JPH10213623A - 半導体試験装置 - Google Patents

半導体試験装置

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JPH10213623A
JPH10213623A JP9014349A JP1434997A JPH10213623A JP H10213623 A JPH10213623 A JP H10213623A JP 9014349 A JP9014349 A JP 9014349A JP 1434997 A JP1434997 A JP 1434997A JP H10213623 A JPH10213623 A JP H10213623A
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JP
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voltage
circuit
low
pin electronics
circuits
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JP9014349A
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Keiju Kataoka
桂樹 片岡
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Ando Electric Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/316Testing of analog circuits
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/22Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof using conversion of ac into dc

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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電源ケーブルの電流損失を抑えることで、こ
の電源ケーブルの細線化およびこれによる設備コストの
低減を図り、かつピンエレクトロニクス回路単位にて、
電源供給ラインの増減を可能にする。 【解決手段】 商用交流電源電圧を直流高電圧に変換し
て出力する直流高電圧変換電源回路Gと、これが出力す
る直流高電圧を電源ケーブル2,21,22を介して受
けて、必要とする直流低電圧に変換する複数の直流低電
圧変換回路B,B1,B2とを設けて、これらの各直流
低電圧変換回路B,B1,B2に、これらが出力する直
流低電圧を受けて、試験対象となる半導体デバイスE,
E1,E2に試験用信号を印加するピンエレクトロニク
ス回路D,D1,D2を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、複数の半導体デ
バイスの特性などを同時測定するのに用いる半導体試験
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体試験装置として、例えば図
4および図5に示すものがある。これについて述べる
と、同図において、A,A1,A2は交流200Vを所
望の直流の低電圧に変換する直流低電圧変換電源回路で
あり、これらは本体部7に設けられている。また、D,
D1,D2は各半導体デバイスE,E1,E2に試験用
信号を供給するカード構成のピンエレクトロニクス回路
であり、これらに設けられた各コネクタ56乃至61が
バックボードC上に設けられた各コネクタ5,51乃至
55にそれぞれ装着されている。
【0003】さらに、各コネクタ5,52,54に対応
する位置のバックボードCの裏面には、各コネクタ5,
52,54に対しバックボードC表面上の回路パターン
6,63,64を介して接続されるコネクタ3,31,
32が設けられている。なお、前記バックボードCおよ
びこれに取り付けられたピンエレクトロニクス回路D,
D1,D2はテストステーション8を構成している。ま
た、前記各コネクタ3,31,32は、各一の電源ケー
ブル2,21,22を介してコネクタ1,11,12に
接続され、これらの各コネクタ1,11,12は直流低
電圧変換電源回路A,A1,A2の出力端子として用い
られるコネクタ1a,11a,12aに接続されてい
る。
【0004】かかる従来の半導体試験装置では、交流電
圧(AC200V)をそれぞれ各ピンエレクトロニクス
回路D,D1,D2が要求する値の直流低電圧に変換
し、この直流低電圧をコネクタ1a,11a,12aお
よびコネクタ1,11,12を介して各電源ケーブル
