JPH10233147A - 磁束密度の変化を利用した温度制御装置 - Google Patents
磁束密度の変化を利用した温度制御装置Info
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- JPH10233147A JPH10233147A JP4964497A JP4964497A JPH10233147A JP H10233147 A JPH10233147 A JP H10233147A JP 4964497 A JP4964497 A JP 4964497A JP 4964497 A JP4964497 A JP 4964497A JP H10233147 A JPH10233147 A JP H10233147A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁束密度の変化を利用した温度制御装置であ
って、リ−ドスイッチの耐える温度に制限されることな
く、更に高温を制御できるものを得ること。 【解決手段】 ２つの永久磁石１の間に感温磁性体２が
挾持されてなる感温部が配置される高温部の熱影響を受
けない位置にリ−ドスイッチ３を隔離配置し、リ−ドス
イッチ３と感温部との間に磁路形成部材６を配置して感
温部とリ−ドスイッチ３との間に磁路を形成する。
って、リ−ドスイッチの耐える温度に制限されることな
く、更に高温を制御できるものを得ること。 【解決手段】 ２つの永久磁石１の間に感温磁性体２が
挾持されてなる感温部が配置される高温部の熱影響を受
けない位置にリ−ドスイッチ３を隔離配置し、リ−ドス
イッチ３と感温部との間に磁路形成部材６を配置して感
温部とリ−ドスイッチ３との間に磁路を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は２つの永久磁石の間
に温度変化によって飽和磁束密度が変化する感温磁性体
を挾持してなる感温部と、該感温部で発生する磁束密度
の変化によって開閉制御されるリ−ドスイッチとからな
る温度制御装置に関する。
に温度変化によって飽和磁束密度が変化する感温磁性体
を挾持してなる感温部と、該感温部で発生する磁束密度
の変化によって開閉制御されるリ−ドスイッチとからな
る温度制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６、図７は２つの永久磁石の間に温度
変化によって飽和磁束密度が変化する感温磁性体を挾持
してなる感温部と、該感温部で発生する磁束密度の変化
によって開閉制御されるリ−ドスイッチとの組合わせに
なる従来の温度制御装置の断面図を示し、図６は感温部
が感温磁性体のキュリ−温度以下の温度下にあって、該
感温部が発生する磁束によってリ−ドスイッチが閉じて
いる状態を、図７は前記感温部がキュリ−温度以上の高
温を受けて磁束が減退しリ−ドスイッチが開いた状態を
示す。図６、図７において、符号１が環状の永久磁石、
２が環状の感温磁性体、例えば温度変化によって飽和磁
束密度が変化する磁性半導体で、２つの環状の永久磁石
１と環状の感温磁性体２とによって感温部を構成する。
３はリ−ドスイッチで、ガラス容器内に封入され、磁束
の作用で閉じ、磁束の減退によって開く。感温磁性体２
の飽和磁束密度の変化は磁気抵抗の変化と表現すること
ができ、磁気抵抗が大きくなると飽和磁束密度は小さく
なり、磁気抵抗が小さくなると飽和磁束密度は大きくな
る。
変化によって飽和磁束密度が変化する感温磁性体を挾持
してなる感温部と、該感温部で発生する磁束密度の変化
によって開閉制御されるリ−ドスイッチとの組合わせに
なる従来の温度制御装置の断面図を示し、図６は感温部
が感温磁性体のキュリ−温度以下の温度下にあって、該
感温部が発生する磁束によってリ−ドスイッチが閉じて
いる状態を、図７は前記感温部がキュリ−温度以上の高
温を受けて磁束が減退しリ−ドスイッチが開いた状態を
示す。図６、図７において、符号１が環状の永久磁石、
２が環状の感温磁性体、例えば温度変化によって飽和磁
束密度が変化する磁性半導体で、２つの環状の永久磁石
１と環状の感温磁性体２とによって感温部を構成する。
３はリ−ドスイッチで、ガラス容器内に封入され、磁束
の作用で閉じ、磁束の減退によって開く。感温磁性体２
の飽和磁束密度の変化は磁気抵抗の変化と表現すること
ができ、磁気抵抗が大きくなると飽和磁束密度は小さく
なり、磁気抵抗が小さくなると飽和磁束密度は大きくな
