JPH10224121A - 高周波回路及びその周波数の調整方法 - Google Patents
高周波回路及びその周波数の調整方法Info
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- JPH10224121A JPH10224121A JP2188097A JP2188097A JPH10224121A JP H10224121 A JPH10224121 A JP H10224121A JP 2188097 A JP2188097 A JP 2188097A JP 2188097 A JP2188097 A JP 2188097A JP H10224121 A JPH10224121 A JP H10224121A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メインの回路を作製し終わり、回路の特性を
評価した結果、中心阻止周波数の調整が必要と判明した
場合でも、スタブによる帯域阻止フィルタの中心阻止周
波数を調整可能な高周波回路及びその周波数の調整方法
を提供する。 【解決手段】 マイクロストリップラインを有する高周
波回路において、半絶縁性ＧａＡｓ基板２１の表面上の
マイクロストリップラインと、このマイクロストリップ
ラインに接続される方形スタブ２２と、この方形スタブ
２２の一部分に対しその相対する位置の半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板２１の裏面側から所定の量だけこの基板２１をエ
ッチングする部分と、前記基板２１の裏面の全面に形成
される接地金属層２５とを具備する。
評価した結果、中心阻止周波数の調整が必要と判明した
場合でも、スタブによる帯域阻止フィルタの中心阻止周
波数を調整可能な高周波回路及びその周波数の調整方法
を提供する。 【解決手段】 マイクロストリップラインを有する高周
波回路において、半絶縁性ＧａＡｓ基板２１の表面上の
マイクロストリップラインと、このマイクロストリップ
ラインに接続される方形スタブ２２と、この方形スタブ
２２の一部分に対しその相対する位置の半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板２１の裏面側から所定の量だけこの基板２１をエ
ッチングする部分と、前記基板２１の裏面の全面に形成
される接地金属層２５とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路とその
周波数の調整方法に係り、特に、マイクロストリップラ
インにより構成された高周波分布定数回路の構造とその
周波数の調整方法に関するものである。
周波数の調整方法に係り、特に、マイクロストリップラ
インにより構成された高周波分布定数回路の構造とその
周波数の調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の構造のマイクロストリップ
ラインを用いた高周波回路の一部分を示す斜視図であ
る。図９において、基板１１は厚さ５０μｍの半絶縁性
ガリウム砒素（ＧａＡｓ）で比誘電率１３である。ここ
で、方形の開放スタブ１２を特性インピーダンス５０Ω
となるような幅ｗｍ（μｍ）の金属層で作製している。
ラインを用いた高周波回路の一部分を示す斜視図であ
る。図９において、基板１１は厚さ５０μｍの半絶縁性
ガリウム砒素（ＧａＡｓ）で比誘電率１３である。ここ
で、方形の開放スタブ１２を特性インピーダンス５０Ω
となるような幅ｗｍ（μｍ）の金属層で作製している。
【０００３】これを３０ＧＨｚでの帯域阻止フィルタと
して構成したい場合、ｗｍ＝３４．４、Ｌ１＝５８０
（単位μｍ）となるようにしている。なお、図９におい
て、１３はマイクロストリップライン、１４は裏面接地
用金属層、ｗｍ′はマイクロストリップライン幅を示し
ている。
して構成したい場合、ｗｍ＝３４．４、Ｌ１＝５８０
（単位μｍ）となるようにしている。なお、図９におい
て、１３はマイクロストリップライン、１４は裏面接地
用金属層、ｗｍ′はマイクロストリップライン幅を示し
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた従来の構成では、マイクロストリップライン回路を
作製した時点で既に、帯域阻止フィルタの特性は決定し
ており、中心阻止周波数の調整ができない。したがっ
て、回路上、帯域阻止フィルタで阻止したい信号の周波
