JPH10229108A - 半導体ウェーハの表面平坦度検出方法 - Google Patents
半導体ウェーハの表面平坦度検出方法Info
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- JPH10229108A JPH10229108A JP4719597A JP4719597A JPH10229108A JP H10229108 A JPH10229108 A JP H10229108A JP 4719597 A JP4719597 A JP 4719597A JP 4719597 A JP4719597 A JP 4719597A JP H10229108 A JPH10229108 A JP H10229108A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ全面のＣＭＰ研磨面の段差の有無を
検出可能とする。その段差位置を正確に検出可能とす
る。パターンと凹凸との区別を容易に行う。 【解決手段】 半導体ウェーハのＣＭＰ研磨面を、被張
り合わせ半導体ウェーハの鏡面に重ね合わせる。重ね合
わせるウェーハに赤外線を照射し、ｉｎ ｓｉｔｕで、
ＣＭＰ面の段差を確認する。ＣＭＰ研磨面が段差を有す
る場合、張り合わせの進行が不連続となる。または、そ
の不連続部がボイドとして残る。大きな段差の場合、ボ
イドとして残る。ボイド位置により、その段差位置を確
認できる。また、張り合わせ終了後、超音波を照射し、
その段差位置を容易に確認できる。例えば配線パターン
を形成したウェーハのＣＭＰ研磨面の精密測定に好適な
方法である。パターンとそれ以外の凹凸を識別できる。
検出可能とする。その段差位置を正確に検出可能とす
る。パターンと凹凸との区別を容易に行う。 【解決手段】 半導体ウェーハのＣＭＰ研磨面を、被張
り合わせ半導体ウェーハの鏡面に重ね合わせる。重ね合
わせるウェーハに赤外線を照射し、ｉｎ ｓｉｔｕで、
ＣＭＰ面の段差を確認する。ＣＭＰ研磨面が段差を有す
る場合、張り合わせの進行が不連続となる。または、そ
の不連続部がボイドとして残る。大きな段差の場合、ボ
イドとして残る。ボイド位置により、その段差位置を確
認できる。また、張り合わせ終了後、超音波を照射し、
その段差位置を容易に確認できる。例えば配線パターン
を形成したウェーハのＣＭＰ研磨面の精密測定に好適な
方法である。パターンとそれ以外の凹凸を識別できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウェーハの
表面平坦度の検出方法、詳しくは半導体ウェーハのＣＭ
Ｐ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｎｄ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）研磨面の全面に於ける段差を検
出する方法に関する。
表面平坦度の検出方法、詳しくは半導体ウェーハのＣＭ
Ｐ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｎｄ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）研磨面の全面に於ける段差を検
出する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこのＣＭＰ研磨面の全面段差の検
出方法としては、有効な手法は確立されていなかった。
すなわち、研磨面の平坦度の測定は、接触式測定法、Ａ
ＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｙ）などにより局所的に行われていた。
出方法としては、有効な手法は確立されていなかった。
すなわち、研磨面の平坦度の測定は、接触式測定法、Ａ
ＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｙ）などにより局所的に行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のＣＭＰによる研磨面の平坦度の測定方法にあ
っては、以下の不都合があった。すなわち、いずれも局
所的平坦度の測定に留まるため、研磨面全面における段
差についての測定が不可能であった。または、その測定
に長時間を要していた。特に、ＣＭＰによれば、局所的
な平坦化は達成できたとしても、研磨面全面での平坦化
が達成することができているか否かは不明であるからで