る。
【０００３】感温部が感温磁性体２のキュリ−温度以下
の温度下にある図６の状態では感温部が１つの永久磁石
の様に作用し、リ−ドスイッチ３の両端に忸る大きい磁
束４が形成され磁束４がリ−ドスイッチ３の接点部５を
通るから接点が互に吸引されてリ−ドスイッチ３が閉じ
られ、感温部が感温磁性体２のキュリ−温度以上に上昇
した図７の状態では、２つの永久磁石１が形成する磁束
４が感温磁性体２で遮断され、２つの永久磁石１が各々
独立した磁束４を形成し、相対する接点５を通過する磁
束が形成されないから、リ−ドスイッチ３は開かれる。
図８は各種の感温磁性体２の飽和磁束密度が温度によっ
て変化する例を示す曲線であって、縦軸に磁束密度横軸
に温度℃をとってある。
の温度下にある図６の状態では感温部が１つの永久磁石
の様に作用し、リ−ドスイッチ３の両端に忸る大きい磁
束４が形成され磁束４がリ−ドスイッチ３の接点部５を
通るから接点が互に吸引されてリ−ドスイッチ３が閉じ
られ、感温部が感温磁性体２のキュリ−温度以上に上昇
した図７の状態では、２つの永久磁石１が形成する磁束
４が感温磁性体２で遮断され、２つの永久磁石１が各々
独立した磁束４を形成し、相対する接点５を通過する磁
束が形成されないから、リ−ドスイッチ３は開かれる。
図８は各種の感温磁性体２の飽和磁束密度が温度によっ
て変化する例を示す曲線であって、縦軸に磁束密度横軸
に温度℃をとってある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図６、図７で示す温度
制御装置では、永久磁石１と感温磁性体２とからなる感
温部とリ−ドスイッチ３とが一体に形成されているか
ら、リ−ドスイッチ３が感温部と同様の温度に暴され
る。而してリ−ドスイッチ３が耐え得る温度は１００℃
程度であるから、これ以上の高温での温度制御に図６、
図７の温度制御装置を使用することは困難である。
制御装置では、永久磁石１と感温磁性体２とからなる感
温部とリ−ドスイッチ３とが一体に形成されているか
ら、リ−ドスイッチ３が感温部と同様の温度に暴され
る。而してリ−ドスイッチ３が耐え得る温度は１００℃
程度であるから、これ以上の高温での温度制御に図６、
図７の温度制御装置を使用することは困難である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】２つの永久磁石の間に、
温度変化によって飽和磁束密度が変化する感温磁性体を
挾持してなる感温部と、該感温部で発生する磁束密度の
変化によって開閉制御されるリ−ドスイッチとからなる
温度制御装置において、前記感温部が配置されている高
温部の熱影響を受けない位置に前記リ−ドスイッチを隔
離配置し、該リ−ドスイッチと前記感温部との間に磁路
形成部材を配置して、感温部とリ−ドスイッチとの間に
磁路を形成した構成。
温度変化によって飽和磁束密度が変化する感温磁性体を
挾持してなる感温部と、該感温部で発生する磁束密度の
変化によって開閉制御されるリ−ドスイッチとからなる
温度制御装置において、前記感温部が配置されている高
温部の熱影響を受けない位置に前記リ−ドスイッチを隔
離配置し、該リ−ドスイッチと前記感温部との間に磁路
形成部材を配置して、感温部とリ−ドスイッチとの間に
磁路を形成した構成。
【０００６】
【作用、効果】リ−ドスイッチが感温部の高温を直接受
けないから、磁束密度の変化を利用した温度制御装置
を、リ−ドスイッチが耐えることができる温度よりも高
温度を制御できる温度制御装置とすることができる。
けないから、磁束密度の変化を利用した温度制御装置
を、リ−ドスイッチが耐えることができる温度よりも高
温度を制御できる温度制御装置とすることができる。
【０００７】リ−ドスイッチに磁路形成部材を介して感
温部の磁束を導くため、磁束が減衰して、リ−ドスイッ
チを閉じるための磁束が不十分となるときは、リ−ドス
イッチにバイアス磁石を配置して磁束の不足を補うこと
ができる（請求項２）。
温部の磁束を導くため、磁束が減衰して、リ−ドスイッ
チを閉じるための磁束が不十分となるときは、リ−ドス
イッチにバイアス磁石を配置して磁束の不足を補うこと
ができる（請求項２）。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態を示す図
で、２つの永久磁石１の間に感温磁性体２が挾持されて
感温部が形成され、リ−ドスイッチ３との間に磁路形成
