JPH10242235A - Substrate carrier - Google Patents

Substrate carrier

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Publication number
JPH10242235A
JPH10242235A JP4323897A JP4323897A JPH10242235A JP H10242235 A JPH10242235 A JP H10242235A JP 4323897 A JP4323897 A JP 4323897A JP 4323897 A JP4323897 A JP 4323897A JP H10242235 A JPH10242235 A JP H10242235A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
suction
support
suction port
substrate transfer
Prior art date
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Abandoned
Application number
JP4323897A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyuki Nakazawa
喜之 中澤
Ikuyoshi Nakatani
郁祥 中谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP4323897A priority Critical patent/JPH10242235A/en
Publication of JPH10242235A publication Critical patent/JPH10242235A/en
Abandoned legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the vacuum holding force from deteriorating irrespective of the attitude of a substrate and to surely vacuum-support and carry the substrate. SOLUTION: First/second vacuum holes 4a, 4b at a substrate-supporting face 4 communicate with first/second vacuum passages 4a2 , 4b2 having restorations 4a3 , 3b3 to increase the resistances of the passages 4a2 , 4b2 enough to block a large quantity of air from flowing therein if one of the holes opens. This surely suppresses the vacuum force from deterioration to surely vacuum- support and carry a substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など(以下、単に基板と称す
る)を搬送する基板搬送装置に係り、特に基板を吸着支
持して搬送する技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate transfer apparatus for transferring a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a substrate for an optical disk, and the like (hereinafter simply referred to as a substrate). In particular, the present invention relates to a technique for transporting a substrate while supporting it by suction.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種の基板搬送装置として、例
えば、図9の平面図に示すようなものが挙げられる。こ
の装置は、例えば、半導体ウエハなどの基板Wを吸着支
持する支持アーム100を備え、図示しない駆動部によ
り支持アーム100を進退駆動したり昇降駆動して基板
Wを搬送するものである。この支持アーム100は、基
端部102から延出した円弧状の基板支持面104を有
し、この基板支持面104の上面には吸引口106が形
成されている。基端部102には吸引口106に連通し
た吸引通路108が形成されており、図示しない真空ポ
ンプにより吸引通路108を吸引して、基板支持面10
4に基板Wを吸着支持するようになっている。
2. Description of the Related Art As a conventional substrate transfer apparatus of this type, there is, for example, one shown in a plan view of FIG. This apparatus includes, for example, a support arm 100 that sucks and supports a substrate W such as a semiconductor wafer, and transports the substrate W by driving the support arm 100 forward and backward or up and down by a driving unit (not shown). The support arm 100 has an arc-shaped substrate support surface 104 extending from a base end portion 102, and a suction port 106 is formed on the upper surface of the substrate support surface 104. A suction passage 108 communicating with the suction port 106 is formed in the base end portion 102, and the suction passage 108 is sucked by a vacuum pump (not shown) to
4, the substrate W is supported by suction.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、半導体ウエハなどの基板Wは、図9に
示すような弓形の切欠きであるオリエンテーションフラ
ットOFを有するものや、Vの字状の切欠きであるノッ
チ(図示省略)を有するのが一般的である。しかしなが
ら、基板Wの姿勢によっては、図9に示すように基板W
のオリエンテーションフラットOFが吸引口106の上
に位置し、吸引口106が完全に閉塞されずに開放され
た状態である場合がある。このような場合には、図中に
ハッチングで示す部分から大量の空気が流入する吸引漏
れが生じて吸着力が極端に低下するので、基板Wを強力
に吸着支持することができないという問題が生じる。こ
のように微弱な力でしか吸着支持できていない状態で支
持アーム100を駆動して基板Wを搬送すると、基板W
が落下して破損するなどの恐れがある。
However, the prior art having such a structure has the following problems. That is, the substrate W such as a semiconductor wafer generally has an orientation flat OF which is an arc-shaped notch as shown in FIG. 9 and a notch (not shown) which is a V-shaped notch. It is. However, depending on the posture of the substrate W, as shown in FIG.
Is located above the suction port 106, and the suction port 106 may be open without being completely closed. In such a case, a suction leak in which a large amount of air flows in from a portion indicated by hatching in the drawing occurs, and the suction force is extremely reduced, so that there is a problem that the substrate W cannot be strongly suction-supported. . When the support arm 100 is driven and the substrate W is transported in such a state that the substrate W can be attracted and supported only by a weak force, the substrate W
May fall and be damaged.

【0004】また、基板Wには、上記のような切欠きの
他に、処理中や搬送中に破損が生じてその一部に欠損が
生じている場合もある。このような欠損を生じている基
板Wを搬送する場合には、例え基板Wの姿勢を制御して
オリエンテーションフラットOFによる上記の不都合が
生じない姿勢で基板Wを基板支持面104に支持させて
も、その欠損部分が吸引口106の上に位置するとやは
り上記と同様の問題が生じ得る。
[0004] In addition to the above-mentioned notch, the substrate W may be damaged during processing or transport, and a part thereof may be damaged. When transferring the substrate W having such a defect, even if the posture of the substrate W is controlled and the substrate W is supported on the substrate supporting surface 104 in a posture that does not cause the above-described inconvenience due to the orientation flat OF, for example. If the missing portion is located above the suction port 106, the same problem as described above may occur.

【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、複数個の吸引口を形成するとともに各
吸引口の吸引漏れを抑制することによって、基板の姿勢
にかかわらず吸着力の低下を抑制でき、確実に基板を吸
着支持して搬送することができる基板搬送装置を提供す
ることを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and has a plurality of suction ports and suppresses a suction leak of each suction port, so that the suction force is independent of the posture of the substrate. It is an object of the present invention to provide a substrate transfer apparatus capable of suppressing a decrease in the thickness and reliably transporting the substrate while sucking and supporting it.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の基板搬送装置は、基板を支持する
支持手段と、前記支持手段を移動させる駆動手段とを備
え、基板を支持している前記支持手段を前記駆動手段に
より移動させて基板を搬送する基板搬送装置において、
前記支持手段は、基板を吸着支持するために形成されて
いる複数の吸引口と、前記吸引口に連通し、かつ一部位
に絞りが形成されている吸引通路とを備えることを特徴
とするものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. That is, the substrate transfer device according to claim 1 includes a support unit that supports the substrate, and a drive unit that moves the support unit, and the support unit that supports the substrate is moved by the drive unit. In a substrate transfer device for transferring a substrate,
The support means includes a plurality of suction ports formed for sucking and supporting the substrate, and a suction passage communicating with the suction port and having a throttle formed in a part thereof. It is.

【0007】また、請求項2に記載の基板搬送装置は、
請求項1に記載の基板搬送装置において、前記支持手段
は、基板を支持する基板支持面を有し、かつ基端部から
延出されている支持アームを備え、前記吸引口は前記基
板支持面に形成されていることを特徴とするものであ
る。
[0007] The substrate transfer device according to the second aspect of the present invention,
2. The substrate transfer device according to claim 1, wherein the support means has a substrate support surface for supporting the substrate, and includes a support arm extending from a base end, and the suction port is provided on the substrate support surface. It is characterized by being formed in.

【0008】また、請求項3に記載の基板搬送装置は、
請求項2に記載の基板搬送装置において、前記基板支持
面を、先端部が開放された円弧状に形成し、前記基板の
下面周辺部のみに当接するようにしたことを特徴とする
ものである。
[0008] The substrate transfer device according to the third aspect of the present invention,
3. The substrate transfer device according to claim 2, wherein the substrate support surface is formed in an arc shape with an open end, and is brought into contact with only a peripheral portion of a lower surface of the substrate. .

