JPH10208649A

JPH10208649A - 電荷流出バリアを有する電界放出デバイス

Info

Publication number: JPH10208649A
Application number: JP29037997A
Authority: JP
Inventors: Ralph Cisneros; ラルフ・シスネロス; John Song; ジョン・ソン
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1996-10-08
Filing date: 1997-10-07
Publication date: 1998-08-07
Also published as: KR19980032651A; TW356552B; EP0836214A2; KR100453397B1; US5719406A; EP0836214A3

Abstract

(57)【要約】【課題】電界放射ディスプレイに使用される電界放射
デバイスは、一般に陽極に陰極線発光物質が配置され、
電子がそれに衝突することで光を発する。しかし、その
衝突は帯電種も発生させ、それが抽出ゲート電極等に衝
突すると追加的に電荷が発生する。この電荷は誘電体層
側面を帯電させエミッタウェル内の電界を変化させる。
これがデバイスに影響、さらには破壊の原因となる。【解決手段】電界放射デバイスは、支持基板上に形成
される導電層、エミッタウェルを決定し導電層上に形成
される誘電体層、エミッタウェル内に位置する電子エミ
ッタ、電子エミッタから離れて誘電体層上に形成される
抽出ゲート電極および抽出ゲート電極から離れている陽
極、から構成される。本発明は、エミッタウェルの側面
の面上に、起動中に衝突する帯電種の電荷を伝導するの
に適当な抵抗値を持つ電荷流出バリアを加え、エミッタ
ウェルの側面の帯電を防ぐ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般に電界放出デバイス
（field emission device）に関し、特にトライオード
（triode）電界放出デバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】当業
界において、電界放出デバイスが知られている。１つの
実例としては、電界放出デバイスはダイオードであり、
２つの電極（陰極および陽極）から構成され；他の従来
の実例としては、電界放出デバイスはトライオードであ
り、３つの電極（陰極、ゲート電極および陽極）から構
成される。図１は、トライオードの形態を有する従来の
電界放出デバイス（FED）１００を図示している。FED１
００は、抽出ゲート電極（gate extraction electrod
e）１５０から構成され、その抽出ゲート電極１５０は
誘電体層１４０によって導電層１１５から分離されてい
る。誘電体層１４０は、抽出ゲート電極１５０と導電層
１１５との間に電流が流れるのを阻止している。陽極１
８０は、抽出ゲート電極１５０から離れており、導電材
料から形成されている。誘電体層１４０は、エミッタウ
ェル（emitter well）１６０を決定する側面１４５（la
teral surface）を有する。電子エミッタ（electron em
itter）１７０がエミッタウェル１６０の内側に配置さ
れ、その電子エミッタ１７０はスピントチップ（Spindt
tip）から構成され得る。この特定の実例では、支持基
板１１０の上に形成されている導電層１１５は、導電部
分１３０および安全抵抗部分（ballast resistor porti
on）１２０から構成され、その安全抵抗部分１２０は導
電部分１３０とオーム接触している。安全抵抗部分１２
０は、導電部分１３０よりも高い抵抗を有することによ
り、電子エミッタ１７０と抽出ゲート電極１５０との間
のアーキング（arcing）を最小限にする。FED１００が
起動している間、（一般に、それは典型的なトライオー
ドの起動であるが、）適当な電圧が抽出ゲート電極１５
０、導電層１１５および陽極１８０に印加され、それに
よって電子エミッタ１７０から電子が抽出され、当該電
子は陽極１８０に向かって（図１にて矢印１７５によっ
て示されるように）方向付けられる。電界放出ディスプ
レイに使用される場合、陽極１８０に陰極線発光物質
（cathodoluminescent material）１９５が配置され、
当該電子が当該陰極線発光物質１９５に衝突することに
よって、光が発生する。しかし、陰極線発光物質１９５
に電子が衝突することはまた、ガス状イオンおよび汚染
物質がそこから発生する原因にもなる。その後、当該ガ
ス状イオンおよび汚染物質は抽出ゲート電極１５０上お
よび電子エミッタ１７０上に衝突し、それによって、イ
オンおよび（または）パーティクルがそこから追加的に
放出される原因となる。これらのイオンおよび帯電した
種（species）は誘電体層１４０の側面１４５に蓄積
し、それによって、エミッタウェル１６０の内側の面を
帯電させる。このような蓄積した電荷を流出させるよう
な導電パスがない。その帯電した面はエミッタウェル１
６０内の所定の電界の通常状態（nature）を変化させる
ような好ましくない影響（undesirable effect）を示
し、起動時間（period operation）を超過し、最終的に
はデバイスを破壊してしまう。

【０００３】このような、誘電体層側面の電荷の蓄積に
よる破壊がなく、電界放出ディスプレイにおいて有用
な、電界放出デバイスの必要性がある。

【０００４】

【好適実施例の詳細な説明】図２を参照すると、そこに
は本発明に従った電界放出デバイス（FED）２００の断
面図が示されている。FED２００は支持基板２１０から
構成され、当該支持基板２１０は、ガラス（例えば、硼
珪酸ガラス（borosilicate glass））またはシリコンか
ら構成され得る。支持基板２１０上には導電層２１５が
形成される。この実施例においては、導電層２１５は、
アモルファスシリコンで構成され得る安全抵抗部分２２
０、およびアルミニウムまたはモリブデンのような導電
物質で構成され得る導電部分２３０から構成される。誘
電体層２４０は導電層２１５上に形成される。誘電体層
２４０は、エミッタウェル２６０を決定する側面２４５
を有する。本発明によると、電荷流出バリア２９０が側
面２４５の面上に形成され、エミッタウェル２６０の一
部に存在する。電荷流出バリア２９０によってもたらさ
れる電気抵抗（電荷流出バリア２９０を構成する物質の
固有抵抗も含む）は、電荷流出バリア２９０に衝突する
帯電種（charged species）が効果的に伝導するように
予め設定され、それによって、FED２００の起動中に表
面に電荷が蓄積するのを防止する。適当な流出電流（bl
eed-off current）量はFED２００が使用されるアプリケ
ーションに依存する。電荷流出バリア２９０に適当な物
質はアモルファスシリコンおよび導電セラミックのよう
な半導体物質（それに限定せず）から構成される。一般
に、電荷流出バリア２９０の抵抗は、衝突電荷の伝導
（流出）に適当であり、かつエミッタウェル２６０内の
電界の乱れを防止することができるよう十分に高いこと
である。電子エミッタ２７０は、エミッタウェル２６０
のうち電荷流出バリア２９０以外の部分、即ち、導電層
２１５の安全抵抗部分２２０上に位置する。抽出ゲート
電極２５０が電子エミッタ２７０から離れて、誘電体層
２４０上に位置している。安全抵抗部分２２０は、電子
エミッタ２７０と抽出ゲート電極２５０との間の破壊的
アーキングを防止する。陽極２８０が、抽出ゲート電極
２５０から離れて存在している。FED２００を起動させ
ることにより、導電層２１５、抽出ゲート電極２５０お
よび陽極２８０に適当な電位が供給され、それによって
電子エミッタ２７０からの電子放出が生じる。この実施
例ではその起動によって、スピントチップの先端から電
子を放出させ、そしてその放出された電子は適当な加速
度で陽極２８０の方向（図２の矢印２７５によって示さ
れる方向）に導かれる。電荷流出バリア２９０は、誘電
体層２４０の側面２４５に気体の帯電種が衝突するのを
防ぎ、それによって電界を歪めるような、誘電体面の帯
電を防ぐ。

【０００５】FED２００を製造する多くの方法が当業界
において存在する。FED２００の製造には、標準的なデ
ポジションおよびパターニング技術が採用され得る。図
３〜７を参照すると、そこには本発明に従った、FED２
００（図２）の製造方法のうちの一つにおいて様々な工
程によってもたらされる構造を表している。まず、導電
層２１５が支持基板２１０の上にパターニングされる。
次に、電荷流出バリア形成層（charge bleed-off laye
r）３００が、導電層２１５の上に堆積、パターニング
され、それによって、図３に示されるような構造がもた
らされる。その後、図４に図示されるように、誘電物質
３１０（例えば、スピンオングラス（spin-on glass(SO
G)）またはシリコン酸化物）が、電荷流出バリア形成層
３００上および露光された導電層２１５の表面上に、堆
積される。次に、図５に図示されるように、電荷流出バ
リア形成層３００の表面上に誘電物質が残留しないよう
に、エッチングまたはポリッシングなどによって誘電物
質３１０の上側部分が除去され、それによって誘電体層
２４０を形成し、エミッタウェル２６０を決定する側面
２４５を設ける。その後、適当な抽出ゲート金属の層３
２０（例えば、モリブデン）が、誘電体層２４０上およ
び電荷流出バリア形成層３００上に堆積される。その
後、ウエル３３０が層３２０および電荷流出バリア形成
層３００の中へ選択的にエッチングされ、それによっ
て、電荷流出バリア２９０および抽出ゲート電極２５０
をもたらす。次に、電子エミッタ２７０が、ウェル３３
０内に形成され、（この実施例においては図示していな
いが）円錐型のスピントチップ電界エミッタ（Spindt t
ip field emitter）になっている。

【０００６】図８を参照すると、そこには本発明に従っ
た、電界放出デバイス（FED）８００の断面図を図示し
ている。FED８００は支持基板８１０から構成され、そ
の支持基板８１０はガラス（例えば、硼珪酸ガラス）ま
たはシリコンから構成され得る。支持基板８１０上には
導電層８１５が形成され、その導電層は適当な導電金属
（例えば、アルミニウムまたはモリブデン）から構成さ
れている。電子放出構造（emissive structure）８２０
が導電層８１５上に形成される。電子放出構造８２０は
３つの層：即ち、第１安全抵抗層８３５（導電層８１５
上に堆積され、アモルファスシリコンのような抵抗物質
から成る）；電子放出層８２５（第１安全抵抗層８３５
上に形成され、適当な電界放出物質（例えば、ダイアモ
ンドに近いカーボン（diamond-like-carbon）、窒化ホ
ウ素（cubic boron nitride）または窒化アルミニウ
ム）から成る電界放出フィルムから構成される）；およ
び第２安全抵抗部分８３０（電子放出層８２５の一部の
上に位置し、アモルファスシリコンのような抵抗物質か
ら成る）；から構成される。誘電体層８４０が、第２安
全抵抗部分８３０上に形成され、エミッタウェル８６０
を決定する側面８４５から構成される。誘電体層８４０
は適当な誘電物質（例えば、SOGまたはシリコン酸化
物）から成る。電子放出層８２５は、エミッタウェル８
６０の内側に位置し電子エミッタ（８７０を決定する放
出面から、構成される。本発明に従って、電荷流出バリ
ア８９０がエミッタウェル８６０の内側の一部である側
面８４５に形成され、電子エミッタ８７０はエミッタウ
ェル８６０の残りの部分に位置付けられる。電荷流出バ
リア８９０によってもたらされる電気抵抗（電荷流出バ
リア８９０を構成する物質の抵抗から成る）は、電荷流
出バリア８９０に衝突する帯電種の伝導に効果があるよ
うに予め設定されている。それによって、表面の電荷の
蓄積を防止する。適当な流出電流の値は、FEDが属する
アプリケーションに依存する。電荷流出バリア８９０の
適当な物質は、導電セラミックまたはアモルファスシリ
コンのような半導体物質（これらに限定はしないが）か
ら成る。一般的には、電荷流出バリア８９０の抵抗は、
衝突電荷を伝導（流出）するのに適当であり、かつ電界
の破壊を十分に防止する程度に高いことが好ましい。抽
出ゲート電極８５０が、誘電体層８４０上に堆積され、
電子エミッタ８７０から離れて存在している。陽極８８
０が、抽出ゲート電極８５０から離れて存在している。
FED８００を起動させることにより、導電層８１５、抽
出ゲート電極８５０および陽極８８０に適当な電位が供
給され、それによって電子エミッタ８７０からの電子放
出が生じる。この実施例では、電界放出フィルムの表面
から電子が放出され、その放出された電子は、適当な加
速度で陽極８８０の方向（図８の矢印８７５によって示
される方向）に、導かれる。電荷流出バリア８９０は、
誘電体層８４０の側面８４５に気体のイオンが衝突する
のを防止し、それによって、エミッタウェル内の電界を
歪めるような、誘電体面の帯電を防ぐ。第２安全抵抗層
８３０が、電子エミッタ８７０の領域に電界を成形する
ために存在する。FED８００は、FED２００（図２）の製
造のために図示された図３〜７と同様な手段にて、製造
され得る。導電層８１５のデポシションの後、第１安全
抵抗層８３５および電子放出層８２５が、その導電層８
１５の上に堆積する。次に、安全抵抗物質（ballast ma
terial）層が形成される。その安全抵抗物質層の上に電
荷流出バリア形成層をパターニングする。その後、誘電
体物質が、電荷流出バリア形成層の上および安全抵抗物
質層の露出した表面部の上に堆積する。その後、電荷流
出バリア形成層の表面上に誘電物質が残留しないよう
に、エッチングまたはポリッシングなどによって誘電物
質の上側部分が除去され、それによって誘電体層８４０
を形成し、エミッタウェル８６０を決定する側面８４５
を設ける。その後、適当な抽出ゲート金属の層が誘電体
層８４０および電荷流出バリア形成層の上に堆積する。
次に、ウェルがゲート金属、電荷流出バリア形成層およ
び安全抵抗物質の層を選択的にエッチングすることでウ
ェルを形成し、それによって、抽出ゲート電極８５０、
電荷流出バリア８９０および第２安全抵抗層８３０がも
たらされ、またそれにより、電子エミッタ８７０も決定
する。

【０００７】図９には、本発明に従った、電界放出ディ
スプレイ９００の断面図を表し、図２のFED２００を含
む。電界放出ディスプレイ９００は陰極プレート９０１
から構成され、当該陰極プレート９０１は：支持基板９
１０（グラスまたはシリコンから構成される）；パター
ニングされた導電層９１５（支持基板９１０上に形成さ
れる）；誘電体層９４０（パターニングされた導電層９
１５の上に位置付けられる）；および多数のエミッタウ
ェル９６０（誘電体層９４０の多数の側面９４５によっ
て決定される）；から構成される。多数のエミッタウェ
ル９６０のそれぞれには、その中に電荷流出バリア９９
０が存在する。その電荷流出バリア９９０は、当該各エ
ミッタウェル９６０の側面９４５に形成され、当該各エ
ミッタウェル９６０の一部分に存在する。当該各エミッ
タウェル９６０のその他の部分には電子エミッタ９７０
が位置する。この実施例においては、電子エミッタ９７
０はスピントチップから構成されている。抽出ゲート電
極９５０が、誘電体層９４０の上に形成され、そして電
子エミッタ９７０が個別に位置付けられるように、パタ
ーニングされる。各電荷流出バリア９９０は、デバイス
に必要な低RC時定数（low RC time constant）を維持す
るような抵抗値を有し、かつ、衝突する電荷（electric
al charges）を流出させるのに適当な導電率をもたらす
ような抵抗値を有する。それによって、表面電荷の蓄積
を防止する。当該抵抗はまた、電界の乱れを防止する
程、十分に高い。適当な流出電流の値は、例えば電界放
出ディスプレイ９００の全体のサイズのような量に依存
する。電荷流出バリア９９０に適当な物質は半導体物質
（例えば、アモルファスシリコン）および導電セラミッ
ク（これらに限らないが）から構成される。この実施例
では、パターニングされた導電層９１５は、所定の抵抗
値を有する安全抵抗部分９２０および導電部分９３０か
ら構成される。安全抵抗部分９２０はアモルファスシリ
コンから構成されることができ、導電部分９３０は導電
物質（例えば、アルミニウムまたはモリブデン）から構
成され得る。安全抵抗部分９２０によってもたらされる
安全抵抗は、抽出ゲート電極９５０と電子エミッタ９７
０との間の電気的アーキングを防止する。陽極プレート
９０２が、陰極プレート９０１の反対側に設けられてい
る。陽極プレート９０２は透明な支持基板９８５から構
成され、当該支持基板９８５はガラスから構成される。
透明な導電層９８０（例えば、インジウムスズ酸化物
（indium tin oxide(ITO)から構成される）が、透明な
支持基板９８５に堆積する。陰極線発光物質９９５が、
透明な導電層９８０に堆積し、電子エミッタ９７０によ
って放出された電子を受け取れるように配置される。フ
レーム９０３が、陰極プレート９０１と陽極プレート９
０２との間にあり、その間に空間をもたらすためにそれ
らのプレートの周囲（peripheries）に位置付けられ、
そして内部空間領域９０４を決定する。内部空間領域９
０４を約１ｘ１０^-6Torrの気圧まで排気する。電界放出
ディスプレイ９００が起動しているときは、電子エミッ
タ９７０はパターニングされた導電層９１５および抽出
ゲート電極９５０に所定電圧を印加することにより選択
的に選ばれる。当該放出電子は、透明な導電層９８０に
所定の電位を与えることにより、陽極プレート９０２に
向かって加速される。当該電子は陰極線発光物質９９５
に受け取られ、それによって、放出発光（emit light）
を引き起こす。次に、その光は、透明な導電層９８０お
よび透明な支持基板９８５を通過する。陰極線発光物質
９９５上の電子の衝突はまた、不純物および気体の帯電
種がその陰極線発光物質９９５から発生する原因にもな
る。これらの気体種のいくつかは、内部空間領域９０４
を飛んで行き、抽出ゲート電極９５０および電子エミッ
タ９７０に衝突する。それによって、さらに電荷流出バ
リア９９０に衝突する気体の帯電種が追加的に発生す
る。この電荷は電荷流出バリア９９０によって、パター
ニングされた導電層９１５および（または）抽出ゲート
電極９５０に向かって伝導する。それによって、表面電
荷の蓄積およびそれに付随するディスプレイの破壊を防
止する。

【０００８】ここでは、本発明に従った特定の実施例に
ついて図示し、述べてきたが、当業者にはさらに変化、
改良したものが考えられることであろう。故に、本発明
は、ここに示された特定の実施例に限定されない。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来における電界放出デバイスの断面図。

【図２】本発明に従った電界放出デバイスの実施例の断
面図。

【図３】本発明に従った図２の電界放出デバイスの製造
方法の様々な製造工程の内の一工程によってもたらされ
る構造の断面図。

【図４】本発明に従った図２の電界放出デバイスの製造
方法の様々な製造工程の内の一工程によってもたらされ
る構造の断面図。

【図５】本発明に従った図２の電界放出デバイスの製造
方法の様々な製造工程の内の一工程によってもたらされ
る構造の断面図。

【図６】本発明に従った図２の電界放出デバイスの製造
方法の様々な製造工程の内の一工程によってもたらされ
る構造の断面図。

【図７】本発明に従った図２の電界放出デバイスの製造
方法の様々な製造工程の内の一工程によってもたらされ
る構造の断面図。

【図８】本発明に従った電界放出デバイスの他の実施例
の断面図。

【図９】本発明に従った図２の電界放出デバイスから構
成される電界放出ディスプレイの実施例の断面図。

【符号の説明】１００、２００、８００、９００電界放出デバイス
（FED）３００電荷流出バリア形成層９０１陰極プレート９０２陽極プレート９０３フレーム９０４内部空間領域１１０、２１０、８１０、９１０支持基板３１０誘電物質１１５、２１５、８１５、９１５導電層１２０、２２０、９２０安全抵抗部分（導電層）３２０抽出ゲート金属の層８２０電子放出構造８２５電子放出層１３０、２３０、９３０導電部分３３０ウェル８３０第２安全抵抗部分８３５第１安全抵抗層１４０、２４０、８４０、９４０誘電体層１４５、２４５、８４５、９４５側面（誘電体層の側
面）１５０、２５０、８５０、９５０抽出ゲート電極１６０、２６０、８６０、９６０エミッタウェル１７０、２７０、８７０、９７０電子エミッタ１７５、２７５、８７５矢印１８０、２８０、８８０、９８０陽極（陽極プレー
ト）９８５透明な支持基板２９０、８９０、９９０電荷流出バリア１９５、９９５電界放出物質

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電界放出デバイス（２００、８００）で
あって：主表面を有する支持基板（２１０、８１０）；
支持基板（２１０、８１０）の主表面上に位置付けられ
る導電層（２１５、８１５）；主表面を有し、導電層
（２１５、８１５）上に位置付けられ、側面（２４５、
８４５）を決定する誘電体層（２４０、８４０）であっ
て、当該導電層（２１５、８１５）および当該誘電体層
（２４０、８４０）の側面（２４５、８４５）がエミッ
タウェル（２６０、８６０）を決定することを特徴とす
る誘電体層（２４０、８４０）；エミッタウェル（２６
０、８６０）内部の一部分に位置付けられ、エミッタウ
ェル（２６０、８６０）の側面（２４５、８４５）に沿
って存在する電荷流出バリア（２９０、８９０）であっ
て、当該電荷流出バリア（２９０、８９０）に衝突する
帯電種の電荷を伝導するのに適当な抵抗値を有すること
を特徴とする電荷流出バリア（２９０、８９０）；エミ
ッタウェル（２６０、８６０）内部に位置付けられ、導
電層（２１５、８１５）とオーム接触する電子エミッタ
（２７０、８７０）；誘電体層（２４０、８４０）の主
表面上に位置付けられ、電子エミッタ（２７０、８７
０）から離れている抽出ゲート電極（２５０、８５
０）；および抽出ゲート電極（２５０、８５０）から離
れて位置付けられる陽極（２８０、８８０）；から構成
されることを特徴とする電界放出デバイス。
【請求項２】電界放出デバイス（２００、８００）の
製造方法であって：支持基板（２１０、８１０）を準備
する段階；支持基板（２１０、８１０）上に導電層（２
１５、８１５）を形成する段階；導電層（２１５、８１
５）上に誘電体層（２４０、８４０）を形成する段階で
あって、当該誘電体層（２４０、８４０）は、エミッタ
ウェル（２６０、８６０）を決定する側面（２４５、８
４５）を有することを特徴とする段階；エミッタウェル
（２６０、８６０）の内側の一部分を構成する誘電体層
（２４０、８４０）の側面（２４５、８４５）に電荷流
出バリア（２９０、８９０）を形成する段階であって、
それによってエミッタウェル（２６０、８６０）の残り
の部分が決定し、当該電荷流出バリア（２９０、８９
０）は電界放出デバイス（２００、８００）が起動して
いる間に当該電荷流出バリア（２９０、８９０）上に衝
突する帯電種の電荷を伝導するのに適当な抵抗値を有す
ることを特徴とする電荷流出バリア（２９０、８９０）
形成段階。エミッタウェル（２６０、８６０）内部の残
りの部分に電子エミッタ（２７０、８７０）を形成する
段階；誘電体層（２４０、８４０）上に抽出ゲート電極
（２５０、８５０）を形成する段階であって、電子エミ
ッタ（２７０、８７０）から離れていることを特徴とす
る段階；および抽出ゲート電極（２５０、８５０）から
離れて、陽極プレート（２８０、８８０）を設ける段
階；から構成されることを特徴とする電界放出デバイス
の製造方法。
【請求項３】陰極プレート（９０１）から構成される
電界放出ディスプレイであって：主要な面を有する支持
基板（９１０）；支持基板（９１０）の主表面上に位置
付けられるパターニングされた導電層（９１５）；パタ
ーニングされた導電層（９１５）上に位置付けられ、主
要な面を有する誘電体層（９４０）であって、多数のエ
ミッタウェル（９６０）を決定する多数の側面（９４
５）を有することを特徴とする誘電体層（９４０）；誘
電体層（９４０）の主表面上に位置付けられる抽出ゲー
ト電極（９５０）；多数のエミッタウェル（９６０）の
各々の内側に、誘電体層（９４０）の側面（９４５）に
沿って存在し、当該エミッタウェル（９６０）の内側の
一部分に位置付けられる電荷流出バリア（９９０）であ
って、電界放出デバイス（９００）が起動している間に
当該電荷流出バリア（９９０）上に衝突する帯電種の電
荷を伝導するのに適当な抵抗値を有することを特徴とす
る電荷流出バリア（９９０）；多数のエミッタウェル
（９６０）の各々の内側に位置付けられる多数の電子エ
ミッタ（９７０）であって、パターニングされた導電層
（９１５）とオーム接触し、抽出ゲート電極（９５０）
が当該多数の電子エミッタ（９７０）の各々から離れて
いることを特徴とする電子エミッタ（９７０）；陽極プ
レート（９０２）であって、主要な面を有する透明な支持基板（９８５）であって、
陰極プレート（９０１）の抽出ゲート電極（９５０）に
対して遠位に位置付けられる透明な支持基板（９８５）
と、陽極プレート（９０２）の透明な支持基板（９８５）の
主表面上に位置付けられる透明な導電層（９８０）と、透明な導電層（９８０）上に位置付けられる電界放出物
質（９９５）であって、多数の電子エミッタ（９７０）
放出された電子を受け取るように設計された電界放出物
質（９９５）と、から成る陽極プレート（９０２）；および陰極プレート
（９０１）と陽極プレート（９０２）との間に、その間
に空間をもたらすように、位置付けられるフレーム（９
０３）であって、当該フレーム（９０３）、陽極プレー
ト（９０２）および陰極プレート（９０１）が内部空間
領域（９０４）を決定することを特徴とするフレーム
（９０３）；から構成されることを特徴とする電界放出
ディスプレイ。