JPH10199834A - ポリッシング設備 - Google Patents

ポリッシング設備

Info

Publication number
JPH10199834A
JPH10199834A JP33115797A JP33115797A JPH10199834A JP H10199834 A JPH10199834 A JP H10199834A JP 33115797 A JP33115797 A JP 33115797A JP 33115797 A JP33115797 A JP 33115797A JP H10199834 A JPH10199834 A JP H10199834A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
drain pipe
cleaning
pipe
drain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33115797A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuji Togawa
哲二 戸川
Kuniaki Yamaguchi
都章 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP33115797A priority Critical patent/JPH10199834A/ja
Publication of JPH10199834A publication Critical patent/JPH10199834A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 排水処理を効率的に行なえるポリッシング設
備を提供すること。 【解決手段】 トップリングやターンテーブルを具備す
るポリッシング装置から引き出される排水管10と、洗
浄機や搬送機を具備する洗浄装置から引き出される排水
管12,13,14,15とを、排水の種類に応じて複
数の排水管系統10,12,14に分離する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はポリッシング設備に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハの製造工程において、半導
体ウエハ表面を平坦且つ鏡面化するためにポリッシング
装置が使用されている。
【0003】一方このポリッシング装置には研磨後の半
導体ウエハを洗浄・乾燥するための洗浄装置を併設させ
る場合がある。
【0004】ところでポリッシング装置と洗浄装置とを
備えるポリッシング設備には、ポリッシング装置と洗浄
装置内の各種機器で使用された各種液体を排出するため
の排水管が多数本あるが、これら排水管は1本にまとめ
られてポリッシング設備から一系統とされて排水されて
いた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のよ
うに排水を一系統に統一してしまうと、排水をその種類
別(不純物の濃度別、薬品別等)に応じて処理すること
ができず、これら排水は全て固形分処理装置を通してそ
の固形物を除去した後に、一般産業排水として工場の排
水ラインに排水することとなってしまう。
【0006】つまりそれほど汚染されていない排水や固
形物を含まない排水であっても、全ての排水処理工程を
通さなければならないので、排水処理設備が大型化する
ばかりか排水処理コストも高くなってしまう。
【0007】またそれほど汚染されていない再利用可能
な排水も他の排水と混合することで再利用不可能となっ
てしまう。
【0008】またこの種装置において使用した各種薬品
を混ぜると化学反応を起す場合があり、危険である。
【0009】本発明は上述の点に鑑みてなされたもので
ありその目的は、排液処理を効率的に行なえるポリッシ
ング設備を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明は、ポリッシング対象物を保持するトップリン
グと該トップリングに保持したポリッシング対象物の表
面を研磨するターンテーブルとを有するポリッシング装
置と、前記ポリッシング装置によって研磨されたポリッ
シング対象物を洗浄する洗浄機を有する洗浄装置とを具
備するポリッシング設備において、前記ポリッシング装
置から引き出される1又は2以上の排液管と前記洗浄装
置から引き出される1又は2以上の排液管とを、排液の
種類に応じて複数の排液管系統に分離せしめることとし
た。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。ここでまずポリッシング装置
と洗浄装置とを備えるポリッシング設備の全体構成につ
いて説明する。図2は本発明を適用するポリッシング装
置30と洗浄装置50とを備えるポリッシング設備の全
体内部構造を示す概略平面図である。
【0012】同図に示すようにポリッシング装置30
は、中央にターンテーブル33を設置し、その両側にト
ップリング35を取り付けたポリッシングユニット37
と、ドレッシングツール39を取り付けたドレッシング
ユニット41を設置し、またワーク受渡装置43を設置
して構成されている。
【0013】洗浄装置50は、中央に矢印C方向に移動
可能な2台の搬送ロボット51,53を設置し、その一
方側に1次・2次洗浄機55,57と洗浄機能付きスピ
ン乾燥機(又はスピン乾燥機)59を並列に設置し、他
方側に2台のワーク反転機61,63を並列に設置して
構成されている。
【0014】そして例えば研磨前の半導体ウエハを収納
したカセット65が、図2に示す位置にセットされる
と、搬送ロボット53がカセット65から半導体ウエハ
を1枚ずつ取り出してワーク反転機63に受け渡して反
転する。さらに該半導体ウエハはワーク反転機63から
搬送ロボット51に受け渡されてポリッシング装置30
のワーク受渡装置43に搬送される。
【0015】ワーク受渡装置43上の半導体ウエハは、
矢印Aで示すように回動するポリッシングユニット37
のトップリング35下面に保持されてターンテーブル3
3上に移動され、回転するターンテーブル33の研磨面
34上で研磨される。このとき研磨面34上には図1に
示す供給管24から砥液が供給される。
【0016】研磨後の半導体ウエハは、再びワーク受渡
装置43に戻され、搬送ロボット51によってワーク反
転機61に受け渡されて半導体ウエハ表面が乾かないよ
うに純水でリンスされながら反転された後、1次・2次
洗浄機55,57で薬液や純水で洗浄され、その後洗浄
機能付きスピン乾燥機59で洗浄され、かつ次にスピン
乾燥された後、搬送ロボット53によってカセット65
に戻される。
【0017】なおドレッシングユニット41は、適宜矢
印Bで示すようにターンテーブル33上に移動し、回転
するドレッシングリング39を回転するターンテーブル
33の研磨面34に押し付け、研磨面の再生(目立て)
を行なう。なおこのとき研磨面34の上には図1の供給
管25から純水が供給される。
【0018】次に図1は上記ポリッシング装置30と洗
浄装置50内の各種機器を載置するベース台20と該ベ
ース台20の部分に設置される排水管等を示す平面図で
ある。
【0019】同図に示すようにベース台20は、断面コ
字状(又はエ字状又はロ字状)の多数本の鋼材を組むこ
とによって全体として平面状に構成されている。そして
該ベース台20上には前記図2に示す各種機器が載置さ
れる。具体的に言えば、D部分にはターンテーブル3
3、E部分にはワーク反転機61、F部分にはワーク反
転機63、G部分には1次洗浄機55、H部分には2次
洗浄機57、I部分には洗浄機能付きスピン乾燥機59
(3次洗浄機)が設置される。D部分は、供給管24,
25を介して砥液と純水が供給可能とされ、G,H,I
部分はそれぞれ供給管26,27,28を介して1次、
2次及び3次洗浄液が供給される。また、E部分にも純
水等の洗浄液が供給管29を介して供給される。なお、
各供給管へは、未使用の液体をそれぞれ供給することが
できる。
【0020】そしてターンテーブル33上で使用された
砥液やドレッシング用の純水等の液体からなる排水W1
は、ターンテーブル33下面の配管接続部101におい
て接続された排水管10から外部に排水されるように構
成されている。
【0021】またワーク反転機61で使用された液体W
2'は、ワーク反転機61下面の配管接続部120にお
いて接続された排水管12から排水され、また1次洗浄
