JPH10204624A - Material supply device for vacuum film forming apparatus - Google Patents

Material supply device for vacuum film forming apparatus

Info

Publication number
JPH10204624A
JPH10204624A JP433297A JP433297A JPH10204624A JP H10204624 A JPH10204624 A JP H10204624A JP 433297 A JP433297 A JP 433297A JP 433297 A JP433297 A JP 433297A JP H10204624 A JPH10204624 A JP H10204624A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cylindrical body
vapor deposition
material supply
deposition material
hearth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP433297A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3189038B2 (en
Inventor
Toshiyuki Sakami
俊之 酒見
Masaru Tanaka
勝 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority to JP00433297A priority Critical patent/JP3189038B2/en
Publication of JPH10204624A publication Critical patent/JPH10204624A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3189038B2 publication Critical patent/JP3189038B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the temp. change of the front surface of powder or granular materials for vapor deposition during film formation so as to stabilize a film-forming rate and to improve the operating efficiency of a vacuum film forming apparatus by continuously supplying the materials for vapor deposition by a screw/transportation system from the through-hole disposed below a hearth at the time of supplying the materials for vapor deposition to the apparatus. SOLUTION: The hearth 2 of the film forming apparatus disposed in a vacuum vessel 1 is provided with the through-hole 2a at its center and a first cylindrical body 5 extending downward is connected thereto. A second cylindrical body 9 extending horizontal is disposed in the supply port for the materials for vapor deposition formed in mid-way in the axial direction of this first cylindrical body 5 and is connected to a storage hopper 12 for the materials on the outside of the vacuum vessel 1. The apparatus mechanism has first and second screws 6, 10 which are driven by respective first and second rotational driving mechanisms 7, 11 and transport the materials supplied to the hearth 2 from the storage hopper for the materials within the first and second cylindrical bodies 5, 9. The material supply device is usable for both of an ion plating apparatus and vacuum vapor deposition apparatus.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、粉状又は顆粒状の
蒸着材料を加熱蒸発させて基板上に膜を形成させる真空
成膜装置の材料供給装置に関し、蒸着材料をハースの貫
通孔を介して供給することができるようにした真空成膜
装置の材料供給装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a material supply device of a vacuum film forming apparatus for forming a film on a substrate by heating and evaporating a powdery or granular vapor deposition material. The present invention relates to a material supply device of a vacuum film forming apparatus that can supply the material.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、真空成膜装置として真空蒸着装
置やイオンプレーティング装置が知られている。この様
な真空成膜装置では、ハース上に配置された蒸着材料に
熱を加えて蒸発させ、基板上に膜を形成させている。そ
して、蒸着材料の加熱源として、誘導加熱装置、電子
銃、プラズマ銃が知られている。
2. Description of the Related Art Generally, a vacuum deposition apparatus and an ion plating apparatus are known as vacuum film forming apparatuses. In such a vacuum film forming apparatus, heat is applied to a vapor deposition material arranged on a hearth to evaporate it, thereby forming a film on a substrate. As a heating source of the evaporation material, an induction heating device, an electron gun, and a plasma gun are known.

【0003】そして、イオンプレーティング装置の加熱
源としては、例えば、圧力勾配型プラズマ源あるいはH
CDプラズマ源又はRF装置が知られている。このよう
なイオンプレーティング装置でプラズマビーム発生器
(プラズマ源)を備えたものでは、真空容器中に配置さ
れたハース(陽極)とプラズマビーム発生器との間でプ
ラズマビームを生成して、ハース上に載置された蒸着材
料を加熱蒸発させている。そして、蒸着材料からの蒸発
金属粒子はプラズマビームによって励起、イオン化さ
れ、この粒子が基板表面に付着して、基板上に膜が形成
される。
As a heating source of the ion plating apparatus, for example, a pressure gradient plasma source or H
CD plasma sources or RF devices are known. In such an ion plating apparatus having a plasma beam generator (plasma source), a plasma beam is generated between a hearth (anode) placed in a vacuum vessel and the plasma beam generator, and the The evaporation material placed thereon is heated and evaporated. Then, the evaporated metal particles from the vapor deposition material are excited and ionized by the plasma beam, and the particles adhere to the substrate surface to form a film on the substrate.

【0004】このようなイオンプレーティング装置にお
いて、連続的にイオンプレーティングを行う場合、蒸着
材料を連続的にハースに供給する必要がある。このよう
なイオンプレーティング装置の材料連続供給装置として
は、例えば真空容器内にホッパを設け、該ホッパにシュ
ートを介して顆粒状の蒸着材料をハースの上方より供給
するものが知られている。
In such an ion plating apparatus, when performing ion plating continuously, it is necessary to continuously supply a deposition material to the hearth. As a material continuous supply apparatus of such an ion plating apparatus, for example, an apparatus in which a hopper is provided in a vacuum vessel and a granular deposition material is supplied to the hopper from above a hearth via a chute is known.

【0005】このような装置では、ハース上の蒸着材料
に対して、その蒸着材料の温度より低温の蒸着材料が供
給されるため、ハース上の蒸着材料に温度変化が生じ、
成膜速度に悪影響を及ぼしていた。場合によっては、多
くの蒸着材料がハース上に供給された場合、ハース上の
蒸着材料の温度が大きく低下して成膜を一旦、中断する
ことがしばしばあった。
In such an apparatus, a vapor deposition material on a hearth is supplied with a vapor deposition material at a temperature lower than the temperature of the vapor deposition material.
This had an adverse effect on the deposition rate. In some cases, when a large amount of vapor deposition material is supplied onto the hearth, the temperature of the vapor deposition material on the hearth is greatly reduced, and the deposition is often interrupted once.

