JPH10251876A - エッチング液 - Google Patents
エッチング液Info
- Publication number
- JPH10251876A JPH10251876A JP7910597A JP7910597A JPH10251876A JP H10251876 A JPH10251876 A JP H10251876A JP 7910597 A JP7910597 A JP 7910597A JP 7910597 A JP7910597 A JP 7910597A JP H10251876 A JPH10251876 A JP H10251876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chlorine
- etching
- acid
- deriv
- etching solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 混入する塩素によってエッチング速度が低下
することのないエッチング液を提供する。 【解決手段】 主剤として硫酸を１４０ｇ／ｌ、過酸化
水素を４０ｇ／ｌ、硫酸銅５水和物を１５ｇ／ｌ、ま
た、助剤としてテトラヒドロピランを５ｇ／ｌ、ペンタ
ンジオールを１５ｇ／ｌを配合してエッチング液を構成
した。
することのないエッチング液を提供する。 【解決手段】 主剤として硫酸を１４０ｇ／ｌ、過酸化
水素を４０ｇ／ｌ、硫酸銅５水和物を１５ｇ／ｌ、ま
た、助剤としてテトラヒドロピランを５ｇ／ｌ、ペンタ
ンジオールを１５ｇ／ｌを配合してエッチング液を構成
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、多層プリント基
板の製造等に際して銅箔や銅板のエッチングに用いるエ
ッチング液、詳しくは、塩素の混在によるエッチング速
度の低下を防止できるエッチング液に関する。
板の製造等に際して銅箔や銅板のエッチングに用いるエ
ッチング液、詳しくは、塩素の混在によるエッチング速
度の低下を防止できるエッチング液に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層プリント基板の製造に際しては、無
電解銅メッキ前、電解銅メッキ前、レジスト塗布前、プ
リフラックス塗布前等において清浄な銅表面を得ること
を目的に、ソフトエッチング（あるいはマイクロエッチ
ング）と称せられる軽度なエッチングが行われている。
このようなエッチングには、通常、オキソ酸と過酸化物
を混合したエッチング液が使用されており、この種のエ
ッチング液として硫酸と過酸化水素を混合した硫酸／過
酸化水素エッチング液が知られる。
電解銅メッキ前、電解銅メッキ前、レジスト塗布前、プ
リフラックス塗布前等において清浄な銅表面を得ること
を目的に、ソフトエッチング（あるいはマイクロエッチ
ング）と称せられる軽度なエッチングが行われている。
このようなエッチングには、通常、オキソ酸と過酸化物
を混合したエッチング液が使用されており、この種のエ
ッチング液として硫酸と過酸化水素を混合した硫酸／過
酸化水素エッチング液が知られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た硫酸／過酸化水素エッチング液にあっては、液中に塩
素（イオン）が混在すると塩素が銅と反応して塩化第１
銅の皮膜を銅表面に形成するため、図１に示すように、
エッチング力（エッチング速度）が低下する。そこで、
一般には、エッチング液の作成には純水等を用いて塩素
の混入の防止が図られる。ところが、多層プリント基板
の製造にはソフトエッチングの前後に水洗を行わなけれ
ばならず、この水洗には市水（一般の水道水等）が用い
られ、水洗により多層プリント基板には不可避的に塩素
が付着し、エッチングに際しての液中への塩素の混入が
避けられない。そして、上述した図１に示すように、塩
素濃度が僅かであっても（僅かな塩素の混入でも）エッ
チング速度が低下するため、エッチング速度の低下も避
けられないという問題があった。この発明は、上記問題
に鑑みてなされたもので、塩素が混入してもエッチング
速度が影響を受けることがないエッチング液を提供する
ことを目的とする。
た硫酸／過酸化水素エッチング液にあっては、液中に塩
素（イオン）が混在すると塩素が銅と反応して塩化第１
銅の皮膜を銅表面に形成するため、図１に示すように、
エッチング力（エッチング速度）が低下する。そこで、
一般には、エッチング液の作成には純水等を用いて塩素
の混入の防止が図られる。ところが、多層プリント基板
の製造にはソフトエッチングの前後に水洗を行わなけれ
ばならず、この水洗には市水（一般の水道水等）が用い
られ、水洗により多層プリント基板には不可避的に塩素
が付着し、エッチングに際しての液中への塩素の混入が
避けられない。そして、上述した図１に示すように、塩
素濃度が僅かであっても（僅かな塩素の混入でも）エッ
チング速度が低下するため、エッチング速度の低下も避
けられないという問題があった。この発明は、上記問題
に鑑みてなされたもので、塩素が混入してもエッチング
速度が影響を受けることがないエッチング液を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明にかかるエッチング液は、オキソ酸群から
選ばれた酸若しくはその誘導体の少なくとも１つ、およ
び／または、過酸化物若しくはその誘導体の少なくとも
１つを有する主剤と、環状エーテル若しくはその誘導体
の少なくとも１つ、および／または、グリコール群若し
くはその誘導体から選ばれた少なくとも１つを有する助
剤とを含む。
め、この発明にかかるエッチング液は、オキソ酸群から
