JPH10232486A - パターン種別判別方法および判別装置 - Google Patents
パターン種別判別方法および判別装置Info
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- JPH10232486A JPH10232486A JP3801497A JP3801497A JPH10232486A JP H10232486 A JPH10232486 A JP H10232486A JP 3801497 A JP3801497 A JP 3801497A JP 3801497 A JP3801497 A JP 3801497A JP H10232486 A JPH10232486 A JP H10232486A
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- Japan
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- pattern
- mask
- levenson
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レベンソン型位相シフトマスクなどのパター
ン種別を、予め測定した各パターンの信号情報に基づい
て判別する方法および装置を提供すること。 【解決手段】 基準となる標準マスクにスポット光線を
照射してスポット光線の散乱光あるいは正反射光を検出
し、標準マスクのパターンの構成要素別の信号情報を予
め学習して取得し、測定対象のマスクにスポット光線を
照射してスポット光線の散乱光あるいは正反射光を検出
し、学習して取得した信号情報に基づき、測定対象のマ
スクのパターンの構成要素を判別する。
ン種別を、予め測定した各パターンの信号情報に基づい
て判別する方法および装置を提供すること。 【解決手段】 基準となる標準マスクにスポット光線を
照射してスポット光線の散乱光あるいは正反射光を検出
し、標準マスクのパターンの構成要素別の信号情報を予
め学習して取得し、測定対象のマスクにスポット光線を
照射してスポット光線の散乱光あるいは正反射光を検出
し、学習して取得した信号情報に基づき、測定対象のマ
スクのパターンの構成要素を判別する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣの製造に使用
されるマスク等に形成されたパターンの種別を判別する
方法およびその装置に関する。
されるマスク等に形成されたパターンの種別を判別する
方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マスク（レチクルを含む）は、ＬＳＩ製
造におけるウエハ上へのパターン露光工程で使用される
重要な治具である。マスクの種類には、等倍のパターン
を有するマスク、４倍、５倍等のパターンを有するマス
クがある。マスクの基板材料としては、化学的熱的安定
性の要求から、ガラス（主に石英ガラス）が主として使
用される。また、遮光材料としては、ガラス基板との密
着性、化学処理耐性を兼ね備えたものとして金属クロム
が用いられている。さらに、現在の露光装置において、
前述のガラス基板上に金属クロムをパターニングしたマ
スクを使用したものより、より微細なパターンをウエハ
上に露光するための技術として、レベンソン型位相シフ
トマスクが知られている。
造におけるウエハ上へのパターン露光工程で使用される
重要な治具である。マスクの種類には、等倍のパターン
を有するマスク、４倍、５倍等のパターンを有するマス
クがある。マスクの基板材料としては、化学的熱的安定
性の要求から、ガラス（主に石英ガラス）が主として使
用される。また、遮光材料としては、ガラス基板との密
着性、化学処理耐性を兼ね備えたものとして金属クロム
が用いられている。さらに、現在の露光装置において、
前述のガラス基板上に金属クロムをパターニングしたマ
スクを使用したものより、より微細なパターンをウエハ
上に露光するための技術として、レベンソン型位相シフ
トマスクが知られている。
【０００３】一方、マスク上に形成されたパターンの位
置座標、線幅、ピッチ寸法などを高精度に測定する座標
測定装置が知られている。
置座標、線幅、ピッチ寸法などを高精度に測定する座標
測定装置が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の座標測
定装置では、レベンソン型位相シフトマスクのパターン
を測定しても、そのパターンが金属クロム（Ｃｒ）パタ
ーンなのか、位相シフターパターンなのか、ガラスパタ
ーンなのか、あるいは位相シフターが載った金属クロム
パターンなのかが測定できなかった。
定装置では、レベンソン型位相シフトマスクのパターン
を測定しても、そのパターンが金属クロム（Ｃｒ）パタ
ーンなのか、位相シフターパターンなのか、ガラスパタ
ーンなのか、あるいは位相シフターが載った金属クロム
パターンなのかが測定できなかった。
【０００５】本発明の目的は、レベンソン型位相シフト