【0009】また、請求項4に記載の基板搬送装置は、
請求項1に記載の基板搬送装置において、前記支持手段
は、基板の端部を複数箇所支持する複数の支持部材を備
え、前記吸引口は前記支持部材の先端部に形成されてい
ることを特徴とするものである。
Further, the substrate transfer device according to claim 4 is
2. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the support unit includes a plurality of support members that support a plurality of end portions of the substrate, and the suction port is formed at a tip end of the support member. It is assumed that.

【0010】また、請求項5に記載の基板搬送装置は、
請求項1ないし請求項4に記載の基板搬送装置におい
て、前記絞りの流路断面積を0.5〜1.2mm2
し、前記絞りの長さを3〜8mmとしたことを特徴とす
るものである。
[0010] Further, according to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer apparatus comprising:
5. The substrate transfer device according to claim 1, wherein a flow path cross-sectional area of the throttle is 0.5 to 1.2 mm 2, and a length of the throttle is 3 to 8 mm. 6. It is.

【0011】[0011]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。支持手段に複数の吸引口を形成したので、基板に形
成されているオリエンテーションフラットなどの切欠き
部分や欠損部分がいずれかの吸引口に位置して、吸引口
の一部が閉塞されず開放されたままの状態であっても、
その他の吸引口は基板により閉塞される。複数の吸引口
の各々に連通した吸引通路の一部位には、流路断面積
(あるいは開口面積)の小さな絞りが形成されている関
係上、各絞り部分で大きな抵抗(コンダクタンスが小さ
くなる)が生じるので、開放されたままの吸引口に大量
の空気が流入する吸引漏れを抑制することができる。し
たがって、閉塞されている吸引口が受ける吸引漏れの影
響を抑制でき、吸着力の低下が抑制された状態で、駆動
手段により移動させられる支持手段によって基板を搬送
することができる。
The operation of the first aspect of the invention is as follows. Since a plurality of suction ports are formed in the support means, a cutout portion or a defective portion such as an orientation flat formed on the substrate is located at one of the suction ports, and a part of the suction port is opened without being closed. Even if you leave it
Other suction ports are closed by the substrate. At one portion of the suction passage communicating with each of the plurality of suction ports, a large resistance (reduced conductance) is formed at each of the narrowed portions because a small throttle having a small cross-sectional area (or open area) is formed in the flow passage. As a result, it is possible to suppress a suction leak in which a large amount of air flows into the suction port that is left open. Therefore, it is possible to suppress the influence of the suction leak received by the closed suction port, and it is possible to transport the substrate by the supporting unit moved by the driving unit in a state where the suction force is suppressed from being reduced.

【0012】また、請求項2に記載の発明によれば、支
持手段を、基端部から延出した基板支持面を有する支持
アームとし、その基板支持面に複数の吸引口を形成した
ので、基板支持面に基板を吸着支持する際に、切欠き部
分や欠損部分がいずれかの吸引口を開放した状態となっ
ても、その他の吸引口が受ける吸引漏れの影響を抑制で
きる。
According to the second aspect of the present invention, the support means is a support arm having a substrate support surface extending from the base end, and a plurality of suction ports are formed in the substrate support surface. When the substrate is suction-supported on the substrate support surface, even if the notch portion or the deficient portion opens any of the suction ports, the influence of suction leakage received by the other suction ports can be suppressed.

【0013】また、請求項3に記載の発明によれば、支
持アームの基板支持面を、先端部が開放された円弧状に
形成して、基板の下面周辺部だけに基板支持面が当接す
るようにしたので、基板を搬送する際には基板の下面周
辺部だけを吸着支持して、接触面積を小さくすることが
できる。したがって、基板の下面の汚染を最小限にする
ことができる。
According to the third aspect of the present invention, the substrate support surface of the support arm is formed in an arc shape with an open end, and the substrate support surface comes into contact only with the peripheral portion of the lower surface of the substrate. Thus, when the substrate is transported, only the peripheral portion of the lower surface of the substrate is suction-supported, and the contact area can be reduced. Therefore, contamination of the lower surface of the substrate can be minimized.

【0014】また、請求項4に記載の発明によれば、支
持手段は基板の端部の複数箇所を吸引口により吸着支持
する支持部材を備えているので、基板を吸着支持する際
に、切欠き部分や欠損部分がいずれかの吸引口を開放し
た状態となっても、支持部材の端部に形成されたその他
の吸引口が受ける吸引漏れの影響を抑制できる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the supporting means includes the supporting member for sucking and supporting a plurality of positions at the end of the substrate by the suction port, the supporting means is cut off when sucking and supporting the substrate. Even if the notched portion or the missing portion opens one of the suction ports, it is possible to suppress the influence of the suction leak received by the other suction ports formed at the end of the support member.

【0015】また、請求項5に記載の発明によれば、絞
り部分で生じる抵抗(またはコンダクタンス)の大きさ
によって吸引漏れの抑制度合いが大きく変わる。つま
り、絞りの流路断面積(または開口面積)が小さすぎた
り絞りの長さが長すぎると流路の抵抗が大きくなりすぎ
て(またはコンダクタンスが小さくなりすぎて)、吸着
力が得られたとしても、吸着のON/OFF時間が長く
なって処理時間に無駄が生じてしまう。その一方、流路
断面積が大きすぎたり長さが短すぎると流路の抵抗が小
さくなりすぎて(またはコンダクタンスが大きくなりす
ぎて)、大量の空気が流入することを許容することにな
って吸引漏れを抑制することができない。そこで流路断
面積(開口面積)を0.5〜0.8mm2 とし、長さを
3〜8mmとした絞りを形成することにより、流路の抵
抗(またはコンダクタンス)を適度な大きさにすること
ができる。したがって、全ての吸引口が閉塞されている
状態で適度な吸着力を発揮するとともに、一部の吸引口
が開放された状態でもその他の吸引口で十分に基板を吸
引できるだけの吸着力を生じさせることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the degree of suppression of suction leakage greatly changes depending on the magnitude of resistance (or conductance) generated at the throttle portion. That is, if the cross-sectional area (or opening area) of the flow path of the throttle is too small or the length of the throttle is too long, the resistance of the flow path becomes too large (or the conductance becomes too small), and the attraction force is obtained. Even so, the ON / OFF time of the adsorption becomes long, and the processing time is wasted. On the other hand, if the cross-sectional area of the flow path is too large or the length is too short, the resistance of the flow path becomes too small (or the conductance becomes too large), and a large amount of air is allowed to flow. Suction leakage cannot be suppressed. Therefore, by forming an aperture having a flow path cross-sectional area (opening area) of 0.5 to 0.8 mm 2 and a length of 3 to 8 mm, the resistance (or conductance) of the flow path is made appropriate. be able to. Therefore, while exerting an appropriate suction force in a state where all the suction ports are closed, a suction force enough to suck the substrate with the other suction ports even when some of the suction ports are opened is generated. be able to.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。 <第1実施例>図1および図2を参照して、実施例に係
る基板搬送装置について説明する。なお、図1は実施例
に係る基板搬送装置の概略構成を示す平面図であり、図
2はその側面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. <First Embodiment> A substrate transfer apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the substrate transfer apparatus according to the embodiment, and FIG. 2 is a side view thereof.