選ばれた酸若しくはその誘導体の少なくとも１つ、およ
び／または、過酸化物若しくはその誘導体の少なくとも
１つを有する主剤と、環状エーテル若しくはその誘導体
の少なくとも１つ、および／または、グリコール群若し
くはその誘導体から選ばれた少なくとも１つを有する助
剤とを含む。
【０００５】そして、この発明にかかるエッチング液
は、助剤を塩素濃度に応じて１ｇ／ｌ〜５０ｇ／ｌの割
合で含む態様（請求項２）、具体的な一例を挙げれば、
塩素濃度が２０ｐｐｍであれば２０ｇ／ｌ程度の割合で
含有する。また、この発明にかかるエッチング液は、必
要に応じて、アゾールやハロゲン化物等の他の助剤を添
加することができる。アゾールはピロール、オキサゾー
ル、チアゾール等で代表され、ハロゲン化物は塩素のハ
ロゲン化物で代表され塩酸や塩等として添加される。
は、助剤を塩素濃度に応じて１ｇ／ｌ〜５０ｇ／ｌの割
合で含む態様（請求項２）、具体的な一例を挙げれば、
塩素濃度が２０ｐｐｍであれば２０ｇ／ｌ程度の割合で
含有する。また、この発明にかかるエッチング液は、必
要に応じて、アゾールやハロゲン化物等の他の助剤を添
加することができる。アゾールはピロール、オキサゾー
ル、チアゾール等で代表され、ハロゲン化物は塩素のハ
ロゲン化物で代表され塩酸や塩等として添加される。
【０００６】主剤は、オキソ酸、オキソ酸の誘導体、過
酸化物または過酸化物の誘導体から選択された１つある
いは複数を含む。オキソ酸は、下記の化１により表され
るもの、望ましくは、化１中のｍ値が２以上のものが用
いられ、硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）、硝酸、ホウ酸、過塩素酸
や塩素酸等で代表される。過酸化物は、過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）、オキソンあるいはペルオキソ酸等で代表され
るが、好ましくは、過酸化水素またはペルオキソ酸
（塩）を用いる。
酸化物または過酸化物の誘導体から選択された１つある
いは複数を含む。オキソ酸は、下記の化１により表され
るもの、望ましくは、化１中のｍ値が２以上のものが用
いられ、硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）、硝酸、ホウ酸、過塩素酸
や塩素酸等で代表される。過酸化物は、過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）、オキソンあるいはペルオキソ酸等で代表され
るが、好ましくは、過酸化水素またはペルオキソ酸
（塩）を用いる。
【０００７】
【化１】
【０００８】助剤は、環状エーテル、環状エーテルの誘
導体、グリコールまたはグリコールの誘導体から選択さ
れる１つあるいは複数を含む。環状エーテルはテトラヒ
ドロフランやテトラヒドロピラン等で代表され、グリコ
ールはブタンジオール、ペンタンジオールおよびヘキサ
ンジオールで代表される。
導体、グリコールまたはグリコールの誘導体から選択さ
れる１つあるいは複数を含む。環状エーテルはテトラヒ
ドロフランやテトラヒドロピラン等で代表され、グリコ
ールはブタンジオール、ペンタンジオールおよびヘキサ
ンジオールで代表される。
【０００９】
【作用】この発明にかかるエッチング液は、助剤の環状
エーテル若しくはグリコールが液中の塩素を捕捉し、塩
素が銅表面に塩化第１銅の皮膜を形成することを妨げる
という作用を奏すると推測され、この結果として、液中
に塩素が混在しても、主剤と銅の反応（エッチング反
応）が円滑に進行し、高いエッチング速度が得られる。
エーテル若しくはグリコールが液中の塩素を捕捉し、塩
素が銅表面に塩化第１銅の皮膜を形成することを妨げる
という作用を奏すると推測され、この結果として、液中
に塩素が混在しても、主剤と銅の反応（エッチング反
応）が円滑に進行し、高いエッチング速度が得られる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。 ・実施例１ 実施例１にかかるエッチング液は、下記の組成を有す
る。 Ｈ2 ＳＯ4 ： １４０ｇ／ｌ Ｈ2 Ｏ2 ： １４０ｇ／ｌ ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ： １５ｇ／ｌ ブタンジオール ： ２０ｇ／ｌ この実施例１は、塩素濃度が２０ｐｐｍで１．９μｍ／
ｍｉｎのエッチング速度（エッチングレート）が得ら
れ、前述した図１との比較からも明らかなように塩素の
影響を排除できることが実証された。なお、その他の条
件は図１に記載された条件と同一である。
る。 Ｈ2 ＳＯ4 ： １４０ｇ／ｌ Ｈ2 Ｏ2 ： １４０ｇ／ｌ ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ： １５ｇ／ｌ ブタンジオール ： ２０ｇ／ｌ この実施例１は、塩素濃度が２０ｐｐｍで１．９μｍ／
ｍｉｎのエッチング速度（エッチングレート）が得ら
れ、前述した図１との比較からも明らかなように塩素の
影響を排除できることが実証された。なお、その他の条
件は図１に記載された条件と同一である。
【００１１】・実施例２ 実施例２にかかるエッチング液は、下記の組成を有す
る。 Ｈ2 ＳＯ4 ： １４０ｇ／ｌ Ｈ2 Ｏ2 ： ４０ｇ／ｌ ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ： １５ｇ／ｌ テトラヒドロフラン ： １２ｇ／ｌ この実施例２も。塩素濃度が２０ｐｐｍで１．９μｍ／
ｍｉｎのエッチングレートが得られた。
る。 Ｈ2 ＳＯ4 ： １４０ｇ／ｌ Ｈ2 Ｏ2 ： ４０ｇ／ｌ ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ： １５ｇ／ｌ テトラヒドロフラン ： １２ｇ／ｌ この実施例２も。塩素濃度が２０ｐｐｍで１．９μｍ／