部材６が配置されている。感温部の温度が感温磁性体２
のキュリ−温度以下のときは、感温磁性体２の飽和磁束
密度が大きく、感温部が１つの永久磁石として、リ−ド
スイッチ３の接点５を通過する磁束４が磁路形成部材６
を介して形成され、リ−ドスイッチ３が実線で示す様に
閉じる。感温部の温度が感温磁性体２のキュリ−温度以
上に上昇すると、２つの永久磁石１は各々の独立した磁
束を形成して、磁路形成部材６、リ−ドスイッチ３の接
点５を通る磁束が形成されないからリ−ドスイッチ３は
破線で示す様に開く。
で、２つの永久磁石１の間に感温磁性体２が挾持されて
感温部が形成され、リ−ドスイッチ３との間に磁路形成
部材６が配置されている。感温部の温度が感温磁性体２
のキュリ−温度以下のときは、感温磁性体２の飽和磁束
密度が大きく、感温部が１つの永久磁石として、リ−ド
スイッチ３の接点５を通過する磁束４が磁路形成部材６
を介して形成され、リ−ドスイッチ３が実線で示す様に
閉じる。感温部の温度が感温磁性体２のキュリ−温度以
上に上昇すると、２つの永久磁石１は各々の独立した磁
束を形成して、磁路形成部材６、リ−ドスイッチ３の接
点５を通る磁束が形成されないからリ−ドスイッチ３は
破線で示す様に開く。
【０００９】図２はバイアス磁石７の配置を示す。感温
部の永久磁石１によって発生する磁束４が磁路形成部材
６を通るために減衰してリ−ドスイッチ３の接点５の閉
成が不安定となるおそれがあるとき、バイアス磁石７に
よって磁束８を補ってリ−ドスイッチ３の接点５に与
え、接点５の閉成を確実にすることができる。
部の永久磁石１によって発生する磁束４が磁路形成部材
６を通るために減衰してリ−ドスイッチ３の接点５の閉
成が不安定となるおそれがあるとき、バイアス磁石７に
よって磁束８を補ってリ−ドスイッチ３の接点５に与
え、接点５の閉成を確実にすることができる。
【００１０】図３は磁束密度の変化を利用した本発明の
温度制御装置を、天ぷら火災防止装置付きテ−ブルこん
ろに使用した例を示す。符号１０は油の入った鍋、１１
はバ−ナ、１２は火災防止装置を構成する鍋底温度検知
筒で、該鍋底温度検知筒１２は感温磁性体２を挾持した
２つの永久磁石からなる感温部（図１、図２）が頂部に
内蔵されている。１３は熱電対、１４は燃料ガスを導通
遮断するガス弁、１５は前記熱電対１３の起電力で勵磁
される電磁石で、前記ガス弁１４はバ−ナ１１に焔１６
が存在して熱電対１３が加熱されているときは該熱電対
１３の起電力によって勵磁されている電磁石１５に弁体
２１が吸引されて開弁を保ち、焔１６が消失すると熱電
対１３の起電力も消失し、図示してないスプリングの付
勢によって閉弁し、燃料ガスの流れを停止する。１７は
熱電対１３と電磁石１５との間を接続するリ−ド線で、
途中に前記鍋底温度検知筒１２に内蔵され、永久磁石１
と感温磁性体２とからなる感温部に開閉制御されるリ−
ドスイッチ３が配置されている。６は前述した磁路形成
部材である。
温度制御装置を、天ぷら火災防止装置付きテ−ブルこん
ろに使用した例を示す。符号１０は油の入った鍋、１１
はバ−ナ、１２は火災防止装置を構成する鍋底温度検知
筒で、該鍋底温度検知筒１２は感温磁性体２を挾持した
２つの永久磁石からなる感温部（図１、図２）が頂部に
内蔵されている。１３は熱電対、１４は燃料ガスを導通
遮断するガス弁、１５は前記熱電対１３の起電力で勵磁
される電磁石で、前記ガス弁１４はバ−ナ１１に焔１６
が存在して熱電対１３が加熱されているときは該熱電対
１３の起電力によって勵磁されている電磁石１５に弁体
２１が吸引されて開弁を保ち、焔１６が消失すると熱電
対１３の起電力も消失し、図示してないスプリングの付
勢によって閉弁し、燃料ガスの流れを停止する。１７は
熱電対１３と電磁石１５との間を接続するリ−ド線で、
途中に前記鍋底温度検知筒１２に内蔵され、永久磁石１
と感温磁性体２とからなる感温部に開閉制御されるリ−
ドスイッチ３が配置されている。６は前述した磁路形成
部材である。
【００１１】次に図３のこんろの作用を説明する。まず
スタ−ト釦１８を矢印１９方向に押すとガス弁１４が開
弁し、燃料ガスが矢印２０方向に流れてバ−ナ１１が点
火する。焔１６によって熱電対１３が加熱され、熱起電
力が発生して電磁石１５が勵磁されガス弁１４の弁体２
１を吸引するから手がスタ−ト釦１８から離れてもガス
弁１４は開弁を保ち、バ−ナ１１は焔１６を保ち、油の
入った鍋１０が加熱され温度が上昇する。鍋底温度検知