【0017】図中、符号1は、半導体ウエハ等の円形状
の基板Wを吸着支持する支持アームであり、基台10の
上部を水平方向(左右)に移動自在に構成された可動台
20の上部に取り付けられている。基台10の上面に
は、レール基台12を介して、図の左右方向に沿ってガ
イドレール11がネジ止め固定されている。なお、支持
アーム1は、本発明の支持手段に相当する。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a support arm for adsorbing and supporting a circular substrate W such as a semiconductor wafer or the like. The movable arm 20 is configured to be movable in the horizontal direction (left and right) above the base 10. Mounted on top. A guide rail 11 is fixed to the upper surface of the base 10 via a rail base 12 by screws along the left-right direction in the drawing. Note that the support arm 1 corresponds to the support means of the present invention.

【0018】レール基台12の一端側(図の右側)には
第1の従動プーリ13が水平軸周りで軸支され、その他
端側にはガイドレール11に並行して立設された取付け
部材14を介して第2の従動プーリ15と主動プーリ1
6が水平軸周りで軸支されている。第1/第2の従動プ
ーリ13,15の高さ方向の軸支位置はほぼ同じであ
り、主動プーリ16の軸支位置だけがそれらよりも高い
位置に設定されている。第1/第2の従動プーリ13,
15の間にはワイヤー17が張設されており、その上側
部分は電動モータ18によって回転駆動される主動プー
リ16に巻き付けられている。
A first driven pulley 13 is supported on one end side (right side in the figure) of the rail base 12 around a horizontal axis, and a mounting member erected in parallel with the guide rail 11 on the other end side. 14, the second driven pulley 15 and the driven pulley 1
6 is supported around a horizontal axis. The first / second driven pulleys 13 and 15 have substantially the same bearing position in the height direction, and only the driving pulley 16 is set at a higher position than those. First / second driven pulley 13,
A wire 17 is stretched between the wires 15, and an upper portion thereof is wound around a driving pulley 16 which is driven to rotate by an electric motor 18.

【0019】ワイヤー17の下側の一部位は、ガイドレ
ール11に摺動自在に嵌め込まれた可動ベース部材21
の張出部21aに固定されている。可動ベース部材21
にはコの字状のフレーム部材22が立設されており、こ
の上面には図示しない吸引チューブ(例えば、内径4m
m,長さ3m)を取り付けるための吸引部23aを側面
に、この吸引部23aに連通した連通穴23bを上面に
有するとともに、支持アーム1をネジ止め固定するため
の取付け穴23cを有するスペーサ23が取り付けられ
ている。上記の吸引部23aには図示しない吸引チュー
ブの一端側が取り付けられるが、フレーム部材22の内
側面に取り付けられて吸引部23a側に張り出した取付
け金具22aに一端部が取り付けられ、他端部が基台1
0に取り付けられた屈曲自在の保護部材24に吸引チュ
ーブが挿通されて、その他端側が基台10を経て真空ポ
ンプ(図示省略)に取り付けられるようになっている。
A lower portion of the wire 17 is provided with a movable base member 21 slidably fitted on the guide rail 11.
Is fixed to the overhang 21a. Movable base member 21
A U-shaped frame member 22 is provided upright, and a suction tube (not shown, for example, having an inner diameter of 4 m)
m, length 3m), a spacer 23 having a suction hole 23a on the side surface, a communication hole 23b communicating with the suction portion 23a on the upper surface, and a mounting hole 23c for fixing the support arm 1 by screwing. Is attached. One end of a suction tube (not shown) is attached to the suction unit 23a. One end is attached to a mounting bracket 22a that is attached to the inner surface of the frame member 22 and protrudes toward the suction unit 23a. Stand 1
The suction tube is inserted into the flexible protection member 24 attached to the base member 0, and the other end is attached to a vacuum pump (not shown) via the base 10.

【0020】上述した電動モータ18を駆動すると、第
1/第2の従動プーリ13,15に張設されたワイヤー
17の移動とともに、張出部21aでワイヤー17を固
定された可動ベース部材21がガイドレール11に沿っ
て摺動する。そして、上部に取り付けられた支持アーム
1とともに可動台20が図の左右方向に移動して、支持
アーム1に吸着支持した基板Wを搬送するようようにな
っている。したがって、上記ガイドレール11と、第1
/第2の従動プーリ13,15と、主動プーリ16と、
ワイヤー17と、電動モータ18とが本発明の駆動手段
に相当する。
When the above-mentioned electric motor 18 is driven, the movable base member 21 to which the wire 17 is fixed by the overhang 21a is moved together with the movement of the wire 17 stretched over the first and second driven pulleys 13 and 15. It slides along the guide rail 11. Then, the movable table 20 moves in the left-right direction in the drawing together with the support arm 1 attached to the upper portion, and conveys the substrate W sucked and supported by the support arm 1. Therefore, the guide rail 11 and the first
/ Second driven pulleys 13 and 15, driving pulley 16,
The wire 17 and the electric motor 18 correspond to a driving unit of the present invention.

【0021】次に、図3ないし図6を参照して、支持ア
ーム1について詳細に説明する。なお、図3は支持アー
ム1の平面図であり、図4はその側面図であり、図5は
下方から見た図であり、図6は図3のA−A矢視断面図
である。
Next, the support arm 1 will be described in detail with reference to FIGS. 3 is a plan view of the support arm 1, FIG. 4 is a side view thereof, FIG. 5 is a view seen from below, and FIG. 6 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【0022】支持アーム1は、薄板状の基端部2から延
出され、先端部が開放された円弧状の支持部3を有す
る。この支持部3は基端部2よりも上面が若干厚めに形
成された基板支持面4を有し、支持アーム1の移動方向
と直交する方向から進退する舌片状の支持アーム(図示
省略)との受け渡し時に干渉を回避するための凹部3a
が一端側の先端付近に形成されている。基板支持面4に
は、第1の吸引口4aと第2の吸引口4bとの2つの吸
引口が形成されている。第1の吸引口4aは基端部2付
近から凹部3a付近まで形成され、第2の吸引口4bは
基端部2付近から支持部3の先端部付近まで形成されて
いる。なお、図1に示すように、オリエンテーションフ
ラットOFが基端部2側に位置するような姿勢で基板W
を支持した際に、オリエンテーションフラットOFが第
1の吸引口4aおよび第2の吸引口4bの上に位置しな
いように形成しておくことが好ましい。
The support arm 1 has an arc-shaped support portion 3 extending from a thin plate-like base end portion 2 and having an open distal end portion. The support portion 3 has a substrate support surface 4 whose upper surface is formed slightly thicker than the base end portion 2, and a tongue-shaped support arm (not shown) that advances and retreats from a direction perpendicular to the direction in which the support arm 1 moves. 3a for avoiding interference at the time of delivery
Is formed near the tip on one end side. Two suction ports, a first suction port 4a and a second suction port 4b, are formed on the substrate support surface 4. The first suction port 4a is formed from the vicinity of the base end 2 to the vicinity of the concave portion 3a, and the second suction port 4b is formed from the vicinity of the base end 2 to the vicinity of the tip of the support portion 3. In addition, as shown in FIG. 1, the substrate W is held in such a posture that the orientation flat OF is located on the base end 2 side.
Is preferably formed so that the orientation flat OF is not positioned above the first suction port 4a and the second suction port 4b.