【0006】また、粉状又は顆粒状の蒸着材料ではない
が、円柱状の蒸着材料をハースの下方より供給する装置
が例えば、特願平6−270972号に開示されてい
る。
An apparatus for supplying a columnar vapor deposition material from below the hearth, which is not a powdery or granular vapor deposition material, is disclosed, for example, in Japanese Patent Application No. 6-270972.

【0007】図3を参照して、この装置について概略説
明を行う。このイオンプレーティング装置は、気密性の
真空容器21を備えており、この真空容器21にはガイ
ド部21aを介してプラズマビーム発生器(例えば、圧
力勾配型プラズマ銃)22が取り付けられている。ガイ
ド部21aの外側にはプラズマビームガイド用のステア
リングコイル23が配設されている。プラズマビーム発
生器22には、プラズマビーム収束用の第1中間電極2
4及び第2中間電極25が同心的に配置されている。第
1中間電極24には磁極軸がプラズマビーム発生器22
の中心軸と平行になるようにして永久磁石24aが内蔵
され、第2中間電極25にはコイル25aが内蔵されて
いる。
Referring to FIG. 3, this device will be briefly described. The ion plating apparatus includes an airtight vacuum vessel 21. A plasma beam generator (for example, a pressure gradient plasma gun) 22 is attached to the vacuum vessel 21 via a guide portion 21a. A steering coil 23 for guiding a plasma beam is disposed outside the guide portion 21a. The plasma beam generator 22 includes a first intermediate electrode 2 for converging the plasma beam.
The fourth and second intermediate electrodes 25 are arranged concentrically. The first intermediate electrode 24 has a magnetic pole axis of the plasma beam generator 22.
A permanent magnet 24a is built in so as to be parallel to the central axis of the second intermediate electrode 25, and a coil 25a is built in the second intermediate electrode 25.

【0008】プラズマビーム発生器22には、第1及び
第2中間電極24及び25で規定される通路に繋がる絶
縁管(例えば、ガラス管)26が備えられており、この
ガラス管26内にはMo筒26aが配置されている。そ
して、このMo筒26a内にはTaパイプ26bが配置
されている。Mo筒26aとTaパイプ26bで規定さ
れる空間はLaB6 製の環状板26cで隔離されてい
る。上述の絶縁管26、Mo筒26a、及びTaパイプ
26bの一端は導体板部26dに取り付けられている。
この導体板部26dに形成されたキャリアガス導入口2
6eからキャリアガスが導入され、このキャリアガスは
Taパイプ26bを通過する。
The plasma beam generator 22 is provided with an insulating tube (for example, a glass tube) 26 connected to a passage defined by the first and second intermediate electrodes 24 and 25. The Mo cylinder 26a is arranged. Then, a Ta pipe 26b is arranged in the Mo cylinder 26a. Space defined by Mo tube 26a and Ta pipe 26b is isolated by the LaB 6 made of an annular plate 26c. One ends of the insulating tube 26, the Mo cylinder 26a, and the Ta pipe 26b are attached to the conductor plate 26d.
Carrier gas inlet 2 formed in conductor plate portion 26d
A carrier gas is introduced from 6e, and the carrier gas passes through the Ta pipe 26b.

【0009】真空容器21内には被処理物体としての基
板27が搬送装置28に支持されて配置されており、基
板27には負バイアス用の直流電源が接続される。基板
27に対向して真空容器21の底面にはハース(陽極
部)29が配置される。
A substrate 27 as an object to be processed is disposed in a vacuum vessel 21 and supported by a transfer device 28, and a DC power supply for negative bias is connected to the substrate 27. A hearth (anode) 29 is arranged on the bottom surface of the vacuum vessel 21 so as to face the substrate 27.

【0010】導体板部26dには可変電源40のマイナ
ス端が接続され、そのプラス端はそれぞれ抵抗器R1及
びR2を介して第1及び第2の中間電極24及び25に
接続されている。一方、ハース29には電流計41が接
続され、この電流計41は可変電源40、及び抵抗器R
1及びR2に接続される。さらに、電流計41は抵抗器
R3及びR4を介して接地されるとともに真空容器21
に接続されている。また、抵抗器R3に並列に電圧計4
2が接続されている(なお、抵抗器R3は電圧計測用の
標準抵抗器として用いられ、1Mオーム以上の抵抗を有
している)。
The negative end of the variable power supply 40 is connected to the conductor plate portion 26d, and the positive end is connected to the first and second intermediate electrodes 24 and 25 via resistors R1 and R2, respectively. On the other hand, an ammeter 41 is connected to the hearth 29, and the ammeter 41 includes a variable power supply 40 and a resistor R.
1 and R2. Further, the ammeter 41 is grounded via the resistors R3 and R4, and
It is connected to the. A voltmeter 4 is connected in parallel with the resistor R3.
2 (the resistor R3 is used as a standard resistor for voltage measurement and has a resistance of 1 M ohm or more).

【0011】さらに、基板27の近傍において、基板2
7の外側には、支持板部材43が配置され、この支持板
部材43には膜厚計44が配置されている。また、真空
容器21の側壁にはArガス等のキャリアガスを導入す
るためのガス導入口21bが形成されると共に、真空容
器21内を排気するための排気口21cが形成されてい
る。
Further, in the vicinity of the substrate 27, the substrate 2
A support plate member 43 is disposed outside the support 7, and a film thickness gauge 44 is disposed on the support plate member 43. In addition, a gas inlet 21b for introducing a carrier gas such as Ar gas is formed on a side wall of the vacuum vessel 21 and an exhaust port 21c for exhausting the inside of the vacuum vessel 21 is formed.