筒１２に内蔵されている感温部に例えばキュリ−温度２
５０℃の感温磁性体２を使用したとすれば、鍋１０の温
度が２５０℃に上昇するまでは磁路形成部材６を介して
リ−ドスイッチ３に磁束が導かれてリ−ドスイッチ３は
閉じていて、電磁石１５の勵磁が保たれることによって
ガス弁１４の開弁が保たれ、バ−ナ１１は燃焼を継続す
る。鍋１０の温度が２５０℃迄上昇するとリ−ドスイッ
チ３に導かれる磁束が消滅してリ−ドスイッチ３が開
き、電磁石１５への熱起電力が遮断され、電磁石１５は
弁体２１を吸引する吸引力を失い、弁体２１は着座して
バ−ナ１１への燃料ガスの供給が遮断されて焔１６が消
滅し、火災発生が防止される。
スタ−ト釦１８を矢印１９方向に押すとガス弁１４が開
弁し、燃料ガスが矢印２０方向に流れてバ−ナ１１が点
火する。焔１６によって熱電対１３が加熱され、熱起電
力が発生して電磁石１５が勵磁されガス弁１４の弁体２
１を吸引するから手がスタ−ト釦１８から離れてもガス
弁１４は開弁を保ち、バ−ナ１１は焔１６を保ち、油の
入った鍋１０が加熱され温度が上昇する。鍋底温度検知
筒１２に内蔵されている感温部に例えばキュリ−温度２
５０℃の感温磁性体２を使用したとすれば、鍋１０の温
度が２５０℃に上昇するまでは磁路形成部材６を介して
リ−ドスイッチ３に磁束が導かれてリ−ドスイッチ３は
閉じていて、電磁石１５の勵磁が保たれることによって
ガス弁１４の開弁が保たれ、バ−ナ１１は燃焼を継続す
る。鍋１０の温度が２５０℃迄上昇するとリ−ドスイッ
チ３に導かれる磁束が消滅してリ−ドスイッチ３が開
き、電磁石１５への熱起電力が遮断され、電磁石１５は
弁体２１を吸引する吸引力を失い、弁体２１は着座して
バ−ナ１１への燃料ガスの供給が遮断されて焔１６が消
滅し、火災発生が防止される。
【００１２】図４は前記鍋底温度検知筒１２の拡大断面
図で、前述の通り、符号１は永久磁石、２は感温磁性
体、３はリ−ドスイッチ、６は磁路形成部材、１７はリ
−ド線である。磁路形成部材６として例えば透磁率が高
く、残留磁気が小さいバ−マロイを使用することができ
る。鍋底温度検知筒１２は固定筒１２−１と摺動筒１２
−２とからなり、摺動筒１２−２はスプリング２２によ
って固定筒に対して上方に付勢され、鍋１２をこんろ上
に載置する際、鍋底と接触を保ちつつ下方に摺動する。
図で、前述の通り、符号１は永久磁石、２は感温磁性
体、３はリ−ドスイッチ、６は磁路形成部材、１７はリ
−ド線である。磁路形成部材６として例えば透磁率が高
く、残留磁気が小さいバ−マロイを使用することができ
る。鍋底温度検知筒１２は固定筒１２−１と摺動筒１２
−２とからなり、摺動筒１２−２はスプリング２２によ
って固定筒に対して上方に付勢され、鍋１２をこんろ上
に載置する際、鍋底と接触を保ちつつ下方に摺動する。
【００１３】図５は鍋１０を加熱する時間経過に伴う鍋
の温度変化、及び感温磁性体２の磁気抵抗の変化を示
し、横軸に経過時間、縦軸に鍋の温度、又は磁気抵抗を
とってあり、曲線２３は温度変化を、曲線２４は磁気抵
抗の変化を、キュリ−温度が２５０℃の感温磁性体２を
使用した場を例にとって示してある。曲線２３で示す鍋
１０の温度は加熱時間の経過に伴って上昇し、曲線２４
で示す磁気抵抗は殆ど変化せず、キュリ−温度の２５０
℃迄鍋１０の温度が上昇すると、磁気抵抗が急に増大し
て感温磁性体２の磁束が消滅し、リ−ドスイッチが開い
てバ−ナの燃焼が停止し、その後鍋の温度は次第に低下
する。
の温度変化、及び感温磁性体２の磁気抵抗の変化を示
し、横軸に経過時間、縦軸に鍋の温度、又は磁気抵抗を
とってあり、曲線２３は温度変化を、曲線２４は磁気抵
抗の変化を、キュリ−温度が２５０℃の感温磁性体２を
使用した場を例にとって示してある。曲線２３で示す鍋
１０の温度は加熱時間の経過に伴って上昇し、曲線２４
で示す磁気抵抗は殆ど変化せず、キュリ−温度の２５０
℃迄鍋１０の温度が上昇すると、磁気抵抗が急に増大し
て感温磁性体２の磁束が消滅し、リ−ドスイッチが開い
てバ−ナの燃焼が停止し、その後鍋の温度は次第に低下
する。
【図１】本発明の実施形態を示す図。
【図２】バイアス磁石の配置を示す図。
【図３】磁束密度の変化を利用した本発明の温度制御装
置を、天ぷら火災防止装置付きこんろに使用した例を示
す図。
置を、天ぷら火災防止装置付きこんろに使用した例を示
す図。
【図４】鍋底温度検知筒の拡大断面図。
【図５】加熱時間の経過に伴う鍋の温度の変化と感温磁
性体の磁気抵抗変化を示す図。