【0023】第1/第2の吸引口4a,4bは、それぞ
れ基端部2側で縦方向に形成された縦孔4a1 ,4b1
によって、基端部2の裏面に形成された浅溝5に連通し
ている。支持アーム1をスペーサ23にネジ止めするた
めのU字穴6の開放端側が位置する基端部2の側面から
は、浅溝5に連通した吸引用の横孔7が形成されている
とともに、基端部2の側面側には閉塞部材7bが嵌め込
まれ、その一部位には基端部2の裏面に連通した吸引孔
7aが形成されている。なお、上記の浅溝5は、例え
ば、1mm程度の深さである。
The first / second suction ports 4a, 4b are respectively formed with vertical holes 4a 1 , 4b 1 formed in the vertical direction on the base end 2 side.
Thereby, it communicates with the shallow groove 5 formed on the back surface of the base end 2. From the side surface of the base end portion 2 where the open end side of the U-shaped hole 6 for screwing the support arm 1 to the spacer 23 is located, a suction horizontal hole 7 communicating with the shallow groove 5 is formed. A closing member 7 b is fitted on the side surface of the base end 2, and a suction hole 7 a communicating with the back surface of the base end 2 is formed at a part thereof. The shallow groove 5 has a depth of about 1 mm, for example.

【0024】浅溝5には縦孔4a1 ,4b1 のそれぞれ
に連通する第1吸引通路4a2 および第2吸引通路4b
2 が形成されており、これらは上述した第1の吸引口4
aおよび第2の吸引口4bに連通している。また、第1
吸引通路4a1 および第2吸引通路4b2 は、共に吸引
路8に連通しており、U字穴6側に形成された横孔7と
吸引路8とを連通する連絡孔8aを介して吸引孔7aと
連通している。なお、図6に示すように、第1/第2吸
引通路4a2 ,4b2 の寸法は、例えば、深さB=2m
mであり、幅C=6mmである。
The first suction passage 4a 2 and the second suction passage 4b in shallow 5 communicating with the respective longitudinal hole 4a 1, 4b 1
2 are formed, and these are the first suction ports 4 described above.
a and the second suction port 4b. Also, the first
Suction passage 4a 1 and the second suction passage 4b 2 is in communication with both the suction channel 8, the suction through the communication hole 8a that communicates with the lateral hole 7 formed in the U-hole 6 side and the suction path 8 It communicates with the hole 7a. As shown in FIG. 6, the dimensions of the first / second suction passages 4a 2 and 4b 2 are, for example, depth B = 2 m.
m and the width C = 6 mm.

【0025】第1/第2吸引通路4a2 ,4b2 の一部
位には、流路断面積(開口面積)が小さな絞り4a3
4b3 が形成されている。これらの絞り4a3 ,4b3
の寸法は、上述した第1/第2の吸引口4a,4bと、
縦孔4a1 ,4b1 と、第1/第2吸引通路4a2 ,4
2 と、横孔7と、吸引孔7aと、吸引路8と、連絡孔
8aと、吸引部23aと真空ポンプ(図示省略)とを接
続する吸引チューブ(図示省略)などの寸法と、真空ポ
ンプの吸引力と、基板Wのサイズなどを勘案して設定さ
れるものである。一例を挙げると、図3および図6に示
すように、その絞り長さl=5mm、その深さa=0.
8mm、その幅b=1mmに設定される。
At one portion of the first / second suction passages 4a 2 , 4b 2 , there are apertures 4a 3 , 4a 3 having a small cross-sectional area (opening area).
4b 3 is formed. These apertures 4a 3 and 4b 3
The dimensions of the first and second suction ports 4a and 4b are as follows.
The vertical holes 4a 1 , 4b 1 and the first / second suction passages 4a 2 , 4
and b 2, a lateral hole 7, and the suction hole 7a, a suction passage 8, a contact hole 8a, and dimensions, such as the suction portion 23a and the vacuum pump suction tube connecting the (not shown) and (not shown), vacuum This is set in consideration of the suction force of the pump, the size of the substrate W, and the like. As an example, as shown in FIGS. 3 and 6, the drawing length l = 5 mm and the depth a = 0.
8 mm and its width b = 1 mm.

【0026】第1/第2吸引通路4a2 ,4b2 などが
形成されている浅溝5には、薄板状の蓋部材9が固着さ
れている。そして、図1に示すように、支持アーム1は
基端部2の吸引孔7aがスペーサ23の連通穴23bと
一致するように取付けネジ25によって取り付けられて
いる。したがって、図示しない真空ポンプおよび吸引チ
ューブによる吸引部23aの吸引が、各通路や孔を介し
て第1/第2の吸引口4a,4bにおける吸着力とな
る。
A thin plate-shaped lid member 9 is fixed to the shallow groove 5 in which the first / second suction passages 4a 2 and 4b 2 are formed. As shown in FIG. 1, the support arm 1 is mounted by mounting screws 25 such that the suction holes 7 a of the base end 2 coincide with the communication holes 23 b of the spacer 23. Therefore, the suction of the suction part 23a by the vacuum pump and the suction tube (not shown) becomes the suction force at the first / second suction ports 4a and 4b through the respective passages and holes.

【0027】したがって、図1に示すようにオリエンテ
ーションフラットOFが基端部2側に向いた姿勢で基板
Wが基板支持面4に載置された場合には、第1の吸引口
4aおよび第2の吸引口4bにより基板Wの下面周辺部
が吸引されて吸着保持される。また、上述したように支
持アーム1の基板支持面4には、第1の吸引口4aおよ
び第2の吸引口4bが形成されているとともに、これら
の各々に連通した第1吸引通路4a2 および第2吸引通
路4b2 にそれぞれ絞り4a3 ,4b3 が形成されてい
るので、第1吸引通路4a2 および第2吸引通路4b2
の流路の抵抗が大きくなっている(またはコンダクタン
スが小さくなっている)。したがって、基板Wのオリエ
ンテーションフラットOFや欠損部分が第1の吸引口4
aあるいは第2の吸引口4bのいずれか一方の部分に位
置した場合であっても、大量の空気がその吸引口から流
入する吸引漏れを抑制することができる。その結果、他
方の吸引口が吸引漏れの影響を受けることが抑制でき、
他方の吸引口における吸着力の低下を抑制できる。よっ
て、確実に基板Wを吸着保持することができ、吸着力の
低下に起因して搬送中に基板Wが落下するような不都合
を防止することができる。
Therefore, as shown in FIG. 1, when the substrate W is placed on the substrate supporting surface 4 with the orientation flat OF facing the base end 2, the first suction port 4a and the second The peripheral portion of the lower surface of the substrate W is sucked and held by the suction port 4b. Further, as described above, the first suction port 4a and the second suction port 4b are formed in the substrate support surface 4 of the support arm 1, and the first suction passages 4a 2 and because 4a 3 stop respectively to the second suction passage 4b 2, 4b 3 are formed, a first suction passage 4a 2 and the second suction passage 4b 2
The resistance of the flow path is large (or the conductance is small). Therefore, the orientation flat OF and the defective portion of the substrate W are
Even if it is located in either one of the second suction port 4a and the second suction port 4b, it is possible to suppress a suction leak in which a large amount of air flows from the suction port. As a result, the other suction port can be suppressed from being affected by suction leakage,
A decrease in the suction force at the other suction port can be suppressed. Therefore, the substrate W can be reliably held by suction, and the inconvenience of the substrate W falling during transportation due to a decrease in the suction force can be prevented.

