JPH10221363A - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
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- JPH10221363A JPH10221363A JP2420997A JP2420997A JPH10221363A JP H10221363 A JPH10221363 A JP H10221363A JP 2420997 A JP2420997 A JP 2420997A JP 2420997 A JP2420997 A JP 2420997A JP H10221363 A JPH10221363 A JP H10221363A
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- filler
- acceleration sensor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体技術を用いた加速度センサにおいて、
量産に適するとともに、小型で精度の高い加速度センサ
を得る製造方法を提供する。 【解決手段】 固定部１３と、下面に突出するとともに
錘体２１が接合された作用部１１と、これら固定部１３
と作用部１１とを接続し複数の抵抗素子１５を上面に設
けた可撓部とを備える加速度センサを製造する際に、空
間１４内にナフタリン等の充填剤Ｎ1を充填してダイシ
ング加工Ｄ1を施すことにより、空間１４内へのゴミ等
の浸入を防止する。次工程で充填剤Ｎ1を除去し、更に
次の工程へ進む。
量産に適するとともに、小型で精度の高い加速度センサ
を得る製造方法を提供する。 【解決手段】 固定部１３と、下面に突出するとともに
錘体２１が接合された作用部１１と、これら固定部１３
と作用部１１とを接続し複数の抵抗素子１５を上面に設
けた可撓部とを備える加速度センサを製造する際に、空
間１４内にナフタリン等の充填剤Ｎ1を充填してダイシ
ング加工Ｄ1を施すことにより、空間１４内へのゴミ等
の浸入を防止する。次工程で充填剤Ｎ1を除去し、更に
次の工程へ進む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロマシーニ
ング技術を用いて加速度センサを製造する方法およびそ
の製造方法によって得られた加速度センサに関する。
ング技術を用いて加速度センサを製造する方法およびそ
の製造方法によって得られた加速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上にピエゾ抵抗素子を形成
し、該抵抗素子に加速度等の外力が加えられることによ
って生じる抵抗素子の機械的変形を電気抵抗の変化とし
て検出して、加えられた外力の大きさを知る加速度セン
サがある。このような加速度センサとして、例えば、特
開平３−２５３５号公報に示される加速度センサは、図
１２および図１３に示す構造を有している。
し、該抵抗素子に加速度等の外力が加えられることによ
って生じる抵抗素子の機械的変形を電気抵抗の変化とし
て検出して、加えられた外力の大きさを知る加速度セン
サがある。このような加速度センサとして、例えば、特
開平３−２５３５号公報に示される加速度センサは、図
１２および図１３に示す構造を有している。
【０００３】図１２は、加速度センサの縦断面図であ
り、図１３は、半導体基板上の抵抗素子の配置状況を示
す平面図である。この加速度センサは、半導体ペレット
１０と錘体２１と台座２２と下部制限基板３０と上部制
限基板５０とからなる該素子部１を、パッケージ４０に
収容して構成されている。半導体ペレット１０は、中央
に作用部１１が、その周囲に環状溝１４によって肉薄に
形成された可撓部１２と、その外周に固定部１３とが形
成されており、この可撓部１２の上面には、抵抗素子
（ＲX1〜ＲX4、ＲY1〜ＲY4、ＲZ1〜ＲZ4）１５が図示の
ように形成されている。
り、図１３は、半導体基板上の抵抗素子の配置状況を示
す平面図である。この加速度センサは、半導体ペレット
１０と錘体２１と台座２２と下部制限基板３０と上部制
限基板５０とからなる該素子部１を、パッケージ４０に
収容して構成されている。半導体ペレット１０は、中央
に作用部１１が、その周囲に環状溝１４によって肉薄に
形成された可撓部１２と、その外周に固定部１３とが形