機55で使用された液体W2''は、1次洗浄機55下面
の配管接続部130において接続された排水管13から
排水され、且つ排水管13は排水管12に連結されるこ
とで、液体W2'と液体W2''とが混合して成る排水W
2が排水管12から外部に排水されるように構成されて
いる。
【0022】また2次洗浄機57で使用された液体W
3'は、2次洗浄機57下面の配管接続部140におい
て接続された排水管14から排水され、また洗浄機能付
きスピン乾燥機59で使用された液体W3''は、洗浄機
能付きスピン乾燥機59下面の配管接続部150におい
て接続された排水管15から排水され、且つ排水管15
は排水管14に連結されることで、液体W3'と液体W
3''が混合して成る排水W3が排水管14から外部に排
水されるように構成されている。
【0023】つまり本実施形態においては、ポリッシン
グ装置30で使用された液体の排水管系統と、洗浄装置
50内のワーク反転機61と1次洗浄機55で使用され
た液体の排水管系統と、2次洗浄機57と洗浄機能付き
スピン乾燥機59で使用された液体の排水管系統とを、
それぞれ別系統として分離することとしている。
【0024】そして本実施形態の場合、排水管10は排
水W1の固形分を分離する固形分処理装置21に接続さ
れ、その後工場の排水ライン11に接続されている。更
にこの排水ライン11は工場の排水処理設備23に送ら
れ、工場から排水される他の一般産業排水と共に処理さ
れる。
【0025】一方排水管12は直接又は工場の排水ライ
ンを介して工場の排水処理設備23に接続されている。
【0026】また排水管14は排水利用設備22、例え
ば、ワーク反転機61の給水管29に、排水回収タンク
T、ポンプP、流量調整弁V、粒子を除去するためのフ
ィルターSを介して接続されている。さらに、排液を高
純度で再利用したい場合は、ポンプPと流量調整弁Vの
間にイオン交換分離機を設けて排液中の不純物イオンを
取り除くようにしてもよい。
【0027】以上のように構成することによって、砥液
などを供給して半導体ウエハを研磨するポリッシング装
置30で使用された排水W1は、当然固形分を多量に含
んで不純物濃度が高いが、この排水W1は排水管10に
よって固形物処理装置21に送られその固形分が分離さ
れた後に一般産業排水として工場の排水処理設備23で
処理される。
【0028】次に前記ポリッシング装置30内で砥液な
どの固形分が一応取り除かれて固形分を除去するほどで
はないが未だ比較的不純物濃度が高い排水W2は、排水
管12によって直接一般産業排水として工場の排水処理
設備23に直接送られ処理される。
【0029】次に2次洗浄機57等で洗浄されることに
よって生じる不純物濃度の低い排水W3は、排水管14
が前記反転機61の給水管29に接続されることで、該
給水管29から反転機61に供給される純水に混合さ
れ、あるいは、図示しないが排水管14を給水管29に
接続しないで直接反転機61に導き、反転機61におけ
る半導体ウエハのリンス液として再使用される。なお不
純物濃度の低い排水W3と純水を単に混合するのではな
く、通常は主として不純物濃度の低い排水W3をリンス
液として使用し、足りないときに純水を補充するように
しても良い。
【0030】つまり上記実施形態では、排水を不純物の
濃度別に分けて回収することによって、それぞれの排水
を効率的に処理することができる。さらに後段の洗浄工
程で回収した比較的不純物濃度の低い水を前段の洗浄工
程等で再利用しているので、さらなる経費の節減につな
がる。また不純物濃度の低い排水管14の排水W3はこ
れをフィルターS等で十分清浄化した場合は、これを1
次洗浄機55や2次洗浄機57や洗浄機能付きスピン乾
燥機59やターンテーブル33に供給することでこれら
機器に対しても再利用することもできる。その際通常は
排水管14から供給される水のみを再利用し、タンクT
が空に近くなったら、25,26,27,28の各供給
管から未使用の液体を各機器へ供給するようにしてもよ
い。
【0031】なお上記実施形態では不純物濃度の低い排
水管14の排水W3を再利用したが、この排水は再利用
せずに直接一般産業排水として排水しても良い。また排
水管14の排水W3の一部を再利用し、それ以外の排水
を一般産業排水として排水するようにしても良い。
【0032】なお上記実施形態では排水の再利用につい
ては、2次洗浄機57,3次洗浄機59で用いられた排
水W3についてのみ行なったが、排水の再利用は以下に
述べる方法でも行なうことができる。
【0033】即ち、ポリッシング装置30で用いられる
純水の代わりに、洗浄装置50から排出された排水を全
量回収精製し、不純物、金属イオン等を除去した後、こ
れをポリッシング装置30に用いてもよい。
【0034】即ち、ポリッシング装置30で用いられる
液体としては、研磨面34をドレッシングする際に供給
されるドレッシング液や、非研磨時にトップリング35
の下面を乾燥防止及び洗浄するための洗浄液や、非ドレ
ッシング時にドレッシングリング39を乾燥防止及び洗
浄するための洗浄液や、ワーク受渡装置43で研磨後の
ウエハを乾燥防止及び洗浄するための洗浄液があるが、
これらは何れも純水が用いられている。そしてこれら研
磨面34,トップリング35,ドレッシングリング3
9,ワーク受渡装置43への洗浄液は図3に示すよう
に、供給管25,31,32を通して供給される。
【0035】また純水の使用割合の一例を挙げると、洗
浄装置50側で使用する液体と、ポリッシング装置30
側で使用する液体の液体使用量の比は、〔洗浄装置
側〕:〔ポリッシング装置側〕=3:2である。しかし
ながら純水は高価であり、またポリッシング装置30で
用いられるドレッシング液,洗浄液は、洗浄装置50で
使用されるものに比べて清浄度が厳密に要求されないた
め、洗浄装置50で用いられた不純物濃度の低い排水を
再利用することにより、ポリッシング装置30で用いる
純水などの液体の全量を洗浄装置50からの再利用水で
賄うことができ、純水の使用量が40%程度削減でき、
換言すればポリッシング設備からの全排水量も40%程
度削減することができる。
【0036】ここで図3はこの方法を実現するためのベ
ース台20の部分に設置される排水管等の1構成例を示
す図である。なお図1と同一部分には同一符号を付して
その詳細な説明は省略する。同図において図1に示す実
施形態と相違する点は、排水管12も排水回収タンクT
に接続して再利用水としたことと、精製処理手段をバク
テリア殺菌のための紫外線からなる殺菌灯Uを具備した
排水回収タンクT,ポンプP,流量調整弁V,金属イオ
ンを除去するためのフィルターS(特にイオン交換
膜),不純分を除去するためのフィルターS′で構成し
たことと、フィルターS′を介した処理後の排水をポン
プPの動力で供給管25,31,32に接続したことで
ある。以上のように構成することによって、ポリッシン
グ装置30で使用する水の全量が、洗浄装置50の排水
を再利用することで賄われるようになる。
【0037】なおポリッシング装置30から排出される
排水が、固形分を取り除かれた後に直接一般産業排水と
して工場の排水処理設備23に送られて処理されること
は、図1に示す実施形態と同様である。
【0038】ところで上記実施形態では排水管系統を、
排水中に含まれる不純物濃度の高低別に分離したが、そ
の代りに使用する薬液別等、他の分離方法によって分離
しても良い。
【0039】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ポリッシング装置と洗浄装置から引き出される複数
本の排液管を、排液の種類に応じて複数の排液管系統に
分離したので、排液の種類に応じてそれぞれの排液を効
率的に処理でき、また排液の再利用も可能となり、全体
として排液処理コストの節減につながるという優れた効
果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】ベース台20の部分に設置される排水管等を示
す平面図である。
【図2】本発明を適用するポリッシング設備の全体内部
構造を示す概略平面図である。
【図3】他の実施形態にかかるベース台20の部分に設
置される排水管等を示す平面図である。
【符号の説明】
10,12,13,14,15 排水管 30 ポリッシング装置 33 ターンテーブル 35 トップリング 34 研磨面 50 洗浄装置 51,53 搬送ロボット(搬送機) 55 1次洗浄機 57 2次洗浄機 59 洗浄機能付きスピン乾燥機