数に多少の変動が予測される場合には、その変動分を見
込んで、フィルタの帯域を十分に広く取らなければなら
なかった。したがって、場合によっては、このような周
波数変動の帯域をフィルタがカバーできないことが原因
で、回路を動作させることができないといった問題があ
った。
べた従来の構成では、マイクロストリップライン回路を
作製した時点で既に、帯域阻止フィルタの特性は決定し
ており、中心阻止周波数の調整ができない。したがっ
て、回路上、帯域阻止フィルタで阻止したい信号の周波
数に多少の変動が予測される場合には、その変動分を見
込んで、フィルタの帯域を十分に広く取らなければなら
なかった。したがって、場合によっては、このような周
波数変動の帯域をフィルタがカバーできないことが原因
で、回路を動作させることができないといった問題があ
った。
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、メインの
回路の作製を終了し、回路の特性を評価した結果、中心
阻止周波数の調整が必要と判明した場合であっても、ス
タブによる帯域阻止フィルタの中心阻止周波数を調整可
能な高周波回路及びその周波数の調整方法を提供するこ
とを目的とする。
回路の作製を終了し、回路の特性を評価した結果、中心
阻止周波数の調整が必要と判明した場合であっても、ス
タブによる帯域阻止フィルタの中心阻止周波数を調整可
能な高周波回路及びその周波数の調整方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕マイクロストリップラインを有する高周波回路に
おいて、基板の表面上のマイクロストリップラインと、
このマイクロストリップラインに接続される開放スタブ
と、この開放スタブの一部分に対し、その相対する位置
の基板の裏面側から所定の量だけ基板がエッチングされ
る部分と、前記基板の裏面の全面に形成される接地金属
層とを設けるようにしたものである。
成するために、 〔１〕マイクロストリップラインを有する高周波回路に
おいて、基板の表面上のマイクロストリップラインと、
このマイクロストリップラインに接続される開放スタブ
と、この開放スタブの一部分に対し、その相対する位置
の基板の裏面側から所定の量だけ基板がエッチングされ
る部分と、前記基板の裏面の全面に形成される接地金属
層とを設けるようにしたものである。
【０００７】〔２〕上記〔１〕記載の高周波回路におい
て、前記開放スタブを方形スタブとするようにしたもの
である。 〔３〕上記〔２〕記載の高周波回路において、エッチン
グを方形スタブの先端付近のスタブ長手方向の一部に適
用するようにしたものである。 〔４〕上記〔１〕記載の高周波回路において、前記開放
スタブをラジアルスタブとするようにしたものである。
て、前記開放スタブを方形スタブとするようにしたもの
である。 〔３〕上記〔２〕記載の高周波回路において、エッチン
グを方形スタブの先端付近のスタブ長手方向の一部に適
用するようにしたものである。 〔４〕上記〔１〕記載の高周波回路において、前記開放
スタブをラジアルスタブとするようにしたものである。
【０００８】〔５〕上記〔１〕、〔２〕、〔３〕又は
〔４〕記載の高周波回路において、前記基板を半導体と
するようにしたものである。 〔６〕上記〔１〕、〔２〕、〔３〕又は〔４〕記載の高
周波回路において、前記基板を半絶縁性ガリウム砒素と
するようにしたものである。 〔７〕マイクロストリップラインを有する高周波回路の
周波数の調整方法において、基板の表面上のマイクロス
トリップラインの開放スタブを帯域阻止フィルタとして
用いる回路構成とし、前記開放スタブの一部分に対し、
その相対する位置の基板の裏面側から所定の量だけ基板
をエッチングし、中心阻止周波数を前記エッチングによ
り、所望の値に変化させるようにしたものである。
〔４〕記載の高周波回路において、前記基板を半導体と
するようにしたものである。 〔６〕上記〔１〕、〔２〕、〔３〕又は〔４〕記載の高
周波回路において、前記基板を半絶縁性ガリウム砒素と
するようにしたものである。 〔７〕マイクロストリップラインを有する高周波回路の
周波数の調整方法において、基板の表面上のマイクロス
トリップラインの開放スタブを帯域阻止フィルタとして
用いる回路構成とし、前記開放スタブの一部分に対し、
その相対する位置の基板の裏面側から所定の量だけ基板
をエッチングし、中心阻止周波数を前記エッチングによ
り、所望の値に変化させるようにしたものである。
【０００９】〔８〕マイクロストリップラインを有する