2,21,22に送出し、さらに、これらの電源ケーブ
ル2,21,22からコネクタ3,31,32、バック
ボードC表面上の回路パターン6,63,64、コネク
タ5,52,54およびコネクタ56,58,60をそ
れぞれ介して、各ピンエレクトロニクス回路D,D1,
D2に供給している。これにより、各ピンエレクトロニ
クスD,D1,D2からは各半導体デバイスE,E1,
E2に合った試験用信号を供給することができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の半導体試験装置では、ピンエレクトロニクス回路
D,D1,D2に電源供給を行う場合、必要とする電源
種(例えば、±5Vや−2Vのように、異なる電源電
圧)および電源電流(例えば、+5Vで10Aのよう
に、各電源電圧において使用される電流)に応じた直流
低電圧変換電源回路A,A1,A2を個別に用意しなけ
ればならないという課題があった。
【0006】また、被測定用の半導体デバイスE,E
1,E2の数量が増加すれば、その増加した分テストス
テーション8が必要とする電流も増加し、これに伴っ
て、さらに電流容量の大きい直流低電圧変換電源回路が
必要となり、コネクタ1,11,12、電源ケーブル
2,21,22、バックボードC上のコネクタ3,3
1,32の数量や電流容量が増加する必要があるという
課題があった。また、このような電源ケーブル2,2
1,22などの増加は、半導体試験装置におけるテスト
ステーション8の操作性の向上を妨げるだけでなく、半
導体試験装置のフロアレイアウトの増大につながってし
まうという課題があった。また、従来ではテストステー
ション8による半導体デバイスのE,E1,E2測定数
を削減する場合、直流低電圧変換電源回路A,A1,A
2を各ピンエレクトロニクス回路D,D1,D2で共用
しているため、直流低電圧変換電源回路A,A1,A2
自体の削除を行うのが困難になるという課題があった。
【0007】この発明は、前記のような課題を解決する
ものであり、直流低電圧変換回路をテストステーション
内に搭載し、かつピンエレクトロニクス回路単位にて電
源供給ラインを構成することで、電源ケーブル容量の削
減および被測定用のデバイス数単位での電源供給ライン
の増減が可能な半導体試験装置を提供することを目的と
する。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項1の発明にかかる半導体試験装置は、商用交
流電源電圧を直流高電圧に変換して出力する直流高電圧
変換電源回路と、該直流高電圧変換電源回路が出力する
直流高電圧を電源ケーブルを介して受けて、必要とする
直流低電圧に変換する複数の直流低電圧変換回路とを設
けて、これらの各直流低電圧変換回路に、これらが出力
する直流低電圧を受けて、試験対象となる半導体デバイ
スに試験用信号を印加するピンエレクトロニクス回路を
接続したものである。
【0009】また、請求項2の発明にかかる半導体試験
装置は、前記直流低電圧変換回路を、前記ピンエレクト
ロニクス回路を搭載したバックボード上にコネクタおよ
び回路パターンを介して接続したものである。
【0010】また、請求項3にかかる半導体試験装置
は、前記ピンエレクトロニクス回路を前記半導体デバイ
スに対し1対1に対応させて接続し、前記ピンエレクト
ロニクス回路単位で入力される前記直流低電圧のセンシ
ングを行えるようにしたものである。
【0011】また、請求項4の発明にかかる半導体試験
装置は、一つの前記半導体デバイスに対し複数の前記ピ
ンエレクトロニクス回路を接続したものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
図について説明する。図1はこの発明の半導体試験装置
を示すブロック図であり、図4に示したものと同一の構
成部分には同一符号を付して、その重複する説明を省略
する。図1において、Gは本体部7Aに設けられた直流
高電圧変換電源回路であり、これが交流電圧(例えば、
AC200V)を整流器を通して直流電圧(例えば、D
C200V)に変換し、さらに平滑回路(図示しない)
を通してリプルを除去した直流電圧に平滑化する。ま
た、かかる直流電圧は、3つのコネクタ1a,11a,
12aに供給され、これらに接続されたコネクタ1,1
1,12を介して電源ケーブル2,21,22にそれぞ
れ供給される。
【0013】また、B,B1,B2は各ピンエレクトロ
ニクス回路D,D1,D2ごとにテストステーション8
A内に設けられたカード構成の直流低電圧変換回路であ
り、これらには前記各電源ケーブル2,21,22に接
続されて、直流高電圧(例えば、DC200V)を供給
するコネクタ9,91,92が装着されるコネクタ1
0,101,102が設けられている。また、前記直流
低電圧変換回路B,B1,B2には、これらにより直流
