JPH10206845A - ちらつきのない反射性液晶セル - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射性電極が酸化シリコンなどの絶縁皮膜で
不動態化することのできる、ＡＭＬＣＤ用の反射性液晶
セルを提供する。 【解決手段】 酸化シリコンなどの絶縁膜で反射電極が
不動態化されたＡＭＬＣＤ用の反射型液晶セルが提供さ
れる。さらに、本発明の液晶セルは導電性透明電極を含
むことができ、その仕事関数はセル中の反射電極の仕事
関数に実質に等しい。反射電極はＩＴＯなどの透明導電
層を含むことができ、あるいは整数個の被膜対を含むこ
ともでき、この被膜対は屈折率の低い第１の誘電膜と屈
折率の高い第２の誘電膜を備える。
不動態化することのできる、ＡＭＬＣＤ用の反射性液晶
セルを提供する。 【解決手段】 酸化シリコンなどの絶縁膜で反射電極が
不動態化されたＡＭＬＣＤ用の反射型液晶セルが提供さ
れる。さらに、本発明の液晶セルは導電性透明電極を含
むことができ、その仕事関数はセル中の反射電極の仕事
関数に実質に等しい。反射電極はＩＴＯなどの透明導電
層を含むことができ、あるいは整数個の被膜対を含むこ
ともでき、この被膜対は屈折率の低い第１の誘電膜と屈
折率の高い第２の誘電膜を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、活性マトリックス
によって通常は駆動される、反射型液晶セルに関する。
によって通常は駆動される、反射型液晶セルに関する。
【０００２】
【従来の技術】活性マトリックス駆動型液晶表示装置
（ＡＭＬＣＤ）には、透過型と反射型がある。透過型Ａ
ＭＬＣＤの基本構造は、図１に示すように、偏光子１０
１、１０２、ガラス基板１０３、１０４、透明導電電極
１０５、１０６、カラーフィルタ１０８（任意選択）、
オン／オフ・トランジスタ・スイッチ１０９、及び２個
の透明導電電極１０５と１０６の間に挟んだ液晶（Ｌ
Ｃ）媒体１１０からなる。バックライト光源１０７が表
示パネルを下から照明する。ラビング処理を施したポリ
イミド被膜などの位置合せ層（図示せず）が通常はＬＣ
媒体１１０と透明導電電極１０５、１０６の間に配設さ
れる。透明型ＡＭＬＣＤは通常は、反復する単位セルま
たは画素からなる。図１には３×３画素マトリックスを
示す。
（ＡＭＬＣＤ）には、透過型と反射型がある。透過型Ａ
ＭＬＣＤの基本構造は、図１に示すように、偏光子１０
１、１０２、ガラス基板１０３、１０４、透明導電電極
１０５、１０６、カラーフィルタ１０８（任意選択）、
オン／オフ・トランジスタ・スイッチ１０９、及び２個
の透明導電電極１０５と１０６の間に挟んだ液晶（Ｌ
Ｃ）媒体１１０からなる。バックライト光源１０７が表
示パネルを下から照明する。ラビング処理を施したポリ
イミド被膜などの位置合せ層（図示せず）が通常はＬＣ
媒体１１０と透明導電電極１０５、１０６の間に配設さ
れる。透明型ＡＭＬＣＤは通常は、反復する単位セルま
たは画素からなる。図１には３×３画素マトリックスを
示す。
【０００３】画素の概略図を図２に示す。添付の番号は
図１と同じ意味をもつ。キャパシタ１１０は、２枚の透
明導電電極１０５と１０６の間に挟んだＬＣ媒体のキャ
パシタンスを表す。キャパシタ１２０は、ＬＣキャパシ
タンス１１１と並列なキャパシタンスをもたらし、ディ
スプレイ中の全ての記憶キャパシタに共通の線１２１上
で終端する、記憶キャパシタンスを表す。記憶キャパシ
タのもう一つの代替設計は、電極１０６とゲート・バス
線１０７の間に配設された記憶キャパシタ１２２であ
る。
図１と同じ意味をもつ。キャパシタ１１０は、２枚の透
明導電電極１０５と１０６の間に挟んだＬＣ媒体のキャ
パシタンスを表す。キャパシタ１２０は、ＬＣキャパシ
タンス１１１と並列なキャパシタンスをもたらし、ディ
スプレイ中の全ての記憶キャパシタに共通の線１２１上
で終端する、記憶キャパシタンスを表す。記憶キャパシ
タのもう一つの代替設計は、電極１０６とゲート・バス
線１０７の間に配設された記憶キャパシタ１２２であ
る。
【０００４】閥値電圧よりも低い電圧がゲート線１０７
上に印加されるとき、トランジスタ１０９はオフ状態に
あり、したがってデータ・バス線１０８上と電極１０６
上の電位は互いに分離される。閥値電圧よりも高い電圧
がゲート・バス線１０７上に印加されるとき、トランジ
スタ１０９はオン状態（低インピーダンス状態）であ
り、したがってデータ・バス線１０８上の電圧が電極１
０６を充電できるようになる。データ・バス線１０８上
に印加される電圧は変動することができ、したがって電
圧１０６には様々な電圧が印加される。電極１０６にか
かる電圧を変化させて、液晶中を透過する光の量が異な
るように液晶セル１１１を制御すると、グレイ・スケー
ル光の表示が得られる。
上に印加されるとき、トランジスタ１０９はオフ状態に
あり、したがってデータ・バス線１０８上と電極１０６
上の電位は互いに分離される。閥値電圧よりも高い電圧
がゲート・バス線１０７上に印加されるとき、トランジ
スタ１０９はオン状態（低インピーダンス状態）であ
り、したがってデータ・バス線１０８上の電圧が電極１
０６を充電できるようになる。データ・バス線１０８上
に印加される電圧は変動することができ、したがって電
圧１０６には様々な電圧が印加される。電極１０６にか
かる電圧を変化させて、液晶中を透過する光の量が異な
るように液晶セル１１１を制御すると、グレイ・スケー
ル光の表示が得られる。
【０００５】反射型ＡＭＬＣＤは、構造は透過型ＡＭＬ
ＣＤに類似しているが、通常は透明導電性電極１０６の
代わりに反射性金属電極が使用され、これは通常、トラ
ンジスタ１０９を覆うより大きな面積を占める。反射型
ＡＭＬＣＤの場合もバックライト光源１０７は不要であ
り、その代わりに周囲光または他の光源で表示パネルを
上から照明する。
ＣＤに類似しているが、通常は透明導電性電極１０６の
代わりに反射性金属電極が使用され、これは通常、トラ
ンジスタ１０９を覆うより大きな面積を占める。反射型
ＡＭＬＣＤの場合もバックライト光源１０７は不要であ
り、その代わりに周囲光または他の光源で表示パネルを
上から照明する。
【０００６】透過型及び反射型ＡＭＬＣＤの透明電極に
は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジ
ウムスズ（ＩＴＯ）などいくつかの材料が使用される。
ＩＴＯは、可視光中で透明性に優れ、適切な導電性を有
し、工程が安価なので好ましい選択肢である。ＩＴＯ電
極のもう一つの利点は、ＬＣ媒体及びＬＣ位置合せ層に
対して不活性なことである。
は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジ
ウムスズ（ＩＴＯ）などいくつかの材料が使用される。
ＩＴＯは、可視光中で透明性に優れ、適切な導電性を有
し、工程が安価なので好ましい選択肢である。ＩＴＯ電
極のもう一つの利点は、ＬＣ媒体及びＬＣ位置合せ層に
対して不活性なことである。
【０００７】透過型ＡＭＬＣＤでは、両方の電極１０５
と１０６を共にＩＴＯで構成することができる。この状
況では、ＩＴＯ電極はＬＣ媒体の抵抗率を低下させるた
めにＬＣ媒体に余分のイオン化可能不純物を導入しな
い。ＬＣ媒体の抵抗率を特徴付ける１つの方法は、２つ
の電極間でのＬＣ媒体の電荷保持を測定することであ
る。電荷保持を測定するため、記憶キャパシタ１２０
（または記憶キャパシタ１２２あるいはその両者）は、
ＬＣキャパシタンス１１１に比べてそのキャパシタンス
が無視できるように設計する。トランジスタ１０９がオ
ンになり、ＬＣキャパシタンス１１１は６０マイクロ秒
以内に交互に±５Ｖにまで充電される。次いでトランジ
スタ１０９はオフになり、電極１０６の電圧は時間の関
数として測定される。電極１０６の電圧の低下は、主と
してＬＣ媒体１１０中に存在するイオン化可能な不純物
によって引き起こされる。電極１０６における電圧の小
さな低下は、ＩＴＯ電極１０５、１０６がＬＣ媒体１１
０中に入ったイオン化可能な不純物の量に寄与する分が
無視できることを暗示している。
と１０６を共にＩＴＯで構成することができる。この状
況では、ＩＴＯ電極はＬＣ媒体の抵抗率を低下させるた
めにＬＣ媒体に余分のイオン化可能不純物を導入しな
い。ＬＣ媒体の抵抗率を特徴付ける１つの方法は、２つ
の電極間でのＬＣ媒体の電荷保持を測定することであ
る。電荷保持を測定するため、記憶キャパシタ１２０
（または記憶キャパシタ１２２あるいはその両者）は、
ＬＣキャパシタンス１１１に比べてそのキャパシタンス
が無視できるように設計する。トランジスタ１０９がオ
ンになり、ＬＣキャパシタンス１１１は６０マイクロ秒
以内に交互に±５Ｖにまで充電される。次いでトランジ
スタ１０９はオフになり、電極１０６の電圧は時間の関
数として測定される。電極１０６の電圧の低下は、主と
してＬＣ媒体１１０中に存在するイオン化可能な不純物
によって引き起こされる。電極１０６における電圧の小
さな低下は、ＩＴＯ電極１０５、１０６がＬＣ媒体１１
０中に入ったイオン化可能な不純物の量に寄与する分が
無視できることを暗示している。
【０００８】しかし、反射型ＡＭＬＣＤにおいては、透