マスクなどのパターン種別を、予め測定した各パターン
の信号情報に基づいて判別する方法および装置を提供す
ることにある。
マスクなどのパターン種別を、予め測定した各パターン
の信号情報に基づいて判別する方法および装置を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１のパターン種別判別方法は、基準となる標
準マスクにスポット光線を照射してスポット光線の散乱
光あるいは正反射光を検出し、標準マスクのパターンの
構成要素別の信号情報を予め学習して取得し、測定対象
のマスクにスポット光線を照射してスポット光線の散乱
光あるいは正反射光を検出し、学習して取得した信号情
報に基づき、測定対象のマスクのパターンの構成要素を
判別するようにしたものである。請求項２のパターン種
別判別方法は、基準となる標準レベンソン型位相シフト
マスクにスポット光線を照射してスポット光線の散乱光
あるいは正反射光を検出し、標準レベンソン型位相シフ
トマスクのパターンの構成要素別の信号情報を予め学習
して取得し、測定対象のレベンソン型位相シフトマスク
にスポット光線を照射してスポット光線の散乱光あるい
は正反射光を検出し、学習して取得した信号情報に基づ
き、測定対象のレベンソン型位相シフトマスクのパター
ンの構成要素を判別するようにしたものである。請求項
３記載のパターン種別判別方法は、予め学習して取得す
る信号情報を、構成要素が異なる各パターンのエッジ部
の信号波形とするようにしたものである。請求項４記載
のパターン種別判別方法は、予め学習して取得する信号
情報を、構成要素が異なるパターンの組み合わせの信号
波形とするようにしたものである。実施の形態を示す図
１に対応づけて次の発明を説明する。請求項５記載のパ
ターン種別判別装置は、レベンソン型位相シフトマスク
４にスポット光線を照射する光学系１、７、８、２と、
照射されたスポット光線のレベンソン型位相シフトマス
ク４からの散乱光あるいは正反射光を検出して対応した
信号情報を出力する検出手段５、６と、検出手段５、６
により出力された信号情報を処理する信号処理手段１１
と、さらに予め学習して取得された基準となる標準レベ
ンソン型位相シフトマスクのパターンの構成要素別の信
号情報を記憶する記憶手段１１とを備え、信号処理手段
１１を、測定対象のレベンソン型位相シフトマスク４の
信号情報と記憶手段１１に記憶された予め学習して取得
された信号情報とを比較して、測定対象のレベンソン型
位相シフトマスク４のパターンの構成要素を判別させる
ようにしたものである。
に、請求項１のパターン種別判別方法は、基準となる標
準マスクにスポット光線を照射してスポット光線の散乱
光あるいは正反射光を検出し、標準マスクのパターンの
構成要素別の信号情報を予め学習して取得し、測定対象
のマスクにスポット光線を照射してスポット光線の散乱
光あるいは正反射光を検出し、学習して取得した信号情
報に基づき、測定対象のマスクのパターンの構成要素を
判別するようにしたものである。請求項２のパターン種
別判別方法は、基準となる標準レベンソン型位相シフト
マスクにスポット光線を照射してスポット光線の散乱光
あるいは正反射光を検出し、標準レベンソン型位相シフ
トマスクのパターンの構成要素別の信号情報を予め学習
して取得し、測定対象のレベンソン型位相シフトマスク
にスポット光線を照射してスポット光線の散乱光あるい
は正反射光を検出し、学習して取得した信号情報に基づ
き、測定対象のレベンソン型位相シフトマスクのパター
ンの構成要素を判別するようにしたものである。請求項
３記載のパターン種別判別方法は、予め学習して取得す
る信号情報を、構成要素が異なる各パターンのエッジ部
の信号波形とするようにしたものである。請求項４記載
のパターン種別判別方法は、予め学習して取得する信号
情報を、構成要素が異なるパターンの組み合わせの信号
波形とするようにしたものである。実施の形態を示す図
１に対応づけて次の発明を説明する。請求項５記載のパ
ターン種別判別装置は、レベンソン型位相シフトマスク
４にスポット光線を照射する光学系１、７、８、２と、
照射されたスポット光線のレベンソン型位相シフトマス
ク４からの散乱光あるいは正反射光を検出して対応した
信号情報を出力する検出手段５、６と、検出手段５、６
により出力された信号情報を処理する信号処理手段１１
と、さらに予め学習して取得された基準となる標準レベ
ンソン型位相シフトマスクのパターンの構成要素別の信
号情報を記憶する記憶手段１１とを備え、信号処理手段
１１を、測定対象のレベンソン型位相シフトマスク４の
信号情報と記憶手段１１に記憶された予め学習して取得
された信号情報とを比較して、測定対象のレベンソン型
位相シフトマスク４のパターンの構成要素を判別させる
ようにしたものである。
【０００７】なお、上記課題を解決するための手段の項
では、分かりやすく説明するため実施の形態の図と対応
づけたが、これにより本発明が実施の形態に限定される
ものではない。
では、分かりやすく説明するため実施の形態の図と対応
づけたが、これにより本発明が実施の形態に限定される