ｍｉｎのエッチングレートが得られた。
【００１２】・実施例３ 実施例３にかかるエッチング液は、下記の組成を有す
る。 Ｈ2 ＳＯ4 ： １４０ｇ／ｌ Ｈ2 Ｏ2 ： ４０ｇ／ｌ ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ： １５ｇ／ｌ テトラヒドロフラン ： ５ｇ／ｌ ペンタンジオール ： １５ｇ／ｌ この実施例３は、２０ｐｐｍの塩素濃度で２．０μｍ／
ｍｉｎのエッチング速度が得られた。
る。 Ｈ2 ＳＯ4 ： １４０ｇ／ｌ Ｈ2 Ｏ2 ： ４０ｇ／ｌ ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ： １５ｇ／ｌ テトラヒドロフラン ： ５ｇ／ｌ ペンタンジオール ： １５ｇ／ｌ この実施例３は、２０ｐｐｍの塩素濃度で２．０μｍ／
ｍｉｎのエッチング速度が得られた。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、オキソ酸等の主剤に環状エーテルやグリコール等の
助剤を配合してエッチング液を構成するため、液中に塩
素が存在してもエッチング速度が低下することが無く、
エッチング液を市水を用い作成してコストの低減が図
れ、また、水洗等で不可避的に混入する塩素の悪影響を
排除でき、プリント基板の製造に際しての管理が容易化
できるという効果が得られる。
ば、オキソ酸等の主剤に環状エーテルやグリコール等の
助剤を配合してエッチング液を構成するため、液中に塩
素が存在してもエッチング速度が低下することが無く、
エッチング液を市水を用い作成してコストの低減が図
れ、また、水洗等で不可避的に混入する塩素の悪影響を
排除でき、プリント基板の製造に際しての管理が容易化
できるという効果が得られる。
【図１】従来のエッチング液における液中の塩素濃度と
エッチング速度との関係を示すグラフである。
エッチング速度との関係を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 オキソ酸群から選ばれた酸若しくはその
誘導体の少なくとも１つ、および／または、過酸化物若
しくはその誘導体の少なくとも１つを有する主剤と、 環状エーテル若しくはその誘導体の少なくとも１つ、お
よび／または、グリコール群若しくはその誘導体から選
ばれた少なくとも１つを有する助剤とを含むことを特徴
とするエッチング液。 - 【請求項２】 前記助剤を１ｇ／ｌ〜５０ｇ／ｌ含む請
求項１に記載のエッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7910597A JPH10251876A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7910597A JPH10251876A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | エッチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10251876A true JPH10251876A (ja) | 1998-09-22 |
Family
ID=13680624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7910597A Pending JPH10251876A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | エッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10251876A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015078443A (ja) * | 2015-01-14 | 2015-04-23 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき用前処理剤、電気銅めっきの前処理方法及び電気銅めっき方法 |
| CN106222660A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-12-14 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | 一种cvd法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液及其低温刻蚀方法 |
-
1997
- 1997-03-14 JP JP7910597A patent/JPH10251876A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015078443A (ja) * | 2015-01-14 | 2015-04-23 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき用前処理剤、電気銅めっきの前処理方法及び電気銅めっき方法 |
| CN106222660A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-12-14 | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 | 一种cvd法制备石墨烯的低温衬底刻蚀液及其低温刻蚀方法 |
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