明導電性電極１０６の代わりに反射性金属電極が使用さ
れる。透明電極１０５は通常ＩＴＯで形成され、反射性
電極１０６は通常アルミニウムまたは銀あるいはそれら
の合金の１つから形成される。このような装置では、反
射性ＬＣセルの電荷保持性能が著しく低下する。この電
圧低下は、ＬＣ媒体１１０内に存在するかなりの量のイ
オン化可能不純物によって生じる。このイオン化可能不
純物の大部分は、隣接するＬＣ媒体を汚染させると思わ
れる反射性電極によるものである。さらに、反射性電極
による汚染の量は表示パネル全体にわたって均一ではな
く、ある場所ではグレイ・スケールを表示し、別の場所
では感知可能なちらつきを表示するとき不正確さを生じ
る恐れがある。
明導電性電極１０６の代わりに反射性金属電極が使用さ
れる。透明電極１０５は通常ＩＴＯで形成され、反射性
電極１０６は通常アルミニウムまたは銀あるいはそれら
の合金の１つから形成される。このような装置では、反
射性ＬＣセルの電荷保持性能が著しく低下する。この電
圧低下は、ＬＣ媒体１１０内に存在するかなりの量のイ
オン化可能不純物によって生じる。このイオン化可能不
純物の大部分は、隣接するＬＣ媒体を汚染させると思わ
れる反射性電極によるものである。さらに、反射性電極
による汚染の量は表示パネル全体にわたって均一ではな
く、ある場所ではグレイ・スケールを表示し、別の場所
では感知可能なちらつきを表示するとき不正確さを生じ
る恐れがある。
【０００９】さらに、反射型ＡＭＬＣＤでは、反射性電
極１０６は透明導電性電極１０５とは異なる金属材料で
できている。各導電材料はそれ自体の仕事関数を有す
る。反射性電極１０６と透明導電性電極１０５の仕事関
数の違いから、パネルのある場所で感知可能なちらつき
が生じる。さらに具体的に、いくつかの普通の導電材料
の仕事関数を表Ｉに示す。表Ｉから、ＩＴＯの仕事関数
は４．７ｅＶであり、Ａｌの仕事関数とは０．２９ｅＶ
以上異なる。反射性電極１０６と透明導電性電極１０５
の仕事関数の違いが、所与の時点でＬＣＤパネル全体を
通して均一に打ち消せないので、パネルのある場所で感
知可能なちらつきが生じる。
極１０６は透明導電性電極１０５とは異なる金属材料で
できている。各導電材料はそれ自体の仕事関数を有す
る。反射性電極１０６と透明導電性電極１０５の仕事関
数の違いから、パネルのある場所で感知可能なちらつき
が生じる。さらに具体的に、いくつかの普通の導電材料
の仕事関数を表Ｉに示す。表Ｉから、ＩＴＯの仕事関数
は４．７ｅＶであり、Ａｌの仕事関数とは０．２９ｅＶ
以上異なる。反射性電極１０６と透明導電性電極１０５
の仕事関数の違いが、所与の時点でＬＣＤパネル全体を
通して均一に打ち消せないので、パネルのある場所で感
知可能なちらつきが生じる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、より高い反
射率と、グレイ・スケール表示の正確さを有し、表示パ
ネル全体にわたって感知可能なちらつきのない、反射型
ＡＭＬＣＤを提供する。
射率と、グレイ・スケール表示の正確さを有し、表示パ
ネル全体にわたって感知可能なちらつきのない、反射型
ＡＭＬＣＤを提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、反射性電極が
酸化シリコンなどの絶縁皮膜で不動態化することのでき
る、ＡＭＬＣＤ用の反射性液晶セルを記述する。さら
に、本発明の液晶セルは、セル中の反射性電極の仕事関
数と実質上等しい仕事関数を有する導電性透明電極を含
むことができる。この反射性電極は、ＩＴＯなどの透明
導電層を含むものでもよく、また整数の被覆対を含むも
のでもよく、この被膜対は屈折率の低い第１の誘電被膜
と屈折率の高い第２の誘電被膜を備える。
酸化シリコンなどの絶縁皮膜で不動態化することのでき
る、ＡＭＬＣＤ用の反射性液晶セルを記述する。さら
に、本発明の液晶セルは、セル中の反射性電極の仕事関
数と実質上等しい仕事関数を有する導電性透明電極を含
むことができる。この反射性電極は、ＩＴＯなどの透明
導電層を含むものでもよく、また整数の被覆対を含むも
のでもよく、この被膜対は屈折率の低い第１の誘電被膜
と屈折率の高い第２の誘電被膜を備える。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に図面、特に図３を参照する
と、本発明が実施できる反射型ＡＭＬＣＤの構造の一例
が示されている。反射型ＡＭＬＣＤのこの特定の構造
は、本発明の実施を制限するものと解釈すべきではない
ことに留意されたい。反射型ＡＭＬＣＤは基板１上でフ
ィールド酸化膜１２によって画定される複数の領域のそ
れぞれ中に形成された電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
を含む。基板１はシリコンなどの半導体材料、ガラス材
料、あるいはポリマー材料でよい。このＦＥＴは下記の
構成を有する。シリコン基板１上にゲート絶縁膜２が形
成される。ゲート絶縁膜２は、厚さ１５０〜５００オン
グストロームのＳｉＯ2層を備えることが好ましい。ゲ
ート絶縁膜２上にゲート電極４が形成される。ゲート電
極は厚さ０．４４ミクロンのポリシリコン層を備えるこ
とが好ましい。シリコン基板１のゲート電極４の両側に
ある領域にドレイン領域６とソース領域８が形成され
る。シリコン基板１のゲート電極４の下側にチャネル領
域１０が形成される。
と、本発明が実施できる反射型ＡＭＬＣＤの構造の一例
が示されている。反射型ＡＭＬＣＤのこの特定の構造
は、本発明の実施を制限するものと解釈すべきではない
ことに留意されたい。反射型ＡＭＬＣＤは基板１上でフ
ィールド酸化膜１２によって画定される複数の領域のそ
れぞれ中に形成された電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）
を含む。基板１はシリコンなどの半導体材料、ガラス材
料、あるいはポリマー材料でよい。このＦＥＴは下記の
構成を有する。シリコン基板１上にゲート絶縁膜２が形
成される。ゲート絶縁膜２は、厚さ１５０〜５００オン
グストロームのＳｉＯ2層を備えることが好ましい。ゲ
ート絶縁膜２上にゲート電極４が形成される。ゲート電
極は厚さ０．４４ミクロンのポリシリコン層を備えるこ
とが好ましい。シリコン基板１のゲート電極４の両側に
ある領域にドレイン領域６とソース領域８が形成され
る。シリコン基板１のゲート電極４の下側にチャネル領
域１０が形成される。
【００１３】得られた構造上に、たとえば酸化シリコン
を含む層間絶縁膜１４が形成され、層間絶縁膜１４上に
記憶キャパシティ線１６が形成される。得られた構造上
に、たとえば酸化シリコンを含む層間絶縁層１８が形成
される。層間絶縁膜１４及び１８中に、ドレイン領域６
とソース領域８を露出させるコンタクト・ホールがエッ
チングされる。層間絶縁膜１８上にデータ線２０とソー
ス線２２が形成され、それぞれ絶縁膜１４及び１８中に
エッチングされたコンタクト・ホールを介してドレイン
領域６及びソース領域８に接続される。データ線２０及
びソース線２２はアルミニウム（Ａｌ）を含むことが好
ましく、厚さ０．７ミクロンである。
を含む層間絶縁膜１４が形成され、層間絶縁膜１４上に
記憶キャパシティ線１６が形成される。得られた構造上
に、たとえば酸化シリコンを含む層間絶縁層１８が形成
される。層間絶縁膜１４及び１８中に、ドレイン領域６
とソース領域８を露出させるコンタクト・ホールがエッ
チングされる。層間絶縁膜１８上にデータ線２０とソー
ス線２２が形成され、それぞれ絶縁膜１４及び１８中に
エッチングされたコンタクト・ホールを介してドレイン
領域６及びソース領域８に接続される。データ線２０及
びソース線２２はアルミニウム（Ａｌ）を含むことが好
ましく、厚さ０．７ミクロンである。
【００１４】得られた構造上に、たとえば酸化シリコン
を含む層間絶縁膜２４が形成される。次いで絶縁膜２４
上に光吸収層２６が形成される。光吸収層２６は次のよ
うな三層構造を含むことが好ましい。すなわち、上層の
窒化チタン（ＴｉＮ）層、中間層のアルミニウム（Ａ
ｌ）層、下層のチタン（Ｔｉ）層である。この例では、
三層構造は厚さ１６０ｎｍとすることが好ましく、下層
のチタン（Ｔｉ）層は厚さ１００オングストローム、中
間のＡｌ層は厚さ１０００オングストローム、上層の窒
化チタン（ＴｉＮ）層は厚さ５００オングストロームで
ある。この構造は、透過率が０％で光がＴＦＴへ透過す
るのを妨げ、反射率が２５％で光を反射させる、３８０
〜７００オングストロームの特性波長を有する光吸収層
を提供する。すなわち、光吸収層２６は、イメージのコ
ントラストを改善し、ＦＥＴ内の漏れ電流を防止する働
きをする。
を含む層間絶縁膜２４が形成される。次いで絶縁膜２４
上に光吸収層２６が形成される。光吸収層２６は次のよ
うな三層構造を含むことが好ましい。すなわち、上層の
窒化チタン（ＴｉＮ）層、中間層のアルミニウム（Ａ
ｌ）層、下層のチタン（Ｔｉ）層である。この例では、
三層構造は厚さ１６０ｎｍとすることが好ましく、下層
のチタン（Ｔｉ）層は厚さ１００オングストローム、中
間のＡｌ層は厚さ１０００オングストローム、上層の窒
化チタン（ＴｉＮ）層は厚さ５００オングストロームで