【0012】上述のイオンプレーティング装置では、キ
ャリアガス導入口26eからキャリアガスが導入される
と、第1中間電極24とMo筒26aとの間で放電が始
まる。これによって、プラズマビーム45が生成され
る。このプラズマビーム45はステアリングコイル23
と磁石ケース31内の永久磁石31cにガイドされて、
陽極として用いられるハース29及び磁石ケース31に
到達する。
In the above-described ion plating apparatus, when a carrier gas is introduced from the carrier gas inlet 26e, a discharge starts between the first intermediate electrode 24 and the Mo cylinder 26a. As a result, a plasma beam 45 is generated. This plasma beam 45 is applied to the steering coil 23
And guided by the permanent magnet 31c in the magnet case 31,
It reaches the hearth 29 and the magnet case 31 used as an anode.

【0013】ハース29にプラズマビームが与えられる
と、ハース29を貫通してハース29の上面に達してい
る柱状の蒸着材料39がジュール加熱されて蒸発する。
この蒸発金属粒子はプラズマビーム45によって励起、
イオン化されて、基板27の表面に付着し、基板27上
に膜が形成される。
When a plasma beam is applied to the hearth 29, the columnar deposition material 39 that has penetrated the hearth 29 and has reached the upper surface of the hearth 29 is Joule-heated and evaporated.
These evaporated metal particles are excited by the plasma beam 45,
It is ionized and adheres to the surface of the substrate 27 to form a film on the substrate 27.

【0014】なお、蒸着材料39は、その支持部として
作用する押し上げ棒35に搭載され、この押し上げ棒3
5は駆動機構36により図中上下方向に駆動される。駆
動機構36は、図示しない制御装置により電流計41、
電圧計42、膜厚計44の測定結果及びその他のあらか
じめ定められた成膜条件に基づいて制御され、蒸着材料
39が減少してもプラズマビーム発生器22との間の距
離が一定になるようにしている。その結果、基板27に
は均一な厚さで膜が形成される。このような制御動作に
ついては、ここでは詳しい説明は省略する。
The vapor deposition material 39 is mounted on a push-up bar 35 serving as a support for the push-up bar 3.
5 is driven vertically by a drive mechanism 36 in the figure. The drive mechanism 36 includes an ammeter 41,
It is controlled based on the measurement results of the voltmeter 42 and the film thickness meter 44 and other predetermined film forming conditions, so that the distance between the voltmeter 42 and the plasma beam generator 22 becomes constant even when the amount of the deposition material 39 decreases. I have to. As a result, a film is formed on the substrate 27 with a uniform thickness. A detailed description of such a control operation is omitted here.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
イオンプレーティング装置では、蒸着材料が柱状であ
り、粉状又は顆粒状の蒸着材料を連続供給できない。
However, in the above-mentioned ion plating apparatus, the vapor deposition material is columnar, so that powdery or granular vapor deposition material cannot be continuously supplied.

【0016】そこで、本発明の課題は、粉状又は顆粒状
の蒸着材料をハースの下方より供給できる真空成膜装置
の材料供給装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a material supply device of a vacuum film forming apparatus capable of supplying a powdery or granular vapor deposition material from below a hearth.

【0017】本発明はまた、蒸着材料の補充を装置の運
転を停止させることなく行うことができるような真空成
膜装置の材料供給装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a material supply apparatus for a vacuum film forming apparatus capable of replenishing a vapor deposition material without stopping the operation of the apparatus.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、加熱源
と、真空容器内に配置されたハースとを有し、前記加熱
源により前記ハースに収納された蒸着材料を蒸発させ、
蒸発した物質を基板の表面に付着させることにより前記
基板上に膜を形成する真空成膜装置において、前記ハー
スには上下方向に延びる貫通孔が形成されており、該貫
通孔に接続されてその下方に延びる第1の筒状体を有し
て粉状又は顆粒状の蒸着材料を前記貫通孔内に供給する
供給手段を有し、該供給手段は、前記第1の筒状体と、
該第1の筒状体内に配置された第1のスクリュー機構
と、該第1のスクリュー機構を駆動する第1の回転駆動
機構と、前記第1の筒状体に形成された蒸着材料供給口
とから構成されていることを特徴とする真空成膜装置の
材料供給装置が提供される。
According to the present invention, there is provided a heating source, and a hearth disposed in a vacuum vessel, wherein the heating source evaporates a vapor deposition material stored in the hearth.
In a vacuum film forming apparatus for forming a film on the substrate by adhering the evaporated substance to the surface of the substrate, a through-hole extending vertically is formed in the hearth, and the through-hole is connected to the through-hole. A supply unit having a first cylindrical body extending downward and supplying a powdery or granular vapor deposition material into the through-hole, the supply unit comprising: the first cylindrical body;
A first screw mechanism disposed in the first cylindrical body, a first rotary drive mechanism for driving the first screw mechanism, and a deposition material supply port formed in the first cylindrical body And a material supply device for a vacuum film forming apparatus.

【0019】なお、前記第1の筒状体の蒸着材料供給口
に補充手段を接続することが好ましい。
It is preferable that a replenishing means is connected to the deposition material supply port of the first cylindrical body.