高周波回路の周波数の調整方法において、基板の表面上
のマイクロストリップラインの開放スタブをインピーダ
ンス整合回路を形成する際の容量成分として用いる回路
構成とし、エッチングにより容量を変化させ、整合回路
の特性を所望の特性に変化させるようにしたものであ
る。
高周波回路の周波数の調整方法において、基板の表面上
のマイクロストリップラインの開放スタブをインピーダ
ンス整合回路を形成する際の容量成分として用いる回路
構成とし、エッチングにより容量を変化させ、整合回路
の特性を所望の特性に変化させるようにしたものであ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
実施例を示すマイクロストリップラインを用いた回路の
一部分を示す斜視図、図２は本発明をマイクロストリッ
プラインに並列接続した開放スタブに適用した場合の等
価回路図、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図、図４は図１の
Ｃ−Ｃ線断面図である。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
実施例を示すマイクロストリップラインを用いた回路の
一部分を示す斜視図、図２は本発明をマイクロストリッ
プラインに並列接続した開放スタブに適用した場合の等
価回路図、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図、図４は図１の
Ｃ−Ｃ線断面図である。
【００１１】図１において、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基
板、２２は方形スタブ、２３は直下の基板がエッチング
されるスタブ２２の一部分、２４は半絶縁性ＧａＡｓ基
板２１をエッチングした箇所、２５は裏面接地金属層、
ｗｍ´はマイクロストリップラインの幅、ｗｍはスタブ
の幅、Ｌ１は開放スタブの全長、Ｌｘは直下の基板がエ
ッチングされるスタブ２１の一部分２３のスタブ長手方
向の寸法である。
板、２２は方形スタブ、２３は直下の基板がエッチング
されるスタブ２２の一部分、２４は半絶縁性ＧａＡｓ基
板２１をエッチングした箇所、２５は裏面接地金属層、
ｗｍ´はマイクロストリップラインの幅、ｗｍはスタブ
の幅、Ｌ１は開放スタブの全長、Ｌｘは直下の基板がエ
ッチングされるスタブ２１の一部分２３のスタブ長手方
向の寸法である。
【００１２】図１に示すように、厚さｔ０の半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板２１に、特性キャパシタが５０Ωの幅で、マ
イクロストリップラインで形成された方形スタブ２２が
形成されている。この方形スタブ２２の先端の部分の一
部２３の裏側に当たる部分２４を、裏面から選択的にエ
ッチングし、厚さｔ１とする。エッチングの後、半絶縁
性ＧａＡｓ基板２１の裏面側全体に接地金属層２５を形
成する。この時、回路的には、当該箇所のみマイクロス
トリップラインの特性インピーダンスが変わることにな
る。
ａＡｓ基板２１に、特性キャパシタが５０Ωの幅で、マ
イクロストリップラインで形成された方形スタブ２２が
形成されている。この方形スタブ２２の先端の部分の一
部２３の裏側に当たる部分２４を、裏面から選択的にエ
ッチングし、厚さｔ１とする。エッチングの後、半絶縁
性ＧａＡｓ基板２１の裏面側全体に接地金属層２５を形
成する。この時、回路的には、当該箇所のみマイクロス
トリップラインの特性インピーダンスが変わることにな
る。
【００１３】図２において、３０Ａはポート１、３０Ｂ
はポート２、３１は基板を裏面からエッチングした部分
の開放スタブ、３２は基板を裏面からエッチングしてい
ない部分の開放スタブ、３３，３５はマイクロストリッ
プライン、３４はマイクロストリップＴジャンクション
である。この図に示すように、基板を裏面からエッチン
グした部分の開放スタブ３１のみが、裏面接地層への距
離が基板厚さｔ１に変わる。
はポート２、３１は基板を裏面からエッチングした部分
の開放スタブ、３２は基板を裏面からエッチングしてい
ない部分の開放スタブ、３３，３５はマイクロストリッ
プライン、３４はマイクロストリップＴジャンクション
である。この図に示すように、基板を裏面からエッチン
グした部分の開放スタブ３１のみが、裏面接地層への距
離が基板厚さｔ１に変わる。
【００１４】図３及び図４に示すように、従来技術で説
明した構造の方形スタブにおいて、スタブ先端から、長