成されており、この可撓部１２の上面には、抵抗素子
（ＲX1〜ＲX4、ＲY1〜ＲY4、ＲZ1〜ＲZ4）１５が図示の
ように形成されている。
【０００４】作用部１１の下面には、錘体２１が接合さ
れており、固定部１３の下面は台座２２の上面に接合さ
れている。さらに、台座２２の底面は、下部制限基板３
０を介してパッケージ４０の内側底面に接合されてお
り、半導体ペレット１０と錘体２１は、台座２２によっ
て支持され、パッケージ４０には蓋４３が被せられてい
る。各抵抗素子は、ボンディングパッド１６に電気的に
接続され、ボンディングワイヤ４２によってパッケージ
側方に設けられたリード４１に接続されている。上部制
限基板５０と下部制限基板３０とにはそれぞれ浅い窪み
５１，３８が設けられており、それぞれ錘体２１の上下
方向の変位を許容範囲に制限する。
れており、固定部１３の下面は台座２２の上面に接合さ
れている。さらに、台座２２の底面は、下部制限基板３
０を介してパッケージ４０の内側底面に接合されてお
り、半導体ペレット１０と錘体２１は、台座２２によっ
て支持され、パッケージ４０には蓋４３が被せられてい
る。各抵抗素子は、ボンディングパッド１６に電気的に
接続され、ボンディングワイヤ４２によってパッケージ
側方に設けられたリード４１に接続されている。上部制
限基板５０と下部制限基板３０とにはそれぞれ浅い窪み
５１，３８が設けられており、それぞれ錘体２１の上下
方向の変位を許容範囲に制限する。
【０００５】この加速度センサに、加速度が加えられる
と、錘体２１に外力が作用して作用部１１を経由して可
撓部１２を変形させる。これにより、可撓部１２に形成
された抵抗素子１５の電気抵抗に変化が生じ、この変化
量を演算処理することによって加速度の方向と大きさを
知ることができる。
と、錘体２１に外力が作用して作用部１１を経由して可
撓部１２を変形させる。これにより、可撓部１２に形成
された抵抗素子１５の電気抵抗に変化が生じ、この変化
量を演算処理することによって加速度の方向と大きさを
知ることができる。
【０００６】特開平３ー２５３５号公報に開示された加
速度センサの製造方法は、図１４、図１５、図１６に示
すように、例えばセンサユニット４個分を含むダイアフ
ラムウエハ１００と、錘体、台座ウエハ２００と、制限
基板ウエハ３００を用意しておき、まず、ダイアフラム
ウエハ１００と錐体、台座ウエハ２００を接合した後に
ダイシングにより錐体と台座とに切り分ける。そして、
制限基板ウエハ３００を接合した後に、ダイシングによ
り４個のチップに分割する方法を提案している。
速度センサの製造方法は、図１４、図１５、図１６に示
すように、例えばセンサユニット４個分を含むダイアフ
ラムウエハ１００と、錘体、台座ウエハ２００と、制限
基板ウエハ３００を用意しておき、まず、ダイアフラム
ウエハ１００と錐体、台座ウエハ２００を接合した後に
ダイシングにより錐体と台座とに切り分ける。そして、
制限基板ウエハ３００を接合した後に、ダイシングによ
り４個のチップに分割する方法を提案している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の製造方法にあっては、ダイシング時に加速度セ
ンサチップの内部に切り粉等のゴミが侵入する恐れがあ
る。加速度センサ内にゴミが残留すると、センサの不具
合の原因となる。本発明は、上述した従来の不具合を解
消する半導体加速度センサの製造方法を提供するもので
ある。
た従来の製造方法にあっては、ダイシング時に加速度セ
ンサチップの内部に切り粉等のゴミが侵入する恐れがあ
る。加速度センサ内にゴミが残留すると、センサの不具
合の原因となる。本発明は、上述した従来の不具合を解
消する半導体加速度センサの製造方法を提供するもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体加速度セ
ンサの製造方法は、基本的な手段として、第１の基板上
に複数の単位領域を形成し、前記単位領域において凹部
を第２の面に形成する工程と、前記第１の基板の第２の
面に第２の基板の第１の面を接合する工程と、前記接合
された第１及び第２の基板との間の空間に充填剤を充填
し固化する工程と、少なくともいずれか一方の基板を切
断する工程と、切断部を洗浄する工程と、空間内に充填
された充填剤を除去する工程とを備えるものである。
ンサの製造方法は、基本的な手段として、第１の基板上
