JPH10233637A - 高周波電子回路 - Google Patents
高周波電子回路Info
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- JPH10233637A JPH10233637A JP3595597A JP3595597A JPH10233637A JP H10233637 A JPH10233637 A JP H10233637A JP 3595597 A JP3595597 A JP 3595597A JP 3595597 A JP3595597 A JP 3595597A JP H10233637 A JPH10233637 A JP H10233637A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウイルキンソンデバイダ又はウイルキンソンコ
ンバイナを有する高周波電子回路に関し、マイクロ波や
ミリ波の信号処理に用いられるウイルキンソンデバイダ
又はウイルキンソンコンバイナを有する回路の異常発振
を防止すること。 【解決手段】ウイルキンソンデバイダ２と、前記ウイル
キンソンデバイダ２の複数の出力ポート３，４の間を接
続する抵抗１０、キャパシタ１１及び配線９と、前記ウ
イルキンソンデバイダ３の入力ポート５に接続されるフ
ィルタ７とを含み構成する。
ンバイナを有する高周波電子回路に関し、マイクロ波や
ミリ波の信号処理に用いられるウイルキンソンデバイダ
又はウイルキンソンコンバイナを有する回路の異常発振
を防止すること。 【解決手段】ウイルキンソンデバイダ２と、前記ウイル
キンソンデバイダ２の複数の出力ポート３，４の間を接
続する抵抗１０、キャパシタ１１及び配線９と、前記ウ
イルキンソンデバイダ３の入力ポート５に接続されるフ
ィルタ７とを含み構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波電子回路に
関し、より詳しくは、ウイルキンソンデバイダ又はウイ
ルキンソンコンバイナを有する高周波電子回路に関す
る。
関し、より詳しくは、ウイルキンソンデバイダ又はウイ
ルキンソンコンバイナを有する高周波電子回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波帯やミリ波帯の高周波回路で
は、高周波信号の分配素子としてウイルキンソンデバイ
ダが用いられ、また、結合素子としてウイルキンソンコ
ンバイナが使用される。ウイルキンソンデバイダ、ウイ
ルキンソンコンバイナを構成する素子101 は、図５に例
示するように略Ｕ字の平面形状の金層から構成され、Ga
Asなどの化合物半導体基板102 の上に形成されている。
ウイルキンソンデバイダ及びウイルキンソンコンバイナ
は、ともにＵ字の線路に沿って中央から２つのλ／４の
線路を有している。この場合、λは通過する信号の波長
を示している。
は、高周波信号の分配素子としてウイルキンソンデバイ
ダが用いられ、また、結合素子としてウイルキンソンコ
ンバイナが使用される。ウイルキンソンデバイダ、ウイ
ルキンソンコンバイナを構成する素子101 は、図５に例
示するように略Ｕ字の平面形状の金層から構成され、Ga
Asなどの化合物半導体基板102 の上に形成されている。
ウイルキンソンデバイダ及びウイルキンソンコンバイナ
は、ともにＵ字の線路に沿って中央から２つのλ／４の
線路を有している。この場合、λは通過する信号の波長
を示している。
【０００３】その素子は、同じ方向を向く第１、第２の
信号ポートＡ，Ｂを有するとともに、それら第１、第２
の信号ポートＡ，Ｂから等距離の中央に第３の信号ポー
トＣを有している。そして、ウイルキンソンデバイダで
は、第１、第２の信号ポートＡ，Ｂを出力ポートとし、
第３の信号ポートを入力ポートとして用いる。また、ウ
イルキンソンコンバイナでは、第１、第２の信号ポート
Ａ，Ｂを入力ポートとし、第３の信号ポートを出力ポー
トとしている。
信号ポートＡ，Ｂを有するとともに、それら第１、第２
の信号ポートＡ，Ｂから等距離の中央に第３の信号ポー
トＣを有している。そして、ウイルキンソンデバイダで
は、第１、第２の信号ポートＡ，Ｂを出力ポートとし、
第３の信号ポートを入力ポートとして用いる。また、ウ
イルキンソンコンバイナでは、第１、第２の信号ポート
Ａ，Ｂを入力ポートとし、第３の信号ポートを出力ポー
トとしている。
【０００４】そのようなウイルキンソンデバイダ、ウイ
ルキンソンコンバイナをＵ字状の金層だけで構成する
と、第１及び第２の信号ポートＡ，Ｂを通る各信号のア
イソレーションが低下して回路が発振するという問題を
引き起こすので、実際には、図５に示すように、それら
の両端の間に抵抗Ｒを介在させている。そのような抵抗
Ｒは、一般にアイソレーション抵抗と呼ばれ、第１及び
第２の信号ポートからの反射波を同位相で打ち消すこと
によって第１及び第２の信号ポートのアイソレーション
を改善する働きがある。
ルキンソンコンバイナをＵ字状の金層だけで構成する
と、第１及び第２の信号ポートＡ，Ｂを通る各信号のア
イソレーションが低下して回路が発振するという問題を