さ方向Ｌｘ分に当たる部分を裏面からエッチングし、厚
さｔ１とする。この時、電磁界の広がりを考慮して、幅
方向は、スタブ幅の約３倍程度のエッチング形状とす
る。また、長手方向にも同様に、スタブ先端からスタブ
幅程度拡大させる。ただし、このエッチングをスタブの
先端ではない箇所で行う場合には、長手（スタブ長さ方
向）の拡大部分は設けないようにする。なぜならば、図
３で示したＬｘの寸法が変わってしまうからである。
明した構造の方形スタブにおいて、スタブ先端から、長
さ方向Ｌｘ分に当たる部分を裏面からエッチングし、厚
さｔ１とする。この時、電磁界の広がりを考慮して、幅
方向は、スタブ幅の約３倍程度のエッチング形状とす
る。また、長手方向にも同様に、スタブ先端からスタブ
幅程度拡大させる。ただし、このエッチングをスタブの
先端ではない箇所で行う場合には、長手（スタブ長さ方
向）の拡大部分は設けないようにする。なぜならば、図
３で示したＬｘの寸法が変わってしまうからである。
【００１５】このようなエッチングの効果を考慮して、
帯域阻止フィルタとしての特性をシミュレーションによ
り求めたもが図５〜図７である。これらの図では図２の
回路におけるＳパラメータが示されている。つまり、横
軸に周波数（ＧＨｚ）をとり、縦軸にｄＢＳ１１又はｄ
ＢＳ１２パラメータを示している。図５〜図７のいずれ
の場合も、ｔ０＝５０μｍに対し、特性インピーダンス
５０Ωライン（３４．４μｍ幅）で形成し、Ｌ１＝５８
０μｍとした図２の回路によっている。
帯域阻止フィルタとしての特性をシミュレーションによ
り求めたもが図５〜図７である。これらの図では図２の
回路におけるＳパラメータが示されている。つまり、横
軸に周波数（ＧＨｚ）をとり、縦軸にｄＢＳ１１又はｄ
ＢＳ１２パラメータを示している。図５〜図７のいずれ
の場合も、ｔ０＝５０μｍに対し、特性インピーダンス
５０Ωライン（３４．４μｍ幅）で形成し、Ｌ１＝５８
０μｍとした図２の回路によっている。
【００１６】図５はＬｘ＝２００μｍ、ｔ１＝４０μｍ
とした場合のエッチングを行わない従来のものとの比較
である。この図から、阻止中心周波数が、３０．０ＧＨ
ｚから２９．３ＧＨｚへと移動しているのが分かる。図
６はＬｘ＝２００μｍ、ｔ１＝４５μｍとした場合のエ
ッチングを行わない場合との比較である。
とした場合のエッチングを行わない従来のものとの比較
である。この図から、阻止中心周波数が、３０．０ＧＨ
ｚから２９．３ＧＨｚへと移動しているのが分かる。図
６はＬｘ＝２００μｍ、ｔ１＝４５μｍとした場合のエ
ッチングを行わない場合との比較である。
【００１７】この図から明らかなように、阻止中心周波
数が、３０．０ＧＨｚから２９．６５ＧＨｚへと移動し
ており、図５の場合より変化量を小さくすることができ
る。また、図７はＬｘ＝１００μｍ、ｔ１＝４５μｍと
した場合のエッチングを行わない場合との比較である。
この場合は、阻止中心周波数が、３０．０ＧＨｚから２
９．８ＧＨｚへと移動し、スタブ長手方向のエッチング
寸法を図５より小さくしているので、周波数の変化量は
小さい。
数が、３０．０ＧＨｚから２９．６５ＧＨｚへと移動し
ており、図５の場合より変化量を小さくすることができ
る。また、図７はＬｘ＝１００μｍ、ｔ１＝４５μｍと
した場合のエッチングを行わない場合との比較である。
この場合は、阻止中心周波数が、３０．０ＧＨｚから２
９．８ＧＨｚへと移動し、スタブ長手方向のエッチング
寸法を図５より小さくしているので、周波数の変化量は
小さい。
【００１８】本発明は、方形スタブの裏側に相当する位
置の基板を必要な厚さまで、必要な長さにわたって（伝
送の方向＝スタブの長手方向、に対して）裏面側からエ
ッチングすることにより、当該箇所の特性インピーダン
スを調整する。なお、作製の順序に関しては、この実施
例では、裏面金属の作製前に基板のエッチングを行った
が、裏面金属を形成した後も、一旦基板をエッチングし
た箇所２４に相当する部分の裏面金属２５を除去し、基
板をエッチングした後、再度、基板材が露出した部分に
金属を再形成する工程でも十分適用可能である。
置の基板を必要な厚さまで、必要な長さにわたって（伝
送の方向＝スタブの長手方向、に対して）裏面側からエ
ッチングすることにより、当該箇所の特性インピーダン
スを調整する。なお、作製の順序に関しては、この実施
例では、裏面金属の作製前に基板のエッチングを行った
が、裏面金属を形成した後も、一旦基板をエッチングし
た箇所２４に相当する部分の裏面金属２５を除去し、基