ある。この構造は、透過率が０％で光がＴＦＴへ透過す
るのを妨げ、反射率が２５％で光を反射させる、３８０
〜７００オングストロームの特性波長を有する光吸収層
を提供する。すなわち、光吸収層２６は、イメージのコ
ントラストを改善し、ＦＥＴ内の漏れ電流を防止する働
きをする。
【００１５】光吸収層２６上に窒化ケイ素被膜２８が形
成される。窒化ケイ素被膜２８は厚さ４００〜５００ｎ
ｍにすることが好ましい。窒化ケイ素被膜２８上に光反
射膜３２が形成される。光反射膜３２はアルミニウムを
含むことが好ましく、厚さ１５０ｎｍである。ソース線
２２と光反射膜３２がたとえばタングステン（Ｗ）スタ
ッド３０を介して互いに接続される。このタングステン
・スタッドは、被膜２４と２８を貫通する穴を形成し、
次いでたとえば化学的気相付着（ＣＶＤ）技法を使って
タングステンを付着させて、穴をタングステンで充填す
ることによって形成することができる。光吸収層２６は
タングステン・スタッド３０の周りで、それに電気的に
接続されないように開口している。
成される。窒化ケイ素被膜２８は厚さ４００〜５００ｎ
ｍにすることが好ましい。窒化ケイ素被膜２８上に光反
射膜３２が形成される。光反射膜３２はアルミニウムを
含むことが好ましく、厚さ１５０ｎｍである。ソース線
２２と光反射膜３２がたとえばタングステン（Ｗ）スタ
ッド３０を介して互いに接続される。このタングステン
・スタッドは、被膜２４と２８を貫通する穴を形成し、
次いでたとえば化学的気相付着（ＣＶＤ）技法を使って
タングステンを付着させて、穴をタングステンで充填す
ることによって形成することができる。光吸収層２６は
タングステン・スタッド３０の周りで、それに電気的に
接続されないように開口している。
【００１６】複数のＦＥＴのそれぞれごとに光反射膜３
２が形成される。光反射膜３２は柱状のスペーサ３４に
よりたとえば０．５〜１．７ミクロンの指定間隔で隔離
されている。スペーサ間の区域がサブピクセルを構成す
る。スペーサ３４はＳｉＯ2から構成することが好まし
い。スペーサの高さは１〜５ミクロンの範囲が好まし
く、所望のセル・ギャップを決定する。スペーサ３４
は、光反射膜３２の間に膜３２上に乗らないように位置
し、その幅は光反射膜３２間の間隔にほぼ等しい。これ
は柱状スペーサ３４のためにサブピクセルの開口数が減
少するのを防止する。所定のセル・ギャップを保持する
ために複数個のスペーサ３４を指定の間隔で設けること
が好ましい。
２が形成される。光反射膜３２は柱状のスペーサ３４に
よりたとえば０．５〜１．７ミクロンの指定間隔で隔離
されている。スペーサ間の区域がサブピクセルを構成す
る。スペーサ３４はＳｉＯ2から構成することが好まし
い。スペーサの高さは１〜５ミクロンの範囲が好まし
く、所望のセル・ギャップを決定する。スペーサ３４
は、光反射膜３２の間に膜３２上に乗らないように位置
し、その幅は光反射膜３２間の間隔にほぼ等しい。これ
は柱状スペーサ３４のためにサブピクセルの開口数が減
少するのを防止する。所定のセル・ギャップを保持する
ために複数個のスペーサ３４を指定の間隔で設けること
が好ましい。
【００１７】ガラス保護基板４０上に透明電極３８が形
成される。透明電極３８は酸化インジウムチタン（ＩＴ
Ｏ）を含むことが好ましい。透明電極層３８は柱状スペ
ーサ３４に接続される。光反射膜３２と反対側の電極３
８の間にボイド３６が形成される。ボイド３６は液晶材
料で充填され封止される。液晶分子は配向膜（図示せ
ず）で配向させることが好ましい。
成される。透明電極３８は酸化インジウムチタン（ＩＴ
Ｏ）を含むことが好ましい。透明電極層３８は柱状スペ
ーサ３４に接続される。光反射膜３２と反対側の電極３
８の間にボイド３６が形成される。ボイド３６は液晶材
料で充填され封止される。液晶分子は配向膜（図示せ
ず）で配向させることが好ましい。
【００１８】図４は、反射型ＡＭＬＣＤの画素マトリッ
クスの絵画図である。図に示すように、柱状スペーサ３
４が光反射膜３２の間の領域に指定の間隔で形成され
る。この例では、サブピクセルを形成する光反射膜３２
は正方形で、四辺が７ミクロンである。このサブピクセ
ルは図のような行と列のマトリックスとして配列するこ
とが好ましい。たとえばサブピクセルを１，２８０行、
１，６００列のマトリックスに配列することができる。
クスの絵画図である。図に示すように、柱状スペーサ３
４が光反射膜３２の間の領域に指定の間隔で形成され
る。この例では、サブピクセルを形成する光反射膜３２
は正方形で、四辺が７ミクロンである。このサブピクセ
ルは図のような行と列のマトリックスとして配列するこ
とが好ましい。たとえばサブピクセルを１，２８０行、
１，６００列のマトリックスに配列することができる。
【００１９】反射型ＡＭＬＣＤの光反射膜３２は、ガラ
ス保護基板４０から入った光を反射し、また液晶層３６
に電圧を印加するための表示電極としても機能する。Ｆ
ＥＴは、ゲート４がオンになったとき、データ線２０に
供給された信号電圧を光反射膜３２の表示電極に印加す
るためのスイッチング素子として機能する。サブピクセ
ルから放出される光の量は、セルの透過率を変えること
によって制御される。より具体的には、セルの透過率に
よって、ガラス保護基板４０から入り、液晶セル中を透
過して光反射膜３２で反射され、戻って液晶セル中を透
過し、ガラス保護基板４０から出口に行く光の量が制御
される。液晶材料の透過率は、１）ＦＥＴがオンになっ
たとき光反射膜３２の表示電極に供給される電圧を変化
させることによって、液晶分子（図示せず）の方向を変
化させ、２）反対側の電極３８に供給される電圧を変化
させることによって制御される。
ス保護基板４０から入った光を反射し、また液晶層３６
に電圧を印加するための表示電極としても機能する。Ｆ
ＥＴは、ゲート４がオンになったとき、データ線２０に
供給された信号電圧を光反射膜３２の表示電極に印加す
るためのスイッチング素子として機能する。サブピクセ
ルから放出される光の量は、セルの透過率を変えること
によって制御される。より具体的には、セルの透過率に
よって、ガラス保護基板４０から入り、液晶セル中を透
過して光反射膜３２で反射され、戻って液晶セル中を透
過し、ガラス保護基板４０から出口に行く光の量が制御
される。液晶材料の透過率は、１）ＦＥＴがオンになっ
たとき光反射膜３２の表示電極に供給される電圧を変化
させることによって、液晶分子（図示せず）の方向を変
化させ、２）反対側の電極３８に供給される電圧を変化
させることによって制御される。
【００２０】本発明は、反射型液晶セルの電荷保持を改
善する。
善する。
【００２１】本発明の第１の実施形態によれば、反射性
金属層３２上に不動態層５０が形成され、図５に示すよ
うに反射性金属層３２とＬＣ媒体３６の間に配設され
る。不動態層５０は酸化シリコンとすることが好まし
い。反射性金属層３２は、アルミニウム（もしくはアル
ミニウム合金）または銀（もしくは銀合金）を含むこと
が好ましい。反射性金属層３２がアルミニウムを含む場
合は、不動態層５０を付着する間、アルミニウム反射層
３２でのヒルロックの形成を軽減させるために温度を約
３００℃以下にすべきである。酸化シリコン不動態層５
０は、プラズマ強化化学的気相付着法、常圧化学的気相
付着法、低圧化学的気相付着法、及びスパッタ法を用い
て付着させることができる。酸化シリコン不動態層５０
はまた、オルトケイ酸エチルなどの化学薬品を含む溶液
に基板を浸漬して調製することもできる。次いで基板を
溶液から引き上げ、約３００℃より低い高温で焼成して
酸化シリコン不動態層５０を形成する。さらに、酸化シ
リコン不動態層５０の厚さは、２０〜３２０ｎｍの間と
することが好ましい。厚さを７９ｎｍまたは２６７ｎｍ
にすると、入射光に１８０゜の位相シフトを生じ、反射
性金属層３２からの反射によって生じる位相変化が打ち
消されるので、最大のセル反射率が達成される。
金属層３２上に不動態層５０が形成され、図５に示すよ
うに反射性金属層３２とＬＣ媒体３６の間に配設され
る。不動態層５０は酸化シリコンとすることが好まし
い。反射性金属層３２は、アルミニウム（もしくはアル
ミニウム合金）または銀（もしくは銀合金）を含むこと
が好ましい。反射性金属層３２がアルミニウムを含む場
合は、不動態層５０を付着する間、アルミニウム反射層
３２でのヒルロックの形成を軽減させるために温度を約
３００℃以下にすべきである。酸化シリコン不動態層５
０は、プラズマ強化化学的気相付着法、常圧化学的気相
付着法、低圧化学的気相付着法、及びスパッタ法を用い
て付着させることができる。酸化シリコン不動態層５０
はまた、オルトケイ酸エチルなどの化学薬品を含む溶液
に基板を浸漬して調製することもできる。次いで基板を
溶液から引き上げ、約３００℃より低い高温で焼成して
酸化シリコン不動態層５０を形成する。さらに、酸化シ
リコン不動態層５０の厚さは、２０〜３２０ｎｍの間と
することが好ましい。厚さを７９ｎｍまたは２６７ｎｍ
にすると、入射光に１８０゜の位相シフトを生じ、反射
性金属層３２からの反射によって生じる位相変化が打ち
消されるので、最大のセル反射率が達成される。
【００２２】本発明の第２の実施形態によれば、反射性