ある。
うな従来のＣＭＰによる研磨面の平坦度の測定方法にあ
っては、以下の不都合があった。すなわち、いずれも局
所的平坦度の測定に留まるため、研磨面全面における段
差についての測定が不可能であった。または、その測定
に長時間を要していた。特に、ＣＭＰによれば、局所的
な平坦化は達成できたとしても、研磨面全面での平坦化
が達成することができているか否かは不明であるからで
ある。
【０００４】そこで、発明者は、鋭意研究の結果、ＣＭ
Ｐ研磨面を他のシリコンウェーハ鏡面に張り合わせ、こ
の界面を観察することにより、ＣＭＰ研磨面の全面平坦
度が容易に把握することができることを、知見し、この
発明を完成させた。
Ｐ研磨面を他のシリコンウェーハ鏡面に張り合わせ、こ
の界面を観察することにより、ＣＭＰ研磨面の全面平坦
度が容易に把握することができることを、知見し、この
発明を完成させた。
【０００５】
【発明の目的】この発明の目的は、半導体ウェーハのＣ
ＭＰ研磨面の全面平坦度を容易にかつ確実に検出、把握
することができる方法を提供することである。
ＭＰ研磨面の全面平坦度を容易にかつ確実に検出、把握
することができる方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体ウェーハのＣＭＰ研磨表面の平坦度を検出す
る方法であって、鏡面を有する被張り合わせ半導体ウェ
ーハを準備する工程と、この被張り合わせ半導体ウェー
ハの鏡面に、測定対象である半導体ウェーハのＣＭＰ研
磨面を重ね合わせる工程と、この重ね合わせ界面の全面
の段差を検出する工程と、を含む半導体ウェーハの表面
平坦度検出方法である。
は、半導体ウェーハのＣＭＰ研磨表面の平坦度を検出す
る方法であって、鏡面を有する被張り合わせ半導体ウェ
ーハを準備する工程と、この被張り合わせ半導体ウェー
ハの鏡面に、測定対象である半導体ウェーハのＣＭＰ研
磨面を重ね合わせる工程と、この重ね合わせ界面の全面
の段差を検出する工程と、を含む半導体ウェーハの表面
平坦度検出方法である。
【０００７】請求項２に記載の発明は、上記被張り合わ
せ半導体ウェーハは、測定対象である半導体ウェーハと
同一口径である請求項１に記載の半導体ウェーハの表面
平坦度検出方法である。
せ半導体ウェーハは、測定対象である半導体ウェーハと
同一口径である請求項１に記載の半導体ウェーハの表面
平坦度検出方法である。
【０００８】請求項３に記載の発明は、上記重ね合わせ
るウェーハに赤外線を照射することにより、その重ね合
わせ界面に於ける段差を検出する請求項１または請求項
２のいずれか１項に記載の半導体ウェーハの表面平坦度
検出方法である。
るウェーハに赤外線を照射することにより、その重ね合
わせ界面に於ける段差を検出する請求項１または請求項
２のいずれか１項に記載の半導体ウェーハの表面平坦度
検出方法である。
【０００９】請求項４に記載の発明は、上記重ね合わせ
たウェーハに超音波を照射することにより、その重ね合
わせ界面に於ける段差を検出する請求項１または請求項
２に記載の半導体ウェーハの表面平坦度検出方法であ
る。
たウェーハに超音波を照射することにより、その重ね合
わせ界面に於ける段差を検出する請求項１または請求項
２に記載の半導体ウェーハの表面平坦度検出方法であ
る。
【００１０】
【作用】請求項１〜請求項４に記載の発明によれば、半
導体ウェーハのＣＭＰ研磨面を、被張り合わせ半導体ウ
ェーハの鏡面に重ね合わせる。そして、この重ね合わせ
界面の全面の段差を検出する。ＣＭＰ研磨面が段差を有
する場合、張り合わせの進行が不連続となる。または、
その不連続部がボイドとして残ることがある。特に大き
な段差の場合、これは張り合わせ後のボイドとして残る
ため、この未接合部（ボイド）の位置により、その段差
の位置を確認することができる。
導体ウェーハのＣＭＰ研磨面を、被張り合わせ半導体ウ
ェーハの鏡面に重ね合わせる。そして、この重ね合わせ
界面の全面の段差を検出する。ＣＭＰ研磨面が段差を有
する場合、張り合わせの進行が不連続となる。または、
その不連続部がボイドとして残ることがある。特に大き
な段差の場合、これは張り合わせ後のボイドとして残る
ため、この未接合部（ボイド）の位置により、その段差
の位置を確認することができる。
【００１１】請求項３に記載の発明では、上記重ね合わ
せるウェーハに赤外線を照射することにより、その全面
の段差を検出することができる。赤外線の照射により張
り合わせ中にｉｎ−ｓｉｔｕで、ＣＭＰ面の段差の確認
を行うことができる。また、請求項４に記載の発明によ