【0020】前記補充手段は、前記第1の筒状体の蒸着
材料供給口に接続された第2の筒状体と、該第2の筒状
体内に配置された第2のスクリュー機構と、該第2のス
クリュー機構を駆動する第2の回転駆動機構と、前記第
2の筒状体に連結し前記粉状又は顆粒状の蒸着材料を充
填したホッパとから構成されている。
The replenishing means includes: a second cylindrical body connected to a deposition material supply port of the first cylindrical body; a second screw mechanism disposed in the second cylindrical body; It comprises a second rotary drive mechanism for driving the second screw mechanism, and a hopper connected to the second cylindrical body and filled with the powdery or granular vapor deposition material.

【0021】また、前記補充手段は、一端が前記第1の
筒状体の蒸着材料供給口に接続され、他端が斜め上方に
配設された第2の筒状体と、該第2の筒状体に連結し前
記粉状又は顆粒状の蒸着材料を充填したホッパとから構
成されていても良い。
The replenishing means includes a second cylindrical body having one end connected to the vapor deposition material supply port of the first cylindrical body and the other end disposed obliquely above the second cylindrical body. And a hopper connected to a cylindrical body and filled with the powdery or granular vapor deposition material.

【0022】なお、前記第2の筒状体の一部と、前記ホ
ッパとは真空容器外に配設されている。
[0022] A part of the second cylindrical body and the hopper are disposed outside the vacuum vessel.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】図1を参照して、本発明の好まし
い実施の形態について説明する。ここでは、図3のイオ
ンプレーティング装置に適用した例について説明する。
はじめに、真空容器1内に配置されたハース2とその周
辺部分の構造について説明する。ハース2は略円柱形状
であり、その上面は凹形状となっている。ハース2の中
心部には、図中上下方向に延びる貫通孔2aが形成され
ている。ハース2内には通路2bが形成されており、こ
の通路2bは図示しない冷却水循環用の配管に接続され
ている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, an example applied to the ion plating apparatus of FIG. 3 will be described.
First, the structure of the hearth 2 arranged in the vacuum vessel 1 and its peripheral portion will be described. The hearth 2 has a substantially cylindrical shape, and its upper surface is concave. At the center of the hearth 2, a through hole 2a extending in the vertical direction in the figure is formed. A passage 2b is formed in the hearth 2, and the passage 2b is connected to a cooling water circulation pipe (not shown).

【0024】ハース2の外周には、図示のように、補助
陽極を構成するための磁石ケース3が配置されている。
この磁石ケース3は中空リング状の上ケース3aと、ド
ーナツ状の下ケース3bと、上ケース3a及び下ケース
3bの間に配置された環状の永久磁石3c及び環状コイ
ル3dとを備えている。永久磁石3cは図中上下方向に
着磁されている。図示の例では、上側がN極、下側がS
極となっている。そして、上ケース3aの中空部には冷
却水循環用の配管3eが接続されている。この配管3e
は、真空容器1の外に導出されて冷却水の循環手段(図
示せず)に接続されている。
On the outer periphery of the hearth 2, as shown, a magnet case 3 for constituting an auxiliary anode is arranged.
The magnet case 3 includes a hollow ring-shaped upper case 3a, a donut-shaped lower case 3b, and an annular permanent magnet 3c and an annular coil 3d arranged between the upper case 3a and the lower case 3b. The permanent magnet 3c is vertically magnetized in the figure. In the illustrated example, the upper side has the N pole, and the lower side has the S pole.
It is a pole. A pipe 3e for circulating cooling water is connected to a hollow portion of the upper case 3a. This pipe 3e
Are drawn out of the vacuum vessel 1 and connected to a cooling water circulation means (not shown).

【0025】磁石ケース3は絶縁板3fを介してハース
2の支持台2c上に支持されている。そして、支持台2
cは支持部材2dによって真空容器1の底面に支持され
る。
The magnet case 3 is supported on a support 2c of the hearth 2 via an insulating plate 3f. And the support 2
c is supported on the bottom surface of the vacuum vessel 1 by the support member 2d.

【0026】本形態では、上記のようなハース2に、粉
状又は顆粒状(以下、顆粒状と呼ぶ)の蒸着材料を連続
的に供給可能な手段を備えた点に特徴を有する。この手
段は、貫通孔2aに接続されてその下方に延びる第1の
筒状体5を有して顆粒状の蒸着材料を貫通孔2a内に供
給する供給機構4と、第1の筒状体5の途中に形成され
た蒸着材料供給口に接続した第2の筒状体9を有して供
給機構4に顆粒状の蒸着材料を補充する補充機構8とを
備えている。
The present embodiment is characterized in that the above-mentioned hearth 2 is provided with a means capable of continuously supplying a powdery or granular (hereinafter referred to as granular) vapor deposition material. This means includes a supply mechanism 4 having a first cylindrical body 5 connected to the through hole 2a and extending below the first cylindrical body 5 and supplying a granular vapor deposition material into the through hole 2a; The supply mechanism 4 has a second cylindrical body 9 connected to a vapor deposition material supply port formed in the middle of 5 and a replenishing mechanism 8 for replenishing the granular deposition material to the supply mechanism 4.