引き起こすので、実際には、図５に示すように、それら
の両端の間に抵抗Ｒを介在させている。そのような抵抗
Ｒは、一般にアイソレーション抵抗と呼ばれ、第１及び
第２の信号ポートからの反射波を同位相で打ち消すこと
によって第１及び第２の信号ポートのアイソレーション
を改善する働きがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、そのようなウ
イルキンソンデバイダ、ウイルキンソンコンバイナをマ
イクロ波やミリ波の高周用の電子回路に適用する場合に
は、第１の信号ポートと第２の信号ポートとアイソレー
ション抵抗Ｒとを結ぶ金銭103 がインダクタンスとして
作用し、そのインダクタンスの位相回転とアイソレーシ
ョン抵抗Ｒの位相回転の双方の働きによって第１及び第
２の信号ポートＡ，Ｂで反射波を打ち消すことができな
くなり、第１及び第２の信号ポートＡ，Ｂでの信号のア
イソレーションが低下するので、回路が異常発振し易く
なる。
イルキンソンデバイダ、ウイルキンソンコンバイナをマ
イクロ波やミリ波の高周用の電子回路に適用する場合に
は、第１の信号ポートと第２の信号ポートとアイソレー
ション抵抗Ｒとを結ぶ金銭103 がインダクタンスとして
作用し、そのインダクタンスの位相回転とアイソレーシ
ョン抵抗Ｒの位相回転の双方の働きによって第１及び第
２の信号ポートＡ，Ｂで反射波を打ち消すことができな
くなり、第１及び第２の信号ポートＡ，Ｂでの信号のア
イソレーションが低下するので、回路が異常発振し易く
なる。
【０００６】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、マイクロ波やミリ波の信号処理に用いら
れるウイルキンソンデバイダ又はウイルキンソンコンバ
イナを有する回路の異常発振を防止できる高周波電子回
路を提供することを目的とする。
ものであって、マイクロ波やミリ波の信号処理に用いら
れるウイルキンソンデバイダ又はウイルキンソンコンバ
イナを有する回路の異常発振を防止できる高周波電子回
路を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、ウイルキンソンデバイダ２と、前記ウ
イルキンソンデバイダ２の複数の出力ポート３，４の間
を接続する抵抗１０、キャパシタ１１及び配線９と、前
記ウイルキンソンデバイダ３の入力ポート５に接続され
るフィルタ７とを有することを特徴とする高周波電子回
路によって解決する。
例示するように、ウイルキンソンデバイダ２と、前記ウ
イルキンソンデバイダ２の複数の出力ポート３，４の間
を接続する抵抗１０、キャパシタ１１及び配線９と、前
記ウイルキンソンデバイダ３の入力ポート５に接続され
るフィルタ７とを有することを特徴とする高周波電子回
路によって解決する。
【０００８】また、上記した課題は、第２に例示するよ
うに、ウイルキンソンコンバイナ１２と、前記ウイルキ
ンソンコンバイナ１２の複数の入力ポート１４，１５の
間を接続する抵抗１８、キャパシタ１９及び配線１７
と、前記ウイルキンソンコンバイナ１２の出力ポート２
０に接続されるフィルタ２２とを有することを特徴とす
る高周波電子回路によって解決する。
うに、ウイルキンソンコンバイナ１２と、前記ウイルキ
ンソンコンバイナ１２の複数の入力ポート１４，１５の
間を接続する抵抗１８、キャパシタ１９及び配線１７
と、前記ウイルキンソンコンバイナ１２の出力ポート２
０に接続されるフィルタ２２とを有することを特徴とす
る高周波電子回路によって解決する。
【０００９】上記した課題は、図３に例示するように、
ウイルキンソンデバイダ２と、前記ウイルキンソンデバ
イダ２の複数の出力ポート３，４の間を接続する第１の
抵抗１０、第１のキャパシタ１１及び第１の配線９と、
ウイルキンソンコンバイナ２と、前記ウイルキンソンコ
ンバイナ２の複数の入力ポート１３，１４の間を接続す
る第２の抵抗１８、第２のキャパシタ１９及び第２の配
線１７と、前記ウイルキンソンデバイダ２の入力ポート
５、前記ウイルキンソンコンバイナ１２の出力ポート２
０の少なくとも一方に接続されるフィルタ７とを有する
ことを特徴とする高周波電子回路によって解決する。
ウイルキンソンデバイダ２と、前記ウイルキンソンデバ
イダ２の複数の出力ポート３，４の間を接続する第１の
抵抗１０、第１のキャパシタ１１及び第１の配線９と、
ウイルキンソンコンバイナ２と、前記ウイルキンソンコ
ンバイナ２の複数の入力ポート１３，１４の間を接続す
る第２の抵抗１８、第２のキャパシタ１９及び第２の配
線１７と、前記ウイルキンソンデバイダ２の入力ポート
５、前記ウイルキンソンコンバイナ１２の出力ポート２
０の少なくとも一方に接続されるフィルタ７とを有する
ことを特徴とする高周波電子回路によって解決する。
【００１０】上記した高周波電子回路において、前記フ
ィルタ７はハイパスフィルタ、ローパスフィルタ又はバ
ンドパスフィルタであることを特徴とする。次に、本発
明の作用について説明する。本発明によれば、ウイルキ
ンソンデバイダの複数の出力ポート間にアイソレーショ
ン抵抗を接続するための配線にコンデンサを挿入すると
ともに、ウイルキンソンデバイダの入力ポートにフィル