れば、張り合わせ終了後、その段差位置を容易に確認す
ることができる。この超音波測定は、例えば所定の配線
パターンなどを被着・形成したウェーハのＣＭＰ研磨面
の精密測定に好適な方法である。
せるウェーハに赤外線を照射することにより、その全面
の段差を検出することができる。赤外線の照射により張
り合わせ中にｉｎ−ｓｉｔｕで、ＣＭＰ面の段差の確認
を行うことができる。また、請求項４に記載の発明によ
れば、張り合わせ終了後、その段差位置を容易に確認す
ることができる。この超音波測定は、例えば所定の配線
パターンなどを被着・形成したウェーハのＣＭＰ研磨面
の精密測定に好適な方法である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例を図面
を参照して説明する。まず、この発明方法にあっては、
準備工程において、鏡面を有する被張り合わせ半導体ウ
ェーハと、ＣＭＰ研磨された測定対象の半導体ウェーハ
とを、それぞれ準備する。この場合、いずれも同一口
径、例えば口径６インチのシリコンウェーハを準備す
る。被張り合わせシリコンウェーハの一面には鏡面研磨
を施し、ＳＣ１（Ｓｔａｎｄａｒｄｃｌｅａｎｉｎｇ
１）洗浄もしくはさらにＨＦ洗浄を施してシリコン面を
露出させておいてもよく、また、その鏡面に酸化膜を形
成してあってもよい。
を参照して説明する。まず、この発明方法にあっては、
準備工程において、鏡面を有する被張り合わせ半導体ウ
ェーハと、ＣＭＰ研磨された測定対象の半導体ウェーハ
とを、それぞれ準備する。この場合、いずれも同一口
径、例えば口径６インチのシリコンウェーハを準備す
る。被張り合わせシリコンウェーハの一面には鏡面研磨
を施し、ＳＣ１（Ｓｔａｎｄａｒｄｃｌｅａｎｉｎｇ
１）洗浄もしくはさらにＨＦ洗浄を施してシリコン面を
露出させておいてもよく、また、その鏡面に酸化膜を形
成してあってもよい。
【００１３】次に、クリーンルームの室温で、この被張
り合わせシリコンウェーハの鏡面に、測定対象であるシ
リコンウェーハのＣＭＰ研磨面を重ね合わせる。この重
ね合わせは、例えばＯＦ（オリエンテーションフラッ
ト）部分を起点として図１中矢印方向に重ね合わせを開
始し、反対側に向かって所定の速度で徐々に密着させて
いく。このとき、赤外線を照射し重ね合わせ面の状態を
撮影している。
り合わせシリコンウェーハの鏡面に、測定対象であるシ
リコンウェーハのＣＭＰ研磨面を重ね合わせる。この重
ね合わせは、例えばＯＦ（オリエンテーションフラッ
ト）部分を起点として図１中矢印方向に重ね合わせを開
始し、反対側に向かって所定の速度で徐々に密着させて
いく。このとき、赤外線を照射し重ね合わせ面の状態を
撮影している。
【００１４】そして、重ね合わせが終了したら、これら
のシリコンウェーハ同士の重ね合わせ界面に赤外線を照
射し、この状態をＩＲ（Ｉｎｆｒａ Ｒｅｄ）カメラで
撮影して界面全面に於ける段差を検出する。また、重ね
合わせ後の状態を超音波照射で測定する。図１（Ａ）〜
（Ｅ）には、その段差の状況が示されている。図１はＣ
ＭＰ研磨面が平坦である場合の張り合わせ状況をＩＲで
撮像した場合を経時的に示す。ＯＦより重ね合わせを開
始すると、その進行に伴い重ね合わせ先端面がＯＦとは
反対側に向かって移行する。この先端面は所定の曲率で
湾曲した円弧を形成している。張り合わせ熱処理の終了
後、これをＵＳ（超音波照射）で測定しても同図（Ｅ）
に示すように、ボイドの発生は皆無である。すなわち、
（Ａ）〜（Ｄ）に示すような重ね合わせ先端の進行をＩ
Ｒ観測することができれば、このＣＭＰ研磨面は段差が
なく、平坦であることがわかる。
のシリコンウェーハ同士の重ね合わせ界面に赤外線を照
射し、この状態をＩＲ（Ｉｎｆｒａ Ｒｅｄ）カメラで
撮影して界面全面に於ける段差を検出する。また、重ね
合わせ後の状態を超音波照射で測定する。図１（Ａ）〜
（Ｅ）には、その段差の状況が示されている。図１はＣ
ＭＰ研磨面が平坦である場合の張り合わせ状況をＩＲで
撮像した場合を経時的に示す。ＯＦより重ね合わせを開
始すると、その進行に伴い重ね合わせ先端面がＯＦとは
反対側に向かって移行する。この先端面は所定の曲率で
湾曲した円弧を形成している。張り合わせ熱処理の終了
後、これをＵＳ（超音波照射）で測定しても同図（Ｅ）
に示すように、ボイドの発生は皆無である。すなわち、
（Ａ）〜（Ｄ）に示すような重ね合わせ先端の進行をＩ
Ｒ観測することができれば、このＣＭＰ研磨面は段差が
なく、平坦であることがわかる。
【００１５】図２（Ａ）〜（Ｃ）にはＣＭＰ研磨面の段
