１０-3Ω−ｃｍ、全光線透過率は７７％で有り
実施例１とほぼ同様の特性が得られた。この膜を用い実
施例１と同様にギャップ５０μｍのピッチ２００μｍの
回路を形成した。２０秒で残差も無く非常にシャープな
回路が作製出来た。
ット１、２をサイズ２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、
でそれぞれ各６個得た。得られたターゲット１、６個と
ターゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて銅のバッキング
プレート上に図２の様に配置して接合させた。得られた
複合ターゲットを用いて表面磁界８００ガウスのＤＣマ
グネトロンスパッタ法によって、ポリエーテルサルホン
ＰＥＳ２００μｍ厚みに実施例１と同一なスパッタ条件
で同様に１時間の連続成膜を行い膜厚は１０００Åの複
合酸化膜を得た。同じく複合ターゲットの異常は全く認
められなかった。成膜後の膜特性としては、比抵抗が
２．３×１０-3Ω−ｃｍ、全光線透過率は７７％で有り
実施例１とほぼ同様の特性が得られた。この膜を用い実
施例１と同様にギャップ５０μｍのピッチ２００μｍの
回路を形成した。２０秒で残差も無く非常にシャープな
回路が作製出来た。
【００１９】《比較例１》実施例１と同一にしてサイズ
２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、焼結密度は９３％の
ターゲット１を６個得た。次に、平均粒径０．０８μｍ
の酸化インジウム粉末に平均粒径１．０μｍの酸化亜鉛
粉末を亜鉛組成の原子比が０．５と成る様に配合し、
３．０ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダーを添加し、湿式
ボールミルで１５時間混合し、乾燥、粉砕して平均粒径
５μｍ以下の粉末を作製した。更にこの粉末を３．５ト
ン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を酸素置換した容器
炉内で１４００℃で１６時間焼成し、サイズ２３０ｍｍ
×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット２を６個得た。焼結密
度は９０％であった。得られたターゲット１、６個とタ
ーゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて銅のバッキングプ
レート上に図１と同様の配置して接合させた。得られた
複合ターゲットを用いて表面磁界８００ガウスのＤＣマ
グネトロンスパッタ法によって、ポリエーテルサルホン
ＰＥＳ２００μｍ厚みに実施例１と同一なスパッタ条件
で同様に１時間の連続成膜を行い膜厚は１０００Åの複
合酸化膜を得た。同じく複合ターゲットの異常は全く認
められなかった。成膜後の膜特性としては、比抵抗が４
×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率は７９％で有った。こ
の膜を用い実施例１と同様にギャップ５０μｍのピッチ
２００μｍの回路を形成した。１０秒で残差も無い状況
であったがオーバーエッチングになりギャップは８５μ
ｍで一部回路に変形が認められた。
２３０ｍｍ×１６５ｍｍ×５ｍｍ、焼結密度は９３％の
ターゲット１を６個得た。次に、平均粒径０．０８μｍ
の酸化インジウム粉末に平均粒径１．０μｍの酸化亜鉛
粉末を亜鉛組成の原子比が０．５と成る様に配合し、
３．０ｗｔ％の酢酸ビニル系バインダーを添加し、湿式
ボールミルで１５時間混合し、乾燥、粉砕して平均粒径
５μｍ以下の粉末を作製した。更にこの粉末を３．５ト
ン／ｃｍ2で加圧成形した。成形体を酸素置換した容器
炉内で１４００℃で１６時間焼成し、サイズ２３０ｍｍ
×１６５ｍｍ×５ｍｍターゲット２を６個得た。焼結密
度は９０％であった。得られたターゲット１、６個とタ
ーゲット２、６個を金属Ｉｎを用いて銅のバッキングプ
レート上に図１と同様の配置して接合させた。得られた
複合ターゲットを用いて表面磁界８００ガウスのＤＣマ
グネトロンスパッタ法によって、ポリエーテルサルホン
ＰＥＳ２００μｍ厚みに実施例１と同一なスパッタ条件
で同様に１時間の連続成膜を行い膜厚は１０００Åの複
合酸化膜を得た。同じく複合ターゲットの異常は全く認
められなかった。成膜後の膜特性としては、比抵抗が４
×１０-4Ω−ｃｍ、全光線透過率は７９％で有った。こ
の膜を用い実施例１と同様にギャップ５０μｍのピッチ
２００μｍの回路を形成した。１０秒で残差も無い状況
であったがオーバーエッチングになりギャップは８５μ
ｍで一部回路に変形が認められた。
【００２０】
【発明の効果】本発明により、エッチング性が良好なタ
ーゲットが工業的に提供することが可能となった。
ーゲットが工業的に提供することが可能となった。
【図１】本発明にかかるターゲットの配置図（平面図）
の一例を示す。
の一例を示す。
【図２】本発明にかかるターゲットの配置図（平面図）
の別の一例を示す。
の別の一例を示す。
【符号の説明】 ：ターゲット１ ：ターゲット２
Claims (8)
- 【請求項１】 バッキングプレート上のターゲットを、
少なくとも２分割以上にして、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎＯ2から
なるターゲット１と二種の酸化物からなるターゲット２
を一つのターゲットとして構成することを特徴とする複
合ターゲット。 - 【請求項２】 該ターゲット１はＩｎ、Ｓｎからなる複
合酸化物として、Ｓｎ／Ｉｎ＋Ｓｎが０．０１〜０．２
の原子比であることを特徴とする請求項１の複合ターゲ
ット。 - 【請求項３】 該ターゲット２としては、Ｉｎ−Ｚｎ、
Ｉｎ−Ｍｇ、Ｉｎ−Ｇａ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｇａ−Ｚｎの中
から選ばれる複合酸化物であることを特徴とする請求項
１または２記載の複合ターゲット。 - 【請求項４】 該Ｉｎ−Ｚｎの複合酸化物としては、Ｚ
ｎ／Ｉｎ＋Ｚｎが０．１０〜０．４０の原子比であるこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載の複合ターゲ
ット。 - 【請求項５】 該Ｉｎ−Ｍｇの複合酸化物としては、Ｍ
ｇ／Ｉｎ＋Ｍｇが０．１０〜０．２０の原子比であるこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載の複合ターゲ