タを介在させている。
ィルタ７はハイパスフィルタ、ローパスフィルタ又はバ
ンドパスフィルタであることを特徴とする。次に、本発
明の作用について説明する。本発明によれば、ウイルキ
ンソンデバイダの複数の出力ポート間にアイソレーショ
ン抵抗を接続するための配線にコンデンサを挿入すると
ともに、ウイルキンソンデバイダの入力ポートにフィル
タを介在させている。
【００１１】したがって、アイソレーション抵抗の接続
のための配線による寄生インダクタンスのリアクタンス
成分を、キャパシタのリアクタンス成分によって打ち消
すことができ、これにより、ウイルキンソンデバイダ出
力ポートでの寄生インダクタンスによる異常発振が防止
される。この場合、寄生インダクタンスとキャパシタと
の共振周波数以外の周波数で異常発振するおそれがある
が、出力ポートに接続しフィルタによってその周波数の
遮断して回路での異常発振が防止される。
のための配線による寄生インダクタンスのリアクタンス
成分を、キャパシタのリアクタンス成分によって打ち消
すことができ、これにより、ウイルキンソンデバイダ出
力ポートでの寄生インダクタンスによる異常発振が防止
される。この場合、寄生インダクタンスとキャパシタと
の共振周波数以外の周波数で異常発振するおそれがある
が、出力ポートに接続しフィルタによってその周波数の
遮断して回路での異常発振が防止される。
【００１２】また、ウイルキンソンコンバイナについて
も同様な構造を採用すると、回路での異常発振が防止さ
れる。
も同様な構造を採用すると、回路での異常発振が防止さ
れる。
【００１３】
【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態
を図面に基づいて説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１実施形態を
示す平面図である。図１において、GaAsなどの化合物半
導体基板１の上には、直接又は絶縁層（不図示）を介し
て略Ｕ字に湾曲した平面形状を有する金層よりなるウイ
ルキンソンデバイダ２が形成され、そのＵ字状に沿った
経路は信号線路を構成し、同じ方向を向く２つの端部は
第１、第２の出力ポート３、４となっている。また、ウ
イルキンソンデバイダ２うち信号線路の中央には、第
１、第２の出力ポート３、４とは反対向きの入力ポート
５が形成されている。この場合、第１の出力ポート３と
第２の出力ポート４のＵ字状に沿った線路の距離はλ／
２となり、第１又は第２の出力ポート３，４と入力ポー
ト５との距離はλ／４となっている。
を図面に基づいて説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１実施形態を
示す平面図である。図１において、GaAsなどの化合物半
導体基板１の上には、直接又は絶縁層（不図示）を介し
て略Ｕ字に湾曲した平面形状を有する金層よりなるウイ
ルキンソンデバイダ２が形成され、そのＵ字状に沿った
経路は信号線路を構成し、同じ方向を向く２つの端部は
第１、第２の出力ポート３、４となっている。また、ウ
イルキンソンデバイダ２うち信号線路の中央には、第
１、第２の出力ポート３、４とは反対向きの入力ポート
５が形成されている。この場合、第１の出力ポート３と
第２の出力ポート４のＵ字状に沿った線路の距離はλ／
２となり、第１又は第２の出力ポート３，４と入力ポー
ト５との距離はλ／４となっている。
【００１４】ウイルキンソンデバイダ２の入力ポート５
は、第１のトランジスタ６及びハイパスフィルタ７を介
して入力パッド８に接続されている。その第１のトラン
ジスタ６のゲート電極は入力パッド８に接続され、その
ドレイン電極はハイバスフィルタ７の入力端に接続さ
れ、ソース電極は化合物半導体基板１裏面の電極（不図
示）に接続されている。
は、第１のトランジスタ６及びハイパスフィルタ７を介
して入力パッド８に接続されている。その第１のトラン
ジスタ６のゲート電極は入力パッド８に接続され、その
ドレイン電極はハイバスフィルタ７の入力端に接続さ
れ、ソース電極は化合物半導体基板１裏面の電極（不図
示）に接続されている。
【００１５】ハイパスフィルタ７は、マイクロ波又はミ
リ波よりも低い周波数の成分を遮断するものであって、
例えば、図のように抵抗ｒ1 と第１のコンデンサＣ1 を
直列接続するとともに、その抵抗に第２のコンデンサＣ
2 を並列接続した回路構成となっている。一方、ウイル
キンソンデバイダ２の第１及び第２の出力ポート３、４
の側部は、金線９、アイソレーション抵抗１０及びキャ
パシタ１１を介して互いに接続されている。これにより
各々の出力ポートからの反射波を同位相で打ち消すよう
になっている。
リ波よりも低い周波数の成分を遮断するものであって、
例えば、図のように抵抗ｒ1 と第１のコンデンサＣ1 を
直列接続するとともに、その抵抗に第２のコンデンサＣ
2 を並列接続した回路構成となっている。一方、ウイル
キンソンデバイダ２の第１及び第２の出力ポート３、４
の側部は、金線９、アイソレーション抵抗１０及びキャ
パシタ１１を介して互いに接続されている。これにより
各々の出力ポートからの反射波を同位相で打ち消すよう
