JPH1022280A - プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法Info
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- JPH1022280A JPH1022280A JP17776496A JP17776496A JPH1022280A JP H1022280 A JPH1022280 A JP H1022280A JP 17776496 A JP17776496 A JP 17776496A JP 17776496 A JP17776496 A JP 17776496A JP H1022280 A JPH1022280 A JP H1022280A
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- Japan
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- cleaning
- cathode electrode
- impedance
- plasma cvd
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クリーニング作業を短時間に行なう。
【解決手段】 成膜室の外槽４にアノード電極を兼ねる
内槽５を取り付け、内槽５内にカソード電極２を設け、
カソード電極２と内槽５との間に絶縁体３を設け、カソ
ード電極２に高周波電源１を接続し、内槽５内に生ずる
プラズマ７にかかる電圧Ｖppまたはグランドとプラズマ
７との間の電圧Ｖdcを検出する電圧検出回路８を設け
る。
内槽５を取り付け、内槽５内にカソード電極２を設け、
カソード電極２と内槽５との間に絶縁体３を設け、カソ
ード電極２に高周波電源１を接続し、内槽５内に生ずる
プラズマ７にかかる電圧Ｖppまたはグランドとプラズマ
７との間の電圧Ｖdcを検出する電圧検出回路８を設け
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を有する液晶表示装置の製造などに使用する
プラズマＣＶＤ装置およびそのクリーニング方法に関す
るものである。
（ＴＦＴ）を有する液晶表示装置の製造などに使用する
プラズマＣＶＤ装置およびそのクリーニング方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマＣＶＤ装置において、セ
ルフクリーニングを行なうときには、長時間のオーバク
リーニングを行なっている。
ルフクリーニングを行なうときには、長時間のオーバク
リーニングを行なっている。
【０００３】なお、従来、基板、ウェハ上の膜をエッチ
ングしてパターンを形成するためのドライエッチングの
終点検出には、質量分析法、基板の光学反射分析法、イ
ンピーダンス法、発光スペクトル分析法などがあり、量
産ラインでは感度の高い発光スペクトル法が用いられて
いる。
ングしてパターンを形成するためのドライエッチングの
終点検出には、質量分析法、基板の光学反射分析法、イ
ンピーダンス法、発光スペクトル分析法などがあり、量
産ラインでは感度の高い発光スペクトル法が用いられて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、長時間のオー
バクリーニングを行なったときには、クリーニング作業
に長時間を要するから、クリーニング作業能率が低く、
またカソード電極が劣化しやすく、しかもクリーニング
ガスの消費量が多くなる。
バクリーニングを行なったときには、クリーニング作業
に長時間を要するから、クリーニング作業能率が低く、
またカソード電極が劣化しやすく、しかもクリーニング
ガスの消費量が多くなる。
【０００５】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、クリーニング作業を短時間に行なうことが
できるプラズマＣＶＤ装置およびそのクリーニング方法
を提供することを目的とする。
れたもので、クリーニング作業を短時間に行なうことが
できるプラズマＣＶＤ装置およびそのクリーニング方法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、カソード電極とアノード電極と
の間のインピーダンスの変化を検出するインピーダンス
検出手段を設ける。
め、本発明においては、カソード電極とアノード電極と
の間のインピーダンスの変化を検出するインピーダンス
検出手段を設ける。
【０００７】また、カソード電極とアノード電極との間
のインピーダンスの変化を検出するインピーダンス検出
手段を具備するプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法
において、上記インピーダンスの増加率または減少率が
一定値以下になったときクリーニングを停止する。
のインピーダンスの変化を検出するインピーダンス検出
手段を具備するプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法
において、上記インピーダンスの増加率または減少率が
一定値以下になったときクリーニングを停止する。
【０００８】この場合、上記インピーダンスの増加率ま
たは減少率が一定値以下になったとき、他のクリーニン
グ条件でクリーニングを行なう。
たは減少率が一定値以下になったとき、他のクリーニン
グ条件でクリーニングを行なう。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るプラズマＣＶ
Ｄ装置を示す概略断面図である。図に示すように、成膜
室の外槽４にアノード電極を兼ねる内槽５が取り付けら
れ、内槽５内にカソード電極２が設けられ、カソード電
極２と内槽５との間に絶縁体３が設けられ、外槽４に覗
き窓６が設けられ、カソード電極２に高周波電源１が接
続され、内槽５内に生ずるプラズマ７にかかる電圧Ｖpp
またはグランドとプラズマ７との間の電圧Ｖdcを検出す
る電圧検出回路８が設けられている。
Ｄ装置を示す概略断面図である。図に示すように、成膜
室の外槽４にアノード電極を兼ねる内槽５が取り付けら
れ、内槽５内にカソード電極２が設けられ、カソード電
極２と内槽５との間に絶縁体３が設けられ、外槽４に覗
き窓６が設けられ、カソード電極２に高周波電源１が接
続され、内槽５内に生ずるプラズマ７にかかる電圧Ｖpp
またはグランドとプラズマ７との間の電圧Ｖdcを検出す
る電圧検出回路８が設けられている。
【００１０】つぎに、図１に示したプラズマＣＶＤ装置
のクリーニング方法すなわち本発明に係るプラズマＣＶ
Ｄ装置のクリーニング方法について説明する。この方法
においては、セルフクリーニングを行なう際に、電圧検
出回路８により電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcを検出し、電圧
Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加率または減少率が一旦所定値
よりも大きくなったのちに、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの
増加率または減少率が一定値よりも小さくなったとき、
クリーニングを停止する。
のクリーニング方法すなわち本発明に係るプラズマＣＶ
Ｄ装置のクリーニング方法について説明する。この方法
においては、セルフクリーニングを行なう際に、電圧検
出回路８により電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcを検出し、電圧
Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加率または減少率が一旦所定値
よりも大きくなったのちに、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの
増加率または減少率が一定値よりも小さくなったとき、
クリーニングを停止する。
【００１１】ところで、図１に示したプラズマＣＶＤ装
置のセルフクリーニングを行なうと、セルフクリーニン
グによってカソード電極２、内槽５に付着した膜が除去
されるから、膜のコンデンサ容量がなくなることによ
り、カソード電極２と内槽５との間のインピーダンスが
変化し、このためカソード電極２、内槽５に付着した膜
が除去されるに従って電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加率
または減少率が一旦所定値よりも大きくなったのちに、
カソード電極２、内槽５に付着した膜が除去されてしま
うと電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加率または減少率が一
定値よりも小さくなる。したがって、図１に示したプラ
ズマＣＶＤ装置、そのクリーニング方法においては、セ
ルフクリーニングの終点を検出することができる。この
ため、クリーニング作業を短時間に行なうことができる
ので、クリーニング作業能率が向上し、またカソード電
極２が劣化しにくく、しかもクリーニングガスの消費量
が少なくなる。
置のセルフクリーニングを行なうと、セルフクリーニン
グによってカソード電極２、内槽５に付着した膜が除去
されるから、膜のコンデンサ容量がなくなることによ
り、カソード電極２と内槽５との間のインピーダンスが
変化し、このためカソード電極２、内槽５に付着した膜
が除去されるに従って電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加率
または減少率が一旦所定値よりも大きくなったのちに、
カソード電極２、内槽５に付着した膜が除去されてしま
うと電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加率または減少率が一
定値よりも小さくなる。したがって、図１に示したプラ
ズマＣＶＤ装置、そのクリーニング方法においては、セ
ルフクリーニングの終点を検出することができる。この
ため、クリーニング作業を短時間に行なうことができる
ので、クリーニング作業能率が向上し、またカソード電
極２が劣化しにくく、しかもクリーニングガスの消費量
が少なくなる。
【００１２】図２は図１に示したプラズマＣＶＤ装置に
おいて窒化シリコンを３μｍ成膜したのちにセルフクリ
ーニングしたときの電圧Ｖpp、Ｖdcの時間的変化を示す
グラフである。この場合の成膜条件は、高周波電源１の
高周波周波数が１３．５６ＭＨｚ、カソード電極２、内
槽５の温度が２３０℃、シランの供給量が７０ＳＣＣ
Ｍ、アンモニアの供給量が２１０ＳＣＣＭ、窒素の供給
量が７００ＳＣＣＭ、高周波電源１の高周波パワーが１
３００Ｗ、内槽５内の圧力が０．４Ｔｏｒｒである。ま
た、クリーニング条件（以下、第１のクリーニング条件
という）は、高周波電源１の高周波周波数が１３．５６
ＭＨｚ、カソード電極２、内槽５の温度が２３０℃、ク
リーニングガスである三フッ化窒素の供給量が４００Ｓ
ＣＣＭ、窒素の供給量が５００ＳＣＣＭ、高周波電源１
の高周波パワーが７００Ｗ、内槽５内の圧力が０．４Ｔ
ｏｒｒである。
おいて窒化シリコンを３μｍ成膜したのちにセルフクリ
ーニングしたときの電圧Ｖpp、Ｖdcの時間的変化を示す
グラフである。この場合の成膜条件は、高周波電源１の
高周波周波数が１３．５６ＭＨｚ、カソード電極２、内
槽５の温度が２３０℃、シランの供給量が７０ＳＣＣ
Ｍ、アンモニアの供給量が２１０ＳＣＣＭ、窒素の供給
量が７００ＳＣＣＭ、高周波電源１の高周波パワーが１
３００Ｗ、内槽５内の圧力が０．４Ｔｏｒｒである。ま
た、クリーニング条件（以下、第１のクリーニング条件
という）は、高周波電源１の高周波周波数が１３．５６
ＭＨｚ、カソード電極２、内槽５の温度が２３０℃、ク
リーニングガスである三フッ化窒素の供給量が４００Ｓ
ＣＣＭ、窒素の供給量が５００ＳＣＣＭ、高周波電源１
の高周波パワーが７００Ｗ、内槽５内の圧力が０．４Ｔ
ｏｒｒである。
【００１３】このグラフから明らかなように、電圧Ｖpp
が急激に増加し飽和する。これは、カソード電極２、内
槽５の中央部に付着した大部分の窒化シリコン膜が除去
され、高周波電源１から見たインピーダンスが変化し
て、広がっていたプラズマ７が縮小するためである。こ
のとき、電圧Ｖdcも同じような変化をする。
が急激に増加し飽和する。これは、カソード電極２、内
槽５の中央部に付着した大部分の窒化シリコン膜が除去
され、高周波電源１から見たインピーダンスが変化し
て、広がっていたプラズマ７が縮小するためである。こ
のとき、電圧Ｖdcも同じような変化をする。
【００１４】また、図３は図１に示したプラズマＣＶＤ
装置において窒化シリコンを３μｍ成膜したのちに他の
クリーニング条件でセルフクリーニングしたときの電圧
Ｖpp、Ｖdcの時間的変化を示すグラフである。この場合
の成膜条件は、図２の場合と同様であり、またクリーニ
ング条件（以下、第２のクリーニング条件という）は、
高周波電源１の高周波周波数が１３．５６ＭＨｚ、カソ
ード電極２、内槽５の温度が２３０℃、クリーニングガ
スである三フッ化窒素の供給量が４００ＳＣＣＭ、窒素
の供給量が５００ＳＣＣＭ、高周波電源１の高周波パワ
ーが９００Ｗ、内槽５内の圧力が０．３５Ｔｏｒｒであ
る。
装置において窒化シリコンを３μｍ成膜したのちに他の
クリーニング条件でセルフクリーニングしたときの電圧
Ｖpp、Ｖdcの時間的変化を示すグラフである。この場合
の成膜条件は、図２の場合と同様であり、またクリーニ
ング条件（以下、第２のクリーニング条件という）は、
高周波電源１の高周波周波数が１３．５６ＭＨｚ、カソ
ード電極２、内槽５の温度が２３０℃、クリーニングガ
スである三フッ化窒素の供給量が４００ＳＣＣＭ、窒素
の供給量が５００ＳＣＣＭ、高周波電源１の高周波パワ
ーが９００Ｗ、内槽５内の圧力が０．３５Ｔｏｒｒであ
る。
【００１５】このような第２のクリーニング条件でセル
フクリーニングしたときには、プラズマ７の大きさは終
点の前後で変化しないから、セルフクリーニングを継続
すると電圧Ｖpp、Ｖdcが減少する。
フクリーニングしたときには、プラズマ７の大きさは終
点の前後で変化しないから、セルフクリーニングを継続
すると電圧Ｖpp、Ｖdcが減少する。
【００１６】そして、初めに第１のクリーニング条件で
セルフクリーニングを行ない、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdc
の増加率が一旦所定値よりも大きくなったのちに、電圧
Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加率が一定値よりも小さくなっ
たときに、高周波電源１の高周波パワー、内槽５内の圧
力を変化させて第２のクリーニング条件とし、さらにセ
ルフクリーニングを行ない、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの
減少率が一旦所定値よりも大きくなったのちに、電圧Ｖ
ppまたは電圧Ｖdcの減少率が一定値よりも小さくなった
ときに、セルフクリーニングを停止すれば、初めにカソ
ード電極２、内槽５の中央部に付着した窒化シリコン膜
を除去することができ、つづいて内槽５の側壁等の周辺
部に付着した窒化シリコン膜を除去することができるか
ら、内槽５内の全体をクリーニングすることができる。
セルフクリーニングを行ない、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdc
の増加率が一旦所定値よりも大きくなったのちに、電圧
Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加率が一定値よりも小さくなっ
たときに、高周波電源１の高周波パワー、内槽５内の圧
力を変化させて第２のクリーニング条件とし、さらにセ
ルフクリーニングを行ない、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの
減少率が一旦所定値よりも大きくなったのちに、電圧Ｖ
ppまたは電圧Ｖdcの減少率が一定値よりも小さくなった
ときに、セルフクリーニングを停止すれば、初めにカソ
ード電極２、内槽５の中央部に付着した窒化シリコン膜
を除去することができ、つづいて内槽５の側壁等の周辺
部に付着した窒化シリコン膜を除去することができるか
ら、内槽５内の全体をクリーニングすることができる。
【００１７】図４は本発明に係る他のプラズマＣＶＤ装
置を示す概略断面図である。図に示すように、電圧検出
回路８に終点判定手段９が接続され、終点判定手段９に
高周波電源１、ガス供給量調整手段（図示せず）等を制
御する制御手段１０が接続され、終点判定手段９は第１
のクリーニング条件でセルフクリーニングしている場合
に、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加率が一旦所定値より
も大きくなったのちに、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加
率が一定値よりも小さくなったときに、制御手段１０に
第２のクリーニング条件でセルフクリーニングを開始す
ることを指令し、第２のクリーニング条件でセルフクリ
ーニングしている場合に、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの減
少率が一旦所定値よりも大きくなったのちに、電圧Ｖpp
または電圧Ｖdcの減少率が一定値よりも小さくなったと
きに、制御手段１０にセルフクリーニングの停止を指令
する。
置を示す概略断面図である。図に示すように、電圧検出
回路８に終点判定手段９が接続され、終点判定手段９に
高周波電源１、ガス供給量調整手段（図示せず）等を制
御する制御手段１０が接続され、終点判定手段９は第１
のクリーニング条件でセルフクリーニングしている場合
に、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加率が一旦所定値より
も大きくなったのちに、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの増加
率が一定値よりも小さくなったときに、制御手段１０に
第２のクリーニング条件でセルフクリーニングを開始す
ることを指令し、第２のクリーニング条件でセルフクリ
ーニングしている場合に、電圧Ｖppまたは電圧Ｖdcの減
少率が一旦所定値よりも大きくなったのちに、電圧Ｖpp
または電圧Ｖdcの減少率が一定値よりも小さくなったと
きに、制御手段１０にセルフクリーニングの停止を指令
する。
【００１８】このプラズマＣＶＤ装置においては、自動
的にセルフクリーニングを行なうことができる。
的にセルフクリーニングを行なうことができる。
【００１９】なお、上述実施の形態においては、インピ
ーダンス検出手段として電圧検出回路８を用いたが、他
のインピーダンス検出手段を用いてもよい。
ーダンス検出手段として電圧検出回路８を用いたが、他
のインピーダンス検出手段を用いてもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプラ
ズマＣＶＤ装置、そのクリーニング方法においては、ク
リーニング作業を短時間に行なうことができる。
ズマＣＶＤ装置、そのクリーニング方法においては、ク
リーニング作業を短時間に行なうことができる。
【００２１】また、インピーダンスの増加率または減少
率が一定値以下になったとき、他のクリーニング条件で
クリーニングを行なうときには、プラズマＣＶＤ装置の
内部の全体をクリーニングすることができる。
率が一定値以下になったとき、他のクリーニング条件で
クリーニングを行なうときには、プラズマＣＶＤ装置の
内部の全体をクリーニングすることができる。
【図１】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置を示す概略断
面図である。
面図である。
【図２】図１に示したプラズマＣＶＤ装置においてセル
フクリーニングしたときの電圧Ｖpp、Ｖdcの時間的変化
を示すグラフである。
フクリーニングしたときの電圧Ｖpp、Ｖdcの時間的変化
を示すグラフである。
【図３】図１に示したプラズマＣＶＤ装置において他の
クリーニング条件でセルフクリーニングしたときの電圧
Ｖpp、Ｖdcの時間的変化を示すグラフである。
クリーニング条件でセルフクリーニングしたときの電圧
Ｖpp、Ｖdcの時間的変化を示すグラフである。
【図４】本発明に係る他のプラズマＣＶＤ装置を示す概
略断面図である。
略断面図である。
２…カソード電極 ５…内槽 ８…電圧検出回路
Claims (3)
- 【請求項１】カソード電極とアノード電極との間のイン
ピーダンスの変化を検出するインピーダンス検出手段を
具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】カソード電極とアノード電極との間のイン
ピーダンスの変化を検出するインピーダンス検出手段を
具備するプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法におい
て、上記インピーダンスの増加率または減少率が一定値
以下になったときクリーニングを停止することを特徴と
するプラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項３】上記インピーダンスの増加率または減少率
が一定値以下になったとき、他のクリーニング条件でク
リーニングを行なうことを特徴とする請求項２に記載の
プラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17776496A JPH1022280A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17776496A JPH1022280A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022280A true JPH1022280A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16036727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17776496A Pending JPH1022280A (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022280A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001077406A2 (en) * | 2000-04-07 | 2001-10-18 | Philips Semiconductors, Inc. | A method of determining the end point of a plasma cleaning operation |
| JP2006332658A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asm Japan Kk | プラズマ処理の異常動作を検知するための方法 |
| CN1306567C (zh) * | 2003-05-16 | 2007-03-21 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置及其控制方法 |
| EP3249073A1 (en) * | 2016-05-24 | 2017-11-29 | SPTS Technologies Limited | A method of cleaning a plasma processing device |
-
1996
- 1996-07-08 JP JP17776496A patent/JPH1022280A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001077406A2 (en) * | 2000-04-07 | 2001-10-18 | Philips Semiconductors, Inc. | A method of determining the end point of a plasma cleaning operation |
| WO2001077406A3 (en) * | 2000-04-07 | 2002-01-24 | Philips Semiconductors Inc | A method of determining the end point of a plasma cleaning operation |
| US6543459B1 (en) | 2000-04-07 | 2003-04-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of determining an end point for a remote microwave plasma cleaning system |
| CN1306567C (zh) * | 2003-05-16 | 2007-03-21 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置及其控制方法 |
| JP2006332658A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asm Japan Kk | プラズマ処理の異常動作を検知するための方法 |
| EP3249073A1 (en) * | 2016-05-24 | 2017-11-29 | SPTS Technologies Limited | A method of cleaning a plasma processing device |
| CN107424898A (zh) * | 2016-05-24 | 2017-12-01 | Spts科技有限公司 | 等离子体处理装置的清洁方法 |
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