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ポリッシング対象物を保持するトップリ
    ングと、該トップリングに保持したポリッシング対象物
    の表面を研磨するターンテーブルとを有するポリッシン
    グ装置と、 前記ポリッシング装置によって研磨されたポリッシング
    対象物を洗浄する洗浄機を有する洗浄装置とを具備し、 前記ポリッシング装置から引き出される1又は2以上の
    排液管と前記洗浄装置から引き出される1又は2以上の
    排液管とを、排液の種類に応じて複数の排液管系統に分
    離せしめたことを特徴とするポリッシング設備。
  2. 【請求項2】 前記ポリッシング装置から引き出される
    排液管と前記洗浄装置から引き出される排液管は、排液
    の汚染の程度に応じて複数の排液管系統に分離され、且
    つ該分離された排液管系統の内の汚染の程度の低い排液
    を汚染の程度の高い排液を生じる機器の供給液として再
    利用することを特徴とする請求項1記載のポリッシング
    設備。
  3. 【請求項3】 前記洗浄装置から排出される排液を、前
    記ポリッシング装置を構成する各種機器への供給液とし
    て再利用することを特徴とする請求項1記載のポリッシ
    ング設備。
JP33115797A 1996-11-14 1997-11-14 ポリッシング設備 Pending JPH10199834A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33115797A JPH10199834A (ja) 1996-11-14 1997-11-14 ポリッシング設備