になっている。
【００１６】ここで、金線９により生じる寄生インダク
タンスの大きさをＬとすると、キャパシタ１１の容量Ｃ
0 は次式で表される大きさにする。ただし、ωは信号の
各周波数を示している。 Ｃ0 ＝１／ωＬ それら第１、第２の出力ポート３、４は、化合物半導体
基板１上に形成されたウイルキンソンコンバイナ１２の
第１、第２の入力ポート１３．１４にそれぞれ第２、第
３のトランジスタ１５、１６を介して接続されていて、
第１及び第２の出力ポート３、４から出力された信号を
第２、第３のトランジスタ１５，１６によって増幅し、
その増幅した信号がウイルキンソンコンバイナ１２の第
１及び第２の入力ポート１３、１４に入力するように構
成されている。
タンスの大きさをＬとすると、キャパシタ１１の容量Ｃ
0 は次式で表される大きさにする。ただし、ωは信号の
各周波数を示している。 Ｃ0 ＝１／ωＬ それら第１、第２の出力ポート３、４は、化合物半導体
基板１上に形成されたウイルキンソンコンバイナ１２の
第１、第２の入力ポート１３．１４にそれぞれ第２、第
３のトランジスタ１５、１６を介して接続されていて、
第１及び第２の出力ポート３、４から出力された信号を
第２、第３のトランジスタ１５，１６によって増幅し、
その増幅した信号がウイルキンソンコンバイナ１２の第
１及び第２の入力ポート１３、１４に入力するように構
成されている。
【００１７】ウイルキンソンコンバイナ１２は、化合物
半導体基板１の上面で略Ｕ字に湾曲した平面形状を有す
る金層から構成され、そのＵ字状に沿った経路は信号線
路を構成し、同じ方向を向く２つの端部が上記した第１
及び第２の入力ポート１３、１４となっている。その信
号線路の長さは、ウイルキンソンデバイダ２と同じにな
っている。
半導体基板１の上面で略Ｕ字に湾曲した平面形状を有す
る金層から構成され、そのＵ字状に沿った経路は信号線
路を構成し、同じ方向を向く２つの端部が上記した第１
及び第２の入力ポート１３、１４となっている。その信
号線路の長さは、ウイルキンソンデバイダ２と同じにな
っている。
【００１８】そのようなウイルキンソンコンバイナ１２
の第１及び第２の入力ポート１３、１４の側部は、金線
１７を介してアイソレーション抵抗１８とキャパシタ１
９を介して互いに接続されている。これにより各々の入
力ポート１３、１４での反射波を同位相で打ち消すよう
になっている。また、ウイルキンソンコンバイナ１２う
ち信号線路の中央には、第１、第２の入力ポート１３、
１４とは反対向きの出力ポート２０が形成され、出力ポ
ート２０は出力バッド２１に電気的に接続されている。
の第１及び第２の入力ポート１３、１４の側部は、金線
１７を介してアイソレーション抵抗１８とキャパシタ１
９を介して互いに接続されている。これにより各々の入
力ポート１３、１４での反射波を同位相で打ち消すよう
になっている。また、ウイルキンソンコンバイナ１２う
ち信号線路の中央には、第１、第２の入力ポート１３、
１４とは反対向きの出力ポート２０が形成され、出力ポ
ート２０は出力バッド２１に電気的に接続されている。
【００１９】なお、上記した第１〜第３のトランジスタ
６、１５、１６は、化合物半導体基板１に形成されたＭ
ＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ、ＭＩＳＦＥＴなどのトランジス
タが適用される。以上のように、ウイルキンソンデバイ
ダ２、ウイルキンソンコンバイナ１２を有する電子回路
において、入力パッド８にマイクロ波又はミリ波の信号
を入力すると、その信号は、第１のトランジスタ３によ
って増幅され、さらにハイパスフィルタ７によって低周
波数成分がカットされてウイルキンソンデバイダ２の入
力ポート５に入力し、ついで、ウイルキンソンデバイダ
２の信号線路に沿って信号が２つに分けられて第１、第
２の出力ポート３、４に到達する。
６、１５、１６は、化合物半導体基板１に形成されたＭ
ＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ、ＭＩＳＦＥＴなどのトランジス
タが適用される。以上のように、ウイルキンソンデバイ
ダ２、ウイルキンソンコンバイナ１２を有する電子回路
において、入力パッド８にマイクロ波又はミリ波の信号
を入力すると、その信号は、第１のトランジスタ３によ
って増幅され、さらにハイパスフィルタ７によって低周
波数成分がカットされてウイルキンソンデバイダ２の入
力ポート５に入力し、ついで、ウイルキンソンデバイダ
２の信号線路に沿って信号が２つに分けられて第１、第
２の出力ポート３、４に到達する。
【００２０】それらの第１、第２の出力ポートで３、４
は、アイソレーション抵抗１０によって反射波が同位相
で打ち消される。しかも、特定の周波数ｆ（ｆ＝ω／２
π）の信号については、金線９によって生じる寄生イン
ダクタンスＬの周波数成分がキャパシタ１１の容量Ｃ0
の周波数成分によって打ち消されるので、寄生インダク
タンスによるアイソレーションの低下が防止され、その
周波数ｆの信号については発振し難くなる。この場合、
キャパシタ１１だけでは入力信号の周波数ｆにしか効果
が無いが、ハイパスフィルタ７によって周波数ｆよりも