高電圧をそれぞれ必要とするレベルに変換した直流低電
圧を出力するためのコネクタ13,131,132が設
けられており、これらの各コネクタ13,131,13
2は前記各コネクタ3,31,32にそれぞれ接続可能
とされている。
【0014】従って、前記コネクタ10,101,10
2から各ピンエレクトロニクス回路D,D1,D2まで
の各回路はワイヤレス接続されている。ここで、前記直
流低電圧変換回路B,B1,B2およびピンエレクトロ
ニクス回路D,D1,D2は前記各コネクタを介して電
気的に接続されて、前記のように任意に交換可能なカー
ド構成となっている。
【0015】次に動作について説明する。まず、本体部
7Aに搭載された直流高電圧変換電源回路Gは、交流高
電圧(例えば、AC200V)を直流高電圧(例えば、
DC200V)に変換し、この直流高電圧を平滑処理し
て、各コネクタ1a,11a,12aおよびコネクタ
1,11,12を介して電源ケーブル2,21,22に
それぞれ送出する。また、この直流高電圧は、電源ケー
ブル2,21,22からテストステーション8A側のコ
ネクタ9,91,92およびコネクタ10,101,1
02を介して各一の直流低電圧変換回路B,B1,B2
に供給される。
【0016】これらの直流低電圧変換回路B,B1,B
2では、これらの直流高電圧(これらはいずれも等し
い)を、以下のピンエレクトロニクス回路D,D1,D
2で必要とするレベルの直流低電圧に変換し、この変換
された直流低電圧はコネクタ13,131,132およ
びコネクタ3,31,32、バックボードC上の回路パ
ターン、コネクタ5,52,54およびコネクタ56,
58,60を介して、それぞれピンエレクトロニクス回
路D,D1,D2に入力される。このため、各ピンエレ
クトロニクス回路D,D1,D2は前記各直流低電圧を
受けて、各半導体デバイスE,E1,E2に試験用信号
を供給し、これにより各半導体デバイスE,E1,E2
の特性試験等が実施される。
【0017】従って、この実施の形態では、電源ケーブ
ル2,21,22に対して直流高電圧変換電源回路Gか
らの直流高電圧を印加することで、電源ケーブル2,2
1,22に流れる電流容量を抑えることができ、その結
果として、電源ケーブル2,21,22の細線化が可能
になる。また、各ピンエレクトロニクス回路D,D1,
D2を各半導体デバイスE,E1,E2に対応配置する
ことで、半導体デバイスE,E1,E2の増減に対して
は、電源供給ラインを構成する直流低電圧変換回路B,
B1,B2およびピンエレクトロニクス回路D,D1,
D2の増減にて容易に対応可能となる。さらに、電源ケ
ーブル2,21,22への高電圧入力により、電圧降下
を無視できることとなり、電圧降下対策のための電源ケ
ーブル2,21,22の容量を削減できる。
【0018】図2は半導体デバイスEとピンエレクトロ
ニクス回路Dとが1対1で対応する場合の回路の詳細を
示す。この回路では、直流低電圧変換回路B,B1,B
2が前記各コネクタ3,13を介してバックボードCの
裏面に直接搭載され、直流低電圧はこれらの各コネクタ
13,3,バックボードC上面に配置されたフォースラ
インおよびセンスラインとなる各回路パターン14,1
5,コネクタ5,56をそれぞれ介してピンエレクトロ
ニクス回路Dに供給される。従って、電源供給ライン全
体の最短化をケーブルレス化により実現でき、このため
ライン抵抗が最小限に抑えられることとなって、電圧降
下も最小限に抑えることができる。
【0019】また、図2のように、半導体デバイスEに
対してピンエレクトロニクス回路Dが一枚で対応させた
場合に、直流低電圧変換回路Bも個別に形成できるた
め、その直流低電圧のセンシングがピンエレクトロニク
スD内において、回路抵抗を無視できる環境で実現でき
る。従って、フォースラインとセンスラインとをピンエ
レクトロニクス回路D上で接続することによって、その
センシング出力にもとづいて、より精度の高い等しい直
流低電圧を各ピンエレクトロニクス回路Dへ供給が可能
となる。
【0020】図3はこの発明の実施の他の形態を示す一
部のブロック図である。これは2つのピンエレクトロニ
クス回路D,D1から1つの半導体デバイスEに直流低
電圧を供給する場合を示す。この場合においては、直流
低電圧変換回路Bからの出力電圧のフォースライン16
とセンスライン17をバックボード上でショートさせて
ある。また、このショートされた直流低電圧はバックボ
ードC上面の回路パターン66,67を介して各ピンエ
レクトロニクス回路D,D1に分配される。
【0021】この場合には、半導体デバイスEに対する
試験用信号のレベルが不足する場合などに2つのピンエ
レクトロニクス回路D,D1から十分な試験用信号を、
その半導体デバイスEに供給できる。なお、この実施の
形態にあっても、図1,図2に示した場合と同じくピン
エレクトロニクス回路D,D1,D2を構成しているバ