【0028】また、上述したように支持部3は、先端部
が開放された円弧状に形成されているので、基板Wを吸
着支持した際に基板支持面4が基板Wの下面周辺部のみ
に当接し、接触面積を小さくすることができる。したが
って、基板Wの汚染を最小限にできるとともに、順次に
基板Wを吸着支持することによる相互汚染などを防止す
ることができる。
Further, as described above, since the supporting portion 3 is formed in an arc shape having an open end, when the substrate W is suction-supported, the substrate supporting surface 4 is formed only at the peripheral portion of the lower surface of the substrate W. The contact area can be reduced. Therefore, the contamination of the substrate W can be minimized, and the cross-contamination due to successively supporting the substrate W by suction can be prevented.

【0029】なお、上述した絞り4a3 ,4b3 は、そ
の流路断面積(a×b)を0.5〜1.2mm2 の範囲
で、絞り長さlを3〜8mmの範囲で設定することが好
ましい。つまり、流路断面積が下限より小さく絞り長さ
が上限より長いと流路の抵抗が大きくなりすぎて(また
はコンダクタンスが小さくなりすぎて)、第1/第2の
吸引口4a,4bの両吸引口が基板Wで閉塞されている
場合に、吸着力は得られたとしても、吸着のON/OF
F時間が長くなって処理時間が無駄になる。その一方、
流路断面積が上限より大きく絞り長さが下限より短いと
流路の抵抗が小さくなりすぎて(またはコンダクタンス
が大きくなりすぎて)、第1/第2の吸引口4a,4b
のいずれか一方が開放されたままの場合に、そこから大
量の空気が流入することになって吸引漏れを抑制するこ
とができない。
The apertures 4a 3 and 4b 3 described above have their flow path cross-sectional areas (a × b) set in the range of 0.5 to 1.2 mm 2 and their throttle lengths l set in the range of 3 to 8 mm. Is preferred. In other words, if the cross-sectional area of the flow path is smaller than the lower limit and the throttle length is longer than the upper limit, the resistance of the flow path becomes too large (or the conductance becomes too small), and both of the first and second suction ports 4a and 4b. When the suction port is closed by the substrate W, even if suction force is obtained, ON / OF of suction is performed.
The processing time is wasted because the F time becomes long. On the other hand,
If the flow path cross-sectional area is larger than the upper limit and the constriction length is shorter than the lower limit, the resistance of the flow path becomes too small (or the conductance becomes too large), and the first / second suction ports 4a, 4b are formed.
If either one of them is left open, a large amount of air flows in therefrom, and it is not possible to suppress the suction leakage.

【0030】次に、上述した構成の支持アーム1の2つ
の吸引口のいずれか一方が開放された状態での吸着力を
計算によって算出する。また、基板Wは8インチ径の半
導体ウエハ(約53g)であり、この基板Wを吸着支持
するために上記のように構成された支持アーム1を例に
採って計算する。また、上述した第1の吸引口4aおよ
び第2の吸引口4bの開口面積(2.3cm2)は計算の簡略化
のため同一であるとする。
Next, the suction force in a state where one of the two suction ports of the support arm 1 having the above-described configuration is opened is calculated by calculation. The substrate W is an 8-inch diameter semiconductor wafer (approximately 53 g), and the calculation is performed by taking the support arm 1 configured as described above as an example to suck and support the substrate W. The opening area (2.3 cm 2 ) of the first suction port 4a and the second suction port 4b described above is assumed to be the same for simplification of calculation.

【0031】まず、図示しない吸引チューブから第1/
第2の吸引口4a,4bまでの合成コンダクタンス Cを
算出する。なお、実際に測定した結果、支持アーム1の
吸引元となる吸引部23aの吸引圧力が-55kPaであった
ので、この吸引圧力を大気圧との差分から p1 = 46kPa
とし、図示しない吸引ポンプの吸引圧力が-72kPaであっ
たので、上記同様にして p2= 29kPaとする。また、第1
/第2の吸引口4a,4bの出口における圧力は大気圧
(p3 = 101kPa) に等しいものとする。
First, a 1/1 / th suction tube (not shown) is used.
The combined conductance C up to the second suction ports 4a and 4b is calculated. Note that actually measured results, since the suction pressure of the suction portion 23a serving as a suction source the support arm 1 was -55kPa, p 1 = 46kPa this suction pressure from the difference between the atmospheric pressure
Since the suction pressure of a suction pump (not shown) was -72 kPa, p 2 was set to 29 kPa in the same manner as described above. Also, the first
/ The pressure at the outlet of the second suction ports 4a, 4b is atmospheric pressure
(p 3 = 101 kPa).

【0032】吸引チューブ( 内径d=4mm ,長さl=3m) の
コンダクタンス CT は、断面形状が円形であるので形態
係数を1349とすると、 CT = 1349・(d4/l)・(p1+p2)/2 = 1349・(0.0044/3)・( 46×103 + 29×103)/2 = 4.3 ×10-3 [m3/s] となる。
The conductance C T of the suction tube (inner diameter d = 4 mm, length l = 3 m) is circular, and the cross-sectional shape is circular, so if the view factor is 1349, C T = 1349 · (d 4 / l) · ( p 1 + p 2) / 2 = 1349 · (0.004 4/3) · (46 × 10 3 + 29 × 10 3) / 2 = 4.3 × a 10 -3 [m 3 / s] .

【0033】支持アーム1内の、絞り4a3 ,4b3
前後に形成されている第1/第2吸引通路4a2 ,4b
2 (A=2mm,B=6mm)を含む流路(l=90mm ×2)の各コンダク
タンス CA1,CA2は、断面形状が角形の場合の補正係数K
15 がA/B = 0.33 であるのでK15=0.58とし、断面形状
が角形であるので形態係数を1988とすると、 CA1 = 1988 ・(A2B2/l)・(p1+p3)/2 ・K15 = 1988 ×(0.0022 ×0.0062)/0.09×((46×103+101 ×103)/2) ×0.58 = 0.136 [m3/s] となる。 なお、第1/第2吸引通路4a2 ,4b2 はそれぞれ形
状が異なるが、計算の簡略化のために同一形状とする
と、上記と同様に、 CA2 = 0.136 [m3/s] となる。
First and second suction passages 4a 2 and 4b formed before and after the throttles 4a 3 and 4b 3 in the support arm 1.
2 The conductances C A1 and C A2 of the flow path (l = 90mm × 2) including (A = 2mm, B = 6mm) are the correction coefficient K when the cross section is square.
Since 15 has A / B = 0.33, K 15 = 0.58, and since the cross-sectional shape is square, the view factor is 1988.If C A1 = 1988 ・ (A 2 B 2 / l) ・ (p 1 + p 3 ) / 2 · K 15 = 1988 × (0.002 2 × 0.006 2) /0.09× ((46 × 10 3 +101 × 10 3) / 2) a × 0.58 = 0.136 [m 3 / s]. Although the first and second suction passages 4a 2 and 4b 2 have different shapes, if they have the same shape for simplicity of calculation, CA 2 = 0.136 [m 3 / s] as described above. .

【0034】吸引部23aの吸引圧力p1と吸引口4a,
4bの圧力p3とから、絞り4a3,4b3(a=0.8mm, b=1m
m,l=5mm)のコンダクタンス Cofを算出すると、断面形
状が角形の場合の補正係数K15 がa/b = 0.8 であるので
K15=0.98とし、断面形状が角形であるので形態係数を19
88とすると、 Cof = 1988 ・a2b2/l・(p1+p3)/2 ・K15 = 1988 ×(0.00082×0.0012)/0.005 ×((46×103+101 ×103)/2) ×0.98 = 1.8×10-2 [m3/s] となる。
[0034] and the suction pressure p 1 of the suction portion 23a suction port 4a,
From the pressure p 3 of 4b, the diaphragms 4a 3 , 4b 3 (a = 0.8 mm, b = 1m
m, calculating the conductance C of the l = 5 mm), the correction factor K 15 when the cross-sectional shape of the square is at a / b = 0.8
K 15 = 0.98, and the cross-sectional shape is square, so the view factor is 19
Assuming 88, C of = 1988a 2 b 2 / l ・ (p 1 + p 3 ) / 2K 15 = 1988 × (0.0008 2 × 0.001 2 ) /0.005 × ((46 × 10 3 +101 × 10 3 ) / 2) × 0.98 = 1.8 × 10 -2 [m 3 / s].