低い特定の周波数帯の進行が遮断されるので、その周波
数領域での異常発振は防止される。
は、アイソレーション抵抗１０によって反射波が同位相
で打ち消される。しかも、特定の周波数ｆ（ｆ＝ω／２
π）の信号については、金線９によって生じる寄生イン
ダクタンスＬの周波数成分がキャパシタ１１の容量Ｃ0
の周波数成分によって打ち消されるので、寄生インダク
タンスによるアイソレーションの低下が防止され、その
周波数ｆの信号については発振し難くなる。この場合、
キャパシタ１１だけでは入力信号の周波数ｆにしか効果
が無いが、ハイパスフィルタ７によって周波数ｆよりも
低い特定の周波数帯の進行が遮断されるので、その周波
数領域での異常発振は防止される。
【００２１】さらに、ウイルキンソンデバイダ２の第１
及び第２の出力ポート３、４から出力された信号は、第
２、第３のトランジスタ１５、１６によって増幅されて
ウイルキンソンコンバイナ１２の第１及び第２の入力ポ
ート１３、１４に入ることになる。そのウイルキンソン
コンバイナ１２においてもキャパシタ１９によって金線
１７の寄生インダクタンスによる発振は防止され、それ
ら第１、第２の入力ポート１３、１４の相互間のアイソ
レーションが低下防止される。
及び第２の出力ポート３、４から出力された信号は、第
２、第３のトランジスタ１５、１６によって増幅されて
ウイルキンソンコンバイナ１２の第１及び第２の入力ポ
ート１３、１４に入ることになる。そのウイルキンソン
コンバイナ１２においてもキャパシタ１９によって金線
１７の寄生インダクタンスによる発振は防止され、それ
ら第１、第２の入力ポート１３、１４の相互間のアイソ
レーションが低下防止される。
【００２２】したがって、第２、第３のトランジスタ１
５、１６によって増幅された信号はウイルキンソンコン
バイナ１２の出力ポート２０によって合成され、入力パ
ッド８に入力した信号の約２倍の大きさのエネルギーの
信号が出力パッド２１から出力されることになる。 （第２の実施の形態）第１の実施の形態では、ウイルキ
ンソンデバイダ２の入力ポート５側にハイパスフィルタ
７を挿入したが、高周波成分を除去したい場合にはハイ
パスフィルタ７を取外して、図２に示すように、ウイル
キンソンコンバイナ１２の出力ポート２０と出力パッド
２１の間にローパスフィルタ２２を入れて、これにより
マイクロ波又はミリ波の信号よりも高い周波数帯域での
発振を防止することができる。
５、１６によって増幅された信号はウイルキンソンコン
バイナ１２の出力ポート２０によって合成され、入力パ
ッド８に入力した信号の約２倍の大きさのエネルギーの
信号が出力パッド２１から出力されることになる。 （第２の実施の形態）第１の実施の形態では、ウイルキ
ンソンデバイダ２の入力ポート５側にハイパスフィルタ
７を挿入したが、高周波成分を除去したい場合にはハイ
パスフィルタ７を取外して、図２に示すように、ウイル
キンソンコンバイナ１２の出力ポート２０と出力パッド
２１の間にローパスフィルタ２２を入れて、これにより
マイクロ波又はミリ波の信号よりも高い周波数帯域での
発振を防止することができる。
【００２３】そのハイパスフィルタ２２は、例えば図に
示すように、コンデンサＣ3 とインダクタンスＬ2 から
構成されている。 （第３の実施の形態）第１の実施の形態では、ウイルキ
ンソンデバイダの入力ポートにハイパスフィルタを入
れ、また第２の実施の形態では、ウイルキンソンコンバ
イナの出力ポートにローパスフィルタを入れたが、それ
らを組み合わせて、マイクロ波又はミリ波の信号以外の
波長帯を遮断して、その波長帯での発振を防止するよう
にしてもよい。
示すように、コンデンサＣ3 とインダクタンスＬ2 から
構成されている。 （第３の実施の形態）第１の実施の形態では、ウイルキ
ンソンデバイダの入力ポートにハイパスフィルタを入
れ、また第２の実施の形態では、ウイルキンソンコンバ
イナの出力ポートにローパスフィルタを入れたが、それ
らを組み合わせて、マイクロ波又はミリ波の信号以外の
波長帯を遮断して、その波長帯での発振を防止するよう
にしてもよい。
【００２４】また、図３に示すように、ウイルキンソン
デバイダ２の入力ポート５とウイルキンソンコンバイナ
１２の出力ポート２０にそれぞれハイパスフィルタ７を
接続してもよい。また、特に図示しないが、第１のトラ
ンジスタ６とウイルキンソンデバイダ７の入力ポート６
の間、または、ウイルキンソンコンバイナ１２の出力ポ
ート２０と出力パッド２１の間に、マイクロ波又はミリ
波を選択的に通過させるバンドパスフィルタを介在させ
て、マイクロ波又はミリ波の信号を選択的に出力させる
ことができる。 （第４の実施の形態）上記したウイルキンソンデバイ
ダ、ウイルキンソンコンバイナは、例えば図４に示すよ
うに、複数段接続してもよい。
デバイダ２の入力ポート５とウイルキンソンコンバイナ
１２の出力ポート２０にそれぞれハイパスフィルタ７を
接続してもよい。また、特に図示しないが、第１のトラ
ンジスタ６とウイルキンソンデバイダ７の入力ポート６
の間、または、ウイルキンソンコンバイナ１２の出力ポ
ート２０と出力パッド２１の間に、マイクロ波又はミリ