ものではない。
【０００８】
−第１の実施形態− 図１は、本発明が適用される座標測定装置の実施の形態
の概念構成図である。１は試料にスポット光線を照射す
るためのレーザ光源、２は対物レンズ、３はマスクをＸ
Ｙ方向に移動させるＸＹステージ、４は測定対象のマス
ク（試料）、５はマスクからの散乱光を検出する暗視野
検出器、６はマスクからの正反射光を検出する明視野検
出器、７はレーザ光をマスクに向けて反射する反射鏡、
８はレーザー光源１からのレーザー光を透過しマスクか
らの正反射光を明視野検出器６に向けて反射するハーフ
ミラー、９は散乱光、１０は正反射光、１１は暗視野検
出器５や明視野検出器６からの信号を処理するＣＰＵや
ＡＤ変換装置、記憶装置などの各種周辺装置からなる信
号処理部、１２は光波干渉により対物レンズ２やＸＹス
テージの位置を測定する干渉計である。
の概念構成図である。１は試料にスポット光線を照射す
るためのレーザ光源、２は対物レンズ、３はマスクをＸ
Ｙ方向に移動させるＸＹステージ、４は測定対象のマス
ク（試料）、５はマスクからの散乱光を検出する暗視野
検出器、６はマスクからの正反射光を検出する明視野検
出器、７はレーザ光をマスクに向けて反射する反射鏡、
８はレーザー光源１からのレーザー光を透過しマスクか
らの正反射光を明視野検出器６に向けて反射するハーフ
ミラー、９は散乱光、１０は正反射光、１１は暗視野検
出器５や明視野検出器６からの信号を処理するＣＰＵや
ＡＤ変換装置、記憶装置などの各種周辺装置からなる信
号処理部、１２は光波干渉により対物レンズ２やＸＹス
テージの位置を測定する干渉計である。
【０００９】座標測定装置の測定原理は、レーザー光源
１からマスクにスポット光線を照射させながらＸＹステ
ージ３を駆動し、暗視野検出器５あるいは明視野検出器
６で散乱光や正反射光等を測定して測定光の変化等を検
出し、その時点のＸＹステージ３の位置を干渉計１２で
測定し、試料すなわちマスクのパターンの位置などを測
定するものである。詳細な内容は公知であるので省略す
る。
１からマスクにスポット光線を照射させながらＸＹステ
ージ３を駆動し、暗視野検出器５あるいは明視野検出器
６で散乱光や正反射光等を測定して測定光の変化等を検
出し、その時点のＸＹステージ３の位置を干渉計１２で
測定し、試料すなわちマスクのパターンの位置などを測
定するものである。詳細な内容は公知であるので省略す
る。
【００１０】図２（ａ）は、レベンソン型位相シフトマ
スクの断面図を示す。２１はガラス基板で主に石英ガラ
スからなる。２２は金属クロムパターンで金属クロム
（Ｃｒ）からなる。２３は位相シフタで酸化シリコン
（ＳｉＯ2）からなる。２４はガラス基板に溝を形成し
た溝パターンである。パターンは、さらにモリブデンシ
リサイド（ＭｏＳｉＯＮ）あるいは酸化クロムあるいは
フッ化クロム（ＣｒＦＣｒＯ2、ＣｒＦ4、ＣｒＯＦ2）
からなるハーフトーンシフタで形成される場合もある。
パターンを構成するためのこれらの構成要素が各種組み
合わされてパターンを形成する。例えば、図２（ａ）で
は、右からガラス基板２１の上に金属クロム２２が形成
されており、その横にはさらにその上に位相シフタが形
成されており、さらにその横には溝パターン２４の上に
位相シフタ２３が形成されており、さらにその横は溝パ
ターン２４のみが形成されている場合が示されている。
スクの断面図を示す。２１はガラス基板で主に石英ガラ
スからなる。２２は金属クロムパターンで金属クロム
（Ｃｒ）からなる。２３は位相シフタで酸化シリコン
（ＳｉＯ2）からなる。２４はガラス基板に溝を形成し
た溝パターンである。パターンは、さらにモリブデンシ
リサイド（ＭｏＳｉＯＮ）あるいは酸化クロムあるいは
フッ化クロム（ＣｒＦＣｒＯ2、ＣｒＦ4、ＣｒＯＦ2）
からなるハーフトーンシフタで形成される場合もある。
パターンを構成するためのこれらの構成要素が各種組み
合わされてパターンを形成する。例えば、図２（ａ）で
は、右からガラス基板２１の上に金属クロム２２が形成
されており、その横にはさらにその上に位相シフタが形
成されており、さらにその横には溝パターン２４の上に
位相シフタ２３が形成されており、さらにその横は溝パ
ターン２４のみが形成されている場合が示されている。
【００１１】図２（ｂ）は、図２（ａ）に示されたレベ
ンソン型位相シフトマスクをＸＹステージ３により移動
させながら、スポット光線を照射しその散乱光を暗視野
検出器５で測定した場合の検出信号の波形を示す図であ
る。Ｘ軸は検出信号位置を示し、Ｙ軸は検出信号強度を
示している。図２（ｂ）において、２５はガラス基板２
１の上に金属クロムパターン２２が形成されている場合
の金属クロムパターン２２のエッジにおいてピークを持
つ信号波形、２６はガラス基板２１の上に金属クロムパ
ターン２２が形成されさらにその上に位相シフタ２３が
形成されている場合の位相シフタ２３のエッジにおいて
ピークを持つ信号波形、２７はガラス基板２１の上に金
属クロムパターン２２が形成されさらにその上に位相シ
フタ２３が形成されている場合の位相シフタ２３の下の