差が大きい場合の張り合わせ状態を示すものである。
（Ｂ）に示すように、ＩＲでのその場（ｉｎ ｓｉｔ
ｕ）観察により、張り合わせ先端面に直線状の部分が生
じている場合、これをその後のＵＳ観察で大きなボイド
として確認することができた。すなわち、ＣＭＰ研磨面
に大きな段差が生じている場合は、ＩＲ観察では曲線の
一部が直線として視認することができる。
差が大きい場合の張り合わせ状態を示すものである。
（Ｂ）に示すように、ＩＲでのその場（ｉｎ ｓｉｔ
ｕ）観察により、張り合わせ先端面に直線状の部分が生
じている場合、これをその後のＵＳ観察で大きなボイド
として確認することができた。すなわち、ＣＭＰ研磨面
に大きな段差が生じている場合は、ＩＲ観察では曲線の
一部が直線として視認することができる。
【００１６】図３（Ａ）〜（Ｆ）にはＣＭＰ研磨面の段
差が小さい場合の状態を示している。この張り合わせで
は、張り合わせ先端面を形成する線が、（Ｂ）〜（Ｅ）
に示すように、略直線として継続してＩＲ観測される。
これを張り合わせ終了後にＩＲ観察してもボイドとして
は検出することができない。しかし、ＵＳを用いてさら
に高精度の観察を行うと、（Ｆ）に示すように、小さな
ボイドが直線状に確認される。すなわち、例えば１０ｎ
ｍ程度の小さな段差は、その場ＩＲでは直線として把握
することができるものである。
差が小さい場合の状態を示している。この張り合わせで
は、張り合わせ先端面を形成する線が、（Ｂ）〜（Ｅ）
に示すように、略直線として継続してＩＲ観測される。
これを張り合わせ終了後にＩＲ観察してもボイドとして
は検出することができない。しかし、ＵＳを用いてさら
に高精度の観察を行うと、（Ｆ）に示すように、小さな
ボイドが直線状に確認される。すなわち、例えば１０ｎ
ｍ程度の小さな段差は、その場ＩＲでは直線として把握
することができるものである。
【００１７】なお、この赤外線照射およびその撮像装置
は、例えば以下のように構成している。すなわち、接着
治具の直上に所定間隔だけ離れてＩＲカメラがセットし
てある。また、接着治具に対して斜め上方から所定角度
をなして赤外線を照射可能に赤外光源（半導体レーザ
等）が配設される。照射された赤外線は、系内で反射
し、ＩＲカメラに入射する構成である。ＩＲカメラの出
力信号は画像処理装置に送られ、さらに、モニタに表示
される。すなわち、接着治具上での２枚のウェーハの張
り合わせ時の重ね合わせ面の状態は、このウェーハを透
過し、または反射した赤外線をＩＲカメラで撮影するこ
とにより、記録される。この重ね合わせ面の状態は、所
定の信号処理（光電変換、フィルタリング等）を経て画
像としてモニタに表示される。したがって、作業者はモ
ニタを目視してボイド等を容易に発見、認識することが
できる。
は、例えば以下のように構成している。すなわち、接着
治具の直上に所定間隔だけ離れてＩＲカメラがセットし
てある。また、接着治具に対して斜め上方から所定角度
をなして赤外線を照射可能に赤外光源（半導体レーザ
等）が配設される。照射された赤外線は、系内で反射
し、ＩＲカメラに入射する構成である。ＩＲカメラの出
力信号は画像処理装置に送られ、さらに、モニタに表示
される。すなわち、接着治具上での２枚のウェーハの張
り合わせ時の重ね合わせ面の状態は、このウェーハを透
過し、または反射した赤外線をＩＲカメラで撮影するこ
とにより、記録される。この重ね合わせ面の状態は、所
定の信号処理（光電変換、フィルタリング等）を経て画
像としてモニタに表示される。したがって、作業者はモ
ニタを目視してボイド等を容易に発見、認識することが
できる。
【００１８】さらに、この発明にあっては、ＣＭＰ研磨
面としては、例えば酸化シリコン膜、ポリシリコン膜、
窒化シリコン膜等の他に、これらの膜の上にＣｕ、Ｗ、
Ｍｏ、Ａｌ等の金属配線層を形成し、この配線層をＣＭ
Ｐ研磨したものであってもよい。また、ＣＭＰ研磨面が
張り合わせられる鏡面ウェーハとしてはベアシリコンウ
ェーハまたは酸化シリコン膜付きのウェーハであっても
よい。
面としては、例えば酸化シリコン膜、ポリシリコン膜、
窒化シリコン膜等の他に、これらの膜の上にＣｕ、Ｗ、
Ｍｏ、Ａｌ等の金属配線層を形成し、この配線層をＣＭ
Ｐ研磨したものであってもよい。また、ＣＭＰ研磨面が
張り合わせられる鏡面ウェーハとしてはベアシリコンウ
ェーハまたは酸化シリコン膜付きのウェーハであっても
よい。
【００１９】上記超音波測定は公知の方法で行った。例
えば、高周波パルス発生装置から電気信号を音響レンズ