波を選択的に通過させるバンドパスフィルタを介在させ
て、マイクロ波又はミリ波の信号を選択的に出力させる
ことができる。 （第４の実施の形態）上記したウイルキンソンデバイ
ダ、ウイルキンソンコンバイナは、例えば図４に示すよ
うに、複数段接続してもよい。
【００２５】図４において、入力パッド３０と第１のウ
イルキンソンデバイダ３１の入力ポート３２との間には
トランジスタ３３とハイパスフィルタ３４が第１実施形
態のように接続されている。また、第１のウイルキンソ
ンデバイダ３１の第１及び第２の出力ポート３５、３６
にはそれぞれ第２及び第３のトランジスタ３７、３８の
ゲートが接続され、また、その第２のトランジスタ３７
のドレインにはバンドパスフィルタ３９を介して第２の
ウイルキンソンデバイダ４１が接続され、さらに、第３
のトランジスタ３８のドレインにはバンドパスフィルタ
４０を介して第３のウイルキンソンデバイダ４３が接続
されている。
イルキンソンデバイダ３１の入力ポート３２との間には
トランジスタ３３とハイパスフィルタ３４が第１実施形
態のように接続されている。また、第１のウイルキンソ
ンデバイダ３１の第１及び第２の出力ポート３５、３６
にはそれぞれ第２及び第３のトランジスタ３７、３８の
ゲートが接続され、また、その第２のトランジスタ３７
のドレインにはバンドパスフィルタ３９を介して第２の
ウイルキンソンデバイダ４１が接続され、さらに、第３
のトランジスタ３８のドレインにはバンドパスフィルタ
４０を介して第３のウイルキンソンデバイダ４３が接続
されている。
【００２６】一方、第２及び第３のウイルキンソンデバ
イダ４１、４３の各出力ポート４１ａ、４１ｂ、４３
ａ、４３ｂ、には、それぞれ第１及び第２のウイルキン
ソンコバイナ４５、４６の入力ポート４５ａ、４５ｂ、
４６ａ、４６ｂがトランジスタ５２〜５５を介して接続
され、また、それら第１及び第２のウイルキンソンコン
バイナ４５、４６の出力ポート４７、４８のそれぞれに
は第３のウイルキンソンコバイナ５６の２つの入力ポー
ト５６ａ、５６ｂが接続されている。
イダ４１、４３の各出力ポート４１ａ、４１ｂ、４３
ａ、４３ｂ、には、それぞれ第１及び第２のウイルキン
ソンコバイナ４５、４６の入力ポート４５ａ、４５ｂ、
４６ａ、４６ｂがトランジスタ５２〜５５を介して接続
され、また、それら第１及び第２のウイルキンソンコン
バイナ４５、４６の出力ポート４７、４８のそれぞれに
は第３のウイルキンソンコバイナ５６の２つの入力ポー
ト５６ａ、５６ｂが接続されている。
【００２７】また、第３のウイルキンソンコンバイナ５
６の出力ポート５７には、ローバスフィルタ５８を介し
て出力パッド５９が接続されている。なお、ハイパスフ
ィルタ３４、バンドバスフィルタ３９、４０及びローパ
スフィルタ５８は、それぞれ入力パッド３０に引加され
た信号の周波数を遮断しない周波数帯が設定されてい
る。
６の出力ポート５７には、ローバスフィルタ５８を介し
て出力パッド５９が接続されている。なお、ハイパスフ
ィルタ３４、バンドバスフィルタ３９、４０及びローパ
スフィルタ５８は、それぞれ入力パッド３０に引加され
た信号の周波数を遮断しない周波数帯が設定されてい
る。
【００２８】このような回路において、さらに、第２の
ウイルキンソンデバイダ４１の２つの出力ポート４１
ａ、４１ｂは、直列に接続された金線４９ａ、アイソレ
ーション抵抗５０ａ及びキャパシタ５１ａを介して互い
に接続されている。第３のウイルキンソンデバイダ４３
の２つの出力ポート４３ａ、４３ｂも金線４９ｂ、アイ
ソレーション抵抗５０ｂ及びキャパシタ５１ｂを介して
互いに接続されている。
ウイルキンソンデバイダ４１の２つの出力ポート４１
ａ、４１ｂは、直列に接続された金線４９ａ、アイソレ
ーション抵抗５０ａ及びキャパシタ５１ａを介して互い
に接続されている。第３のウイルキンソンデバイダ４３
の２つの出力ポート４３ａ、４３ｂも金線４９ｂ、アイ
ソレーション抵抗５０ｂ及びキャパシタ５１ｂを介して
互いに接続されている。
【００２９】同様にして、第１のウイルキンソンコンバ
イナ４５のそれぞれの２つの入力ポートの間は、金線４
９ｃ、アイソレーション抵抗５０ｃ及びキャパシタ５１
ｃを介して互いに接続され、さらに、第２のウイルキン
ソンコンバイナ４６のそれぞれの２つの入力ポートの間
は、金線４９ｄ，アイソレーション５０ｄ及びキャパシ
タ５１ｄを介して互いに接続されている。
イナ４５のそれぞれの２つの入力ポートの間は、金線４
９ｃ、アイソレーション抵抗５０ｃ及びキャパシタ５１
ｃを介して互いに接続され、さらに、第２のウイルキン
ソンコンバイナ４６のそれぞれの２つの入力ポートの間
は、金線４９ｄ，アイソレーション５０ｄ及びキャパシ
タ５１ｄを介して互いに接続されている。
【００３０】また、互いに対向するウイルキンソンコン
バイナ４５の一方の信号線路と第２のウイルキンソンド
ンバイナ４７の一方の信号線路の相互間にも金線４９
ｅ、アイソレーション抵抗５０ｅ及びキャパシタ５１ｅ
が接続されている。以上のようなウイルキンソンデバイ
ダ３１、４１、４３、ウイルキンソンコンバイナ４５、
４６、５６によっても上記した実施形態と同じようにし
て異常発振が防止される。