性体の磁気抵抗変化を示す図。
【図６】磁束密度の変化を利用した従来の温度制御装置
の作用説明図。
の作用説明図。
【図７】磁束密度の変化を利用した従来の温度制御装置
の作用説明図。
の作用説明図。
【図８】各種の感温磁性体の温度変化に伴う飽和磁束密
度の変化の例を示す図。
度の変化の例を示す図。
１ 永久磁石 ２ 感温磁性体 ３ リ−ドスイッチ ４ 磁束 ５ 接点 ６ 磁路形成部材 ７ バイアス磁石 ８ バイアス磁石から出る磁束 １０ 鍋 １１ バ−ナ １２ 鍋底温度検知筒 １３ 熱電対 １４ ガス弁 １５ 電磁石 １６ 焔 １７ リ−ド線 １８ スタ−ト釦 １９ スタ−ト釦を押す方向を示す矢印 ２０ ガスの流れを示す矢印 ２１ 弁体 ２２ スプリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 利光 岩手県岩手郡滝沢村滝沢字外山309番地 株式会社ミクニアデック内
Claims (2)
- 【請求項１】 ２つの永久磁石（１）の間に温度変化に
よって飽和磁束密度が変化する感温磁性体（２）を挾持
してなる感温部と、該感温部で発生する磁束密度の変化
によって開閉制御されるリ−ドスイッチ（３）とからな
る温度制御装置において、前記感温部が配置されている
高温部の熱影響を受けない位置に前記リ−ドスイッチ
（３）を隔離配置し、該リ−ドスイッチ（３）と前記感
温部との間に磁路形成部材（６）を配置して、感温部と
リ−ドスイッチ（３）との間に磁路を形成してなる磁束
密度の変化を利用した温度制御装置。 - 【請求項２】 前記リ−ドスイッチ（３）の前記感温部
からの隔離による磁束の減衰を補うため、前記リ−ドス
イッチ（３）にバイアス磁場を与えるバイアス磁石
（７）を配置してなる請求項１の、磁束密度の変化を利
用した温度制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4964497A JPH10233147A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 磁束密度の変化を利用した温度制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4964497A JPH10233147A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 磁束密度の変化を利用した温度制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233147A true JPH10233147A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=12836927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4964497A Pending JPH10233147A (ja) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | 磁束密度の変化を利用した温度制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10233147A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002081997A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Miura Co Ltd | 温度検出装置 |
-
1997
- 1997-02-18 JP JP4964497A patent/JPH10233147A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002081997A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Miura Co Ltd | 温度検出装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060425 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060509 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060926 |