【0035】これらから流路の合成コンダクタンス C
は、 1/C = 1/CT + 1/CA1 + 1/CA2 + 1/Cof = 3.3×10-3 [m3/s] となる。
From these, the synthetic conductance C of the flow channel
Is 1 / C = 1 / C T + 1 / C A1 + 1 / C A2 + 1 / C of = 3.3 × 10 −3 [m 3 / s].

【0036】流路の排気速度 Sは、真空ポンプの排気速
度をS0 = 50l/min = 8.3×10-4[m3/s]とすると、 S = S0C/(S0 + C) = 8.3×10-4× 3.3×10-3/(8.3 ×10-4 + 3.3×10-3) = 6.6×10-4 [m3/s] となる。
When the pumping speed S of the vacuum pump is S 0 = 50 l / min = 8.3 × 10 −4 [m 3 / s], the pumping speed S of the flow path is: S = S 0 C / (S 0 + C) = 8.3 × 10 -4 × 3.3 × 10 -3 /(8.3 × 10 -4 + 3.3 × 10 -3 ) = 6.6 × 10 -4 [m 3 / s].

【0037】真空ポンプの吸引圧力p2と吸引口における
圧力p3とから、支持アーム1による漏れ量 Ql を算出す
ると、 Ql = C(p3 - p2) = 3.3 ×10-3(101×103-29×103) = 237.6 [Pa・m3/s] となる。
[0037] From the pressure p 3 Prefecture in the suction pressure p 2 and the suction port of the vacuum pump, when calculating the amount of leakage Q l by the support arms 1, Q l = C (p 3 - p 2) = 3.3 × 10 -3 ( 101 × 10 3 -29 × 10 3 ) = 237.6 [Pa · m 3 / s].

【0038】上記の CA2,Cofより、支持アーム1の漏れ
分のコンダクタンス C' を算出すると、 1/C' = 1/C A2 + 1/Cof = 1.6×10-2 [m3/s] となる。
When the conductance C ′ of the leakage of the support arm 1 is calculated from the above C A2 and C of , 1 / C ′ = 1 / C A2 + 1 / C of = 1.6 × 10 −2 [m 3 / s].

【0039】支持アーム1による漏れ量 Ql と、支持ア
ーム1の漏れ分のコンダクタンス C' と、第1/第2の
吸引口4a,4bにおける圧力p3との関係から、第1/
第2の吸引口4a,4bのうちいずれか一方が開放され
ている状態における流路内の圧力 px を求めると、Ql =
C'(p3 -px ) の関係から、 237.6 = 1.6 ×10-2( 101 ×103 -px ) ∴ px = 101 ×103 - 237.6 / 1.6 ×10-2 = 86×103 [Pa] となる。
[0039] and the leakage amount Q l by the support arm 1, the conductance C 'leakage amount of the support arm 1, first / second suction ports 4a, the relationship between the pressure p 3 in 4b, the first /
When the pressure p x in the flow path in a state where one of the second suction ports 4a and 4b is open, Q l =
C 'from the relationship (p 3 -p x), 237.6 = 1.6 × 10 -2 (101 × 10 3 -p x) ∴ p x = 101 × 10 3 - 237.6 / 1.6 × 10 -2 = 86 × 10 3 [Pa].

【0040】したがって、支持アーム1の第1/第2の
吸引口4a,4bのうちいずれか一方が基板Wにより閉
塞されずに開放されている状態での吸着力 PVAC は、 PVAC = p3 - px = 101 ×103 - 86×103 = 15×103 [Pa] = 0.153 [ kgf/cm2] となる。
Therefore, the suction force P VAC in a state where one of the first and second suction ports 4a and 4b of the support arm 1 is opened without being closed by the substrate W is P VAC = p 3 - p x = 101 × 10 3 - 86 × 10 3 = 15 × 10 3 [Pa] = 0.153 a [kgf / cm 2].

【0041】よって、第1/第2の吸引口4a,4bの
開口面積を 2.3cm2 とすると、その状態における基板W
の吸着力は、 2.3 × 0.153 = 0.35 [ kgf] ≒ 350 [gf]となる。
Therefore, if the opening area of the first / second suction ports 4a, 4b is 2.3 cm 2 , the substrate W
Is 2.3 × 0.153 = 0.35 [kgf] ≒ 350 [gf].

【0042】つまり、吸引漏れがある場合でも『350
gf』もの吸着力が得られることになり、切欠きや欠損
がいずれか一方の吸引口に位置しても約53gの8イン
チ径の基板Wを十分に吸着することができる。したがっ
て、搬送時に基板Wが落下するような不都合が防止でき
る。
That is, even if there is a suction leak, "350
gf ”of suction force can be obtained, and even if a notch or a defect is located at one of the suction ports, a substrate W of about 53 g and 8 inches in diameter can be sufficiently suctioned. Therefore, it is possible to prevent such a problem that the substrate W drops during the transfer.

【0043】なお、上記の実施例では、支持アーム1の
基板支持面4に第1の吸引口4aおよび第2の吸引口4
bの2個の吸引口を形成したが、本発明はこの個数に限
定されるものではなく吸引口が複数個であって、かつ、
各吸引口に連通する吸引通路が形成されてそれぞれの一
部位に絞りが形成されていればよい。
In the above embodiment, the first suction port 4a and the second suction port 4a are provided on the substrate support surface 4 of the support arm 1.
Although two suction ports b were formed, the present invention is not limited to this number, and the number of suction ports is plural, and
It is only necessary that a suction passage communicating with each suction port is formed, and a throttle is formed at one portion of each suction passage.

【0044】また、支持アーム1の支持部3は上述した
ような円形状のものに限定されるものではなく、舌片状
の支持部であっても本発明を適用することができる。
The support portion 3 of the support arm 1 is not limited to the circular shape as described above, and the present invention can be applied to a tongue-shaped support portion.

【0045】<第2実施例>上記の第1実施例では、支
持アーム1によって円形状の基板Wを吸着支持する基板
搬送装置を例に採って説明したが、この実施例では液晶
表示装置などに用いられる角形の基板Wを支持機構によ
って複数箇所吸着支持して搬送する装置を例に採って説
明する。なお、図7は実施例に係る基板搬送装置の概略
構成を示す平面図であり、図8はその側面図である。
<Second Embodiment> In the above-described first embodiment, a substrate transfer device in which a circular substrate W is suction-supported by the support arm 1 has been described as an example. In this embodiment, a liquid crystal display device or the like is used. An apparatus for sucking and supporting a rectangular substrate W at a plurality of locations by a support mechanism and transporting the same will be described as an example. FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of the substrate transfer apparatus according to the embodiment, and FIG. 8 is a side view thereof.