ット。 - 【請求項６】 該Ｉｎ−Ｇａの複合酸化物としては、Ｇ
ａ／Ｉｎ＋Ｇａが０．０５〜０．１５の原子比であるこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載の複合ターゲ
ット。 - 【請求項７】 該Ｓｎ−Ｚｎの複合酸化物としては、Ｚ
ｎ／Ｓｎ＋Ｚｎが０．２５〜０．３５の原子比であるこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載の複合ターゲ
ット。 - 【請求項８】 該Ｇａ−Ｚｎの複合酸化物としては、Ｇ
ａ／Ｚｎ＋Ｇａが０．０２〜０．０８の原子比であるこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載の複合ターゲ
ット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18197096A JPH1025567A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 複合ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18197096A JPH1025567A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 複合ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1025567A true JPH1025567A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16110056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18197096A Pending JPH1025567A (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 複合ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1025567A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100029780A (ko) * | 2007-07-06 | 2010-03-17 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 산화물 소결물체와 그 제조 방법, 타겟, 및 그것을 이용해 얻어지는 투명 도전막 및 투명 도전성 기재 |
| KR20140015390A (ko) * | 2011-03-24 | 2014-02-06 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 소결체 및 그의 제조방법 |
-
1996
- 1996-07-11 JP JP18197096A patent/JPH1025567A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100029780A (ko) * | 2007-07-06 | 2010-03-17 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 산화물 소결물체와 그 제조 방법, 타겟, 및 그것을 이용해 얻어지는 투명 도전막 및 투명 도전성 기재 |
| JP2014005198A (ja) * | 2007-07-06 | 2014-01-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材 |
| US8801973B2 (en) | 2007-07-06 | 2014-08-12 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide sintered body and production method therefor, target, and transparent conductive film and transparent conductive substrate obtained by using the same |
| JP2014194084A (ja) * | 2007-07-06 | 2014-10-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電膜および透明導電性基材 |
| JP5655306B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2015-01-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材 |
| JP2015061821A (ja) * | 2007-07-06 | 2015-04-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、及びそれを用いて得られる透明導電膜ならびに透明導電性基材 |
| KR20150038463A (ko) * | 2007-07-06 | 2015-04-08 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 산화물 소결물체와 그 제조 방법, 타겟, 및 그것을 이용해 얻어지는 투명 도전막 및 투명 도전성 기재 |
| KR20150038468A (ko) * | 2007-07-06 | 2015-04-08 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 산화물 소결물체와 그 제조 방법, 타겟, 및 그것을 이용해 얻어지는 투명 도전막 및 투명 도전성 기재 |
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| JPWO2012127883A1 (ja) * | 2011-03-24 | 2014-07-24 | 出光興産株式会社 | 焼結体及びその製造方法 |
| JP5997690B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2016-09-28 | 出光興産株式会社 | 焼結体及びその製造方法 |
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