金属クロムパターン２２のエッジにおいてピークを持つ
信号波形、２８は溝パターン２４の上に位相シフタ２３
が形成されている場合の位相シフタ２３のエッジにおい
てピークを持つ信号波形、２９は溝パターン２４のみの
場合の溝パターン２４のエッジにおいてピークを持つ信
号波形が示されている。
ンソン型位相シフトマスクをＸＹステージ３により移動
させながら、スポット光線を照射しその散乱光を暗視野
検出器５で測定した場合の検出信号の波形を示す図であ
る。Ｘ軸は検出信号位置を示し、Ｙ軸は検出信号強度を
示している。図２（ｂ）において、２５はガラス基板２
１の上に金属クロムパターン２２が形成されている場合
の金属クロムパターン２２のエッジにおいてピークを持
つ信号波形、２６はガラス基板２１の上に金属クロムパ
ターン２２が形成されさらにその上に位相シフタ２３が
形成されている場合の位相シフタ２３のエッジにおいて
ピークを持つ信号波形、２７はガラス基板２１の上に金
属クロムパターン２２が形成されさらにその上に位相シ
フタ２３が形成されている場合の位相シフタ２３の下の
金属クロムパターン２２のエッジにおいてピークを持つ
信号波形、２８は溝パターン２４の上に位相シフタ２３
が形成されている場合の位相シフタ２３のエッジにおい
てピークを持つ信号波形、２９は溝パターン２４のみの
場合の溝パターン２４のエッジにおいてピークを持つ信
号波形が示されている。
【００１２】このように、レベンソン型位相シフトマス
クにおいては、構成要素の組み合わせにより各エッジに
おける散乱光の検出波形が異なるため、各種組み合わせ
のパターンの信号波形のデータを予め取得し信号処理部
１１の記憶装置などに記憶しておき、そのデータと実際
に測定されるパターンの波形とを比較しどの構成要素の
組み合わせのものかを判別することができる。信号波形
のデータとしては、暗視野検出器５から信号処理部１１
に入力された信号をＡＤ変換器でデジタル値に変換し、
その信号のピーク値および所定レベルにおける信号幅値
をデータとして取得しておく。
クにおいては、構成要素の組み合わせにより各エッジに
おける散乱光の検出波形が異なるため、各種組み合わせ
のパターンの信号波形のデータを予め取得し信号処理部
１１の記憶装置などに記憶しておき、そのデータと実際
に測定されるパターンの波形とを比較しどの構成要素の
組み合わせのものかを判別することができる。信号波形
のデータとしては、暗視野検出器５から信号処理部１１
に入力された信号をＡＤ変換器でデジタル値に変換し、
その信号のピーク値および所定レベルにおける信号幅値
をデータとして取得しておく。
【００１３】なお、上記では、各パターンのエッジの信
号を個別に取得しておき、検出された信号波形より構成
要素の組み合わせが異なるエッジの種別をそれぞれ判別
する例を説明した。しかし、マスク上にパターンを形成
する場合、上記構成要素の組み合わせは所定のものに限
定される。例えば、図２（ａ）のような場合や図２
（ａ）がミラー対称になった場合など、ある程度組み合
わせの数が限定される。また、それぞれのパターンの幅
や厚みなども１種類か数種類に限定される。従って、各
エッジのピーク値を結んだ信号波形の組み合わせデータ
を所定の数だけ事前に測定しておけば、そのデータと比
較することにより構成要素の異なるパターンのエッジの
組み合わせの判別を行うことができる。例えば、図２
（ａ）に示す、右からガラス基板２１の上に金属クロム
２２が形成され、左に進むとさらにその上に位相シフタ
が形成され、さらに左に進むと溝パターンの上に位相シ
フタのみが形成され、その左に溝パターン２４のみがあ
るという組み合わせを、図２（ｂ）の各ピーク値を結ぶ
信号波形を検出することによりこの組み合わせを検出す
ることができる。このようにすると、それぞれのエッジ
における信号波形を精度よく測定しなくても、パターン
の種別が判別できる。
号を個別に取得しておき、検出された信号波形より構成
要素の組み合わせが異なるエッジの種別をそれぞれ判別
する例を説明した。しかし、マスク上にパターンを形成
する場合、上記構成要素の組み合わせは所定のものに限
定される。例えば、図２（ａ）のような場合や図２
（ａ）がミラー対称になった場合など、ある程度組み合
わせの数が限定される。また、それぞれのパターンの幅
や厚みなども１種類か数種類に限定される。従って、各
エッジのピーク値を結んだ信号波形の組み合わせデータ
を所定の数だけ事前に測定しておけば、そのデータと比
較することにより構成要素の異なるパターンのエッジの
組み合わせの判別を行うことができる。例えば、図２
（ａ）に示す、右からガラス基板２１の上に金属クロム
２２が形成され、左に進むとさらにその上に位相シフタ
が形成され、さらに左に進むと溝パターンの上に位相シ
フタのみが形成され、その左に溝パターン２４のみがあ
るという組み合わせを、図２（ｂ）の各ピーク値を結ぶ
信号波形を検出することによりこの組み合わせを検出す
ることができる。このようにすると、それぞれのエッジ
における信号波形を精度よく測定しなくても、パターン
の種別が判別できる。