【0046】角形の基板Wは、その上面の4隅を支持機
構30によって吸着支持され、支持機構30を懸垂支持
する懸垂機構40を介して基台50によって旋回・昇降
されるようになっている。なお、基台50は、本発明の
駆動手段に相当する。
The four corners of the upper surface of the rectangular substrate W are sucked and supported by the support mechanism 30, and the substrate W is turned and raised / lowered by the base 50 via the suspension mechanism 40 that suspends and supports the support mechanism 30. . In addition, the base 50 corresponds to the driving unit of the present invention.

【0047】本発明の支持手段に相当する支持機構30
は4本の支持部材30aによって構成されており、各支
持部材30aの下端部には吸着部30bが配設されてい
る。各吸着部30bの下面には、吸引口30cが形成さ
れている。各吸引口30cは、各支持部材30a内に長
手方向に沿って形成されている吸引通路30dにそれぞ
れ連通している。
A support mechanism 30 corresponding to the support means of the present invention
Is constituted by four support members 30a, and a suction portion 30b is provided at the lower end of each support member 30a. A suction port 30c is formed on the lower surface of each suction section 30b. Each suction port 30c communicates with a suction passage 30d formed in each support member 30a along the longitudinal direction.

【0048】先端部側の2本の支持部材30aは、連結
部41によりそれぞれ懸垂機構40の第1支持アーム4
2の先端部付近に取り付けられている。基台50側の2
本の支持部材30aは、側方に張り出し形成された張出
連結部43により第2支持アーム44の先端部付近に取
り付けられ、第2支持アーム44の外側に張り出して懸
垂支持されている。これにより各吸引口30cが基板W
の四隅に位置するようになっている。
The two support members 30a on the distal end side are connected to the first support arms 4 of the suspension mechanism 40 by the connecting portions 41, respectively.
2 near the tip. 2 on the base 50 side
The book support member 30a is attached to the vicinity of the distal end of the second support arm 44 by a projecting connecting portion 43 formed to project laterally, and is suspended and supported outside the second support arm 44. Thereby, each suction port 30c is connected to the substrate W
Are located at the four corners.

【0049】第1支持アーム42および第2支持アーム
44内には、支持部材30aの吸引通路30dに連通す
る水平吸引通路42aが形成されており、各水平吸引通
路42aは基台50内に形成された1つの吸引路50a
に連通接続されている。吸引路50aは、図示しない吸
引ホースを介して真空ポンプに接続されている。
A horizontal suction passage 42a communicating with the suction passage 30d of the support member 30a is formed in the first support arm 42 and the second support arm 44. Each horizontal suction passage 42a is formed in the base 50. One suction path 50a
Is connected to the The suction passage 50a is connected to a vacuum pump via a suction hose (not shown).

【0050】上述した各吸引口30cに至る各吸引通路
30dの一部位には、開口面積が小さな絞り30d1
それぞれに形成されており、各吸引通路30dの流路の
抵抗が大きく(またはコンダクタンスが小さく)なるよ
うに設定されている。なお、この絞り30d1 の開口面
積や絞り長さは、上述した第1実施例と同様に、吸引口
30cと、各吸引通路30dと、水平吸引通路42a
と、吸引路50aと、図示しない吸引ホースなどの寸法
と、真空ポンプの吸引力と、基板Wのサイズなどを勘案
して設定されるものである。
[0050] Some position of each suction passage 30d leading to the suction port 30c as described above, the opening area is formed in each of the small aperture 30d 1, the resistance of the flow path of the suction passage 30d is large (or conductance Is smaller). The aperture area and the aperture length of the aperture 30d 1, as in the first embodiment described above, the suction port 30c, and the suction passage 30d, horizontal suction passage 42a
The suction path 50a, dimensions of a suction hose (not shown), the suction force of a vacuum pump, the size of the substrate W, and the like are set.

【0051】このように構成されている基板搬送装置の
場合、例えば、搬送中に生じ得る振動により4個の吸引
口30cのうちいずれかが基板Wの上面から離れたり、
基板Wの欠損などにより基板Wの上面を吸着できない場
合があったとしても、各吸引通路30dには絞り30d
1 が形成されて流路の抵抗が大きくされているので、そ
の吸引口30cから周囲の空気が大量に流れ込む吸引漏
れを抑制することができる。その結果、基板W上面を吸
引している吸引口30cが吸引漏れの影響を受けること
が抑制できて、吸着力の低下を抑制することができる。
よって、基板Wの姿勢に係わらず確実に基板Wを吸着保
持することができ、吸着力の低下に起因して搬送中に基
板Wが落下するような事態を回避することができる。
In the case of the substrate transfer apparatus configured as described above, for example, one of the four suction ports 30c may be separated from the upper surface of the substrate W due to vibration that may occur during the transfer.
Even if the upper surface of the substrate W cannot be suctioned due to a defect of the substrate W, etc., each of the suction passages 30d has a throttle 30d.
Since 1 is formed and the resistance of the flow path is increased, it is possible to suppress a suction leak in which a large amount of ambient air flows from the suction port 30c. As a result, the suction port 30c that sucks the upper surface of the substrate W can be prevented from being affected by the suction leak, and a decrease in the suction force can be suppressed.
Therefore, the substrate W can be securely held by suction irrespective of the posture of the substrate W, and it is possible to avoid a situation where the substrate W falls during transportation due to a decrease in the suction force.

【0052】なお、上述した第1実施例および第2実施
例では、絞り4a3 ,4b3 ,30d1 を、第1/第2
吸引通路4a2 ,4b2 および吸引通路30dの流路を
狭くすることによって形成したが、吸引通路内に開口面
積が小さな部材を配設して流路の抵抗を大きく(コンダ
クタンスを小さく)するようにしてもよい。
In the first and second embodiments described above, the diaphragms 4a 3 , 4b 3 , and 30d 1 are set to the first / second
The suction passages 4a 2 , 4b 2 and the suction passage 30d are formed by making the flow passages narrow. However, a member having a small opening area is arranged in the suction passage so that the flow passage resistance is increased (conductance is reduced). It may be.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、複数の吸引口の各々に連通し
た吸引通路の各絞り部分において抵抗が大きくなる(ま
たはコンダクタンスが小さくなる)ので、開放された吸
引口からの吸引漏れを抑制することができる。したがっ
て、閉塞されている吸引口が開放された吸引口から受け
る吸引漏れの影響を抑制でき、吸着力の低下を抑制でき
る。その結果、切欠き部分や欠損部分が吸引口を開放す
るような姿勢で基板を支持しても、その他の吸引口にお
ける吸着力の低下を抑制できて、確実に基板を吸着支持
して搬送することができる。
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, the resistance is increased (or the conductance is reduced) at each throttle portion of the suction passage communicating with each of the plurality of suction ports. Therefore, suction leakage from the opened suction port can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the influence of the suction leak that the closed suction port receives from the opened suction port, and it is possible to suppress a decrease in the suction force. As a result, even when the substrate is supported in such a position that the cutout portion or the defective portion opens the suction port, a decrease in the suction force at the other suction ports can be suppressed, and the substrate is surely suction supported and transported. be able to.

【0054】また、請求項2に記載の発明によれば、支
持アームの基板支持面に基板を吸着支持する際に、切欠
き部分や欠損部分がいずれかの吸引口を開放した状態と
なっても、その他の吸引口が受ける吸引漏れの影響を抑
制できる。したがって、切欠き部分や欠損部分が吸引口
を開放するような姿勢で基板を支持したとしても、その
他の吸引口における吸着力の低下を抑制できて、支持ア
ームによって確実に基板を吸着支持して搬送することが
できる。
According to the second aspect of the present invention, when the substrate is sucked and supported on the substrate support surface of the support arm, the notch portion or the missing portion is in a state where one of the suction ports is opened. Also, it is possible to suppress the influence of the suction leak received by the other suction ports. Therefore, even if the substrate is supported in such a position that the notch portion or the defective portion opens the suction port, a decrease in the suction force at the other suction ports can be suppressed, and the substrate is reliably suction-supported by the support arm. Can be transported.