上端の圧電トランスデューサに印加し、その電気機械的
特性によって音響信号に変換する。平面超音波はレンズ
母材を通過し、さらに音響レンズ平面のレンズ部で球面
波に変換されて水中を伝搬し、試料である張り合わせウ
ェーハに到達する。このとき、一部は反射し、残りは内
部に進入する。内部に音響インピーダンスが異なる部分
（境界）があればそこで反射が起こる。この反射波は逆
の経路を通って音響レンズにより受信され、電気信号に
再度変換される。この状況をオシロスコープで観察でき
る。このような測定原理に基づいて欠陥情報を超音波映
像として形成することができる。
えば、高周波パルス発生装置から電気信号を音響レンズ
上端の圧電トランスデューサに印加し、その電気機械的
特性によって音響信号に変換する。平面超音波はレンズ
母材を通過し、さらに音響レンズ平面のレンズ部で球面
波に変換されて水中を伝搬し、試料である張り合わせウ
ェーハに到達する。このとき、一部は反射し、残りは内
部に進入する。内部に音響インピーダンスが異なる部分
（境界）があればそこで反射が起こる。この反射波は逆
の経路を通って音響レンズにより受信され、電気信号に
再度変換される。この状況をオシロスコープで観察でき
る。このような測定原理に基づいて欠陥情報を超音波映
像として形成することができる。
【００２０】
【発明の効果】この発明によれば、ウェーハ全面にわた
ってのＣＭＰ研磨面の段差の有無を検出することができ
る。また、その段差の位置を正確に検出することができ
る。また、非破壊で、かつ、高感度の測定ができる。例
えば、パターンを有するＣＭＰ研磨面の段差を測定する
場合、パターンとそれ以外の凹凸の区別を容易に行うこ
とができる。また、赤外線照射測定では、張り合わせと
同時にその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）で観察することができ
る。
ってのＣＭＰ研磨面の段差の有無を検出することができ
る。また、その段差の位置を正確に検出することができ
る。また、非破壊で、かつ、高感度の測定ができる。例
えば、パターンを有するＣＭＰ研磨面の段差を測定する
場合、パターンとそれ以外の凹凸の区別を容易に行うこ
とができる。また、赤外線照射測定では、張り合わせと
同時にその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）で観察することができ
る。
【図１】この発明の一実施例に係る張り合わせ界面の様
子を示す模式図である。
子を示す模式図である。
【図２】この発明の他の実施例に係る張り合わせ界面の
様子を示す模式図である。
様子を示す模式図である。
【図３】この発明のさらに他の実施例に係る張り合わせ
界面の様子を示す模式図である。
界面の様子を示す模式図である。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェーハのＣＭＰ研磨表面の平坦
度を検出する方法であって、 鏡面を有する被張り合わせ半導体ウェーハを準備する工
程と、 この被張り合わせ半導体ウェーハの鏡面に、測定対象で
ある半導体ウェーハのＣＭＰ研磨面を重ね合わせる工程
と、 この重ね合わせ界面の全面の段差を検出する工程と、を
含む半導体ウェーハの表面平坦度検出方法。 - 【請求項２】 上記被張り合わせ半導体ウェーハは、測
定対象である半導体ウェーハと同一口径である請求項１
に記載の半導体ウェーハの表面平坦度検出方法。 - 【請求項３】 上記重ね合わせるウェーハに赤外線を照
射することにより、その重ね合わせ界面に於ける段差を
検出する請求項１または請求項２のいずれか１項に記載
の半導体ウェーハの表面平坦度検出方法。 - 【請求項４】 上記重ね合わせたウェーハに超音波を照
射することにより、その重ね合わせ界面に於ける段差を
検出する請求項１または請求項２に記載の半導体ウェー
ハの表面平坦度検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04719597A JP3653918B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 半導体ウェーハの表面段差の検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04719597A JP3653918B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 半導体ウェーハの表面段差の検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229108A true JPH10229108A (ja) | 1998-08-25 |