【0027】供給機構4は、第1の筒状体5内に配置さ
れた第1のスクリュー6と、この第1のスクリュー6を
駆動する第1の回転駆動機構7とを含む。第1の筒状体
5の下部は、真空容器11にシールして真空容器1の穴
1aに接続され、第1の回転駆動機構7は真空容器1外
に設けられている。なお、第1の筒状体5は、ハース2
側とは絶縁体5aを介して連結され、真空容器1との間
にも絶縁体5bが介在するようにしている。
The supply mechanism 4 includes a first screw 6 disposed in the first cylindrical body 5 and a first rotation drive mechanism 7 for driving the first screw 6. The lower part of the first cylindrical body 5 is sealed to the vacuum vessel 11 and connected to the hole 1 a of the vacuum vessel 1, and the first rotation drive mechanism 7 is provided outside the vacuum vessel 1. In addition, the first cylindrical body 5 has a hearth 2
The side is connected via an insulator 5a, and the insulator 5b is interposed between the vacuum vessel 1 and the vacuum vessel 1.

【0028】一方、補充機構8は、水平に延びる第2の
筒状体9内に配置された第2のスクリュー10と、この
第2のスクリュー10を駆動する第2の回転駆動機構1
1と、第2の筒状体9の後端部に連結され顆粒状の蒸着
材料を充填したホッパ12とを含む。第2の筒状体9の
途中を真空容器1にシールして、第2の筒状体9の一部
が真空容器1の穴1bを貫通して真空容器1外に導出さ
れ、第2の回転駆動機構11及びホッパ12は真空容器
1外に設けられている。第2の筒状体9も、第1の筒状
体5とは絶縁体9aを介して連結され、真空容器1との
間にも絶縁体9bが介在するようにしている。なお、ホ
ッパ12には蓋部材12aを設けて密封可能にし、排気
ポンプ13により真空排気可能にしている。
On the other hand, the replenishing mechanism 8 includes a second screw 10 disposed in a second tubular body 9 extending horizontally, and a second rotation driving mechanism 1 for driving the second screw 10.
1 and a hopper 12 connected to the rear end of the second cylindrical body 9 and filled with a granular vapor deposition material. The middle of the second tubular body 9 is sealed in the vacuum vessel 1, and a part of the second tubular body 9 is led out of the vacuum vessel 1 through the hole 1 b of the vacuum vessel 1, The rotation drive mechanism 11 and the hopper 12 are provided outside the vacuum vessel 1. The second tubular body 9 is also connected to the first tubular body 5 via an insulator 9a, so that the insulator 9b is interposed between the second tubular body 9 and the vacuum vessel 1. Note that the hopper 12 is provided with a lid member 12a so as to be able to be sealed and evacuated by an exhaust pump 13.

【0029】また、蒸着材料によっては微量の空気が真
空容器1内に侵入しても成膜に問題の無い場合があり、
このような場合、排気ポンプを省略しても良い。なぜな
らば、第2の筒状体9内には顆粒状の蒸着材料が圧縮さ
れて充満しているので、ホッパ12内に大気があっても
これが真空容器1内に侵入することは少ない。
Also, depending on the evaporation material, even if a small amount of air enters the vacuum vessel 1, there is a case where there is no problem in film formation.
In such a case, the exhaust pump may be omitted. This is because the second cylindrical body 9 is filled with the granular vapor deposition material by being compressed, so that even if there is air in the hopper 12, it hardly enters the vacuum vessel 1.

【0030】また、蒸着材料の粒が比較的大きくて第2
の筒状体9内で圧縮充満していても機密性が悪い場合
は、ホッパ12と第2の筒状体9との間に真空ゲートバ
ルブ14を設けても良い。真空ゲートバルブ14の閉動
作は、ホッパ12内に蒸着材料が無くなった際に行う。
そして、蒸着材料をホッパ12内に補充する。このよう
にすれば、ホッパ12内に蒸着材料を連続供給すること
ができる。
Further, since the vapor deposition material has relatively large grains,
If the confidentiality is poor even though the cylinder 9 is full of compression, a vacuum gate valve 14 may be provided between the hopper 12 and the second cylinder 9. The closing operation of the vacuum gate valve 14 is performed when the evaporation material in the hopper 12 runs out.
Then, the deposition material is replenished into the hopper 12. In this way, the deposition material can be continuously supplied into the hopper 12.

【0031】また、成膜の連続時間に対応するだけの蒸
着材料を収納できる大きさにホッパを製作すれば、真空
ゲートバルブ14は不要である。
Further, if the hopper is manufactured in a size that can accommodate the vapor deposition material only for the continuous time of the film formation, the vacuum gate valve 14 becomes unnecessary.

【0032】補充機構8においては、間欠的あるいは連
続的に第2の回転駆動機構11を駆動してホッパ12内
の顆粒状の蒸着材料を第1の筒状体5の下方から上方に
送り込む。このことにより、蒸着材料の上端部の温度変
化が少なく安定した成膜作業を行うことができる。供給
機構4においては、前述(図3の説明)した制御装置に
より第1の回転駆動機構7が制御されて、ホッパ12内
の顆粒状の蒸着材料の上端が常に一定になるような制御
が行われる。なお、ホッパ12には、顆粒状の蒸着材料
のレベル検出装置や、一定レベル以下でアラームを発生
するような装置を設けることが好ましい。
In the replenishing mechanism 8, the second rotary drive mechanism 11 is driven intermittently or continuously to feed the granular deposition material in the hopper 12 upward from below the first cylindrical body 5. This makes it possible to perform a stable film forming operation with a small change in the temperature of the upper end portion of the deposition material. In the supply mechanism 4, the first rotation drive mechanism 7 is controlled by the control device described above (described with reference to FIG. 3), and control is performed such that the upper end of the granular deposition material in the hopper 12 is always constant. Will be Preferably, the hopper 12 is provided with a device for detecting the level of a granular vapor deposition material or a device for generating an alarm at a certain level or less.