金属層３２及び反対側の電極３８の材料は、反射性金属
層３２と反射側の電極３８の仕事関数が大体等しくなる
ように選択する。反射型ＡＭＬＣＤでは、反射性金属層
３２の材料は、その反射率ができるだけ高くなるように
選択すべきである。その上、反対側の電極３８には透明
導電材料を選ばなければならない。アルミニウム及び銀
ならびにその合金が反射率が高く、したがって反射性金
属層３２に使用することができ、反対側の電極３８には
ＩＴＯを使用することが好ましい。表Ｉに示すように、
銀の仕事関数は範囲が広く（４．３６〜４．７４ｅ
Ｖ）、ＩＴＯの仕事関数（４．７ｅＶ）と一致する。し
かし、銀は比較的不安定で処理が難しい。したがって、
反射性金属層３２としてアルミニウムを使用することが
好ましい。この場合、アルミニウムの仕事関数は、ＩＴ
Ｏの仕事関数（４．７ｅＶ）より低い範囲（４．０６〜
４．４１ｅＶ）にある。本発明の第１の実施形態におい
て先に述べたように、アルミニウム反射層３２とＬＣ媒
体３６の間に不動態層５０を形成することができる。し
かし、この状況では、アルミニウム反射層３２とＩＴＯ
電極３８の間で仕事関数に差がある。このようなアルミ
ニウム反射層３２と電極３８の仕事関数の差はちらつき
を生じる可能性がある。
金属層３２及び反対側の電極３８の材料は、反射性金属
層３２と反射側の電極３８の仕事関数が大体等しくなる
ように選択する。反射型ＡＭＬＣＤでは、反射性金属層
３２の材料は、その反射率ができるだけ高くなるように
選択すべきである。その上、反対側の電極３８には透明
導電材料を選ばなければならない。アルミニウム及び銀
ならびにその合金が反射率が高く、したがって反射性金
属層３２に使用することができ、反対側の電極３８には
ＩＴＯを使用することが好ましい。表Ｉに示すように、
銀の仕事関数は範囲が広く（４．３６〜４．７４ｅ
Ｖ）、ＩＴＯの仕事関数（４．７ｅＶ）と一致する。し
かし、銀は比較的不安定で処理が難しい。したがって、
反射性金属層３２としてアルミニウムを使用することが
好ましい。この場合、アルミニウムの仕事関数は、ＩＴ
Ｏの仕事関数（４．７ｅＶ）より低い範囲（４．０６〜
４．４１ｅＶ）にある。本発明の第１の実施形態におい
て先に述べたように、アルミニウム反射層３２とＬＣ媒
体３６の間に不動態層５０を形成することができる。し
かし、この状況では、アルミニウム反射層３２とＩＴＯ
電極３８の間で仕事関数に差がある。このようなアルミ
ニウム反射層３２と電極３８の仕事関数の差はちらつき
を生じる可能性がある。
【００２３】アルミニウム反射層３２と電極３８の仕事
関数を大体等しくし、それによってちらつきを避けるた
めに、１層または複数層の透明導電材料の層と、できれ
ば誘電材料の層をアルミニウム反射層３２と反対側の電
極３８の間に配設することができる。
関数を大体等しくし、それによってちらつきを避けるた
めに、１層または複数層の透明導電材料の層と、できれ
ば誘電材料の層をアルミニウム反射層３２と反対側の電
極３８の間に配設することができる。
【００２４】たとえば、図６に示すように、アルミニウ
ム反射層３２上にＩＴＯ層５２を形成し、アルミニウム
反射層３２とＬＣ媒体３６の間に配設することができ
る。この場合、ＩＴＯ層５２の厚さは大体所与の入射光
の半波長板になるように選ぶことが好ましい。たとえ
ば、入射光の波長が５５０ｎｍの場合、ＩＴＯ層５２は
１４０ｎｍとなるように選ぶことが好ましい。半波長板
のより詳しい議論は、American Institute of physics
Handbook、第３版（１９７２年）、MacGraw-Hill Compa
ny、pp.6-118〜6-128に記載されている。その全体を参
照により本明細書に合体する。
ム反射層３２上にＩＴＯ層５２を形成し、アルミニウム
反射層３２とＬＣ媒体３６の間に配設することができ
る。この場合、ＩＴＯ層５２の厚さは大体所与の入射光
の半波長板になるように選ぶことが好ましい。たとえ
ば、入射光の波長が５５０ｎｍの場合、ＩＴＯ層５２は
１４０ｎｍとなるように選ぶことが好ましい。半波長板
のより詳しい議論は、American Institute of physics
Handbook、第３版（１９７２年）、MacGraw-Hill Compa
ny、pp.6-118〜6-128に記載されている。その全体を参
照により本明細書に合体する。
【００２５】別の例では、１層または複数層の誘電材料
層及び透明導電層が反射性金属層３２上に形成され、反
射性金属層３２とＬＣ媒体３６の間に配設される。図７
に示すように、単一の誘電材料層５４と透明導電層５６
が反射性金属層３２上に形成され、反射性金属層３２と
ＬＣ媒体３６の間に配設される。層５４は酸化シリコン
被膜とすることが好ましく、透明導電層５６はＩＴＯを
含むことが好ましい。透明導電層５６はバイア・ホール
５８を介して反射性金属層３２に電気的に接続すること
が好ましい。バイア・ホール５８の幅は透明導電層５６
の厚さと大体同じであることが好ましい。セルに衝突す
る入射光の波長が与えられている場合、より高い反射率
が得られるように層５４及び５６の厚さを最適化するこ
とができる。たとえば、二酸化シリコン層５４及びＩＴ
Ｏ層５６を、それぞれ厚さ７９ｎｍ及び７２ｎｍに形成
することができる。別法ではＩＴＯ層５６の代わりに、
ＳｉＮやＴｉＯ2など屈折率の高い非導電性絶縁透明膜
を使用することもできる。この場合、バイア・ホール５
８は省略できる。
層及び透明導電層が反射性金属層３２上に形成され、反
射性金属層３２とＬＣ媒体３６の間に配設される。図７
に示すように、単一の誘電材料層５４と透明導電層５６
が反射性金属層３２上に形成され、反射性金属層３２と
ＬＣ媒体３６の間に配設される。層５４は酸化シリコン
被膜とすることが好ましく、透明導電層５６はＩＴＯを
含むことが好ましい。透明導電層５６はバイア・ホール
５８を介して反射性金属層３２に電気的に接続すること
が好ましい。バイア・ホール５８の幅は透明導電層５６
の厚さと大体同じであることが好ましい。セルに衝突す
る入射光の波長が与えられている場合、より高い反射率
が得られるように層５４及び５６の厚さを最適化するこ
とができる。たとえば、二酸化シリコン層５４及びＩＴ
Ｏ層５６を、それぞれ厚さ７９ｎｍ及び７２ｎｍに形成
することができる。別法ではＩＴＯ層５６の代わりに、
ＳｉＮやＴｉＯ2など屈折率の高い非導電性絶縁透明膜
を使用することもできる。この場合、バイア・ホール５
８は省略できる。
【００２６】図８に示すように、２層以上の誘電材料層
（２つを６０1、６０2として示す）及び透明導電層６２
が反射性金属層３２上に形成され、反射性金属層３２と
ＬＣ媒体３６の間に配設される。反射性金属層３２に隣
接して配設された第１の誘電層６０1は屈折率が低く、
第２の誘電層６０2は屈折率が高い。第１の誘電膜の対
６０1、６０2の上面に、交互に低い屈折率と高い屈折率
をもつ誘電層の対を追加して形成することもできる。こ
の誘電膜対の数は、任意に選んだ整数とすることができ
る。高い反射率を得るため、各誘電膜の厚さは、所与の
入射光の四分の一波長板と大体等価になるように選ぶ。
四分の一波長板のより詳しい議論は、American Institu
te of physics Handbook、第３版（１９７２年）、MacG
raw-Hill Company、pp.6-118〜6-128に記載している。
その全体を参照により本明細書に合体する。層６０1、
６０2、．．．の誘電材料は、二酸化シリコン被膜を含
むことが好ましく、透明導電層６２はＩＴＯを含むこと
が好ましい。透明導電層６２はバイア・ホール６４を介
し誘電層のスタック６０1、６０2を経由して反射性金属
層３２に電気的に接続することが好ましい。別法では、
ＩＴＯ層６２の代わりに、ＳｉＮやＴｉＯ2など屈折率
の高い非導電性絶縁透明膜を使用することもできる。こ
の場合、バイア・ホール６４は省略できる。
（２つを６０1、６０2として示す）及び透明導電層６２
が反射性金属層３２上に形成され、反射性金属層３２と
ＬＣ媒体３６の間に配設される。反射性金属層３２に隣
接して配設された第１の誘電層６０1は屈折率が低く、
第２の誘電層６０2は屈折率が高い。第１の誘電膜の対
６０1、６０2の上面に、交互に低い屈折率と高い屈折率
をもつ誘電層の対を追加して形成することもできる。こ
の誘電膜対の数は、任意に選んだ整数とすることができ
る。高い反射率を得るため、各誘電膜の厚さは、所与の
入射光の四分の一波長板と大体等価になるように選ぶ。
四分の一波長板のより詳しい議論は、American Institu
te of physics Handbook、第３版（１９７２年）、MacG
raw-Hill Company、pp.6-118〜6-128に記載している。
その全体を参照により本明細書に合体する。層６０1、
６０2、．．．の誘電材料は、二酸化シリコン被膜を含
むことが好ましく、透明導電層６２はＩＴＯを含むこと
が好ましい。透明導電層６２はバイア・ホール６４を介
し誘電層のスタック６０1、６０2を経由して反射性金属
層３２に電気的に接続することが好ましい。別法では、
ＩＴＯ層６２の代わりに、ＳｉＮやＴｉＯ2など屈折率
の高い非導電性絶縁透明膜を使用することもできる。こ
の場合、バイア・ホール６４は省略できる。
【００２７】本発明の反射型液晶ＡＭＬＣＤは空間光変
調器の一部として使用することができる。空間光変調器
の一例を図９に示す。光は光源８２から発して直線偏光
された後、偏光ビーム・スプリッタ８４で反射され、色
分離プリズム８６に入ってそこで三原色すなわち赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に分離され、次いでそれぞ
れが液晶セル８８、９０、９２に入る。本発明の反射型
液晶光セルは光セル８８、９０、９２に使用される。光
の輝度は各反射型液晶光バルブによって各サブピクセル
に応じて変調され、次いで反射されて再度光分離プリズ
ム８６に入る。この段階で、出て来た光の偏光は元の偏
光に対して直角であり、再度偏光ビーム・スプリッタ８
４を通過し、投射レンズ９４に入る。したがって、反射
型液晶光セルから出力されるイメージは拡大されてスク
リーン９６上に投影される。
調器の一部として使用することができる。空間光変調器
の一例を図９に示す。光は光源８２から発して直線偏光
された後、偏光ビーム・スプリッタ８４で反射され、色
分離プリズム８６に入ってそこで三原色すなわち赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に分離され、次いでそれぞ
れが液晶セル８８、９０、９２に入る。本発明の反射型
液晶光セルは光セル８８、９０、９２に使用される。光
の輝度は各反射型液晶光バルブによって各サブピクセル
に応じて変調され、次いで反射されて再度光分離プリズ
ム８６に入る。この段階で、出て来た光の偏光は元の偏
光に対して直角であり、再度偏光ビーム・スプリッタ８
４を通過し、投射レンズ９４に入る。したがって、反射
型液晶光セルから出力されるイメージは拡大されてスク
リーン９６上に投影される。
【００２８】本発明のその他の実施形態は、明細書の考
慮及び本明細書に開示した発明の実施から当業者には明
らかになろう。明細書及び例は単なる例と見なすべきも
のであり、本発明の真の範囲は特許請求の範囲によって
指示される。
慮及び本明細書に開示した発明の実施から当業者には明
らかになろう。明細書及び例は単なる例と見なすべきも
のであり、本発明の真の範囲は特許請求の範囲によって
指示される。
【００２９】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００３０】（１）透明電極層と、反射性電極層と、前
記透明電極層と前記反射性電極層の間に配設された液晶
材料と、前記反射性電極層上に配設され、前記液晶材料
と前記反射性電極層の間に配設された少なくとも１層の
不動態層とを備える、液晶表示装置用の液晶セル。 （２）前記不動態層が酸化ケイ素を含むことを特徴とす
る、上記（１）に記載の液晶セル。 （３）前記不動態層の厚さが２０〜３２０ｎｍであるこ
とを特徴とする、上記（２）に記載の液晶セル。 （４）前記反射性電極層がアルミニウムと銀のどちらか
一方を含むことを特徴とする、上記（１）に記載の液晶
セル。 （５）前記液晶セルが空間光変調装置内で使用されるこ
とを特徴とする、上記（１）に記載の液晶セル。 （６）透明電極層と、反射性電極層と、前記透明電極層
と前記反射性電極層の間に配設された液晶材料とを備
え、前記透明電極及び前記反射性電極の仕事関数が大体
等しいことを特徴とする、液晶表示装置用の液晶セル。 （７）前記反射性電極が透明導電層と反射性金属層を備
えることを特徴とする、上記（６）に記載の液晶セル。 （８）前記反射性金属層がアルミニウムを含むことを特
徴とする、上記（６）に記載の液晶セル。 （９）前記透明導電層がＩＴＯを含むことを特徴とす
る、上記（８）に記載の液晶セル。 （１０）前記透明導電層の厚さが、所定の入射光に対す
るほぼ半波長板であることを特徴とする、上記（７）に
記載の液晶セル。 （１１）前記反射性電極が、透明導電層と反射性金属層
の間に配設された少なくとも１層の誘電材料を含むこと
を特徴とする、上記（６）に記載の液晶セル。 （１２）前記透明導電層がＩＴＯを含むことを特徴とす
る、上記（１１）に記載の液晶セル。 （１３）前記誘電材料が二酸化ケイ素を含むことを特徴
とする、上記（１１）に記載の液晶セル。 （１４）前記少なくとも１層の誘電材料と前記透明導電
電極の厚さが、反射率が高くなるように最適化されてい
ることを特徴とする、上記（１１）に記載の液晶セル。 （１５）前記反射性電極が少なくとも１対の誘電材料の
層を含むことを特徴とする、上記（１１）に記載の液晶
セル。 （１６）前記少なくとも１対の誘電材料の層のうちの第
１の層の屈折率が、前記少なくとも１対の誘電材料の層
のうちの第２の層に比べて低いことを特徴とする、上記
（１５）に記載の液晶セル。 （１７）前記透明導電層がＩＴＯを含み、前記誘電材料
が二酸化シリコンを含むことを特徴とする、上記（１
６）に記載の液晶セル。 （１８）前記液晶セルが空間光変調装置内で使用される
ことを特徴とする、上記（６）に記載の液晶セル。
記透明電極層と前記反射性電極層の間に配設された液晶
材料と、前記反射性電極層上に配設され、前記液晶材料
と前記反射性電極層の間に配設された少なくとも１層の
不動態層とを備える、液晶表示装置用の液晶セル。 （２）前記不動態層が酸化ケイ素を含むことを特徴とす
る、上記（１）に記載の液晶セル。 （３）前記不動態層の厚さが２０〜３２０ｎｍであるこ
とを特徴とする、上記（２）に記載の液晶セル。 （４）前記反射性電極層がアルミニウムと銀のどちらか
一方を含むことを特徴とする、上記（１）に記載の液晶
セル。 （５）前記液晶セルが空間光変調装置内で使用されるこ
とを特徴とする、上記（１）に記載の液晶セル。 （６）透明電極層と、反射性電極層と、前記透明電極層
と前記反射性電極層の間に配設された液晶材料とを備
え、前記透明電極及び前記反射性電極の仕事関数が大体
等しいことを特徴とする、液晶表示装置用の液晶セル。 （７）前記反射性電極が透明導電層と反射性金属層を備
えることを特徴とする、上記（６）に記載の液晶セル。 （８）前記反射性金属層がアルミニウムを含むことを特
徴とする、上記（６）に記載の液晶セル。 （９）前記透明導電層がＩＴＯを含むことを特徴とす
る、上記（８）に記載の液晶セル。 （１０）前記透明導電層の厚さが、所定の入射光に対す
るほぼ半波長板であることを特徴とする、上記（７）に
記載の液晶セル。 （１１）前記反射性電極が、透明導電層と反射性金属層
の間に配設された少なくとも１層の誘電材料を含むこと
を特徴とする、上記（６）に記載の液晶セル。 （１２）前記透明導電層がＩＴＯを含むことを特徴とす
る、上記（１１）に記載の液晶セル。 （１３）前記誘電材料が二酸化ケイ素を含むことを特徴
とする、上記（１１）に記載の液晶セル。 （１４）前記少なくとも１層の誘電材料と前記透明導電
電極の厚さが、反射率が高くなるように最適化されてい
ることを特徴とする、上記（１１）に記載の液晶セル。 （１５）前記反射性電極が少なくとも１対の誘電材料の
層を含むことを特徴とする、上記（１１）に記載の液晶
セル。 （１６）前記少なくとも１対の誘電材料の層のうちの第
１の層の屈折率が、前記少なくとも１対の誘電材料の層
のうちの第２の層に比べて低いことを特徴とする、上記
（１５）に記載の液晶セル。 （１７）前記透明導電層がＩＴＯを含み、前記誘電材料
が二酸化シリコンを含むことを特徴とする、上記（１
６）に記載の液晶セル。 （１８）前記液晶セルが空間光変調装置内で使用される
ことを特徴とする、上記（６）に記載の液晶セル。
【図１】透過型ＡＭＬＣＤの絵画図である。
【図２】ＡＭＬＣＤの画素の概略図である。
【図３】反射型ＡＭＬＣＤのサブピクセルの横断面図で
ある。
ある。
【図４】反射型ＡＭＬＣＤの画素マトリックスの絵画図
である。
である。
【図５】反射性金属層とそれに隣接する諸層を示す、本
発明による反射型ＡＭＬＣＤの横断面図である。
発明による反射型ＡＭＬＣＤの横断面図である。
【図６】反射性金属層とそれに隣接する諸層を示す、本
発明による反射型ＡＭＬＣＤの横断面図である。
発明による反射型ＡＭＬＣＤの横断面図である。
【図７】反射性金属層とそれに隣接する諸層を示す、本
発明による反射型ＡＭＬＣＤの横断面図である。
発明による反射型ＡＭＬＣＤの横断面図である。
【図８】反射性金属層とそれに隣接する諸層を示す、本
発明による反射型ＡＭＬＣＤの横断面図である。
発明による反射型ＡＭＬＣＤの横断面図である。
【図９】本発明の反射型ＡＭＬＣＤを利用した空間光変
調器の絵画図である。
調器の絵画図である。
１ シリコン基板 ２ ゲート絶縁膜 ４ ゲート電極 ６ ドレイン領域 ８ ソース領域 １０ チャネル領域 １２ フィールド酸化膜 １４ 層間絶縁層 １６ 記憶キャパシティ線 １８ 層間絶縁層 ２０ データ線 ２２ ソース線 ２４ 層間絶縁膜 ２６ 光吸収層 ２８ 窒化ケイ素被膜 ３０ タングステン・スタッド ３２ 光反射膜 ３６ ボイド、ＬＣ媒体 ３８ 透明電極 ４０ ガラス保護基板 ５０ 不動態層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ケイ＝シュン・ヤン アメリカ合衆国10536 ニューヨーク州カ トナ コブリング・ロック・ドライブ 12
Claims (18)
- 【請求項１】透明電極層と、 反射性電極層と、 前記透明電極層と前記反射性電極層の間に配設された液
晶材料と、 前記反射性電極層上に配設され、前記液晶材料と前記反
射性電極層の間に配設された少なくとも１層の不動態層
とを備える、液晶表示装置用の液晶セル。 - 【請求項２】前記不動態層が酸化ケイ素を含むことを特
徴とする、請求項１に記載の液晶セル。 - 【請求項３】前記不動態層の厚さが２０〜３２０ｎｍで
あることを特徴とする、請求項２に記載の液晶セル。 - 【請求項４】前記反射性電極層がアルミニウムと銀のど
ちらか一方を含むことを特徴とする、請求項１に記載の
液晶セル。 - 【請求項５】前記液晶セルが空間光変調装置内で使用さ
れることを特徴とする、請求項１に記載の液晶セル。 - 【請求項６】透明電極層と、 反射性電極層と、 前記透明電極層と前記反射性電極層の間に配設された液
晶材料とを備え、 前記透明電極及び前記反射性電極の仕事関数が大体等し
いことを特徴とする、液晶表示装置用の液晶セル。 - 【請求項７】前記反射性電極が透明導電層と反射性金属
層を備えることを特徴とする、請求項６に記載の液晶セ
ル。 - 【請求項８】前記反射性金属層がアルミニウムを含むこ
とを特徴とする、請求項６に記載の液晶セル。 - 【請求項９】前記透明導電層がＩＴＯを含むことを特徴
とする、請求項８に記載の液晶セル。 - 【請求項１０】前記透明導電層の厚さが、所定の入射光
に対するほぼ半波長板であることを特徴とする、請求項
７に記載の液晶セル。 - 【請求項１１】前記反射性電極が、透明導電層と反射性
金属層の間に配設された少なくとも１層の誘電材料を含
むことを特徴とする、請求項６に記載の液晶セル。 - 【請求項１２】前記透明導電層がＩＴＯを含むことを特
徴とする、請求項１１に記載の液晶セル。 - 【請求項１３】前記誘電材料が二酸化ケイ素を含むこと
を特徴とする、請求項１１に記載の液晶セル。 - 【請求項１４】前記少なくとも１層の誘電材料と前記透
明導電電極の厚さが、反射率が高くなるように最適化さ
れていることを特徴とする、請求項１１に記載の液晶セ
ル。 - 【請求項１５】前記反射性電極が少なくとも１対の誘電
材料の層を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の
液晶セル。 - 【請求項１６】前記少なくとも１対の誘電材料の層のう
ちの第１の層の屈折率が、前記少なくとも１対の誘電材
料の層のうちの第２の層に比べて低いことを特徴とす
る、請求項１５に記載の液晶セル。 - 【請求項１７】前記透明導電層がＩＴＯを含み、前記誘
電材料が二酸化シリコンを含むことを特徴とする、請求
項１６に記載の液晶セル。 - 【請求項１８】前記液晶セルが空間光変調装置内で使用
されることを特徴とする、請求項６に記載の液晶セル。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004191958A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 導電素子の形成方法および液晶表示装置の反射電極部形成方法 |
| JP2005181981A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US7142770B2 (en) | 2001-09-20 | 2006-11-28 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and production method therefor |
| CN100371795C (zh) * | 2004-02-19 | 2008-02-27 | 夏普株式会社 | 导电元件基板、液晶显示装置及其制造方法、电子信息设备 |
| JP2008530623A (ja) * | 2005-02-21 | 2008-08-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | フリッカーを低減したｌｃｄ及びその製造方法 |
| US7501162B2 (en) | 2005-07-05 | 2009-03-10 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and liquid crystal display |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6124912A (en) * | 1997-06-09 | 2000-09-26 | National Semiconductor Corporation | Reflectance enhancing thin film stack in which pairs of dielectric layers are on a reflector and liquid crystal is on the dielectric layers |
| US6051446A (en) * | 1998-04-09 | 2000-04-18 | National Semiconductor Corporation | Thin liquid crystal transducer pixel cell having self-aligned support pillars |
| US6452652B1 (en) | 1998-06-12 | 2002-09-17 | National Semiconductor Corporation | Light absorbing thin film stack in a light valve structure |
| US6693698B2 (en) | 1998-07-22 | 2004-02-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device |
| US6236440B1 (en) * | 1998-07-22 | 2001-05-22 | U.S. Philips Corporation | Display device in which one of the two electrodes of a pixel is coated with a dipole material to equalize the electrode work functions |
| US6300241B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-10-09 | National Semiconductor Corporation | Silicon interconnect passivation and metallization process optimized to maximize reflectance |
| US6107114A (en) * | 1998-11-19 | 2000-08-22 | National Semiconductor Corporation | Process flow optimized to protect reflectance of silicon light valve |
| US6008876A (en) * | 1998-12-03 | 1999-12-28 | National Semiconductor Corporation | Polished self-aligned pixel for a liquid crystal silicon light valve |
| US5982472A (en) * | 1998-12-14 | 1999-11-09 | National Semiconductor Corporation | Self-aligned pixel with support pillars for a liquid crystal light valve |
| US6208392B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-03-27 | Intel Corporation | Metallic standoff for an electro-optical device formed from a fourth or higher metal interconnection layer |
| US6303273B1 (en) | 1999-03-04 | 2001-10-16 | National Semiconductor Corporation | Single metal pixel array for light valve utilizing lateral sublithographic spacer isolation |
| US6392734B1 (en) | 1999-03-04 | 2002-05-21 | National Semiconductor Corporation | Double metal pixel array for silicon LC light valve featuring shielded inter-pixel isolation regions |
| US6392733B1 (en) | 1999-03-04 | 2002-05-21 | National Semiconductor Corporation | Single metal pixel array for silicon LC light valve featuring shielded inter-pixel isolation regions |
| US6306561B1 (en) | 1999-03-04 | 2001-10-23 | National Semiconductor Corporation | Double metal pixel array for light valve utilizing lateral sublithographic spacer isolation |
| US6815239B1 (en) * | 1999-03-05 | 2004-11-09 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Photolithographic methods for making liquid-crystal-on-silicon displays with alignment posts and optical interference layers |
| US6356327B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-03-12 | National Semiconductor Corporation | Pixel array for silicon LC light valve featuring reflective metal surface underlying inter-pixel regions |
| US6233033B1 (en) | 1999-03-29 | 2001-05-15 | National Semiconductor Corp. | Pixel array for LC silicon light valve featuring pixels with overlapping edges |
| US6215534B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-04-10 | Intel Corporation | Aligning electro-optic material having standoffs formed from a fourth or higher metal interconnection layer |
| US6995821B1 (en) * | 1999-04-23 | 2006-02-07 | International Business Machines Corporation | Methods of reducing unbalanced DC voltage between two electrodes of reflective liquid crystal display by thin film passivation |
| US6437839B1 (en) | 1999-04-23 | 2002-08-20 | National Semiconductor Company | Liquid crystal on silicon (LCOS) display pixel with multiple storage capacitors |
| US6577362B1 (en) | 1999-05-24 | 2003-06-10 | National Semiconductor Corporation | Pixel cell for silicon LC light valve having enhanced storage capacitance |
| JP3798186B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2006-07-19 | 富士通株式会社 | 液晶表示基板及びその製造方法、並びに液晶表示装置 |
| US6373543B1 (en) | 1999-07-16 | 2002-04-16 | National Semiconductor Corporation | Process for forming silicon LC pixel cell having planar alignment layers of uniform thickness |
| US6849869B1 (en) * | 1999-07-19 | 2005-02-01 | Dupont Displays, Inc. | Long lifetime polymer light-emitting devices with improved luminous efficiency and improved radiance |
| US6313901B1 (en) | 1999-09-01 | 2001-11-06 | National Semiconductor Corporation | Liquid crystal display fabrication process using a final rapid thermal anneal |
| JP3437944B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2003-08-18 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 液晶ライトバルブおよび投射型液晶表示装置 |
| KR100656696B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2006-12-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정 표시장치 |
| US6922224B1 (en) * | 2000-03-23 | 2005-07-26 | National Semiconductor Corporation | Silicon-backed microdisplay with a glass-side passivation layer |
| US20020149720A1 (en) * | 2001-04-17 | 2002-10-17 | Janssen Peter J. | Liquid crystal display device having spacers with reduced visible artifacts |
| US6888583B2 (en) * | 2001-05-21 | 2005-05-03 | Brillian Corporation | Method and apparatus for adjusted DC offset potential in a liquid crystal display (LCD) device |
| US20020186189A1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-12-12 | Ilcisin Kevin J. | Method and apparatus for predicting DC offset potential in a liquid crystal display (LCD) device |
| JP4111785B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2008-07-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6642987B2 (en) | 2001-09-19 | 2003-11-04 | Intel Corporation | Built-in spacers for liquid crystal on silicon (LCOS) devices |
| WO2003041897A2 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Colloidal solution comprising silver metal particles and a sila ne derivative |
| US6710758B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-03-23 | Corning Incorporated | Spatial light modulators with improved inter-pixel performance |
| JP3995476B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-10-24 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| TWI296062B (en) * | 2001-12-28 | 2008-04-21 | Sanyo Electric Co | Liquid crystal display device |
| JP3953320B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-08-08 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| TWI230304B (en) * | 2002-03-04 | 2005-04-01 | Sanyo Electric Co | Display device with reflecting layer |
| CN100474058C (zh) | 2002-05-07 | 2009-04-01 | 中佛罗里达大学 | 应用线栅偏振器的透反型液晶显示器及制造方法 |
| JP2004053896A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Sharp Corp | 表示装置 |
| TWI266106B (en) * | 2002-08-09 | 2006-11-11 | Sanyo Electric Co | Display device with a plurality of display panels |
| TW580681B (en) * | 2002-08-13 | 2004-03-21 | Toppoly Optoelectronics Corp | Power-saving liquid crystal display and power-saving operation method |
| SG114747A1 (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-28 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Etching composition for laminated film including reflective electrode and method for forming laminated wiring structure |
| US7008808B2 (en) * | 2004-05-05 | 2006-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | Method of manufacturing LCOS spacers |
| KR101024651B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 모기판 및 그 제조 방법 |
| WO2006095577A1 (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | 金属材料およびその製造方法、薄膜装置およびその製造方法、素子側基板およびその製造方法、液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR20070059293A (ko) * | 2005-12-06 | 2007-06-12 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치, 이를 위한 표시판 및 그 제조 방법 |
| JP5309843B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-10-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| US20150103975A1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | National Chiao Tung University | X-ray image sensor and x-ray image sensor system using the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3113041A1 (de) * | 1980-04-01 | 1982-01-28 | Canon K.K., Tokyo | Verfahren und vorrichtung zur anzeige von informationen |
| JPS57104115A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | Nec Corp | Liquid crystal light valve |
| US5115336A (en) * | 1990-03-09 | 1992-05-19 | Eastman Kodak Company | Photorefractive system and process for its use |
| GB9012099D0 (en) * | 1990-05-31 | 1990-07-18 | Kodak Ltd | Optical article for multicolour imaging |
| GB9012162D0 (en) * | 1990-05-31 | 1990-07-18 | Kodak Ltd | Optical article for reflection modulation |
| JPH0618874A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Ricoh Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
-
1997
- 1997-01-22 US US08/787,411 patent/US5764324A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-08 KR KR1019970051543A patent/KR100271201B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-19 JP JP00740198A patent/JP3201990B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7142770B2 (en) | 2001-09-20 | 2006-11-28 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and production method therefor |
| JP2004191958A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 導電素子の形成方法および液晶表示装置の反射電極部形成方法 |
| JP2005181981A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US7298440B2 (en) | 2003-11-25 | 2007-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semi-transmissive homeotropic liquid crystal display device |
| CN100371795C (zh) * | 2004-02-19 | 2008-02-27 | 夏普株式会社 | 导电元件基板、液晶显示装置及其制造方法、电子信息设备 |
| US7550183B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing conductive element substrate, conductive element substrate, method for manufacturing liquid crystal display, liquid crystal display and electronic information equipment |
| JP2008530623A (ja) * | 2005-02-21 | 2008-08-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | フリッカーを低減したｌｃｄ及びその製造方法 |
| US7501162B2 (en) | 2005-07-05 | 2009-03-10 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and liquid crystal display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5764324A (en) | 1998-06-09 |
| KR100271201B1 (ko) | 2000-11-01 |
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