バイナ４５の一方の信号線路と第２のウイルキンソンド
ンバイナ４７の一方の信号線路の相互間にも金線４９
ｅ、アイソレーション抵抗５０ｅ及びキャパシタ５１ｅ
が接続されている。以上のようなウイルキンソンデバイ
ダ３１、４１、４３、ウイルキンソンコンバイナ４５、
４６、５６によっても上記した実施形態と同じようにし
て異常発振が防止される。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ウイ
ルキンソンデバイダの複数の出力ポート間にアイソレー
ション抵抗を接続するための配線に直列にコンデンサを
挿入するとともに、ウイルキンソンデバイダの入力ポー
トにフィルタを介在させているので、アイソレーション
抵抗の接続のための配線による寄生インダクタンスのリ
アクタンス成分を、キャパシタのリアクタンス成分によ
って打ち消すことができ、これにより、ウイルキンソン
デバイダ出力ポートでの寄生インダクタンスによる異常
発振を防止できる。この場合、寄生インダクタンスとキ
ャパシタとの共振周波数以外の周波数で異常発振するお
それがあるが、出力ポートに接続しフィルタによってそ
の周波数の遮断して回路での異常発振を防止できる。
ルキンソンデバイダの複数の出力ポート間にアイソレー
ション抵抗を接続するための配線に直列にコンデンサを
挿入するとともに、ウイルキンソンデバイダの入力ポー
トにフィルタを介在させているので、アイソレーション
抵抗の接続のための配線による寄生インダクタンスのリ
アクタンス成分を、キャパシタのリアクタンス成分によ
って打ち消すことができ、これにより、ウイルキンソン
デバイダ出力ポートでの寄生インダクタンスによる異常
発振を防止できる。この場合、寄生インダクタンスとキ
ャパシタとの共振周波数以外の周波数で異常発振するお
それがあるが、出力ポートに接続しフィルタによってそ
の周波数の遮断して回路での異常発振を防止できる。
【００３２】また、ウイルキンソンコンバイナについて
も同様な構造を採用するようにしたので、回路での異常
発振を防止できる。
も同様な構造を採用するようにしたので、回路での異常
発振を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を示す構成図である。
【図２】本発明の第２実施形態を示す構成図である。
【図３】本発明の第３実施形態を示す構成図である。
【図４】本発明の第４実施形態を示す構成図である。
【図５】従来のウイルキンソンデバイダ・コンバイナを
示す平面図である。
示す平面図である。
１ 化合物半導体基板 ２ ウイルキンソンデバイダ ３ 第１の出力ポート ４ 第２の出力ポート ５ 入力ポート ６ 第１のトランジスタ ７ ハイパスフィルタ ８ 入力パッド ９ 金線 １０ アイソレーション抵抗 １１ キャパシタ １２ ウイルキンソンコンバイナ １３ 第１の入力ポート １４ 第２の入力ポート １５ 第２のトランジスタ １６ 第３のトランジスタ １７ 金線 １８ アイソレーション抵抗 １９ キャパシタ ２０ 出力ポート ２１ 出力パッド
Claims (4)
- 【請求項１】ウイルキンソンデバイダと、 前記ウイルキンソンデバイダの複数の出力ポートの間を
接続する抵抗、キャパシタ及び配線と、 前記ウイルキンソンデバイダの入力ポートに接続される
フィルタとを有することを特徴とする高周波電子回路。 - 【請求項２】ウイルキンソンコンバイナと、 前記ウイルキンソンコンバイナの複数の入力ポートの間
を接続する抵抗、キャパシタ及び配線と、 前記ウイルキンソンコンバイナの出力ポートに接続され
るフィルタとを有することを特徴とする高周波電子回
路。 - 【請求項３】ウイルキンソンデバイダと、 前記ウイルキンソンデバイダの複数の出力ポートの間を
接続する第１の抵抗、第１のキャパシタ及び第１の配線
と、 ウイルキンソンコンバイナと、 前記ウイルキンソンコンバイナの複数の入力ポートの間
を接続する第２の抵抗、第２のキャパシタ及び第２の配
線と、 前記ウイルキンソンデバイダの入力ポート、前記ウイル
キンソンコンバイナの出力ポートの少なくとも一方に接
続されるフィルタとを有することを特徴とする高周波電
子回路。 - 【請求項４】前記フィルタはハイパスフィルタ、ローパ
スフィルタ又はバンドパスフィルタであることを特徴と
する請求項１、２又は３記載の高周波電子回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3595597A JPH10233637A (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | 高周波電子回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3595597A JPH10233637A (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | 高周波電子回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233637A true