【0033】図2は本発明の他の実施の形態を示してい
る。この形態では、補充機構8´の構成を簡単にした点
が第1の実施の形態と異なる。それ故、第1の実施の形
態と同じ部分には同じ番号を付して説明は省略する。こ
の実施の形態では、補充機構8´を、第1の筒状体5の
途中に接続した第2の筒状体9´を斜め上方に延ばして
その途中を真空容器1にシールし、第2の筒状体9´の
一部を真空容器1の穴1b´を貫通して真空容器1外に
導出している。そして、真空容器1外の第2の筒状体9
´の上端に、顆粒状の蒸着材料を充填したホッパ12を
接続して成る。第2の筒状体9´が斜めになっているこ
とにより、顆粒状の蒸着材料はその重力作用により第1
の筒状体5内にすべり落ちる。したがって、第1の実施
の形態におけるスクリュー及びその回転駆動機構は不要
である。この例でも、ホッパ12に排気ポンプ13を設
けたり、顆粒状の蒸着材料のレベル検出装置や、一定レ
ベル以下でアラームを発生するような装置を設けること
が好ましい。第1の回転駆動機構7の制御は、第1の実
施の形態と同様である。
FIG. 2 shows another embodiment of the present invention. This embodiment differs from the first embodiment in that the configuration of the replenishing mechanism 8 'is simplified. Therefore, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In this embodiment, the replenishing mechanism 8 ′ is configured such that a second cylindrical body 9 ′ connected in the middle of the first cylindrical body 5 extends obliquely upward, and the middle is sealed in the vacuum vessel 1, A part of the cylindrical body 9 ′ passes through the hole 1 b ′ of the vacuum vessel 1 and is led out of the vacuum vessel 1. Then, the second cylindrical body 9 outside the vacuum vessel 1
′ Is connected to a hopper 12 filled with a granular evaporation material. Since the second cylindrical body 9 'is slanted, the granular vapor deposition material becomes the first by the gravitational action.
Slides down into the cylindrical body 5 of FIG. Therefore, the screw and its rotation drive mechanism in the first embodiment are unnecessary. Also in this example, it is preferable to provide the hopper 12 with an exhaust pump 13, a granular vapor deposition material level detection device, or a device that generates an alarm at a certain level or less. The control of the first rotation drive mechanism 7 is the same as in the first embodiment.

【0034】なお、それぞれの実施の形態では、第1の
スクリュー6の下部及び回転駆動機構7や、ホッパ1
2、第2の筒状体9、9´の一部、第2の回転駆動機構
を真空容器1の外に設けているが、真空容器1内に設け
ても良い。しかしながら、前述したそれぞれの実施の形
態の例の方がベストである。
In each embodiment, the lower portion of the first screw 6 and the rotary drive mechanism 7 and the hopper 1
2. Although a part of the second cylindrical bodies 9 and 9 'and the second rotation drive mechanism are provided outside the vacuum vessel 1, they may be provided inside the vacuum vessel 1. However, the examples of the respective embodiments described above are the best.

【0035】また、蒸着材料が導電性材料の場合は、第
1及び第2のスクリュー6、10を絶縁材料にするか、
又は、第1及び第2のスクリュー6、10と第1、第2
の回転駆動機構7、11とを絶縁材料を介して接続する
必要がある。
When the deposition material is a conductive material, the first and second screws 6 and 10 are made of an insulating material,
Or, the first and second screws 6, 10 and the first and second screws
It is necessary to connect the rotary drive mechanisms 7 and 11 via an insulating material.

【0036】更に、前述した実施形態では、イオンプレ
ーティング装置に適用した例で説明したが、真空蒸着装
置でも良い。また、加熱源としてプラズマビーム発生器
の例で説明したが、電子銃でも良く、また、ハースに誘
導加熱装置を設けても良い。
Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to an ion plating apparatus has been described, but a vacuum evaporation apparatus may be used. Further, although the description has been given of the example of the plasma beam generator as the heating source, an electron gun may be used, or an induction heating device may be provided in the hearth.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば顆粒状の蒸着材料をハースの下方より供給することが
でき、しかも、蒸着材料をハースの下方より供給するこ
とで、安定した成膜作業を行うことができる。また、真
空容器内への蒸着材料の補充を装置の運転を停止させる
ことなく行うことができるので、従来のように蒸着材料
の補充のたびに装置の運転を停止して、真空容器の大気
開放、真空排気の作業を行う必要が無く、運転効率を大
幅に向上させることができる。
As described above, according to the present invention, a granular vapor deposition material can be supplied from below the hearth, and the vapor deposition material can be supplied from below the hearth to achieve a stable formation. Membrane work can be performed. In addition, since the replenishment of the vapor deposition material into the vacuum vessel can be performed without stopping the operation of the apparatus, the operation of the apparatus is stopped every time the vapor deposition material is replenished as in the related art, and the vacuum vessel is opened to the atmosphere. In addition, there is no need to perform an evacuation operation, and the operation efficiency can be greatly improved.