【0055】また、請求項3に記載の発明によれば、基
板を搬送する際に基板の下面周辺部だけを吸着支持し
て、接触面積を小さくすることができるので、基板下面
の汚染を最小限にして搬送する支持アームとすることが
できる。特に、円形状の基板の搬送に好適なものとする
ことができる。
According to the third aspect of the present invention, when the substrate is transported, only the peripheral portion of the lower surface of the substrate is sucked and supported, and the contact area can be reduced, so that contamination on the lower surface of the substrate is minimized. The arm can be a support arm that conveys only as much as possible. In particular, it can be suitable for transporting a circular substrate.

【0056】また、請求項4に記載の発明によれば、支
持手段の支持部材の端部で基板を吸着支持する際に、切
欠き部分や欠損部分がいずれかの吸引口を開放した状態
となっても、その他の吸引口が受ける吸引漏れの影響を
抑制できる。したがって、切欠き部分や欠損部分が吸引
口を開放するような姿勢で基板を支持したとしても、そ
の他の吸引口における吸着力の低下を抑制できて、支持
手段によって確実に基板を吸着支持して搬送することが
できる。特に、複数箇所を吸着支持して搬送する角形の
基板に好適なものとすることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, when the substrate is sucked and supported at the end of the support member of the support means, the cutout portion or the cutout portion opens one of the suction ports. Even so, it is possible to suppress the influence of the suction leak received by the other suction ports. Therefore, even if the substrate is supported in such a position that the notched portion or the defective portion opens the suction port, a decrease in the suction force at the other suction ports can be suppressed, and the substrate is surely suction-supported by the support means. Can be transported. In particular, the present invention can be suitably applied to a rectangular substrate that conveys a plurality of locations while supporting it by suction.

【0057】また、請求項5に記載の発明によれば、各
吸引通路の抵抗(またはコンダクタンス)を適度な大き
さにすることができるので、全ての吸引口が閉塞されて
いる状態で適度な吸着力を発揮させることができるとと
もに、一部の吸引口が開放されてもその他の吸引口で十
分な吸着力を生じさせることができる。
Further, according to the fifth aspect of the present invention, the resistance (or conductance) of each suction passage can be made appropriate, so that all suction passages are properly closed in a closed state. The suction force can be exhibited, and even if some of the suction ports are opened, the other suction ports can generate a sufficient suction force.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施例に係る基板搬送装置の概略構成を示
す平面図である。
FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration of a substrate transfer device according to a first embodiment.

【図2】図1の側面図である。FIG. 2 is a side view of FIG.

【図3】支持アームの平面図である。FIG. 3 is a plan view of a support arm.

【図4】支持アームの側面図である。FIG. 4 is a side view of the support arm.

【図5】図4を下方から見た図である。FIG. 5 is a view of FIG. 4 as viewed from below.

【図6】図3のA−A矢視断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 3;

【図7】第2実施例に係る基板搬送装置の概略構成を示
す平面図である。
FIG. 7 is a plan view illustrating a schematic configuration of a substrate transfer device according to a second embodiment.

【図8】図7の側面図である。FIG. 8 is a side view of FIG. 7;

【図9】従来例に係る基板搬送装置の支持アームを示す
平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing a support arm of a conventional substrate transfer device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W … 基板 1 … 支持アーム(支持手段) 2 … 基端部 4 … 基板支持面 4a … 第1の吸引口 4b … 第2の吸引口 4a2 … 第1吸引通路 4b2 … 第2吸引通路 4a3 ,4b3 … 絞り 11 … ガイドレール(駆動手段) 18 … 電動モータ(駆動手段) 20 … 可動台 30 … 支持機構(支持手段) 30a … 支持部材 30c … 吸引口 30d … 吸引通路 30d1 … 絞り 40 … 懸垂機構 50 … 基台(駆動手段)W ... substrate 1 ... supporting arm (supporting means) 2 ... proximal end 4 ... substrate supporting surface 4a ... first suction port 4b ... second suction ports 4a 2 ... first suction passage 4b 2 ... second suction passage 4a Reference numeral 3 , 4b 3 ··· diaphragm 11 ··· guide rail (drive means) 18 ··· electric motor (drive means) 20 ··· movable table 30 ··· support mechanism (support means) 30a ··· support member 30c ··· suction port 30d ··· suction path 30d 1 ··· diaphragm 40 ... suspension mechanism 50 ... base (drive means)

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を支持する支持手段と、前記支持手
段を移動させる駆動手段とを備え、基板を支持している
前記支持手段を前記駆動手段により移動させて基板を搬
送する基板搬送装置において、 前記支持手段は、基板を吸着支持するために形成されて
いる複数の吸引口と、前記吸引口に連通し、かつ一部位
に絞りが形成されている吸引通路とを備えることを特徴
とする基板搬送装置。
1. A substrate transfer apparatus, comprising: a support means for supporting a substrate; and a driving means for moving the support means, wherein the support means for supporting the substrate is moved by the drive means to transfer the substrate. The support means includes a plurality of suction ports formed to support the substrate by suction, and a suction passage communicating with the suction port and having a throttle formed in a part thereof. Substrate transfer device.
【請求項2】 請求項1に記載の基板搬送装置におい
て、前記支持手段は、基板を支持する基板支持面を有
し、かつ基端部から延出されている支持アームを備え、
前記吸引口は前記基板支持面に形成されていることを特
徴とする基板搬送装置。
2. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein said support means has a substrate support surface for supporting a substrate, and includes a support arm extending from a base end,
The substrate transfer device, wherein the suction port is formed in the substrate support surface.
【請求項3】 請求項2に記載の基板搬送装置におい
て、前記基板支持面を、先端部が開放された円弧状に形
成し、前記基板の下面周辺部のみに当接するようにした
ことを特徴とする基板搬送装置。
3. The substrate transfer device according to claim 2, wherein the substrate support surface is formed in an arc shape with an open end, and is in contact with only a peripheral portion of a lower surface of the substrate. Substrate transfer device.
【請求項4】 請求項1に記載の基板搬送装置におい
て、前記支持手段は、基板の端部を複数箇所支持する複
数の支持部材を備え、前記吸引口は前記支持部材の先端
部に形成されていることを特徴とする基板搬送装置。
4. The substrate transfer device according to claim 1, wherein the support means includes a plurality of support members for supporting a plurality of end portions of the substrate, and the suction port is formed at a tip end of the support member. A substrate transfer device characterized by:
【請求項5】 請求項1ないし請求項4に記載の基板搬
送装置において、前記絞りの流路断面積を0.5〜1.
2mm2 とし、前記絞りの長さを3〜8mmとしたこと
を特徴とする基板搬送装置。
5. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein a flow path cross-sectional area of said throttle is 0.5 to 1.
2. The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the length of the aperture is 3 to 8 mm.
JP4323897A 1997-02-27 1997-02-27 Substrate carrier Abandoned JPH10242235A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006229027A (en) * 2005-02-18 2006-08-31 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer transfer device
JP2008227491A (en) * 2007-03-09 2008-09-25 Applied Materials Inc High temperature anti-droop end effector for substrate transfer

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