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32107796 1996-11-14
JP8-321077 1996-11-14
JP33115797A JPH10199834A (ja) 1996-11-14 1997-11-14 ポリッシング設備

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10199834A true JPH10199834A (ja) 1998-07-31

Family

ID=26570353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33115797A Pending JPH10199834A (ja) 1996-11-14 1997-11-14 ポリッシング設備

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10199834A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0639534B1 (en) Waste treatment system in a polishing apparatus
JP3336952B2 (ja) ウエーハ洗浄装置における排水分別回収装置
JP3631775B2 (ja) 自動洗浄の方法およびシステム
JP2017143190A (ja) 基板処理装置用排水システム、排水方法及び排水制御装置並びに記録媒体
JP3138901B2 (ja) 基板の浸漬処理装置
Yang CMP wastewater management using the concepts of design for environment
JP4114395B2 (ja) 基体表面の有機被膜の除去装置
EP0842737B1 (en) Drainage structure in polishing plant
JPH10199834A (ja) ポリッシング設備
KR19980079529A (ko) 반도체 웨이퍼의 습식 처리 방법 및 습식 처리 장치
JPH08148457A (ja) ウェットステーション並びにそのウェットステーションを用いたウェット洗浄方法及びウェット洗浄装置
JP3530426B2 (ja) 基板の浸漬処理装置
JPS63108724A (ja) 半導体洗浄用超純水の製造方法
JP3035451B2 (ja) 基板の表面処理装置
JPH04290432A (ja) 半導体製造装置
JPH10163158A (ja) 板状体洗浄装置
JPH04256318A (ja) 薬液処理装置
KR100406476B1 (ko) 씨엠피장비의 클리닝워터 분리장치
JPS591757Y2 (ja) 純水の回収装置
JPH05217988A (ja) 洗浄装置
JPH0521415A (ja) 半導体処理装置
KR19980021423A (ko) 반도체 습식장치
KR0174986B1 (ko) 반도체 공정의 액 순환 시스템
JPH08167546A (ja) ウエット処理装置
JP3000997B1 (ja) 半導体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040713

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040909

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040909

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Effective date: 20040914

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Effective date: 20041008

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

A521 Written amendment

Effective date: 20041022

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050804