【0038】更に、補充手段の第2の筒状体内に第2の
スクリュー機構を設けたものでは、流動性の悪い蒸着材
料であっても確実に供給手段に送り込むことができると
共に、気密性の良い蒸着材料であれば、ホッパ内を真空
ポンプで真空引きする必要も無い。
Further, in the case where the second screw mechanism is provided in the second cylindrical body of the replenishing means, even if the evaporation material has a poor flowability, it can be reliably fed into the supply means and the airtightness can be improved. With a good evaporation material, there is no need to evacuate the hopper with a vacuum pump.

【0039】加えて、気密性の悪い蒸着材料であって
も、ホッパと第2の筒状体との間に真空ゲートバルブを
設けて、ホッパに設けた真空ポンプを使用すれば、装置
の運転を停止させることなくホッパに蒸着材料を連続的
に供給することができる。
In addition, even for a vapor-deposited material having poor airtightness, if a vacuum gate valve is provided between the hopper and the second cylindrical body and a vacuum pump provided on the hopper is used, the operation of the apparatus can be improved. Can be continuously supplied to the hopper without stopping the operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態を示す縦断面図であ
る。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態を示す縦断面図であ
る。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明が適用されるイオンプレーティング装置
の構造を示す縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a structure of an ion plating apparatus to which the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2、29 ハース 3、31 磁石ケース 3f、5a、5b、9a、9b 絶縁体 4 供給機構 5 第1の筒状体 6 第1のスクリュー 7 第1の回転駆動機構 8 補充機構 9 第2の筒状体 10 第2のスクリュー 11 第2の回転駆動機構 12 ホッパ 13 排気ポンプ 39 蒸着材料 2, 29 Hearth 3, 31 Magnet case 3f, 5a, 5b, 9a, 9b Insulator 4 Supply mechanism 5 First cylindrical body 6 First screw 7 First rotation drive mechanism 8 Replenishment mechanism 9 Second cylinder Form 10 Second screw 11 Second rotation drive mechanism 12 Hopper 13 Exhaust pump 39 Evaporation material

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 加熱源と、真空容器内に配置されたハー
スとを有し、前記加熱源により前記ハースに収納された
蒸着材料を蒸発させ、蒸発した物質を基板の表面に付着
させることにより前記基板上に膜を形成する真空成膜装
置において、 前記ハースには上下方向に延びる貫通孔が形成されてお
り、 該貫通孔に接続されてその下方に延びる第1の筒状体を
有して粉状又は顆粒状の蒸着材料を前記貫通孔内に供給
する供給手段を有し、 該供給手段は、前記第1の筒状体と、該第1の筒状体内
に配置された第1のスクリュー機構と、該第1のスクリ
ュー機構を駆動する第1の回転駆動機構と、前記第1の
筒状体に形成された蒸着材料供給口とから構成されてい
ることを特徴とする真空成膜装置の材料供給装置。
A heating source; and a hearth disposed in a vacuum vessel, wherein the heating source evaporates a vapor deposition material stored in the hearth, and attaches the evaporated substance to a surface of the substrate. In the vacuum film forming apparatus for forming a film on the substrate, a through-hole extending vertically is formed in the hearth, and a first cylindrical body connected to the through-hole and extending downward therefrom is provided. Supply means for supplying a powdery or granular vapor deposition material into the through-hole, the supply means comprising: the first cylindrical body; and a first cylindrical member disposed in the first cylindrical body. A first screw drive mechanism, a first rotary drive mechanism for driving the first screw mechanism, and a deposition material supply port formed in the first cylindrical body. Material supply equipment for membrane equipment.
【請求項2】 請求項1記載の材料供給装置において、
前記第1の筒状体の蒸着材料供給口に補充手段を接続し
たことを特徴とする真空成膜装置の材料供給装置。
2. The material supply device according to claim 1, wherein
A material supply device for a vacuum film forming apparatus, wherein a replenishing means is connected to a deposition material supply port of the first cylindrical body.
【請求項3】 請求項2記載の材料供給装置において、
前記補充手段は、前記第1の筒状体の蒸着材料供給口に
接続された第2の筒状体と、該第2の筒状体内に配置さ
れた第2のスクリュー機構と、該第2のスクリュー機構
を駆動する第2の回転駆動機構と、前記第2の筒状体に
連結し前記粉状又は顆粒状の蒸着材料を充填したホッパ
とから構成されていることを特徴とする真空成膜装置の
材料供給装置。
3. The material supply device according to claim 2, wherein
The replenishing means includes: a second cylindrical body connected to the deposition material supply port of the first cylindrical body; a second screw mechanism disposed in the second cylindrical body; A second rotary drive mechanism for driving the screw mechanism, and a hopper connected to the second cylindrical body and filled with the powdery or granular deposition material. Material supply equipment for membrane equipment.
【請求項4】 請求項2記載の材料供給装置において、
前記補充手段は、一端が前記第1の筒状体の蒸着材料供
給口に接続され、他端が斜め上方に配設された第2の筒
状体と、該第2の筒状体に連結し前記粉状又は顆粒状の
蒸着材料を充填したホッパとから構成されていることを
特徴とする真空成膜装置の材料供給装置。
4. The material supply device according to claim 2, wherein
The replenishing means has one end connected to the deposition material supply port of the first cylindrical body, and the other end connected to the second cylindrical body disposed obliquely upward and the second cylindrical body. And a hopper filled with the powdery or granular vapor deposition material.
【請求項5】 請求項3あるいは4記載の材料供給装置
において、前記第2の筒状体の一部と、前記ホッパとが
真空容器外に配設されていることを特徴とする真空成膜
装置の材料供給装置。
5. A material supply apparatus according to claim 3, wherein a part of said second cylindrical body and said hopper are disposed outside a vacuum vessel. Equipment material supply device.
JP00433297A 1997-01-14 1997-01-14 Material supply equipment for vacuum film forming equipment Expired - Fee Related JP3189038B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00433297A JP3189038B2 (en) 1997-01-14 1997-01-14 Material supply equipment for vacuum film forming equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00433297A JP3189038B2 (en) 1997-01-14 1997-01-14 Material supply equipment for vacuum film forming equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10204624A true JPH10204624A (en) 1998-08-04
JP3189038B2 JP3189038B2 (en) 2001-07-16