【００１４】具体的には、暗視野検出器５から入力され
る信号をＡＤ変換し、所定レベルに達した時点を起点と
し所定時間間隔にＡＤ変換されたデータを取得し、取得
されたデータの並びの順番に、事前に測定された構成要
素の異なるパターンの並びの組み合わせのデータと比較
する。事前に測定されたあるパターンの並びの組み合わ
せのデータと一定の範囲内で一致すると、そのパターン
の並びが検出されたものと見なすことができる。
る信号をＡＤ変換し、所定レベルに達した時点を起点と
し所定時間間隔にＡＤ変換されたデータを取得し、取得
されたデータの並びの順番に、事前に測定された構成要
素の異なるパターンの並びの組み合わせのデータと比較
する。事前に測定されたあるパターンの並びの組み合わ
せのデータと一定の範囲内で一致すると、そのパターン
の並びが検出されたものと見なすことができる。
【００１５】図３（ｂ）は、図３（ａ）に示されたレベ
ンソン型位相シフトマスクをＸＹステージ３により移動
させながら、スポット光線を照射しその正反射光を明視
野検出器６で測定した場合の検出信号の波形を示す図で
ある。図３（ａ）は図２（ａ）と同じ構成である。明視
野検出器６での測定は、図３（ｂ）の波形からも分かる
ように、上述したパターンの並びの組み合わせデータに
よる判別のための測定である。
ンソン型位相シフトマスクをＸＹステージ３により移動
させながら、スポット光線を照射しその正反射光を明視
野検出器６で測定した場合の検出信号の波形を示す図で
ある。図３（ａ）は図２（ａ）と同じ構成である。明視
野検出器６での測定は、図３（ｂ）の波形からも分かる
ように、上述したパターンの並びの組み合わせデータに
よる判別のための測定である。
【００１６】図４は、標準マスクのデータの取得を行う
フローチャートを示す。標準マスクとは、構成要素の異
なる各パターンの散乱光あるいは反射光のデータを予め
取得（学習）しておくためのものである。各構成要素の
形成位置、幅、厚み、構成要素の組み合わせは予め定め
られており、その標準マスクを事前に測定することによ
り各種パターンに対応したデータを取得することができ
る。このようにすると、構成要素の条件を少し変えるだ
けでも、それに対応した標準マスクを作成すれば容易に
変更したパターンのデータを取得することができ学習機
能がある。
フローチャートを示す。標準マスクとは、構成要素の異
なる各パターンの散乱光あるいは反射光のデータを予め
取得（学習）しておくためのものである。各構成要素の
形成位置、幅、厚み、構成要素の組み合わせは予め定め
られており、その標準マスクを事前に測定することによ
り各種パターンに対応したデータを取得することができ
る。このようにすると、構成要素の条件を少し変えるだ
けでも、それに対応した標準マスクを作成すれば容易に
変更したパターンのデータを取得することができ学習機
能がある。
【００１７】ステップＳ１では、まず標準マスクを座標
測定装置のＸＹステージに搭載する。ステップＳ２で
は、スポット光線を標準マスクに照射しＸＹステージを
駆動する。ステップＳ３では、暗視野検出器５で散乱光
を、明視野検出器６で反射光を検出する。どちらか一方
のみで検出することとしてもよい。ステップＳ４で、信
号処理部１１によるＡＤ変換等の信号処理を行う。ステ
ップＳ５で、信号処理されたデータを信号処理部１１の
記憶装置（不図示）に格納する。ステップＳ６で標準マ
スク上のすべてのパターンのデータを取得したか判断
し、まだ取得していない場合はステップＳ２に戻り、す
べてのデータを取得している場合は処理を終了する。
測定装置のＸＹステージに搭載する。ステップＳ２で
は、スポット光線を標準マスクに照射しＸＹステージを
駆動する。ステップＳ３では、暗視野検出器５で散乱光
を、明視野検出器６で反射光を検出する。どちらか一方
のみで検出することとしてもよい。ステップＳ４で、信
号処理部１１によるＡＤ変換等の信号処理を行う。ステ
ップＳ５で、信号処理されたデータを信号処理部１１の
記憶装置（不図示）に格納する。ステップＳ６で標準マ
スク上のすべてのパターンのデータを取得したか判断
し、まだ取得していない場合はステップＳ２に戻り、す
べてのデータを取得している場合は処理を終了する。
【００１８】上記の標準マスクのデータの取得は、事前
に工場でデータを取得し座標測定装置製造時にデータを
信号処理部１１の記憶装置に格納して出荷する場合、あ
るいはユーザーサイドにて定期的に校正などを行うとき
にデータを取得して格納する場合、あるいは測定ごとに
事前にデータを取得して格納する場合など各種の態様が
考えられる。また、工場で取得されたデータをフロッピ
ーディスクなどのメディアに格納してユーザーに提供
し、ユーザーがそのデータを装置にロードすることも考
えられる。これらの態様は、測定対象物などの条件によ
り任意に選択することができる。
に工場でデータを取得し座標測定装置製造時にデータを
信号処理部１１の記憶装置に格納して出荷する場合、あ
るいはユーザーサイドにて定期的に校正などを行うとき
にデータを取得して格納する場合、あるいは測定ごとに
事前にデータを取得して格納する場合など各種の態様が
考えられる。また、工場で取得されたデータをフロッピ
ーディスクなどのメディアに格納してユーザーに提供
し、ユーザーがそのデータを装置にロードすることも考
えられる。これらの態様は、測定対象物などの条件によ
り任意に選択することができる。
【００１９】図５はパターン判別処理のフローチャート
を示す図である。ステップＳ１０１では、座標測定装置
によるパターン位置等の測定が開始される。ステップＳ
１０２では、スポット光線を測定対象のマスクに照射し
ＸＹステージを駆動する。ステップＳ１０３では、暗視
野検出器５で散乱光を、明視野検出器６で反射光を検出
する。標準マスクによるデータがどちらか一方のみで検
出されている場合はどちらか一方のみ検出とする。ステ
ップＳ１０４で、信号処理部１１によるＡＤ変換等の信
号処理を行う。ステップＳ１０５で、信号処理されたデ
ータと予め取得されたデータと比較処理を行いデータが
一致するパターンを測定対象のパターン種別であると判
別する。ステップＳ１０６で、判別されたパターン種別
情報をパターン位置等のデータに付加して格納し、処理
を終了する。
を示す図である。ステップＳ１０１では、座標測定装置
によるパターン位置等の測定が開始される。ステップＳ
１０２では、スポット光線を測定対象のマスクに照射し
ＸＹステージを駆動する。ステップＳ１０３では、暗視
野検出器５で散乱光を、明視野検出器６で反射光を検出
する。標準マスクによるデータがどちらか一方のみで検
出されている場合はどちらか一方のみ検出とする。ステ
ップＳ１０４で、信号処理部１１によるＡＤ変換等の信
号処理を行う。ステップＳ１０５で、信号処理されたデ
ータと予め取得されたデータと比較処理を行いデータが
一致するパターンを測定対象のパターン種別であると判
別する。ステップＳ１０６で、判別されたパターン種別
情報をパターン位置等のデータに付加して格納し、処理
を終了する。
【００２０】なお、上記図４、図５のフローチャートの
説明では、各パターンのエッジの信号データを個別に取
得する場合と、パターンの並びの組み合わせとして信号
データを取得する場合との区別をせずに説明をした。こ
れは、前者の場合と後者の場合の違いはデータ取得の分
解能が異なるだけであり、データ処理の考え方としては
同じであるからである。前者の場合はより高い分解能で
信号波形を取得する必要があり、後者の場合は比較的低
い分解能での信号波形の取得でよい。従って、ＡＤ変換
器やＣＰＵ等の性能をそれぞれに応じたものを選択すれ
ばよい。
説明では、各パターンのエッジの信号データを個別に取
得する場合と、パターンの並びの組み合わせとして信号
データを取得する場合との区別をせずに説明をした。こ
れは、前者の場合と後者の場合の違いはデータ取得の分
解能が異なるだけであり、データ処理の考え方としては
同じであるからである。前者の場合はより高い分解能で
信号波形を取得する必要があり、後者の場合は比較的低
い分解能での信号波形の取得でよい。従って、ＡＤ変換
器やＣＰＵ等の性能をそれぞれに応じたものを選択すれ
ばよい。
【００２１】また、ステップＳ１０６で判別されたパタ
ーン種別情報が付加されるパターン位置等のデータの取
得は公知な内容であるが、暗視野検出器５や明視野検出
器６のどちらか一方の検出器により、同一測定データを
参照しながらパターン位置等のデータの取得とパターン
種別の判別をすることが可能である。あるいは、例えば
暗視野検出器５でパターン位置等のデータの取得を行
い、明視野検出器６でパターン種別の判別のデータを取
得するなど、検出器を併用してパターン位置等のデータ
の取得とパターン種別の判別とを行うようにすることも
可能である。
ーン種別情報が付加されるパターン位置等のデータの取
得は公知な内容であるが、暗視野検出器５や明視野検出
器６のどちらか一方の検出器により、同一測定データを
参照しながらパターン位置等のデータの取得とパターン
種別の判別をすることが可能である。あるいは、例えば
暗視野検出器５でパターン位置等のデータの取得を行
い、明視野検出器６でパターン種別の判別のデータを取
得するなど、検出器を併用してパターン位置等のデータ
の取得とパターン種別の判別とを行うようにすることも
可能である。
【００２２】また、以上の実施の形態では、信号波形の
比較はＡＤ変換されたデータの比較で行ったが、波形デ
ータを画像データとして取得し、パターン認識による画
像データ処理を行って波形を比較してもよい。
比較はＡＤ変換されたデータの比較で行ったが、波形デ
ータを画像データとして取得し、パターン認識による画
像データ処理を行って波形を比較してもよい。
【００２３】また、以上の実施の形態では、レベンソン
型位相シフトマスクについて説明を行ったが、判別対象
となる試料はレベンソン型位相シフトマスクに限定する
必要はない。例えば、位相シフトマスクについては、補
助パターン型、エッジ強調型、ハーフトーン型、クロム
レス型などの位相シフトマスクにも適用できる。また、
位相シフトマスクに限定する必要もない。すなわち、予
め学習してパターンの信号データを取得できる試料であ
れば、本発明の内容を適用することができる。
型位相シフトマスクについて説明を行ったが、判別対象
となる試料はレベンソン型位相シフトマスクに限定する
必要はない。例えば、位相シフトマスクについては、補
助パターン型、エッジ強調型、ハーフトーン型、クロム
レス型などの位相シフトマスクにも適用できる。また、
位相シフトマスクに限定する必要もない。すなわち、予
め学習してパターンの信号データを取得できる試料であ
れば、本発明の内容を適用することができる。
【００２４】以上のように、本実施の形態では、予め作
成した標準のレベンソン型シフトマスクの散乱光等の信
号データを学習して取得し、このデータと実際の測定対
象のレベンソン型シフトマスクのパターンにおける散乱
光等の信号データと比較することにより、容易にレベン
ソン型シフトマスクパターンの構成要素別の種別を判別
することができる。このようにして得られたパターン種
別のデータを、パターン位置や線幅等のデータに付加す
ることにより、より高度な解析が可能となり精度の高い
高性能な座標測定装置を実現することができる。
成した標準のレベンソン型シフトマスクの散乱光等の信
号データを学習して取得し、このデータと実際の測定対
象のレベンソン型シフトマスクのパターンにおける散乱
光等の信号データと比較することにより、容易にレベン
ソン型シフトマスクパターンの構成要素別の種別を判別
することができる。このようにして得られたパターン種
別のデータを、パターン位置や線幅等のデータに付加す
ることにより、より高度な解析が可能となり精度の高い
高性能な座標測定装置を実現することができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成して
いるので、次のような効果を奏する。請求項１のパター
ン種別判別方法では、予め学習した信号情報に基づき測
定対象のマスクのパターンの構成要素を判別するように
したので、マスクのパターンの判別を容易に行うことが
でき、さらには、パターンの構成要素に変更があっても
容易に対応ができる。請求項２のパターン種別判別方法
では、レベンソン型位相シフトマスクのパターンの判別
が可能となる。請求項３記載のパターン種別判別方法で
は、パターンのエッジ部の信号波形により即座にそのパ
ターンの判別が可能である。請求項４記載のパターン種
別判別方法では、パターンの組み合わせによる信号波形
を測定するようにしたので、請求項２の方法に比べて高
性能な分解能の測定器を必要としない。請求項５記載の
パターン種別判別装置では、請求項１および請求項２と
同様の効果が得られる。
いるので、次のような効果を奏する。請求項１のパター
ン種別判別方法では、予め学習した信号情報に基づき測
定対象のマスクのパターンの構成要素を判別するように
したので、マスクのパターンの判別を容易に行うことが
でき、さらには、パターンの構成要素に変更があっても
容易に対応ができる。請求項２のパターン種別判別方法
では、レベンソン型位相シフトマスクのパターンの判別
が可能となる。請求項３記載のパターン種別判別方法で
は、パターンのエッジ部の信号波形により即座にそのパ
ターンの判別が可能である。請求項４記載のパターン種
別判別方法では、パターンの組み合わせによる信号波形
を測定するようにしたので、請求項２の方法に比べて高
性能な分解能の測定器を必要としない。請求項５記載の
パターン種別判別装置では、請求項１および請求項２と
同様の効果が得られる。
【図１】本発明が適用される座標測定装置の実施の形態
の概念構成図。
の概念構成図。
【図２】レベンソン型位相シフトマスクの断面図および
散乱光の検出信号の波形図。
散乱光の検出信号の波形図。
【図３】レベンソン型位相シフトマスクの断面図および
正反射光の検出信号の波形図。
正反射光の検出信号の波形図。
【図４】標準マスクのデータの取得を行うフローチャー
ト。
ト。
【図５】パターン判別処理のフローチャート。
１ レーザ光源 ２ 対物レンズ ３ ＸＹステージ ４ マスク ５ 暗視野検出器 ６ 明視野検出器 ７ 反射鏡 ８ ハーフミラー ９ 散乱光 １０ 正反射光 １１ 信号処理部 １２ 干渉計
Claims (5)
- 【請求項１】基準となる標準マスクにスポット光線を照
射してスポット光線の散乱光あるいは正反射光を検出
し、前記標準マスクのパターンの構成要素別の信号情報
を予め学習して取得し、 測定対象のマスクにスポット光線を照射してスポット光
線の散乱光あるいは正反射光を検出し、前記学習して取
得した信号情報に基づき、測定対象のマスクのパターン
の構成要素を判別することを特徴とするパターン種別判
別方法。 - 【請求項２】基準となる標準レベンソン型位相シフトマ
スクにスポット光線を照射してスポット光線の散乱光あ
るいは正反射光を検出し、前記標準レベンソン型位相シ
フトマスクのパターンの構成要素別の信号情報を予め学
習して取得し、 測定対象のレベンソン型位相シフトマスクにスポット光
線を照射してスポット光線の散乱光あるいは正反射光を
検出し、前記学習して取得した信号情報に基づき、測定
対象のレベンソン型位相シフトマスクのパターンの構成
要素を判別することを特徴とするパターン種別判別方
法。 - 【請求項３】請求項１または請求項２記載のパターン種
別判別方法において、 前記予め学習して取得した信号情報は、構成要素が異な
る各パターンのエッジ部の信号波形であることを特徴と
するパターン種別判別方法。 - 【請求項４】請求項１または請求項２記載のパターン種
別判別方法において、 前記予め学習して取得した信号情報は、構成要素が異な
るパターンの組み合わせの信号波形であることを特徴と
するパターン種別判別方法。 - 【請求項５】レベンソン型位相シフトマスクにスポット
光線を照射する光学系と、 照射されたスポット光線の前記レベンソン型位相シフト
マスクからの散乱光あるいは正反射光を検出して対応し
た信号情報を出力する検出手段と、 前記検出手段により出力された信号情報を処理する信号
処理手段とを備えたパターン種別判別装置において、 予め学習して取得された基準となる標準レベンソン型位
相シフトマスクのパターンの構成要素別の信号情報を記
憶する記憶手段をさらに備え、 前記信号処理手段は、測定対象のレベンソン型位相シフ
トマスクの信号情報と前記記憶手段に記憶された前記予
め学習して取得された信号情報とを比較して、測定対象
のレベンソン型位相シフトマスクのパターンの構成要素
を判別することを特徴とするパターン種別判別装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3801497A JPH10232486A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | パターン種別判別方法および判別装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3801497A JPH10232486A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | パターン種別判別方法および判別装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10232486A true JPH10232486A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=12513730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3801497A Pending JPH10232486A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | パターン種別判別方法および判別装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10232486A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013231675A (ja) * | 2012-04-28 | 2013-11-14 | East Japan Railway Co | 渦流探傷方法と渦流探傷装置 |
| US8754703B2 (en) | 2012-07-02 | 2014-06-17 | Powerchip Technology Corp. | Internal voltage trimming circuit, method thereof and semiconductor circuit device comprising the same |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP3801497A patent/JPH10232486A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013231675A (ja) * | 2012-04-28 | 2013-11-14 | East Japan Railway Co | 渦流探傷方法と渦流探傷装置 |
| US8754703B2 (en) | 2012-07-02 | 2014-06-17 | Powerchip Technology Corp. | Internal voltage trimming circuit, method thereof and semiconductor circuit device comprising the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040108 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050601 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050607 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060131 |