に複数の単位領域を形成し、前記単位領域において凹部
を第２の面に形成する工程と、前記第１の基板の第２の
面に第２の基板の第１の面を接合する工程と、前記接合
された第１及び第２の基板との間の空間に充填剤を充填
し固化する工程と、少なくともいずれか一方の基板を切
断する工程と、切断部を洗浄する工程と、空間内に充填
された充填剤を除去する工程とを備えるものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の半導体加速度センサの製造方法を説明する。図１は、
加速度センサのダイアフラム部を構成する第１のウエハ
１００と、錘体と台座を構成する第２のウエハ２００と
を用意する工程を示す。
の半導体加速度センサの製造方法を説明する。図１は、
加速度センサのダイアフラム部を構成する第１のウエハ
１００と、錘体と台座を構成する第２のウエハ２００と
を用意する工程を示す。
【００１０】図１４は第１のウエハ１００の平面図とＡ
−Ａ断面図である。第１のウエハ１００は、シリコンな
どの半導体で構成され、上面には図１３で示す抵抗素子
１５が形成される。下面には環状溝１４により薄肉のダ
イアフラム部１７が形成されており、錘体を支持する作
用部１１が環状溝１４の中心に設けられる。この第１の
ウエハ１００は、説明上センサチップを４個取りする場
合を示しているが、実際の製造工程にあっては、円形の
シリコンウエハ上でチップを多数個取りする工程が採用
される。また、ダイアフラム部１７の形状は、環状溝１
４によって円形に加工されているが、多角形状とするこ
ともできる。このダイアフラム部１７の外側の部分は固
定部１３を構成する。
−Ａ断面図である。第１のウエハ１００は、シリコンな
どの半導体で構成され、上面には図１３で示す抵抗素子
１５が形成される。下面には環状溝１４により薄肉のダ
イアフラム部１７が形成されており、錘体を支持する作
用部１１が環状溝１４の中心に設けられる。この第１の
ウエハ１００は、説明上センサチップを４個取りする場
合を示しているが、実際の製造工程にあっては、円形の
シリコンウエハ上でチップを多数個取りする工程が採用
される。また、ダイアフラム部１７の形状は、環状溝１
４によって円形に加工されているが、多角形状とするこ
ともできる。このダイアフラム部１７の外側の部分は固
定部１３を構成する。
【００１１】図１５は第２のウエハ２００の平面図とＢ
−Ｂ断面図を示す。第２のウエハは、錘体２１と台座２
２を構成するものである。したがって、錘体に適する比
重の大きな材料が望ましい。しかし、第１のウエハ１０
０と接合されるために、第１のウエハ１００と熱膨張係
数が近似する材料、例えば、シリコン基板やガラス基板
が用いられる。第２のウエハ２００上には、スリット２
５が縦横に加工させる。このスリット２５により最終的
には錘体２１と台座２２を構成する領域が形成される。
−Ｂ断面図を示す。第２のウエハは、錘体２１と台座２
２を構成するものである。したがって、錘体に適する比
重の大きな材料が望ましい。しかし、第１のウエハ１０
０と接合されるために、第１のウエハ１００と熱膨張係
数が近似する材料、例えば、シリコン基板やガラス基板
が用いられる。第２のウエハ２００上には、スリット２
５が縦横に加工させる。このスリット２５により最終的
には錘体２１と台座２２を構成する領域が形成される。
【００１２】図２は第１のウエハ１００と第２のウエハ
２００を接合する工程を示す。第１のウエハ１００上面
の抵抗素子１５は図示を省略してある（以下の図面でも
同様である）。接合手段Ｗ1として、接着剤を用いるこ
ともできるが、陽極接合手段を用いることが望ましい。
２００を接合する工程を示す。第１のウエハ１００上面
の抵抗素子１５は図示を省略してある（以下の図面でも
同様である）。接合手段Ｗ1として、接着剤を用いるこ
ともできるが、陽極接合手段を用いることが望ましい。
【００１３】図３は、接合された接合ウエハ２５０のダ
イアフラム内部の空間１４やスリット２５内を充填剤Ｎ
1で充填する工程を示す。充填剤Ｎ1は、例えばナフタリ
ン等の常温では固体であるが、加熱、溶剤による溶解等
の方法で完全に除去することができる物質が用いられ
る。ダイシング工程で支障のない物質であることが条件
となるので、非水溶性で低粘度の物質が使い易い。ナフ
タリンの外に、ブタノール、各種のワックス等が利用可
能である。なお、ダイアフラム内部の空間１４やスリッ
ト２５内への充填剤の充填方法は、スリット２５が設け
られた第２のウエハ２００の側面部から、注入、圧入、
あるいは充填剤の液相状態にしておき、この液体の中に
浸漬して充填する等の適当な方法を採用する。
イアフラム内部の空間１４やスリット２５内を充填剤Ｎ
1で充填する工程を示す。充填剤Ｎ1は、例えばナフタリ
ン等の常温では固体であるが、加熱、溶剤による溶解等
の方法で完全に除去することができる物質が用いられ
る。ダイシング工程で支障のない物質であることが条件
となるので、非水溶性で低粘度の物質が使い易い。ナフ
タリンの外に、ブタノール、各種のワックス等が利用可
能である。なお、ダイアフラム内部の空間１４やスリッ
ト２５内への充填剤の充填方法は、スリット２５が設け
られた第２のウエハ２００の側面部から、注入、圧入、
あるいは充填剤の液相状態にしておき、この液体の中に
浸漬して充填する等の適当な方法を採用する。
【００１４】図４は、空間部に充填剤Ｎ1が充填された
接合ウエハ２５０に対して、スリット２５にダイシング
加工Ｄ1を施して、切断部２６を形成する工程を示して
いる。
接合ウエハ２５０に対して、スリット２５にダイシング
加工Ｄ1を施して、切断部２６を形成する工程を示して
いる。
【００１５】図５は図４のＥ部の拡大図である。図５の
（Ａ）に示すように充填剤Ｎ1が充填されたスリット２
５に対して、切断部２６をダイシング加工する。次に、
図５の（Ｂ）に示すように、この切断部２６に付着した
ダイシング時の切粉Ｐ1等を洗浄して除去する。このダ
ンシング工程と洗浄工程において、切粉等のゴミＰ1は
スリット２５等の空間にも浸入しようとするが、空間内
は充填剤で密封されているので、浸入することはでき
ず、接合ウエハから外部へ排出される。
（Ａ）に示すように充填剤Ｎ1が充填されたスリット２
５に対して、切断部２６をダイシング加工する。次に、
図５の（Ｂ）に示すように、この切断部２６に付着した
ダイシング時の切粉Ｐ1等を洗浄して除去する。このダ
ンシング工程と洗浄工程において、切粉等のゴミＰ1は
スリット２５等の空間にも浸入しようとするが、空間内
は充填剤で密封されているので、浸入することはでき
ず、接合ウエハから外部へ排出される。
【００１６】図６は、充填剤Ｎ1の除去工程を示す。充
填剤Ｎ1として、ナフタリンを使用したときには、加熱
することでナフタリンを昇華させて除去することができ
る。真空中ではより低い温度で昇華させることができ
る。充填剤Ｎ1の物性に応じた除去手段を採用する。
填剤Ｎ1として、ナフタリンを使用したときには、加熱
することでナフタリンを昇華させて除去することができ
る。真空中ではより低い温度で昇華させることができ
る。充填剤Ｎ1の物性に応じた除去手段を採用する。
【００１７】図７は、接合ウエハ２５０に対して制限基
板となる第３のウエハ３００を用意する工程を示す。
板となる第３のウエハ３００を用意する工程を示す。
【００１８】図１６は第３のウエハ３００の平面図とＣ
−Ｃ断面図を示す。第３のウエハ３００は正方形の窪み
３８を有する。
−Ｃ断面図を示す。第３のウエハ３００は正方形の窪み
３８を有する。
【００１９】図８は、第３のウエハ３００を接合ウエハ
２５０に接合する工程を示す。接合手段Ｗ2は、接着剤
を使用することもできるが、陽極接合手段を採用するこ
とによって、確実な接合を達成することができる。
２５０に接合する工程を示す。接合手段Ｗ2は、接着剤
を使用することもできるが、陽極接合手段を採用するこ
とによって、確実な接合を達成することができる。
【００２０】図９は、接合されたセンサウエハ３５０の
空間１４，２５，２６，３８等の内部を充填剤Ｎ2で充
填する工程を示す。充填剤Ｎ2としては、前工程と同様
のナフタリン等が使用される。
空間１４，２５，２６，３８等の内部を充填剤Ｎ2で充
填する工程を示す。充填剤Ｎ2としては、前工程と同様
のナフタリン等が使用される。
【００２１】図１０は、空間内に充填剤Ｎ2が充填され
たセンサウエハ３５０にダイシング加工Ｄ2を施して、
切断部３６０を加工する工程を示す。切断部３６０によ
り、センサウエハ３５０は個々のセンサペレット４００
に分離される。そして、切断部３６０を洗浄して切粉等
のゴミを排除する。このダイシング洗浄工程にあって
も、空間内には充填剤Ｎ2が充填されているので、空間
内にゴミ等が浸入することが防止される。
たセンサウエハ３５０にダイシング加工Ｄ2を施して、