Family

ID=11581507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00433297A Expired - Fee Related JP3189038B2 (en) 1997-01-14 1997-01-14 Material supply equipment for vacuum film forming equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3189038B2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006307239A (en) * 2005-04-26 2006-11-09 Hitachi Zosen Corp Evaporation device for vapor deposition material
WO2007135870A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Ulvac, Inc. Vapor deposition apparatus for organic vapor deposition material and process for producing organic thin film
JP2008513965A (en) * 2004-09-21 2008-05-01 イーストマン コダック カンパニー Supply of particulate material to the vaporization zone
JP2009287087A (en) * 2008-05-29 2009-12-10 Dainippon Printing Co Ltd Vacuum film deposition apparatus
KR101109690B1 (en) 2009-07-01 2012-02-20 한국과학기술원 Downward type linear source and device for depositing thin film using the same
JP2012046814A (en) * 2010-08-30 2012-03-08 Kaneka Corp Vapor deposition apparatus
JP2012229489A (en) * 2004-09-21 2012-11-22 Global Oled Technology Llc Delivering particulate material to vaporization zone
KR101348095B1 (en) * 2012-11-29 2014-01-08 주식회사 선익시스템 An organic matter feeding apparatus and method thereof

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013147684A (en) * 2012-01-17 2013-08-01 Sumitomo Heavy Ind Ltd Film deposition apparatus

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012229489A (en) * 2004-09-21 2012-11-22 Global Oled Technology Llc Delivering particulate material to vaporization zone
JP2008513965A (en) * 2004-09-21 2008-05-01 イーストマン コダック カンパニー Supply of particulate material to the vaporization zone
JP4886694B2 (en) * 2004-09-21 2012-02-29 グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー Supply of particulate material to the vaporization zone
JP4535926B2 (en) * 2005-04-26 2010-09-01 日立造船株式会社 Vapor deposition material evaporation equipment
JP2006307239A (en) * 2005-04-26 2006-11-09 Hitachi Zosen Corp Evaporation device for vapor deposition material
JP4815447B2 (en) * 2006-05-19 2011-11-16 株式会社アルバック Vapor deposition apparatus for organic vapor deposition material, method for producing organic thin film
JPWO2007135870A1 (en) * 2006-05-19 2009-10-01 株式会社アルバック Vapor deposition apparatus for organic vapor deposition material, method for producing organic thin film
US8308866B2 (en) 2006-05-19 2012-11-13 Ulvac, Inc. Vapor deposition apparatus for an organic vapor deposition material and a method for producing an organic film
WO2007135870A1 (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Ulvac, Inc. Vapor deposition apparatus for organic vapor deposition material and process for producing organic thin film
JP2009287087A (en) * 2008-05-29 2009-12-10 Dainippon Printing Co Ltd Vacuum film deposition apparatus
KR101109690B1 (en) 2009-07-01 2012-02-20 한국과학기술원 Downward type linear source and device for depositing thin film using the same
JP2012046814A (en) * 2010-08-30 2012-03-08 Kaneka Corp Vapor deposition apparatus
KR101348095B1 (en) * 2012-11-29 2014-01-08 주식회사 선익시스템 An organic matter feeding apparatus and method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP3189038B2 (en) 2001-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3189038B2 (en) Material supply equipment for vacuum film forming equipment
US3305473A (en) Triode sputtering apparatus for depositing uniform coatings
US8119208B2 (en) Apparatus and method for focused electric field enhanced plasma-based ion implantation
JP4861257B2 (en) Fine particle film manufacturing method and manufacturing apparatus using coaxial vacuum arc deposition source
US4854265A (en) Thin film forming apparatus
KR100356565B1 (en) Thin film growth method and apparatus for forming magnesium oxide thin film at increased thin film growth rate
JP3189042B2 (en) Material supply device for vacuum film formation
JP2000336477A (en) Condensed cluster depositing device in high efficiency plasma gas
JP5261179B2 (en) Sheet plasma apparatus and sheet plasma adjustment method
JP3401365B2 (en) Plasma generator and ion plating device
TWI826807B (en) Plasma gun, film forming device and negative ion generating device
JPH06108238A (en) Sputtering device
JP2000026953A (en) Plasma treating method and plasma treating device
JPH03163733A (en) High-speed atomic beam radiating device
JP3120368B2 (en) Vacuum deposition equipment
JP2003282557A (en) Deposition method
JP3463235B2 (en) Plasma film forming apparatus and film forming method
JP2005187864A (en) Film deposition apparatus and film deposition method
JPH11269635A (en) Method for cooling substrate in vacuum film forming device
JP2022156767A (en) Film deposition apparatus
JP2008240122A (en) Sheet plasma apparatus
JP2010150595A (en) Ion-plating apparatus
JPH10317129A (en) Vacuum coating forming device
JPH1161383A (en) High vacuum thin film forming device
JP2002057148A (en) Film formation method by ion plating

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010411

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees