JPH10229218A - 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 - Google Patents
窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板Info
- Publication number
- JPH10229218A JPH10229218A JP3173497A JP3173497A JPH10229218A JP H10229218 A JPH10229218 A JP H10229218A JP 3173497 A JP3173497 A JP 3173497A JP 3173497 A JP3173497 A JP 3173497A JP H10229218 A JPH10229218 A JP H10229218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- substrate
- grown
- wafer
- gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板を提
供する。 【解決手段】 第１の基板１上に窒化物半導体３が成長
された第１のウェーハと、第２の基板１′上に窒化物半
導体３′が成長された第２のウェーハとを用意し、前記
第１と前記第２のウェーハとをそれぞれの窒化物半導体
同士が密着するようにして接着した後、第１の基板１と
第２の基板１′とを除去する。
供する。 【解決手段】 第１の基板１上に窒化物半導体３が成長
された第１のウェーハと、第２の基板１′上に窒化物半
導体３′が成長された第２のウェーハとを用意し、前記
第１と前記第２のウェーハとをそれぞれの窒化物半導体
同士が密着するようにして接着した後、第１の基板１と
第２の基板１′とを除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は窒化物半導体（ＩｎXＡ
ｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる基
板の製造方法に関する。
ｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる基
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体を基板上に成長させる際、
その成長させる半導体と格子整合した基板を用いると半
導体の結晶欠陥が少なくなって結晶性が向上することが
知られている。しかし、窒化物半導体は格子整合する基
板が現在世の中に存在しないことから、一般にサファイ
ア、スピネル、炭化ケイ素のような窒化物半導体と格子
整合しない基板の上に成長されている。
その成長させる半導体と格子整合した基板を用いると半
導体の結晶欠陥が少なくなって結晶性が向上することが
知られている。しかし、窒化物半導体は格子整合する基
板が現在世の中に存在しないことから、一般にサファイ
ア、スピネル、炭化ケイ素のような窒化物半導体と格子
整合しない基板の上に成長されている。
【０００３】ＧａＮバルク結晶を作製する試みは、様々
な研究機関において成されているが、未だに数ミリ程度
のものしか得られたという報告しかされておらず、実用
化には程遠い状態である。
な研究機関において成されているが、未だに数ミリ程度
のものしか得られたという報告しかされておらず、実用
化には程遠い状態である。
【０００４】ＧａＮ基板を作製する技術として、例えば
特開平７−２０２２６５号公報、特開平７−１６５４９
８号に、サファイア基板の上にＺｎＯよりなるバッファ
層を形成して、そのバッファ層の上に窒化物半導体を成
長させた後、バッファ層を溶解除去する技術が記載され
ている。
特開平７−２０２２６５号公報、特開平７−１６５４９
８号に、サファイア基板の上にＺｎＯよりなるバッファ
層を形成して、そのバッファ層の上に窒化物半導体を成
長させた後、バッファ層を溶解除去する技術が記載され
ている。
【０００５】しかしながらサファイア基板の上に成長さ
れるＺｎＯバッファ層の結晶性は悪く、そのバッファ層
の上に窒化物半導体を成長させても良質の窒化物半導体
を得ることは難しい。さらに、薄膜のＺｎＯよりなるバ
ッファ層を溶解除去するのは非常に長時間を要し実用は
難しい。
れるＺｎＯバッファ層の結晶性は悪く、そのバッファ層
の上に窒化物半導体を成長させても良質の窒化物半導体
を得ることは難しい。さらに、薄膜のＺｎＯよりなるバ
ッファ層を溶解除去するのは非常に長時間を要し実用は
難しい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情を鑑みて成されたものであって、その目的とするとこ
ろは、結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板を提供す
ることにある。
情を鑑みて成されたものであって、その目的とするとこ
ろは、結晶性の良い窒化物半導体よりなる基板を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体基
板の製造方法は第１の基板上に窒化物半導体が成長され