| JP3653918B2 JP3653918B2 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=12768353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04719597A Expired - Fee Related JP3653918B2 (ja) | 1997-02-14 | 1997-02-14 | 半導体ウェーハの表面段差の検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3653918B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100386449B1 (ko) * | 2000-11-10 | 2003-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼의 표면 측정을 위한 방법 |
| JP2015166751A (ja) * | 2015-07-03 | 2015-09-24 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウェーハスタック内の層厚さ及び欠陥を測定する測定デバイス及び方法 |
| US10008424B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-06-26 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Measuring device and method for measuring layer thicknesses and defects in a wafer stack |
| US11704789B2 (en) | 2020-09-11 | 2023-07-18 | Kioxia Corporation | Defect inspection device |
-
1997
- 1997-02-14 JP JP04719597A patent/JP3653918B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100386449B1 (ko) * | 2000-11-10 | 2003-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼의 표면 측정을 위한 방법 |
| US10008424B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-06-26 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Measuring device and method for measuring layer thicknesses and defects in a wafer stack |
| US10109538B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-10-23 | EV Group E.Thallner GmbH | Measuring device and method for measuring layer thicknesses and defects in a wafer stack |
| JP2015166751A (ja) * | 2015-07-03 | 2015-09-24 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウェーハスタック内の層厚さ及び欠陥を測定する測定デバイス及び方法 |
| US11704789B2 (en) | 2020-09-11 | 2023-07-18 | Kioxia Corporation | Defect inspection device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3653918B2 (ja) | 2005-06-02 |
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