ックボードCの裏面に低電圧変換回路Bがケーブルレス
で搭載されているため、直流低電圧を最短で高能率に供
給できる。
【0022】
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、商用交流電源電圧を直流高電圧に変換して出力する
直流高電圧変換電源回路と、該直流高電圧変換電源回路
が出力する直流高電圧を電源ケーブルを介して受けて、
必要とする直流低電圧に変換する複数の直流低電圧変換
回路とを設けて、これらの各直流低電圧変換回路に、こ
れらが出力する直流低電圧を受けて、試験対象となる半
導体デバイスに試験用信号を印加するピンエレクトロニ
クス回路を接続するように構成したので、電源ケーブル
の電流損失を抑えることができ、従ってこの電源ケーブ
ルの細線化およびこれによる設備コストの低減を図れる
ほか、テストステーション側で各ピンエレクトロニクス
回路が要求する直流低電圧を、それぞれ対応する直流低
電圧変換回路から供給でき、この場合に1つの直流高電
圧変換電源回路を各直流低電圧変換回路で共用できると
いう効果が得られる。また、直流低電圧変換回路をテス
トステーション内に搭載し、かつピンエレクトロニクス
回路単位にて電源供給ラインを構成することで、電源ケ
ーブル容量の削減および被測定用のデバイス数単位での
電源供給ラインの増減が可能になるという効果が得られ
る。
【0023】また、請求項2の発明によれば、前記直流
低電圧変換回路を、前記ピンエレクトロニクス回路を搭
載したバックボード上にコネクタおよび回路パターンを
介して接続するように構成したので、ピンエレクトロニ
クス回路および直流低電圧変換回路の接続を最短にて実
現でき、この接続回路における損失を最小限に抑えるこ
とができるという効果が得られる。
【0024】また、請求項3の発明によれば、前記ピン
エレクトロニクス回路を前記半導体デバイスに対し1対
1に対応させて接続し、前記ピンエレクトロニクス回路
単位で入力される前記直流低電圧のセンシングを行える
ように構成したので、そのセンシング出力にもとづいて
各ピンエレクトロニクス回路に入力される直流低電圧値
を予め設定した値に高精度に制御することが可能になる
という効果が得られる。
【0025】また、請求項4の発明によれば、一つの前
記半導体デバイスに対し複数の前記ピンエレクトロニク
ス回路を接続するように構成したので、半導体デバイス
に対する試験用信号の供給レベルを十分に確保できると
いう効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の一形態による半導体試験装
置を示すブロック図である。
【図2】 図1の半導体試験装置の回路を詳細に示すブ
ロック図である。
【図3】 この発明の実施の他の形態による半導体試験
装置を示す要部のブロック図である。
【図4】 従来の半導体試験装置を示すブロック図であ
る。
【図5】 図4における半導体試験装置の回路の詳細を
示すブロック図である。
【符号の説明】
2,21,22 電源ケーブル 14,15 回路パターン G 直流高電圧変換電源回路 B,B1,B2 直流低電圧変換回路 C バックボード D,D1,D2 ピンエレクトロニクス回路 E,E1,E2 半導体デバイス

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 商用交流電源電圧を直流高電圧に変換し
    て出力する直流高電圧変換電源回路と、 該直流高電圧変換電源回路が出力する直流高電圧を電源
    ケーブルを介して受けて、必要とする直流低電圧に変換
    する複数の直流低電圧変換回路と、 これらの各直流低電圧変換回路に接続されて、これらが
    出力する直流低電圧を受けて、試験対象となる半導体デ
    バイスに試験用信号を印加するピンエレクトロニクス回
    路とを備えたことを特徴とする半導体試験装置。
  2. 【請求項2】 前記直流低電圧変換回路が、前記ピンエ
    レクトロニクス回路を搭載したバックボード上にコネク
    タおよび回路パターンを介して接続されていることを特
    徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。
  3. 【請求項3】 前記ピンエレクトロニクス回路が前記半
    導体デバイスに対し1対1に対応して接続され、前記ピ
    ンエレクトロニクス回路単位で入力される前記直流低電
    圧のセンシングを行えるようにしたことを特徴とする請
    求項1に記載の半導体試験装置。
  4. 【請求項4】 一つの前記半導体デバイスに対し複数の
    前記ピンエレクトロニクス回路を接続したことを特徴と
    する請求項1に記載の半導体試験装置。
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