切断部３６０を加工する工程を示す。切断部３６０によ
り、センサウエハ３５０は個々のセンサペレット４００
に分離される。そして、切断部３６０を洗浄して切粉等
のゴミを排除する。このダイシング洗浄工程にあって
も、空間内には充填剤Ｎ2が充填されているので、空間
内にゴミ等が浸入することが防止される。
【００２２】図１１は、切り離されて洗浄が完了したセ
ンサペレット４００の空間内に充填されていた充填剤の
除去工程を示す。充填剤がナフタリンの場合には、加熱
処理によりナフタリンを昇華処理することができる。こ
の工程により、センサペレット４００の加工は完了し、
以後の工程へ進む。
ンサペレット４００の空間内に充填されていた充填剤の
除去工程を示す。充填剤がナフタリンの場合には、加熱
処理によりナフタリンを昇華処理することができる。こ
の工程により、センサペレット４００の加工は完了し、
以後の工程へ進む。
【００２３】
【発明の効果】本発明は以上のように、半導体構造の加
速度センサの製造方法において、３層構造のウエハにセ
ンサの要素を多数形成しておき、最終工程で各ペレット
に分割するものである。そして、製造工程中のダイシン
グ工程の前工程において、積層されたウエハの空間内に
ナフタリン等の充填剤を充填しておき、ダイシング加工
時に発生する切粉等のゴミの空間内への浸入や残留を防
止する。ダイシングによる切断と、洗浄を終了した後
に、空間内の充填剤を除去する。この製造工程の採用に
よって、加速度センサを構成する半導体ペレットの内部
にゴミ等が残留することによる不良発生を防止すること
ができる。
速度センサの製造方法において、３層構造のウエハにセ
ンサの要素を多数形成しておき、最終工程で各ペレット
に分割するものである。そして、製造工程中のダイシン
グ工程の前工程において、積層されたウエハの空間内に
ナフタリン等の充填剤を充填しておき、ダイシング加工
時に発生する切粉等のゴミの空間内への浸入や残留を防
止する。ダイシングによる切断と、洗浄を終了した後
に、空間内の充填剤を除去する。この製造工程の採用に
よって、加速度センサを構成する半導体ペレットの内部
にゴミ等が残留することによる不良発生を防止すること
ができる。
【図１】本発明にかかる加速度センサの製造工程を示す
説明図。
説明図。
【図２】本発明にかかる加速度センサの製造工程を示す
説明図。
説明図。
【図３】本発明にかかる加速度センサの製造工程を示す
説明図。
説明図。
【図４】本発明にかかる加速度センサの製造工程を示す
説明図。
説明図。
【図５】図４のＥ部の拡大図。
【図６】本発明にかかる加速度センサの製造工程を示す
説明図。
説明図。
【図７】本発明にかかる加速度センサの製造工程を示す
説明図。
説明図。
【図８】本発明にかかる加速度センサの製造工程を示す
説明図。
説明図。
【図９】本発明にかかる加速度センサの製造工程を示す
説明図。
説明図。
【図１０】本発明にかかる加速度センサの製造工程を示
す説明図。
す説明図。
【図１１】本発明にかかる加速度センサの製造工程を示
す説明図。
す説明図。
【図１２】加速度センサの構造の概要を示す縦断面図。
【図１３】加速度センサの構造の概要を示す図１２のＡ
−Ａ線での矢視図。
−Ａ線での矢視図。
【図１４】加速度センサの構成要素の説明図。
【図１５】加速度センサの構成要素の説明図。
【図１６】加速度センサの構成要素の説明図。
１ 加速度センサ素子 １０ 半導体ペレット １１ 作用部 １２ 可撓部 １３ 固定部 １４ 環状溝 １５ ピエゾ抵抗素子 １６ ボンディングパッド ２１ 錘体 ２２ 台座 ２５ スリット ２６，３６０ 切断部 １００ 第１のウエハ ２００ 第２のウエハ ３００ 第３のウエハ ４００ センサペレット Ｎ1，Ｎ2 充填剤
フロントページの続き (72)発明者 松永 忠雄 東京都中央区日本橋小網町19番５号 曙ブ レーキ工業株式会社内 (72)発明者 国見 敬 東京都中央区日本橋小網町19番５号 曙ブ レーキ工業株式会社内 (72)発明者 鈴木 章悟 神奈川県秦野市曽屋1204番地 日本インタ ー株式会社内 (72)発明者 吾妻 晃広 神奈川県秦野市曽屋1204番地 日本インタ ー株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の基板上に複数の単位領域を形成
し、前記単位領域において凹部を第２の面に形成する工
程と、前記第１の基板の第２の面に第２の基板の第１の
面を接合する工程と、前記接合された第１及び第２の基
板との間の空間に充填剤を充填し固化する工程と、少な
くともいずれか一方の基板を切断する工程と、切断部を
洗浄する工程と、空間内に充填された充填剤を除去する
工程とを備える半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項２】 第１の基板上に複数の単位領域を形成
し、各単位領域内において、その中心部に作用領域、こ
の作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固
定領域、をそれぞれ形成する工程と、 前記第１の基板の第１の面上の前記各可撓領域内に、抵
抗素子を形成する工程と、 前記各可撓領域に可撓性をもたせるために、前記第１の
基板を部分的に除去する加工を行う工程と、 前記第１の基板の第２の面に、第２の基板の第１の面を
接合する工程と、 前記接合された第１及び第２の基板の空間に充填剤を充
填し固化する工程と、 前記第２の基板を切断することにより、各単位領域にお
いて、前記第１の基板の前記作用領域に接合しており前
記第２の基板の一部分から構成される作用体と、前記第
１の基板の前記固定領域に接合しており前記第２の基板
の一部分から構成される台座と、を形成する工程と、 切断部を洗浄する工程と、 空間内に充填された充填剤を除去する工程と、 第３の基板の第１の面上に、前記作用体が所定の自由度
をもって動きうるような溝を形成した後、この第３の基
板の前記第１の面を前記第２の基板の第２の面に接合す
る工程と、 前記接合された第１、第２及び第３の基板の空間に充填
剤を充填し固化する工程と、 前記第１、第２、および第３の基板を、各単位領域ごと
に切り離す工程と、 切断部を洗浄する工程と、 空間内に充填された充填剤を除去する工程とを備える半
導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項３】 充填剤は、ナフタリン、ブタノール又は
ワックスである請求項２記載の半導体加速度センサの製
造方法。 - 【請求項４】 充填剤を除去する工程は、充填剤を昇華
させる工程である請求項２記載の半導体加速度センサの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2420997A JPH10221363A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2420997A JPH10221363A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10221363A true JPH10221363A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12131921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2420997A Pending JPH10221363A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10221363A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009513365A (ja) * | 2003-07-16 | 2009-04-02 | ベーリンガー インゲルハイム マイクロパーツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 板状の複合構造から微笑流体装置を製造する方法 |
-
1997
- 1997-02-07 JP JP2420997A patent/JPH10221363A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009513365A (ja) * | 2003-07-16 | 2009-04-02 | ベーリンガー インゲルハイム マイクロパーツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 板状の複合構造から微笑流体装置を製造する方法 |
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