た第１のウェーハと、第２の基板上に窒化物半導体が成
長された第２のウェーハとを用意し、前記第１と前記第
２のウェーハとをそれぞれの窒化物半導体同士が密着す
るようにして接着した後、第１の基板と第２の基板とを
除去することを特徴とする。
板の製造方法は第１の基板上に窒化物半導体が成長され
た第１のウェーハと、第２の基板上に窒化物半導体が成
長された第２のウェーハとを用意し、前記第１と前記第
２のウェーハとをそれぞれの窒化物半導体同士が密着す
るようにして接着した後、第１の基板と第２の基板とを
除去することを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明の製造方法では、前記接着
が窒化物半導体の分解圧以上に加圧された窒素雰囲気中
でウェーハを加熱することにより行われることを特徴と
する。
が窒化物半導体の分解圧以上に加圧された窒素雰囲気中
でウェーハを加熱することにより行われることを特徴と
する。
【０００９】また本発明の窒化物半導体基板は、少なく
とも２層構造を有する窒化物半導体よりなる基板であっ
て、それら窒化物半導体層のキャリア濃度が互いに異な
ることを特徴とする。
とも２層構造を有する窒化物半導体よりなる基板であっ
て、それら窒化物半導体層のキャリア濃度が互いに異な
ることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の製造方法において、窒化
物半導体を成長させる第１の基板、及び第２の基板に
は、従来提案されている窒化物半導体が成長できる基板
であって、窒化物半導体よりなる基板を除いた基板であ
ればどのような基板を使用しても良く、例えばサファイ
ア、スピネル、ＳｉＣ等が多用され、その他、ＺｎＯ、
ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＧａＰ等があり、また特開平２−２２
９４７５公報に記載される窒化物半導体に格子整合した
酸化物基板を用いることができる。
物半導体を成長させる第１の基板、及び第２の基板に
は、従来提案されている窒化物半導体が成長できる基板
であって、窒化物半導体よりなる基板を除いた基板であ
ればどのような基板を使用しても良く、例えばサファイ
ア、スピネル、ＳｉＣ等が多用され、その他、ＺｎＯ、
ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＧａＰ等があり、また特開平２−２２
９４７５公報に記載される窒化物半導体に格子整合した
酸化物基板を用いることができる。
【００１１】窒化物半導体を成長させるには、例えばＭ
ＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相
成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気相成長法）等の従来よ
り知られている気相成長法を用いることができる。
ＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相
成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気相成長法）等の従来よ
り知られている気相成長法を用いることができる。
【００１２】基板上に窒化物半導体を成長させるには、
まず基板に接して、０．１μｍ以下の膜厚でＧａＮ、Ａ
ｌＮ、ＡｌＧａＮ等のバッファ層を成長させることが望
ましい。バッファ層は例えば特開平４−２９７０２３号
公報において詳説されている。
まず基板に接して、０．１μｍ以下の膜厚でＧａＮ、Ａ
ｌＮ、ＡｌＧａＮ等のバッファ層を成長させることが望
ましい。バッファ層は例えば特開平４−２９７０２３号
公報において詳説されている。
【００１３】次に基板上に成長させる窒化物半導体は最
も好ましくはノンドープ、若しくはｎ型不純物を１×１
０19／cm3以下でドープしたＧａＮを成長させる。ｎ型
不純物はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ等の第４族元素の内の少
なくとも一種を選択し、特に好ましくはＳｉ、Ｇｅを用
いる。窒化物半導体の膜厚は５０μｍ以上、さらに好ま
しくは８０μｍ以上、最も好ましくは１００μｍ以上で
成長させる。上限については特に限定しないが２００μ
ｍ以下が望ましい。またｎ型不純物のドープ量が１×１
０19／cm3を超えると基板となる結晶性の良い窒化物半
導体が成長させにくい。なお結晶性が良いとは、例えば
２軸結晶法によるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１５
分以下の窒化物半導体を指す。
も好ましくはノンドープ、若しくはｎ型不純物を１×１
０19／cm3以下でドープしたＧａＮを成長させる。ｎ型
不純物はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ等の第４族元素の内の少
なくとも一種を選択し、特に好ましくはＳｉ、Ｇｅを用
いる。窒化物半導体の膜厚は５０μｍ以上、さらに好ま
しくは８０μｍ以上、最も好ましくは１００μｍ以上で
成長させる。上限については特に限定しないが２００μ
ｍ以下が望ましい。またｎ型不純物のドープ量が１×１
０19／cm3を超えると基板となる結晶性の良い窒化物半
導体が成長させにくい。なお結晶性が良いとは、例えば
２軸結晶法によるＸ線ロッキングカーブの半値幅が１５
分以下の窒化物半導体を指す。
【００１４】次に２枚の基板上にそれぞれ成長された窒
化物半導体を接着するには、例えばウェーハ接着の方法
を用いることが望ましい。ウェーハ接着とは、成長され
た窒化物半導体の表面をエッチング、研磨等の手法によ
り、鏡面で、平坦な面とした後、その平坦な面同士を張
り合わせて、加圧及び加熱によって接着する技術であ
る。加圧は適当な治具を用いて固定すれば達成できる。
このようにウェーハ接着すると窒化物半導体層と、対向
する窒化物半導体層との界面には他の物質が介在しない
ので、両窒化物半導体のキャリア濃度、移動度、抵抗率
等が同じであれば、それらの特性の均一な基板が得られ
やすい。また後に述べるように、意図的にキャリア濃度
等の異なる基板を作製しても良い。
化物半導体を接着するには、例えばウェーハ接着の方法
を用いることが望ましい。ウェーハ接着とは、成長され
た窒化物半導体の表面をエッチング、研磨等の手法によ
り、鏡面で、平坦な面とした後、その平坦な面同士を張
り合わせて、加圧及び加熱によって接着する技術であ
る。加圧は適当な治具を用いて固定すれば達成できる。
このようにウェーハ接着すると窒化物半導体層と、対向
する窒化物半導体層との界面には他の物質が介在しない
ので、両窒化物半導体のキャリア濃度、移動度、抵抗率
等が同じであれば、それらの特性の均一な基板が得られ
やすい。また後に述べるように、意図的にキャリア濃度
等の異なる基板を作製しても良い。
【００１５】特に好ましくは接着する工程は、窒化物半
導体の分解圧以上に加圧された窒素雰囲気中でウェーハ
を加熱することが望ましい。加熱温度は６００℃以上、
さらに好ましくは８００℃以上で加熱する。ＧａＮの場
合、ＧａＮの分解圧は８００℃で約０．０１気圧、１０
００℃で約１気圧、１１００℃で約１０気圧程度であ
る。そのため窒素雰囲気中で、ＧａＮの分解圧以上で加
圧しながら加熱すると、ＧａＮ中からＮが抜けるのを防
止するとともに、接着状態の良い基板を提供することが
できる。
導体の分解圧以上に加圧された窒素雰囲気中でウェーハ
を加熱することが望ましい。加熱温度は６００℃以上、
さらに好ましくは８００℃以上で加熱する。ＧａＮの場
合、ＧａＮの分解圧は８００℃で約０．０１気圧、１０
００℃で約１気圧、１１００℃で約１０気圧程度であ
る。そのため窒素雰囲気中で、ＧａＮの分解圧以上で加
圧しながら加熱すると、ＧａＮ中からＮが抜けるのを防
止するとともに、接着状態の良い基板を提供することが
できる。
【００１６】
【実施例】以下実施例で本発明を詳説する。図１乃至図
３は本発明の方法を説明するためのウェーハの構造を示
す模式断面図であり、実施例における本発明の各工程を
説明するものである。
３は本発明の方法を説明するためのウェーハの構造を示
す模式断面図であり、実施例における本発明の各工程を
説明するものである。
【００１７】［実施例１］図１に示すようにサファイア
基板１、１’上にＧａＮよりなるバッファ層２’２’を
２００オングストロームの膜厚で成長させ、その上にノ
ンドープＧａＮよりなる窒化物半導体層３’３’を１０
０オングストロームの膜厚で成長させた第１のウェーハ
（ａ）、第２のウェーハ（ｂ）とを用意する。窒化物半
導体は以下のようにしてＭＯＶＰＥ法により成長させ
た。
基板１、１’上にＧａＮよりなるバッファ層２’２’を
２００オングストロームの膜厚で成長させ、その上にノ
ンドープＧａＮよりなる窒化物半導体層３’３’を１０
０オングストロームの膜厚で成長させた第１のウェーハ
（ａ）、第２のウェーハ（ｂ）とを用意する。窒化物半
導体は以下のようにしてＭＯＶＰＥ法により成長させ
た。
【００１８】２インチφ、厚さ４００μｍのサファイア
（Ｃ面）よりなる基板１を反応容器内にセットし、容器
内を水素で十分置換した後、水素を流しながら、基板の
温度を１０５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを
行う。
（Ｃ面）よりなる基板１を反応容器内にセットし、容器
内を水素で十分置換した後、水素を流しながら、基板の
温度を１０５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを
行う。
【００１９】続いて、温度を５１０℃まで下げ、キャリ
アガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメ
チルガリウム）とを用い、基板上にＧａＮよりなるバッ
ファ層２を２００オングストロームの膜厚で成長させ
る。
アガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメ
チルガリウム）とを用い、基板上にＧａＮよりなるバッ
ファ層２を２００オングストロームの膜厚で成長させ
る。
【００２０】続いて温度を１０５０℃まで上昇させ、１
０５０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモ
ニアガスを用い、キャリア濃度１×１０18／cm3のノン
ドープＧａＮよりなる窒化物半導体層３を１５０μｍの
膜厚で成長させる。成長後温度を室温まで戻し、ウェー
ハを反応容器から取り出し、これを第１のウェーハ
（ａ）とする。同様に別のサファイア基板１’に対して
も同様の操作を行い、これを第２のウェーハ（ｂ）とす
る。なおこのＧａＮ層のＸ線ロッキングカーブの半値幅
は１０分であった。
０５０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモ
ニアガスを用い、キャリア濃度１×１０18／cm3のノン
ドープＧａＮよりなる窒化物半導体層３を１５０μｍの
膜厚で成長させる。成長後温度を室温まで戻し、ウェー
ハを反応容器から取り出し、これを第１のウェーハ
（ａ）とする。同様に別のサファイア基板１’に対して
も同様の操作を行い、これを第２のウェーハ（ｂ）とす
る。なおこのＧａＮ層のＸ線ロッキングカーブの半値幅
は１０分であった。
【００２１】次に第１のウェーハ（ａ）と第２のウェー
ハ（ｂ）とを研磨装置に移送し、ＧａＮの表面を数百オ
ングストローム、ポリシングして鏡面状とする。
ハ（ｂ）とを研磨装置に移送し、ＧａＮの表面を数百オ
ングストローム、ポリシングして鏡面状とする。
【００２２】ポリシング後、図２に示すように第１のウ
ェーハＧａＮ層３と、第２のウェーハのＧａＮ層３’と
を張り合わせ、耐熱性の治具で強く固定した状態で、ア
ニール装置に移送する。そして窒素雰囲気中２０気圧、
１１００℃において、１０分間アニーリングを行う。
ェーハＧａＮ層３と、第２のウェーハのＧａＮ層３’と
を張り合わせ、耐熱性の治具で強く固定した状態で、ア
ニール装置に移送する。そして窒素雰囲気中２０気圧、
１１００℃において、１０分間アニーリングを行う。
【００２３】アニール装置からウェーハを取り出し、研
磨装置によりサファイア基板１、１’をラッピングして
除去する。除去後の窒化物半導体層の構造が図３であ
る。なお、バッファ層２は低温で成長させた多結晶層を
含む層であるので、研磨時にサファイア基板と同様にラ
ッピング除去する。除去後、露出した両方の基板面をポ
リシングして鏡面状とすることにより、厚さおよそ３０
０μｍ、２インチφのＧａＮ基板を作製することができ
る。
磨装置によりサファイア基板１、１’をラッピングして
除去する。除去後の窒化物半導体層の構造が図３であ
る。なお、バッファ層２は低温で成長させた多結晶層を
含む層であるので、研磨時にサファイア基板と同様にラ
ッピング除去する。除去後、露出した両方の基板面をポ
リシングして鏡面状とすることにより、厚さおよそ３０
０μｍ、２インチφのＧａＮ基板を作製することができ
る。
【００２４】［実施例２］バッファ層の上にＧａＮ層を
成長させる際に原料ガスにシランガスをＳｉを１×１０
18／cm3ドープしたＧａＮよりなる窒化物半導体層を１
５０μｍの膜厚で成長させる。このＧａＮ層のキャリア
濃度は１×１０18／cm3であり、Ｘ線ロッキングカーブ
の半値幅は１２分であった。その他は実施例１と同様に
してＳｉドープｎ型ＧａＮよりなる基板を得る。
成長させる際に原料ガスにシランガスをＳｉを１×１０
18／cm3ドープしたＧａＮよりなる窒化物半導体層を１
５０μｍの膜厚で成長させる。このＧａＮ層のキャリア
濃度は１×１０18／cm3であり、Ｘ線ロッキングカーブ
の半値幅は１２分であった。その他は実施例１と同様に
してＳｉドープｎ型ＧａＮよりなる基板を得る。
【００２５】［実施例３］実施例１において、基板１、
１’としてサファイアの代わりにスピネル（ＭｇＡｌ2
Ｏ4）を用いる他は実施例１と同様にしてノンドープＧ
ａＮ層を１００μｍ成長させる。なおこのＧａＮ層のＸ
線ロッキングカーブの半値幅は実施例１に比べて膜厚が
薄いため結晶性が向上しており８分であった。後は実施
例１と同様にして厚さ２００μｍ、２インチφのＧａＮ
基板を得る。
１’としてサファイアの代わりにスピネル（ＭｇＡｌ2
Ｏ4）を用いる他は実施例１と同様にしてノンドープＧ
ａＮ層を１００μｍ成長させる。なおこのＧａＮ層のＸ
線ロッキングカーブの半値幅は実施例１に比べて膜厚が
薄いため結晶性が向上しており８分であった。後は実施
例１と同様にして厚さ２００μｍ、２インチφのＧａＮ
基板を得る。
【００２６】［実施例４］実施例１において、サファイ
ア基板１の上に成長させるＧａＮ層３をキャリア濃度１
×１０18／cm3で１５０μｍの膜厚とし、もう一方のサ
ファイア基板１’の上に成長させるＧａＮ層３’をＳｉ
ドープＧａＮとし、キャリア濃度５×１０ 18／cm3とし
て、膜厚を１２０μｍとする。そして、それらのＧａＮ
３、３’層を張り合わせてアニーリングした後、膜厚の
薄いＧａＮ層３’を成長させたサファイア基板１’側を
先に研磨して除去する。このように異なる膜厚の窒化物
半導体層を成長させた場合、薄い膜厚の窒化物半導体を
有する基板側を先に研磨すると、研磨途中でウェーハが
割れることが少ない傾向にあるので好ましい。また、異
なる膜厚の窒化物半導体層を成長させて、意図的にキャ
リア濃度の異なる基板を作製しても良い。キャリア濃度
の異なる基板が作製できると、例えばキャリア濃度の高
いｎ＋層をｎ電極形成面として、低いｎ−層をクラッド
層とすると、発光効率、受光効率の高い窒化物半導体素
子が作製できる。
ア基板１の上に成長させるＧａＮ層３をキャリア濃度１
×１０18／cm3で１５０μｍの膜厚とし、もう一方のサ
ファイア基板１’の上に成長させるＧａＮ層３’をＳｉ
ドープＧａＮとし、キャリア濃度５×１０ 18／cm3とし
て、膜厚を１２０μｍとする。そして、それらのＧａＮ
３、３’層を張り合わせてアニーリングした後、膜厚の
薄いＧａＮ層３’を成長させたサファイア基板１’側を
先に研磨して除去する。このように異なる膜厚の窒化物
半導体層を成長させた場合、薄い膜厚の窒化物半導体を
有する基板側を先に研磨すると、研磨途中でウェーハが
割れることが少ない傾向にあるので好ましい。また、異
なる膜厚の窒化物半導体層を成長させて、意図的にキャ
リア濃度の異なる基板を作製しても良い。キャリア濃度
の異なる基板が作製できると、例えばキャリア濃度の高
いｎ＋層をｎ電極形成面として、低いｎ−層をクラッド
層とすると、発光効率、受光効率の高い窒化物半導体素
子が作製できる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
ると非常に簡単な操作で結晶性の良いＧａＮ基板を得る
ことができる。ＧａＮ基板が得られ、この基板の上にｐ
−ｎ接合を有する窒化物半導体層を積層して、例えばＬ
ＥＤ、ＬＤのような発光素子を実現すると、従来のよう
に同一面側から同一面側から、ｐ電極、ｎ電極を取り出
す必要が無く、ＧａＡｓ、ＧａＰ等の半導体素子のよう
に基板側から一方の電極が取り出せるので、チップサイ
ズを小さくできる。さらに基板が窒化物半導体と格子整
合しているため、格子欠陥が少ない結晶性の良い窒化物
半導体が成長しやすくなるので、ＬＤでは素子の寿命が
向上する。さらに、従来では絶縁性基板と窒化物半導体
の格子不整合を緩和するために、バッファ層を成長させ
ていたが、ＧａＮ基板ができるとバッファ層を成長させ
る必要が無くなる可能性もある。
ると非常に簡単な操作で結晶性の良いＧａＮ基板を得る
ことができる。ＧａＮ基板が得られ、この基板の上にｐ
−ｎ接合を有する窒化物半導体層を積層して、例えばＬ
ＥＤ、ＬＤのような発光素子を実現すると、従来のよう
に同一面側から同一面側から、ｐ電極、ｎ電極を取り出
す必要が無く、ＧａＡｓ、ＧａＰ等の半導体素子のよう
に基板側から一方の電極が取り出せるので、チップサイ
ズを小さくできる。さらに基板が窒化物半導体と格子整
合しているため、格子欠陥が少ない結晶性の良い窒化物
半導体が成長しやすくなるので、ＬＤでは素子の寿命が
向上する。さらに、従来では絶縁性基板と窒化物半導体
の格子不整合を緩和するために、バッファ層を成長させ
ていたが、ＧａＮ基板ができるとバッファ層を成長させ
る必要が無くなる可能性もある。
【図１】 本発明の方法の一工程において得られるウェ
ーハの構造を示す模式断面図。
ーハの構造を示す模式断面図。
【図２】 本発明の方法の一工程において得られるウェ
ーハの構造を示す模式断面図。
ーハの構造を示す模式断面図。
【図３】 本発明の方法の一工程において得られるウェ
ーハの構造を示す模式断面図。
ーハの構造を示す模式断面図。
１、１’・・・・基板 ２、２’・・・・バッファ層 ３、３’・・・・ＧａＮ層
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の基板上に窒化物半導体が成長され
た第１のウェーハと、第２の基板上に窒化物半導体が成
長された第２のウェーハとを用意し、前記第１と前記第
２のウェーハとをそれぞれの窒化物半導体同士が密着す
るようにして接着した後、第１の基板と第２の基板とを
除去することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方
法。 - 【請求項２】 前記接着が窒化物半導体の分解圧以上に
加圧された窒素雰囲気中でウェーハを加熱することによ
り行われることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半
導体基板の製造方法。 - 【請求項３】 少なくとも２層構造を有する窒化物半導
体よりなる基板であって、それら窒化物半導体層のキャ
リア濃度が互いに異なることを特徴とする窒化物半導体
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173497A JPH10229218A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173497A JPH10229218A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001149892A Division JP4633962B2 (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | 窒化物半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229218A true JPH10229218A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12339278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3173497A Pending JPH10229218A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10229218A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006306722A (ja) * | 2004-03-17 | 2006-11-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板の製造方法及びＧａＮ単結晶基板 |
| JP2007150331A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光デバイスのための発光セラミック素子 |
| JP2007251178A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体単結晶基板、その製造方法、及び、これを用いた垂直構造窒化物発光素子の製造方法 |
| JP2008010766A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法 |
| JP2011084469A (ja) * | 1997-10-30 | 2011-04-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板の製造方法及びインゴット |
| US9722148B2 (en) | 2004-06-03 | 2017-08-01 | Lumileds Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP3173497A patent/JPH10229218A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011084469A (ja) * | 1997-10-30 | 2011-04-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板の製造方法及びインゴット |
| JP2006306722A (ja) * | 2004-03-17 | 2006-11-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶基板の製造方法及びＧａＮ単結晶基板 |
| US9722148B2 (en) | 2004-06-03 | 2017-08-01 | Lumileds Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
| US10290775B2 (en) | 2004-06-03 | 2019-05-14 | Lumileds Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
| JP2007150331A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光デバイスのための発光セラミック素子 |
| JP2007251178A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体単結晶基板、その製造方法、及び、これを用いた垂直構造窒化物発光素子の製造方法 |
| US7859086B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-12-28 | Samsung Led Co., Ltd. | Nitride semiconductor single crystal substrate, and methods of fabricating the same and a vertical nitride semiconductor light emitting diode using the same |
| US8334156B2 (en) | 2006-03-17 | 2012-12-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nitride semiconductor single crystal substrate, and methods of fabricating the same and a vertical nitride semiconductor light emitting diode using the same |
| JP2008010766A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法 |
| US8143140B2 (en) | 2006-06-30 | 2012-03-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate having thin film of GaN joined thereon and method of fabricating the same, and a GaN-based semiconductor device and method of fabricating the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8143702B2 (en) | Group III-V nitride based semiconductor substrate and method of making same | |
| JP3352712B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 | |
| JP4862442B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法及びｉｉｉ−ｖ族窒化物系デバイスの製造方法 | |
| US8878189B2 (en) | Group III nitride semiconductor growth substrate, group III nitride semiconductor epitaxial substrate, group III nitride semiconductor element and group III nitride semiconductor free-standing substrate, and method of producing the same | |
| US5923950A (en) | Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device | |
| JP2002284600A (ja) | 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板 | |
| WO2004084275A2 (en) | Method for making group iii nitride devices and devices produced thereby | |
| JP2828002B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP4734786B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法 | |
| US6648966B2 (en) | Wafer produced thereby, and associated methods and devices using the wafer | |
| US20230343890A1 (en) | Epitaxial wafer for ultraviolet light emitting device, method for producing metal bonded substrate for ultraviolet light emitting device, method for producing ultraviolet light emitting device, and method for producing ultraviolet light emitting device array | |
| JP4633962B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| JP2003055097A (ja) | 窒化物半導体から成る単体基板及びその製造方法 | |
| JP3729065B2 (ja) | 窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ | |
| JP2010073750A (ja) | 酸化亜鉛系半導体の成長方法及び半導体発光素子の製造方法 | |
| KR100583163B1 (ko) | 질화물 반도체 및 그 제조방법 | |
| JP4214859B2 (ja) | 窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の製造方法 | |
| JP3252779B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
| JPH10229218A (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 | |
| JPH09255496A (ja) | 窒化ガリウムの結晶成長方法 | |
| JP4257815B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000150388A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体薄膜およびその製造方法 | |
| JP5071484B2 (ja) | 化合物半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法 | |
| JP3642199B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH1075018A (ja) | 半導体の製造方法及び半導体発光素子 |