JPH10233637A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=12456409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3595597A Pending JPH10233637A (ja) | 1997-02-20 | 1997-02-20 | 高周波電子回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10233637A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100529581B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-11-22 | 한국전자통신연구원 | 초고주파 윌켄슨 전력분배기 |
| JP2015195274A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社東芝 | 高周波半導体装置 |
| CN105244590A (zh) * | 2015-10-22 | 2016-01-13 | 华南理工大学 | 一种超宽带功分器 |
| CN108072862A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-25 | 广东黑林通信技术有限公司 | 一种无源子阵天线的信号合成装置 |
| WO2019135871A1 (en) * | 2018-01-08 | 2019-07-11 | Qualcomm Incorporated | Wide-band wilkinson divider |
| WO2023014488A1 (en) * | 2021-08-02 | 2023-02-09 | Qualcomm Incorporated | Signal power splitter/combiner with resistance and impedance transformer loading |
-
1997
- 1997-02-20 JP JP3595597A patent/JPH10233637A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100529581B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-11-22 | 한국전자통신연구원 | 초고주파 윌켄슨 전력분배기 |
| JP2015195274A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社東芝 | 高周波半導体装置 |
| US9712142B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency semiconductor device |
| CN105244590A (zh) * | 2015-10-22 | 2016-01-13 | 华南理工大学 | 一种超宽带功分器 |
| CN105244590B (zh) * | 2015-10-22 | 2018-09-14 | 华南理工大学 | 一种超宽带功分器 |
| CN108072862A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-25 | 广东黑林通信技术有限公司 | 一种无源子阵天线的信号合成装置 |
| WO2019135871A1 (en) * | 2018-01-08 | 2019-07-11 | Qualcomm Incorporated | Wide-band wilkinson divider |
| US10707827B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-07-07 | Qualcomm Incorporated | Wide-band Wilkinson divider |
| CN111566870A (zh) * | 2018-01-08 | 2020-08-21 | 高通股份有限公司 | 宽频带威尔金森分配器 |
| CN111566870B (zh) * | 2018-01-08 | 2021-08-17 | 高通股份有限公司 | 宽频带威尔金森分配器 |
| WO2023014488A1 (en) * | 2021-08-02 | 2023-02-09 | Qualcomm Incorporated | Signal power splitter/combiner with resistance and impedance transformer loading |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041006 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050531 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051108 |