板をエッチングした後、再度、基板材が露出した部分に
金属を再形成する工程でも十分適用可能である。
【００１９】なお、上記実施例では、開放スタブは方形
スタブとして説明したが、図８に示すように、ラジアル
スタブ４１とするようにしてもよい。ここに示したよう
に、本発明の方法によれば、メインの回路を作製し終わ
り、テストパターン（図示なし）で、回路の特性を評価
した結果、仮に、中心阻止周波数の調整が必要と判明し
た場合でも、スタブによる帯域阻止フィルタの中心阻止
周波数を調整することができる。
スタブとして説明したが、図８に示すように、ラジアル
スタブ４１とするようにしてもよい。ここに示したよう
に、本発明の方法によれば、メインの回路を作製し終わ
り、テストパターン（図示なし）で、回路の特性を評価
した結果、仮に、中心阻止周波数の調整が必要と判明し
た場合でも、スタブによる帯域阻止フィルタの中心阻止
周波数を調整することができる。
【００２０】なお、この実施例ではエッチングを方形ス
タブの先端付近の位置に設けるものとして説明したが、
実際にはスタブ内部の端以外のいずれの場所においても
適用可能である。また、ここでは、方形スタブを帯域阻
止フィルタとしての用途で説明したが、小型化した方形
スタブは、インピーダンス整合回路を形成する際の、容
量性成分としての並列スタブに用いることもできる。
タブの先端付近の位置に設けるものとして説明したが、
実際にはスタブ内部の端以外のいずれの場所においても
適用可能である。また、ここでは、方形スタブを帯域阻
止フィルタとしての用途で説明したが、小型化した方形
スタブは、インピーダンス整合回路を形成する際の、容
量性成分としての並列スタブに用いることもできる。
【００２１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、メインの回路の作製を終了し、テストパターン
で回路の特性を評価した結果、中心阻止周波数の調整が
必要と判明した場合でも、スタブによる帯域阻止フィル
タの中心阻止周波数を調整することができる。
よれば、メインの回路の作製を終了し、テストパターン
で回路の特性を評価した結果、中心阻止周波数の調整が
必要と判明した場合でも、スタブによる帯域阻止フィル
タの中心阻止周波数を調整することができる。
【図１】本発明の実施例を示すマイクロストリップライ
ンを用いた高周波回路の一部分を示す斜視図である。
ンを用いた高周波回路の一部分を示す斜視図である。
【図２】本発明をマイクロストリップラインに並列接続
した開放スタブに適用した場合の等価回路図である。
した開放スタブに適用した場合の等価回路図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】本発明のエッチングの効果を考慮して帯域阻止
フィルタとしての特性をシミュレーションした図（その
１）である。
フィルタとしての特性をシミュレーションした図（その
１）である。
【図６】本発明のエッチングの効果を考慮して帯域阻止
フィルタとしての特性をシミュレーションした図（その
２）である。
フィルタとしての特性をシミュレーションした図（その
２）である。
【図７】本発明のエッチングの効果を考慮して帯域阻止
フィルタとしての特性をシミュレーションした図（その
３）である。
フィルタとしての特性をシミュレーションした図（その
３）である。
【図８】本発明の他の実施例を示すラジアルスタブを有
する高周波回路の斜視図である。
する高周波回路の斜視図である。
【図９】従来の構造のマイクロストリップラインを用い
た高周波回路の一部分を示す斜視図である。
た高周波回路の一部分を示す斜視図である。
２１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２２ 方形スタブ ２３ 直下の基板がエッチングされるスタブの一部分 ２４ 基板をエッチングした箇所 ２５ 裏面接地金属層 ｗｍ スタブの幅 ｗｍ´ マイクロストリップラインの幅 Ｌ１ 開放スタブの全長 Ｌｘ 直下の基板がエッチングされるスタブの一部分
のスタブ長手方向の寸法 ３０Ａ ポート１ ３０Ｂ ポート２ ３１ 基板を裏面からエッチングした部分の開放スタ
ブ ３２ 基板を裏面からエッチングしていない部分の開
放スタブ ３３，３５ マイクロストリップライン ３４ マイクロストリップＴジャンクション ４１ ラジアルスタブ
のスタブ長手方向の寸法 ３０Ａ ポート１ ３０Ｂ ポート２ ３１ 基板を裏面からエッチングした部分の開放スタ
ブ ３２ 基板を裏面からエッチングしていない部分の開
放スタブ ３３，３５ マイクロストリップライン ３４ マイクロストリップＴジャンクション ４１ ラジアルスタブ
Claims (8)
- 【請求項１】 マイクロストリップラインを有する高周
波回路において、（ａ）基板の表面上のマイクロストリ
ップラインと、（ｂ）該マイクロストリップラインに接
続される開放スタブと、（ｃ）該開放スタブの一部分に
対し、その相対する位置の基板の裏面側から所定の量だ
け基板がエッチングされる部分と、（ｄ）前記基板の裏
面の全面に形成される接地金属層とを具備する高周波回
路。 - 【請求項２】 請求項１記載の高周波回路において、前
記開放スタブを方形スタブとすることを特徴とする高周
波回路。 - 【請求項３】 請求項２記載の高周波回路において、エ
ッチングを方形スタブの先端付近のスタブ長手方向の一
部に適用することを特徴とする高周波回路。 - 【請求項４】 請求項１記載の高周波回路において、前
記開放スタブをラジアルスタブとすることを特徴とする
高周波回路。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載の高周波回
路において、前記基板を半導体とすることを特徴とする
高周波回路。 - 【請求項６】 請求項１、２、３又は４記載の高周波回
路において、前記基板を半絶縁性ガリウム砒素とするこ
とを特徴とする高周波回路。 - 【請求項７】 マイクロストリップラインを有する高周
波回路の周波数の調整方法において、 基板の表面上のマイクロストリップラインの開放スタブ
を帯域阻止フィルタとして用いる回路構成とし、前記開
放スタブの一部分に対し、その相対する位置の基板の裏
面側から所定の量だけ基板をエッチングし、中心阻止周
波数を前記エッチングにより、所望の値に変化させるこ
とを特徴とする高周波回路の周波数の調整方法。 - 【請求項８】 マイクロストリップラインを有する高周
波回路の周波数の調整方法において、 基板の表面上のマイクロストリップラインの開放スタブ
をインピーダンス整合回路を形成する際の容量成分とし
て用いる回路構成とし、エッチングにより容量を変化さ
せ、整合回路の特性を所望の特性に変化させることを特
徴とする高周波回路の周波数の調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188097A JPH10224121A (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 高周波回路及びその周波数の調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188097A JPH10224121A (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 高周波回路及びその周波数の調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10224121A true JPH10224121A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12067445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2188097A Withdrawn JPH10224121A (ja) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | 高周波回路及びその周波数の調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10224121A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007215247A (ja) * | 2007-05-25 | 2007-08-23 | Sharp Corp | 周波数逓倍器 |
-
1997
- 1997-02-05 JP JP2188097A patent/JPH10224121A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007215247A (ja) * | 2007-05-25 | 2007-08-23 | Sharp Corp | 周波数逓倍器 |
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